JPS6246971B2 - - Google Patents
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- JPS6246971B2 JPS6246971B2 JP11464079A JP11464079A JPS6246971B2 JP S6246971 B2 JPS6246971 B2 JP S6246971B2 JP 11464079 A JP11464079 A JP 11464079A JP 11464079 A JP11464079 A JP 11464079A JP S6246971 B2 JPS6246971 B2 JP S6246971B2
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- thin film
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- alloy
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐蝕性に優れたCo−Ni合金磁性薄
膜の製造方法に関する。
膜の製造方法に関する。
磁性薄膜は、強磁性金属であるFe、Co、Ni等
を真空蒸着法等によつて基板上に形成できる。こ
の中で強磁性金属としてCoを選んだ場合、耐蝕
性の面からCo単独からなるCo薄膜よりも、Niを
添加したCo−Ni合金薄膜の方が一般に耐蝕性に
優れている。
を真空蒸着法等によつて基板上に形成できる。こ
の中で強磁性金属としてCoを選んだ場合、耐蝕
性の面からCo単独からなるCo薄膜よりも、Niを
添加したCo−Ni合金薄膜の方が一般に耐蝕性に
優れている。
本発明は、このCo−Ni合金薄膜を斜め蒸着法
によつて形成させた場合、熱処理することによつ
てその耐蝕性が熱処理前より向上することを見出
したものである。
によつて形成させた場合、熱処理することによつ
てその耐蝕性が熱処理前より向上することを見出
したものである。
本発明のCo−Ni合金は、重量百分率でCo成分
の混合比が60Co＜100（重量％）、Ni成分の混
合比が０＜Ni40（重量％）である。NiはCoに
対して混合している合金元素として、主たる成分
であり、さらに必要ならば、または残留不純物と
して他の元素成分が含まれていてよいものであ
る。
の混合比が60Co＜100（重量％）、Ni成分の混
合比が０＜Ni40（重量％）である。NiはCoに
対して混合している合金元素として、主たる成分
であり、さらに必要ならば、または残留不純物と
して他の元素成分が含まれていてよいものであ
る。
本発明のCo−Ni合金磁性薄膜は図面にその概
略を示したように、一般に斜め蒸着法といわれる
真空蒸着方法を用いて連続的に長尺物として製造
できるものである。この場合、さらに酸素ガスを
導入して、酸素ガス雰囲気下の斜め蒸着法で連続
的に長尺物として製造できるものである。
略を示したように、一般に斜め蒸着法といわれる
真空蒸着方法を用いて連続的に長尺物として製造
できるものである。この場合、さらに酸素ガスを
導入して、酸素ガス雰囲気下の斜め蒸着法で連続
的に長尺物として製造できるものである。
図において、１は巻出しロール、２は巻取りロ
ール、３は基板としての高分子フイルム、４はキ
ヤン、５はマスク、６は蒸発源、θは斜め蒸着す
る場合の入射角である。そしてこの入射角θは、
０゜θ＜90゜の範囲の値を有するものである。
導入酸素ガス量を変えたり、マスク５を動かし
て、種々の入射角によつて製膜条件を変えること
ができる。
ール、３は基板としての高分子フイルム、４はキ
ヤン、５はマスク、６は蒸発源、θは斜め蒸着す
る場合の入射角である。そしてこの入射角θは、
０゜θ＜90゜の範囲の値を有するものである。
導入酸素ガス量を変えたり、マスク５を動かし
て、種々の入射角によつて製膜条件を変えること
ができる。
基板として用いる高分子フイルムは、ポリエス
テル、ポリイミド等のフイルムを用いることがで
き、高分子材料であれば特に基板を限定するもの
ではない。
テル、ポリイミド等のフイルムを用いることがで
き、高分子材料であれば特に基板を限定するもの
ではない。
磁性薄膜は、多層構成、非磁性層との組み合わ
せからなる膜構成など、種々の膜構成を有してい
てよいものである。
せからなる膜構成など、種々の膜構成を有してい
てよいものである。
このように、斜め蒸着法によつて高分子フイル
ム上に形成させられたCo−Ni合金磁性薄膜は熱
処理することによつてその耐蝕性が一段と向上す
る。被熱処理Co−Ni合金磁性薄膜は導入酸素量
が多い程、蒸気線の入射角θが大きい程、耐蝕性
が向上する傾向を示した。
ム上に形成させられたCo−Ni合金磁性薄膜は熱
処理することによつてその耐蝕性が一段と向上す
る。被熱処理Co−Ni合金磁性薄膜は導入酸素量
が多い程、蒸気線の入射角θが大きい程、耐蝕性
が向上する傾向を示した。
熱処理条件は、基板の材質、蒸着膜の厚さ等に
依存する。
依存する。
例えば、基板にポリエステルフイルムを用いた
場合、約90℃以上で熱処理すると、熱処理しない
場合より耐蝕性が向上する。種々の材質、蒸着条
件で検討した結果、一般に熱処理条件は90℃以上
で効果が大きいことから熱処理は90℃以上で行う
ものとする。
場合、約90℃以上で熱処理すると、熱処理しない
場合より耐蝕性が向上する。種々の材質、蒸着条
件で検討した結果、一般に熱処理条件は90℃以上
で効果が大きいことから熱処理は90℃以上で行う
ものとする。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例 １
厚さ10μｍ、幅150mm、長さ150mのポリエステ
ルフイルムにアルミニウムを約600Åの厚さに真
空蒸着させた。このアルミニウムの上にCo−Ni
合金（Ni含量20重量％）を、入射角20゜の斜め
条件、導入酸素ガス量0.3／minの条件下で約
1000Åの厚さに形成させた。このサンプルを、サ
ンプルＡとする。次にこのサンプルの半分を約
120℃のホツトローラに接触させて熱処理させ
た。このサンプルをＢとする。
ルフイルムにアルミニウムを約600Åの厚さに真
空蒸着させた。このアルミニウムの上にCo−Ni
合金（Ni含量20重量％）を、入射角20゜の斜め
条件、導入酸素ガス量0.3／minの条件下で約
1000Åの厚さに形成させた。このサンプルを、サ
ンプルＡとする。次にこのサンプルの半分を約
120℃のホツトローラに接触させて熱処理させ
た。このサンプルをＢとする。
このサンプルＡ、Ｂを40℃、90％相対湿度条件
下に１週間放置した結果、Ａは部分的に茶色に変
色して錆を発生したが、Ｂはまつたく変化を生じ
なかつた。
下に１週間放置した結果、Ａは部分的に茶色に変
色して錆を発生したが、Ｂはまつたく変化を生じ
なかつた。
実施例 ２
厚さ６μｍ、幅150mm、長さ100mのポリエチレ
ンテレフタレートフイルムにアルミニウムを約
600Åの厚さに真空蒸着させた。
ンテレフタレートフイルムにアルミニウムを約
600Åの厚さに真空蒸着させた。
次に以下に述べる異なる二つの方法でCo−Ni
合金（Ni含量15重量％）をこのアルミニウムの
上に約1500Åの厚さに蒸着させた。
合金（Ni含量15重量％）をこのアルミニウムの
上に約1500Åの厚さに蒸着させた。
一つの方法は、導入酸素量無し、斜め蒸着条件
無し（マスク５の除去）の条件下で作製した。こ
のサンプルをＣとする。
無し（マスク５の除去）の条件下で作製した。こ
のサンプルをＣとする。
次の方法は、導入酸素量無し、入射角30゜の斜
め条件で薄膜を作製した。このサンプルをＤとす
る。
め条件で薄膜を作製した。このサンプルをＤとす
る。
このサンプルＣ、Ｄの各々半分を約125℃のホ
ツトローラに接触させて熱処理させた。このサン
プルをそれぞれC′、D′とする。
ツトローラに接触させて熱処理させた。このサン
プルをそれぞれC′、D′とする。
これらのサンプルＣ、Ｄ、C′、D′を40℃、90
％相対湿度条件下に１週間放置した結果、Ｃはほ
ぼ全面が茶色に変化、Ｄは部分的に茶色に変化、
C′は部分的に薄く着色、D′はほとんど変化を生
じなかつた。
％相対湿度条件下に１週間放置した結果、Ｃはほ
ぼ全面が茶色に変化、Ｄは部分的に茶色に変化、
C′は部分的に薄く着色、D′はほとんど変化を生
じなかつた。
以上のように本発明の製造方法によれば、Co
−Ni合金磁性薄膜を酸素導入下または無導入下
の斜め蒸着法により高分子フイルム上に形成した
後、熱処理することにより著しく耐蝕性が向上し
た磁性薄膜を得ることができるものである。
−Ni合金磁性薄膜を酸素導入下または無導入下
の斜め蒸着法により高分子フイルム上に形成した
後、熱処理することにより著しく耐蝕性が向上し
た磁性薄膜を得ることができるものである。
図面は本発明の製造方法を実施する装置の要部
の概略断面正面図である。 ３……高分子フイルム、６……蒸発源。
の概略断面正面図である。 ３……高分子フイルム、６……蒸発源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CoにNiを主たる合金元素として含むCo−Ni
合金磁性薄膜を斜め蒸着法により高分子フイルム
上に形成させた後、熱処理することを特徴とする
耐蝕性磁性薄膜の製造方法。 ２ 斜め蒸着法が、導入酸素ガスによる酸素ガス
雰囲気下斜め蒸着法であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の耐蝕性磁性薄膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11464079A JPS5638812A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Manufacture of corrosion resistive magnetic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11464079A JPS5638812A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Manufacture of corrosion resistive magnetic thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638812A JPS5638812A (en) | 1981-04-14 |
| JPS6246971B2 true JPS6246971B2 (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=14642859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11464079A Granted JPS5638812A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Manufacture of corrosion resistive magnetic thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5638812A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832636A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属化フイルムの熱処理方法 |
| JPS5853027A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Ulvac Corp | 磁気記録体の製造装置 |
| JPS5961014A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1979
- 1979-09-05 JP JP11464079A patent/JPS5638812A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638812A (en) | 1981-04-14 |
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