JPS6271205A - 磁気デバイス - Google Patents
磁気デバイスInfo
- Publication number
- JPS6271205A JPS6271205A JP21124885A JP21124885A JPS6271205A JP S6271205 A JPS6271205 A JP S6271205A JP 21124885 A JP21124885 A JP 21124885A JP 21124885 A JP21124885 A JP 21124885A JP S6271205 A JPS6271205 A JP S6271205A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- garnet
- substrate
- magnetic
- bismuth
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気デバイス、特には異方性磁界が大きく、フ
ァラデイ回転能、偏光回転数の大きい。
ァラデイ回転能、偏光回転数の大きい。
磁気バブル、磁気光学素子として有用とされる磁気デバ
イスに関するものである。
イスに関するものである。
（従来の技術）
希土類鉄系の磁性ガーネット薄膜をガーネット基板単結
晶上にエピタキシャル成長させた磁気ディスクは、磁気
バブル素子、磁気光学素子として使用されているが、こ
のエピタキシャル成長させるガーネット構造体について
はバブルメモリーにおける異方性磁界を大きくすること
、また磁気光学用としてはファラデイ回転能を大きくす
るということからＢｉ、Ｒ，Ｆｅ、Ｍ（ここにＲはＣａ
。
晶上にエピタキシャル成長させた磁気ディスクは、磁気
バブル素子、磁気光学素子として使用されているが、こ
のエピタキシャル成長させるガーネット構造体について
はバブルメモリーにおける異方性磁界を大きくすること
、また磁気光学用としてはファラデイ回転能を大きくす
るということからＢｉ、Ｒ，Ｆｅ、Ｍ（ここにＲはＣａ
。
Ｙまたは希土類元素の１種以上１ＭはＧａ、ＡＪＬなど
の鉄と置換可能な金属元素）の陽イオン酸化物からなる
ビスマス置換磁性ガーネット膜の使用が良好な結果を示
すものとされ、このものの使用が注目されている。
の鉄と置換可能な金属元素）の陽イオン酸化物からなる
ビスマス置換磁性ガーネット膜の使用が良好な結果を示
すものとされ、このものの使用が注目されている。
他方、このガーネット構造をとるエピタキシャル成長を
形成するために使用されるガーネット基板単結晶につい
ては １）結晶の格子定数がガーネット構造をもつエピタキシ
ャル成長する磁性膜と約ｏ、ｏＩＡの範囲で合致してい
ること・ ２）結晶を構成する元素の偏析係数が１に近い値である
こと が要求されるが、上記したビスマス置換磁性ガーネッ）
Ｍの格子定数が１２．４２〜１２−４５ Ａとされるこ
とから、これをエピタキシャル成長させるための基板単
結晶としては従来この種の磁気デバイス用に使用されて
いるガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）、
ネオジム・ガリウム・ガーネット（ＮＧＯ）などはその
格子定数が１２．３８゜１２．５１人であることから使
用することができず、したがってこの基板単結晶として
は格子定数が１２．４３ Ａであるサマリウム・ガリウ
ム・ガーネット（ＳＧＧ）しか使用することができず、
これについては式Ｓ■３Ｇａ５０１２で示される結晶構
造をもつＳＧＧ単結晶板上に式Ｂ １ｘＧｄ、Ｔ ｍ２
Ｆ ｅ５−ｒＧａｒｏ １２で示される結晶構造をもつ
ビスマス置換磁性ガーネットをエピタキシャル成長させ
てなる磁気バブルガーネット複合板が提案されている（
特開昭５０−２０３００号公報参照）。
形成するために使用されるガーネット基板単結晶につい
ては １）結晶の格子定数がガーネット構造をもつエピタキシ
ャル成長する磁性膜と約ｏ、ｏＩＡの範囲で合致してい
ること・ ２）結晶を構成する元素の偏析係数が１に近い値である
こと が要求されるが、上記したビスマス置換磁性ガーネッ）
Ｍの格子定数が１２．４２〜１２−４５ Ａとされるこ
とから、これをエピタキシャル成長させるための基板単
結晶としては従来この種の磁気デバイス用に使用されて
いるガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）、
ネオジム・ガリウム・ガーネット（ＮＧＯ）などはその
格子定数が１２．３８゜１２．５１人であることから使
用することができず、したがってこの基板単結晶として
は格子定数が１２．４３ Ａであるサマリウム・ガリウ
ム・ガーネット（ＳＧＧ）しか使用することができず、
これについては式Ｓ■３Ｇａ５０１２で示される結晶構
造をもつＳＧＧ単結晶板上に式Ｂ １ｘＧｄ、Ｔ ｍ２
Ｆ ｅ５−ｒＧａｒｏ １２で示される結晶構造をもつ
ビスマス置換磁性ガーネットをエピタキシャル成長させ
てなる磁気バブルガーネット複合板が提案されている（
特開昭５０−２０３００号公報参照）。
しかし、このＳＧＧは０．８ 終膳、１．２ 終腸、１
．３〜１．８１Ｌ■近辺での光透過性がわるいので、Ｓ
ＧＧにビスマス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシ
ャル成長させた磁気デバイスは磁気バブル用素子として
は有用とされるが光アイソレーターなどの磁気光学素子
としては使用することができないという不利があり、こ
れにはまたＳＧＧがこれをチョクラルスキー法で単結晶
として引上げるときに結晶がねじれるという現象を伴な
うために製造がむずかしく、生産性がわるいという欠点
もある。
．３〜１．８１Ｌ■近辺での光透過性がわるいので、Ｓ
ＧＧにビスマス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシ
ャル成長させた磁気デバイスは磁気バブル用素子として
は有用とされるが光アイソレーターなどの磁気光学素子
としては使用することができないという不利があり、こ
れにはまたＳＧＧがこれをチョクラルスキー法で単結晶
として引上げるときに結晶がねじれるという現象を伴な
うために製造がむずかしく、生産性がわるいという欠点
もある。
（発明の構ｒ＆）
本発明はこのような不利、欠点を解決した磁気デバイス
に関するものであり、これは陽イオンがＹ、Ｉｎ、Ａｌ
の３種とされる酸化物ガーネット単結晶の基板上に、Ｂ
ｉ 、 Ｒ、Ｆ ｅ ＊ Ｍ （ココニＲはＣａ、７
または希土類元素のＬ種以上、ＭはＧａ、Ａｌｌなどの
鉄と置換可能な金属元素）の陽イオン醸化物からなるビ
スマス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシャル成長
させてなることを特徴とするものである。
に関するものであり、これは陽イオンがＹ、Ｉｎ、Ａｌ
の３種とされる酸化物ガーネット単結晶の基板上に、Ｂ
ｉ 、 Ｒ、Ｆ ｅ ＊ Ｍ （ココニＲはＣａ、７
または希土類元素のＬ種以上、ＭはＧａ、Ａｌｌなどの
鉄と置換可能な金属元素）の陽イオン醸化物からなるビ
スマス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシャル成長
させてなることを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは前記したような不利を伴なわな
い磁気デバイスの取得について種々検討した結果、ビス
マス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシャル成長さ
せるための基板単結晶として上記した陽イオンがＹ、Ｉ
！ｌ、Ａｌの３種からなる酸化物ガーネット単結晶を使
用すると、このものが格子定数１２．４２ Ａであり、
これを構成する各金属の偏析係数が略々１とされるもの
であることから格子定数１２．４２〜１２．４５ Ａと
される上記したＢｉ 、Ｒ，Ｆｅ、Ｍの陽イオン酸化物
からなるビスマス置換磁性ガーネット構造体をこの基板
単結、す、娠トじ工２々五〜セわ虐り七硅スｒシ４＜−
ｒｈ七ること、またこの基板単結晶としての陽イオンが
Ｙ、Ｉｎ、Ａｉの３種からなる酸化物ガーネット構造体
は光透過性がよく、特に０．５〜１．７ ｐｍの範囲で
は光の吸収がないので、これにビスマス置換磁性ガーネ
ット構造体をエピタキシャル成長させて得た磁気デバイ
スは磁気バブルとして使用できるほか特には光アイソレ
ーターなどのような磁気光学素子としても有用とされる
ということを見出し、この基板単結晶の種類、製造方法
、これに対するビスマス置換磁性ガーネット構造体のエ
ピタキシャル成長法などについての研究を進めて本発明
を完成させた。
い磁気デバイスの取得について種々検討した結果、ビス
マス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシャル成長さ
せるための基板単結晶として上記した陽イオンがＹ、Ｉ
！ｌ、Ａｌの３種からなる酸化物ガーネット単結晶を使
用すると、このものが格子定数１２．４２ Ａであり、
これを構成する各金属の偏析係数が略々１とされるもの
であることから格子定数１２．４２〜１２．４５ Ａと
される上記したＢｉ 、Ｒ，Ｆｅ、Ｍの陽イオン酸化物
からなるビスマス置換磁性ガーネット構造体をこの基板
単結、す、娠トじ工２々五〜セわ虐り七硅スｒシ４＜−
ｒｈ七ること、またこの基板単結晶としての陽イオンが
Ｙ、Ｉｎ、Ａｉの３種からなる酸化物ガーネット構造体
は光透過性がよく、特に０．５〜１．７ ｐｍの範囲で
は光の吸収がないので、これにビスマス置換磁性ガーネ
ット構造体をエピタキシャル成長させて得た磁気デバイ
スは磁気バブルとして使用できるほか特には光アイソレ
ーターなどのような磁気光学素子としても有用とされる
ということを見出し、この基板単結晶の種類、製造方法
、これに対するビスマス置換磁性ガーネット構造体のエ
ピタキシャル成長法などについての研究を進めて本発明
を完成させた。
本発明の磁気デバイスを構成するガーネット単結晶は上
記したように陽イオンがＹ、Ｉｎ、ＡＭの３種からなる
酸化物ガーネット単結晶とされるがこのものは例えばそ
の（Ｃ）サイトにＹ。
記したように陽イオンがＹ、Ｉｎ、ＡＭの３種からなる
酸化物ガーネット単結晶とされるがこのものは例えばそ
の（Ｃ）サイトにＹ。
（＆］サイトにＩｎ 、（ｄ）サイトにＡｎを配置した
ものとすればよく、これには式 Ｙ ａ Ｉ ｎ２Ａ−ｎ ３０１２で示される結晶構造
をもつも本発明者らによって創製された文献未載の構造
体であり、このものは例えばＹ３０３３６〜３９モル％
、Ｉｎ２０３２２〜２８モル％およびＡ１２０３３６〜
３９モル％をるつぼに仕込み、高周波誘導で溶融したの
ち、この融液からチョクラルスキー法で単結晶を引りげ
ることによって得ることができる。このものはこのよう
にして得た単結晶から切り出したウェーハを例えば熱リ
ン酸でエツチングしたのち格子定数を測定すると１２．
４２ Ａを示すし、これを構成するＹ、Ｉｎ、Ａ４の偏
析係数がいずれも略々ｌとされるものであることが本発
明者らによって確認されている。
ものとすればよく、これには式 Ｙ ａ Ｉ ｎ２Ａ−ｎ ３０１２で示される結晶構造
をもつも本発明者らによって創製された文献未載の構造
体であり、このものは例えばＹ３０３３６〜３９モル％
、Ｉｎ２０３２２〜２８モル％およびＡ１２０３３６〜
３９モル％をるつぼに仕込み、高周波誘導で溶融したの
ち、この融液からチョクラルスキー法で単結晶を引りげ
ることによって得ることができる。このものはこのよう
にして得た単結晶から切り出したウェーハを例えば熱リ
ン酸でエツチングしたのち格子定数を測定すると１２．
４２ Ａを示すし、これを構成するＹ、Ｉｎ、Ａ４の偏
析係数がいずれも略々ｌとされるものであることが本発
明者らによって確認されている。
また、このガーネット基板単結晶にエピタキシャル成長
させられるビスマス置換磁性ガーネット構造体はＢｉ
、Ｒ，Ｆｅ、Ｍ（Ｒ，Ｍは前記に同じ）の陽イオン酸
化物からなり、このＲはＣａ。
させられるビスマス置換磁性ガーネット構造体はＢｉ
、Ｒ，Ｆｅ、Ｍ（Ｒ，Ｍは前記に同じ）の陽イオン酸
化物からなり、このＲはＣａ。
Ｙまたは希土類元素の１種以上、ＭはＧａ、Ａｌなどの
鉄と置換可能な金属元素とされる公知のものであり、こ
れには次式のものが例示される。
鉄と置換可能な金属元素とされる公知のものであり、こ
れには次式のものが例示される。
Ｂ’０．５Ｇｄ２．５Ｆｅ４．２”０．８０１２格子定
数１２−４５ ｉＢｉ Ｙ Ｆｅ Ａｎ
Ｏ” １２．４５ 人１．１ １．９
４．８ ０．４ １２Ｂｉ１．４Ｌｕ、、６Ｆｅ
、００１２” １２．４３ Ａこのどスマス置換磁性
ガーネット構造体は上記したようにその格子定数が１２
．４２〜１２．４５ Ａのものであるが、このものにつ
いてはこの構造体を構成する金属元素の一部がビスマス
で置換されていることから、これをガーネット基板単結
晶板上にエピタキシャル成長させたＪｉＩ！気バブルメ
モリーは異方性磁界が大きなものとなるし、磁気光学用
の磁気デバイスについてはファラデイ回転能が大きくな
ることが知られている。
数１２−４５ ｉＢｉ Ｙ Ｆｅ Ａｎ
Ｏ” １２．４５ 人１．１ １．９
４．８ ０．４ １２Ｂｉ１．４Ｌｕ、、６Ｆｅ
、００１２” １２．４３ Ａこのどスマス置換磁性
ガーネット構造体は上記したようにその格子定数が１２
．４２〜１２．４５ Ａのものであるが、このものにつ
いてはこの構造体を構成する金属元素の一部がビスマス
で置換されていることから、これをガーネット基板単結
晶板上にエピタキシャル成長させたＪｉＩ！気バブルメ
モリーは異方性磁界が大きなものとなるし、磁気光学用
の磁気デバイスについてはファラデイ回転能が大きくな
ることが知られている。
本発明の磁気デバイスは前記した例えば式Ｙ ３ Ｉ
ｎ２Ａｌ、０１２で示される結晶構造をもつガーネット
基板単結晶板上に前記したＢＥ 、Ｒ。
ｎ２Ａｌ、０１２で示される結晶構造をもつガーネット
基板単結晶板上に前記したＢＥ 、Ｒ。
Ｆｅ 、Ｍの陽イオン酸化物からなる、例えば（ＢｉＲ
）（ＦｅＭ）５０１２で示される結晶構造ををもつビス
マス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシャル成長さ
せることによって作られるが。
）（ＦｅＭ）５０１２で示される結晶構造ををもつビス
マス置換磁性ガーネット構造体をエピタキシャル成長さ
せることによって作られるが。
、 このエピタキシャル成長は前記したように基板単
に 結晶の格子定数が１２．４２人とされ、ビスマスを換磁
性ガーネット構造体の格子定数が１２．４２〜１２．４
５λとされて両者の格子定数が０．０１〜０．０２Ａの
範囲内で一致しているので容易に行なうことができるし
、このようにして得られたエピタキシャル成長層は亀裂
が入ることもない、このエピタキシャル成長は液相、気
相のいずれで行なわせてもよいが、この液相エビタクシ
ャル法は例えばＧｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，Ｆ
ｅ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ２゜Ｇａ２Ｏ３などのガーネット結
晶を構成する金属酸化物およびＰｂ Ｏ，Ｂ Ｏ、Ｂ
ｉ２Ｏ３とを混合して白金ルツボ中で約ｔ 、ｔｏｏ−
ｔ 、２００℃に加熱して溶融し、この融液に基板単結
晶としてのＹ ３ Ｉ ｎ２Ａｌ。０１２を浸漬すれば
、この基板単結晶面上に一■−記した金属から構成され
るガーネツ１構遺体をエピタキシャル成長させることが
できる。この成長層の厚さは通常０．５〜５００ｇｍの
範囲とすればよく、このようにして得た磁気デバイスを
磁気バルブとするときには０．５〜５ ｇｍ、光アイソ
レーターなどの磁気光学素子とするためには５０〜５０
０ ｐｍとすればよい。
に 結晶の格子定数が１２．４２人とされ、ビスマスを換磁
性ガーネット構造体の格子定数が１２．４２〜１２．４
５λとされて両者の格子定数が０．０１〜０．０２Ａの
範囲内で一致しているので容易に行なうことができるし
、このようにして得られたエピタキシャル成長層は亀裂
が入ることもない、このエピタキシャル成長は液相、気
相のいずれで行なわせてもよいが、この液相エビタクシ
ャル法は例えばＧｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，Ｆ
ｅ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ２゜Ｇａ２Ｏ３などのガーネット結
晶を構成する金属酸化物およびＰｂ Ｏ，Ｂ Ｏ、Ｂ
ｉ２Ｏ３とを混合して白金ルツボ中で約ｔ 、ｔｏｏ−
ｔ 、２００℃に加熱して溶融し、この融液に基板単結
晶としてのＹ ３ Ｉ ｎ２Ａｌ。０１２を浸漬すれば
、この基板単結晶面上に一■−記した金属から構成され
るガーネツ１構遺体をエピタキシャル成長させることが
できる。この成長層の厚さは通常０．５〜５００ｇｍの
範囲とすればよく、このようにして得た磁気デバイスを
磁気バルブとするときには０．５〜５ ｇｍ、光アイソ
レーターなどの磁気光学素子とするためには５０〜５０
０ ｐｍとすればよい。
このようにして得られた本発明の磁気デバイスは偏光顕
微鏡下での観察が容易で、異方性磁界が大きいので磁気
バルブ用として有用とされるが、このものはその基板単
結晶がＳＧＧにくらべて光透過性のすぐれた式Ｙ ３
Ｉｎ２Ａ ｌ ３０１２とされており、この素子が特に
ファデイ回転係数の大きいものであるということから光
アイソレーターなどの磁気光学素子としても有用とされ
る。
微鏡下での観察が容易で、異方性磁界が大きいので磁気
バルブ用として有用とされるが、このものはその基板単
結晶がＳＧＧにくらべて光透過性のすぐれた式Ｙ ３
Ｉｎ２Ａ ｌ ３０１２とされており、この素子が特に
ファデイ回転係数の大きいものであるということから光
アイソレーターなどの磁気光学素子としても有用とされ
る。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例 １
Ｇｄ２０３．Ｂｉ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ２゜Ｐ
ｂＯおよびＢ２Ｏ３の混合物を白金ルツボに入れ、約ｔ
、ｉｏｏ℃に長時間加熱して一溶融してから約８９０℃
に急冷し、ついでこの融液中に武Ｙ３■ｎ２Ａ！Ｌ３０
．２で示される結晶構造をもつ単結晶の（ｌ ｌ ｌ）
基板を約２分間浸漬して引上げたところ、この基板単結
晶上に厚さ約２１Ｌｍに重結晶膜がエピタキシャル成長
したものが得られた。
ｂＯおよびＢ２Ｏ３の混合物を白金ルツボに入れ、約ｔ
、ｉｏｏ℃に長時間加熱して一溶融してから約８９０℃
に急冷し、ついでこの融液中に武Ｙ３■ｎ２Ａ！Ｌ３０
．２で示される結晶構造をもつ単結晶の（ｌ ｌ ｌ）
基板を約２分間浸漬して引上げたところ、この基板単結
晶上に厚さ約２１Ｌｍに重結晶膜がエピタキシャル成長
したものが得られた。
つぎに、この単結晶膜を高周波結合誘導プラズマ発光装
置を用いて成分分析を行なったところ。
置を用いて成分分析を行なったところ。
このエピタキシャル成長膜の組成は
Ｂ’０．５”２．５”１２ＡＪｌＯ，８０１２で示され
るものであることが確認されたが、このエピタキシャル
成長膜を偏光顕微鏡で観察したところ、これには約２４
ｍのストライプ状の磁区が明瞭にみとめられた。
るものであることが確認されたが、このエピタキシャル
成長膜を偏光顕微鏡で観察したところ、これには約２４
ｍのストライプ状の磁区が明瞭にみとめられた。
実施例 ２
Ｙ２Ｏ２，Ｂｉ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ，、Ａ皇２０３゜Ｐｂ
ＯおよびＢ ２０ ａの混合物を白金ルツボに入れ、約
１，１００℃に長時間加熱して溶融してから約８９０℃
に急冷し、ついでこの融液中に式Ｙ３■ｎ２Ａｉ３０１
２で示される結晶構造をもつ単結晶の（１１１）基板を
約６時間浸漬して引き上げたところ、この基板単結晶上
に約１５０＃Ｌｍに単結晶膜がエピタキシャル成長した
ものが得られた。
ＯおよびＢ ２０ ａの混合物を白金ルツボに入れ、約
１，１００℃に長時間加熱して溶融してから約８９０℃
に急冷し、ついでこの融液中に式Ｙ３■ｎ２Ａｉ３０１
２で示される結晶構造をもつ単結晶の（１１１）基板を
約６時間浸漬して引き上げたところ、この基板単結晶上
に約１５０＃Ｌｍに単結晶膜がエピタキシャル成長した
ものが得られた。
つぎに、この単結晶膜の成分分析を高周波結合誘導プラ
ズマ発光装置を用いて行なった結果、このものは式 ％式％ のであることが確認されたが、エピタキシャル成長膜に
ついてのファラディ回転角を測定したところ４５度であ
ることから、このものは光アイソレーターとして使用し
得るものであることが判った。
ズマ発光装置を用いて行なった結果、このものは式 ％式％ のであることが確認されたが、エピタキシャル成長膜に
ついてのファラディ回転角を測定したところ４５度であ
ることから、このものは光アイソレーターとして使用し
得るものであることが判った。
実施例 ３
Ｌｕ２０３．Ｂｉ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｐｂ Ｏおよび
Ｂ２Ｏ３の混合物を白金ルツボに入れ、約１，１００℃
に長時間加熱して溶融してから約８９０℃に急冷し、つ
いでこの融液中に式 Ｙ３Ｉｎ２ＡＩＬ３０１２で示される結晶構造をもつ単
結晶の（１１１）基板を約４時間浸漬して引き上げたと
ころ、この基板単結晶上に厚さ約１１００１Ｌに単結晶
膜がエピタキシャル成長したものが得られた。
Ｂ２Ｏ３の混合物を白金ルツボに入れ、約１，１００℃
に長時間加熱して溶融してから約８９０℃に急冷し、つ
いでこの融液中に式 Ｙ３Ｉｎ２ＡＩＬ３０１２で示される結晶構造をもつ単
結晶の（１１１）基板を約４時間浸漬して引き上げたと
ころ、この基板単結晶上に厚さ約１１００１Ｌに単結晶
膜がエピタキシャル成長したものが得られた。
つぎに、この単結晶膜の成分分析を高周波結合誘導プラ
ズマ発光装置を用いて行なった結果、このものは式 ％式％ とが確認されたが、このエピタキシャル成長膜について
のファラデイ回転角を測定したこる４５度であることか
ら、このものは光アイソレーターとして使用し得るもの
であることが判った。
ズマ発光装置を用いて行なった結果、このものは式 ％式％ とが確認されたが、このエピタキシャル成長膜について
のファラデイ回転角を測定したこる４５度であることか
ら、このものは光アイソレーターとして使用し得るもの
であることが判った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、陽イオンがＹ、Ｉｎ、Ａｌの３種からなる酸化物ガ
ーネット単結晶の基板上に、Ｂｉ、Ｒ、Ｆｅ、Ｍ（ここ
にＲはＣａ、Ｙまたは希土類元素の１種以上、ＭはＧａ
、Ａｌなどの鉄と置換可能な金属元素）の陽イオン酸化
物からなるビスマス置換磁性ガーネット構造体をエピタ
キシャル成長させてなることを特徴とする磁気デバイス
。 ２、酸化物ガーネット単結晶基板の格子定数が１２．４
２〜１２．４５Åの範囲にある特許請求の範囲第１項に
記載の磁気デバイス。 ３、基板となる酸化物ガーネット単結晶が Ｙ＿３Ｉｎ＿２Ａｌ＿３Ｏ＿１＿２である特許請求の範
囲第１項に記載の磁気デバイス。 ４、ビスマス置換磁性ガーネット構造体が式（ＢｉＲ）
＿３（ＦｅＭ）＿５Ｏ＿１＿２（ここにＲ、Ｍは前記に
同じ）で示されるものである特許請求の範囲第１項記載
の磁気デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21124885A JPS6271205A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 磁気デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21124885A JPS6271205A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 磁気デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271205A true JPS6271205A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16602751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21124885A Pending JPS6271205A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 磁気デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271205A (ja) |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21124885A patent/JPS6271205A/ja active Pending
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