JPH01240659A - 金属薄膜製造装置 - Google Patents
金属薄膜製造装置Info
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- JPH01240659A JPH01240659A JP6527088A JP6527088A JPH01240659A JP H01240659 A JPH01240659 A JP H01240659A JP 6527088 A JP6527088 A JP 6527088A JP 6527088 A JP6527088 A JP 6527088A JP H01240659 A JPH01240659 A JP H01240659A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は金属薄膜の製造装置に関する。更に詳細には、
本発明は改良された円筒状ロールを使用する金属薄膜製
造装置に関する。
本発明は改良された円筒状ロールを使用する金属薄膜製
造装置に関する。
［従来の技術］
長尺の可撓性基板上に金属薄膜を形成する方法の１つに
基板を円筒状ロールの周面に沿って走行させ、前記円筒
状ロール位置で前記基板上に金属薄膜を真空蒸着法によ
って形成する方法がある。
基板を円筒状ロールの周面に沿って走行させ、前記円筒
状ロール位置で前記基板上に金属薄膜を真空蒸着法によ
って形成する方法がある。
［発明が解決しようとする課題］
従来の真空蒸着法において、この円筒状ロールはステン
レスや鉄などの金属でできていた。円筒状キャンロール
は蒸着時の基板の皺の発生を防止するため用いられてい
るが、この円筒１大キヤンロールは同時に蒸着時に基板
が蒸発源から受ける潜熱、輻射熱を急激に奪い取る効果
も有する。このため円筒状ロールを用いる場合、使用し
ない時と比べて、適性な結晶性、磁気特性、耐摺動性な
どの各種特性を得るのに一層高温で膜形成を行う必要が
ある。
レスや鉄などの金属でできていた。円筒状キャンロール
は蒸着時の基板の皺の発生を防止するため用いられてい
るが、この円筒１大キヤンロールは同時に蒸着時に基板
が蒸発源から受ける潜熱、輻射熱を急激に奪い取る効果
も有する。このため円筒状ロールを用いる場合、使用し
ない時と比べて、適性な結晶性、磁気特性、耐摺動性な
どの各種特性を得るのに一層高温で膜形成を行う必要が
ある。
例えば、真空蒸着法でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を作製する
時、円筒状キャンロールを用いなければ、蒸着直前の基
板温度で１５０°Ｃ程度で基板に皺が入るものの、良好
な垂直磁気特性を訂するＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が作製で
きる。これに対して、円筒状キャンロールを用いると、
同じ磁気特性を得るのに３００°Ｃ以上の基板温度が必
要である。
時、円筒状キャンロールを用いなければ、蒸着直前の基
板温度で１５０°Ｃ程度で基板に皺が入るものの、良好
な垂直磁気特性を訂するＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が作製で
きる。これに対して、円筒状キャンロールを用いると、
同じ磁気特性を得るのに３００°Ｃ以上の基板温度が必
要である。
また、金属薄膜型磁気記録媒体の耐摺動性を改良するた
め、磁性金属薄膜上に保護膜としてホウ素（Ｂ）を蒸着
する時などは、円筒状キャンロールを用いなければ、蒸
着直前の基板温度で１００℃程度で基板に皺が入るもの
の、良好な耐摺動性を有するＢ保護膜が作製できる。一
方、円筒状キャンロールを用いると、高分子フィルムの
耐熱温度以内の温度では良好な耐摺動性を得ることがで
きない。
め、磁性金属薄膜上に保護膜としてホウ素（Ｂ）を蒸着
する時などは、円筒状キャンロールを用いなければ、蒸
着直前の基板温度で１００℃程度で基板に皺が入るもの
の、良好な耐摺動性を有するＢ保護膜が作製できる。一
方、円筒状キャンロールを用いると、高分子フィルムの
耐熱温度以内の温度では良好な耐摺動性を得ることがで
きない。
このように、円筒状キャンロールを使用する場合、同じ
特性を得るのに一層高温で蒸着を行わなければならない
ということは、基板を耐熱性のあるものにしなければな
らず、用途が限定されたり、また、装置の温調を高温に
しなければならない等、経済的に極めて不利である。従
って、蒸着時の基板温度をできるだけ下げる必要がある
。
特性を得るのに一層高温で蒸着を行わなければならない
ということは、基板を耐熱性のあるものにしなければな
らず、用途が限定されたり、また、装置の温調を高温に
しなければならない等、経済的に極めて不利である。従
って、蒸着時の基板温度をできるだけ下げる必要がある
。
本発明は上記従来製品が持っていた蒸着時の基板温度を
高温にしなければならないという欠点を解決し、以て経
済性５優れた金属薄膜の製造装置を提供することを目的
とする。
高温にしなければならないという欠点を解決し、以て経
済性５優れた金属薄膜の製造装置を提供することを目的
とする。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために、本発明の金属薄膜装置は、
長尺の可撓性基板を円筒状ロールの周面に沿って走行さ
せ、前記円筒状ロール位置で前記基板上にベーパーデポ
ジション法によって金属薄膜を形成する装置において、
その少なくとも周面がガラスよりなる円筒状ロールを用
いることにより、蒸着時に基板が蒸発源から受ける熱が
円筒状ロールに逃げるのを防ぎ、必要な特性を有する金
属薄膜が低基板温度で得られるようにしたものである。
長尺の可撓性基板を円筒状ロールの周面に沿って走行さ
せ、前記円筒状ロール位置で前記基板上にベーパーデポ
ジション法によって金属薄膜を形成する装置において、
その少なくとも周面がガラスよりなる円筒状ロールを用
いることにより、蒸着時に基板が蒸発源から受ける熱が
円筒状ロールに逃げるのを防ぎ、必要な特性を有する金
属薄膜が低基板温度で得られるようにしたものである。
ガラスとしては多孔質ガラスが好ましい。
［作用］
前記のように、本発明の金属薄膜製造装置では、ガラス
製の周面を有する円筒状キャンロールを使用する。
製の周面を有する円筒状キャンロールを使用する。
ガラスは金属と比べ熱伝導率が悪い。このため、蒸着時
に基板が蒸発源から受ける熱が円筒状ロールに拡散する
速度が遅くなり、基板表面の温度を実効的に高くできる
。
に基板が蒸発源から受ける熱が円筒状ロールに拡散する
速度が遅くなり、基板表面の温度を実効的に高くできる
。
本発明はこの効果を利用したもので、ガラスの熱伝導率
が低ければ低いほどその効果も大きくなる。
が低ければ低いほどその効果も大きくなる。
円筒状キャンロールの周面に配設されるガラス層の膜厚
自体は本発明の必須要件ではないが、−般的な指標とし
て、ガラス層の膜厚は少なくとも１μｍ以上であること
が好ましい。１μｍ未満では、蒸着時に基板が蒸発源か
ら受ける熱の拡散防止効果が極めて不十分となる。
自体は本発明の必須要件ではないが、−般的な指標とし
て、ガラス層の膜厚は少なくとも１μｍ以上であること
が好ましい。１μｍ未満では、蒸着時に基板が蒸発源か
ら受ける熱の拡散防止効果が極めて不十分となる。
多孔質ガラスは間に無数の微小空間を有するので熱伝導
率が更に低下し、基板表面の温度を一層効果的に高くで
きる。
率が更に低下し、基板表面の温度を一層効果的に高くで
きる。
金属薄膜の形成材料は本発明の必須要件ではないが、Ｇ
ｏ＋ Ｆｅｗ Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ＋ Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ等の強磁性材料の単体、もし
くは合金類等を使用できる。言うまでもなく、その他の
材料も当然使用できる。
ｏ＋ Ｆｅｗ Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ＋ Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ等の強磁性材料の単体、もし
くは合金類等を使用できる。言うまでもなく、その他の
材料も当然使用できる。
金属薄膜は可撓性基板上にベーパーデポジション法によ
り成膜することができる。′ベーパτデポジション法”
とは気体または真空空間中で、析出させようとする物質
あるいは化合物等を蒸気またはイオン化蒸気として気体
上に析出させる方法を意味する。この方法には、真空蒸
着法、イオンφブレーティング法、高周波イオンφブレ
ーティング法、イオン・クラスタービーム法、イオンビ
ームデポジション法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など
がある。真空蒸着法が好ましい。
り成膜することができる。′ベーパτデポジション法”
とは気体または真空空間中で、析出させようとする物質
あるいは化合物等を蒸気またはイオン化蒸気として気体
上に析出させる方法を意味する。この方法には、真空蒸
着法、イオンφブレーティング法、高周波イオンφブレ
ーティング法、イオン・クラスタービーム法、イオンビ
ームデポジション法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など
がある。真空蒸着法が好ましい。
可撓性基板としてはポリエステル、ポリイミド。
ポリエチレン等の合成樹脂フィルム等を使用することが
できる。
できる。
長尺な可撓性基板上に金属薄膜を形成した材料からは、
磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体を作り出す
ことができる。
磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体を作り出す
ことができる。
［実施例］
以下、図面を参照しながら本発明の金属薄膜製造装置の
一例について更に詳細に説明する。
一例について更に詳細に説明する。
災五性上
第１図に本発明を実施するための装置の概略図を示す。
以Ｆ１図に従って説明する。可（々性基板１は供給ロー
ル２から送り出され、円筒状ロール３，４を経て巻取り
ロール５に巻取られる。この時、円筒状ロール３および
４の下部にある蒸発源６および７の金属を電子ビーム加
熱によって、溶解蒸発し、可撓性基板上に金属薄膜を形
成する。
ル２から送り出され、円筒状ロール３，４を経て巻取り
ロール５に巻取られる。この時、円筒状ロール３および
４の下部にある蒸発源６および７の金属を電子ビーム加
熱によって、溶解蒸発し、可撓性基板上に金属薄膜を形
成する。
蒸着時、円筒状ロール３および４は内部にあるヒータ（
図示されていない）により所定の温度に加熱される。図
中、１０は金属補給装置であり、１１は補助ロールであ
る。
図示されていない）により所定の温度に加熱される。図
中、１０は金属補給装置であり、１１は補助ロールであ
る。
第１図において、円筒状ロール３および４としてソーダ
ガラス（熱伝導６．５Ｗ／ｍ・ｋ）製のロールを用い、
可視製基板１として厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
を使用し、金属蒸発源６としてＣｏ−２０ｗｔ％Ｃｒ合
金を使用し、金属蒸発源７として金ＤＢを用いて可視製
基板１上に金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。蒸着時
の真空度は、２ ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒ１円筒状ロ
ール３および４の温度は共に１５０℃、Ｃｏ Ｃｒ
ｓ Ｂの蒸着速度はそれぞれ４００人／ｓｅｃ １４０
人／ｓｅｅであった。
ガラス（熱伝導６．５Ｗ／ｍ・ｋ）製のロールを用い、
可視製基板１として厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
を使用し、金属蒸発源６としてＣｏ−２０ｗｔ％Ｃｒ合
金を使用し、金属蒸発源７として金ＤＢを用いて可視製
基板１上に金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。蒸着時
の真空度は、２ ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒ１円筒状ロ
ール３および４の温度は共に１５０℃、Ｃｏ Ｃｒ
ｓ Ｂの蒸着速度はそれぞれ４００人／ｓｅｃ １４０
人／ｓｅｅであった。
得られた金属薄膜型磁気記録媒体の断面構造を第２図に
示す。図中、１はポリイミドフィルムからなる可撓性基
板であり、１２はＣｏ−２０ｗｔ％Ｃｒ合全磁性膜であ
り、１３はＢ保護膜である。
示す。図中、１はポリイミドフィルムからなる可撓性基
板であり、１２はＣｏ−２０ｗｔ％Ｃｒ合全磁性膜であ
り、１３はＢ保護膜である。
光五匠λ
円筒状ロール３および４として多孔質ガラス（熱伝導率
２．６Ｗ／ｍ＠ｋ）を用いた他は、実施例１と同様にし
て金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
２．６Ｗ／ｍ＠ｋ）を用いた他は、実施例１と同様にし
て金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
比土ＬＬＬ
円筒状ロール３として通常のステンレス製ロール（熱伝
導率２５．５Ｗ／ｍ・ｋ）を用いた他は実施例１と同様
にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
導率２５．５Ｗ／ｍ・ｋ）を用いた他は実施例１と同様
にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
比土石舛２−
円筒状ロール４として通常のステンレス製ロール（熱伝
導率２５．５Ｗ／ｍ ＩＩｋ）を用いた他は実施例１と
同様にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
導率２５．５Ｗ／ｍ ＩＩｋ）を用いた他は実施例１と
同様にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
比佼隨１
円筒状ロール３および４として通常のステンレス製ロー
ル（熱伝導率２５．５Ｗ／ｍ＠ｋ）を用いた他は、実施
例１と同様にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
ル（熱伝導率２５．５Ｗ／ｍ＠ｋ）を用いた他は、実施
例１と同様にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した。
土佼旌１
円筒状ロール３および４の温度を３００℃とした他は比
較例３と同様にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した
。
較例３と同様にして金属薄膜型磁気記録媒体を作製した
。
前記実施例および比較例で作製した試料の磁気特性はＶ
ＳＭ （試料振動型磁力計）で膜面垂直方向に磁界をか
けて保磁力を測定した。結晶配向性はＸ線解析装置を用
いてＣｏ−ＣｒのＣ軸のΔθ５θを測定した。また、試
料の耐久性は潤滑剤を塗布した後、市販の５インチのフ
ロッピーディスク装置にかけ、出力が２ｄＢ減少するま
でとパス回 。
ＳＭ （試料振動型磁力計）で膜面垂直方向に磁界をか
けて保磁力を測定した。結晶配向性はＸ線解析装置を用
いてＣｏ−ＣｒのＣ軸のΔθ５θを測定した。また、試
料の耐久性は潤滑剤を塗布した後、市販の５インチのフ
ロッピーディスク装置にかけ、出力が２ｄＢ減少するま
でとパス回 。
数で評価した。測定結果を下記の表１に要約して示す。
表」−
表１に示された結果から明らかなように、円筒状キャン
ロールの周面がガラスにより構成されている本発明の金
属薄膜製造装置によれば、磁気特性、結晶配向性および
耐摺動性の何れの点においても優れた磁気テープが得ら
れる。従来のステンレス製ロールを有する装置を使用し
た場合、磁気特性および結晶配向性の点では本発明とさ
ほど大差はないが、耐摺動性が著しく劣る。
ロールの周面がガラスにより構成されている本発明の金
属薄膜製造装置によれば、磁気特性、結晶配向性および
耐摺動性の何れの点においても優れた磁気テープが得ら
れる。従来のステンレス製ロールを有する装置を使用し
た場合、磁気特性および結晶配向性の点では本発明とさ
ほど大差はないが、耐摺動性が著しく劣る。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の金属薄膜製造装置では、
ガラス製の周面を有する円筒状キャンロールを使用する
。ガラスは金属と比べ熱伝導率が悪い。このため、蒸着
時に基板が蒸発源から受ける熱が円筒状ロールに拡散す
る速度が遅くなり、基板表面の温度を天動的に高くでき
る。
ガラス製の周面を有する円筒状キャンロールを使用する
。ガラスは金属と比べ熱伝導率が悪い。このため、蒸着
時に基板が蒸発源から受ける熱が円筒状ロールに拡散す
る速度が遅くなり、基板表面の温度を天動的に高くでき
る。
その結果、優れた磁気特性、結晶配向性および耐久性を
有する磁気記録媒体が低基板温度でも得られる。
有する磁気記録媒体が低基板温度でも得られる。
第１図は本発明の金属薄膜製造装置の一例を示す概略図
、第２図は本発明の金属薄膜製造装置によって作製した
金属薄膜の一例を示す断面図である。 １・・・可撓性基板、２・・・供給ロール。 ３および４・・・円筒状ロール、５・・・巻取ロール。 ６および７・・・蒸発源、８および９・・・電子銃。 １０・・・金属補給装置、１１・・・補助ロール。 １２−・・Ｃｏ −２０ｗｔ％ Ｃｒ合金磁性膜。 １３・・・Ｂ保護膜
、第２図は本発明の金属薄膜製造装置によって作製した
金属薄膜の一例を示す断面図である。 １・・・可撓性基板、２・・・供給ロール。 ３および４・・・円筒状ロール、５・・・巻取ロール。 ６および７・・・蒸発源、８および９・・・電子銃。 １０・・・金属補給装置、１１・・・補助ロール。 １２−・・Ｃｏ −２０ｗｔ％ Ｃｒ合金磁性膜。 １３・・・Ｂ保護膜
Claims (2)
- （１）長尺の可撓性基板を円筒状ロールの周面に沿って
走行させ、前記円筒状ロール位置で前記基板上に、ベー
パーデポジション法によって、金属薄膜を形成する装置
において、前記円筒状ロールの少なくともその周面がガ
ラスよりなることを特徴とする金属薄膜製造装置。 - （２）円筒状ロールの少なくともその周面が多孔質ガラ
スよりなることを特徴とする請求項（１）記載の金属薄
膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6527088A JPH01240659A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 金属薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6527088A JPH01240659A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 金属薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01240659A true JPH01240659A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13282068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6527088A Pending JPH01240659A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 金属薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01240659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013088998A1 (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | 日本電気硝子株式会社 | 成膜装置及び膜付ガラスフィルムの製造方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6527088A patent/JPH01240659A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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