JPH01235023A - 磁気記録媒体の製造法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造法Info
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- JPH01235023A JPH01235023A JP63060322A JP6032288A JPH01235023A JP H01235023 A JPH01235023 A JP H01235023A JP 63060322 A JP63060322 A JP 63060322A JP 6032288 A JP6032288 A JP 6032288A JP H01235023 A JPH01235023 A JP H01235023A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/73923—Organic polymer substrates
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録媒体、形態別にみるとフレキシブ
ル磁気ディスクの製造方法に関するものであり、ざらに
詳しくはフレキシブル磁気ディスクのわん開度形である
カールを防止する製造方法に関する。
ル磁気ディスクの製造方法に関するものであり、ざらに
詳しくはフレキシブル磁気ディスクのわん開度形である
カールを防止する製造方法に関する。
磁気記録における高密度化への追求は媒体においては高
保磁力、磁性層の薄膜化などをもたらした。しかし、こ
れとは異なった方法で高密度化を追求したものとして垂
直磁気記録か提案され、各方面で実用化検討が進められ
ている。これまでに知られている最も実用化に近い電磁
変換特性を有する垂直磁気記録媒体の構成はフレキシブ
ルな高分子基板の上にＣｏＣｒ合金薄膜の磁性層を形成
したいわゆるフレキシブル磁気ディスクと呼ばれるもの
である。このような構成は磁性層を形成するときに木質
的に避けることのできない薄膜の内部応力により媒体が
わん白変形、すなわちカールか発生するという欠点があ
フだ。カールが発生すると磁気ヘッドと媒体との間に良
好な接触が得ら九ず、再生出力の低下、Ｓ／Ｎ比の低下
あるいは走行の不安定等の不都合を生じる。実用化にあ
たり、カールを防止することは極めて重要である。
保磁力、磁性層の薄膜化などをもたらした。しかし、こ
れとは異なった方法で高密度化を追求したものとして垂
直磁気記録か提案され、各方面で実用化検討が進められ
ている。これまでに知られている最も実用化に近い電磁
変換特性を有する垂直磁気記録媒体の構成はフレキシブ
ルな高分子基板の上にＣｏＣｒ合金薄膜の磁性層を形成
したいわゆるフレキシブル磁気ディスクと呼ばれるもの
である。このような構成は磁性層を形成するときに木質
的に避けることのできない薄膜の内部応力により媒体が
わん白変形、すなわちカールか発生するという欠点があ
フだ。カールが発生すると磁気ヘッドと媒体との間に良
好な接触が得ら九ず、再生出力の低下、Ｓ／Ｎ比の低下
あるいは走行の不安定等の不都合を生じる。実用化にあ
たり、カールを防止することは極めて重要である。
フレキシブル磁気ディスクのカールを防Ｉ卜するために
従来性われてきた方法は、ひとつは両面に磁性層を形成
するものと、もうひとつは磁性層を片面たけにつけて基
板の熱収縮を利用したり、裏面に塗ＩＩ層を設けてカー
ルを相殺するものであるが、工程の簡便さから考えて両
面に磁性層を形成するほうが実用化に適している。実際
の製造工程としては、第１図に校式的に示されているよ
うに、長尺の高分子基板４を連続的に移動させながら、
高分子基板上に磁性層を連続スパッタリングもしくは連
続蒸着による方法で形成するものが一般的に知られてい
る。また回転ドラムを用いないで第２図のような平坦な
まま基板を移動させる方式も用いられている。ここて回
転ドラム３や基板ホルタ−７はＧｏｅｒ磁性層の磁気特
性を向上させるために、高分子基板上に磁性層を形成さ
せる時所定の温度まで昇温できるようになっている。高
分子基板としては、厚みが１０〜ｌＯＯμの範囲にある
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド
などが代表的なものとして知られていた。
従来性われてきた方法は、ひとつは両面に磁性層を形成
するものと、もうひとつは磁性層を片面たけにつけて基
板の熱収縮を利用したり、裏面に塗ＩＩ層を設けてカー
ルを相殺するものであるが、工程の簡便さから考えて両
面に磁性層を形成するほうが実用化に適している。実際
の製造工程としては、第１図に校式的に示されているよ
うに、長尺の高分子基板４を連続的に移動させながら、
高分子基板上に磁性層を連続スパッタリングもしくは連
続蒸着による方法で形成するものが一般的に知られてい
る。また回転ドラムを用いないで第２図のような平坦な
まま基板を移動させる方式も用いられている。ここて回
転ドラム３や基板ホルタ−７はＧｏｅｒ磁性層の磁気特
性を向上させるために、高分子基板上に磁性層を形成さ
せる時所定の温度まで昇温できるようになっている。高
分子基板としては、厚みが１０〜ｌＯＯμの範囲にある
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド
などが代表的なものとして知られていた。
しかしながら、このように、高分子基板とじてポリエチ
レンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド等を用い
た高分子基板上に両面磁性層を形成し、その際加熱処理
して磁気特性を改善するという従来の方法では、得られ
た媒体には長尺方向に不規則にカールが発生し、カール
の除去できている部分もあればカールの発生している部
分もあるという現象が起るため、生産としての歩留まり
か低いという問題があった。
レンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド等を用い
た高分子基板上に両面磁性層を形成し、その際加熱処理
して磁気特性を改善するという従来の方法では、得られ
た媒体には長尺方向に不規則にカールが発生し、カール
の除去できている部分もあればカールの発生している部
分もあるという現象が起るため、生産としての歩留まり
か低いという問題があった。
本発明は上述高分子基板等を改良しカールの発生の少な
い両面フレキシブル磁気記録媒体のｙＪ造法を提供する
ものである。
い両面フレキシブル磁気記録媒体のｙＪ造法を提供する
ものである。
本発明によれば高分子基板としてポリビフェニル系イミ
ドを用い、該基板を１００℃以上の温度で熱処理を行っ
た後、該基板上に磁性層を形成することにより、安定し
てカールのない両面フレキシブル磁気ディスクを製造す
るというものである。
ドを用い、該基板を１００℃以上の温度で熱処理を行っ
た後、該基板上に磁性層を形成することにより、安定し
てカールのない両面フレキシブル磁気ディスクを製造す
るというものである。
本発明において用いられる高分子基板はポリビフェニル
系イミドであり、その分子構造は次式でこのポリビフェ
ニル系イミドはバラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）とビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とを縮
合して形成されたもので、耐熱性および寸法安定性、表
面性においてすぐれ、とりわけその熱的に安定な性質は
磁性膜形成時に基板が加熱されるフレキシブル磁気記録
媒体において有効である。すなわちポリビフェニル系イ
ミド基板は昇温してもガラス転移点がなく、５００℃以
上で徐々に熱分解していくだけであり、ヤング率は８０
０〜１２００ｋｇ／ｍば、熱膨張率は３ｘｌＯ−５〜１
ｘｌＯ°６ｃｍ／ｃｍ／’Ｃという物性値を有し、膜厚
はｌＯ〜１００−のものである。一方、一般に高分子↓
（板の物性は加熱に対してビステリシスをもちやすく、
磁性膜形成時の熱処理により歪が発生し、カール発生の
原因となってしまう。このため安定に５カールを除去１
−るためには、熱的な安定性等の物性の他にヒステリシ
スの程度も重要な要素となる。ポリビフェニル系イミド
は、従来のポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
ポリアミドと異なり、そのビステリシスを熱処理を１７
つことによって排除することができる。第３図はＴＭＡ
（熱機械分析装置）により加熱−冷却のサイクルをく
り返したときのポリビフェニル系イミドの伸縮を測定し
た結果である。発明者らは熱処理温度をかえて両面フレ
キシブル磁気ディスクを作製し、カールの発生を調べた
結果、 １００℃以上で熱処理するとヒステリシスの発
生を抑えることができ、安定にカールを除去できること
をつきとめた。
系イミドであり、その分子構造は次式でこのポリビフェ
ニル系イミドはバラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）とビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とを縮
合して形成されたもので、耐熱性および寸法安定性、表
面性においてすぐれ、とりわけその熱的に安定な性質は
磁性膜形成時に基板が加熱されるフレキシブル磁気記録
媒体において有効である。すなわちポリビフェニル系イ
ミド基板は昇温してもガラス転移点がなく、５００℃以
上で徐々に熱分解していくだけであり、ヤング率は８０
０〜１２００ｋｇ／ｍば、熱膨張率は３ｘｌＯ−５〜１
ｘｌＯ°６ｃｍ／ｃｍ／’Ｃという物性値を有し、膜厚
はｌＯ〜１００−のものである。一方、一般に高分子↓
（板の物性は加熱に対してビステリシスをもちやすく、
磁性膜形成時の熱処理により歪が発生し、カール発生の
原因となってしまう。このため安定に５カールを除去１
−るためには、熱的な安定性等の物性の他にヒステリシ
スの程度も重要な要素となる。ポリビフェニル系イミド
は、従来のポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
ポリアミドと異なり、そのビステリシスを熱処理を１７
つことによって排除することができる。第３図はＴＭＡ
（熱機械分析装置）により加熱−冷却のサイクルをく
り返したときのポリビフェニル系イミドの伸縮を測定し
た結果である。発明者らは熱処理温度をかえて両面フレ
キシブル磁気ディスクを作製し、カールの発生を調べた
結果、 １００℃以上で熱処理するとヒステリシスの発
生を抑えることができ、安定にカールを除去できること
をつきとめた。
一方、磁性層の磁気特性を劣化させないためにも１００
℃以上でポリビフェニル系イミドの基板を熱処理してお
くことが望ましい。すなわちポリビフェニル系イミドは
真空中で使用されると１１２０などのガスを発生するが
、磁性層形成時の熱処理の際にガスが放出されると磁性
層の磁性特性は劣化するので、該基板を熱処理する段階
で予めできるたけガスを放出しておいた方が良く、該基
板からのガス発生ｇは真空中では１００℃以上で急激に
増加するため、磁性層の磁気特性の劣下を防ぐためにも
１００℃以上で予め該基板を熱処理しておくことが望ま
しい。
℃以上でポリビフェニル系イミドの基板を熱処理してお
くことが望ましい。すなわちポリビフェニル系イミドは
真空中で使用されると１１２０などのガスを発生するが
、磁性層形成時の熱処理の際にガスが放出されると磁性
層の磁性特性は劣化するので、該基板を熱処理する段階
で予めできるたけガスを放出しておいた方が良く、該基
板からのガス発生ｇは真空中では１００℃以上で急激に
増加するため、磁性層の磁気特性の劣下を防ぐためにも
１００℃以上で予め該基板を熱処理しておくことが望ま
しい。
熱処理の方法としては、第１図又は第２図のような通常
のフレキシブル磁気記録媒体の製造工程において、磁性
膜形成部に回転ドラム３又は基板ホルダー７を１００℃
以上に加熱し、それぞれに沿わせて搬送されるポリビフ
ェニル系イミド基板を熱処理する。回転ドラム３や基板
ホルダー７は磁性層の磁気特性を向トさせるために所定
の温度まて昇温できるようになっているので特別な加熱
装置は必要とならない。高分子基板の厚み範囲は１０〜
１０〇−程度である。これ以外の加熱方法、例えば赤外
線ヒーターで加熱する方法でもポリビフェニル系イミド
基板の基板温度が１００℃以上にさらされていればよく
、また大気中でも真空中であってもよい。熱処理時間は
基板の膜厚により適宜決めることができる。
のフレキシブル磁気記録媒体の製造工程において、磁性
膜形成部に回転ドラム３又は基板ホルダー７を１００℃
以上に加熱し、それぞれに沿わせて搬送されるポリビフ
ェニル系イミド基板を熱処理する。回転ドラム３や基板
ホルダー７は磁性層の磁気特性を向トさせるために所定
の温度まて昇温できるようになっているので特別な加熱
装置は必要とならない。高分子基板の厚み範囲は１０〜
１０〇−程度である。これ以外の加熱方法、例えば赤外
線ヒーターで加熱する方法でもポリビフェニル系イミド
基板の基板温度が１００℃以上にさらされていればよく
、また大気中でも真空中であってもよい。熱処理時間は
基板の膜厚により適宜決めることができる。
これ以降の製造工程は通常通り行えばよい。すなわち（
ＣｏＧｒ）磁性層を基板の加熱処理につづきスパッタリ
ング装置や真空蒸着法で形成し磁気特性改ｎのための、
＠処理を行なう。この際基板はすでに １００℃以上で
熱処理されているためヒステワシス現象はほとんど起ら
ない。一般に磁性層の厚みは両面にそれぞれ０，４μ程
度である。又磁性層としてはＣｏＣｒが最も良いが、こ
の他２層膜のＧｏｅｒ／ＮｉＦｃ、Ｃｏ／Ｃｒ、ＣｏＮ
ｉＣｒ／ＣｒあるいはＣｏＮｉ／ＧｒまたはＦｅＭｎＢ
１等でも可能であり、特にカール除去作用には影響しな
いので、適宜選ぶことができる。
ＣｏＧｒ）磁性層を基板の加熱処理につづきスパッタリ
ング装置や真空蒸着法で形成し磁気特性改ｎのための、
＠処理を行なう。この際基板はすでに １００℃以上で
熱処理されているためヒステワシス現象はほとんど起ら
ない。一般に磁性層の厚みは両面にそれぞれ０，４μ程
度である。又磁性層としてはＣｏＣｒが最も良いが、こ
の他２層膜のＧｏｅｒ／ＮｉＦｃ、Ｃｏ／Ｃｒ、ＣｏＮ
ｉＣｒ／ＣｒあるいはＣｏＮｉ／ＧｒまたはＦｅＭｎＢ
１等でも可能であり、特にカール除去作用には影響しな
いので、適宜選ぶことができる。
ＣｏＣｒの配合比も適宜選ぶことができる。次に得られ
た両面に磁性層が形成されている磁気媒体をディスク型
に打ち抜けばカール発生のないフレキシブル磁気ディス
クが得られる。
た両面に磁性層が形成されている磁気媒体をディスク型
に打ち抜けばカール発生のないフレキシブル磁気ディス
クが得られる。
実施例１
第１図に示すような対向ターゲット式スパッタ装置によ
り熱処理および磁性層の形成を行フた。
り熱処理および磁性層の形成を行フた。
高分子基板４は厚み２５鱗、幅８０＋ｎ−ｍのポリビフ
ェニル系イミドであり、これを該スパッタ装置にセット
したのち、真空に引いて、回転ドラム３（直径３００ｍ
＋ｎ）を昇温した。熱処理は７０℃、 １００℃、１９
０℃の各温度について到達圧力２Ｘ１０’Ｐａ以下で行
った。高分子基板４の張力は １．２ｋｇ、搬送速度は
６ ｃｍ／ｍｉｎである。熱処理後到達圧力５Ｘ１０”
４Ｐａ以下まで排気してからＣｏＣｒ磁性層を形成した
。ターゲット６の寸法は４インチ×６インチＸ６ｍｎ＋
、ターゲット間の距離１２０＋ｎｍ、ターゲット間の中
心から回転ドラム表面までの距離は１２０ｍｍ、ターゲ
ットの組成は Ｃｏ ８０ｗし％−Ｃｒ２Ｏ＊Ｌ％であ
る。成膜条件はアルゴン圧０．２Ｐａ、投入電力２．５
ｋｉｆ、成膜速度＋０００Ａ ／ｍｉｎ、回転ドラム温
度１９０℃、高分子基板の張力１．２ｋｇであり、Ｃｏ
Ｃｒ磁性層厚は０．４−である。このように片面に磁性
層を形成してのち、裏面にも同じ成膜条件でＣＯＣｒＭ
！を性層を形成した。このようにしてできた磁気媒体を
４７ｍｍ径のディスクに打ち抜きカール測定を行った。
ェニル系イミドであり、これを該スパッタ装置にセット
したのち、真空に引いて、回転ドラム３（直径３００ｍ
＋ｎ）を昇温した。熱処理は７０℃、 １００℃、１９
０℃の各温度について到達圧力２Ｘ１０’Ｐａ以下で行
った。高分子基板４の張力は １．２ｋｇ、搬送速度は
６ ｃｍ／ｍｉｎである。熱処理後到達圧力５Ｘ１０”
４Ｐａ以下まで排気してからＣｏＣｒ磁性層を形成した
。ターゲット６の寸法は４インチ×６インチＸ６ｍｎ＋
、ターゲット間の距離１２０＋ｎｍ、ターゲット間の中
心から回転ドラム表面までの距離は１２０ｍｍ、ターゲ
ットの組成は Ｃｏ ８０ｗし％−Ｃｒ２Ｏ＊Ｌ％であ
る。成膜条件はアルゴン圧０．２Ｐａ、投入電力２．５
ｋｉｆ、成膜速度＋０００Ａ ／ｍｉｎ、回転ドラム温
度１９０℃、高分子基板の張力１．２ｋｇであり、Ｃｏ
Ｃｒ磁性層厚は０．４−である。このように片面に磁性
層を形成してのち、裏面にも同じ成膜条件でＣＯＣｒＭ
！を性層を形成した。このようにしてできた磁気媒体を
４７ｍｍ径のディスクに打ち抜きカール測定を行った。
カール量は平坦な面にディスクを置いたときに最もわん
曲している方向の両端の高さの平均値にｐ−−２−（ｈ
＋ ＋ｈ２ ）で示した。また比較例として熱処理をし
なかったものについてもカールＩ１１を測定した。結果
は表１に示しであるように、 １００℃以上で熱処理し
たものはカール量が著しく安定に低減していた。
曲している方向の両端の高さの平均値にｐ−−２−（ｈ
＋ ＋ｈ２ ）で示した。また比較例として熱処理をし
なかったものについてもカールＩ１１を測定した。結果
は表１に示しであるように、 １００℃以上で熱処理し
たものはカール量が著しく安定に低減していた。
実施例２
２５μＪｆＪのポリビフェニル系イミドを大気中て熱処
理を行った。熱処理条件は張力１．２ｋｇ、回転ドラム
温度１９０℃、搬送速度６ ｃｍ／ｍｉｎである。以下
実施例１と同様に磁性層を形成し、カール９を測定した
。結果は表１に示しである。
理を行った。熱処理条件は張力１．２ｋｇ、回転ドラム
温度１９０℃、搬送速度６ ｃｍ／ｍｉｎである。以下
実施例１と同様に磁性層を形成し、カール９を測定した
。結果は表１に示しである。
実施例３
１５押厚と５０μ厚のポリビフェニル系イミドを回転ド
ラム温度１９０℃、張力 １５μ厚は ］、２２ｋｇ５
０鱗厚は２．０ｋｇ、 ［送速度 １５μ厚は６ ｃｍ
／ｍｉｎ、５０ｐ厚は３ ｃ＋ｎ／ｍｉｎの熱処理条件
で真空中て熱処理し、以上一実施例１と同様にＷｌ性層
を形成し、カール叶を測定した。結果は表１に示しであ
るように、）、Ｌ板のＪ２さに関らずカール■は著しく
安定に低減した。
ラム温度１９０℃、張力 １５μ厚は ］、２２ｋｇ５
０鱗厚は２．０ｋｇ、 ［送速度 １５μ厚は６ ｃｍ
／ｍｉｎ、５０ｐ厚は３ ｃ＋ｎ／ｍｉｎの熱処理条件
で真空中て熱処理し、以上一実施例１と同様にＷｌ性層
を形成し、カール叶を測定した。結果は表１に示しであ
るように、）、Ｌ板のＪ２さに関らずカール■は著しく
安定に低減した。
表１
〔発明の効果〕
以上説明したように、基板にポリビフェニル系イミドを
用い、該基板を１００℃以上の温度で熱処理した後両面
に磁性層を形成することにより、安定にカールを除くこ
とができ、フレキシブル磁気ディスクを歩留まりよく製
造できる。又、熱処理工程は特別の装置を必要とせず従
来の加熱装置で充分であり、簡弔に実施することができ
る。
用い、該基板を１００℃以上の温度で熱処理した後両面
に磁性層を形成することにより、安定にカールを除くこ
とができ、フレキシブル磁気ディスクを歩留まりよく製
造できる。又、熱処理工程は特別の装置を必要とせず従
来の加熱装置で充分であり、簡弔に実施することができ
る。
第１図は回転ドラムによる搬送系を有する対向ターゲッ
ト式スパッタ装置、 第２図は平坦な基板ホルダーを用いた搬送系を有するス
パッタ装置、 第３図はＴＭＡ （熱機械式分析装置）による測定結果
の一例、 第４図はカールの測定方法を示す。 １は巻き出しロール、 ２は巻き取りロール、 ３は回転ドラム、 ４は高分子基板、 ５は飛来する磁性粒子を制限するためのマスク、６はス
パッタリングターゲット、 ７は基板ホルダー、 ８はフレキシブル磁気ディスク を示す。
ト式スパッタ装置、 第２図は平坦な基板ホルダーを用いた搬送系を有するス
パッタ装置、 第３図はＴＭＡ （熱機械式分析装置）による測定結果
の一例、 第４図はカールの測定方法を示す。 １は巻き出しロール、 ２は巻き取りロール、 ３は回転ドラム、 ４は高分子基板、 ５は飛来する磁性粒子を制限するためのマスク、６はス
パッタリングターゲット、 ７は基板ホルダー、 ８はフレキシブル磁気ディスク を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記のような分子構造を有するポリビフェニル系イミド
からなる高分子基板を１００℃以上の温度で熱処理を施
した後、該基板の両面に磁性層を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63060322A JPH01235023A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 磁気記録媒体の製造法 |
| US07/321,396 US4917959A (en) | 1988-03-16 | 1989-03-10 | Method for preparing magnetic recording medium |
| EP19890302412 EP0333393A1 (en) | 1988-03-16 | 1989-03-10 | Method for preparing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63060322A JPH01235023A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 磁気記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235023A true JPH01235023A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13138822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63060322A Pending JPH01235023A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 磁気記録媒体の製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4917959A (ja) |
| EP (1) | EP0333393A1 (ja) |
| JP (1) | JPH01235023A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4456145A (en) * | 1982-09-30 | 1984-06-26 | L. E. Mason Co. | Weatherproof outlet cover |
| GB8815236D0 (en) * | 1988-06-27 | 1988-08-03 | Plasmon Data Systems Inc | Improvements relating to optical disks |
| KR100262439B1 (ko) * | 1990-05-21 | 2000-08-01 | 사토 도리 | 정보기록용 카트리지와 플렉시블 자기기록매체 및 그 제조방법 |
| JPH09270116A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2000057561A (ja) | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気テープ |
| JP2002367138A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | 磁気情報記録媒体 |
| WO2007013887A2 (en) * | 2004-10-15 | 2007-02-01 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods of manipulating the relaxation rate in magnetic materials and devices for using the same |
| JP5109657B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-12-26 | 宇部興産株式会社 | ポリイミドフィルムの製造方法およびポリイミドフィルム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745580B2 (ja) * | 1986-05-16 | 1995-05-17 | 宇部興産株式会社 | 芳香族ポリイミドフィルム |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63060322A patent/JPH01235023A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-10 US US07/321,396 patent/US4917959A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-10 EP EP19890302412 patent/EP0333393A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4917959A (en) | 1990-04-17 |
| EP0333393A1 (en) | 1989-09-20 |
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