JPS62169660A - 熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体 - Google Patents
熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体Info
- Publication number
- JPS62169660A JPS62169660A JP62007951A JP795187A JPS62169660A JP S62169660 A JPS62169660 A JP S62169660A JP 62007951 A JP62007951 A JP 62007951A JP 795187 A JP795187 A JP 795187A JP S62169660 A JPS62169660 A JP S62169660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- tantalum
- doped
- resistor
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007639 printing Methods 0.000 title description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 101000617550 Dictyostelium discoideum Presenilin-A Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に熱インクジェット・プリントにに係り、
更に特定的には耐インク浸透性と耐インク腐食性および
キャビテーション磨耗が改善された新規な熱インクジェ
ット・プリントヘッドに関する。本発明はまたマルチレ
ベル金属ＭＯ３集積回路構造において、プリントヘッド
の相互接続メタライゼーションとＭＯＳパルス駆動回路
のメタライゼーションとを組合せた新規な集積回路をも
提供する。
更に特定的には耐インク浸透性と耐インク腐食性および
キャビテーション磨耗が改善された新規な熱インクジェ
ット・プリントヘッドに関する。本発明はまたマルチレ
ベル金属ＭＯ３集積回路構造において、プリントヘッド
の相互接続メタライゼーションとＭＯＳパルス駆動回路
のメタライゼーションとを組合せた新規な集積回路をも
提供する。
熱インクジェット・プリントについては多数の出版物に
記述されており、本発明に関連するこのような出版物の
一つは、１９８５年５月発行のヒユーレット・パラカー
ド・ジャーナル、Ｖｏｌ、３６、嵐５である。
記述されており、本発明に関連するこのような出版物の
一つは、１９８５年５月発行のヒユーレット・パラカー
ド・ジャーナル、Ｖｏｌ、３６、嵐５である。
熱インクジェット・プリントヘッドの製造において、タ
ンタル・アルミニウムのような所定の抵抗性材料上にア
ルミニウムの導電体を形成し、抵抗性材料内のりソグラ
フィで画定されたヒータ抵抗器に電流パルスを伝えるた
めの導電体とすることが知られている。これら導電体は
最初に抵抗性材料層の表面にアルミニウムをスパッタし
、次いで従来のフォトリソグラフィのマスキングおよび
エツチングのプロセスを利用してアルミニウム中に導電
体パターン（トレースパターン）を画定することにより
形成される。
ンタル・アルミニウムのような所定の抵抗性材料上にア
ルミニウムの導電体を形成し、抵抗性材料内のりソグラ
フィで画定されたヒータ抵抗器に電流パルスを伝えるた
めの導電体とすることが知られている。これら導電体は
最初に抵抗性材料層の表面にアルミニウムをスパッタし
、次いで従来のフォトリソグラフィのマスキングおよび
エツチングのプロセスを利用してアルミニウム中に導電
体パターン（トレースパターン）を画定することにより
形成される。
この技術分野においては、抵抗性材料および導電性材料
とインクの間に障壁層を形成するために、アルミニウム
・トレース材料と露出した抵抗性材料との上に炭化ケイ
素または窒化ケイ素のような不活性高融点（耐火）物質
を付着させることも知られている。このインクは個別の
溜めに貯蔵され、個別に規定された抵抗器から発生ル、
障壁層を通過して障壁層の上のインク溜めに伝えられる
熱エネルギにより加熱される。インクは非常に腐食性が
あり、したがって障壁層は化学的に不活性であるととも
にインクを極度に通さないものであることが重要である
。
とインクの間に障壁層を形成するために、アルミニウム
・トレース材料と露出した抵抗性材料との上に炭化ケイ
素または窒化ケイ素のような不活性高融点（耐火）物質
を付着させることも知られている。このインクは個別の
溜めに貯蔵され、個別に規定された抵抗器から発生ル、
障壁層を通過して障壁層の上のインク溜めに伝えられる
熱エネルギにより加熱される。インクは非常に腐食性が
あり、したがって障壁層は化学的に不活性であるととも
にインクを極度に通さないものであることが重要である
。
上記のプリントヘッド構造の障壁層を形成するのに使用
する付着プロセスにおいて、障壁層物質内に、アルミニ
ウム導電体の端部において、どちらかと言えば鋭い丸味
を帯びた輪郭部が形成される。これら輪郭部は、炭化ケ
イ素層内で、丸味を帯びた縁の形をなしている。そして
、最初はアルミニウム・トレースの縁を超えて横方向外
側に延び、次に活性抵抗領域でアルミニウム・トレース
の端部の方向に下って折り返す。ここで上記炭化ケイ素
の障壁材料は、抵抗性材料上に直接付着している別の、
一般に平らな炭化ケイ素材料部分と交差部分を形成する
。この交差部分は走査電子顕微鏡 （ＳＥＭ）により、
障壁層材料内の、それ自身弱い斑点または部分として明
瞭にわかるクランクとして見ることができる。この弱い
斑点あるいは部分は、熱インクジェット・プリントヘッ
ドの構造的故障あるいは動作不良の原因となることが多
い。何故ならばプリントヘッドの動作中、そこにインク
が浸透したり、インクの泡の崩壊によるキャビテーショ
ン磨耗（損傷）を生ずるからである。
する付着プロセスにおいて、障壁層物質内に、アルミニ
ウム導電体の端部において、どちらかと言えば鋭い丸味
を帯びた輪郭部が形成される。これら輪郭部は、炭化ケ
イ素層内で、丸味を帯びた縁の形をなしている。そして
、最初はアルミニウム・トレースの縁を超えて横方向外
側に延び、次に活性抵抗領域でアルミニウム・トレース
の端部の方向に下って折り返す。ここで上記炭化ケイ素
の障壁材料は、抵抗性材料上に直接付着している別の、
一般に平らな炭化ケイ素材料部分と交差部分を形成する
。この交差部分は走査電子顕微鏡 （ＳＥＭ）により、
障壁層材料内の、それ自身弱い斑点または部分として明
瞭にわかるクランクとして見ることができる。この弱い
斑点あるいは部分は、熱インクジェット・プリントヘッ
ドの構造的故障あるいは動作不良の原因となることが多
い。何故ならばプリントヘッドの動作中、そこにインク
が浸透したり、インクの泡の崩壊によるキャビテーショ
ン磨耗（損傷）を生ずるからである。
薄膜抵抗器基板の製造に対する上記の従来技術の方法に
伴う特定の問題の他に、一般に、プリント速度とプリン
ト品質とが優れているように最適化したこれら構造内の
薄膜と流体キャビティは、プリント用抵抗器の動作寿命
を短かくすることがわかった。このことはエネルギの上
方許容差が大きくなければならない場合に特に正しい。
伴う特定の問題の他に、一般に、プリント速度とプリン
ト品質とが優れているように最適化したこれら構造内の
薄膜と流体キャビティは、プリント用抵抗器の動作寿命
を短かくすることがわかった。このことはエネルギの上
方許容差が大きくなければならない場合に特に正しい。
熱インクジェットのヒータ抵抗器のプリント寿命から得
られた抵抗器の老化曲線からヒータ抵抗器の早期消滅に
寄与する二つの機構が明確に明らかになる。
られた抵抗器の老化曲線からヒータ抵抗器の早期消滅に
寄与する二つの機構が明確に明らかになる。
一つは抵抗器の端部近くで電気化学的および機械的相互
作用により抵抗値が急速に増大することである。第二は
熱的に孤立した層とパッシベーション層との境界酸化に
より生ずるゆっくりとした、 ″しかし連続的な抵抗
値の増大である。簡単に述べると、抵抗値（オームで表
わした）の増大に寄与する機構はすべて、抵抗値が無限
大になると抵抗器が最終的に故障する方向に導く機構で
ある。
作用により抵抗値が急速に増大することである。第二は
熱的に孤立した層とパッシベーション層との境界酸化に
より生ずるゆっくりとした、 ″しかし連続的な抵抗
値の増大である。簡単に述べると、抵抗値（オームで表
わした）の増大に寄与する機構はすべて、抵抗値が無限
大になると抵抗器が最終的に故障する方向に導く機構で
ある。
本発明の一般的目的は、特に、障壁層材料内の上述のク
ランクを除き、障壁層におけるインクの浸透と不適当な
キャビテーション磨耗との関連問題を克服する新規且つ
改良された熱インクジェット・プリントヘッドの構造と
その製造法とを提供することである。
ランクを除き、障壁層におけるインクの浸透と不適当な
キャビテーション磨耗との関連問題を克服する新規且つ
改良された熱インクジェット・プリントヘッドの構造と
その製造法とを提供することである。
〔発明の概要）
この目的を達成するために、プリントヘッド構造の抵抗
性ヒータ層を多結晶ケイ素゛力）、ケイ化タンタルまた
はケイ化チタンまたはケイ化タンゲステンまたはケイ化
モリブデンのような高融点（耐火）ケイ化物または多結
晶シリコンのいずれかから形成する。次いで、タングス
テンまたはモリブデンのような高融点金属の導電材料を
抵抗性ヒータ層上に付着させる。次に、二酸化ケイ素の
障壁層を化学的蒸着（ＣＶ Ｄ）技術を利用して導電材
料上に付着させ、次にリフローさせて導電材料の端部の
上方の障壁層の区域に滑らかな輪郭部を形成する。最後
に、タンタルのような外側保護金層層をリフローした二
酸化ケイ素障壁層の頂部にス本発明の他の実施例におい
ては、上記の新規なプリントヘッド構造は金層酸化物ケ
イ素電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ） ドライ
バのようなパルス駆動回路とともに、新規なマルチ軛レ
ベル金属集積回路に組込まれる。この集積回路では、メ
タライゼーションの第ルベルはタングステン、チタン、
タンタル、またはモリブデンのような高融点金属から成
り、この金属は抵抗層においてブリントヘッド抵抗器の
一つの寸法を画定するようにパターン化されている。１
つまたは複数のパッシベーション層がメタライゼーショ
ンの第ルベル上に付着され、これに１つまたは複数個の
開口を形成するように選択的にエッチされる。次に、ア
ルミニウムのような、メタライゼーションの第２レベル
はこの開口内に付着されてメタライゼーションの第ルベ
ルと電気的接触をなし、これによりプリントヘッド抵抗
器とＭＯ３ＦＥＴパルス駆動回路などとの間に相互接続
経路が形成される。
性ヒータ層を多結晶ケイ素゛力）、ケイ化タンタルまた
はケイ化チタンまたはケイ化タンゲステンまたはケイ化
モリブデンのような高融点（耐火）ケイ化物または多結
晶シリコンのいずれかから形成する。次いで、タングス
テンまたはモリブデンのような高融点金属の導電材料を
抵抗性ヒータ層上に付着させる。次に、二酸化ケイ素の
障壁層を化学的蒸着（ＣＶ Ｄ）技術を利用して導電材
料上に付着させ、次にリフローさせて導電材料の端部の
上方の障壁層の区域に滑らかな輪郭部を形成する。最後
に、タンタルのような外側保護金層層をリフローした二
酸化ケイ素障壁層の頂部にス本発明の他の実施例におい
ては、上記の新規なプリントヘッド構造は金層酸化物ケ
イ素電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ） ドライ
バのようなパルス駆動回路とともに、新規なマルチ軛レ
ベル金属集積回路に組込まれる。この集積回路では、メ
タライゼーションの第ルベルはタングステン、チタン、
タンタル、またはモリブデンのような高融点金属から成
り、この金属は抵抗層においてブリントヘッド抵抗器の
一つの寸法を画定するようにパターン化されている。１
つまたは複数のパッシベーション層がメタライゼーショ
ンの第ルベル上に付着され、これに１つまたは複数個の
開口を形成するように選択的にエッチされる。次に、ア
ルミニウムのような、メタライゼーションの第２レベル
はこの開口内に付着されてメタライゼーションの第ルベ
ルと電気的接触をなし、これによりプリントヘッド抵抗
器とＭＯ３ＦＥＴパルス駆動回路などとの間に相互接続
経路が形成される。
このようにして、ＭＯＳあるいはバイポーラ・トランジ
スタまたは他の半導体装置をシリコン基板の一領域に形
成し、一方プリントヘッド抵抗器を同じシリコン基板の
表面上の他の領域に画定し、形成することができる。次
に、上記のマルチレベル相互接続構造を利用して、これ
らトランジスタの出力からのアルミニウム相互接続部を
、新規なＭＯ３ＦＥＴドライバー・インクジェット・プ
リントヘッド集積回路構造内の各種プリントヘッド抵抗
器に通じた高融点金属接続部に接続することができる。
スタまたは他の半導体装置をシリコン基板の一領域に形
成し、一方プリントヘッド抵抗器を同じシリコン基板の
表面上の他の領域に画定し、形成することができる。次
に、上記のマルチレベル相互接続構造を利用して、これ
らトランジスタの出力からのアルミニウム相互接続部を
、新規なＭＯ３ＦＥＴドライバー・インクジェット・プ
リントヘッド集積回路構造内の各種プリントヘッド抵抗
器に通じた高融点金属接続部に接続することができる。
上に要約したプリントヘッドの構造と集積回路との利点
と新規な特徴とは図面を参照した以下の説明を参照する
ことにより一層良く理解され認識されるであろう。
と新規な特徴とは図面を参照した以下の説明を参照する
ことにより一層良く理解され認識されるであろう。
第１図は、本発明によるプリントヘッドの断面図、第２
Ａ図から第２Ｇ図は第１図のプリントヘッドの製造工程
図である。
Ａ図から第２Ｇ図は第１図のプリントヘッドの製造工程
図である。
第１図においては、出発物質であるプリントヘイ素層３
は二酸化ケイ素層２の表面に付着され、そして、ケイ化
タンタルの抵抗層４は窒化ケイ素層３の表面上に付着さ
れ、これは後述する幾何学的形状をなす抵抗性ヒータ素
子の層材料となっている。
は二酸化ケイ素層２の表面に付着され、そして、ケイ化
タンタルの抵抗層４は窒化ケイ素層３の表面上に付着さ
れ、これは後述する幾何学的形状をなす抵抗性ヒータ素
子の層材料となっている。
次の二つの層５および６は共にタングステンであり、そ
して窒化ケイ素の層７は第２のしかもより厚いタングス
テン層６の上面に形成され、図示の幾何学的形状にフォ
トリソグラフィにより画定され、ヒータ抵抗器の横方向
の範囲を決定している。次に、りんケイ酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）の層８は窒化ケイ素層７の上面に形成され、そして
一層軽くドープされたりんガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏ
ｕｓ ｇｌａｓｓ）の他の層９が前のガラス層８の上に
形成されている。誘電パッシベーション層７．８、およ
び９は今はＳＦ６およびアルゴンのような乾性エッチャ
ントを使用して適切にエッチされる。
して窒化ケイ素の層７は第２のしかもより厚いタングス
テン層６の上面に形成され、図示の幾何学的形状にフォ
トリソグラフィにより画定され、ヒータ抵抗器の横方向
の範囲を決定している。次に、りんケイ酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）の層８は窒化ケイ素層７の上面に形成され、そして
一層軽くドープされたりんガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏ
ｕｓ ｇｌａｓｓ）の他の層９が前のガラス層８の上に
形成されている。誘電パッシベーション層７．８、およ
び９は今はＳＦ６およびアルゴンのような乾性エッチャ
ントを使用して適切にエッチされる。
タンタルの層１０はガラス層９の上面に付着され、さら
にアルミニウムの一層導電的な層１１はタンタル）１１
０の上に付着される。これら相互接続層１０と１１とは
素子構造の左右の側で、それぞれ、ヒータ抵抗器および
相互接続パッドのための二つの表面障壁を画定するよう
にエッチされている。第１図の左側のこれら導電層１０
と１１とは層４内に作られたヒータ抵抗器に対するパル
ス駆動回路のような他の電子装置との電気接続体として
働く。このように、第１図のヒータ抵抗器は、新規な構
造の金属酸化物ケイ素（ＭＯＳ）プリントヘッド集積回
路において、タングステン層５および６により、相互接
続パッド側の導体１０および１１を介して、電気的に接
続することができる。たとえば、金属接触部１１はメタ
ライゼーションのストリップの形で特定のＭＯＳパルス
駆動回路の出力回路として動作するＭＯＳドライバ電界
効果トランジスタの出力すなわちドレイン端子まで延長
することができる。
にアルミニウムの一層導電的な層１１はタンタル）１１
０の上に付着される。これら相互接続層１０と１１とは
素子構造の左右の側で、それぞれ、ヒータ抵抗器および
相互接続パッドのための二つの表面障壁を画定するよう
にエッチされている。第１図の左側のこれら導電層１０
と１１とは層４内に作られたヒータ抵抗器に対するパル
ス駆動回路のような他の電子装置との電気接続体として
働く。このように、第１図のヒータ抵抗器は、新規な構
造の金属酸化物ケイ素（ＭＯＳ）プリントヘッド集積回
路において、タングステン層５および６により、相互接
続パッド側の導体１０および１１を介して、電気的に接
続することができる。たとえば、金属接触部１１はメタ
ライゼーションのストリップの形で特定のＭＯＳパルス
駆動回路の出力回路として動作するＭＯＳドライバ電界
効果トランジスタの出力すなわちドレイン端子まで延長
することができる。
次に第２Ａ図から第２Ｇ図までを参照すると、シリコン
基板１は典型的には厚さが１５ミルから２５ミルで、電
気固有抵抗は約２０Ωｃｍであり、その上に第２Ａ図に
示すように厚さが約１．６ミクロンの熱二酸化ケイ素の
層２を備えている。
基板１は典型的には厚さが１５ミルから２５ミルで、電
気固有抵抗は約２０Ωｃｍであり、その上に第２Ａ図に
示すように厚さが約１．６ミクロンの熱二酸化ケイ素の
層２を備えている。
第２Ｂ図には低圧化学蒸着（ＬＰＧＶＤ）によりＳｔｏ
ｗ層２の上に付着している薄い０．１ミクロンの窒化ケ
イ素Ｓｉ３Ｎ４の層３を示しである。このプロセスおよ
び本明細書中で参照する同様の他のプロセスは半導体処
理技術では一般に良（知られており、たとえば１９７９
年にＡｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙから発行のｒｌｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ ｔ！ｎｇｉｎｅｅｒ
ｉｎｇ Ｄｅｓｉｇｎ。
ｗ層２の上に付着している薄い０．１ミクロンの窒化ケ
イ素Ｓｉ３Ｎ４の層３を示しである。このプロセスおよ
び本明細書中で参照する同様の他のプロセスは半導体処
理技術では一般に良（知られており、たとえば１９７９
年にＡｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙから発行のｒｌｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ ｔ！ｎｇｉｎｅｅｒ
ｉｎｇ Ｄｅｓｉｇｎ。
Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉ
ｏｎＪと題する本の２３７頁に述べられている。
ｏｎＪと題する本の２３７頁に述べられている。
次に第２Ｃ図に示すように、抵抗層４はケイ化タンタル
を５００人と１０００人との間の厚さにスパッタして５
ｉＪ４層３上に形成され、タングステン層５はこのステ
ップに続いて約２５０人の厚さにスパッタすることによ
り形成される。次に、より厚い、電気抵抗の低いタング
ステン層６が薄いタングステン層５の上に化学蒸着（Ｃ
Ｖ Ｄ）を利用して約０．５ ミクロンの厚さに成長さ
れる。次に、第２Ｄ図に示すように、先に付着した導電
層および抵抗層４．５、および６を図示の幾何学的形状
にエッチした後、プラズマ高揚化学蒸着’（ＰＥＣＶＤ
）を使用して厚さ約１０００人の窒化ケイ素ＳｉＮ、Ｈ
，の層７をタングステン層６の表面上に付着させる。こ
のＰＥＣＶＤプロセスは半導体処理技術の当業者には既
知であり、たとえば、１９８２年にＮｏｙｅｓ Ｐｕｂ
ｌｉ−ｃａｔｉｏｎｓが発行したｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｆｏｒ Ｆｉｌｍｓ ａ
ｎｄ ＣｏａｔｉｎｇｓＪと題する本の３７６頁以降に
述べられている。
を５００人と１０００人との間の厚さにスパッタして５
ｉＪ４層３上に形成され、タングステン層５はこのステ
ップに続いて約２５０人の厚さにスパッタすることによ
り形成される。次に、より厚い、電気抵抗の低いタング
ステン層６が薄いタングステン層５の上に化学蒸着（Ｃ
Ｖ Ｄ）を利用して約０．５ ミクロンの厚さに成長さ
れる。次に、第２Ｄ図に示すように、先に付着した導電
層および抵抗層４．５、および６を図示の幾何学的形状
にエッチした後、プラズマ高揚化学蒸着’（ＰＥＣＶＤ
）を使用して厚さ約１０００人の窒化ケイ素ＳｉＮ、Ｈ
，の層７をタングステン層６の表面上に付着させる。こ
のＰＥＣＶＤプロセスは半導体処理技術の当業者には既
知であり、たとえば、１９８２年にＮｏｙｅｓ Ｐｕｂ
ｌｉ−ｃａｔｉｏｎｓが発行したｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｆｏｒ Ｆｉｌｍｓ ａ
ｎｄ ＣｏａｔｉｎｇｓＪと題する本の３７６頁以降に
述べられている。
さらに第２Ｄ図に示すステップでは、りん含有量が約８
パーセントになるようにドープされたりんドープ・ガラ
ス５ｔ（ｈの層８を化学蒸着（ＣＶ Ｄ）により図示の
輪郭に形成し、その後、この構造体を１０００℃で約１
５分間アニーリング（熱処理）し、ケイ化タンタルの抵
抗層４を安定化し、抵抗器端部上のりんドープされたま
たはりんケイ酸ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）をリフローさせる
。次いで、りんケイ酸ガラスの層９を層８の表面に厚さ
約２０００人に形成し、りん含有量が約４パーセントに
なるようにドープする。このＰＳＧ層９は、第２Ｅ図に
示しであるが、以後に形成されるアルミニウム最終導体
を攻 する可能性のあるりん酸の形成を排除するような
働きをする。
パーセントになるようにドープされたりんドープ・ガラ
ス５ｔ（ｈの層８を化学蒸着（ＣＶ Ｄ）により図示の
輪郭に形成し、その後、この構造体を１０００℃で約１
５分間アニーリング（熱処理）し、ケイ化タンタルの抵
抗層４を安定化し、抵抗器端部上のりんドープされたま
たはりんケイ酸ガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）をリフローさせる
。次いで、りんケイ酸ガラスの層９を層８の表面に厚さ
約２０００人に形成し、りん含有量が約４パーセントに
なるようにドープする。このＰＳＧ層９は、第２Ｅ図に
示しであるが、以後に形成されるアルミニウム最終導体
を攻 する可能性のあるりん酸の形成を排除するような
働きをする。
プロセスのこの点で、三重層パッシベーション（７，８
、および９）を第２Ｆ図に参照番号６で示すようにＣＶ
Ｄタングステン層までドライエッチする。次に、タンタ
ルのキャビテーション障壁１０とアルミニウム最終相互
接続層１１とがそれぞれ厚さ約０．６ミクロンおよび０
．４ミクロンにスパッタされる。これらのステップは第
２Ｇ図に概要を図示しであるが、第１図の複合集積回路
構造と同一な合成構造が完成される。パッドまたは相互
接続層１０および１１は湿式化学エツチング技術により
パターン化され第２Ｇ図に示す装置の幾何学的形状を画
定する。以下に本実施例のプリントヘッドの各要素の寸
法、性質について述べる。
、および９）を第２Ｆ図に参照番号６で示すようにＣＶ
Ｄタングステン層までドライエッチする。次に、タンタ
ルのキャビテーション障壁１０とアルミニウム最終相互
接続層１１とがそれぞれ厚さ約０．６ミクロンおよび０
．４ミクロンにスパッタされる。これらのステップは第
２Ｇ図に概要を図示しであるが、第１図の複合集積回路
構造と同一な合成構造が完成される。パッドまたは相互
接続層１０および１１は湿式化学エツチング技術により
パターン化され第２Ｇ図に示す装置の幾何学的形状を画
定する。以下に本実施例のプリントヘッドの各要素の寸
法、性質について述べる。
薄膜 形成法 厚さ 物理的性質ＳｔＯ□
熱酸化 １６０００人 屈折率 ７１．４６Ｓｔ
３Ｎ４ＬＰＣＶＤ １０００人 屈折率 ： ２．
０１ＴａＳｉＸ ２ πスパッタ 〜７５
０人 シート抵抗 ：３７Ω７平方−スパッタ ２５
０人 シート抵抗：８Ωノ平方１４ ＬＰＣＶ
Ｄ ５０００人 シート抵抗：０．１４Ω／平方Ｓ
ｉＮｘＨｇ ＰＥＣＶＤ １０００人 屈折率
： ２．００ＳｔＯｔ／８χＰ ＣＶＤ ８
０００人 屈折率 ｉ〜１．４６ＳｉＯｔ／４χＰ
ＣＶＤ ２０００人 屈折率 ｎ 〜１．４６Ｔ
ａ スパッタ ６０００人 シート抵抗：２．
７Ω／平方ＡＩ／４２Ｃａ スパッタ ４０００人
シー）抵抗ｊ Ｏ，１２Ωノ平方〔発明の効果〕 このように、高融点局部接続メタライゼーショ−１３＝ ン、すなわち、タングステンにより、続いて付着される
りんドープケイ素ガラス（ＰＳＧ）の高温リフローが可
能となり、これにより抵抗器電極端部をシールする新規
なプリントヘッド装置の構造と製造法とが提供される。
熱酸化 １６０００人 屈折率 ７１．４６Ｓｔ
３Ｎ４ＬＰＣＶＤ １０００人 屈折率 ： ２．
０１ＴａＳｉＸ ２ πスパッタ 〜７５
０人 シート抵抗 ：３７Ω７平方−スパッタ ２５
０人 シート抵抗：８Ωノ平方１４ ＬＰＣＶ
Ｄ ５０００人 シート抵抗：０．１４Ω／平方Ｓ
ｉＮｘＨｇ ＰＥＣＶＤ １０００人 屈折率
： ２．００ＳｔＯｔ／８χＰ ＣＶＤ ８
０００人 屈折率 ｉ〜１．４６ＳｉＯｔ／４χＰ
ＣＶＤ ２０００人 屈折率 ｎ 〜１．４６Ｔ
ａ スパッタ ６０００人 シート抵抗：２．
７Ω／平方ＡＩ／４２Ｃａ スパッタ ４０００人
シー）抵抗ｊ Ｏ，１２Ωノ平方〔発明の効果〕 このように、高融点局部接続メタライゼーショ−１３＝ ン、すなわち、タングステンにより、続いて付着される
りんドープケイ素ガラス（ＰＳＧ）の高温リフローが可
能となり、これにより抵抗器電極端部をシールする新規
なプリントヘッド装置の構造と製造法とが提供される。
窒化ケイ素の膜は抵抗膜の上下に形成され、したがって
、有効な酸化障壁として役立つとともに、上層の窒化ケ
イ素膜が更に水分障壁として働く。高融点ケイ化物抵抗
膜は優れた高温安定性を示す他に、相互接続メタライゼ
ーションを施す前に構造体を１１００℃までの熱処理に
耐える能力がある。
、有効な酸化障壁として役立つとともに、上層の窒化ケ
イ素膜が更に水分障壁として働く。高融点ケイ化物抵抗
膜は優れた高温安定性を示す他に、相互接続メタライゼ
ーションを施す前に構造体を１１００℃までの熱処理に
耐える能力がある。
上記の構造体およびそのケイ化物層は集積回路処理に適
応できるとともに、論理状態を表わす抵抗器および駆動
トランジスタを製作した後に、抵抗層、導体層、および
パッシベーション層を作ることができる。本発明の非常
に重要な利点の一つはシリコンのような単独の共通の半
導体基板を基板の一領域にＭＯＳまたはバイポーラ駆動
トランジスタを作り、基板の他の領域に熱インクジェッ
ト・プリントヘッド抵抗器を作るのに使用することがで
きるという事実である。その後でこれらの素子を上述の
マルチレベル金属相互接続方式を利用して相互に接続す
ることができる。
応できるとともに、論理状態を表わす抵抗器および駆動
トランジスタを製作した後に、抵抗層、導体層、および
パッシベーション層を作ることができる。本発明の非常
に重要な利点の一つはシリコンのような単独の共通の半
導体基板を基板の一領域にＭＯＳまたはバイポーラ駆動
トランジスタを作り、基板の他の領域に熱インクジェッ
ト・プリントヘッド抵抗器を作るのに使用することがで
きるという事実である。その後でこれらの素子を上述の
マルチレベル金属相互接続方式を利用して相互に接続す
ることができる。
第１図は本発明によるプリントヘッドの断面図、第２Ａ
図から第２Ｇ図は第１図のプリントヘッドの製造工程図
である。 １：シリコン基板、２：熱融離層（ＳｉＯ□）、３：窒
化ケイ素層、４：抵抗層、５，６：タングステン層、７
：窒化ケイ素層、８．１ＰＳＧ層、１０：タンタル層、
１１；アルミニウム層。
図から第２Ｇ図は第１図のプリントヘッドの製造工程図
である。 １：シリコン基板、２：熱融離層（ＳｉＯ□）、３：窒
化ケイ素層、４：抵抗層、５，６：タングステン層、７
：窒化ケイ素層、８．１ＰＳＧ層、１０：タンタル層、
１１；アルミニウム層。
Claims (1)
- 基板と、前記基板上に形成された薄膜抵抗層と、前記薄
膜抵抗層上に抵抗素子の寸法を画定するように形成され
た導電パターンと、前記導電パターンおよび前記抵抗素
子上に形成され、リフローされた二酸化ケイ素層とより
成るプリントヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/820,754 US4719477A (en) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | Integrated thermal ink jet printhead and method of manufacture |
| US820754 | 1986-01-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169660A true JPS62169660A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0725164B2 JPH0725164B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=25231632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007951A Expired - Fee Related JPH0725164B2 (ja) | 1986-01-17 | 1987-01-16 | 熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4719477A (ja) |
| EP (1) | EP0229673B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0725164B2 (ja) |
| CA (1) | CA1275854C (ja) |
| DE (1) | DE3780177T2 (ja) |
| HK (1) | HK46693A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991012967A1 (en) * | 1990-02-26 | 1991-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for ink-jet head |
| US6607264B1 (en) | 2002-06-18 | 2003-08-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
| KR100425328B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 잉크 젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (138)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862197A (en) * | 1986-08-28 | 1989-08-29 | Hewlett-Packard Co. | Process for manufacturing thermal ink jet printhead and integrated circuit (IC) structures produced thereby |
| JPH0764072B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1995-07-12 | ゼロックス コーポレーション | バブル・インクジェット印字機構のシリコン集積回路チップ |
| US4947192A (en) * | 1988-03-07 | 1990-08-07 | Xerox Corporation | Monolithic silicon integrated circuit chip for a thermal ink jet printer |
| DE68927268T2 (de) * | 1988-06-03 | 1997-02-20 | Canon Kk | Aufzeichnungskopf mit Flüssigkeitsausstoss, Substrat hierfür und Aufzeichnungsapparat mit Flüssigkeitsausstoss, welcher besagten Kopf verwendet |
| US5068674A (en) * | 1988-06-07 | 1991-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head stabilization |
| US5081474A (en) * | 1988-07-04 | 1992-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head having multi-layer matrix wiring |
| US5243363A (en) * | 1988-07-22 | 1993-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink-jet recording head having bump-shaped electrode and protective layer providing structural support |
| US5570119A (en) * | 1988-07-26 | 1996-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Multilayer device having integral functional element for use with an ink jet recording apparatus, and recording apparatus |
| ATE116599T1 (de) * | 1989-01-13 | 1995-01-15 | Canon Kk | Aufzeichnungskopf. |
| JP2840271B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド |
| US5189436A (en) * | 1989-03-29 | 1993-02-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording method that selects a movement velocity in conformity with a recognized recording width to accomplish recording and recording apparatus using the same method |
| JP2933970B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1999-08-16 | キヤノン株式会社 | 記録方法及び前記記録方法を用いた記録装置 |
| ATE118403T1 (de) * | 1989-03-31 | 1995-03-15 | Canon Kk | Aufzeichnungskopf und substrat mit anschlüssen. |
| JP2824123B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1998-11-11 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド及び該ヘッドを形成するために用いるインクジェットヘッド用基体 |
| US5010355A (en) * | 1989-12-26 | 1991-04-23 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having ionic passivation of electrical circuitry |
| YU247189A (en) * | 1989-12-27 | 1991-10-31 | Biro Rijeka Ing | Silicon heating element |
| DE69101648T2 (de) * | 1990-01-25 | 1994-08-04 | Canon Kk | Farbstrahlaufzeichnungskopf, Substrat dafür und Vorrichtung. |
| JP2708596B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1998-02-04 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
| US5045870A (en) * | 1990-04-02 | 1991-09-03 | International Business Machines Corporation | Thermal ink drop on demand devices on a single chip with vertical integration of driver device |
| US5063655A (en) * | 1990-04-02 | 1991-11-12 | International Business Machines Corp. | Method to integrate drive/control devices and ink jet on demand devices in a single printhead chip |
| CA2044402A1 (en) * | 1990-07-02 | 1992-01-03 | Abdul M. Elhatem | Thermal ink jet printhead and method of manufacture |
| US5081473A (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-14 | Xerox Corporation | Temperature control transducer and MOS driver for thermal ink jet printing chips |
| US6113218A (en) * | 1990-09-21 | 2000-09-05 | Seiko Epson Corporation | Ink-jet recording apparatus and method for producing the head thereof |
| US6164759A (en) * | 1990-09-21 | 2000-12-26 | Seiko Epson Corporation | Method for producing an electrostatic actuator and an inkjet head using it |
| US6168263B1 (en) | 1990-09-21 | 2001-01-02 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording apparatus |
| US5122812A (en) * | 1991-01-03 | 1992-06-16 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead having driver circuitry thereon and method for making the same |
| US5159353A (en) * | 1991-07-02 | 1992-10-27 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead structure and method for making the same |
| US5257042A (en) * | 1991-07-09 | 1993-10-26 | Xerox Corporation | Thermal ink jet transducer protection |
| EP0525787B1 (en) * | 1991-08-01 | 1996-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a recording head |
| SE9200555D0 (sv) * | 1992-02-25 | 1992-02-25 | Markpoint Dev Ab | A method of coating a piezoelectric substrate |
| US5300958A (en) * | 1992-02-28 | 1994-04-05 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for automatically cleaning the printhead of a thermal inkjet cartridge |
| US5317346A (en) * | 1992-03-04 | 1994-05-31 | Hewlett-Packard Company | Compound ink feed slot |
| US5648804A (en) | 1992-04-02 | 1997-07-15 | Hewlett-Packard Company | Compact inkjet substrate with centrally located circuitry and edge feed ink channels |
| US5594481A (en) | 1992-04-02 | 1997-01-14 | Hewlett-Packard Company | Ink channel structure for inkjet printhead |
| US5604519A (en) | 1992-04-02 | 1997-02-18 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead architecture for high frequency operation |
| US5648805A (en) | 1992-04-02 | 1997-07-15 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead architecture for high speed and high resolution printing |
| US5563642A (en) | 1992-04-02 | 1996-10-08 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead architecture for high speed ink firing chamber refill |
| US5874974A (en) * | 1992-04-02 | 1999-02-23 | Hewlett-Packard Company | Reliable high performance drop generator for an inkjet printhead |
| US5638101A (en) | 1992-04-02 | 1997-06-10 | Hewlett-Packard Company | High density nozzle array for inkjet printhead |
| US5363134A (en) * | 1992-05-20 | 1994-11-08 | Hewlett-Packard Corporation | Integrated circuit printhead for an ink jet printer including an integrated identification circuit |
| US5699093A (en) * | 1992-10-07 | 1997-12-16 | Hslc Technology Associates Inc | Ink jet print head |
| EP0592221B1 (en) * | 1992-10-08 | 2005-02-16 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Printhead with reduced connections to a printer |
| FI101911B (fi) * | 1993-04-07 | 1998-09-15 | Valtion Teknillinen | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde ja menetelmä sen valmist amiseksi |
| US5598189A (en) * | 1993-09-07 | 1997-01-28 | Hewlett-Packard Company | Bipolar integrated ink jet printhead driver |
| JPH0776080A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Canon Inc | 記録ヘッド用基体、記録ヘッド、記録ヘッドカートリッジおよび記録装置と、記録ヘッド用基体の製造方法 |
| US5396078A (en) * | 1993-09-22 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | Printer with optical data link to carriage |
| US5635968A (en) * | 1994-04-29 | 1997-06-03 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printer printhead with offset heater resistors |
| JP2844051B2 (ja) * | 1994-10-31 | 1999-01-06 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | サーマルヘッド |
| JP3376128B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2003-02-10 | 能美防災株式会社 | 火災感知器用作動試験装置 |
| US5757394A (en) * | 1995-09-27 | 1998-05-26 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head identification circuit with programmed transistor array |
| US5940095A (en) * | 1995-09-27 | 1999-08-17 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head identification circuit with serial out, dynamic shift registers |
| DE19536429A1 (de) | 1995-09-29 | 1997-04-10 | Siemens Ag | Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zum Herstellen eines solchen Tintenstrahldruckkopfes |
| US5718044A (en) * | 1995-11-28 | 1998-02-17 | Hewlett-Packard Company | Assembly of printing devices using thermo-compressive welding |
| US6758552B1 (en) | 1995-12-06 | 2004-07-06 | Hewlett-Packard Development Company | Integrated thin-film drive head for thermal ink-jet printer |
| US5883650A (en) * | 1995-12-06 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| US6239820B1 (en) | 1995-12-06 | 2001-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| US5751315A (en) * | 1996-04-16 | 1998-05-12 | Xerox Corporation | Thermal ink-jet printhead with a thermally isolated heating element in each ejector |
| US5781211A (en) * | 1996-07-23 | 1998-07-14 | Bobry; Howard H. | Ink jet recording head apparatus |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| US5943076A (en) * | 1997-02-24 | 1999-08-24 | Xerox Corporation | Printhead for thermal ink jet devices |
| US6155674A (en) * | 1997-03-04 | 2000-12-05 | Hewlett-Packard Company | Structure to effect adhesion between substrate and ink barrier in ink jet printhead |
| US6209991B1 (en) | 1997-03-04 | 2001-04-03 | Hewlett-Packard Company | Transition metal carbide films for applications in ink jet printheads |
| US6234612B1 (en) * | 1997-03-25 | 2001-05-22 | Lexmark International, Inc. | Ink jet printing apparatus having first and second print cartridges receiving energy pulses from a common drive circuit |
| US5827762A (en) * | 1997-05-02 | 1998-10-27 | National Semiconductor Corporation | Method for forming buried interconnect structue having stability at high temperatures |
| US6110754A (en) * | 1997-07-15 | 2000-08-29 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a thermal elastic rotary impeller ink jet print head |
| US6659596B1 (en) | 1997-08-28 | 2003-12-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ink-jet printhead and method for producing the same |
| US6286939B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-09-11 | Hewlett-Packard Company | Method of treating a metal surface to increase polymer adhesion |
| US6154229A (en) | 1997-10-28 | 2000-11-28 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet print head and printer temperature control apparatus and method |
| US6575548B1 (en) | 1997-10-28 | 2003-06-10 | Hewlett-Packard Company | System and method for controlling energy characteristics of an inkjet printhead |
| US6532027B2 (en) | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
| US6303274B1 (en) | 1998-03-02 | 2001-10-16 | Hewlett-Packard Company | Ink chamber and orifice shape variations in an ink-jet orifice plate |
| US6126277A (en) * | 1998-04-29 | 2000-10-03 | Hewlett-Packard Company | Non-kogating, low turn on energy thin film structure for very low drop volume thermal ink jet pens |
| US6476928B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-11-05 | Hewlett-Packard Co. | System and method for controlling internal operations of a processor of an inkjet printhead |
| US6729707B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-05-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-calibration of power delivery control to firing resistors |
| US6318828B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-11-20 | Hewlett-Packard Company | System and method for controlling firing operations of an inkjet printhead |
| US6435668B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-08-20 | Hewlett-Packard Company | Warming device for controlling the temperature of an inkjet printhead |
| US6755495B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated control of power delivery to firing resistors for printhead assembly |
| US6705694B1 (en) | 1999-02-19 | 2004-03-16 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | High performance printing system and protocol |
| US6315384B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead and high-efficiency polycrystalline silicon resistor system for use therein |
| US6328428B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-12-11 | Hewlett-Packard Company | Ink-jet printhead and method of producing same |
| US6260952B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-07-17 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for routing power and ground lines in a ink-jet printhead |
| US7036914B1 (en) | 1999-07-30 | 2006-05-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with fire cells |
| US6439697B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-08-27 | Hewlett-Packard Company | Dynamic memory based firing cell of thermal ink jet printhead |
| US6299292B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-10-09 | Lexmark International, Inc. | Driver circuit with low side data for matrix inkjet printhead, and method therefor |
| US6132032A (en) * | 1999-08-13 | 2000-10-17 | Hewlett-Packard Company | Thin-film print head for thermal ink-jet printers |
| US6137502A (en) * | 1999-08-27 | 2000-10-24 | Lexmark International, Inc. | Dual droplet size printhead |
| JP2001098357A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Citizen Watch Co Ltd | タングステン膜とその製造方法ならびに薄膜ヒーターとその製造方法 |
| US6267471B1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-07-31 | Hewlett-Packard Company | High-efficiency polycrystalline silicon resistor system for use in a thermal inkjet printhead |
| TW514596B (en) | 2000-02-28 | 2002-12-21 | Hewlett Packard Co | Glass-fiber thermal inkjet print head |
| TW455548B (en) * | 2000-03-15 | 2001-09-21 | Ind Tech Res Inst | Structure of inkjet printhead chip and method for detecting the lifespan and defect thereof |
| US6398346B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-06-04 | Lexmark International, Inc. | Dual-configurable print head addressing |
| US6305774B1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Hewlett-Packard Company | Printhead substrate having an ink jet primitive structure that spans both edges of an ink feed channel |
| US6487973B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-12-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Method and apparatus for locking charges into a charge holder |
| US6431677B1 (en) | 2000-06-08 | 2002-08-13 | Lexmark International, Inc | Print head drive scheme |
| US6309053B1 (en) | 2000-07-24 | 2001-10-30 | Hewlett-Packard Company | Ink jet printhead having a ground bus that overlaps transistor active regions |
| US6412919B1 (en) | 2000-09-05 | 2002-07-02 | Hewlett-Packard Company | Transistor drop ejectors in ink-jet print heads |
| US7095309B1 (en) * | 2000-10-20 | 2006-08-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | Thermoelastic actuator design |
| US6585339B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-07-01 | Hewlett Packard Co | Module manager for wide-array inkjet printhead assembly |
| DE60204485T2 (de) * | 2001-01-05 | 2006-03-16 | Hewlett-Packard Development Co., L.P., Houston | Integrierter programmierbarer Auslösepulsgenerator für Tintenstrahldruckkopf |
| US7594507B2 (en) | 2001-01-16 | 2009-09-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal generation of droplets for aerosol |
| US6441838B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-08-27 | Hewlett-Packard Company | Method of treating a metal surface to increase polymer adhesion |
| US6478404B2 (en) | 2001-01-30 | 2002-11-12 | Hewlett-Packard Company | Ink jet printhead |
| US6523935B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-02-25 | Hewlett-Packard Company | Narrow ink jet printhead |
| US6412917B1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-07-02 | Hewlett-Packard Company | Energy balanced printhead design |
| US6726298B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Low voltage differential signaling communication in inkjet printhead assembly |
| US6478396B1 (en) | 2001-03-02 | 2002-11-12 | Hewlett-Packard Company | Programmable nozzle firing order for printhead assembly |
| US6471320B2 (en) | 2001-03-09 | 2002-10-29 | Hewlett-Packard Company | Data bandwidth reduction to printhead with redundant nozzles |
| US6447104B1 (en) | 2001-03-13 | 2002-09-10 | Hewlett-Packard Company | Firing chamber geometry for inkjet printhead |
| US6883894B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead with looped gate transistor structures |
| US6534850B2 (en) * | 2001-04-16 | 2003-03-18 | Hewlett-Packard Company | Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation |
| US6565195B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-05-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Feed channels of a fluid ejection device |
| US6386687B1 (en) * | 2001-06-05 | 2002-05-14 | Hewlett-Packard Company | Barrier adhesion by patterning gold |
| US6422676B1 (en) | 2001-06-19 | 2002-07-23 | Hewlett-Packard Company | Compact ink jet printhead |
| US6460974B1 (en) | 2001-07-27 | 2002-10-08 | Hewlett-Packard Company | Micro-pump and method for generating fluid flow |
| US7160806B2 (en) * | 2001-08-16 | 2007-01-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead processing with silicon etching |
| JP2003224269A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-08-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路を製造するための装置および方法 |
| US6740536B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-05-25 | Hewlett-Packard Develpment Corporation, L.P. | Devices and methods for integrated circuit manufacturing |
| US6543879B1 (en) | 2001-10-31 | 2003-04-08 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead assembly having very high nozzle packing density |
| US6746107B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead having ink feed channels defined by thin-film structure and orifice layer |
| US6932453B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead assembly having very high drop rate generation |
| US7357486B2 (en) * | 2001-12-20 | 2008-04-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of laser machining a fluid slot |
| EP1769872A3 (en) * | 2001-12-20 | 2007-04-11 | Hewlett-Packard Company | Method of laser machining a fluid slot |
| US20030155328A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Huth Mark C. | Laser micromachining and methods and systems of same |
| US6726300B2 (en) | 2002-04-29 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fire pulses in a fluid ejection device |
| US6885083B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Drop generator die processing |
| ITTO20021100A1 (it) * | 2002-12-19 | 2004-06-20 | Olivetti Jet Spa | Testina di stampa a getto d'inchiostro perfezionata e relativo processo di fabbricazione |
| US6926390B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming mixed-phase compressive tantalum thin films using nitrogen residual gas, thin films and fluid ejection devices including same |
| US6893116B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-05-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with compressive alpha-tantalum layer |
| US6955835B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for forming compressive alpha-tantalum on substrates and devices including the same |
| US6896355B2 (en) | 2003-06-02 | 2005-05-24 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Printhead positioning mechanism |
| KR101012210B1 (ko) | 2003-09-17 | 2011-02-08 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 다수의 장벽층 |
| US7401875B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Inkjet printhead incorporating a memory array |
| US7150516B2 (en) * | 2004-09-28 | 2006-12-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated circuit and method for manufacturing |
| BRPI0612869B1 (pt) * | 2005-07-08 | 2018-07-17 | Canon Kk | cartucho de tinta compreendendo uma cabeça de jato de tinta térmica |
| US8029105B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | Ambient plasma treatment of printer components |
| US8376523B2 (en) * | 2010-04-21 | 2013-02-19 | Lexmark International, Inc. | Capping layer for insulator in micro-fluid ejection heads |
| US10245843B2 (en) * | 2015-07-30 | 2019-04-02 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer |
| EP3529081B1 (en) * | 2016-10-19 | 2021-01-27 | Sicpa Holding Sa | Method for forming thermal inkjet printhead, thermal inkjet printhead, and semiconductor wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118736U (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-26 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3515850A (en) * | 1967-10-02 | 1970-06-02 | Ncr Co | Thermal printing head with diffused printing elements |
| US3609294A (en) * | 1969-10-10 | 1971-09-28 | Ncr Co | Thermal printing head with thin film printing elements |
| US3852563A (en) * | 1974-02-01 | 1974-12-03 | Hewlett Packard Co | Thermal printing head |
| US3953264A (en) * | 1974-08-29 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Integrated heater element array and fabrication method |
| US4168343A (en) * | 1976-03-11 | 1979-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal printing head |
| US4232213A (en) * | 1979-01-15 | 1980-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal head |
| US4429321A (en) * | 1980-10-23 | 1984-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording device |
| JPH0624855B2 (ja) * | 1983-04-20 | 1994-04-06 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド |
| US4513298A (en) * | 1983-05-25 | 1985-04-23 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead |
| US4472875A (en) * | 1983-06-27 | 1984-09-25 | Teletype Corporation | Method for manufacturing an integrated circuit device |
| US4535343A (en) * | 1983-10-31 | 1985-08-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead with self-passivating elements |
| DE3446968A1 (de) * | 1983-12-26 | 1985-07-04 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Fluessigkeitsstrahlaufzeichnungskopf |
| US4532530A (en) * | 1984-03-09 | 1985-07-30 | Xerox Corporation | Bubble jet printing device |
-
1986
- 1986-01-17 US US06/820,754 patent/US4719477A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-01-15 CA CA000527410A patent/CA1275854C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-16 DE DE8787100521T patent/DE3780177T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-16 EP EP87100521A patent/EP0229673B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-16 JP JP62007951A patent/JPH0725164B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-13 HK HK466/93A patent/HK46693A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61118736U (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-26 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991012967A1 (en) * | 1990-02-26 | 1991-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for ink-jet head |
| US6607264B1 (en) | 2002-06-18 | 2003-08-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
| US6814430B2 (en) | 2002-06-18 | 2004-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
| KR100425328B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 잉크 젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK46693A (en) | 1993-05-21 |
| JPH0725164B2 (ja) | 1995-03-22 |
| DE3780177D1 (de) | 1992-08-13 |
| EP0229673A2 (en) | 1987-07-22 |
| DE3780177T2 (de) | 1993-03-04 |
| EP0229673B1 (en) | 1992-07-08 |
| CA1275854C (en) | 1990-11-06 |
| US4719477A (en) | 1988-01-12 |
| EP0229673A3 (en) | 1989-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62169660A (ja) | 熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体 | |
| EP0282226B1 (en) | High speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism | |
| US4962060A (en) | Making a high speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism | |
| US4862197A (en) | Process for manufacturing thermal ink jet printhead and integrated circuit (IC) structures produced thereby | |
| JPH0767804B2 (ja) | サーマル式インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 | |
| KR960021538A (ko) | 전해연마법을 사용한 발열방식의 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제작방법 | |
| US5202274A (en) | Method of fabricating thin film transistor | |
| JPH03138934A (ja) | 異なる深さを有する窓のエッチング法 | |
| JPH024131B2 (ja) | ||
| JP5400806B2 (ja) | 半導体基板接続ビア | |
| US8376524B2 (en) | Thermal inkjet printhead chip structure and manufacturing method for the same | |
| TWI321817B (en) | Diffusion barrier and method therefor | |
| US5844586A (en) | Process for making ink jet heater chips | |
| JPS5913345A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2874216B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3372109B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0172542B1 (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| TW201313490A (zh) | 噴墨頭加熱晶片及其製造方法 | |
| KR100191770B1 (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| KR970000445Y1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPH0584671B2 (ja) | ||
| US20030153175A1 (en) | Method of preventing aluminum sputtering during oxide via etching | |
| JPH1128830A (ja) | 発熱抵抗体およびプリンタヘッド | |
| JPH04221849A (ja) | 薄膜抵抗体 | |
| KR19990055806A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |