JPH04109550U - 電力半導体装置 - Google Patents

電力半導体装置

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JPH04109550U
JPH04109550U JP1234091U JP1234091U JPH04109550U JP H04109550 U JPH04109550 U JP H04109550U JP 1234091 U JP1234091 U JP 1234091U JP 1234091 U JP1234091 U JP 1234091U JP H04109550 U JPH04109550 U JP H04109550U
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JP
Japan
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circuit board
power semiconductor
semiconductor device
power
control circuit
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Pending
Application number
JP1234091U
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English (en)
Inventor
光利 石川
Original Assignee
シヤープ株式会社
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数の回路基板が積層保持されてなる注型樹
脂封止タイプの電力半導体装置において、回路基板間の
断熱性を従来の様に空気層を設けることなく実現すると
ともに耐湿性を向上させる。 【構成】 電力回路基板1上の半導体素子6及び金属ワ
イヤー7をシリコーンゲル8で覆い、さらに電力回路基
板1と制御回路基板5との間をシリコーンゴムフォーム
13によって充填する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は注型樹脂封止タイプの電力半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の技術について、図2乃至図6を参照して説明する。 図2及び図3はそれぞれ、従来例による電力半導体装置の平面図及び正面図で ある。 図中、1は電力回路基板、2は外装ケース、3は外部接続用コネクタ、4は外 部入出力端子である。 図4は、図2に示す半導体装置のA−A´断面図である。 図4に示すように、従来の電力半導体装置は、電力回路基板1と制御回路基板 5を備え、電力回路基板1上に搭載されたトランジスタやダイオード等の半導体 素子6及び半導体素子6と電力回路基板1とを接続している金属ワイヤー7を保 護する為に、外装ケース2内に保護用樹脂のシリコーンゲル8を注入し、さらに 制御回路基板5上をエポキシ樹脂9で樹脂封止して、両回路基板を外装ケース2 内に積層保持した構造となっている。 また、制御回路基板5上に形成された配線パターンに各種の電気部品10及び 外部接続用コネクタ3が搭載され、電力回路基板1には外部入出力端子4が半田 付けされている。 また、図中、11は電力回路基板1に穿設された外部入出力用端子4用の孔部 である。
【0003】 図5は他の従来例による電力半導体装置の断面図である。この電力半導体装置 は図4に示す電力半導体装置において、制御回路基板5とシリコーンゲル8の間 に、シリコーンゲル8の熱膨張を吸収するとともに、電力回路基板1及び制御回 路基板5間を断熱する為の空気層12が形成されたものである。
【0004】 図6はさらに他の従来例による電力半導体装置の断面図である。この電力半導 体装置は、半導体素子6及び金属ワイヤー7をシリコーンゲル8によって覆い、 さらにその上に、エポキシ樹脂9を充填したものである。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、4図に示す電力半導体装置のように、制御回路基板5と電力回路基 板1との間がシリコーンゲル8のみであると、図5の構造のように空気層12が ある場合と比べ、電力回路基板1からの熱が制御回路基板5に伝わり易い。
【0006】 また、5図に示す電力半導体装置のように、制御回路基板5及びシリコーンゲ ル8間に空気層12がある構造では、制御回路基板5にスルーホールや電力回路 基板1に外部入出力端子用の穴11があいている為に、液状エポキシ樹脂9を注 入、硬化する際の熱により空気層12の空気が膨張し、それが制御回路基板5の 穴11を通じて外部へ放出される際、エポキシ樹脂層に気泡や貫通孔が形成され てしまう。これらの気泡や貫通孔は半導体装置の信頼性を低下させるもので好ま しくない。これを除くには製造工程途中で制御回路基板5を完全にシールする工 程を要し、コストがかかる上歩留りも良くない。
【0007】 さらに、5図に示す電力半導体装置においては、電力回路基板1上の半導体素 子6から発生した熱がシリコーンゲル8を伝わり空気層11で対流を起こし、制 御回路基板5へ熱を伝え制御回路基板5上の電気部品10の信頼性を劣化させる という問題がある。
【0008】 しかも、制御回路基板5及び電力回路基板1の間がシリコーンゲル8と空気層 12だけの構造のため、耐湿性に劣り半導体素子6のリーク不良の原因となる。
【0009】 また、6図に示す電力半導体装置においては、シリコーンゲル8よりエポキシ 樹脂9の方が熱伝導率が高い為に、電力回路基板1上の半導体素子6に大電流を 流すことができないという問題点がある。
【0010】 そこで本考案の目的は、電力回路基板と制御回路基板間に空気層を設けること なく、両回路基板間に優れた断熱性を実現し、しかも耐湿性に優れた電力半導体 装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前期目的を達成するために本考案は、外装ケースを備え、複数の回路基板が積 層保持されてなる注型樹脂封止タイプの電力半導体装置において、前記回路基板 間をシリコーンゴムフォームによって充填してなることを特徴とする。
【0012】
【作用】
回路基板間を断熱性及び撥水性に優れたシリコーンゴムフォームによって充填 するので、電力回路基板の半導体素子の発する熱が制御回路基板にまで伝わらず 、また、外部より半導体素子まで水分が浸透することもなく高信頼性を得ること ができる。
【0013】 しかも、回路基板間には従来のような断熱のための空気層が不要となることか ら、上部の回路基板上の充填樹脂に空気の気泡が混入するという事態を回避でき る。
【0014】 さらに、シリコーンゴムフォームは硬化時に膨張するので、硬化前の注入量が 少なくて済みコストメリットがある。
【0015】
【実施例】
本考案の一実施例について図1を参照して説明する。
【0016】 ここでは、図2乃至図6に示す従来例と異なる点についてのみ説明する。
【0017】 なお、図2乃至図6の従来例と同一機能部分については同一記号を付している 。
【0018】 図1は本実施例による電力半導体装置の断面図である。
【0019】 図1に示すように、本実施例による電力半導体装置は、半導体素子6及び金属 ワイヤー7の上をシリコーンゲル8で覆い、さらに、電力回路基板1に及び制御 回路基板5間を断熱性、撥水性に優れたシリコーンゴムフォーム13で充填して いる。
【0020】 従って、半導体素子6が発熱しても、その上に覆われているシリコーンゴムフ ォーム13によって制御回路基板5まで熱が伝わらない。又エポキシ樹脂を硬化 させる工程に於ても、空気層12がない為に制御回路基板5に穴があいていても 気泡が出ないので、従来のように、エポキシ樹脂に気泡が混入することがなく信 頼性を向上できる。
【0021】 又、シリコーンゴムフォーム13は撥水性に優れている為に半導体素子6まで 水分を通さないので耐湿性にも優れている。
【0022】 さらに、シリコーンゴムフォーム13は硬化の際に3倍程度膨張するので、硬 化前に注入する樹脂量を少なくすることができ、コストダウンを図れる。
【0023】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、回路基板間をシリコーンゴムフォームに よって充填するので、電力回路基板の半導体素子の発する熱が制御回路基板にま で伝わらず、また外部より半導体素子まで水分が浸透することもなく高信頼性を 得ることができる。
【0024】 しかも、従来のような、上部の回路基板上の充填樹脂に空気の気泡が混入する という事態を回避できる。
【0025】 さらに、シリコーンゴムフォームは硬化時に膨張するので、硬化前の注入量が 少なくて済みコストメリットがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例による電力半導体装置の断面
図である。
【図2】従来例による電力半導体装置の平面図である。
【図3】従来例による電力半導体装置の正面図である。
【図4】図2に示す従来の電力半導体装置のA−A´線
断面図である。
【図5】他の従来例による電力半導体装置の断面図であ
る。
【図6】さらに他の従来例による電力半導体装置の断面
図である。
【符号の説明】
1 回路基板(電力回路基板) 2 外装ケース 5 回路基板(制御回路基板) 13 シリコーンゴムフォーム

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外装ケースを備え、複数の回路基板が積
    層保持されてなる注型樹脂封止タイプの電力半導体装置
    において、前期回路基板間をシリコーンゴムフォームに
    よって充填してなることを特徴とする電力半導体装置。
JP1234091U 1991-03-07 1991-03-07 電力半導体装置 Pending JPH04109550U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1234091U JPH04109550U (ja) 1991-03-07 1991-03-07 電力半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP1234091U JPH04109550U (ja) 1991-03-07 1991-03-07 電力半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04109550U true JPH04109550U (ja) 1992-09-22

Family

ID=31901030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1234091U Pending JPH04109550U (ja) 1991-03-07 1991-03-07 電力半導体装置

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JP (1) JPH04109550U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9123639B2 (en) 2013-10-28 2015-09-01 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor module
JP2020536752A (ja) * 2017-10-04 2020-12-17 サンーゴバン アブレイシブズ,インコーポレイティド 研磨用物品およびその形成方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9123639B2 (en) 2013-10-28 2015-09-01 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor module
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