JPS62294687A - 7−アシルアミノ−3−ビニル−3−セフエム化合物 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/14—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
- C07D501/16—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
- C07D501/20—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
- C07D501/22—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached in position 3
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、新規な7−アシルアミノ−3−ビニル−3
−セフェム化合物およびその塩に関するものであり、さ
らに詳細には、種々の病原菌に対して高い活性を有し、
特に経口投与用として有用tt7−fil換−3−ビニ
ルー3−ビニルム化合物またはその塩を製造するための
原料化合物である7−アシルアミノ−3−ビニル−3−
セフェム化合物およびその塩に関するものである。
−セフェム化合物およびその塩に関するものであり、さ
らに詳細には、種々の病原菌に対して高い活性を有し、
特に経口投与用として有用tt7−fil換−3−ビニ
ルー3−ビニルム化合物またはその塩を製造するための
原料化合物である7−アシルアミノ−3−ビニル−3−
セフェム化合物およびその塩に関するものである。
この発明により提供される7−アシルアミノ−3−ビニ
ル−3−セフェム化合物は次の一般式(I)により示さ
れる。
ル−3−セフェム化合物は次の一般式(I)により示さ
れる。
(式中、R2はカルボキン基または保護されたカルボキ
シ基、 化合物(1)の好適な塩は、慣用の無毒性塩類であり、
例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、
例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土金
属塩、アンモニウム塩などの無機塩基との塩、例えばト
リエチルアミン塩、ピリジン塩、ピッリン塩、エタノー
ルアミン塩、トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシ
ルアミン塩、N、N’ −ジベンジルエチレンジアミン
塩等の有機アミン塩などの有機塩基との塩等の塩基との
塩が挙げら°れる。
シ基、 化合物(1)の好適な塩は、慣用の無毒性塩類であり、
例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、
例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土金
属塩、アンモニウム塩などの無機塩基との塩、例えばト
リエチルアミン塩、ピリジン塩、ピッリン塩、エタノー
ルアミン塩、トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシ
ルアミン塩、N、N’ −ジベンジルエチレンジアミン
塩等の有機アミン塩などの有機塩基との塩等の塩基との
塩が挙げら°れる。
この発明の目的化合物(I)またはその塩は、下記反応
式で示される方法により製造することができる。
式で示される方法により製造することができる。
1産蒸ユ
(π)
もしくはそのアミン基
における反応性誘導体
またはその塩
またはその塩
1産珠ユ
またはその塩
(式中、R2およびXはそれぞれ前と同じ意味である。
)
この明細書で使用される種々の定義の適切な例と説明と
を以下に詳細に述べる。
を以下に詳細に述べる。
1低級」とは、特にことわらない限り、炭素数1〜6個
を有する基を意味する。
を有する基を意味する。
「高級」とは、特にことわらない限り、炭素数7〜20
個を有する基を意味する。
個を有する基を意味する。
「保Hiキれたカルボキシj基としては、ペニシリン化
合物またはセファロスポリン化合物において使用される
エステル化されたカルボキシ基が挙げられる。
合物またはセファロスポリン化合物において使用される
エステル化されたカルボキシ基が挙げられる。
このような1エステル化されたカルボキシ」基のrエス
テル部分、としては、例えばメチルエステル、エチルエ
ステル、プロピルエステル、イソブロビルエステノ呟
ブチルエステL、イソブチルエステル、第三級フチルエ
ステノ呟ペンデルエステル、第三級ペンチルエステノ呟
ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル、例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルケニルエス
テル、例エハエデニルエステノ呟プロピニルエステル等
の低級アルキニルエステル、例えばメトキシメチルエス
テル、エトキシメチルエステル、インプロボキシメチル
エステノ呟 1−メトキシエチルエステル、1−エトキ
シエチルエステル等の低級アルコキシ(低級)アルキル
エステル、例えばメチルチオメチルエステル、エチルチ
オメチルエステル、エチルチオエチルエステル、イソプ
ロピルチオメチルエステル等の低級アルキルチオ(低級
)アルキルエステノ呟例えばカルボキシメチルエステル
、2−カルボキシエチルエステルカルボキシプロピルエ
ステル等のカルボキシ(低級)アルキルエステル、例え
ば第三級ブトキシカルボニルメチルエステル、2−第三
級ブトキシカルボニルエチルエステル、3−第三級プト
キシ力ルポニルブロビルエステル等の低級アルコキシカ
ルボニル(低級)アルキルエステルのような保護された
カルボキシ(低級)アルキルエステル、例えば2−ヨー
ドエチルエステル、2,2.2−トリクロロエチルエス
テル等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ(低級)アル
キルエステル、例えばアセトキシメチルエステル、プロ
ピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチル
エステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイル
オキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエチ
ルエステルw,1−(または2)−アセトキシエチルエ
ステル、1(または2または3)−アセトキシプロピル
エステル、1(または2または3または4)−アセトキ
シブチルエステル、1(または2)−プロピオニルオキ
シエチルエステル、1(または2または3)−ブロピオ
ニルオキンブロビルエステル、1(または2)−ブチリ
ルオキシエチルエステル、1(または2)−イソブチリ
ルオキシエチルエステル、1(または2)−ピバロイル
オキシエチルエステル、1(または2)−ヘキサノイル
オキシエチルエステル、インブチリルオキシメチルエス
テル、2−エチルブチリルオキシメチルエステル、3.
3−ジメチルブチリルオキシメチルエステル、1(また
は2)−ペンタノイルオキシエテルエステル等の低級ア
ルカノイルオキシ(低級)アルキルエステル、例えばヘ
プタノイルオキシメチルエステル、オクタノイルオキシ
メチルエステル、ノナノイルオキシメチルエステル、デ
カノイルオキシメチルエステル、ウンデカノイルオキシ
メチルエステル、ラウロイルオキシメチルエステル、ト
リデカノイルオキシメチルエステル、ミリストイルオキ
シメチルエステル、ペンタデカメイルオキシメチルエス
テルイルオキジメチルエステル オキシメチルエステル、ステアロイルオキシメチルエス
テル、ノナデカノイルオキシメチルエステル(または2
)−ヘプタノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−オクタノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−ノナノイルオキシエチルエステル、1(または2)
−デカノイルオキシエチルエステル、1(または2)−
ウンデカノイルオキシメチルエステル呟 1(または2
)−ラウロイルオキシエチルエステル、1(または2)
−トリデカノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−ミリストイルオキシエチルエステル、1(または2
)−ペンタデカノイルオキシエチルエステル、1(また
は2)−バルミトイルオキシエチルエステノ呟 1(ま
たは2)−ヘプタデカノイルオキシメチルエステル呟
1(または2)−ステアロイルオキシメチルエステル呟
1(または2)−ノナデカノイルオキシエチルエステ
ル(または2)−エイコサノイルオキンエチルエスデル
等の高級アルカノイルオキン(低級)アルキルエステル
、例えばエトキシカルボニルオキシメチルエステル、エ
トキシカルボニルオキシメチルエステル、プロポキシカ
ルボニルオキシメチルエステル、イソプロポキシカルボ
ニルオキシメチルエステル、第三級プトキシ力ルポニル
オキンメチルエステル、1(または2)−メトキシカル
ボニルオキシエチルエステル、1(または2)−エトキ
シカルボニルオキ は2)−プロポキシカルボニルオキシメチルエステル、
1(または2)−イソプロポキシカッしボニルオキンエ
チルエステル、1(または2)ブトキシカルボニルオキ
シエチルエステル、1(または2)−イソブトキ・ンカ
ルボニルオキシエチルエステル、1(または2)−第三
級ブトキシカルボニルオキシエチルエステル、1(また
は2)−へキシルオキシカルボニルオキシエチルエステ
ル、1(または2または3)−メトキ・ンカルボニル才
キシプロビルエステノ呟 1(または2または3)−エ
トキシ力ルボニルオキシブロビルエステル、1(または
2または3)−イソプロポキシカルボニルオキシプロピ
ルエステル、1(または2または3または4)−エトキ
シカルボニルオキジプチルエステル、1(または2また
は3または4)−ブトキシカルボニルオキジプチルエス
テル、1(または2または3または4または5)ペンチ
ルオキシカルボニルオキシペンチルエステル は2または3または4または5)−ネオペンチルオキシ
カルボニルオキシペンチルエステル、1(または2また
は3または4または5または6)−エトキシカルボニル
オキシヘキシルエステル等の低級アルコキシカルボニル
オキシ(低級)アルキルエステル、例えば(5−メチル
−2−才キソー1.3−’;オキソールー4ーイル)メ
チルエステル、(5−エチル−2−才キソー1.3−ジ
オキン−ルー4−イル)メチルエステル、(5−プロピ
ル−2−才キソー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)エ
チルエステル等の(5−低級アルキル−2−オキソ−1
.3−ジオキソ−ルー4−イル)(低級)アルキルエス
テル、例えばメシルメチルエステル、2−メシルエチル
エステル等の低級アルカンスルホニル(低級)アルキル
エステル、例えばベンジルエステル、4−メトキシベン
ジルエステル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチ
ルエステル、ベンズヒドリルエステル、トリチルエステ
ル、ビス(メトキシフェニル)メチルエステル、3.4
−ジメトキシベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3.
5−ジ第三級ブチルベンジルエステル等の1個以上の適
当な置換基を有していてもよいモノ(またはジまたはト
リ)フェニルC低1a’)アルキルエステルのような1
個以上の一置換基を有していてもよいアル(低級)アル
キルエステル、例えばフェニルエステル、トリルエステ
ル、第三級ブチルフェニルエステル、キシリルエステル
、メシチルエステル、クメニルエステル、サリシルエス
テル等の1個以上の置換基を有していてもよいアリール
エステル、例えばフタリジルエステル等の複素環エステ
ル等が挙げられる。
テル部分、としては、例えばメチルエステル、エチルエ
ステル、プロピルエステル、イソブロビルエステノ呟
ブチルエステL、イソブチルエステル、第三級フチルエ
ステノ呟ペンデルエステル、第三級ペンチルエステノ呟
ヘキシルエステル等の低級アルキルエステル、例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルケニルエス
テル、例エハエデニルエステノ呟プロピニルエステル等
の低級アルキニルエステル、例えばメトキシメチルエス
テル、エトキシメチルエステル、インプロボキシメチル
エステノ呟 1−メトキシエチルエステル、1−エトキ
シエチルエステル等の低級アルコキシ(低級)アルキル
エステル、例えばメチルチオメチルエステル、エチルチ
オメチルエステル、エチルチオエチルエステル、イソプ
ロピルチオメチルエステル等の低級アルキルチオ(低級
)アルキルエステノ呟例えばカルボキシメチルエステル
、2−カルボキシエチルエステルカルボキシプロピルエ
ステル等のカルボキシ(低級)アルキルエステル、例え
ば第三級ブトキシカルボニルメチルエステル、2−第三
級ブトキシカルボニルエチルエステル、3−第三級プト
キシ力ルポニルブロビルエステル等の低級アルコキシカ
ルボニル(低級)アルキルエステルのような保護された
カルボキシ(低級)アルキルエステル、例えば2−ヨー
ドエチルエステル、2,2.2−トリクロロエチルエス
テル等のモノ(またはジまたはトリ)ハロ(低級)アル
キルエステル、例えばアセトキシメチルエステル、プロ
ピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチル
エステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイル
オキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエチ
ルエステルw,1−(または2)−アセトキシエチルエ
ステル、1(または2または3)−アセトキシプロピル
エステル、1(または2または3または4)−アセトキ
シブチルエステル、1(または2)−プロピオニルオキ
シエチルエステル、1(または2または3)−ブロピオ
ニルオキンブロビルエステル、1(または2)−ブチリ
ルオキシエチルエステル、1(または2)−イソブチリ
ルオキシエチルエステル、1(または2)−ピバロイル
オキシエチルエステル、1(または2)−ヘキサノイル
オキシエチルエステル、インブチリルオキシメチルエス
テル、2−エチルブチリルオキシメチルエステル、3.
3−ジメチルブチリルオキシメチルエステル、1(また
は2)−ペンタノイルオキシエテルエステル等の低級ア
ルカノイルオキシ(低級)アルキルエステル、例えばヘ
プタノイルオキシメチルエステル、オクタノイルオキシ
メチルエステル、ノナノイルオキシメチルエステル、デ
カノイルオキシメチルエステル、ウンデカノイルオキシ
メチルエステル、ラウロイルオキシメチルエステル、ト
リデカノイルオキシメチルエステル、ミリストイルオキ
シメチルエステル、ペンタデカメイルオキシメチルエス
テルイルオキジメチルエステル オキシメチルエステル、ステアロイルオキシメチルエス
テル、ノナデカノイルオキシメチルエステル(または2
)−ヘプタノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−オクタノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−ノナノイルオキシエチルエステル、1(または2)
−デカノイルオキシエチルエステル、1(または2)−
ウンデカノイルオキシメチルエステル呟 1(または2
)−ラウロイルオキシエチルエステル、1(または2)
−トリデカノイルオキシエチルエステル、1(または2
)−ミリストイルオキシエチルエステル、1(または2
)−ペンタデカノイルオキシエチルエステル、1(また
は2)−バルミトイルオキシエチルエステノ呟 1(ま
たは2)−ヘプタデカノイルオキシメチルエステル呟
1(または2)−ステアロイルオキシメチルエステル呟
1(または2)−ノナデカノイルオキシエチルエステ
ル(または2)−エイコサノイルオキンエチルエスデル
等の高級アルカノイルオキン(低級)アルキルエステル
、例えばエトキシカルボニルオキシメチルエステル、エ
トキシカルボニルオキシメチルエステル、プロポキシカ
ルボニルオキシメチルエステル、イソプロポキシカルボ
ニルオキシメチルエステル、第三級プトキシ力ルポニル
オキンメチルエステル、1(または2)−メトキシカル
ボニルオキシエチルエステル、1(または2)−エトキ
シカルボニルオキ は2)−プロポキシカルボニルオキシメチルエステル、
1(または2)−イソプロポキシカッしボニルオキンエ
チルエステル、1(または2)ブトキシカルボニルオキ
シエチルエステル、1(または2)−イソブトキ・ンカ
ルボニルオキシエチルエステル、1(または2)−第三
級ブトキシカルボニルオキシエチルエステル、1(また
は2)−へキシルオキシカルボニルオキシエチルエステ
ル、1(または2または3)−メトキ・ンカルボニル才
キシプロビルエステノ呟 1(または2または3)−エ
トキシ力ルボニルオキシブロビルエステル、1(または
2または3)−イソプロポキシカルボニルオキシプロピ
ルエステル、1(または2または3または4)−エトキ
シカルボニルオキジプチルエステル、1(または2また
は3または4)−ブトキシカルボニルオキジプチルエス
テル、1(または2または3または4または5)ペンチ
ルオキシカルボニルオキシペンチルエステル は2または3または4または5)−ネオペンチルオキシ
カルボニルオキシペンチルエステル、1(または2また
は3または4または5または6)−エトキシカルボニル
オキシヘキシルエステル等の低級アルコキシカルボニル
オキシ(低級)アルキルエステル、例えば(5−メチル
−2−才キソー1.3−’;オキソールー4ーイル)メ
チルエステル、(5−エチル−2−才キソー1.3−ジ
オキン−ルー4−イル)メチルエステル、(5−プロピ
ル−2−才キソー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)エ
チルエステル等の(5−低級アルキル−2−オキソ−1
.3−ジオキソ−ルー4−イル)(低級)アルキルエス
テル、例えばメシルメチルエステル、2−メシルエチル
エステル等の低級アルカンスルホニル(低級)アルキル
エステル、例えばベンジルエステル、4−メトキシベン
ジルエステル、4−ニトロベンジルエステル、フェネチ
ルエステル、ベンズヒドリルエステル、トリチルエステ
ル、ビス(メトキシフェニル)メチルエステル、3.4
−ジメトキシベンジルエステル、4−ヒドロキシ−3.
5−ジ第三級ブチルベンジルエステル等の1個以上の適
当な置換基を有していてもよいモノ(またはジまたはト
リ)フェニルC低1a’)アルキルエステルのような1
個以上の一置換基を有していてもよいアル(低級)アル
キルエステル、例えばフェニルエステル、トリルエステ
ル、第三級ブチルフェニルエステル、キシリルエステル
、メシチルエステル、クメニルエステル、サリシルエス
テル等の1個以上の置換基を有していてもよいアリール
エステル、例えばフタリジルエステル等の複素環エステ
ル等が挙げられる。
以上に説明きれた1エステル化されたカルボキシ、基の
中で好ましいものとしては、カルボキシ(低級)アルコ
キシカルボニル、低級アルフキジカルボニル(低級)ア
ルフキジカルボニル、低級アルカノイルオキシ(低級)
アルフキジカルボニル、高級アルカノイルオキシ(低級
)アルフキジカルボニル、低級アルフキジカルボニルオ
キシ(低級)アルコキシカルボニル、(5−低級アルキ
ルー2−オキソ−1.3−ジオキソ−ルー4−イル)(
fffi級)アルコキシカルボニル、ジフェニル(低級
)アルコキシカルボニル等のアル(低級)アルコキシカ
ルボニルまたはフタリジルオキシカルボニルが挙げられ
る。
中で好ましいものとしては、カルボキシ(低級)アルコ
キシカルボニル、低級アルフキジカルボニル(低級)ア
ルフキジカルボニル、低級アルカノイルオキシ(低級)
アルフキジカルボニル、高級アルカノイルオキシ(低級
)アルフキジカルボニル、低級アルフキジカルボニルオ
キシ(低級)アルコキシカルボニル、(5−低級アルキ
ルー2−オキソ−1.3−ジオキソ−ルー4−イル)(
fffi級)アルコキシカルボニル、ジフェニル(低級
)アルコキシカルボニル等のアル(低級)アルコキシカ
ルボニルまたはフタリジルオキシカルボニルが挙げられ
る。
「ハロゲン、としては、塩素、臭素、よう素等が挙げら
れる。
れる。
目的化合物(1)またはその塩の製造法を以下に説明す
る。
る。
製1駆1
化合物(Ia)またはその塩は、化合物(I[)もしく
はそのアミン基における反応性誘導体またはその塩に、
化合物(II)もしくはそのカルボキシ基における反応
性誘導体またはその塩を反応させることにより製造でき
る。
はそのアミン基における反応性誘導体またはその塩に、
化合物(II)もしくはそのカルボキシ基における反応
性誘導体またはその塩を反応させることにより製造でき
る。
化合物(I[)のアミノ基における反応性誘導体として
は、慣用の誘導体例えば、化合物(T1)と、トリメチ
ルシリルアセトアミド、ビス(トリメチルシリル)アセ
トアミド、ビス(トリメチルシリル)尿素等のようなシ
リル化合物との反応によって生成するシリル誘導体が挙
げられ、また化合物(III)の反応性誘導体としては
、酸塩化物、酸臭化物等のような酸ハロゲン化物が挙げ
られ、これらの酸ハロゲン化物はジケテンとハロゲンと
の反応によって製造できる。
は、慣用の誘導体例えば、化合物(T1)と、トリメチ
ルシリルアセトアミド、ビス(トリメチルシリル)アセ
トアミド、ビス(トリメチルシリル)尿素等のようなシ
リル化合物との反応によって生成するシリル誘導体が挙
げられ、また化合物(III)の反応性誘導体としては
、酸塩化物、酸臭化物等のような酸ハロゲン化物が挙げ
られ、これらの酸ハロゲン化物はジケテンとハロゲンと
の反応によって製造できる。
化合物(II)の塩としては、化合物(I)について例
示された塩基との塩、ならびに、例えば塩酸塩、臭化水
素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸は加塩、例えばぎ酸
塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石
酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、p
−トルエンスルホン酸塩等の有機カルボン酸付加塩もし
くは有機スルホン酸付加塩などの有機酸付加塩;例えば
アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸等の塩基性
アミノ酸または酸性アミノ酸との塩等が挙げられる。
示された塩基との塩、ならびに、例えば塩酸塩、臭化水
素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸は加塩、例えばぎ酸
塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石
酸塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、p
−トルエンスルホン酸塩等の有機カルボン酸付加塩もし
くは有機スルホン酸付加塩などの有機酸付加塩;例えば
アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸等の塩基性
アミノ酸または酸性アミノ酸との塩等が挙げられる。
化合物(I[[)および(Ia)の塩としては、化合物
(1)における塩基との塩の例示がそのまま挙げられる
。
(1)における塩基との塩の例示がそのまま挙げられる
。
反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、ベンゼン、塩化メチレン、塩化エチ
レン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメ
チルホルムアミド、ピリジン、ヘキサメチルホスホルア
ミド等のこの反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒また
はそれらの混合物中で行われる。
ル、クロロホルム、ベンゼン、塩化メチレン、塩化エチ
レン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N、N−ジメ
チルホルムアミド、ピリジン、ヘキサメチルホスホルア
ミド等のこの反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒また
はそれらの混合物中で行われる。
反応温度は特に限定きれないが、通常冷却下ないし加温
下で行われる。
下で行われる。
艶1DL主
化合物(Ib)またはその塩は、化合物(Ia)または
その塩にニトロソ化剤を反応させることにより製造でき
る。
その塩にニトロソ化剤を反応させることにより製造でき
る。
ニトロソ化剤としては、亜硝酸およびその誘導体、例え
ば塩化ニトロシル、臭化ニトロシル等のニトロシルハロ
ゲン化物、例えば亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等
の亜硝酸アルカリ金属、例えば亜硝酸ブチル、亜硝酸ペ
ンチル、亜硝酸イソアミル等の亜硝酸アルキル等が挙げ
られる。
ば塩化ニトロシル、臭化ニトロシル等のニトロシルハロ
ゲン化物、例えば亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等
の亜硝酸アルカリ金属、例えば亜硝酸ブチル、亜硝酸ペ
ンチル、亜硝酸イソアミル等の亜硝酸アルキル等が挙げ
られる。
ニトロソ化剤として亜硝酸の塩、例えばそのアルカリ金
属塩を使用する場合、例えば塩酸、硫酸、ぎ酸、酢酸等
の無機または有機酸の存在下で反応を行うのが好ましい
。
属塩を使用する場合、例えば塩酸、硫酸、ぎ酸、酢酸等
の無機または有機酸の存在下で反応を行うのが好ましい
。
この反応はアセチルアセトン、アセト酢酸エチル等のよ
うな活性メチレン化合物の存在下で行うことが好ましい
。
うな活性メチレン化合物の存在下で行うことが好ましい
。
この反応は通常、水、酢酸、ベンゼン、メタノール、エ
タノール、テトラヒドロフラン、塩化メチレン等のこの
反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒またはそれらの混
合物中で行われる。
タノール、テトラヒドロフラン、塩化メチレン等のこの
反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒またはそれらの混
合物中で行われる。
反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ないし常温
で行われる。
で行われる。
この発明の目的化合物である7−アシルアミノ−3−ビ
ニル−3−セフェム化合物またはその塩は、種々の病原
菌に対して高い活性を有し、特に経口投与用として有用
な7−!換−3−ビニルー3−セフェム化合物またはそ
の塩を製造するための原料化合物として有用である。
ニル−3−セフェム化合物またはその塩は、種々の病原
菌に対して高い活性を有し、特に経口投与用として有用
な7−!換−3−ビニルー3−セフェム化合物またはそ
の塩を製造するための原料化合物として有用である。
m7−filfi−3−ビニル−3−セフェム化合物は
下記の一般式により示される。
下記の一般式により示される。
(式中、R1はアミン基または保護きれたアミ7基であ
り、 R2は前と同じ意味である。) 化合物(IV)またはその塩は、この発明の目的化合物
(1)またはその塩を用いて、以下に示される方法によ
り製造することができる。
り、 R2は前と同じ意味である。) 化合物(IV)またはその塩は、この発明の目的化合物
(1)またはその塩を用いて、以下に示される方法によ
り製造することができる。
イ合 (IV)の 進法
亙迭五
またはその塩
またはその塩
方法B
またはその塩
またはその塩
1迭S
もしくはそのカルボキシ基にお
′ける反応性誘導体またはその塩
またはその塩
方法り
またはその塩
[式中、R1、R2およびXはそれぞれ前と同じ意味で
あり、Rは保護されたカルボキシ基、R6は保護された
カルボキシ(低級)アルコキシカルボニル基、R2はカ
ルボキシ(低級)アルコキシカルボニル基をそれぞれ意
味するコ。
あり、Rは保護されたカルボキシ基、R6は保護された
カルボキシ(低級)アルコキシカルボニル基、R2はカ
ルボキシ(低級)アルコキシカルボニル基をそれぞれ意
味するコ。
化合物(mV)、(IVa)、(IVb)および(!l
/d)+7)好適な塩としては、化合物(I)について
例示されたものが挙げられる。
/d)+7)好適な塩としては、化合物(I)について
例示されたものが挙げられる。
化合物(■e)の好適な塩としては、化合物(I[)に
ついて例示された酸付加塩が挙げられる。
ついて例示された酸付加塩が挙げられる。
R1における「保護されたアミノ」基としては、ペニシ
リン化合物およびセファロスポリン化合物で使用される
慣用のアミノ保護基によって置換されたアミノ基が含ま
れ、そのようなアミノ保護基の例としては、後述するア
シル基、例えばベンジル、ベンズヒドリル、トリチル等
のモノ(またはジまたはトリ)フェニル(低級)アルキ
ルのようなアル(低級)アルキル基、例えば1−メトキ
シカルボニル−1−プロペン−2−イル等の低級アルコ
キシカルボニル(低級)アルキレンまたはそのエナミン
型互変異性体、例えばジメチルアミノメチレン等のジ(
低級)アルキルアミツメプレン等が挙げられる。
リン化合物およびセファロスポリン化合物で使用される
慣用のアミノ保護基によって置換されたアミノ基が含ま
れ、そのようなアミノ保護基の例としては、後述するア
シル基、例えばベンジル、ベンズヒドリル、トリチル等
のモノ(またはジまたはトリ)フェニル(低級)アルキ
ルのようなアル(低級)アルキル基、例えば1−メトキ
シカルボニル−1−プロペン−2−イル等の低級アルコ
キシカルボニル(低級)アルキレンまたはそのエナミン
型互変異性体、例えばジメチルアミノメチレン等のジ(
低級)アルキルアミツメプレン等が挙げられる。
「アシル」基としては、詣肪族アシル基、芳香族アシル
基、複素環アシル基および、芳香族基または複素環基に
よってWL換された脂肪族アシル基が挙げられる。
基、複素環アシル基および、芳香族基または複素環基に
よってWL換された脂肪族アシル基が挙げられる。
脂肪族アシル基としては、例えばホルミル、アセチル、
プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル、イ
ソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アルカ
ノイル基、例えばメシル、エタンスルホニル、プロパン
スルホニル等の低級アルカンスルホニル基、例えばメト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニ
ル等の低級アルコキシカルボニル基、例えばアクリロイ
ル、メタアクリロイル、クロトノイル等の低級アルケノ
イル基、例えばシクロヘキサンカルボニル等の(03〜
C7)−シクロアルカンカルボニル基、アミジノ基等の
ような飽和または不飽和の、環式または非環式脂肪族ア
シル基が挙げられる。
プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリル、イ
ソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級アルカ
ノイル基、例えばメシル、エタンスルホニル、プロパン
スルホニル等の低級アルカンスルホニル基、例えばメト
キシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカルボニ
ル等の低級アルコキシカルボニル基、例えばアクリロイ
ル、メタアクリロイル、クロトノイル等の低級アルケノ
イル基、例えばシクロヘキサンカルボニル等の(03〜
C7)−シクロアルカンカルボニル基、アミジノ基等の
ような飽和または不飽和の、環式または非環式脂肪族ア
シル基が挙げられる。
芳香族アシル基としては、例えばベンゾイル、トルオイ
ル、キシロイル等のアロイル基、ベンゼンスルホニル、
トシル等のアレーンスルホニル基等が挙げられる。
ル、キシロイル等のアロイル基、ベンゼンスルホニル、
トシル等のアレーンスルホニル基等が挙げられる。
複素環アシル基としては、例えばフロイル、テノイル、
ニコチノイル、インニッチノイル、チアゾリルカルボニ
ル、デアジアゾリルカルボニル、テトラゾリルカルボニ
ル等の複素環カルボニル基等が挙げられる。
ニコチノイル、インニッチノイル、チアゾリルカルボニ
ル、デアジアゾリルカルボニル、テトラゾリルカルボニ
ル等の複素環カルボニル基等が挙げられる。
芳香族基によって置換きれた脂肪族アシル基としては、
例えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル、フェ
ニルヘキサノイル等のフェニル(低級)アルカノイル基
のようなアル(低級)アルカノイル基、例えばベンジル
オキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル等のフ
ェニル(低級)アルフキジカルボニル基のようなアル(
低級)アルコキシカルボニル基、例えばフェノキシアセ
チル、フェノキシプロピオニル等のフェノキシ(低級)
アルカノイル基等が挙げられる。
例えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル、フェ
ニルヘキサノイル等のフェニル(低級)アルカノイル基
のようなアル(低級)アルカノイル基、例えばベンジル
オキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル等のフ
ェニル(低級)アルフキジカルボニル基のようなアル(
低級)アルコキシカルボニル基、例えばフェノキシアセ
チル、フェノキシプロピオニル等のフェノキシ(低級)
アルカノイル基等が挙げられる。
複素環基によって置換された脂肪族アシル基としては、
チュニルアセチル、イミダゾリルアセチル、フリルアセ
チル、テトラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チ
アジアゾリルアセチル、チェニルプロピオニル、チアジ
アゾリルプロピオニル等が挙げられる。
チュニルアセチル、イミダゾリルアセチル、フリルアセ
チル、テトラゾリルアセチル、チアゾリルアセチル、チ
アジアゾリルアセチル、チェニルプロピオニル、チアジ
アゾリルプロピオニル等が挙げられる。
これらのアシル基はさらに、例えばメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等
の低級アルキル基、例えば塩素、臭素、よう素、ふっ素
等のハロゲン、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ
、インプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシ
ルオキジ等の低級アルコキシ基、例えばメチルチオ、エ
チルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチ
オ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の低級アルキルチオ
基、ニトロ基等のような、1個以上の適当な置換基で置
換きれていてもよく、そのような置換基を有するアシル
基としては、例えばクロロアセチル、ブロモアセチル、
ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ(ま
たはジまたはトリ)八日(低級)アルカノイル基、例え
ばクロロメトキシカルボニル、ジクロロメトキシカルボ
ニル、2,2.2−トリクロロエトキシカルボニル等の
モノ(またはジまたはトリ)ハロ(低級)アルフキジカ
ルボニル基、例えばニトロベンジルオキシカルボニル、
クロロベンジルオキシカルボニル、メトキシベンジルオ
キシカルボニル等のニトロ(またはハロまたは低級アル
コキシ)フェニル(低級)アルコキシカルボニル基等が
挙げられる。
ロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等
の低級アルキル基、例えば塩素、臭素、よう素、ふっ素
等のハロゲン、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ
、インプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシ
ルオキジ等の低級アルコキシ基、例えばメチルチオ、エ
チルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチ
オ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の低級アルキルチオ
基、ニトロ基等のような、1個以上の適当な置換基で置
換きれていてもよく、そのような置換基を有するアシル
基としては、例えばクロロアセチル、ブロモアセチル、
ジクロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ(ま
たはジまたはトリ)八日(低級)アルカノイル基、例え
ばクロロメトキシカルボニル、ジクロロメトキシカルボ
ニル、2,2.2−トリクロロエトキシカルボニル等の
モノ(またはジまたはトリ)ハロ(低級)アルフキジカ
ルボニル基、例えばニトロベンジルオキシカルボニル、
クロロベンジルオキシカルボニル、メトキシベンジルオ
キシカルボニル等のニトロ(またはハロまたは低級アル
コキシ)フェニル(低級)アルコキシカルボニル基等が
挙げられる。
R2における1保護されたカルボキシ」基ならびにRb
における「保護されたカルボキシ(低級)アル、コキシ
カルボニル」基の「保護されたカルボキシ、部分として
は、′保護されたカルボキシ」基として前に例示きれた
ものが挙げられる。
における「保護されたカルボキシ(低級)アル、コキシ
カルボニル」基の「保護されたカルボキシ、部分として
は、′保護されたカルボキシ」基として前に例示きれた
ものが挙げられる。
Rbにおける1保Nきれたカルボキシ(低級)アルコキ
ンカルボニル ルボキシ(低級)アルコキシカルボニル」における1低
級アルコキシカルボニル」基としては、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル等が
挙げられる。
ンカルボニル ルボキシ(低級)アルコキシカルボニル」における1低
級アルコキシカルボニル」基としては、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル等が
挙げられる。
化合物(IV)を製造するための方法A〜方法りについ
ては、後述の参考例において詳述する。
ては、後述の参考例において詳述する。
この発明の目的化合物(I)から構成される装置換−3
−ビニルー3−セフェム化合物(IV)およびその塩は
、新規化合物であり、ダラム陽性菌およびダラム陰性菌
を含む多くの病原菌の発育を阻止する高い抗菌活性を有
し、抗菌剤、特に経口投与用抗菌剤として有用である。
−ビニルー3−セフェム化合物(IV)およびその塩は
、新規化合物であり、ダラム陽性菌およびダラム陰性菌
を含む多くの病原菌の発育を阻止する高い抗菌活性を有
し、抗菌剤、特に経口投与用抗菌剤として有用である。
次に、化合物(IV)の有用性を示すために、代表的な
化合物の尿中排泄試験結果を示す。
化合物の尿中排泄試験結果を示す。
墓兜班皇ヌ1
(1)K鰍藷
試験化合物100mg/kgを、1群3匹のラットに経
口投与し、尿試料を0〜24時間採集した。
口投与し、尿試料を0〜24時間採集した。
(2)試験化合物
(A)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチル
(シン異性体)(以下化合物Aと記す) (B)?−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸1−DL−エトキシカル
ボニルオキシエチル(シン異性体)(以下化合物Bと記
す) (3)K慧及ぶ 尿中排泄値を百分率で示す。
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイルオキシメチル
(シン異性体)(以下化合物Aと記す) (B)?−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸1−DL−エトキシカル
ボニルオキシエチル(シン異性体)(以下化合物Bと記
す) (3)K慧及ぶ 尿中排泄値を百分率で示す。
この発明の目的化合物(I)から構成される装置換−3
−ビニルー3−セフェム化合物(IV)またはその塩を
治療の目的で投与するにあたっては、化合物(mV)ま
たはその塩を主成分として含み、これに医薬上許容され
る担体、例えば経口、非経口、または外用に適した有機
もしくは無機、固体もしくは液体の賦形薬を加えた慣用
製剤の形で投与できる。このような製剤としては、錠剤
、顆粒剤、散剤、カプセル等の固体、および液剤、けん
だく剤、シロップ、乳剤、レモネード等の液体が含まれ
る。
−ビニルー3−セフェム化合物(IV)またはその塩を
治療の目的で投与するにあたっては、化合物(mV)ま
たはその塩を主成分として含み、これに医薬上許容され
る担体、例えば経口、非経口、または外用に適した有機
もしくは無機、固体もしくは液体の賦形薬を加えた慣用
製剤の形で投与できる。このような製剤としては、錠剤
、顆粒剤、散剤、カプセル等の固体、および液剤、けん
だく剤、シロップ、乳剤、レモネード等の液体が含まれ
る。
さらに、必要に応じて、上記製剤中に補助剤、安定剤、
湿潤剤、そのほか乳糖、クエン酸、酒石酸、フマル酸、
ステアリン酸、ステアリン酸マグネシウム、白土、しよ
糖、コーンスターチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチ
ン、ピーナツ油、オリーブ油、カカオ脂、エチレングリ
コール等の繁用される添加物を含有させることができる
。
湿潤剤、そのほか乳糖、クエン酸、酒石酸、フマル酸、
ステアリン酸、ステアリン酸マグネシウム、白土、しよ
糖、コーンスターチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチ
ン、ピーナツ油、オリーブ油、カカオ脂、エチレングリ
コール等の繁用される添加物を含有させることができる
。
化合物(IV)の投与量は、患者の年令、状態、疾病の
種類、および投与化合物(IV)の種類により異なるが
、一般に1日当り1mgないし約4000mgまたはそ
れ以上の量を患者に投与できる。1回の平均投与量とし
ては、化合物(IV)約50mg、 100mg、 2
50mg、500mg、1000mg、 2000mg
を、病原性微生物による疾病の治療に用いることができ
る。
種類、および投与化合物(IV)の種類により異なるが
、一般に1日当り1mgないし約4000mgまたはそ
れ以上の量を患者に投与できる。1回の平均投与量とし
ては、化合物(IV)約50mg、 100mg、 2
50mg、500mg、1000mg、 2000mg
を、病原性微生物による疾病の治療に用いることができ
る。
次に、この発明を実施例により詳細に説明する。
炭酸エチル1−DL−ヨードエチル(7,32g)を、
7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸(4,52g)および1.8−ジアザビシクロ[5,
4,0]ウンデス−7−エン(4,51119)のN、
N−ジメデルアセトアミド(45!d )溶液に水冷下
、−挙に加える。混合物を0〜3℃で45分間攪拌後、
反応混合物を氷水(2001d )中に注ぎ、酢酸エチ
ル(200m11 )で抽出する。抽出した有機層を水
および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、最
初の量の174容まで濃縮する。a槽液を濃塩酸(2m
Q)に加える。生成する沈殿を濾取し、酢酸エチルで洗
浄後、風乾して、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−力ルボン酸DL−1−エトキシカルボニルオキ
シエチルの塩酸塩(2,66g)を得る。
7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸(4,52g)および1.8−ジアザビシクロ[5,
4,0]ウンデス−7−エン(4,51119)のN、
N−ジメデルアセトアミド(45!d )溶液に水冷下
、−挙に加える。混合物を0〜3℃で45分間攪拌後、
反応混合物を氷水(2001d )中に注ぎ、酢酸エチ
ル(200m11 )で抽出する。抽出した有機層を水
および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、最
初の量の174容まで濃縮する。a槽液を濃塩酸(2m
Q)に加える。生成する沈殿を濾取し、酢酸エチルで洗
浄後、風乾して、7−アミノ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−力ルボン酸DL−1−エトキシカルボニルオキ
シエチルの塩酸塩(2,66g)を得る。
IR(スジ1−ル)am−1: 3400. 177
5. 1755. 172ONMR(DMSO−d6)
δ : 1.27 (3H,t、J=7Hz)、 1.
53(3M、d、J=6Hz)、 3.93 (21
(、+n)、 4.23 (2H,q。
5. 1755. 172ONMR(DMSO−d6)
δ : 1.27 (3H,t、J=7Hz)、 1.
53(3M、d、J=6Hz)、 3.93 (21
(、+n)、 4.23 (2H,q。
J=7Hz)、 5.0−5.0 (48,m)、
6.7−7.2 <2H,m)。
6.7−7.2 <2H,m)。
8.0−10.0 (2H,ブロード m)衷】0乳
1 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルの塩酸塩(150g)およびトリメチ
ルシリルアセトアミド(189g)を酢酸エチル(1,
52)に溶解し、−20℃に冷却する。これに、塩化メ
チレン(200mEl )中、ジケテン(39g)およ
び臭素(75g)から得られる4−プロモアセト酢酸プ
ロミドを一20℃で加え、−10℃で1時間攪拌する0
反応混合物を塩化メチレン(2p、)と水(112)と
の混合物に注ぎ、有機層を分取して水および塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄する。溶媒を減圧下に留去後、生成す
る沈殿を酢酸エチルで洗浄し、乾燥すると、7−(4−
ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(171g)を得る
。融点133〜137℃(分解)。
1 7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルの塩酸塩(150g)およびトリメチ
ルシリルアセトアミド(189g)を酢酸エチル(1,
52)に溶解し、−20℃に冷却する。これに、塩化メ
チレン(200mEl )中、ジケテン(39g)およ
び臭素(75g)から得られる4−プロモアセト酢酸プ
ロミドを一20℃で加え、−10℃で1時間攪拌する0
反応混合物を塩化メチレン(2p、)と水(112)と
の混合物に注ぎ、有機層を分取して水および塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄する。溶媒を減圧下に留去後、生成す
る沈殿を酢酸エチルで洗浄し、乾燥すると、7−(4−
ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(171g)を得る
。融点133〜137℃(分解)。
IR(スジヲール)am’: 3270. 1765
. 1705. 1650゜55O NMR(DMSO−ds)8 ’ 3.5−4−
5 (6H1m>、 5−2−6.0(4)1.m>
、 6.83 (IH,z)、 7.00 (11
,s)、 7.45<108.m)、 9.25
(IN、d、J=8Hz)火f1毀l 実施例1の方法に準じて下記化合物を得る。
. 1705. 1650゜55O NMR(DMSO−ds)8 ’ 3.5−4−
5 (6H1m>、 5−2−6.0(4)1.m>
、 6.83 (IH,z)、 7.00 (11
,s)、 7.45<108.m)、 9.25
(IN、d、J=8Hz)火f1毀l 実施例1の方法に準じて下記化合物を得る。
7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−エトキシカル
ボニルオキシエチル。
3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−エトキシカル
ボニルオキシエチル。
IR(スジミール)cm−1: 1780. 176
0. 1270. 10108ON (DMSO−da
)& ’ 1.27 (3H,t、J=7Hz)、 1
.53(38,d、J=6Hz)、 3.93 (2H
,+n)、 4.17 (2)1.s)。
0. 1270. 10108ON (DMSO−da
)& ’ 1.27 (3H,t、J=7Hz)、 1
.53(38,d、J=6Hz)、 3.93 (2H
,+n)、 4.17 (2)1.s)。
4.23 (2)1.q、J=7t(z)、 4.33
<28.s)、 5.0−6.0(4H,m)、 6
.5−7.2 (28,m)、 9.17 <1)1.
d。
<28.s)、 5.0−6.0(4H,m)、 6
.5−7.2 (28,m)、 9.17 <1)1.
d。
J=8Hz)
火1d」ニ
ア−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(40g
)の塩化メチレン(4oomQ)および酢酸(200m
M )溶液に、亜硝酸ナトリウム(75g)を水(50
証)にとかした溶液を−10〜−5°Cで滴下し、−5
゛Cで30分間攪拌する。尿素(7g)を加え常温で3
0分間攪拌後、反応混合物に水(400mM )を加え
る。有ja層を分取し、水および10%塩化ナトリウム
水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を
留去し、得られる固体を真空乾燥して、7−(4−ブロ
モー2−ヒドロキシイミノアセトアセトアミド)−3−
ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
(48g)を得る。融点105〜108℃。
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(40g
)の塩化メチレン(4oomQ)および酢酸(200m
M )溶液に、亜硝酸ナトリウム(75g)を水(50
証)にとかした溶液を−10〜−5°Cで滴下し、−5
゛Cで30分間攪拌する。尿素(7g)を加え常温で3
0分間攪拌後、反応混合物に水(400mM )を加え
る。有ja層を分取し、水および10%塩化ナトリウム
水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を
留去し、得られる固体を真空乾燥して、7−(4−ブロ
モー2−ヒドロキシイミノアセトアセトアミド)−3−
ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
(48g)を得る。融点105〜108℃。
IR(スジミール)Cm−1: 3250. 177
0. 1705. 1655゜54O NMR(DMSO−da)S:3.80 (2H1m)
、4.67 (2H,s)。
0. 1705. 1655゜54O NMR(DMSO−da)S:3.80 (2H1m)
、4.67 (2H,s)。
5.2−6.2 (4H,m)、 6.80 (IH,
m)、 7.00 (IH。
m)、 7.00 (IH。
s)、 7.45 (10)1.m)、 9.4
2 (IH,d、J=8Hz>。
2 (IH,d、J=8Hz>。
13.20 (IH,s)
以下に、この発明の目的化合物(I>をぷ料化合物とし
て用いる、7〜置換−3−ビニル−3−セフェム化合物
(IV)の製造法を参考例として記載する。
て用いる、7〜置換−3−ビニル−3−セフェム化合物
(IV)の製造法を参考例として記載する。
参2I礼1
7−(4−ブロモ−2−ヒドロキシイミノアセトアセト
アミド)−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリル(48g)のN、N−ジメチルアセトア
ミド(200mM )溶Y&に、チオ尿素(7,Og)
を5℃で加え、常温で1時間攪拌する。反応混合物を3
%炭酸水素ナトリウム水溶液(2に)中に注いだ後、塩
化ナトリウム(150g)を加える。沈殿を濾取し、次
いでアセトン(zoomQ)と酢酸エチル(500≦)
との混液に溶解する。
アミド)−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリル(48g)のN、N−ジメチルアセトア
ミド(200mM )溶Y&に、チオ尿素(7,Og)
を5℃で加え、常温で1時間攪拌する。反応混合物を3
%炭酸水素ナトリウム水溶液(2に)中に注いだ後、塩
化ナトリウム(150g)を加える。沈殿を濾取し、次
いでアセトン(zoomQ)と酢酸エチル(500≦)
との混液に溶解する。
有機層を塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで溶媒を
留去する。生成する沈殿を濾取し、酢酸エチルおよびジ
エチルエーテルで洗浄し、真空乾燥して、7−[2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイ
ミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体) (16,9
g )を得る。
留去する。生成する沈殿を濾取し、酢酸エチルおよびジ
エチルエーテルで洗浄し、真空乾燥して、7−[2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイ
ミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体) (16,9
g )を得る。
融点133〜136℃。
IR<Zジa−x)cm−1i 3200. 178
0. 1720. 1670゜61O NMR(DMSO−da)S:3.75 (2H9m>
、5.2−6.1 (4H1m)、 6.67 <IH
,s)、 6.75 (IH,m)、 7.00 (I
H。
0. 1720. 1670゜61O NMR(DMSO−da)S:3.75 (2H9m>
、5.2−6.1 (4H1m)、 6.67 <IH
,s)、 6.75 (IH,m)、 7.00 (I
H。
s)、 7.20 (2H,m)、 7.34 (10
H,m)、 9.50(11(、d、J=8)12) 参考例2 参考例1の方法に準じて下記化合物を得る。
H,m)、 9.50(11(、d、J=8)12) 参考例2 参考例1の方法に準じて下記化合物を得る。
(1)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボンMDL−1−エトキシカル
ボニルオキシエチル(シン異性体)。
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボンMDL−1−エトキシカル
ボニルオキシエチル(シン異性体)。
IR<スジ3−ル)cm−’: 3300. 178
0. 1750. 167ONMR(DMSO−da)
δ : 1.17 (3H,t、J=7Hz)、 1.
50(3H,d、J=6Hz>、 3.75 (2H
,m)、 4.13 (2)1.q。
0. 1750. 167ONMR(DMSO−da)
δ : 1.17 (3H,t、J=7Hz)、 1.
50(3H,d、J=6Hz>、 3.75 (2H
,m)、 4.13 (2)1.q。
J=7Hz)、 5.1−6.0 (4H,m>、
6.63 (IH,s)。
6.63 (IH,s)。
6.7−7.3 (4H,m)、 9.45 (IH
,d、J=8Hz)。
,d、J=8Hz)。
11.33 (IH,5)
(2)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸第三級ブトキシカルボニ
ルメチル(シン異性体)。
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸第三級ブトキシカルボニ
ルメチル(シン異性体)。
IR(スジ1−ル)am−1: 3300. 317
0. 1780. 1730゜1665、1620 (3)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−プロピオニル
オキシエチル(シン異性体)。
0. 1780. 1730゜1665、1620 (3)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−プロピオニル
オキシエチル(シン異性体)。
IR(スジ1−ル)am−1: 3300. 320
0. 1780. 1765゜1720、1710.1
660.1630(4)?−[2−(2−アミノデアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
コ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロ
イルオキシメチル(シン異性体)。
0. 1780. 1765゜1720、1710.1
660.1630(4)?−[2−(2−アミノデアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
コ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロ
イルオキシメチル(シン異性体)。
IR(スジ1−ル)cn−1: 3400. 178
5. 1750. 1670゜1615、1530.1
310.1220(5)7−[2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
コー3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸バルミ
トイルオキシメチル(シン異性体)。
5. 1750. 1670゜1615、1530.1
310.1220(5)7−[2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
コー3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸バルミ
トイルオキシメチル(シン異性体)。
IR(スジョール)cm−1: 3300. 177
S、 1670. 1615゜1530、1305.
1210 <6>7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸(5−メチル−2−才キ
ソー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)メチル(シン異
性体)。
S、 1670. 1615゜1530、1305.
1210 <6>7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸(5−メチル−2−才キ
ソー1.3−ジオキソ−ルー4−イル)メチル(シン異
性体)。
IR(Xジa−L>cm−’: 3300. 181
2. 1772. 1730゜1668、1611 (7)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸フタリド−3−イル(シ
ン異性体)。
2. 1772. 1730゜1668、1611 (7)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸フタリド−3−イル(シ
ン異性体)。
IR(スジョール)cm’: 3200 (ブロー
ド)、 1772 (ブロード)。
ド)、 1772 (ブロード)。
1728 (肩)、 1660.1620(8)7−[
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロ
キシイミノアセトアミドコー3−ビニル−3−セフェム
−4−カルボン酸カルボキシメチル(シン異性体)。
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロ
キシイミノアセトアミドコー3−ビニル−3−セフェム
−4−カルボン酸カルボキシメチル(シン異性体)。
IR(Xソa−ル)cm−’: 1765 (ブロ
ード)、 1720. 1660(ブロード) (9)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコー3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム(シン異性体
)。
ード)、 1720. 1660(ブロード) (9)7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコー3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム(シン異性体
)。
IR(スジョール)am−1: 3200. 176
0. 1660. 1600参考例3 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニルー3−セ
フェムー4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)
(68,5g )を、2.2.2−トリフルオロ酢酸
(aomQ)およびアニソール(60mA )の混合物
に5〜7°Cで少量ずつ加え、5°Cで1時間攪拌する
。反応混合物をジイソプロピルエーテル(1,5iに滴
下し、沈殿を濾取する。テトラヒドロフラン(1oom
u )と酢酸エチル(100m1l )との混合溶液に
溶解後、炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出する。得られ
る水層を10%塩酸でpH5,0に調整し、酢酸エチル
で洗浄した後酸化アルミニウムを用いたクロマトグラフ
ィーに付す、3%酢酸ナトリウム水溶液で溶出し、所望
の化合物を含む両分を集める。 10%塩酸でpH6,
0に調整後、水溶液を再度活性炭を用いたクロマトグラ
フィーに付す。20%アセトン水溶液で溶出し、目的化
合物を含む画分を集めて減圧濃縮後、凍結乾燥して、7
−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒ
ドロキシイミノアセトアミ1’]−3−ヒニル−3−セ
フェムー4−カルボン酸ナトリウム(シン異性体) (
14,4g )を得る。
0. 1660. 1600参考例3 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニルー3−セ
フェムー4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)
(68,5g )を、2.2.2−トリフルオロ酢酸
(aomQ)およびアニソール(60mA )の混合物
に5〜7°Cで少量ずつ加え、5°Cで1時間攪拌する
。反応混合物をジイソプロピルエーテル(1,5iに滴
下し、沈殿を濾取する。テトラヒドロフラン(1oom
u )と酢酸エチル(100m1l )との混合溶液に
溶解後、炭酸水素ナトリウム水溶液で抽出する。得られ
る水層を10%塩酸でpH5,0に調整し、酢酸エチル
で洗浄した後酸化アルミニウムを用いたクロマトグラフ
ィーに付す、3%酢酸ナトリウム水溶液で溶出し、所望
の化合物を含む両分を集める。 10%塩酸でpH6,
0に調整後、水溶液を再度活性炭を用いたクロマトグラ
フィーに付す。20%アセトン水溶液で溶出し、目的化
合物を含む画分を集めて減圧濃縮後、凍結乾燥して、7
−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒ
ドロキシイミノアセトアミ1’]−3−ヒニル−3−セ
フェムー4−カルボン酸ナトリウム(シン異性体) (
14,4g )を得る。
220℃以上で分解。
IR(スジ1−ル)cm−1: 3200. 1?6
0. 1660. 160ONMR(D20)S: 3
.67 <2H,s)、 5.2−5.7 (3H,m
)。
0. 1660. 160ONMR(D20)S: 3
.67 <2H,s)、 5.2−5.7 (3H,m
)。
5.133 (IH,d、J=5Hz)、 6.80
(1)!、m)、 7.00(LH,s) 」吏遭1 炭酸エチル1−DL−ヨードエチル(22g)を、?−
[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒド
ロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ナトリウム(シン異性体) (15
g )のN、N−ジメチルアセトアミド(xzornQ
)溶液に5〜7℃で滴下し、5°Cで30分間pJl拌
する0反応混合物に酢酸エチル(zoomu )を加え
、濾過する。濾液を水および塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去後、残
渣を酢酸エチルで洗浄し、真空乾燥して、7−[2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイ
ミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸0L−1−エトキシカルボニルオキシエチル
(シン異性体)(7,4g)を得る。
(1)!、m)、 7.00(LH,s) 」吏遭1 炭酸エチル1−DL−ヨードエチル(22g)を、?−
[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒド
ロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ナトリウム(シン異性体) (15
g )のN、N−ジメチルアセトアミド(xzornQ
)溶液に5〜7℃で滴下し、5°Cで30分間pJl拌
する0反応混合物に酢酸エチル(zoomu )を加え
、濾過する。濾液を水および塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去後、残
渣を酢酸エチルで洗浄し、真空乾燥して、7−[2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイ
ミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸0L−1−エトキシカルボニルオキシエチル
(シン異性体)(7,4g)を得る。
融点126〜130°C0
IR(スジミール)am−’: 3300. 178
0. 1750. 1670゜62O NMR(DMSO−da)& ’ 1.17 (3H
,t、J=7Hz)、 1.50(3H,d、J=6)
1z)、 3.75 (2)1.m)、 4.1
3 (2H,q。
0. 1750. 1670゜62O NMR(DMSO−da)& ’ 1.17 (3H
,t、J=7Hz)、 1.50(3H,d、J=6)
1z)、 3.75 (2)1.m)、 4.1
3 (2H,q。
J=7Hz>、 5.1−6.0 (4H,m>、 6
.65 (1)1.s)。
.65 (1)1.s)。
6ゴー7.3 (4H,mン、 9.45 <1
8.d、J=8Hz)。
8.d、J=8Hz)。
11.33 (LH,s)
側考遭j
炭酸セシウム(2,06g)を、7−[2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセ
トアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)(5g)のN、N−ジメチルアセトア
ミド(50mQ) 78液ニ25°Cで加える。混合物
を常温で1時間攪拌し、次いで水浴上で冷却する。この
冷混合物に炭酸エチル1−DL−ヨードエチル(9,2
g)を−挙に加え、O〜3ゝCで40分間攪拌する0反
応混合物に酢酸エチル(3oomu )を加え、濾過す
る。′a液を水で2回、次いで食塩水で洗浄し、活性炭
処理して硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧下に
留去後、残渣をジイソプロピルエーテルで洗浄し、風乾
して、7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−エトキシカル
ボニルオキシエチル(シン異性体)(4,6g)を得る
。融点126〜130℃。
ノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセ
トアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)(5g)のN、N−ジメチルアセトア
ミド(50mQ) 78液ニ25°Cで加える。混合物
を常温で1時間攪拌し、次いで水浴上で冷却する。この
冷混合物に炭酸エチル1−DL−ヨードエチル(9,2
g)を−挙に加え、O〜3ゝCで40分間攪拌する0反
応混合物に酢酸エチル(3oomu )を加え、濾過す
る。′a液を水で2回、次いで食塩水で洗浄し、活性炭
処理して硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧下に
留去後、残渣をジイソプロピルエーテルで洗浄し、風乾
して、7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−エトキシカル
ボニルオキシエチル(シン異性体)(4,6g)を得る
。融点126〜130℃。
IR(スh−ル)am−’: 3300. 1780
. 1750. 167ONMR([)MSO−d6)
8 : 1.17 (31(、t、J=7Hz>、 1
.50(38,d、J=6Hz)、 3.75 (2)
1.m>、 4.13 (2H,q。
. 1750. 167ONMR([)MSO−d6)
8 : 1.17 (31(、t、J=7Hz>、 1
.50(38,d、J=6Hz)、 3.75 (2)
1.m>、 4.13 (2H,q。
J=7Hz>、 5.1−6.0 (4H,m)、 6
.63 (LH,s)。
.63 (LH,s)。
6.7−7.3 (4H,o+)、 9.45 (11
(、d、に81(z)。
(、d、に81(z)。
11.33 (LH,s)
開運」」−
よう化カリウム(4,Og)を、クロロ酢酸第三級ブチ
ル(1,2g)のN、N−ジメチルアセトアミド(so
me )溶液に加え、常温で40分間攪拌する。
ル(1,2g)のN、N−ジメチルアセトアミド(so
me )溶液に加え、常温で40分間攪拌する。
沈殿を濾去する。濾液に7−[2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸カリウ
ム(シン異性体)(3,2g)を常温で加え、同温度で
1.5時間攪拌する6反応混合物を水と酢酸エチルとの
混合物に加え、20%炭酸カリウム水溶液でpH7,0
に調整する。有機層を分取し、次いで水洗した後硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を留去すると、?−C2−C
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイ
ミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸第三級ブトキシカルボニルメチル(シン異性
体)(2、Og)を得る。
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸カリウ
ム(シン異性体)(3,2g)を常温で加え、同温度で
1.5時間攪拌する6反応混合物を水と酢酸エチルとの
混合物に加え、20%炭酸カリウム水溶液でpH7,0
に調整する。有機層を分取し、次いで水洗した後硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を留去すると、?−C2−C
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイ
ミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−
カルボン酸第三級ブトキシカルボニルメチル(シン異性
体)(2、Og)を得る。
IR(スジ3−ル)am−1: 3300. 317
0. 1780. 1730゜1665、162O NMR(DMSO−da)S:1.43 (9H1s)
、3.76 (2H,q。
0. 1780. 1730゜1665、162O NMR(DMSO−da)S:1.43 (9H1s)
、3.76 (2H,q。
に18゜0Hz)、 4.73 (2H,s)、 5.
24 (IH,d。
24 (IH,d。
J=5.0Hz)、 5.38 (IH,d、に11.
0Hz>、 5.68(IH,d、J=18.0Hz)
、 5.82 (LH,dd、J=5.0Hz。
0Hz>、 5.68(IH,d、J=18.0Hz)
、 5.82 (LH,dd、J=5.0Hz。
8.0Hz)、 6.66 (IH,s)、 7.03
(IH,dd。
(IH,dd。
J=11.0Hz、 18.0Hz)、 9.46
(1)!、d、J:8.0Hz)吏」目1ヱ 参考例5の方法に準じて、?−(2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(5g)にプロピオン酸DL−1−ブロモエ
チル(4,56g)を反応させて、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸況−1−プロピオニルオキシエチル(シン異性体)
(1,38g)を得る。
(1)!、d、J:8.0Hz)吏」目1ヱ 参考例5の方法に準じて、?−(2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(5g)にプロピオン酸DL−1−ブロモエ
チル(4,56g)を反応させて、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸況−1−プロピオニルオキシエチル(シン異性体)
(1,38g)を得る。
IR(スジ3−ル)am−’: 3300. 320
0. 1780. 1765゜1720、1710.1
660.163ONMR(DMSO−da)& ’
1.03 (3H,t、J=7)1z)、 t、4g(
3H,d、J=6Hz)、 2.38 (2H,q、J
=7Hz)、 3.53および3.97 (2H,AB
q、J=113)tzン、 5.23 (1)!。
0. 1780. 1765゜1720、1710.1
660.163ONMR(DMSO−da)& ’
1.03 (3H,t、J=7)1z)、 t、4g(
3H,d、J=6Hz)、 2.38 (2H,q、J
=7Hz)、 3.53および3.97 (2H,AB
q、J=113)tzン、 5.23 (1)!。
d、J=5Hz)、 5.4 (IH,d、J=11H
z)、 5.65 (IH。
z)、 5.65 (IH。
d、に18Hz)、 5.85 (IH,ddJ=8H
z、 5Hz)。
z、 5Hz)。
6.67 (LH,s)、 6.83 (LH,dd、
J=18Hz、 11Hz)。
J=18Hz、 11Hz)。
6.93 (IH,q、J=6Hz)、 7.1
<2H,(o−ド S)。
<2H,(o−ド S)。
9.43 (LH,d、J:8Hz)、 11.33
(IH,s)豊2目礼l 参考例5の方法に準じて、?−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(3g)にピバリン酸ヨートメデル(5,0
5g)を反応させて、7−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイ
ルオキシメチル(シン異性体)(1,24g)を得る。
(IH,s)豊2目礼l 参考例5の方法に準じて、?−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(3g)にピバリン酸ヨートメデル(5,0
5g)を反応させて、7−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ピバロイ
ルオキシメチル(シン異性体)(1,24g)を得る。
融点90〜100°C(分解)。
IR(スジ9−ル)am−1: 3400. 178
5. 1750. 1670゜1615、1530.1
310.122ONMR(DMSO−da)δ : 1
.14 (9H,s)、 3.58および3.97
(2H,ABq、J=18Hz)、 5.24 (
LH,d。
5. 1750. 1670゜1615、1530.1
310.122ONMR(DMSO−da)δ : 1
.14 (9H,s)、 3.58および3.97
(2H,ABq、J=18Hz)、 5.24 (
LH,d。
J−5Hz>、 5.39 (IH,d、J=11Hz
>、 5.7−6.0(3H,m)、 5.77 (L
H,d、J=L7)1z)、 6.70(1)1.s)
、 6.83 (tH,dd、J=11Hz、 17H
z)、 7.12(28,7’O−ド s)、 9.
49 (IH,d、J:8Hz)、 16.24(
IH,s) 艶2」1且 参考例5の方法に準じて、7−42−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(3g)にバルミチン酸ヨードメチル(4,
13g)を反応許せて、7−[2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸パルミ
トイルオキシメチル(シン異性体) (1,86g )
を得る。融点90〜tos’c。
>、 5.7−6.0(3H,m)、 5.77 (L
H,d、J=L7)1z)、 6.70(1)1.s)
、 6.83 (tH,dd、J=11Hz、 17H
z)、 7.12(28,7’O−ド s)、 9.
49 (IH,d、J:8Hz)、 16.24(
IH,s) 艶2」1且 参考例5の方法に準じて、7−42−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(3g)にバルミチン酸ヨードメチル(4,
13g)を反応許せて、7−[2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸パルミ
トイルオキシメチル(シン異性体) (1,86g )
を得る。融点90〜tos’c。
IR(スジぢ−ル)am’: 3300. 1775
. L670. 1615゜1530、1305.1
21O NMR(、DMSO−ds)S’ 1.1−1.7 (
26H,m>、2.3−2.5(2H,m)、 3.5
6および3.95 (2)1.ABq。
. L670. 1615゜1530、1305.1
21O NMR(、DMSO−ds)S’ 1.1−1.7 (
26H,m>、2.3−2.5(2H,m)、 3.5
6および3.95 (2)1.ABq。
J=18)1z)、 5.21 (IH,d、J=5H
z)、 5.37 (IH,d。
z)、 5.37 (IH,d。
J−11)1z)、 5.7−6.0 (3H,m)、
5.75 (LH,d。
5.75 (LH,d。
J=17Hz>、 6.66 (IH,s>、 6.7
−7.0 (IH,m)参考例10 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸カリウム(シン異性体)(2,
0g)のN、N−ジメチルアセトアミド(30mQ )
溶液に、4−ブロモメチル−5−メチル−1,3−ジオ
キソ−ルー2−オン(1,0g)を水冷下撹拌しながら
加える。反応混合物を同温度で30分間攪拌する。この
混合物を酢酸エチル(200m1 )中に注ぎ、3回水
洗する。有機層を分取して硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧濃縮する。残渣をシリカゲル(50g)を用いたカ
ラムクロマトグラフィーに付して、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸(5−メチル−2−才キソー1.3−ジオキソ−ル
ー4−イル)メチル(シン異性体) (0,62g )
を得る。
−7.0 (IH,m)参考例10 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸カリウム(シン異性体)(2,
0g)のN、N−ジメチルアセトアミド(30mQ )
溶液に、4−ブロモメチル−5−メチル−1,3−ジオ
キソ−ルー2−オン(1,0g)を水冷下撹拌しながら
加える。反応混合物を同温度で30分間攪拌する。この
混合物を酢酸エチル(200m1 )中に注ぎ、3回水
洗する。有機層を分取して硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧濃縮する。残渣をシリカゲル(50g)を用いたカ
ラムクロマトグラフィーに付して、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸(5−メチル−2−才キソー1.3−ジオキソ−ル
ー4−イル)メチル(シン異性体) (0,62g )
を得る。
IR(ヌジョール)am−’ : 3300. 1
812. 1772. 1730゜1668、 161
1 NMR(DMSO−d6)δ : 2.17 (3H,
s)、 3.52.3.98(2H,ABq、J=17
Hz)、 5.15 (2H,s)、 5.20
(IH。
812. 1772. 1730゜1668、 161
1 NMR(DMSO−d6)δ : 2.17 (3H,
s)、 3.52.3.98(2H,ABq、J=17
Hz)、 5.15 (2H,s)、 5.20
(IH。
d、J=5)1z)、5.30 (IH,dJ:11
Hz>、5.63 (LH。
Hz>、5.63 (LH。
d、J=17)1z)、 5.76 (IH,dd、
J:5Hz、 8Hz)。
J:5Hz、 8Hz)。
6.63 (1B、s)、 6.83 (IH,dd
、J=LIHz、 17Hz)。
、J=LIHz、 17Hz)。
9.42 (LH,d、J=8Hz)、 11.3
(IH,s)艶2ゴ九■ 参考例10の方法に準じて、7−[2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトア
ミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸カ
リウム(シン異性体)(L、Og )に3−ブロモフタ
リド(0,9g)を反応させて、7−[2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセ
トアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸フタリド−3−イル(シン異性体) (1,05g)
を得る。
(IH,s)艶2ゴ九■ 参考例10の方法に準じて、7−[2−(2−アミノチ
アゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトア
ミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸カ
リウム(シン異性体)(L、Og )に3−ブロモフタ
リド(0,9g)を反応させて、7−[2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセ
トアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン
酸フタリド−3−イル(シン異性体) (1,05g)
を得る。
IR(Xジa−、L)cI!l−’: 3200
(ブロード)、 1772 (ブロード)。
(ブロード)、 1772 (ブロード)。
1728 (肩>、 1660.162ONMR(DM
SO−d6)δ : 3.70 (2H,m>、 5.
18 (LH,d。
SO−d6)δ : 3.70 (2H,m>、 5.
18 (LH,d。
J=5Hz)、 5.43 (IH,d、J=11H
z)、 5.73 (IH,d。
z)、 5.73 (IH,d。
J=17Hz)、 5.83 <18.dd、J=5
Hz、 8Hz>、 6.75(18,s)、
6.7−7.2 (2H,m)、 7.66−8.0
<68.m)、 9.87 (LH,d、、T=8H
z)監」」建■ トリフルオロ酢酸(5,4社)を、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸第三級ブトキシカルボニルメチル(シン異性体)(
1,8g)の塩化メチレン(4mQ)およびアニソール
(1,3IQ)中懸濁液に常温で加え、同温度で2時間
攪拌する。この溶液にジイソプロピルエーテルを加えて
攪拌する。生成する沈殿を濾取し、ジイソプロピルエー
テルで洗浄する。この沈殿を酢酸エチルと水との混液に
加え、攪拌下20%炭酸ナトリウム水溶液でpH7に調
整する。分離した水層に10%塩酸を水冷下に加え、p
H2,2に調整する。沈殿を濾取し氷水で洗浄し、五酸
化燐で真空乾燥して、7−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸カルボキ
シメチル(シン異性体) (0,73g )を得る。
Hz、 8Hz>、 6.75(18,s)、
6.7−7.2 (2H,m)、 7.66−8.0
<68.m)、 9.87 (LH,d、、T=8H
z)監」」建■ トリフルオロ酢酸(5,4社)を、7−[2−(2−ア
ミノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノア
セトアミド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸第三級ブトキシカルボニルメチル(シン異性体)(
1,8g)の塩化メチレン(4mQ)およびアニソール
(1,3IQ)中懸濁液に常温で加え、同温度で2時間
攪拌する。この溶液にジイソプロピルエーテルを加えて
攪拌する。生成する沈殿を濾取し、ジイソプロピルエー
テルで洗浄する。この沈殿を酢酸エチルと水との混液に
加え、攪拌下20%炭酸ナトリウム水溶液でpH7に調
整する。分離した水層に10%塩酸を水冷下に加え、p
H2,2に調整する。沈殿を濾取し氷水で洗浄し、五酸
化燐で真空乾燥して、7−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸カルボキ
シメチル(シン異性体) (0,73g )を得る。
IR(スジ3−ル)cm’: 1765 (ブロー
ド>、 1720. 1660(ブロード) NMR(DMSO−d6)& : 3.76 (2)
1.q、J=18.0Hz)。
ド>、 1720. 1660(ブロード) NMR(DMSO−d6)& : 3.76 (2)
1.q、J=18.0Hz)。
4.76 (2)1.s)、 5.24 (LH
,d、J=5.0Hz)、 5.37(IH,d、J
−11,0Hz)、 5.86 (IH,d、J=
17.0)lz)。
,d、J=5.0Hz)、 5.37(IH,d、J
−11,0Hz)、 5.86 (IH,d、J=
17.0)lz)。
7.83 (IH,dd、J=5.0Hz、 8.
0)1z)、 6.69 (1M。
0)1z)、 6.69 (1M。
s)、 6.61−7.67 <3H,n+)、
9.50 (LH,d。
9.50 (LH,d。
J=8.0Hz>
遺し戸り1引11
7−(2−(1−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸DL−1−エトキシカルボニル
オキシエチル(シン異性体)(Ig)の、酢酸エチル(
5QmQ )およびエタ/−ル(2IQ)混液に濃塩酸
(0,3IQ)を水冷下に加え、0〜3℃で10分間攪
拌する。この溶液にジイソプロピルエーテル(somQ
)を加え、生成する沈殿を濾取し、酢酸エチルで洗浄し
た後風乾して、?−[2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−
ビニル−3−セフェム−4−カルボン#DL−1−エト
キシカルボニルオキシエチルの塩酸塩(シン異性体)(
0,8g)を得る。
ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸DL−1−エトキシカルボニル
オキシエチル(シン異性体)(Ig)の、酢酸エチル(
5QmQ )およびエタ/−ル(2IQ)混液に濃塩酸
(0,3IQ)を水冷下に加え、0〜3℃で10分間攪
拌する。この溶液にジイソプロピルエーテル(somQ
)を加え、生成する沈殿を濾取し、酢酸エチルで洗浄し
た後風乾して、?−[2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ−3−
ビニル−3−セフェム−4−カルボン#DL−1−エト
キシカルボニルオキシエチルの塩酸塩(シン異性体)(
0,8g)を得る。
IR(スジタール)am’: 3100. 17g0
. 1750. 164ONMR(DMSO−d6)δ
: 1.23 <3H,t、J=7Hz)、 1.5
3<3)1.d、J=6Hz>、 3.75 (2H,
m>、 4.20 (2H,q。
. 1750. 164ONMR(DMSO−d6)δ
: 1.23 <3H,t、J=7Hz)、 1.5
3<3)1.d、J=6Hz>、 3.75 (2H,
m>、 4.20 (2H,q。
J=7Hz)、 5.0−6.0 (13H,m)、
6.83 (IH,s)。
6.83 (IH,s)。
6.7−7.2 (2H,m)、 9.7 (IH,d
、J:8Hz)。
、J:8Hz)。
12.5 (IH,ブロード S)
1≧五M
7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(10g
)の塩化メチレン(70fflQ )および酢酸(25
戚)混液に、亜硝酸イソアミル(3,5m1l)を−3
〜−5℃で滴下する。混合物を一5℃で40分間攪拌し
、次いでアセチルアセトン(4g)を加えて5℃で30
分間攪拌する0反応混合物にチオ深索(3g)を加え、
3時間攪拌後、酢酸エチル(70ma )およびジイソ
プロピルエーテル(10〇−)を滴下する。生成する沈
殿を濾取、真空乾燥して、7−(2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルの臭化水素酸塩(シン異性体)(Ll、7g
)を得る。この生成物のうち3gを5〜7℃で2.2.
2−トリフルオロ酢酸(5誠)とアニソール(5戚)と
の混合物に少量ずつ加える。5℃で1時間攪拌後、反応
混合物をジイソプロピルエーテル(1some )に滴
下する。生成する沈殿を濾取してテトラヒドロフラン(
101nQ )と酢酸エチル(101111! )との
混合物に溶解する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶
液で抽出する。水抽出液をpH5に保ちながら酢酸エチ
ルで洗浄し、次いで10%塩酸でpH2,2にmaする
。この溶液を0℃で1時間攪拌し、得られる結晶を濾取
した後真空乾燥して、7−42−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン*(シン異
性体)(o、79g)を得る。
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(10g
)の塩化メチレン(70fflQ )および酢酸(25
戚)混液に、亜硝酸イソアミル(3,5m1l)を−3
〜−5℃で滴下する。混合物を一5℃で40分間攪拌し
、次いでアセチルアセトン(4g)を加えて5℃で30
分間攪拌する0反応混合物にチオ深索(3g)を加え、
3時間攪拌後、酢酸エチル(70ma )およびジイソ
プロピルエーテル(10〇−)を滴下する。生成する沈
殿を濾取、真空乾燥して、7−(2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ドコ−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルの臭化水素酸塩(シン異性体)(Ll、7g
)を得る。この生成物のうち3gを5〜7℃で2.2.
2−トリフルオロ酢酸(5誠)とアニソール(5戚)と
の混合物に少量ずつ加える。5℃で1時間攪拌後、反応
混合物をジイソプロピルエーテル(1some )に滴
下する。生成する沈殿を濾取してテトラヒドロフラン(
101nQ )と酢酸エチル(101111! )との
混合物に溶解する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶
液で抽出する。水抽出液をpH5に保ちながら酢酸エチ
ルで洗浄し、次いで10%塩酸でpH2,2にmaする
。この溶液を0℃で1時間攪拌し、得られる結晶を濾取
した後真空乾燥して、7−42−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン*(シン異
性体)(o、79g)を得る。
IR(ス九−ル)Cm−1i 3300. 1780
. 1665. 1180゜参考例15 7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(15g
)の塩化メチレン(10011111)および酢m (
30+nR)混液に亜硝酸ナトリウム(2,8g)の水
(5mQ )溶液を−10〜−15°Cで滴下する0反
応混合物を一5℃で40分間攪拌し、アセチルアセトン
(4g)を加え、次いで常温で15分間攪拌する0反応
混合物を水(200mM )と塩化メチレン(200m
1l )との混合物中に注ぎ、有機層を分取し、水洗す
る。溶媒を留去して残渣をN、N−ジメチルアセトアミ
ド(40mQ )に溶解する。この溶液にチオ深索(3
,4g)を加え、常温で1時間攪拌し、テトラヒドロフ
ラン(150nQ ) 、i[エチル(300nQ )
および水(30011111)の混合物中に注ぐ、混合
物を20%水酸化ナトリウム水溶液でpH6,0に調整
する。有Ja1を分取して20%塩化ナトリウム水溶液
で洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧
下に留去し、沈殿を濾取して酢酸エチルおよびジイソプ
ロピルエーテルで洗浄する。この沈殿を真空乾燥して、
7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)
(8,5g)を得る。
. 1665. 1180゜参考例15 7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−ビニル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(15g
)の塩化メチレン(10011111)および酢m (
30+nR)混液に亜硝酸ナトリウム(2,8g)の水
(5mQ )溶液を−10〜−15°Cで滴下する0反
応混合物を一5℃で40分間攪拌し、アセチルアセトン
(4g)を加え、次いで常温で15分間攪拌する0反応
混合物を水(200mM )と塩化メチレン(200m
1l )との混合物中に注ぎ、有機層を分取し、水洗す
る。溶媒を留去して残渣をN、N−ジメチルアセトアミ
ド(40mQ )に溶解する。この溶液にチオ深索(3
,4g)を加え、常温で1時間攪拌し、テトラヒドロフ
ラン(150nQ ) 、i[エチル(300nQ )
および水(30011111)の混合物中に注ぐ、混合
物を20%水酸化ナトリウム水溶液でpH6,0に調整
する。有Ja1を分取して20%塩化ナトリウム水溶液
で洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を減圧
下に留去し、沈殿を濾取して酢酸エチルおよびジイソプ
ロピルエーテルで洗浄する。この沈殿を真空乾燥して、
7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)
(8,5g)を得る。
IR(スジタール)am−’: 3200. 178
0. 1720. 1670゜11五旦 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)
(5g)のアニソール(201d )および酢酸(5m
Q)混液に、三ふっ化はう素エーテレート(5戚)を1
0℃で滴下する。10℃で20分間攪拌後、反応混合物
をテトラヒドロフラン(1oomu )、酢酸エチル(
100n+Q )および水(1oomQ)の混合物中に
注ぎ、次いで20%水酸化ナトリウム水溶液でpH6,
0に調整する。水層を分取し、pH6,0に保ちながら
酢酸エチルで洗浄する。この溶液を酸化アルミニウムを
用いたクロマトグラフィーに付す、3%酢酸ナトリウム
水溶液で抽出し、目的物を含む画分を集め、10%塩酸
でpH4,0にm*する。この溶液をさらに、非イオン
吸着樹脂「ダイヤイオンHP−20J(商標、三菱化成
社製)を用いたクロマトグラフィーに付す、20%アセ
トン水溶液による溶出画分を集め、減圧濃縮し、10%
塩酸によりpH2,0に調整する。生成する沈殿を濾取
、真空乾燥して、7−[2−(2−アミノチアゾール−
4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体
) (1,23g)を得る。
0. 1720. 1670゜11五旦 7−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(シン異性体)
(5g)のアニソール(201d )および酢酸(5m
Q)混液に、三ふっ化はう素エーテレート(5戚)を1
0℃で滴下する。10℃で20分間攪拌後、反応混合物
をテトラヒドロフラン(1oomu )、酢酸エチル(
100n+Q )および水(1oomQ)の混合物中に
注ぎ、次いで20%水酸化ナトリウム水溶液でpH6,
0に調整する。水層を分取し、pH6,0に保ちながら
酢酸エチルで洗浄する。この溶液を酸化アルミニウムを
用いたクロマトグラフィーに付す、3%酢酸ナトリウム
水溶液で抽出し、目的物を含む画分を集め、10%塩酸
でpH4,0にm*する。この溶液をさらに、非イオン
吸着樹脂「ダイヤイオンHP−20J(商標、三菱化成
社製)を用いたクロマトグラフィーに付す、20%アセ
トン水溶液による溶出画分を集め、減圧濃縮し、10%
塩酸によりpH2,0に調整する。生成する沈殿を濾取
、真空乾燥して、7−[2−(2−アミノチアゾール−
4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3
−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体
) (1,23g)を得る。
IR(スジヲール)Cm−1: 3300. 178
0. 1665. 1180゜13O NMR(DMSO−ds)6 : 3.76 (2
H1ABq、に18Hz)。
0. 1665. 1180゜13O NMR(DMSO−ds)6 : 3.76 (2
H1ABq、に18Hz)。
5.2−6.0 (4H,m)、 6.73 (1B、
s)、 6.8−7.50<3H,m)、 9.5
(IH,d、J=8Hz>、 11.4(IH,ブロ
ード S) 艶2目1u 〈1)7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルの塩醜塩(1kg)および1.
3−ビス(トリメデルシリル)尿素(1,46kg )
をテトラヒドロフラン(8りに溶解し、−20℃に冷却
する。この溶液に、塩化メチレン中でジケテン(224
−’ )および臭素(147fflQ )から得られる
4−ブロモアセトアセチルプロミドを一20℃で加え、
−15℃で30分間攪拌する0反応混合物を酢酸エチル
(121と水(6り)との混合物中に注ぐ、有機層を分
取しζ塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで減圧下に
溶媒を留去する。沈殿をジイソプロピルエーテル(10
り中、0°Cで1時間攪拌し、得られる結晶を濾取、真
空乾燥して、7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リル(1,27kg)を得る。融点133〜137℃(
分解)。
s)、 6.8−7.50<3H,m)、 9.5
(IH,d、J=8Hz>、 11.4(IH,ブロ
ード S) 艶2目1u 〈1)7−アミノ−3−ビニル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルの塩醜塩(1kg)および1.
3−ビス(トリメデルシリル)尿素(1,46kg )
をテトラヒドロフラン(8りに溶解し、−20℃に冷却
する。この溶液に、塩化メチレン中でジケテン(224
−’ )および臭素(147fflQ )から得られる
4−ブロモアセトアセチルプロミドを一20℃で加え、
−15℃で30分間攪拌する0反応混合物を酢酸エチル
(121と水(6り)との混合物中に注ぐ、有機層を分
取しζ塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、次いで減圧下に
溶媒を留去する。沈殿をジイソプロピルエーテル(10
り中、0°Cで1時間攪拌し、得られる結晶を濾取、真
空乾燥して、7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−
3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リル(1,27kg)を得る。融点133〜137℃(
分解)。
(2)7−(4−ブロモアセトアセトアミド)−3−ビ
ニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(
500g)の塩化メチレン(4,5jりおよび酢酸(1
,7文)混液に、亜硝酸ナトリウム(93,2g )
(7)水(4somQ)溶液を−15〜−22℃で滴下
する。反応混合物を一15°Cで7分間攪拌し、次いで
アセト酢酸エチル(117g)を加え、常温で5分間攪
拌する。反応混合物を水(6p、2回)および塩化ナト
リウム水溶液(6jりで洗浄する。分取した有機層に、
N、N−ジメチ]レアセトアミド(1i)に溶解したチ
オ尿素(s2.2g)を加え、36°Cで1時間攪拌す
る。塩化メチレンを減圧下に留去後、残る油状物をテト
ラヒドロフラン(3,5ρ)、酢酸エチル(7り)およ
び氷水(42)の混合物中に注ぐ、この混液を10%水
酸化ナトリウム水溶液でp)16.0に7J4整する。
ニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(
500g)の塩化メチレン(4,5jりおよび酢酸(1
,7文)混液に、亜硝酸ナトリウム(93,2g )
(7)水(4somQ)溶液を−15〜−22℃で滴下
する。反応混合物を一15°Cで7分間攪拌し、次いで
アセト酢酸エチル(117g)を加え、常温で5分間攪
拌する。反応混合物を水(6p、2回)および塩化ナト
リウム水溶液(6jりで洗浄する。分取した有機層に、
N、N−ジメチ]レアセトアミド(1i)に溶解したチ
オ尿素(s2.2g)を加え、36°Cで1時間攪拌す
る。塩化メチレンを減圧下に留去後、残る油状物をテト
ラヒドロフラン(3,5ρ)、酢酸エチル(7り)およ
び氷水(42)の混合物中に注ぐ、この混液を10%水
酸化ナトリウム水溶液でp)16.0に7J4整する。
有機層を分取し、水(4ρ、2回)および塩化ナトリウ
ム水78液で洗浄する。溶媒を減圧下に留去し、残渣の
結晶を酢酸エチル(1,61およびジイソプロピルエー
テル(2,412)の混合物中、0°Cで1時間攪拌す
る。結晶を濾取して、7−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル(シン異性体)(394,5g )を得る。
ム水78液で洗浄する。溶媒を減圧下に留去し、残渣の
結晶を酢酸エチル(1,61およびジイソプロピルエー
テル(2,412)の混合物中、0°Cで1時間攪拌す
る。結晶を濾取して、7−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミドコ
−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル(シン異性体)(394,5g )を得る。
IR(スジ→−ル)am−1: 3200. 178
0. 1720. 1670゜参考例18 参考例5の方法に準じて、7−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(5g)に、炭酸セシウム(2,04g)の
存在下酢酸DL−1−プロモエデル(3,42g)を反
応許せ、?−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル
−3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−アセトキシ
エチル(1,12g )を得る。
0. 1720. 1670゜参考例18 参考例5の方法に準じて、7−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド]−3−ビニル−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)(5g)に、炭酸セシウム(2,04g)の
存在下酢酸DL−1−プロモエデル(3,42g)を反
応許せ、?−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル
)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]−3−ビニル
−3−セフェム−4−カルボン酸DL−1−アセトキシ
エチル(1,12g )を得る。
IR(スジ3−ル)cm−1: 3300. 178
0. 1760. 1670゜NMR(DMSO−d6
)δ : 1.50 (3)1.d、J=6Hz>、
2.03(3H,s)、 3.75 (2H,ABq
、J:18Hz)、 5.0−6.0(4H,m>、
6.67 (IH,s)、 6.5−7.5 (
4)1.m)。
0. 1760. 1670゜NMR(DMSO−d6
)δ : 1.50 (3)1.d、J=6Hz>、
2.03(3H,s)、 3.75 (2H,ABq
、J:18Hz)、 5.0−6.0(4H,m>、
6.67 (IH,s)、 6.5−7.5 (
4)1.m)。
9.22 (LH,d、、C3Hz>、 11.37
(LH,s)酢酸エチル溶媒中、上記化合物に塩化水
素を含むイソプロピルアルコールを常法により作用させ
、上記化合物の塩酸塩を得る。
(LH,s)酢酸エチル溶媒中、上記化合物に塩化水
素を含むイソプロピルアルコールを常法により作用させ
、上記化合物の塩酸塩を得る。
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^2はカルボキシ基または保護されたカルボ
キシ基、 Aは−CH_2−基または式▲数式、化学式、表等があ
ります▼で示される基、Xはハロゲンをそれぞれ意味す
る。) で示される7−アシルアミノ−3−ビニル−3−セフェ
ム化合物およびその塩。 - (2)R^2がカルボキシ基またはエステル化されたカ
ルボキシ基である特許請求の範囲第1項記載の化合物。
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GB838323034A GB8323034D0 (en) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 7-substituted-3-vinyl-3-cephem compounds |
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---|---|
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---|---|---|---|
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CH (1) | CH657857A5 (ja) |
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US4609730A (en) * | 1982-11-22 | 1986-09-02 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | 7-[substituted imino-2-(2-aminothiazol-4-yl)-acetamido]-3(2,2-dihalovinyl or ethynyl)-3-cephem-4-carboxylic acid (syn isomers), having antimicrobial activities |
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US4935508A (en) * | 1988-08-23 | 1990-06-19 | Bristol-Myers Company | Process for cephem prodrug esters |
DE4037841A1 (de) * | 1990-11-28 | 1992-06-04 | Bayer Ag | Neue 3-substituierte cephalosporine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als arzneimittel |
ES2175167T3 (es) * | 1995-12-27 | 2002-11-16 | Hanmi Pharmaceutical Co Ltd | Procedimiento para la preparacion de cefdinir. |
JP4544692B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2010-09-15 | 大塚化学株式会社 | 3−ビニル−セフェム化合物の製造方法 |
KR100451672B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2004-10-08 | 한미약품 주식회사 | 결정성 세프디니르 산부가염, 이의 제조방법 및 이를이용한 세프디니르의 제조방법 |
IL163666A0 (en) | 2002-02-22 | 2005-12-18 | New River Pharmaceuticals Inc | Active agent delivery systems and methods for protecting and administering active agents |
CN101481383B (zh) * | 2008-12-31 | 2012-01-11 | 杭州奥默医药技术有限公司 | 头孢地尼酸式复盐化合物及制备方法 |
TR201000686A1 (tr) | 2010-01-29 | 2011-08-22 | B�Lg�� Mahmut | Bakteriyel enfeksiyonların tedavisinde suda çözünebilir sefdinir ve klavulanik asit formülasyonları.@ |
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---|---|---|---|---|
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EP0037380B1 (en) * | 1980-03-28 | 1984-09-12 | BIOCHEMIE Gesellschaft m.b.H. | New process for the production of cephalosporin antibiotics, and novel intermediates used in such process and their production |
JPS58986A (ja) * | 1981-05-07 | 1983-01-06 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | セフェム化合物 |
JPS58135894A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-08-12 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 7―置換ブチルアミド―3―ビニルセファロスポラン酸誘導体 |
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