JPH0725164B2 - 熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体 - Google Patents
熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体Info
- Publication number
- JPH0725164B2 JPH0725164B2 JP62007951A JP795187A JPH0725164B2 JP H0725164 B2 JPH0725164 B2 JP H0725164B2 JP 62007951 A JP62007951 A JP 62007951A JP 795187 A JP795187 A JP 795187A JP H0725164 B2 JPH0725164 B2 JP H0725164B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heating element
- silicon dioxide
- printhead
- ink jet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 11
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 101000617550 Dictyostelium discoideum Presenilin-A Proteins 0.000 description 1
- 229910004294 SiNxHy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJZHUVADYBQTQH-UHFFFAOYSA-N [O].[Si].[Au] Chemical compound [O].[Si].[Au] VJZHUVADYBQTQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/03—Specific materials used
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般に熱インクジェット・プリントにに係り、
更に特定的には耐インク浸透性と耐インク腐食性および
キャビテーション磨耗が改善された新規な熱インクジェ
ット・プリントヘッドに関する。本発明はまたマルチレ
ベル金属MOS集積回路構造において、プリントヘッドの
相互接続メタライゼーションとMOSパルス駆動回路メタ
ライゼーションとを組合せた新規な集積回路をも提供す
る。
更に特定的には耐インク浸透性と耐インク腐食性および
キャビテーション磨耗が改善された新規な熱インクジェ
ット・プリントヘッドに関する。本発明はまたマルチレ
ベル金属MOS集積回路構造において、プリントヘッドの
相互接続メタライゼーションとMOSパルス駆動回路メタ
ライゼーションとを組合せた新規な集積回路をも提供す
る。
熱インクジェット・プリントについては多数の出版物に
記述されており、本発明に関連するこのような出版物の
一つは、1985年５月発行のヒューレット・パッカード・
ジャーナル、Vol.36、No.5である。
記述されており、本発明に関連するこのような出版物の
一つは、1985年５月発行のヒューレット・パッカード・
ジャーナル、Vol.36、No.5である。
熱インクジェット・プリントヘッドの製造において、タ
ンタル・アルミニウムのような所定の抵抗性材料上にア
ルミニウムの導電体を形成し、抵抗性材料内のリソグラ
フィで画定されたヒータ抵抗器に電流パルスを伝えるた
めの導電体とすることが知られている。これら導電体は
最初に抵抗性材料層の表面にアルミニウムをスパッタ
し、次いで従来のフォトリソグラフィのマスキングおよ
びエッチングのプロセスを利用してアルミニウム中に導
電体パターン（トレースパターン）を画定することによ
り形成される。
ンタル・アルミニウムのような所定の抵抗性材料上にア
ルミニウムの導電体を形成し、抵抗性材料内のリソグラ
フィで画定されたヒータ抵抗器に電流パルスを伝えるた
めの導電体とすることが知られている。これら導電体は
最初に抵抗性材料層の表面にアルミニウムをスパッタ
し、次いで従来のフォトリソグラフィのマスキングおよ
びエッチングのプロセスを利用してアルミニウム中に導
電体パターン（トレースパターン）を画定することによ
り形成される。
この技術分野においては、抵抗性材料および導電性材料
とインクの間に障壁層を形成するために、アルミニウム
・トレース材料と露出した抵抗性材料との上に炭化ケイ
素または窒化ケイ素のような不活性高融点（耐火）物質
を付着させることも知られている。このインクは個別の
溜めに貯蔵され、個別に規定された抵抗器から発生し、
障壁層を通過して障壁層の上のインク溜めに伝えられる
熱エネルギにより加熱される。インクは非常に腐食性が
あり、したがって障壁層は化学的に不活性であるととも
にインクを極度に通さないものであることが重要であ
る。
とインクの間に障壁層を形成するために、アルミニウム
・トレース材料と露出した抵抗性材料との上に炭化ケイ
素または窒化ケイ素のような不活性高融点（耐火）物質
を付着させることも知られている。このインクは個別の
溜めに貯蔵され、個別に規定された抵抗器から発生し、
障壁層を通過して障壁層の上のインク溜めに伝えられる
熱エネルギにより加熱される。インクは非常に腐食性が
あり、したがって障壁層は化学的に不活性であるととも
にインクを極度に通さないものであることが重要であ
る。
上記のプリントヘッド構造の障壁層を形成するのに使用
する付着プロセスにおいて、障壁層の下にあるアルミニ
ウム導電体のうちのエッチングによって除去されて下層
の抵抗層が現れている部分との境界である縁の近傍に相
当する障壁層の部分に曲率半径のかなり小さい曲面がで
きる。この曲面は障壁層である炭化ケイ素層に丸みを帯
びた縁を形成しており、最初はアルミニウム・トレース
の縁を越えて横方向外側へ延び、次に下にある抵抗性材
料が実際に発熱抵抗体として働く領域でアルミニウム・
トレースの縁方向へ向かって下に折り返す。この地点
で、炭化ケイ素の障壁層は、抵抗性材料上に直接付着し
ているところの、別の炭化ケイ素の概ね平坦な領域との
間で交差部分を形成する。この交差部分は、走査電子顕
微鏡（SEM）で観察すれば、脆弱な箇所あるいは領域で
あることを明示する障壁層材料中のクラック、つまりひ
び割れとして見える。この脆弱な箇所あるいは領域であ
るひび割れは、熱インクジェット・プリントヘッドの構
造上及び動作上の故障の原因となることが多い。何故な
らば、プリントヘッドの動作中、そこからインクが浸透
したり、インクの泡の崩壊によるキャビテーション損傷
を生ずるからである。
する付着プロセスにおいて、障壁層の下にあるアルミニ
ウム導電体のうちのエッチングによって除去されて下層
の抵抗層が現れている部分との境界である縁の近傍に相
当する障壁層の部分に曲率半径のかなり小さい曲面がで
きる。この曲面は障壁層である炭化ケイ素層に丸みを帯
びた縁を形成しており、最初はアルミニウム・トレース
の縁を越えて横方向外側へ延び、次に下にある抵抗性材
料が実際に発熱抵抗体として働く領域でアルミニウム・
トレースの縁方向へ向かって下に折り返す。この地点
で、炭化ケイ素の障壁層は、抵抗性材料上に直接付着し
ているところの、別の炭化ケイ素の概ね平坦な領域との
間で交差部分を形成する。この交差部分は、走査電子顕
微鏡（SEM）で観察すれば、脆弱な箇所あるいは領域で
あることを明示する障壁層材料中のクラック、つまりひ
び割れとして見える。この脆弱な箇所あるいは領域であ
るひび割れは、熱インクジェット・プリントヘッドの構
造上及び動作上の故障の原因となることが多い。何故な
らば、プリントヘッドの動作中、そこからインクが浸透
したり、インクの泡の崩壊によるキャビテーション損傷
を生ずるからである。
薄膜抵抗器基板の製造に対する上記の従来技術の方法に
従う特定の問題の他に、一般に、プリント速度とプリン
ト品質とが優れているように最適化したこれら構造内の
薄膜と流体キャビティは、プリント用抵抗器の動作寿命
を短かくすることがわかった。このことはエネルギの上
方許容差が大きくなければならない場合に特に正しい。
熱インクジェットのヒータ抵抗器のプリント寿命から得
られた抵抗器の老化曲線からヒータ抵抗器の早期消滅に
寄与する二つの機構が明確に明らかになる。一つは抵抗
器の端部近くで電気化学的および機械的相互作用により
抵抗値が急速に増大することである。第二は熱的に孤立
した層とパッシベーション層との境界酸化により生ずる
ゆっくりとした、しかし連続的な抵抗値の増大である。
簡単に述べると、抵抗値（オームで表わした）の増大に
寄与する機構はすべて、抵抗値が無限大になると抵抗器
が最終的に故障する方向に導く機構である。
従う特定の問題の他に、一般に、プリント速度とプリン
ト品質とが優れているように最適化したこれら構造内の
薄膜と流体キャビティは、プリント用抵抗器の動作寿命
を短かくすることがわかった。このことはエネルギの上
方許容差が大きくなければならない場合に特に正しい。
熱インクジェットのヒータ抵抗器のプリント寿命から得
られた抵抗器の老化曲線からヒータ抵抗器の早期消滅に
寄与する二つの機構が明確に明らかになる。一つは抵抗
器の端部近くで電気化学的および機械的相互作用により
抵抗値が急速に増大することである。第二は熱的に孤立
した層とパッシベーション層との境界酸化により生ずる
ゆっくりとした、しかし連続的な抵抗値の増大である。
簡単に述べると、抵抗値（オームで表わした）の増大に
寄与する機構はすべて、抵抗値が無限大になると抵抗器
が最終的に故障する方向に導く機構である。
本発明の一般的目的は、特に、障壁層材料内の上述のク
ラックを除き、障壁層におけるインクの浸透と不適当な
キャビテーション磨耗との関連問題を克服する新規且つ
改良された熱インクジェット・プリントヘッドの構造と
その製造法とを提供することである。
ラックを除き、障壁層におけるインクの浸透と不適当な
キャビテーション磨耗との関連問題を克服する新規且つ
改良された熱インクジェット・プリントヘッドの構造と
その製造法とを提供することである。
この目的を達成するために、プリントヘッド構造の抵抗
性ヒータ層を多結晶ケイ素か、ケイ化タンタルまたはケ
イ化チタンまたはケイ化タングステンまたはケイ化モリ
ブデンのような高融点（耐火）ケイ化物または多結晶シ
リコンのいずれかから形成する。次いで、タングステン
またはモリブデンのような高融点金属の導電材料を抵抗
性ヒータ層上に付着させる。次に、フォトリソグラフィ
により導電材料を一部除去する。この除去によって露出
した下層の抵抗性ヒータ層が気泡発生のための発熱体と
なる。次に、二酸化ケイ素の障壁層を化学的蒸着（CV
D）技術を利用して導電材料上に付着させ、次にリフロ
ーさせて導電材料の端部の上方の障壁層の区域にクラッ
クのない滑らかな段差面を形成する。最後に、タンタル
のような外側保護金層層をリフローした二酸化ケイ素障
壁層の頂部にスパッタしてインクの浸透およびキャビテ
ーション磨耗に対する隔離部を更に提供する。
性ヒータ層を多結晶ケイ素か、ケイ化タンタルまたはケ
イ化チタンまたはケイ化タングステンまたはケイ化モリ
ブデンのような高融点（耐火）ケイ化物または多結晶シ
リコンのいずれかから形成する。次いで、タングステン
またはモリブデンのような高融点金属の導電材料を抵抗
性ヒータ層上に付着させる。次に、フォトリソグラフィ
により導電材料を一部除去する。この除去によって露出
した下層の抵抗性ヒータ層が気泡発生のための発熱体と
なる。次に、二酸化ケイ素の障壁層を化学的蒸着（CV
D）技術を利用して導電材料上に付着させ、次にリフロ
ーさせて導電材料の端部の上方の障壁層の区域にクラッ
クのない滑らかな段差面を形成する。最後に、タンタル
のような外側保護金層層をリフローした二酸化ケイ素障
壁層の頂部にスパッタしてインクの浸透およびキャビテ
ーション磨耗に対する隔離部を更に提供する。
本発明の他の実施例においては、上述の新規なプリント
ヘッド構造は金層酸化物ケイ素電界効果トランジスタ
（MOSFET）ドライバのようなパルス駆動回路とともに、
新規なマルチレベル金属集積回路に組込まれる。この集
積回路では、メタライゼーションの第１レベルはタング
ステン、チタン、タンタル、またはモリブデンのような
高融点金属から成り、この金属は抵抗層においてプリン
トヘッド抵抗器の一つの寸法を画定するようにパターン
化されている。１つまたは複数のパッシベーション層が
メタライゼーションの第１レベル上に付着され、これに
１つまたは複数個の開口を形成するように選択的にエッ
チされる。次に、アルミニウムのような、メタライゼー
ションの第２レベルはこの開口内に付着されてメタライ
ゼーションの第１レベルと電気的接触をなし、これによ
りプリントヘッド抵抗器とMOSFETパルス駆動回路などと
の間に相互接続経路が形成される。このようにして、MO
Sあるいはバイポーラ・トランジスタまたは他の半導体
装置をシリコン基板の一領域に形成し、一方プリントヘ
ッド抵抗器を同じシリコン基板の表面上の他の領域に画
定し、形成することができる。次に、上記のマルチレベ
ル相互接続構造を利用して、これらトランジスタの出力
からのアルミニウム相互接続部を、新規なMOSFETドライ
バー・インクジェット・プリントヘッド集積回路構造内
の各種プリントヘッド抵抗器に通じた高融点金属接続部
に接続することができる。
ヘッド構造は金層酸化物ケイ素電界効果トランジスタ
（MOSFET）ドライバのようなパルス駆動回路とともに、
新規なマルチレベル金属集積回路に組込まれる。この集
積回路では、メタライゼーションの第１レベルはタング
ステン、チタン、タンタル、またはモリブデンのような
高融点金属から成り、この金属は抵抗層においてプリン
トヘッド抵抗器の一つの寸法を画定するようにパターン
化されている。１つまたは複数のパッシベーション層が
メタライゼーションの第１レベル上に付着され、これに
１つまたは複数個の開口を形成するように選択的にエッ
チされる。次に、アルミニウムのような、メタライゼー
ションの第２レベルはこの開口内に付着されてメタライ
ゼーションの第１レベルと電気的接触をなし、これによ
りプリントヘッド抵抗器とMOSFETパルス駆動回路などと
の間に相互接続経路が形成される。このようにして、MO
Sあるいはバイポーラ・トランジスタまたは他の半導体
装置をシリコン基板の一領域に形成し、一方プリントヘ
ッド抵抗器を同じシリコン基板の表面上の他の領域に画
定し、形成することができる。次に、上記のマルチレベ
ル相互接続構造を利用して、これらトランジスタの出力
からのアルミニウム相互接続部を、新規なMOSFETドライ
バー・インクジェット・プリントヘッド集積回路構造内
の各種プリントヘッド抵抗器に通じた高融点金属接続部
に接続することができる。
上に要約したプリントヘッドの構造と集積回路との利点
と新規な特徴とは図面を参照した以下の説明を参照する
ことにより一層良く理解され認識されるであろう。
と新規な特徴とは図面を参照した以下の説明を参照する
ことにより一層良く理解され認識されるであろう。
第１図は、本発明によるプリントヘッドの断面図、第2A
図から第2G図は第１図のプリントヘッドの製造工程図で
ある。
図から第2G図は第１図のプリントヘッドの製造工程図で
ある。
第１図においては、出発物質であるプリントヘッド基板
１はシリコンであり、その上に二酸化ケイ素の表面熱絶
縁層（隔離層）２がある。窒化ケイ素層３は二酸化ケイ
素層２の表面に付着され、そして、ケイ化タンタルの抵
抗層４は窒化ケイ素層３の表面上に付着され、これは後
述する幾何学的形状をなす抵抗性ヒータ素子の層材料と
なっている。
１はシリコンであり、その上に二酸化ケイ素の表面熱絶
縁層（隔離層）２がある。窒化ケイ素層３は二酸化ケイ
素層２の表面に付着され、そして、ケイ化タンタルの抵
抗層４は窒化ケイ素層３の表面上に付着され、これは後
述する幾何学的形状をなす抵抗性ヒータ素子の層材料と
なっている。
次の二つの層５および６は共にタングステンであり、そ
して窒化ケイ素の層７は第２のしかもより厚いタングス
テン層６の上面に形成され、図示の幾何学的形状にフォ
トリソグラフィにより画定され、ヒータ抵抗器の横方向
の範囲を決定している。次に、りんケイ酸ガラス（PS
G）の層８は窒化ケイ素層７の上面に形成され、そして
一層軽くドープされたりんガラス（phosphorous glas
s）の他の層９が前のガラス層８の上に形成されてい
る。誘電パッシベーション層７、８、および９は今はSF
6およびアルゴンのような乾性エッチャントを使用して
適切にエッチされる。
して窒化ケイ素の層７は第２のしかもより厚いタングス
テン層６の上面に形成され、図示の幾何学的形状にフォ
トリソグラフィにより画定され、ヒータ抵抗器の横方向
の範囲を決定している。次に、りんケイ酸ガラス（PS
G）の層８は窒化ケイ素層７の上面に形成され、そして
一層軽くドープされたりんガラス（phosphorous glas
s）の他の層９が前のガラス層８の上に形成されてい
る。誘電パッシベーション層７、８、および９は今はSF
6およびアルゴンのような乾性エッチャントを使用して
適切にエッチされる。
タンタルの層10はガラス層９の上面に付着され、さらに
アルミニウムの一層導電的な層11はタンタル層10の上に
付着される。これら相互接続層10と11とは素子構造の左
右の側で、それぞれ、ヒータ抵抗器および相互接続パッ
ドのための二つの表面障壁を画定するようにエッチされ
ている。第１図の左側のこれら導電層10と11とは層４内
に作られたヒータ抵抗器に対するパルス駆動回路のよう
な他の電子装置との電気接続体として働く。このよう
に、第１図のヒータ抵抗器は、新規な構造の金属酸化物
ケイ素（MOS）プリントヘッド集積回路において、タン
グステン層５および６により、相互接続パッド側の導体
10および11を介して、電気的に接続することができる。
たとえば、金属接触部11はメタライゼーションのストリ
ップの形で特定のMOSパルス駆動回路の出力回路として
動作するMOSドライバ電界効果トランジスタの出力すな
わちドレイン端子まで延長することができる。
アルミニウムの一層導電的な層11はタンタル層10の上に
付着される。これら相互接続層10と11とは素子構造の左
右の側で、それぞれ、ヒータ抵抗器および相互接続パッ
ドのための二つの表面障壁を画定するようにエッチされ
ている。第１図の左側のこれら導電層10と11とは層４内
に作られたヒータ抵抗器に対するパルス駆動回路のよう
な他の電子装置との電気接続体として働く。このよう
に、第１図のヒータ抵抗器は、新規な構造の金属酸化物
ケイ素（MOS）プリントヘッド集積回路において、タン
グステン層５および６により、相互接続パッド側の導体
10および11を介して、電気的に接続することができる。
たとえば、金属接触部11はメタライゼーションのストリ
ップの形で特定のMOSパルス駆動回路の出力回路として
動作するMOSドライバ電界効果トランジスタの出力すな
わちドレイン端子まで延長することができる。
次に第2A図から第2Gまでを参照すると、シリコン基板１
は典型的には厚さが15ミルから25ミルで、電気固有抵抗
は約20Ωcmであり、その上に第2A図に示すように厚さが
約1.6ミクロンの熱二酸化ケイ素の層２を備えている。
は典型的には厚さが15ミルから25ミルで、電気固有抵抗
は約20Ωcmであり、その上に第2A図に示すように厚さが
約1.6ミクロンの熱二酸化ケイ素の層２を備えている。
第2B図には低圧化学蒸着（LPCVD）によりSiO2層２の上
に付着している薄い0.1ミクロンの窒化ケイ素Si3N4の層
３を示してある。このプロセスおよび本明細書中で参照
する同様の他のプロセスは半導体処理技術では一般に良
く知られており、たとえば1979年にAddison−Wesleyか
ら発行の「Integrated Circuit Engineering Design,Fa
brication and Application」と題する本の237頁に述べ
られている。
に付着している薄い0.1ミクロンの窒化ケイ素Si3N4の層
３を示してある。このプロセスおよび本明細書中で参照
する同様の他のプロセスは半導体処理技術では一般に良
く知られており、たとえば1979年にAddison−Wesleyか
ら発行の「Integrated Circuit Engineering Design,Fa
brication and Application」と題する本の237頁に述べ
られている。
次に第2C図に示すように、抵抗層４はケイ化タンタルを
500Åと1000Åとの間の厚さにスパッタしてSi3N4層３上
に形成され、タングステン層５はこのステップに続いて
約250Åの厚さにスパッタすることにより形成される。
次に、より厚い、電気抵抗の低いタングステン層６が薄
いタングステン層５の上に化学蒸着（CVD）を利用して
約0.5ミクロンの厚さに成長される。次に、第2D図に示
すように、先に付着した導電層および抵抗層４、５、お
よび６を図示の幾何学的形状にエッチした後、プラズマ
高揚化学蒸着（PECVD）を使用して厚さ約1000Åの窒化
ケイ素SiNxHyの層７をタングステン層６の表面上に付着
させる。このPECVDプロセスは半導体処理技術の当業者
には既知であり、たとえば、1982年にNoyes Publicatio
nsが発行した「Deposition Technologies for Films an
d Coatings」と題する本の376頁以降に述べられてい
る。
500Åと1000Åとの間の厚さにスパッタしてSi3N4層３上
に形成され、タングステン層５はこのステップに続いて
約250Åの厚さにスパッタすることにより形成される。
次に、より厚い、電気抵抗の低いタングステン層６が薄
いタングステン層５の上に化学蒸着（CVD）を利用して
約0.5ミクロンの厚さに成長される。次に、第2D図に示
すように、先に付着した導電層および抵抗層４、５、お
よび６を図示の幾何学的形状にエッチした後、プラズマ
高揚化学蒸着（PECVD）を使用して厚さ約1000Åの窒化
ケイ素SiNxHyの層７をタングステン層６の表面上に付着
させる。このPECVDプロセスは半導体処理技術の当業者
には既知であり、たとえば、1982年にNoyes Publicatio
nsが発行した「Deposition Technologies for Films an
d Coatings」と題する本の376頁以降に述べられてい
る。
さらに第2D図に示すステップでは、りん含有量が約８パ
ーセントになるようにドープされたりんドープ・ガラス
SiO2の層８を化学蒸着（CVD）により図示の輪郭に形成
し、その後、この構造体を1000℃で約15分間アニーリン
グ（熱処理）し、ケイ化タンタルの抵抗層４を安定化
し、抵抗器端部上のりんドープされたまたはりんケイ酸
ガラス（PSG）をリフローさせる。次いで、りんケイ酸
ガラスの層９を層８の表面に厚さ約2000Åに形成し、り
ん含有量が約４パーセントになるようにドープする。こ
のPSG層９は、第2E図に示してあるが、以後に形成され
るアルミニウム最終導体を攻 する可能性のあるりん酸
の形成を排除するような働きをする。
ーセントになるようにドープされたりんドープ・ガラス
SiO2の層８を化学蒸着（CVD）により図示の輪郭に形成
し、その後、この構造体を1000℃で約15分間アニーリン
グ（熱処理）し、ケイ化タンタルの抵抗層４を安定化
し、抵抗器端部上のりんドープされたまたはりんケイ酸
ガラス（PSG）をリフローさせる。次いで、りんケイ酸
ガラスの層９を層８の表面に厚さ約2000Åに形成し、り
ん含有量が約４パーセントになるようにドープする。こ
のPSG層９は、第2E図に示してあるが、以後に形成され
るアルミニウム最終導体を攻 する可能性のあるりん酸
の形成を排除するような働きをする。
プロセスのこの点で、三重層パッシベーション（７、
８、および９）を第2F図に参照番号６で示すようにCVD
タングステン層までドライエッチする。次に、タンタル
のキャビテーション障壁10とアルミニウム最終相互接続
層11とがそれぞれ厚さ約0.6ミクロンおよび0.4ミクロン
にスパッタされる。これらのステップは第2G図に概要を
図示してあるが、第１図の複合集積回路構造と同一な合
成構造が完成される。パッドまたは相互接続層10および
11は湿式化学エッチング技術によりパターン化され第2G
図に示す装置の幾何学的形状を画定する。以下に本実施
例のプリントヘッドの各要素の寸法、性質について述べ
る。
８、および９）を第2F図に参照番号６で示すようにCVD
タングステン層までドライエッチする。次に、タンタル
のキャビテーション障壁10とアルミニウム最終相互接続
層11とがそれぞれ厚さ約0.6ミクロンおよび0.4ミクロン
にスパッタされる。これらのステップは第2G図に概要を
図示してあるが、第１図の複合集積回路構造と同一な合
成構造が完成される。パッドまたは相互接続層10および
11は湿式化学エッチング技術によりパターン化され第2G
図に示す装置の幾何学的形状を画定する。以下に本実施
例のプリントヘッドの各要素の寸法、性質について述べ
る。
〔発明の効果〕 このように、高融点局部接続メタライゼーション、すな
わち、タングステンにより、続いて付着されるりんドー
プケイ素ガラス（PSG）の高温リフローが可能となり、
これにより抵抗器電極端部をシールする新規なプリント
ヘッド装置の構造と製造法とが提供される。窒化ケイ素
の膜は抵抗膜の上下に形成され、したがって、有効な酸
化障壁として役立つとともに、上層の窒化ケイ素膜が更
に水分障壁として働く。高融点ケイ化物抵抗膜は優れた
高温安定性を示す他に、相互接続メタライゼーションを
施す前に構造体を1100℃までの熱処理に耐える能力があ
る。
わち、タングステンにより、続いて付着されるりんドー
プケイ素ガラス（PSG）の高温リフローが可能となり、
これにより抵抗器電極端部をシールする新規なプリント
ヘッド装置の構造と製造法とが提供される。窒化ケイ素
の膜は抵抗膜の上下に形成され、したがって、有効な酸
化障壁として役立つとともに、上層の窒化ケイ素膜が更
に水分障壁として働く。高融点ケイ化物抵抗膜は優れた
高温安定性を示す他に、相互接続メタライゼーションを
施す前に構造体を1100℃までの熱処理に耐える能力があ
る。
上記の構造体およびそのケイ化物層は集積回路処理に適
応できるとともに、論理状態を表わす抵抗器および駆動
トランジスタを製作した後に、抵抗層、導体層、および
パッシベーション層を作ることができる。本発明の非常
に重要な利点の一つはシリコンのような単独の共通の半
導体基板を基板の一領域にMOSまたはバイポーラ駆動ト
ランジスタを作り、基板の他の領域に熱インクジェット
・プリントヘッド抵抗器を作るのに使用することができ
るという事実である。その後でこれらの素子を上述のマ
ルチレベル金属相互接続方式を利用して相互に接続する
ことができる。
応できるとともに、論理状態を表わす抵抗器および駆動
トランジスタを製作した後に、抵抗層、導体層、および
パッシベーション層を作ることができる。本発明の非常
に重要な利点の一つはシリコンのような単独の共通の半
導体基板を基板の一領域にMOSまたはバイポーラ駆動ト
ランジスタを作り、基板の他の領域に熱インクジェット
・プリントヘッド抵抗器を作るのに使用することができ
るという事実である。その後でこれらの素子を上述のマ
ルチレベル金属相互接続方式を利用して相互に接続する
ことができる。
第１図は本発明によるプリントヘッドの断面図、第2A図
から第2G図は第１図のプリントヘッドの製造工程図であ
る。 1:シリコン基板、2:熱融離層（SiO2）、3:窒化ケイ素
層、4:抵抗層、5,6:タングステン層、7:窒化ケイ素層、
8,9:PSG層、10:タンタル層、11:アルミニウム層。
から第2G図は第１図のプリントヘッドの製造工程図であ
る。 1:シリコン基板、2:熱融離層（SiO2）、3:窒化ケイ素
層、4:抵抗層、5,6:タングステン層、7:窒化ケイ素層、
8,9:PSG層、10:タンタル層、11:アルミニウム層。
Claims (5)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に形成された薄膜抵抗
層と、前記薄膜抵抗層上に抵抗素子の寸法を画定するよ
うに形成された導電パターンと、前記導電パターンおよ
び前記抵抗素子上に形成され、リフローされた二酸化ケ
イ素層とを有する熱インクジェット・プリントヘッド用
発熱体。 - 【請求項２】前記リフローされた二酸化ケイ素層はりん
ケイ酸ガラス層であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の熱インクジェット・プリントヘッド用発熱
体。 - 【請求項３】前記二酸化ケイ素層に開設された開口部を
介して前記導電パターンに電気的に接続される相互接続
金属層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の熱インクジェット・プリントヘッド
用発熱体。 - 【請求項４】前記抵抗素子上の前記二酸化ケイ素層上に
金属の障壁層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項記載の熱インクジェット・プリント
ヘッド用発熱体。 - 【請求項５】前記導電パターン及び前記薄膜抵抗層の上
下に夫々窒化ケイ素の保護層を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第４項記載の熱インクジェ
ット・プリントヘッド用発熱体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/820,754 US4719477A (en) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | Integrated thermal ink jet printhead and method of manufacture |
| US820754 | 1986-01-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169660A JPS62169660A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0725164B2 true JPH0725164B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=25231632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007951A Expired - Fee Related JPH0725164B2 (ja) | 1986-01-17 | 1987-01-16 | 熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4719477A (ja) |
| EP (1) | EP0229673B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0725164B2 (ja) |
| CA (1) | CA1275854C (ja) |
| DE (1) | DE3780177T2 (ja) |
| HK (1) | HK46693A (ja) |
Families Citing this family (141)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862197A (en) * | 1986-08-28 | 1989-08-29 | Hewlett-Packard Co. | Process for manufacturing thermal ink jet printhead and integrated circuit (IC) structures produced thereby |
| US4947192A (en) * | 1988-03-07 | 1990-08-07 | Xerox Corporation | Monolithic silicon integrated circuit chip for a thermal ink jet printer |
| JPH0764072B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1995-07-12 | ゼロックス コーポレーション | バブル・インクジェット印字機構のシリコン集積回路チップ |
| ES2091990T3 (es) * | 1988-06-03 | 1996-11-16 | Canon Kk | Cabezal para impresion por emision de liquido, substrato para el mismo y aparato para la impresion por emision de liquido que utiliza dicho cabezal. |
| US5068674A (en) * | 1988-06-07 | 1991-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head stabilization |
| US5081474A (en) * | 1988-07-04 | 1992-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head having multi-layer matrix wiring |
| US5243363A (en) * | 1988-07-22 | 1993-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink-jet recording head having bump-shaped electrode and protective layer providing structural support |
| US5570119A (en) * | 1988-07-26 | 1996-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Multilayer device having integral functional element for use with an ink jet recording apparatus, and recording apparatus |
| US5216447A (en) * | 1989-01-13 | 1993-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head |
| JP2840271B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド |
| US5189436A (en) * | 1989-03-29 | 1993-02-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording method that selects a movement velocity in conformity with a recognized recording width to accomplish recording and recording apparatus using the same method |
| JP2933970B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1999-08-16 | キヤノン株式会社 | 記録方法及び前記記録方法を用いた記録装置 |
| EP0390548B1 (en) * | 1989-03-31 | 1995-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head and substrates therefor having pads |
| DE69031150T2 (de) * | 1989-05-30 | 1997-11-13 | Canon Kk | Tintenstrahlkopf |
| US5010355A (en) * | 1989-12-26 | 1991-04-23 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having ionic passivation of electrical circuitry |
| YU247189A (en) * | 1989-12-27 | 1991-10-31 | Biro Rijeka Ing | Silicon heating element |
| ATE158234T1 (de) * | 1990-01-25 | 1997-10-15 | Canon Kk | Tintenstrahlaufzeichnungskopf, substrat dafür und tintenstrahlaufzeichnungsgerät |
| JP2708596B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1998-02-04 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
| ES2087999T3 (es) * | 1990-02-26 | 1996-08-01 | Canon Kk | Substrato para cabezal para chorros de tinta. |
| US5063655A (en) * | 1990-04-02 | 1991-11-12 | International Business Machines Corp. | Method to integrate drive/control devices and ink jet on demand devices in a single printhead chip |
| US5045870A (en) * | 1990-04-02 | 1991-09-03 | International Business Machines Corporation | Thermal ink drop on demand devices on a single chip with vertical integration of driver device |
| CA2044402A1 (en) * | 1990-07-02 | 1992-01-03 | Abdul M. Elhatem | Thermal ink jet printhead and method of manufacture |
| US5081473A (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-14 | Xerox Corporation | Temperature control transducer and MOS driver for thermal ink jet printing chips |
| US6164759A (en) * | 1990-09-21 | 2000-12-26 | Seiko Epson Corporation | Method for producing an electrostatic actuator and an inkjet head using it |
| US6168263B1 (en) | 1990-09-21 | 2001-01-02 | Seiko Epson Corporation | Ink jet recording apparatus |
| US6113218A (en) * | 1990-09-21 | 2000-09-05 | Seiko Epson Corporation | Ink-jet recording apparatus and method for producing the head thereof |
| US5122812A (en) * | 1991-01-03 | 1992-06-16 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead having driver circuitry thereon and method for making the same |
| US5159353A (en) * | 1991-07-02 | 1992-10-27 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead structure and method for making the same |
| US5257042A (en) * | 1991-07-09 | 1993-10-26 | Xerox Corporation | Thermal ink jet transducer protection |
| US5322811A (en) * | 1991-08-01 | 1994-06-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a recording head with integrally housed semiconductor functional elements |
| SE9200555D0 (sv) * | 1992-02-25 | 1992-02-25 | Markpoint Dev Ab | A method of coating a piezoelectric substrate |
| US5300958A (en) * | 1992-02-28 | 1994-04-05 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for automatically cleaning the printhead of a thermal inkjet cartridge |
| US5317346A (en) * | 1992-03-04 | 1994-05-31 | Hewlett-Packard Company | Compound ink feed slot |
| US5648804A (en) | 1992-04-02 | 1997-07-15 | Hewlett-Packard Company | Compact inkjet substrate with centrally located circuitry and edge feed ink channels |
| US5594481A (en) | 1992-04-02 | 1997-01-14 | Hewlett-Packard Company | Ink channel structure for inkjet printhead |
| US5638101A (en) | 1992-04-02 | 1997-06-10 | Hewlett-Packard Company | High density nozzle array for inkjet printhead |
| US5648805A (en) | 1992-04-02 | 1997-07-15 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead architecture for high speed and high resolution printing |
| US5604519A (en) | 1992-04-02 | 1997-02-18 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead architecture for high frequency operation |
| US5563642A (en) | 1992-04-02 | 1996-10-08 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead architecture for high speed ink firing chamber refill |
| US5874974A (en) * | 1992-04-02 | 1999-02-23 | Hewlett-Packard Company | Reliable high performance drop generator for an inkjet printhead |
| US5363134A (en) * | 1992-05-20 | 1994-11-08 | Hewlett-Packard Corporation | Integrated circuit printhead for an ink jet printer including an integrated identification circuit |
| US5699093A (en) * | 1992-10-07 | 1997-12-16 | Hslc Technology Associates Inc | Ink jet print head |
| SG47435A1 (en) * | 1992-10-08 | 1998-04-17 | Hewlett Packard Co | Printhead with reduced interconnections to a printer |
| FI101911B (fi) * | 1993-04-07 | 1998-09-15 | Valtion Teknillinen | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde ja menetelmä sen valmist amiseksi |
| US5598189A (en) * | 1993-09-07 | 1997-01-28 | Hewlett-Packard Company | Bipolar integrated ink jet printhead driver |
| JPH0776080A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Canon Inc | 記録ヘッド用基体、記録ヘッド、記録ヘッドカートリッジおよび記録装置と、記録ヘッド用基体の製造方法 |
| US5396078A (en) * | 1993-09-22 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | Printer with optical data link to carriage |
| US5635968A (en) * | 1994-04-29 | 1997-06-03 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printer printhead with offset heater resistors |
| JP2844051B2 (ja) * | 1994-10-31 | 1999-01-06 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | サーマルヘッド |
| JP3376128B2 (ja) * | 1994-10-31 | 2003-02-10 | 能美防災株式会社 | 火災感知器用作動試験装置 |
| US5940095A (en) * | 1995-09-27 | 1999-08-17 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head identification circuit with serial out, dynamic shift registers |
| US5757394A (en) * | 1995-09-27 | 1998-05-26 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head identification circuit with programmed transistor array |
| DE19536429A1 (de) | 1995-09-29 | 1997-04-10 | Siemens Ag | Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zum Herstellen eines solchen Tintenstrahldruckkopfes |
| US5718044A (en) * | 1995-11-28 | 1998-02-17 | Hewlett-Packard Company | Assembly of printing devices using thermo-compressive welding |
| US6758552B1 (en) | 1995-12-06 | 2004-07-06 | Hewlett-Packard Development Company | Integrated thin-film drive head for thermal ink-jet printer |
| US5883650A (en) * | 1995-12-06 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| US6239820B1 (en) | 1995-12-06 | 2001-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| US5751315A (en) * | 1996-04-16 | 1998-05-12 | Xerox Corporation | Thermal ink-jet printhead with a thermally isolated heating element in each ejector |
| US5781211A (en) * | 1996-07-23 | 1998-07-14 | Bobry; Howard H. | Ink jet recording head apparatus |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| US5943076A (en) * | 1997-02-24 | 1999-08-24 | Xerox Corporation | Printhead for thermal ink jet devices |
| US6209991B1 (en) | 1997-03-04 | 2001-04-03 | Hewlett-Packard Company | Transition metal carbide films for applications in ink jet printheads |
| US6155674A (en) * | 1997-03-04 | 2000-12-05 | Hewlett-Packard Company | Structure to effect adhesion between substrate and ink barrier in ink jet printhead |
| US6234612B1 (en) * | 1997-03-25 | 2001-05-22 | Lexmark International, Inc. | Ink jet printing apparatus having first and second print cartridges receiving energy pulses from a common drive circuit |
| US5827762A (en) * | 1997-05-02 | 1998-10-27 | National Semiconductor Corporation | Method for forming buried interconnect structue having stability at high temperatures |
| US6110754A (en) * | 1997-07-15 | 2000-08-29 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a thermal elastic rotary impeller ink jet print head |
| US6659596B1 (en) | 1997-08-28 | 2003-12-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ink-jet printhead and method for producing the same |
| US6286939B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-09-11 | Hewlett-Packard Company | Method of treating a metal surface to increase polymer adhesion |
| US6575548B1 (en) | 1997-10-28 | 2003-06-10 | Hewlett-Packard Company | System and method for controlling energy characteristics of an inkjet printhead |
| US6154229A (en) | 1997-10-28 | 2000-11-28 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet print head and printer temperature control apparatus and method |
| US6532027B2 (en) | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
| US6303274B1 (en) | 1998-03-02 | 2001-10-16 | Hewlett-Packard Company | Ink chamber and orifice shape variations in an ink-jet orifice plate |
| US6126277A (en) * | 1998-04-29 | 2000-10-03 | Hewlett-Packard Company | Non-kogating, low turn on energy thin film structure for very low drop volume thermal ink jet pens |
| US6435668B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-08-20 | Hewlett-Packard Company | Warming device for controlling the temperature of an inkjet printhead |
| US6705694B1 (en) | 1999-02-19 | 2004-03-16 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | High performance printing system and protocol |
| US6755495B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated control of power delivery to firing resistors for printhead assembly |
| US6318828B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-11-20 | Hewlett-Packard Company | System and method for controlling firing operations of an inkjet printhead |
| US6476928B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-11-05 | Hewlett-Packard Co. | System and method for controlling internal operations of a processor of an inkjet printhead |
| US6729707B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-05-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-calibration of power delivery control to firing resistors |
| US6315384B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead and high-efficiency polycrystalline silicon resistor system for use therein |
| US6328428B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-12-11 | Hewlett-Packard Company | Ink-jet printhead and method of producing same |
| US6260952B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-07-17 | Hewlett-Packard Company | Apparatus and method for routing power and ground lines in a ink-jet printhead |
| US6439697B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-08-27 | Hewlett-Packard Company | Dynamic memory based firing cell of thermal ink jet printhead |
| US7036914B1 (en) | 1999-07-30 | 2006-05-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with fire cells |
| US6299292B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-10-09 | Lexmark International, Inc. | Driver circuit with low side data for matrix inkjet printhead, and method therefor |
| US6132032A (en) * | 1999-08-13 | 2000-10-17 | Hewlett-Packard Company | Thin-film print head for thermal ink-jet printers |
| US6137502A (en) * | 1999-08-27 | 2000-10-24 | Lexmark International, Inc. | Dual droplet size printhead |
| JP2001098357A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Citizen Watch Co Ltd | タングステン膜とその製造方法ならびに薄膜ヒーターとその製造方法 |
| US6267471B1 (en) * | 1999-10-26 | 2001-07-31 | Hewlett-Packard Company | High-efficiency polycrystalline silicon resistor system for use in a thermal inkjet printhead |
| TW514596B (en) | 2000-02-28 | 2002-12-21 | Hewlett Packard Co | Glass-fiber thermal inkjet print head |
| TW455548B (en) * | 2000-03-15 | 2001-09-21 | Ind Tech Res Inst | Structure of inkjet printhead chip and method for detecting the lifespan and defect thereof |
| US6398346B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-06-04 | Lexmark International, Inc. | Dual-configurable print head addressing |
| US6305774B1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Hewlett-Packard Company | Printhead substrate having an ink jet primitive structure that spans both edges of an ink feed channel |
| US6487973B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-12-03 | Halliburton Energy Services, Inc. | Method and apparatus for locking charges into a charge holder |
| US6431677B1 (en) | 2000-06-08 | 2002-08-13 | Lexmark International, Inc | Print head drive scheme |
| US6309053B1 (en) | 2000-07-24 | 2001-10-30 | Hewlett-Packard Company | Ink jet printhead having a ground bus that overlaps transistor active regions |
| US6412919B1 (en) | 2000-09-05 | 2002-07-02 | Hewlett-Packard Company | Transistor drop ejectors in ink-jet print heads |
| US7095309B1 (en) * | 2000-10-20 | 2006-08-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | Thermoelastic actuator design |
| EP1221372B1 (en) * | 2001-01-05 | 2005-06-08 | Hewlett-Packard Company | Integrated programmable fire pulse generator for inkjet printhead assembly |
| US6585339B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-07-01 | Hewlett Packard Co | Module manager for wide-array inkjet printhead assembly |
| US7594507B2 (en) | 2001-01-16 | 2009-09-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal generation of droplets for aerosol |
| US6441838B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-08-27 | Hewlett-Packard Company | Method of treating a metal surface to increase polymer adhesion |
| US6412917B1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-07-02 | Hewlett-Packard Company | Energy balanced printhead design |
| US6478404B2 (en) | 2001-01-30 | 2002-11-12 | Hewlett-Packard Company | Ink jet printhead |
| US6523935B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-02-25 | Hewlett-Packard Company | Narrow ink jet printhead |
| US6726298B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Low voltage differential signaling communication in inkjet printhead assembly |
| US6478396B1 (en) | 2001-03-02 | 2002-11-12 | Hewlett-Packard Company | Programmable nozzle firing order for printhead assembly |
| US6471320B2 (en) | 2001-03-09 | 2002-10-29 | Hewlett-Packard Company | Data bandwidth reduction to printhead with redundant nozzles |
| US6447104B1 (en) | 2001-03-13 | 2002-09-10 | Hewlett-Packard Company | Firing chamber geometry for inkjet printhead |
| US6883894B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead with looped gate transistor structures |
| US6534850B2 (en) * | 2001-04-16 | 2003-03-18 | Hewlett-Packard Company | Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation |
| US6565195B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-05-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Feed channels of a fluid ejection device |
| US6386687B1 (en) * | 2001-06-05 | 2002-05-14 | Hewlett-Packard Company | Barrier adhesion by patterning gold |
| US6422676B1 (en) | 2001-06-19 | 2002-07-23 | Hewlett-Packard Company | Compact ink jet printhead |
| US6460974B1 (en) | 2001-07-27 | 2002-10-08 | Hewlett-Packard Company | Micro-pump and method for generating fluid flow |
| US7160806B2 (en) * | 2001-08-16 | 2007-01-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead processing with silicon etching |
| US6740536B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-05-25 | Hewlett-Packard Develpment Corporation, L.P. | Devices and methods for integrated circuit manufacturing |
| JP2003224269A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-08-08 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路を製造するための装置および方法 |
| US6932453B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead assembly having very high drop rate generation |
| US6543879B1 (en) | 2001-10-31 | 2003-04-08 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead assembly having very high nozzle packing density |
| US6746107B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead having ink feed channels defined by thin-film structure and orifice layer |
| US7357486B2 (en) * | 2001-12-20 | 2008-04-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of laser machining a fluid slot |
| EP1769872A3 (en) * | 2001-12-20 | 2007-04-11 | Hewlett-Packard Company | Method of laser machining a fluid slot |
| US20030155328A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Huth Mark C. | Laser micromachining and methods and systems of same |
| US6726300B2 (en) | 2002-04-29 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fire pulses in a fluid ejection device |
| US6607264B1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-08-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid controlling apparatus |
| KR100425328B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 잉크 젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 |
| US6885083B2 (en) * | 2002-10-31 | 2005-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Drop generator die processing |
| ITTO20021100A1 (it) * | 2002-12-19 | 2004-06-20 | Olivetti Jet Spa | Testina di stampa a getto d'inchiostro perfezionata e relativo processo di fabbricazione |
| US6926390B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming mixed-phase compressive tantalum thin films using nitrogen residual gas, thin films and fluid ejection devices including same |
| US6893116B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-05-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with compressive alpha-tantalum layer |
| US6955835B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for forming compressive alpha-tantalum on substrates and devices including the same |
| US6896355B2 (en) | 2003-06-02 | 2005-05-24 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Printhead positioning mechanism |
| ATE376935T1 (de) | 2003-09-17 | 2007-11-15 | Hewlett Packard Development Co | Ein vielzahl von sperrschichten |
| US7401875B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Inkjet printhead incorporating a memory array |
| US7150516B2 (en) * | 2004-09-28 | 2006-12-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated circuit and method for manufacturing |
| EP1905601B1 (en) * | 2005-07-08 | 2013-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal ink jet ink and ink cartridge using the same |
| US8029105B2 (en) * | 2007-10-17 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | Ambient plasma treatment of printer components |
| US8376523B2 (en) * | 2010-04-21 | 2013-02-19 | Lexmark International, Inc. | Capping layer for insulator in micro-fluid ejection heads |
| CN107921784B (zh) * | 2015-07-30 | 2019-09-27 | 京瓷株式会社 | 热敏头及热敏打印机 |
| KR102659138B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2024-04-22 | 시크파 홀딩 에스에이 | 열 잉크젯 프린트헤드를 형성하는 방법, 열 잉크젯 프린트헤드, 및 반도체 웨이퍼 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3515850A (en) * | 1967-10-02 | 1970-06-02 | Ncr Co | Thermal printing head with diffused printing elements |
| US3609294A (en) * | 1969-10-10 | 1971-09-28 | Ncr Co | Thermal printing head with thin film printing elements |
| US3852563A (en) * | 1974-02-01 | 1974-12-03 | Hewlett Packard Co | Thermal printing head |
| US3953264A (en) * | 1974-08-29 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Integrated heater element array and fabrication method |
| US4168343A (en) * | 1976-03-11 | 1979-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal printing head |
| US4232213A (en) * | 1979-01-15 | 1980-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal head |
| US4429321A (en) * | 1980-10-23 | 1984-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording device |
| JPH0624855B2 (ja) * | 1983-04-20 | 1994-04-06 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド |
| US4513298A (en) * | 1983-05-25 | 1985-04-23 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead |
| US4472875A (en) * | 1983-06-27 | 1984-09-25 | Teletype Corporation | Method for manufacturing an integrated circuit device |
| US4535343A (en) * | 1983-10-31 | 1985-08-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead with self-passivating elements |
| DE3446968A1 (de) * | 1983-12-26 | 1985-07-04 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Fluessigkeitsstrahlaufzeichnungskopf |
| US4532530A (en) * | 1984-03-09 | 1985-07-30 | Xerox Corporation | Bubble jet printing device |
| JPS61118736U (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-26 |
-
1986
- 1986-01-17 US US06/820,754 patent/US4719477A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-01-15 CA CA000527410A patent/CA1275854C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-16 JP JP62007951A patent/JPH0725164B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-16 DE DE8787100521T patent/DE3780177T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-16 EP EP87100521A patent/EP0229673B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-05-13 HK HK466/93A patent/HK46693A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0229673A3 (en) | 1989-07-26 |
| EP0229673A2 (en) | 1987-07-22 |
| JPS62169660A (ja) | 1987-07-25 |
| US4719477A (en) | 1988-01-12 |
| DE3780177T2 (de) | 1993-03-04 |
| CA1275854C (en) | 1990-11-06 |
| HK46693A (en) | 1993-05-21 |
| DE3780177D1 (de) | 1992-08-13 |
| EP0229673B1 (en) | 1992-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0725164B2 (ja) | 熱インクジェット・プリントヘッド用発熱体 | |
| CA1277774C (en) | Process for manufacturing thermal ink jet printhead and integrated circuit (ic) structures produced thereby | |
| KR930004984B1 (ko) | 반도체 집적회로 장치의 제조방법 | |
| EP0778139B1 (en) | Integrated thin-film drive head for thermal ink-jet printer | |
| EP0070737B1 (en) | Semiconductor device having an electrode, and method for producing the same | |
| JPH0572099B2 (ja) | ||
| KR930008978B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPS60195975A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0018175B1 (en) | Process for producing an electrode on a semiconductor device | |
| JPH0685414B2 (ja) | チタニウムタングステンおよび選択的ｃｖｄタングステンによる凹部相互接続方法 | |
| TW200526420A (en) | Method for manufacturing liquid ejection head | |
| JPH11216863A (ja) | サーマルインクジェットプリントヘッド | |
| JPH024131B2 (ja) | ||
| US20100320608A1 (en) | Semiconductor Substrate Contact VIA | |
| EP2075132B1 (en) | Thermal inkjet printhead chip structure and manufacturing method for the same | |
| US6713384B1 (en) | Contact integration method | |
| TWI703052B (zh) | 熱印頭元件、熱印頭模組及其製造方法 | |
| RU2263998C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочной структуры межсоединений принтерной головки с тонкопленочным резистором | |
| JPS58116751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0172542B1 (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| JPS5913345A (ja) | 半導体装置 | |
| TW201313490A (zh) | 噴墨頭加熱晶片及其製造方法 | |
| JPH0558564B2 (ja) | ||
| JPS58197855A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1084041A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |