JPS62222659A - 電力半導体装置 - Google Patents

電力半導体装置

Info

Publication number
JPS62222659A
JPS62222659A JP6649186A JP6649186A JPS62222659A JP S62222659 A JPS62222659 A JP S62222659A JP 6649186 A JP6649186 A JP 6649186A JP 6649186 A JP6649186 A JP 6649186A JP S62222659 A JPS62222659 A JP S62222659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
power
control circuit
circuit substrate
power semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6649186A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ito
弘 伊藤
Jiyunichirou Kikunaga
喜久永 順一郎
Kenji Yamura
八村 健二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP6649186A priority Critical patent/JPS62222659A/ja
Publication of JPS62222659A publication Critical patent/JPS62222659A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、電力回路基板と制御回路基板とがモールド用
樹脂外枠に積層保持されたモジュール形態の電力半導体
装置に係り、更に詳しくは電力半導体装置のパッケージ
構造に関する。
〈従来技術〉 一般に、エアーコンディショナの室外器などの電力駆動
制御用として電力半導体装置が使用されるが、従来のこ
の種の電力半導体装置では、電力用半導体素子が接続さ
れた電力回路基板と各種の電気部品が接続された制御回
路基板とがそれぞれ別個に独立して制御パネル等に配置
されていた。
このため、装置の小形化や簡単に交換可能なモジュール
形態とすることが困難であった。そこで、本発明者らは
、電力回路基板と制御回路基板とがモールド用樹脂外枠
に積層保持された構造の電力半導体装置を提供した。
この電力半導体装置は、第5図に示すように、電力回路
基板lと制御回路基板2とを備え、電力回路基板lがモ
ールド用樹脂外枠4内にシリコンゲル等の内部注入樹脂
6により固定され、また、制御回路基板2がモールド用
樹脂外枠4に嵌合されるとともにエポキシ樹脂等の封止
樹脂8の注入硬化により固定されて、両回路基板1.2
がモールド用樹脂外枠4に互いに平行に積層保持されて
いる。そして、電力回路基板l上に形成された配線パタ
ーンにトランジスタやダイオード等の電力用半導体素子
lOが、制御回路基板2上に形成された配線パターンに
各種の電気部品12がそれぞれ接続されている。さらに
、電力回路基板lには、外部入出力用端子14が半田付
けされ、この外部入出力用端子14が封止樹脂8および
制御回路基板2を貫通して上部に導出されている。また
、制御回路基板2には外部接続用コネクタ16が接続さ
れ、この外部接続用コネクタ16が封止樹脂8で固定さ
れて上部に突出されている。そして、電力回路基板lと
制御回路基板2とは、基板接続用コネクタ18により互
いに電気的に接続されている。
ところで、この電力半導体装置は、小形化や交換可能な
モジュール形・態を実現できたものの、電力回路基板1
と制御回路基板2との間が内部注入樹脂6と封止樹脂8
とによって充填されているので、電力回路基板l上に配
置された電力用半導体素子IOから発生する熱が内部注
入樹脂6および封止樹脂8を介して制御回路基板2上に
配置された各種の電気部品12に伝わり、このため、各
種電気部品12が熱の影響を受けて特性が変化するなど
して誤動作の原因となり、また、これを防止するには、
熱的に弱い電気部品の使用が制限されるなどの不都合を
生じることが判明した。
〈発明の目的〉 本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、電力回路基板上の電力用半導体素子で発生する熱が制
御回路基板上の各種電気部品に伝わらないようにして、
信頼性の高い電力半導体素子を提供することを目的とす
る。
〈発明の構成〉 本発明は上述の目的を達成するため、電力用半導体素子
が接続された電力回路基板と各種の電気部品が接続され
た制御回路基板とがモールド用樹脂外枠により積層保持
されてなる電力半導体装置において、前記電力回路基板
と積層回路基板との間に空気層が形成される空間部を設
けるとともに、前記モールド用樹脂外枠に前記空間部が
外部と連通ずる連通孔を形成し、これによって空気層の
対流により電力回路基板と制御回路基板との間の断熱効
果を高めた構造としたものである。
〈実施例〉 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
第1図は電力半導体装置の平面図、第2図はその正面図
、第3図は第1図のI[−IIr線に沿う断面図であり
、第5図に示した従来例と対応する部分には同一の符号
を付している。
これらの図において、lは電力回路基板、2は制御回路
基板、4は両回路基板l、2を積層保持するモールド用
樹脂外枠、6はシリコンゲル等の内部注入樹脂、8はエ
ポキシ樹脂等の封止樹脂、10は電力回路基板1上に形
成された配線パターンに接続されたトランジスタやダイ
オード等の電力用半導体素子、I2は制御回路基板2上
に形成された配線パターンに接続された各種の電気部品
、14は電力回路基板1上に半田付けされた外部入出力
用端子、16は制御回路基板2に接続されたIA fi
n h kjt m−q÷h )y   l O+J 
’Tt 弔r;l;1041 tr Ic: I  L
 h列回路基板2とを互いに電気的に接続する基板接続
用コネクタであり、これらの構成は従来例の場合と同様
である。なお、20は制御回路基板2へ封止樹脂8を充
填する際にその封止樹脂8が制御回路基板2の穴を通っ
て下側へ流出しないようにするための充填剤である。
この実施例の特徴とするところは、電力回路基板lと積
層回路基板2との間に空気層が形成される空間部22を
設けるとともに、モールド用樹脂外枠4の周壁部に上記
空気層が外部と連通ずる連通孔24を形成したことであ
る。
したがって、この実施例の電力半導体装置では、電力回
路基板1上に配置された電力用半導体素子10で発生し
た熱は空間部22の対流を生じる空気層により断熱され
る。このため、制御回路基板2への熱の伝導が阻止され
るので、制御回路基板2上の各種電気部品12の熱的劣
化が防止される。
第4図は、この電力半導体装置の回路の一部を示す回路
構成図であり、図上右側部分が電力回路基板2上に形成
された電力回路、左側部分が制御回路基板2上に形成さ
れた制御回路である。そして、外部からの人出力信号に
より制御回路のフォトカプラ26が選択的に駆動され、
このフォトカブラ26らの出力信号が増幅され、次いで
、ダーリントン接続された2つのトランジスタ28.3
0からなる電力増幅部で増幅された後、出力端子32か
ら出力される。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、電力回路基板上の電力用
半導体素子で発生した熱は対流を生じる空気層により断
熱されるので、制御回路基板まで熱が伝わらない。した
がって、制御回路基板上に配置された各種電気部品の熱
的劣化が防止され、装置全体の信頼性が向上するなどの
優れた効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は本発明の実施例を、第5図は従来
例ををそれぞれ示すもので、第1図は電力半導体装置の
平面図、第2図はその正面図、第3図は第1図の■−■
線に沿う断面図、第4図は電力半導体装置の回路構成図
、第5図は電力半導体装置の断面図である。 ■・・・電力回路基板、2・・制御回路基板、4・・・
モールド用樹脂外枠、lO・・・電力用半導体素子、1
2・・・電気部品、22・・・空間部、24・・・連通
孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電力用半導体素子が接続された電力回路基板と各
    種の電気部品が接続された制御回路基板とがモールド用
    樹脂外枠により積層保持されてなる電力半導体装置にお
    いて、 前記電力回路基板と積層回路基板との間に空気層が形成
    される空間部を設けるとともに、前記モールド用樹脂外
    枠に前記空間部が外部と連通する連通孔を形成したたこ
    とを特徴とする電力半導体装置。
JP6649186A 1986-03-24 1986-03-24 電力半導体装置 Pending JPS62222659A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6649186A JPS62222659A (ja) 1986-03-24 1986-03-24 電力半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6649186A JPS62222659A (ja) 1986-03-24 1986-03-24 電力半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62222659A true JPS62222659A (ja) 1987-09-30

Family

ID=13317322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6649186A Pending JPS62222659A (ja) 1986-03-24 1986-03-24 電力半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62222659A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1406303A1 (en) * 2001-07-09 2004-04-07 Daikin Industries, Ltd. Power module and air conditioner
JP2009010252A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置
JP2009081325A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009081326A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009081327A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2009088000A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
JP2009111288A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009111289A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009232513A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Sanyo Electric Co Ltd 保護回路、半導体装置、電気機器
JP2010278091A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Diamond Electric Mfg Co Ltd 車載用半導体装置
JP2012252800A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Panasonic Industrial Devices Sunx Co Ltd 除電装置
JP2014057005A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP2014203986A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 株式会社デンソー 回路モジュールとその製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1406303A1 (en) * 2001-07-09 2004-04-07 Daikin Industries, Ltd. Power module and air conditioner
EP1406303A4 (en) * 2001-07-09 2007-12-12 Daikin Ind Ltd POWER MODULE AND AIR CONDITIONER
JP2009010252A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置
JP2009081325A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009081326A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009081327A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
JP2009088000A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 回路モジュール
JP2009111288A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009111289A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2009232513A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Sanyo Electric Co Ltd 保護回路、半導体装置、電気機器
JP2010278091A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Diamond Electric Mfg Co Ltd 車載用半導体装置
JP2012252800A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Panasonic Industrial Devices Sunx Co Ltd 除電装置
JP2014057005A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP2014203986A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 株式会社デンソー 回路モジュールとその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7706146B2 (en) Power system module and method of fabricating the same
US6143590A (en) Multi-chip semiconductor device and method of producing the same
JPS62222659A (ja) 電力半導体装置
CN107403793B (zh) 半导体装置
US7492043B2 (en) Power module flip chip package
KR930006816A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
TWI226687B (en) Package for integrated circuit with thermal vias and method thereof
KR20090056594A (ko) 온도 감지소자가 장착된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그제조방법
JPS641269A (en) Semiconductor device
US4600968A (en) Semiconductor device package having regions of different thermal properties
CN1685777A (zh) 用于集成电路的增热式封装件
JP2000228492A (ja) 樹脂封止した半導体装置
JPS6118164A (ja) 半導体装置
JPH0846134A (ja) 半導体装置
KR910019222A (ko) 고집적 반도체 장치 및 이를 사용한 반도체 모듈
JPH0645515A (ja) 混成集積回路装置
JPH09246433A (ja) モジュールの放熱構造
JPH0648876Y2 (ja) 半導体装置
JPS6453568A (en) Semiconductor package
JPH08222692A (ja) 複合形半導体装置およびその実装構造体並びにその実装方法
KR100325669B1 (ko) 반도체 패키지
JP2864995B2 (ja) 回路装置
JPS6276753A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH04324963A (ja) 混成集積回路装置
JPH04109550U (ja) 電力半導体装置