JP2763040B2 - 酸化物ガーネット単結晶 - Google Patents
酸化物ガーネット単結晶Info
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- JP2763040B2 JP2763040B2 JP62311766A JP31176687A JP2763040B2 JP 2763040 B2 JP2763040 B2 JP 2763040B2 JP 62311766 A JP62311766 A JP 62311766A JP 31176687 A JP31176687 A JP 31176687A JP 2763040 B2 JP2763040 B2 JP 2763040B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物ガーネット単結晶、特にはマイクロ波
素子用として有用とされる酸化物ガーネット単結晶に関
するものである。 （従来の技術） 希土類鉄系の磁性ガーネット薄膜をエピタキシャル成
長させたガーネット構造をもつ磁性膜はマイクロ波素子
として使用されているが、このエピタキシャル成長させ
るガーネット構造体についてはマイクロ波素子の周波数
の温度依存性を小さくすることからY,Fe,Gaの陽イオン
からなる、ガリウム元素で置換したYIG膜の使用が良好
な結果を示すものとされ、このものの使用が注目されて
いる。 他方、このガーネット構造をとるエピタキシャル成長
膜を作るために使用されるガーネット基板単結晶につい
ては １）結晶の格子定数がガーネット構造をもつ磁性膜と約
0.005Åの範囲内で合致していること、 ２）転位、セル成長、クラックで示される結晶欠陥がな
いこと が要求されるのであるが、上記したガリウム元素で置換
したYIG膜の格子定数が12.360〜12.376Åとされるのに
対し、従来この種の基板単結晶とされたガトリニウム・
ガリウム・ガーネット（GGG）はその格子定数が12.383
Åであることから、このものはこのガリウム元素で置換
したYIG膜をエピタキシャル成長させるための最適な基
板とはいえず、従来公知の各種の基板単結晶の中では特
開昭59−80914号公報で開示された（Gd,Y）3Ga5O12、Gd
3（Ga,Al）5O12、Y3（Ga,Al）5O12がこれに使用できる
ものとされている。しかし、この（Gd,Y）3Ga5O12、Gd3
（Ga,Al）5O12、Y3（Ga,Al）5O12についてはチョクラル
スキー法で得られる単結晶に転位が多い、セル成長が起
きやすい等の結晶欠陥が起きるために実用に耐える高品
質の結晶の製造が難しいという欠点があるため、これに
代る基板単結晶の提供が求められている。 〔発明の構成〕 本発明はマイクロ波素子として有用とされる酸化物ガ
ーネット単結晶、また上記したような不利を伴わない高
品質のガーネット構造体をエピタキシャル成長させるた
めの基板単結晶として有用とされる酸化物ガーネット単
結晶に関するもので、これは結晶構造が式RaGdb-aM8-bO
12（ＲはTb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Y、ＭはGa,Al、ａ、ｂ
は0.6≧ａ≧0.15、3.1≧ｂ＞3.0の数）で示される酸化
物ガーネット単結晶に関するものである。 すなわち、本発明者らは前記したエピタキシャル成長
層としてのY,Fe,Gaの陽イオンからなる、ガリウム元素
で置換したYIG膜の結晶格子定数である12.360〜12.376
Åに類似する格子定数をもつガーネット構造体について
種々検討した結果、ａ、ｂの値を前記の通りに設定する
ことによりGdの式量ｂ−ａの値は2.4＜ｂ−ａ≦2.95と
なり、この値が2.95を超えるとGdのイオン半径が大きい
ことから格子定数が12.378Åを超えたものとなり、YIG
膜の格子定数より大きくなりミスマッチを起すため、上
記した結晶構造が式RaGdb-aM8-bO12（R,M,a,bは前記の
とおり）で示されるものが格子定数12.360〜12.376Åを
示すことを見出すと共に、このものは転位、セル成長と
いった結晶欠陥が実用上問題とならない基板単結晶であ
ることを確認して本発明を完成させた。 本発明の酸化物ガーネット単結晶は上記したように結
晶構造が式RaGdb-aM8-bO12（R,M,a,bは前記のとおり）
で示され、このものはガーネット構造の｛ｃ｝サイトに
Gd,R,［ａ］サイトにＭと一部のGd,R,（ｄ）サイトにＭ
を配置したものと考えられ、これにはＹ0.5Gd2.55Ga
4.95O12、Dy0.6Gd2.43Ga4.97O12で示される組織をもつ
ものが例示されるが、このものはGd2O3、Ga2O3、Y2O3も
しくはDy2O3の所定量をるつぼ中に仕込んで高周波誘導
で加熱溶融したのち、この融液からチョクラルスキー法
で単結晶を引き上げることによって製造される。 また、本発明者らは上記した式で示される酸化物ガー
ネット単結晶の工業的な製造方法であるチョクラルスキ
ー法の諸条件について研究を進めたが、ここに使用され
るGd2O3、R2O3、M2O3（R,mは前記のとおり）はできるだ
け高純度のものとすることがよいので、これらはいずれ
も好ましくは純度が99.9％以上のものとされる。これら
はそれぞれを秤量後るつぼ内に収納して溶融されるが、
このるつぼはこれらの溶融温度が1,700℃以上とされる
のでイリジウム製のものとすればよい。このものの溶融
は常法にしたがって高周波誘導によって行なえばよく、
したがってこれは例えば7KHz、10KWの高周波を用いてこ
れらを1,700〜1,800℃に加熱して溶融させればよい。 目的とする単結晶の製造はこの溶融物からチョクラル
スキー法による単結晶引上げによって行なえばよいが、
この場合の雰囲気は酸素１〜５％またはCO2を25〜100％
含有する窒素ガス、アルゴンガス雰囲気とすればよい。
また、単結晶引上げに使用される種子結晶は目的とする
単結晶と同質のものとすればよいが、これはガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット（GGG）などのようなガーネ
ット型結晶体の単結晶としてもよく、この場合の単結晶
の引上げ速度は１〜20mm/時とすればよい。 このようにして得られた単結晶から切出したウェーハ
はこれを例えば熱リン酸でエッチングした後、微分干渉
顕微鏡で検査したところ、（Gd,Y）3Ga5O12、Gd3（Ga,A
l）5O12、Y3（Ga,Al）5O12から切出したウェーハ上に多
数みとめられた転位が著しく減少した高品質のウェーハ
であることが確認された。 このようにして得られた本発明の、Ｙ0.5Gd2.55Ga
4.95O12、Dy0.6Gd2.43Ga4.97O12で示される単結晶は前
記したようにその結晶格子定数が各々約12.367Å、12.3
70Åであることから、式（Y Fe Ga）8O12で示されるガ
リウムで置換したYIG膜をエピタキシャル成長させるた
めの基板単結晶として有用とされる。 つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例１ 外径50mm、高さ50mmのイリジウムるつぼ中にGd2O332.
3モル％、Y2O35.9モル％、Ga2O361.9モル％を秤取して
仕込み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で
高周波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5
mm角のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５
〜6mm/時の速度で引上げを行なったところ、86.3gの透
明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、このものはＹ
0.5Gd2.55Ga4.95O12の結晶構造をもつものであることが
確認された。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、このものは転位密度6.
5個/cm2の高品質な結晶であった。なお、このウェーハ
を格子定数精密測定装置APL2（理学電機社製商品名）を
用いボンド法でその格子定数を測定したところ、このも
のは12.367Åの値を示した。 実施例２ 上記した実施例１における金属酸化物の配合量を第１
図に示したＹ式量とｂ値との組合せが異なる16種の結晶
組織となる量でイリジウムるつぼの中に秤取して仕込
み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で高周
波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5mm角
のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５〜6m
m/時の速度で引上げて単結晶引上げを行なったところ、
86.3gの透明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、これらのもの
は第１図に示す結晶構造をもつものであることが確認さ
れた。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、第１図に示すようにＹ
式量0.6以下、ｂ値が3.0から3.10の範囲で転位密度が10
ケ/cm2以下である高品質な結晶であった。なお、このウ
ェーハを格子定数精密測定装置APL2（理学電機社製商品
名）を用いてボンド法でその格子定数を測定したとこ
ろ、このものは第１図に示すように格子定数が12.378Å
〜12.362Åである高品質の結晶であった。 実施例３ 外径50mm、高さ50mmのイリジウムるつぼ中にDy2O37.3
モル％、Gd2O330.6モル％、Ga2O362.1モル％を秤取して
仕込み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で
高周波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5
mm角のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５
〜6mm/時の速度で引上げて単結晶引上げを行なったとこ
ろ、86.3gの透明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、このものはDy
0.6Gd2.43Ga4.97O12の結晶構造をもつものであることが
確認された。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、このものは転位密度7.
2個/cm2の高品質な結晶であり、このウェーハを格子定
数精密測定装置APL2（理学電機社製商品名）を用いボン
ド法でその格子定数を測定したところ、このものは12.3
70Åの値を示した。 実施例４ 上記した実施例１における金属酸化物の配合量を第２
図に示したDy式量とｂ値との組合せが異なる９種の結晶
組織となる量でイリジウムるつぼの中に秤取して仕込
み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で高周
波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5mm角
のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５〜6m
m/時の速度で引上げて単結晶引上げを行なったところ、
86.3gの透明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、これらのもの
は第２図に示す結晶構造をもつものであることが確認さ
れた。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、このものは第２図に示
すようにDy式量0.6以下、ｂ値が3.0から3.10の範囲で転
位密度が10ケ/cm2以下である高品質な結晶であった。な
お、このウェーハを格子定数精密測定装置APL2（理学電
機社製商品名）を用いてボンド法でその格子定数を測定
したところ、このものは第２図に示すように格子定数が
12.378Å〜12.370Åである高品質の結晶であった。
素子用として有用とされる酸化物ガーネット単結晶に関
するものである。 （従来の技術） 希土類鉄系の磁性ガーネット薄膜をエピタキシャル成
長させたガーネット構造をもつ磁性膜はマイクロ波素子
として使用されているが、このエピタキシャル成長させ
るガーネット構造体についてはマイクロ波素子の周波数
の温度依存性を小さくすることからY,Fe,Gaの陽イオン
からなる、ガリウム元素で置換したYIG膜の使用が良好
な結果を示すものとされ、このものの使用が注目されて
いる。 他方、このガーネット構造をとるエピタキシャル成長
膜を作るために使用されるガーネット基板単結晶につい
ては １）結晶の格子定数がガーネット構造をもつ磁性膜と約
0.005Åの範囲内で合致していること、 ２）転位、セル成長、クラックで示される結晶欠陥がな
いこと が要求されるのであるが、上記したガリウム元素で置換
したYIG膜の格子定数が12.360〜12.376Åとされるのに
対し、従来この種の基板単結晶とされたガトリニウム・
ガリウム・ガーネット（GGG）はその格子定数が12.383
Åであることから、このものはこのガリウム元素で置換
したYIG膜をエピタキシャル成長させるための最適な基
板とはいえず、従来公知の各種の基板単結晶の中では特
開昭59−80914号公報で開示された（Gd,Y）3Ga5O12、Gd
3（Ga,Al）5O12、Y3（Ga,Al）5O12がこれに使用できる
ものとされている。しかし、この（Gd,Y）3Ga5O12、Gd3
（Ga,Al）5O12、Y3（Ga,Al）5O12についてはチョクラル
スキー法で得られる単結晶に転位が多い、セル成長が起
きやすい等の結晶欠陥が起きるために実用に耐える高品
質の結晶の製造が難しいという欠点があるため、これに
代る基板単結晶の提供が求められている。 〔発明の構成〕 本発明はマイクロ波素子として有用とされる酸化物ガ
ーネット単結晶、また上記したような不利を伴わない高
品質のガーネット構造体をエピタキシャル成長させるた
めの基板単結晶として有用とされる酸化物ガーネット単
結晶に関するもので、これは結晶構造が式RaGdb-aM8-bO
12（ＲはTb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Y、ＭはGa,Al、ａ、ｂ
は0.6≧ａ≧0.15、3.1≧ｂ＞3.0の数）で示される酸化
物ガーネット単結晶に関するものである。 すなわち、本発明者らは前記したエピタキシャル成長
層としてのY,Fe,Gaの陽イオンからなる、ガリウム元素
で置換したYIG膜の結晶格子定数である12.360〜12.376
Åに類似する格子定数をもつガーネット構造体について
種々検討した結果、ａ、ｂの値を前記の通りに設定する
ことによりGdの式量ｂ−ａの値は2.4＜ｂ−ａ≦2.95と
なり、この値が2.95を超えるとGdのイオン半径が大きい
ことから格子定数が12.378Åを超えたものとなり、YIG
膜の格子定数より大きくなりミスマッチを起すため、上
記した結晶構造が式RaGdb-aM8-bO12（R,M,a,bは前記の
とおり）で示されるものが格子定数12.360〜12.376Åを
示すことを見出すと共に、このものは転位、セル成長と
いった結晶欠陥が実用上問題とならない基板単結晶であ
ることを確認して本発明を完成させた。 本発明の酸化物ガーネット単結晶は上記したように結
晶構造が式RaGdb-aM8-bO12（R,M,a,bは前記のとおり）
で示され、このものはガーネット構造の｛ｃ｝サイトに
Gd,R,［ａ］サイトにＭと一部のGd,R,（ｄ）サイトにＭ
を配置したものと考えられ、これにはＹ0.5Gd2.55Ga
4.95O12、Dy0.6Gd2.43Ga4.97O12で示される組織をもつ
ものが例示されるが、このものはGd2O3、Ga2O3、Y2O3も
しくはDy2O3の所定量をるつぼ中に仕込んで高周波誘導
で加熱溶融したのち、この融液からチョクラルスキー法
で単結晶を引き上げることによって製造される。 また、本発明者らは上記した式で示される酸化物ガー
ネット単結晶の工業的な製造方法であるチョクラルスキ
ー法の諸条件について研究を進めたが、ここに使用され
るGd2O3、R2O3、M2O3（R,mは前記のとおり）はできるだ
け高純度のものとすることがよいので、これらはいずれ
も好ましくは純度が99.9％以上のものとされる。これら
はそれぞれを秤量後るつぼ内に収納して溶融されるが、
このるつぼはこれらの溶融温度が1,700℃以上とされる
のでイリジウム製のものとすればよい。このものの溶融
は常法にしたがって高周波誘導によって行なえばよく、
したがってこれは例えば7KHz、10KWの高周波を用いてこ
れらを1,700〜1,800℃に加熱して溶融させればよい。 目的とする単結晶の製造はこの溶融物からチョクラル
スキー法による単結晶引上げによって行なえばよいが、
この場合の雰囲気は酸素１〜５％またはCO2を25〜100％
含有する窒素ガス、アルゴンガス雰囲気とすればよい。
また、単結晶引上げに使用される種子結晶は目的とする
単結晶と同質のものとすればよいが、これはガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット（GGG）などのようなガーネ
ット型結晶体の単結晶としてもよく、この場合の単結晶
の引上げ速度は１〜20mm/時とすればよい。 このようにして得られた単結晶から切出したウェーハ
はこれを例えば熱リン酸でエッチングした後、微分干渉
顕微鏡で検査したところ、（Gd,Y）3Ga5O12、Gd3（Ga,A
l）5O12、Y3（Ga,Al）5O12から切出したウェーハ上に多
数みとめられた転位が著しく減少した高品質のウェーハ
であることが確認された。 このようにして得られた本発明の、Ｙ0.5Gd2.55Ga
4.95O12、Dy0.6Gd2.43Ga4.97O12で示される単結晶は前
記したようにその結晶格子定数が各々約12.367Å、12.3
70Åであることから、式（Y Fe Ga）8O12で示されるガ
リウムで置換したYIG膜をエピタキシャル成長させるた
めの基板単結晶として有用とされる。 つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例１ 外径50mm、高さ50mmのイリジウムるつぼ中にGd2O332.
3モル％、Y2O35.9モル％、Ga2O361.9モル％を秤取して
仕込み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で
高周波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5
mm角のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５
〜6mm/時の速度で引上げを行なったところ、86.3gの透
明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、このものはＹ
0.5Gd2.55Ga4.95O12の結晶構造をもつものであることが
確認された。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、このものは転位密度6.
5個/cm2の高品質な結晶であった。なお、このウェーハ
を格子定数精密測定装置APL2（理学電機社製商品名）を
用いボンド法でその格子定数を測定したところ、このも
のは12.367Åの値を示した。 実施例２ 上記した実施例１における金属酸化物の配合量を第１
図に示したＹ式量とｂ値との組合せが異なる16種の結晶
組織となる量でイリジウムるつぼの中に秤取して仕込
み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で高周
波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5mm角
のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５〜6m
m/時の速度で引上げて単結晶引上げを行なったところ、
86.3gの透明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、これらのもの
は第１図に示す結晶構造をもつものであることが確認さ
れた。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、第１図に示すようにＹ
式量0.6以下、ｂ値が3.0から3.10の範囲で転位密度が10
ケ/cm2以下である高品質な結晶であった。なお、このウ
ェーハを格子定数精密測定装置APL2（理学電機社製商品
名）を用いてボンド法でその格子定数を測定したとこ
ろ、このものは第１図に示すように格子定数が12.378Å
〜12.362Åである高品質の結晶であった。 実施例３ 外径50mm、高さ50mmのイリジウムるつぼ中にDy2O37.3
モル％、Gd2O330.6モル％、Ga2O362.1モル％を秤取して
仕込み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で
高周波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5
mm角のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５
〜6mm/時の速度で引上げて単結晶引上げを行なったとこ
ろ、86.3gの透明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、このものはDy
0.6Gd2.43Ga4.97O12の結晶構造をもつものであることが
確認された。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、このものは転位密度7.
2個/cm2の高品質な結晶であり、このウェーハを格子定
数精密測定装置APL2（理学電機社製商品名）を用いボン
ド法でその格子定数を測定したところ、このものは12.3
70Åの値を示した。 実施例４ 上記した実施例１における金属酸化物の配合量を第２
図に示したDy式量とｂ値との組合せが異なる９種の結晶
組織となる量でイリジウムるつぼの中に秤取して仕込
み、窒素ガス98％、酸素ガス２％の雰囲気ガス中で高周
波誘導で1,750℃に加熱して溶解させ、この融液に5mm角
のGGG種子結晶を浸漬し、これを10rpmの回転下に５〜6m
m/時の速度で引上げて単結晶引上げを行なったところ、
86.3gの透明な結晶が得られた。 つぎにこの結晶の上部と下部から各約1gの試料を切出
し、高周波結合誘導プラズマ発光分析装置で各成分金属
元素について定量分析を行なったところ、これらのもの
は第２図に示す結晶構造をもつものであることが確認さ
れた。 また、この結晶から約1mm厚のウェーハを切出して180
℃の熱リン酸で15分間エッチングした後、微分干渉顕微
鏡でウェーハを検査したところ、このものは第２図に示
すようにDy式量0.6以下、ｂ値が3.0から3.10の範囲で転
位密度が10ケ/cm2以下である高品質な結晶であった。な
お、このウェーハを格子定数精密測定装置APL2（理学電
機社製商品名）を用いてボンド法でその格子定数を測定
したところ、このものは第２図に示すように格子定数が
12.378Å〜12.370Åである高品質の結晶であった。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例２で得られた酸化物ガーネット単結晶の
Ｙ式量と格子定数、転位密度との関係図、第２図は実施
例４で得られた酸化物ガーネット単結晶のDy式量と格子
定数、転位密度との関係図を示したものである。
Ｙ式量と格子定数、転位密度との関係図、第２図は実施
例４で得られた酸化物ガーネット単結晶のDy式量と格子
定数、転位密度との関係図を示したものである。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．RaGdb-aM8-bO12（ここにａ、ｂは0.6≧ａ≧0.15、
3.1≧ｂ＞3.0で示される数、ＲはTb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,L
u,Y、ＭはGa,Al）で示される酸化物ガーネット単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311766A JP2763040B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 酸化物ガーネット単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311766A JP2763040B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 酸化物ガーネット単結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152605A JPH01152605A (ja) | 1989-06-15 |
| JP2763040B2 true JP2763040B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=18021225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311766A Expired - Fee Related JP2763040B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 酸化物ガーネット単結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2763040B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3234853A1 (de) * | 1982-09-21 | 1984-03-22 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Scheibenresonator mit einem substrat aus einem granatmaterial und mit einer auf dem substrat angebrachten epitaxialen schicht aus einem ferrimagnetischen granatmaterial |
| JPS61111996A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Natl Res Inst For Metals | 希土類ガ−ネツト単結晶体及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62311766A patent/JP2763040B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01152605A (ja) | 1989-06-15 |
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