DE3888370T2 - Verfahren zur Herstellung eines keramischen Mehrschichtkörpers mit inneren Kupferteilen. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Mehrschichtkörpers mit inneren Kupferteilen.Info
- Publication number
- DE3888370T2 DE3888370T2 DE3888370T DE3888370T DE3888370T2 DE 3888370 T2 DE3888370 T2 DE 3888370T2 DE 3888370 T DE3888370 T DE 3888370T DE 3888370 T DE3888370 T DE 3888370T DE 3888370 T2 DE3888370 T2 DE 3888370T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ceramic
- green ceramic
- copper
- layers
- multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 27
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 3
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims 2
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 alkaline earth metal titanate Chemical class 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 3
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NEPQBPJKHOXINC-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-] Chemical compound [Zn+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-] NEPQBPJKHOXINC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N barium(2+);diborate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009867 copper metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004242 micellar liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000008029 phthalate plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4664—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
- H05K3/4667—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders characterized by using an inorganic intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63424—Polyacrylates; Polymethacrylates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/638—Removal thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5127—Cu, e.g. Cu-CuO eutectic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5188—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal organic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
- H05K3/1291—Firing or sintering at relative high temperatures for patterns on inorganic boards, e.g. co-firing of circuits on green ceramic sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/345—Refractory metal oxides
- C04B2237/346—Titania or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/52—Pre-treatment of the joining surfaces, e.g. cleaning, machining
- C04B2237/525—Pre-treatment of the joining surfaces, e.g. cleaning, machining by heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/086—Using an inert gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1126—Firing, i.e. heating a powder or paste above the melting temperature of at least one of its constituents
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von keramischen Mehrschichtbauelementen mit inneren Kupfer-Leitern. Das keramische Mehrschichtbauelement kann entweder ein Substrat zum Aufbau aktiver elektronischer Komponenten wie integrierter Schaltkreise sein, oder es kann eingebaute passive Komponenten wie Kondensatoren und Widerstände enthalten, oder das Bauelement kann ein keramischer Mehrschichtkondensator oder -widerstand sein.
- Keramische Mehrschichtstrukturen mit inneren leitenden Metallschichten sind gut bekannt und Stand der Technik. Im allgemeinen werden solche Strukturen aus grünen keramischen Platten gebildet, die aus Suspensionen keramischer Pulver hergestellt werden, die in thermoplastischem Polymer und Lösungsmittel dispergiert sind. Leiter werden auf einigen der grünen Platten in einem Muster abgeschieden, gewöhnlich durch Auftragen einer Paste durch Siebdruck, die aus einem Metallpulver, einem organischen Bindemittel und Lösungsmittel besteht. Die Platten mit den Leitern darauf können auch Kontaktlöcher oder Durchführungslöcher enthalten, die hineingestanzt sind, was für Verbindungen zwischen verschiedenen Schichten in der endgültigen Mehrschichtstruktur erforderlich sein kann. Die grünen Platten werden mit geeigneter Erfassung der verschiedenen Stapelhöhen aufeinandergepackt und unter Bildung einer Mehrschichtstruktur laminiert. Diese Struktur wird dann gebrannt, um die organischen Bindemittel auszutreiben und die Keramik- und Metallteilchen zu sintern. Die Mehrschichtstruktur kann vor dem Brennen in kleinere Einheiten zerschnitten werden.
- Bei einigen keramischen Mehrschichtstrukturen wurden Trägermetalleiter verwendet. In solchen Fällen werden die Strukturen in einer Atmosphäre mit geringem Sauerstoffgehalt gebrannt, um die Leiter vor der Oxidation beim Brennvorgang zu schützen. Zum Beispiel wurden Ni-Elektroden in keramischen Mehrschichtkondensatoren verwendet, die Titanat- oder Zirkonatdielektrika enthalten, und Mo-Mn-Legierung wurde für auf Aluminiumoxid basierende Mehrschichtsubstrate verwendet. Diese Trägermetalle schmelzen bei den hohen Brenntemperaturen, die notwendig sind, um die Keramik zu sintern (> 1350ºC), nicht. Es wurde versucht, in Mehrschichtstrukturen hochleitende Kupferelektroden zu verwenden; da Kupfer jedoch einen niedrigen Schmelzpunkt hat (1083ºC), müssen die keramischen Zusammensetzungen modifiziert werden, indem man Sinterhilfsmittel wie niedrigschmelzende Gläser oder Flußmittel hinzufügt, um beim Brennen unterhalb des Schmelzpunkts von Kupfer eine dichte abgeschlossene Struktur zu erhalten.
- Eine Hauptschwierigkeit bei der Verwendung von Kupferelektroden in keramischen Mehrschichtstrukturen ist die Entfernung organischer Bindemittel, bevor die Keramik sintert. Dies kann zur Verfärbung durch Einschluß von Kohlenstoff, zur unvollständigen Verdichtung der Keramik oder zu uneinheitlichen, sich ablösenden Elektroden führen. Ein Verfahren, um dieses Problem zu vermeiden, wird in U.S. 4,551,357 beansprucht, in dem ein organisches Bindemittel in der Elektrodenpaste verwendet wird, das sich bei einer höheren Temperatur zersetzt als das thermoplastische Polymer in der grünen keramischen Platte. Das Brennen erfolgt in einer Stickstoffatmosphäre mit nicht mehr als 200 ppm Sauerstoff oder in einem Gasgemisch aus Stickstoff, Wasserstoff und Wasserdampf. Alternativ dazu wird in U.S. 4,234,367 ein Verfahren zur Verarbeitung keramischer Mehrschichtsubstrate mit Kupferelektroden beansprucht, bei dem organische Rückstände entfernt werden, indem man vor dem Sintern lange (> 12 Stunden) Hitzevorbehandlungen in einer Stickstoffatmosphäre und anschließend in einem Gemisch aus Wasserdampf und Wasserstoff durchführt. Darüber hinaus offenbaren U.S. 4,308,570 und U.S. 4,101,952 Mehrschichtstrukturen, bei denen ein Paar von Kupferelektrodenschichten in einem keramischen Mehrschichtkondensator durch ein Dielektrikum mit einer Dicke von etwa 80 um voneinander getrennt sind. In der Elektrodenpaste wurde Ethylcellulose verwendet, und die Mehrschichtstrukturen wurden in einem Gemisch aus Kohlendioxid und Kohlenmonoxid gesintert.
- Während dieser letztere Prozeß bei Mehrschichtstrukturen mit wenigen Schichten des Kupferleiters gut funktioniert, fand man, daß die Schwierigkeit bei der Entfernung des organischen Bindemittels von den Elektroden bei Teilen mit hoher Schichtenzahl (z. B. fünf oder mehr) zu einer inadäquaten Kontrolle der Versinterung des Kupfers zum Erreichen kontinuierlicher Schichten gleichmäßiger Dicke führt.
- Dieses Patent betrifft niedriggebrannte monolithische keramische Kondensatoren mit einem K-Wert von > 1000, bei denen die dielektrischen Schichten aus 5-15% nichtkristallinem Glas (Erdalkalialuminiumboratglas) und 98-85% einer kristallinen Phase (Erdalkalimetalltitanat) bestehen und die Elektroden aus Trägermetall hergestellt sind.
- Das Patent von Herron betrifft ein Verfahren zur Bildung von Glaskeramik-Verbundstrukturen mit Kupfermetallurgie (1) durch Aufdrucken eines Kupferleitermusters auf eine grüne Platte eines kristallisierbaren Glases, (2) Laminieren einer zweiten kristallisierbaren grünen Platte aus Glas auf das gedruckte Kupfermuster und (3) Brennen der Verbundstruktur zuerst 12 Stunden in H&sub2;/H&sub2;O, um das Bindemittel herauszubrennen, und dann in einer inerten Atmosphäre, um das Glas zu sintern.
- Dieses zweite Patent von Burn betrifft monolithische keramische Kondensatoren mit inneren Kupferelektroden mit einem K-Wert von etwa 10, die aus 10-50 Gew.-% nichtreduzierbarem Glas (Erdalkaliborat) und 90-50 Gew.-% einer nichtreduzierbaren kristallinen keramischen Phase (MgTiO&sub3;) bestehen.
- Dieses Patent betrifft ein Verfahren zur Herstellung keramischer Leiterplatten, bei dem eine Cu/Polymer-Paste auf eine dielektrische grüne Platte gedruckt wird. Das organische Bindemittel der Cu-Paste ist thermisch stabiler als das organische Bindemittel des Dielektrikums. Die bedruckte grüne Platte wird in einer oxidierenden Atmosphäre unterhalb des Zersetzungspunktes des organischen Bindemittels erhitzt und dann in einer Atmosphäre mit niedrigem Sauerstoffgehalt gebrannt, um das organische Material zu zersetzen.
- Eine bei niedriger Temperatur sinterbare keramische dielektrische Zusammensetzung, umfassend (a) 100 Teile BaTiO&sub3;, dotiert mit 0.02 bis 0.05 Mol Mg, Zr oder Ca und (b) 0.2-10 Teile B&sub2;O&sub3; und ein Metalloxid, das aus BaO, MgO, ZnO, BaO und CaO ausgewählt ist.
- Eine bei niedriger Temperatur sinterbare keramische dielektrische Zusammensetzung, umfassend (a) 100 Teile BaTiO&sub3;, dotiert mit 0.02-0.05 Mol Mg, Zn, Sr oder Ca und (b) 0.2-10 Teile B&sub2;O&sub3; oder SiO&sub2;.
- Eine bei niedriger Temperatur sinterbare keramische dielektrische Zusammensetzung, umfassend (a) 100 Teile BaTiO&sub3;, dotiert mit 0.02-0.05 Mol Mg, Zn, Sr oder Ca und (b) 0.2-10 Teile eines Gemischs aus Li&sub2;O und SiO&sub2;.
- Diese Referenz betrifft keramische dielektrische Zusammensetzungen auf elektrisch isolierendem Glas, organisches Bindemittel und anorganisches Peroxid, um das Ausbrennen des Bindemittels zu erleichtern.
- Die Referenz offenbart eine glasierende Paste zur Verwendung auf metallisierten Substraten, umfassend ein Bariumborosilikatglas, das in einem organischen Medium dispergiert ist, bei dem es sich um eine Lösung von Isobutylmethacrylat und α-Terpineol handelt.
- Die Referenz offenbart Mehrschichtkondensatoren mit Trägermetallelektroden, die auf keramische grüne Platten aufgedruckt sind, welche ein dielektrisches Material MTiO&sub3; und ein LiF- Flußmittel enthalten. Das Ganze wird bei 950ºC gesintert.
- In einem ersten Aspekt bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Bildung eines hermetischen schmelzgesinterten keramischen Mehrschichten-Elements mit inneren Kupferleitern, wie es in Anspruch 1 beschrieben ist. Weitere Ausführungen sind in den abhängigen Ansprüchen zu finden.
- Es wurde entdeckt, daß bei Ersatz von Ethylcellulose in der Elektrodenpaste durch ein geeignetes Acrylbindemittel eine gute Kontinuität und Gleichmäßigkeit der Elektrode sogar in Mehrschichtstrukturen mit bis zu 25 Kupferschichten, die jeweils nur durch 25 um Keramik voneinander getrennt sind, erreicht werden kann. Da Ethylcellulose dazu neigt, sich bei einer höheren Temperatur zu zersetzen als das Acrylbindemittel, ist dieses Ergebnis im Hinblick auf die Erkenntnisse von U.S. 4,551,357 überraschend.
- Weiter wurde gefunden, daß die Notwendigkeit der Anwendung langer Vorsinterbehandlungen und/oder von Brennatmosphären mit hohen Anteilen an Wasserdampf vermieden werden kann. Solche Atmosphären sind der elektrischen Leistungsfähigkeit keramischer Dielektrika im allgemeinen abträglich, da Hydroxyl-Ionen dazu neigen, während des Brennens in ihre Struktur eingebaut zu werden.
- Das Verfahren der Erfindung zur Herstellung keramischer Mehrschichtbauelemente mit inneren Kupferleitern umfaßt die Verwendung einer neuartigen Kupferelektrodenpaste zusammen mit einem trockenen Brennprozeß, der zur effizienten Entfernung organischer Bindemittel während des Sinterns führt und dünne, kontinuierliche und gleichmäßige Elektroden mit höher Leitfähigkeit in dem Mehrschichtbauelement erzeugt.
- Die dünnen Schichten aus keramischem Dielektrikum, die zur Herstellung von Mehrschichtbauelementen verwendet werden, beinhalten diskrete Schichten aus fein zerteilten dielektrischen Teilchen, die durch ein organisches polymeres Material miteinander verbunden sind. Die ungebrannte Keramik kann hergestellt werden durch Schlickergießen einer Suspension der dielektrischen Teilchen, die in einer Lösung mit Polymer, Weichmacher und Lösungsmittel dispergiert sind, auf einen Träger wie Polypropylen, Mylar®-Polyesterfilm oder rostfreien Stahl und anschließendes Anpassen der Dicke des begossenen Films durch Vorbeileiten des gegossenen Schlickers unter einer Rakel, wobei sich eine dünne "grüne Folie" bildet.
- Metallisierungen, die sich zur Herstellung von Leitern für Mehrschichtstrukturen eignen, umfassen normalerweise fein zerteilte Metallpartikel, die in Form einer Dispersion solcher Teilchen in einem inerten flüssigen Träger auf die grüne Folie aufgetragen werden. Obwohl der oben beschriebene Prozeß mit der "grünen Folie" weiter verbreitet ist, gibt es dennoch andere Verfahren, bei denen dielektrische Zusammensetzungen der Erfindung verwendet werden können, um solche Strukturen herzustellen. Eine dieser Techniken ist der sogenannte "Naßprozeß". In einer der Ausführungen kann dabei ein flaches Substrat einmal oder mehrmals durch eine fallende Schicht dielektrischen Schlickers geführt werden, um eine dielektrische Schicht aufzubauen (siehe Hurley et al., U.S.-Pat. Nr. 3,717,487).
- Eine weitere "Naßprozeß"-Methode zur Herstellung von Mehrschichtstrukturen beinhaltet die Bildung einer Paste des dielektrischen Materials und dann abwechselnden Siebdruck der dielektrischen und der Metallschichten mit Trockenschritten dazwischen, bis die gewünschte Struktur fertig ist. Dann wird eine zweite Elektrodenschicht auf die dielektrische(n) Schicht(en) aufgedruckt, und alles wird zusammen gebrannt.
- Für die Zwecke der Erfindung wird bevorzugt, daß die grüne Keramik sowohl ein primäres dielektrisches Material, z. B. BaTiO&sub3;, als auch nichtreduzierende Glasfritte (Flußmittel) enthält, die im wesentlichen kein Pb, Bi oder Cd enthält. Es ist wesentlich, daß das Flußmittel einen hinreichend geringen Schmelzpunkt hat, damit es bei der Brenntemperatur in flüssiger Phase sintert. Bevorzugte Flußmittel bestehen aus (a) glasbildenden Oxiden, die aus B&sub2;0&sub3;, SiO&sub2;, GeO&sub2;, P&sub2;Os und deren Vorstufen sowie Gemischen davon ausgewählt sind, und (b) glasmodifizierenden Oxiden, die aus Li&sub2;O, ZnO, AI&sub2;O&sub3;, BaO, CaO, MgO, SrO und deren Vorstufen sowie Gemischen davon ausgewählt sind.
- Dielektrische Zusammensetzungen auf Bariumtitanatbasis sind im wesentlichen frei von leicht reduzierbaren Oxiden wie PbO, Bi&sub2;O&sub3; und CdO. Donor-Dotierungsmittel, die aus Nioboxid und Oxiden der Seltenen Erden wie Neodymoxid ausgewählt sind, werden als Curie- Punkt-Shifter verwendet, zusammen mit Zirkonoxid. Eine hohe Dielektrizitätskonstante und ein hoher spezifischer Widerstand nach dem Sintern unter reduzierenden Bedingungen werden erreicht durch (a) partielle Kompensierung der Donoren mit einem Akzeptor-Dotierungsmittel, vorzugsweise Manganoxid, und (b) eine präzise Ausgewogenheit der Kationenstöchiometrie. Das Flußmittel besteht aus einer kleinen Menge eines glasbildenden Oxids, vorzugsweise Boroxid, zusammen mit ZnO und/oder Li&sub2;O, und kann auch BaO und MnO&sub2; enthalten.
- Wegen ihrer guten Druckeigenschaften enthalten Elektrodenpasten, die für Mehrschichtstrukturen verwendet werden, welche in Luft gebrannt werden, gewöhnlich ein Ethylcellulose-Bindemittel. Einige vorläufige Experimente wiesen jedoch darauf hin, daß gleichmäßig gesinterte innere Kupferelektroden mit diesem Typ von Elektrodenpaste nicht zu erhalten waren. Dies galt insbesondere bei einer großen Zahl von Schichten, wegen der Schwierigkeit, das Bindemittel aus den Elektroden in der Mitte der Mehrfachschicht herauszubrennen, ohne daß eine übermäßige Oxidation der äußeren Elektroden erfolgte.
- Dementsprechend wurde eine Kupferelektrodenpaste auf der Basis eines Nichtcellulose-Bindemittels entwickelt, die das Problem beim Ausbrennen, das bei Ethylcellulose-Bindemitteln auftritt, umgeht und die bei geringem Metallbelag (etwa 2 um gebrannt) ausgezeichnete Druckeigenschaften aufweist.
- Eine Hauptschwierigkeit bei der Verwendung von Nichtcellulose- Bindemitteln, wie Acrylaten, für im Siebdruck auf tragbare Elektrodenpasten besteht darin, daß das Lösungsmittel mit der grünen Folie reagiert. Außerdem bleibt die Paste am Sieb hängen und/oder fließt übermäßig, es sei denn, man verwendet einen geringen Bindemittelgehalt. Bei einem geringen Bindemittelgehalt ist der Feststoffgehalt der Paste hoch, und die aufgedruckte Beschichtung ist gewöhnlich zu dick, was zu Problemen mit einer ungleichmäßigen Schrumpfung der keramischen Mehrschichtstruktur führt. Diese Probleme wurden dadurch gelöst, daß mal die Paste mit einem schlechten Lösungsmittel für Acryle zubereitet, mit β-Terpineol. Die Methylmethacrylate wie Elvacite® 2041, 2010 und 2008, die von E. I. du Pont de Nemours and Company hergestellt werden, lassen sich auch bei so niedrigen Konzentrationen wie 10 Gew.-% nicht in β-Terpineol auflösen. Man fand jedoch, daß das Butylmethacrylat Elvacite® 2044 im Konzentrationsbereich 20-30 Gew.-% leicht löslich ist. Die leitfähige Paste wird zubereitet, indem man das n-Butylmethacrylatpolymer in Terpineol auflöst (20/80 Gew.-Teile) und dann ein feines Kupferpulver mit einer Teilchengröße von etwa 1 um zumischt, vorzugsweise mit einem geeigneten Netzmittel, um die Stabilität der Dispersion zu verbessern. Das Gemisch wird dann zur Vervollständigung des Dispersionsvorgangs mit einer Walzenmühle gemahlen oder pulverisiert. Wenn die Elektroden mit einem Metallanteil von 55 Gew.-% hergestellt wurden und man ein 38 um-Sieb (400-mesh) verwendete, wurde in gebrannten keramischen Mehrschichtkondensatoren mit vielen Elektroden eine ausgezeichnete Gleichmäßigkeit der Elektroden bei sehr dünnen Schichten ( 2.5 um) erreicht.
- Die keramischen Mehrschichtbauelemente mit inneren Kupferelektroden werden in einem kommerziell erhältlichen Ofen (Cladan, Inc.) gebrannt, der speziell versiegelt wurde, damit er eine kontrollierte Atmosphäre ohne nennenswerte Undichtigkeiten enthält. Die Verwendung von Atmosphären mit kontrollierten Sauerstoff-Partialdrücken zum Brennen von keramischen Mehrschichtstrukturen mit Trägermetallelektroden ist gut bekannt. Atmosphären aus N&sub2;, H&sub2; + N&sub2;, CO + CO&sub2; + N&sub2; wurden beschrieben, und eine Vielzahl anderer Atmosphären einschließlich H&sub2; + H&sub2;O + N&sub2; und CO&sub2; + H&sub2; + N&sub2; können verwendet werden. Wir haben uns entschlossen, CO&sub2; + H&sub2; + N&sub2; zu verwenden, wegen der durch ein solches Gemisch ermöglichten Kontrolle der Atmosphäre und aus Sicherheitsgründen: man braucht nichtexplosive H&sub2;-Konzentrationen, und es ist nicht notwendig, Kohlenmonoxid zu lagern und durch Rohre zu leiten.
- Die grünen Mehrschichtbauelemente können bei 400ºC in N&sub2; vorgebrannt werden, um den größten Teil der organischen Bindemittel zu entfernen, oder sie können direkt ohne Vorbrennen gesintert werden. Eine geeignete Aufheizgeschwindigkeit ist 25ºC/min bis zu 750ºC, dann vermindert auf 10ºC/min bis zu 1050ºC. Die Brenndauer beträgt gewöhnlich 2-2.5 Stunden bei 1050-1065ºC, dann läßt man den Ofen mit seiner natürlichen Geschwindigkeit abkühlen. Während des gesamten Durchlaufs (Aufheizen und Abkühlen) zirkuliert ein Gasgemisch aus Stickstoff, Kohlendioxid und Wasserstoff durch den Ofen, mit einer Strömungsgeschwindigkeit, bei der ein leichter Überdruck aufrechterhalten wird. Das Verhältnis von Kohlendioxid zu Wasserstoff bestimmt den Sauerstoff-Partialdruck. Das Verhältnis sollte zwischen 10/1 und 50/1 gehalten werden. Wenn die Atmosphäre zu reduzierend ist (zu geringes CO&sub2;/H&sub2;-Verhältnis), wird eine Delaminierung der Mehrschichtenvorrichtung während der verfrühten Sinterung der Elektroden wahrscheinlicher, und/oder die Keramik kann, im Falle von Titanatdielektrika, halbleitend werden. Wenn das Verhältnis zu hoch ist, oxidieren die Kupferelektroden partiell und können übermäßig mit der Keramik reagieren oder sich darin lösen. Eine leichte Reaktion zwischen den Elektroden und der Keramik kann für einen guten Zusammenhalt günstig sein, sollte aber minimal gehalten werden, um Variationen der Eigenschaften bei unterschiedlichen Dicken der Keramik und Elektrodenzahlen zu vermeiden.
- Eine Kupferelektrodenpaste, die sich für die inneren Elektroden in einer als Ganzes gebrannten keramischen Mehrschichtstruktur eignet, wurde wie folgt hergestellt. Elvacite® 2044, ein von Du Pont hergestelltes Butylmethacrylatharz, wurde in beta-Terpineol gelöst, was eine Lösung mit 20 Gew.-% ergab. Fünfundfünfzig Gewicht steile Kupferpulver mit einer Partikelgröße von etwa 1 um, wie das von Metz Metallurgical Corp. (South Plainfield, N. J.) hergestellte Powder #10, wurden mit 44.5 Gewichtsteilen des Acrylmediums zusammen mit 0. 5 Gewichtsteilen des Netzmittels RK-500 (GAF Corporation, New York, N. Y.) vermischt. Ein inniges Vermischen wurde durch Pulverisieren oder Vermahlen mit einer Walzenmühle erreicht.
- Eine keramische grüne Folie auf Bariumtitanatbasis wurde aus einem Schlicker hergestellt, der durch Vermischen der folgenden Pulver (in Gewichtsteilen) mit Du Pont 5200 Acrylbindemittelgemisch hergestellt wurde: 85.0 Bariumtitanat, 10.0 Bariumzirkonat, 2.0 Neodymoxid, 0.5 Lithiumcarbonat und 2.83 mangandotierte Bariumzinkborat-Fritte. Sechsundsechzig Gewichtsteile Bindemittelgemisch wurde mit 100 Teilen des Pulvers verwendet. Das Bindemittelgemisch bestand aus 8.5 Teilen Acrylpolymer in 19.8 Teilen MEK, 2.0 Teilen Butylbenzylphthalat-Weichmacher, 1.5 Teilen einer 10%igen Lösung Poly-Pale -Harz (Hercules, Inc.) in Isopropanol und 68.2 Teilen 1,1,1-Trichlorethan als Lösungsmittel. Die keramische grüne Folie wurde auf eine Dicke von etwa 35 Mikrometer (trocken) gegossen.
- Keramische Mehrschichtkondensatoren wurden aus 25 Schichten grüner Folie, wobei auf jede Schicht Elektroden durch Siebdruck aufgebracht wurden, und Deckplatten aus acht Schichten grüner Folie oben und unten zusammengesetzt. Die Elektroden wurden mit Hilfe der oben beschriebenen Kupferpaste und eines 38-um-Siebes (400-mesh) aufgedruckt. Die Mehrschichtstrukturen wurden bei 551 bar (8000 psi) miteinander laminiert.
- Obwohl man den größten Teil des organischen Bindemittels von den Mehrfachschichten hätte entfernen können, indem man etwa 1 Stunde in Stickstoff bei 400ºC vorheizt, wurden die MLCs ohne vorherige Entfernung der Bindemittel gebrannt, indem sie in einer Atmosphäre aus Stickstoff, Wasserstoff und Kohlendioxid aufgeheizt wurden. Der Wasserstoff lag mit einem Anteil von 4% in Stickstoff vor, und ein Kohlendioxid/Wasserstoff-Verhältnis von 50/1 wurde verwendet. Der Gesamtstickstoffgehalt entsprach etwa der dreifachen Menge des Kohlendioxids. Der Ofen wurde in 30 Minuten auf 750ºC aufgeheizt und dann in weiteren 30 Minuten auf 1050ºC. Eine maximale Temperatur von 1050-1065ºC wurde 150 Minuten aufrechterhalten, wobei der Sauerstoffgehalt im Ofen ungefähr 10&supmin;&sup9; Atmosphären betrug, was durch einen Zirkoniumoxid-Sauerstoffsensor in situ angezeigt wurde. Dann ließ man den Ofen mit seiner natürlichen Geschwindigkeit abkühlen. Das Wasserstoff/ Kohlendioxid-Gemisch wurde ausgeschaltet, als die Temperatur unter etwa 500ºC abgefallen war.
- Die Mehrschichtkondensatoren wurden mit Du Pont 7001D Kupferterminationspaste abgeschlossen, die bei 700ºC in Stickstoff weiter gebrannt wurde. Elektrische Messungen wurden mit einem Hewlett Packard 4192A Impedanz-Analysator und einem Hewlett Packard 4192B Picoamperemeter durchgeführt. Die Kapazität betrug 0.42 uF, der dielektrische Verlustfaktor war bei 1 kHz weniger als 2.0%, und der Isolationswiderstand betrug 20000 ΩF. Eine mikroskopische Untersuchung polierter Abschnitte der Kondensatoren zeigten, daß sie dicht waren (keine miteinander verbundene Porosität) und eine ausgezeichnete Elektrodengleichmäßigkeit besaßen, d. h. die Elektroden waren weich und zusammenhängend ohne sichtbare Ablösung von Schichten. Die Dielektrizitätskonstante der Keramik wurde zu 8200-8600 berechnet.
- Keramische grüne Folie wurde wie in Beispiel 1 hergestellt, die Zusammensetzung war jedoch 85.6 BaTiO&sub3;, 10.0 CaZrO&sub3;, 0.63 Nd&sub2;O&sub3;, 0.50 Nb&sub2;O&sub5;, 0.5 Li&sub2;CO&sub3; und 3.0 Bariumboratfritte. Die Folie wurde in Plättchen der ungefähren Größe 1 cm · 1 cm · 0.03 cm geschnitten. Diese wurden gebrannt wie oben beschrieben, jedoch ohne Elektroden. Nach dem Brennen war die Keramik blau und leitete mit einem Widerstand von 230 Ω. Es wird erwartet, daß diese oder eine ähnliche Zusammensetzung als Material für einen Widerstand verwendet werden könnte, indem man eine Mehrschichtstruktur mit Kupferelektroden herstellt und den Widerstand durch Variieren der Anzahl und/oder Dicke der keramischen Schichten abgleicht.
- Eine keramische grüne Folie wurde wie in Beispiel 1 hergestellt, die Zusammensetzung der Keramik war jedoch 77.8 Gewichtsteile Kieselglaspulver (Imsil® A-108, Illinois Minerals Co.) und 22.2 Teile Zinkboratfritte der Zusammensetzung 2ZnO·B&sub2;O&sub3;. Außerdem wurden 66 Teile Bindemittelgemisch auf 50 Teile Pulver verwendet.
- Mehrschichtstrukturen wurden wie in Beispiel 1 hergestellt und gebrannt, außer daß die Mehrfachschichten sechs innere Kupferelektroden besaßen. Die Kapazität betrug 43.1 bis 48.7 pF, und der dielektrische Verlustfaktor betrug bei 1 kHz 0.11%. Der Isolationswiderstand betrug 2500-10600 ΩF, d. h. > 10&supmin;¹³ bei 100 V angelegter Spannung. Die Keramik hatte keine miteinander verbundene Porosität, und die Elektroden besaßen eine gute Gleichmäßigkeit ohne Anzeichen von Delamination. Die Dielektrizitätskonstante wurde zu 4.2 +/- 0.2 berechnet.
- Es wird erwartet, daß die in den obigen Beispielen beschriebenen Verfahren verwendet werden könnten, um eine als Ganzes gebrannte Mehrschichtstruktur mit untereinander verbundenen Schichten aufzubauen, um Chips mit Halbleitern oder integrierten Schaltkreisen darauf zu montieren. Wegen seinem niedrigen K-Wert, dem hohen Isolationswiderstand und der Verträglichkeit mit Kupferleitern könnte das Verfahren von Beispiel 3 zur Herstellung eines Keramiksubstrats verwendet werden. Die identischen Verarbeitungserfordernisse der in Beispiel 1 und 2 beschriebenen Materialien legen nahe, daß Kondensatoren und Widerstände in das Substrat integriert und durch konventionelle Kontaktlochtechniken unter Verwendung der oben beschriebenen einzigartigen Leiterzusammensetzungen und Brennverfahren miteinander verbunden werden könnten.
- Die vorteilhaften Eigenschaften der in Beispiel 1 beschriebenen Elektrodenpaste lassen sich mit der Leistungsfähigkeit von Elektrodenpasten vergleichen, die mit anderen Acrylpolymeren (Du Pont Elvacites®) und Lösungsmitteln hergestellt wurden, wie es in Tabelle 1 zusammengefaßt ist. Man sieht, daß die Verwendung eines Butylmethacrylats, des einzigen Polymers in Tabelle 1, das in beta-Terpineol löslich ist, zu einer überlegenen Leistungsfähigkeit führte. Tabelle 1 Zusammensetzungen für Elektrodenpasten (Gew. -%) Acryl Molgewicht Lösungsmittel Polymerkonz. Menge (Gew.-%) Kupferpulver Bemerkungen mittel Carbitolacetat überfließend gering laydown zu dünnflüssig sehr hoch zu elastisch, gummiartig (Netzmittel) gute Fließeigenschaften zu klebrig Blasen hoch Tinte drang in die Keramik ein β-Terpineol gutes Aufdrucken gute Gleichmäßigkeit * Elvacite® Methylmethacrylatpolymer-Harze, hergestellt von E. I. du Pont de Nemours and Company, Wilmington, DE ** Elvacite® n-Butylmethacrylatpolymer-Harz + zur Verfügung gestellt von Ashland Chem. Co. # hergestellt von Hercules, Inc.
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung eines hermetischen schmelzgesinterten
keramischen Mehrschichten-Elements mit inneren Kupfer-Leitern
unter Verwendung grüner keramischer Schichten, die
fein zerkleinerte Teilchen eines keramischen dielektrischen
Materials und eines nicht-reduzierenden Glases, dispergiert in
einer festen Matrix eines thermoplastischen Acryl-Polymer-
Bindemittels umfassen, und
einer leitfähigen Kupfer-Dickfilm-Paste, die fein zerkleinerte
Teilchen von Kupfer-Metall, dispergiert in einem flüssigen
organischen Medium, umfaßt, das Butylmethacrylat als polymeres
Bindemittel, gelöst in einem Terpineol umfassenden organischen
Lösungsmittel, umfaßt,
umfassend die aufeinanderfolgenden Schritte
a. des Aufbringens einer Struktur aus der leitfähigen Paste
auf eine unstrukturierte Oberfläche einer ersten grünen
keramischen Schicht,
b. des Aufbringens einer unstrukturierten grünen keramischen
Schicht auf die strukturierte Seite der ersten grünen
keramischen Schicht,
c. des Aufbringens einer Struktur aus der leitfähigen Paste
auf eine unstrukturierte Oberfläche einer weiteren grünen
keramischen Schicht,
d. des Aufbringens der strukturierten Seite der weiteren
grünen keramischen Schicht aus Schritt c. auf die äußere
Oberfläche der Verbund-Struktur aus Schritt b., um eine
Mehrschichten-Struktur zu bilden, die eine Mehrzahl
Schichten mit leitfähigen Strukturen sandwichartig
eingelagert zwischen Schichten aus grüner Keramik
enthalten;
e. gegebenenfalls des Wiederholens der Abfolge der Schritte
c. und d., und
f. des Erhitzens der Verbund-Struktur aus den Schritten d.
und e. in einer gepufferten, sauerstoffarmen Atmosphäre
für die Dauer einer Zeitspanne und auf eine Temperatur,
die ausreichen, um die organischen Stoffe vollständig zu
entfernen, ohne das Kupfer in der leitfähigen Paste zu
oxidieren.
2. Verfahren zur Herstellung eines hermetischen schmelzgesinterten
keramischen Mehrschichten-Elements nach Anspruch l, weiterhin
dadurch gekennzeichnet, daß die Abfolge der Schritte c. und d.
wiederholt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die grünen keramischen
Schichten Rohkeramik-Bänder sind.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die grünen keramischen
Schichten durch Naßverarbeitung abgelegt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin in Schritt a. die
leitfähige Paste auf ein Substrat aufgebracht wird, das eine
Mehrzahl laminierter grüner keramischer Schichten umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin wenigstens eine Schicht
der unstrukturierten grünen Keramik durch Aufbringen auf die
unstrukturierte äußere Oberfläche der Verbund-Struktur aus
Schritt b. eingelagert wird, bevor die Struktur der leitfähigen
Paste auf sie aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Mehrschichten-
Struktur ein Substrat für die Montage elektronischer Bauteile
ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Mehrschichten-
Struktur ein keramischer Kondensator ist.
9. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Mehrschichten-
Struktur ein Substrat mit inneren Kondensator- und
Widerstandsschichten ist.
10. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das feinteilige Keramik-
Pulver aus Al&sub2;O&sub3;, SiO&sub2;&sub1; MgO, ZnO und deren Mischungen und
Verbindungen, und alkalischen Metalltitanaten wie BaTiO&sub3;,
SrTiO&sub3;, CaTiO&sub3; und MgTiO&sub3; und deren Mischungen und Verbindungen
ausgewählt ist.
11. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das niedrigschmelzende
Flußmittel im wesentlichen aus einem glasbildenden Oxid, das aus
B&sub2;0&sub3;,
SiO&sub2;, GeO&sub2;, P&sub2;O&sub5; und deren Vorstufen und Mischungen
ausgewählt ist, und modifizierenden Oxiden, die aus Li&sub2;O, ZnO,
Al&sub2;O&sub3;&sub1; BaO, CaO, MgO, SrO und deren Vorstufen und Mischungen
ausgewählt ist, besteht.
12. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das thermoplastische
organische Bindemittel in den grünen keramischen Schichten aus
Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Methylacrylat und deren
Mischungen ausgewählt ist.
13. Verfahren nach Anspruch 1, worin das getrocknete, gepufferte
Gas-Gemisch N&sub2; + CO&sub2; + H&sub2; ist, wobei das Verhältnis von N&sub2; zu
CO&sub2; + H&sub2; nicht größer als 10 ist und das Verhältnis von CO&sub2; zu
H&sub2; im Bereich von 10 bis 150 liegt.
14. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Temperatur 850ºC bis
1080ºC beträgt und die Zeit des Erhitzens und der
Wärmebehandlung nicht mehr als 5 h beträgt.
15. Kupfer-Dickfilm-Pasten-Zusammensetzung, umfassend ein Gemisch
aus feinen Teilchen von metallischem Kupfer, dispergiert in
einem flüssigen organischen Medium, das n-Butylmethacrylat,
gelöst in Terpineol, umfaßt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/003,259 US4766027A (en) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | Method for making a ceramic multilayer structure having internal copper conductors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3888370D1 DE3888370D1 (de) | 1994-04-21 |
DE3888370T2 true DE3888370T2 (de) | 1994-09-08 |
Family
ID=21704962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3888370T Expired - Fee Related DE3888370T2 (de) | 1987-01-13 | 1988-01-09 | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Mehrschichtkörpers mit inneren Kupferteilen. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4766027A (de) |
EP (1) | EP0275052B1 (de) |
JP (1) | JPS63198398A (de) |
KR (1) | KR900007896B1 (de) |
DE (1) | DE3888370T2 (de) |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4879156A (en) * | 1986-05-02 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Multilayered ceramic substrate having solid non-porous metal conductors |
US4879261A (en) * | 1987-01-13 | 1989-11-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low Dielectric constant compositions |
US4845062A (en) * | 1987-10-19 | 1989-07-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-firing dielectric composition |
JPH0611018B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1994-02-09 | 株式会社村田製作所 | セラミック生シートの積層方法 |
US5393604A (en) * | 1988-01-28 | 1995-02-28 | Mcdonnell Douglas Corporation | Production of silica "green" tape and co-fired silica substrates therefrom |
US4966926A (en) * | 1988-08-01 | 1990-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
US5079193A (en) * | 1988-08-01 | 1992-01-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Encapsulant composition |
US5302412A (en) * | 1989-02-03 | 1994-04-12 | The Boc Group, Inc. | Single atmosphere for firing compatible thick film material |
US4897249A (en) * | 1989-04-03 | 1990-01-30 | Sprague Electric Company | Barium borate preparation |
DE69022668T2 (de) * | 1989-06-16 | 1996-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elektronische Verbindungen, Verfahren zur Bildung von Endverbindern dafür und Paste zur Ausbildung derselben. |
DE3932882A1 (de) * | 1989-10-02 | 1991-04-11 | Siemens Ag | Gut waermeleitender verbundwerkstoff |
US5089070A (en) * | 1989-12-07 | 1992-02-18 | Pac Polymers Inc. | Poly(propylene carbonate)-containing ceramic tape formulations and the green tapes resulting therefrom |
US5011804A (en) * | 1990-02-28 | 1991-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic dielectric compositions and method for improving sinterability |
US5296426A (en) * | 1990-06-15 | 1994-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-fire X7R compositions |
JP3350949B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
JP3102139B2 (ja) * | 1992-05-28 | 2000-10-23 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品の製造方法 |
JP2943129B2 (ja) * | 1992-12-29 | 1999-08-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | セラミック組成物、セラミック・グリーン・シートおよび製造方法 |
DE4334059A1 (de) * | 1993-10-06 | 1995-04-13 | Philips Patentverwaltung | Schichtverbundfolie, Mehrfarbensiebdruckverfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
US5780375A (en) * | 1993-10-19 | 1998-07-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film composition for modifying the electrical properties of a dielectric layer |
JP3467872B2 (ja) * | 1994-12-02 | 2003-11-17 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の製造方法 |
US5698015A (en) * | 1995-05-19 | 1997-12-16 | Nikko Company | Conductor paste for plugging through-holes in ceramic circuit boards and a ceramic circuit board having this conductor paste |
US5879812A (en) * | 1995-06-06 | 1999-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method of producing the same |
DE19630883A1 (de) * | 1996-07-31 | 1998-02-05 | Philips Patentverwaltung | Bauteil mit einem Kondensator |
US5891933A (en) * | 1998-04-09 | 1999-04-06 | Alliedsignal Inc. | Metal titanates for friction stabilization of friction materials |
US6358771B1 (en) | 1998-07-02 | 2002-03-19 | Analog Devices, Inc. | Low oxygen assembly of glass sealed packages |
JP3619085B2 (ja) | 1999-02-18 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置、その製造方法及び記憶媒体 |
EP1096674B1 (de) | 1999-10-29 | 2013-03-27 | Kyocera Corporation | Schaltungssubstrat |
JP3722275B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2005-11-30 | Tdk株式会社 | 金属粒子含有組成物、導電ペースト及びその製造方法 |
DE10054812A1 (de) * | 2000-11-04 | 2002-05-08 | Philips Corp Intellectual Pty | Keramikkondensator mit CZT-Dielektrikum |
KR20040008094A (ko) * | 2002-07-17 | 2004-01-28 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트, 이것을 이용한 배선기판 및 배선기판의제조방법 |
JP4426805B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2010-03-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
US6893710B2 (en) * | 2003-04-18 | 2005-05-17 | Yageo Corporation | Multilayer ceramic composition |
KR100650319B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2006-11-27 | 신유선 | 적층 세라믹 칩 및 적층 세라믹 캐패시터의 형성방법 |
US20060162844A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Needes Christopher R | Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof |
US20080006532A1 (en) * | 2005-04-19 | 2008-01-10 | Rangachary Mukundan | Ammonia and nitrogen oxide sensors |
US20060231420A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | The Regents Of The University Of California | Explosives detection sensor |
US7575709B2 (en) * | 2005-04-19 | 2009-08-18 | Los Alamos National Security, Llc | Tape-cast sensors and method of making |
JP2008108703A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Covalent Materials Corp | 面状ヒータ及びこのヒータを備えた半導体熱処理装置 |
US8080071B1 (en) | 2008-03-03 | 2011-12-20 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact, methods of fabricating same, and applications therefor |
US9017438B1 (en) * | 2006-10-10 | 2015-04-28 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact including a polycrystalline diamond table with a thermally-stable region having at least one low-carbon-solubility material and applications therefor |
US8236074B1 (en) | 2006-10-10 | 2012-08-07 | Us Synthetic Corporation | Superabrasive elements, methods of manufacturing, and drill bits including same |
US8080074B2 (en) | 2006-11-20 | 2011-12-20 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compacts, and related methods and applications |
US8821604B2 (en) | 2006-11-20 | 2014-09-02 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact and method of making same |
US8034136B2 (en) | 2006-11-20 | 2011-10-11 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating superabrasive articles |
KR100777097B1 (ko) | 2006-12-05 | 2007-11-28 | 제일모직주식회사 | 유전체 세라믹과 폴리페닐렌설파이드 수지의 복합체 |
JP4840935B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-12-21 | 双信電機株式会社 | セラミック多層基板 |
US8999025B1 (en) | 2008-03-03 | 2015-04-07 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating a polycrystalline diamond body with a sintering aid/infiltrant at least saturated with non-diamond carbon and resultant products such as compacts |
US8911521B1 (en) | 2008-03-03 | 2014-12-16 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating a polycrystalline diamond body with a sintering aid/infiltrant at least saturated with non-diamond carbon and resultant products such as compacts |
DE102008036837A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Epcos Ag | Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
US8297382B2 (en) | 2008-10-03 | 2012-10-30 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compacts, method of fabricating same, and various applications |
US8071173B1 (en) | 2009-01-30 | 2011-12-06 | Us Synthetic Corporation | Methods of fabricating a polycrystalline diamond compact including a pre-sintered polycrystalline diamond table having a thermally-stable region |
WO2011114808A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
US10309158B2 (en) | 2010-12-07 | 2019-06-04 | Us Synthetic Corporation | Method of partially infiltrating an at least partially leached polycrystalline diamond table and resultant polycrystalline diamond compacts |
US9027675B1 (en) | 2011-02-15 | 2015-05-12 | Us Synthetic Corporation | Polycrystalline diamond compact including a polycrystalline diamond table containing aluminum carbide therein and applications therefor |
WO2017057246A1 (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト及び積層セラミック部品の端子電極形成方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE679454A (de) * | 1965-04-26 | 1966-09-16 | ||
US3717487A (en) * | 1970-06-17 | 1973-02-20 | Sprague Electric Co | Ceramic slip composition |
US4387131A (en) * | 1971-06-30 | 1983-06-07 | International Business Machines Corporation | Ceramic dielectrics |
US3998917A (en) * | 1973-05-03 | 1976-12-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic compositions and articles made therefrom |
US3991029A (en) * | 1973-05-03 | 1976-11-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ceramic compositions and articles made therefrom |
FR2292652A1 (fr) * | 1974-11-27 | 1976-06-25 | Saunier Duval | Nouveau poste expediteur-recepteur vide-pression pour installations de transporteur a tubes pneumatiques |
US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
US4234367A (en) * | 1979-03-23 | 1980-11-18 | International Business Machines Corporation | Method of making multilayered glass-ceramic structures having an internal distribution of copper-based conductors |
US4308570A (en) * | 1980-02-25 | 1981-12-29 | Sprague Electric Company | High Q monolithic capacitor with glass-magnesium titanate body |
US4562092A (en) * | 1980-08-04 | 1985-12-31 | Fine Particle Technology Corporation | Method of fabricating complex microcircuit boards, substrates and microcircuits and the substrates and microcircuits |
JPS58190867A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-07 | 鳴海製陶株式会社 | セラミツクテ−プの製造方法 |
EP0110382A3 (de) * | 1982-12-01 | 1987-01-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung und Abziehbild zur Herstellung eines Anzeigepaneelendstücks |
US4546065A (en) * | 1983-08-08 | 1985-10-08 | International Business Machines Corporation | Process for forming a pattern of metallurgy on the top of a ceramic substrate |
US4510000A (en) * | 1983-11-30 | 1985-04-09 | International Business Machines Corporation | Method for palladium activating molybdenum metallized features on a ceramic substrate |
US4567542A (en) * | 1984-04-23 | 1986-01-28 | Nec Corporation | Multilayer ceramic substrate with interlayered capacitor |
JPS60250686A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | 日本碍子株式会社 | セラミツク配線基板の製造方法 |
EP0170063B1 (de) * | 1984-07-31 | 1988-08-24 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Leitfähige Beschichtungszusammensetzung vom Kupfertyp |
US4632846A (en) * | 1984-09-17 | 1986-12-30 | Kyocera Corporation | Process for preparation of glazed ceramic substrate and glazing composition used therefor |
FR2571545B1 (fr) * | 1984-10-05 | 1987-11-27 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un substrat de circuit hybride de forme non plane, et circuit hybride non plan obtenu par ce procede |
US4612600A (en) * | 1984-10-29 | 1986-09-16 | Tam Ceramics Inc. | Low fire ceramic compositions |
JPS61147404A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS61147405A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
US4598037A (en) * | 1984-12-21 | 1986-07-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive conductive metal composition |
-
1987
- 1987-01-13 US US07/003,259 patent/US4766027A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-09 EP EP88100203A patent/EP0275052B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-09 DE DE3888370T patent/DE3888370T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-12 KR KR1019880000150A patent/KR900007896B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-01-13 JP JP63005661A patent/JPS63198398A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0275052B1 (de) | 1994-03-16 |
DE3888370D1 (de) | 1994-04-21 |
JPH0239108B2 (de) | 1990-09-04 |
KR880009403A (ko) | 1988-09-15 |
KR900007896B1 (ko) | 1990-10-22 |
US4766027A (en) | 1988-08-23 |
JPS63198398A (ja) | 1988-08-17 |
EP0275052A2 (de) | 1988-07-20 |
EP0275052A3 (en) | 1990-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3888370T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Mehrschichtkörpers mit inneren Kupferteilen. | |
DE4010827C2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE3688098T2 (de) | Dielektrische zusammensetzungen. | |
DE69018276T2 (de) | Dotierte Titanatglaskeramik für Kondensatoren mit Korngrenzensperrschichten. | |
DE60014225T2 (de) | Keramischer Vielschichtkondensator mit hoher Zuverlässigkeit, kompatibel mit Nickelelektroden | |
DE69710259T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
US4426356A (en) | Method for making capacitors with noble metal electrodes | |
US4063341A (en) | Process for making multilayer capacitors | |
EP0170089B1 (de) | Dielektrische Zusammensetzungen | |
DE112007001859B4 (de) | Glaskeramikzusammensetzung, Glaskeramiksinterkörper und keramisches Mehrschicht-Elektronikbauteil | |
DE2504658A1 (de) | Bei niedrigen temperaturen sinterbare keramische stoffzusammensetzung mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zu deren herstellung. | |
DE10032850A1 (de) | Monolithisches keramisches Elektronikbauelement | |
US4228482A (en) | Multilayer ceramic capacitors | |
JPH0529610B2 (de) | ||
DE10043882A1 (de) | Dielektrische Keramik zusammensetzung und monolitisches Keramikbauteil | |
EP0716054A2 (de) | Brenn- und Sinterverfahren für ein keramisches elektronisches Bauteil | |
DE19622690A1 (de) | Monolithischer Keramikkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE68912988T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator. | |
DE69024280T2 (de) | Halbleiterkeramikkondensator von dem laminierten typ mit zwischenkornisolation und verfahren zu seiner herstellung | |
DE4005505A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
KR900001479B1 (ko) | 유전성 조성물, 유전성 그린테이프 및 축전기 | |
DE60126700T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer keramischen Zusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Geräts | |
DE69201858T2 (de) | Kondensatordielektrika mit niedriger brenntemperatur. | |
JPH0255391B2 (de) | ||
DE102022134924A1 (de) | Elektronische mehrschicht-keramikvorrichtung und verfahren zu deren herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |