JP2009081327A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents
回路装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009081327A JP2009081327A JP2007250485A JP2007250485A JP2009081327A JP 2009081327 A JP2009081327 A JP 2009081327A JP 2007250485 A JP2007250485 A JP 2007250485A JP 2007250485 A JP2007250485 A JP 2007250485A JP 2009081327 A JP2009081327 A JP 2009081327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- circuit
- lead
- circuit element
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 104
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 83
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 68
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】混成集積回路装置10には、ケース材12に重畳した第1回路基板18および第2回路基板20が組み込まれている。そして、第1回路基板18の上面には第1回路素子22が配置され、第2回路基板20の上面には第2回路素子が配置されている。また、第1回路基板18のパッド38Aに固着されたリード28は、第2回路基板20を貫通して外部に導出される構成となっている。リード28には、第2回路基板20に実装された第2回路素子24と接続される第1リード28Aと、第2回路素子24と接続されないリード28が含まれる。そして、第1リード28Aが通過する貫通孔15の内部に接合材17が充填されると共に、第2リード28Bが通過する貫通孔15の内部にも接合材17が充填される。
【選択図】図1
Description
12 ケース材
13 露出部
14 第1封止樹脂
15 貫通孔
16 第2封止樹脂
17 接合材
18 第1回路基板
20 第2回路基板
21 第2導電パターン
21A パッド
21B 配線
22 第1回路素子
24 第2回路素子
26 中空部
28 リード
28A 第1リード
28B 第2リード
30 リード
32 実装基板
34 絶縁基板
36 絶縁層
38 第1導電パターン
38A パッド
40 絶縁層
41 整流回路
42 金属細線
43 平滑回路
44 ドライバIC
45 スイッチング回路
46 モーター
48 室外機
50 筐体
52 圧縮機
54 凝縮機
56 ファン
58 ヒートシンク
60 実装基板
62 ノズル
Claims (5)
- ケース材と、
前記ケース材に組み込まれると共に、表面に第1導電パターンが形成された第1回路基板と、
前記第1回路基板と重畳して前記ケース材に組み込まれると共に、表面に第2導電パターンが形成された第2回路基板と、
前記第1回路基板に実装されて前記第1導電パターンに電気的に接続された第1回路素子と、
前記第2回路基板に実装されて前記第2導電パターンに電気的に接続された第2回路素子と、
前記第2回路素子が封止されるように前記第2回路基板の表面に形成された封止樹脂と、
一端が前記第1回路基板の表面の前記第1導電パターンに接続され、前記第2回路基板に設けられた貫通孔を貫通して他端が外部に導出されるリードとを備え、
前記リードには、前記第2回路基板の上面に実装された前記第2回路素子と電気的に接続される第1リードと、前記第2回路基板に実装された前記第2回路素子とは電気的に接続されない第2リードが含まれ、
前記第1リードと前記第2回路基板の前記貫通孔との間隙に接合材が充填されると共に、前記第2リードと前記貫通孔との間隙にも接合材が充填されることを特徴とする回路装置。 - 前記第1リードと前記貫通孔との間隙および前記第2リードと前記貫通孔との間隙に充填される前記接合材は、共に半田であることを特徴とする請求項1記載の回路装置。
- 前記第2回路基板の前記貫通孔の周辺部には、前記第2導電パターンから成るパッドが設けられることを特徴とする請求項1記載の回路装置。
- 表面に第1導電パターンおよび第1回路素子が組み込まれると共に、前記第1導電パターンから成るパッドにリードが固着された第1回路基板を、ケース材に組み込む工程と、
表面に第2導電パターンおよび第2回路素子が組み込まれると共に貫通孔が形成された第2回路基板を、前記リードを前記貫通孔に貫通させて前記ケース材に組み込む工程と、
前記第2導電パターンおよび前記第2回路素子が被覆されるように、前記第2回路基板の表面に封止樹脂を形成する工程と、を具備し、
前記リードには、前記第2回路基板の上面に実装された前記第2回路素子と電気的に接続される第1リードと、前記第2回路基板に実装された前記第2回路素子とは電気的に接続されない第2リードが含まれ、
前記リードを固着させる工程では、前記第1リードが貫通する貫通孔および前記第2リードが貫通する貫通孔の両方に接合材を塗布して、前記貫通孔を塞ぐことを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記封止樹脂を形成する工程では、前記封止樹脂は、液状または半固形状の状態で前記第2回路基板の表面に塗布した後に硬化されることを特徴とする請求項4記載の回路装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007250485A JP5147344B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 回路装置およびその製造方法 |
TW097136816A TWI402952B (zh) | 2007-09-27 | 2008-09-25 | 電路裝置及其製造方法 |
US12/239,407 US8102670B2 (en) | 2007-09-27 | 2008-09-26 | Circuit device and method of manufacturing the same |
CN200810211468.XA CN101419965B (zh) | 2007-09-27 | 2008-09-26 | 电路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007250485A JP5147344B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 回路装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009081327A true JP2009081327A (ja) | 2009-04-16 |
JP5147344B2 JP5147344B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=40655848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007250485A Active JP5147344B2 (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | 回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5147344B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278091A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | 車載用半導体装置 |
JP2016225520A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 三菱電機株式会社 | 車載用電子制御装置及びその製造方法 |
JP2017135362A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-08-03 | ヴァレオ システム ドゥ コントロール モトゥール | 電気的装置、およびこの電気的装置の組み立て方法 |
JP2020014303A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 株式会社e−Gle | アウターロータ型モータ、および、電気自動車 |
WO2021214504A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 日産自動車株式会社 | 電子制御モジュール |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6216553A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 制御回路内蔵型電力半導体装置 |
JPS62222659A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 電力半導体装置 |
JPH0430566A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 高出力用混成集積回路装置 |
JP2004228403A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法並びにスイッチング電源装置 |
JP2004254397A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
-
2007
- 2007-09-27 JP JP2007250485A patent/JP5147344B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6216553A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 制御回路内蔵型電力半導体装置 |
JPS62222659A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Sharp Corp | 電力半導体装置 |
JPH0430566A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 高出力用混成集積回路装置 |
JP2004228403A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法並びにスイッチング電源装置 |
JP2004254397A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278091A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | 車載用半導体装置 |
JP2016225520A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 三菱電機株式会社 | 車載用電子制御装置及びその製造方法 |
JP2017135362A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-08-03 | ヴァレオ システム ドゥ コントロール モトゥール | 電気的装置、およびこの電気的装置の組み立て方法 |
JP2020014303A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 株式会社e−Gle | アウターロータ型モータ、および、電気自動車 |
WO2021214504A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 日産自動車株式会社 | 電子制御モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5147344B2 (ja) | 2013-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5319908B2 (ja) | 回路装置 | |
JP4934559B2 (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
TWI402952B (zh) | 電路裝置及其製造方法 | |
US7782628B2 (en) | Circuit device | |
US7751194B2 (en) | Circuit device, circuit module, and outdoor unit | |
KR20090104478A (ko) | 복합 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2000091499A (ja) | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム | |
JP5285348B2 (ja) | 回路装置 | |
JP5285224B2 (ja) | 回路装置 | |
JP2010086995A (ja) | 回路装置 | |
JP5147344B2 (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
US10957618B2 (en) | Thermally conductive electronic packaging | |
JPH11163490A (ja) | 電子装置 | |
US20210175149A1 (en) | Thermally conductive electronic packaging | |
JP4934558B2 (ja) | 回路装置 | |
JP2000196011A (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
JP5039388B2 (ja) | 回路装置 | |
JP2011054625A (ja) | 回路装置 | |
JP5261635B2 (ja) | 回路装置 | |
JP4103411B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2012178404A (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
WO2022178272A9 (en) | Thermally conductive electronic packaging | |
JP2012169520A (ja) | 回路装置 | |
KR20200011891A (ko) | 수동 전기 소자를 갖는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JPH11215879A (ja) | 電動機駆動装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100218 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5147344 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |