JPH0572099B2 - - Google Patents
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- JPH0572099B2 JPH0572099B2 JP63055950A JP5595088A JPH0572099B2 JP H0572099 B2 JPH0572099 B2 JP H0572099B2 JP 63055950 A JP63055950 A JP 63055950A JP 5595088 A JP5595088 A JP 5595088A JP H0572099 B2 JPH0572099 B2 JP H0572099B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
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- H—ELECTRICITY
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- H—ELECTRICITY
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- Y10T428/12576—Boride, carbide or nitride component
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
発明の分野
この発明は、半導体装置のための配線機構に関
するものであり、より特定的に言えば、優れた信
頼性および高速度を示すが犬の骨のように重なつ
ているコンタクトを必要としないそのような装置
のための配線システムに関するものである。
するものであり、より特定的に言えば、優れた信
頼性および高速度を示すが犬の骨のように重なつ
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先行技術の説明
一般に、低い電気抵抗率でかつドライエツチン
グによつてパターン化するのが容易な、エレクト
ロマイグレーシヨン応力に対して非常に強い抵抗
力のある集積回路（IC）配線材料は１つもない。
将来可能性のある例外の１つは金であるが、これ
は非常に高価であり、現在ドライエツチングによ
つてパターン化するのが不可能でありかつ複雑な
粘着層およびバリヤを用いることを必要とする。
グによつてパターン化するのが容易な、エレクト
ロマイグレーシヨン応力に対して非常に強い抵抗
力のある集積回路（IC）配線材料は１つもない。
将来可能性のある例外の１つは金であるが、これ
は非常に高価であり、現在ドライエツチングによ
つてパターン化するのが不可能でありかつ複雑な
粘着層およびバリヤを用いることを必要とする。
残りの２つの可能性のある例外は、タングステ
ンおよびモリブデンであり、これらは適度に低い
抵抗率を持つているにすぎないが、ドライエツチ
ングでパターン化できかつ非常に良好なエレクト
ロマイグレーシヨン抵抗を有する。タングステン
およびモリブデンは、酸化物にあまり粘着せず、
かつしばしば非常に応力を加えられ、それ結果層
剥離が生じる。気相成長（CVD）によつて析出
されるようなタングステンは、10μΩ−cmほど低
い抵抗率を有することができ、これはアルミニウ
ムの抵抗率の約３倍である。現在では、CVDタ
ングステンは、酸化物に粘着するのになお粘着層
を必要とする。これは、それがSiO2を減じるこ
とができないためである。
ンおよびモリブデンであり、これらは適度に低い
抵抗率を持つているにすぎないが、ドライエツチ
ングでパターン化できかつ非常に良好なエレクト
ロマイグレーシヨン抵抗を有する。タングステン
およびモリブデンは、酸化物にあまり粘着せず、
かつしばしば非常に応力を加えられ、それ結果層
剥離が生じる。気相成長（CVD）によつて析出
されるようなタングステンは、10μΩ−cmほど低
い抵抗率を有することができ、これはアルミニウ
ムの抵抗率の約３倍である。現在では、CVDタ
ングステンは、酸化物に粘着するのになお粘着層
を必要とする。これは、それがSiO2を減じるこ
とができないためである。
したがつて、IC配線において優れた信頼性お
よび高性能の両方を有するために、CVDまたは
スパツタリングのいずれかによつて析出されるよ
うな耐エレクトロマイグレーシヨンタングステン
（またはモリブデン）と、アルミニウム、金また
は銅のような速度に対する低抵抗率材料とが組合
わされるべきであるように思われる。前で述べた
ように、金の使用（銅の使用）は、現在のフオト
レジストマスキング技術の使用が制限されるとす
れば、現在ドライエツチングの使用を妨げ、この
ことはエツチング温度偏位を制限する。過度の温
度がなければ、銅は良好な選択性でドライエツチ
ングされ得ない。
よび高性能の両方を有するために、CVDまたは
スパツタリングのいずれかによつて析出されるよ
うな耐エレクトロマイグレーシヨンタングステン
（またはモリブデン）と、アルミニウム、金また
は銅のような速度に対する低抵抗率材料とが組合
わされるべきであるように思われる。前で述べた
ように、金の使用（銅の使用）は、現在のフオト
レジストマスキング技術の使用が制限されるとす
れば、現在ドライエツチングの使用を妨げ、この
ことはエツチング温度偏位を制限する。過度の温
度がなければ、銅は良好な選択性でドライエツチ
ングされ得ない。
CVDタングステンを、アルミニウム（スパツ
タリングによつて）あるいは金または銅（スパツ
タリングまたはめつきによつて）のいずれかで被
覆することは何度も提案されてきた。これらの方
法は、配線の抵抗率を減じるのに役立つが、高融
点材料があるため、エレクトロマイグレーシヨン
によつて誘起された空〓が生じることかつ電気的
な開路に対する高い抵抗力を維持する。しかしな
がら、これらの方法は多くの新たな問題を加え
る。
タリングによつて）あるいは金または銅（スパツ
タリングまたはめつきによつて）のいずれかで被
覆することは何度も提案されてきた。これらの方
法は、配線の抵抗率を減じるのに役立つが、高融
点材料があるため、エレクトロマイグレーシヨン
によつて誘起された空〓が生じることかつ電気的
な開路に対する高い抵抗力を維持する。しかしな
がら、これらの方法は多くの新たな問題を加え
る。
IC産業内での最近の信頼性の試験は、アルミ
ニウムが、チタン、チタンタングステン、窒化チ
タン、タングステンまたはモリブデンのような耐
エレクトロマイグレーシヨン高融点金属の下にあ
るか、上にあるかまたは中間にあるとき、新たな
形をとり得ることを示しつつある。起こること
は、高融点膜は、配線のクラツド金属の交互重ね
構造全体をすつかり貫通することから、エレクト
ロマイグレーシヨンによつて誘起される開路また
は空〓を実際に除去するということである。すな
わち、アルミニウムはなお移動しかつ空〓を生じ
るが、配線の高融点部分は移動せずかつ空〓を生
じない。
ニウムが、チタン、チタンタングステン、窒化チ
タン、タングステンまたはモリブデンのような耐
エレクトロマイグレーシヨン高融点金属の下にあ
るか、上にあるかまたは中間にあるとき、新たな
形をとり得ることを示しつつある。起こること
は、高融点膜は、配線のクラツド金属の交互重ね
構造全体をすつかり貫通することから、エレクト
ロマイグレーシヨンによつて誘起される開路また
は空〓を実際に除去するということである。すな
わち、アルミニウムはなお移動しかつ空〓を生じ
るが、配線の高融点部分は移動せずかつ空〓を生
じない。
生憎、高融点材料があるときアルミニウムは一
層速くかつより均一に移動する、というのは少な
くとも１つの新たな大きな面積の境界面すなわち
高融点材料／アルミニウム境界面はアルミニウム
が移動するのに利用できるからである。したがつ
て、空〓による電気的な開路は、新たな可能性の
ある障害を引き起こすことを犠牲にして除去され
る。その新たな可能性のある障害は、アルミニウ
ムウイスカーの形成である。要するに、ラインに
沿つて、かつ新たな境界面を、電子の流れの方向
に流れる増量したアルミニウムは、ラインの端部
で積重なり、かつ最後にアルミニウムウイスカー
の形で突然現われ、隣接する誘電体の上層を切断
しかつ電気的な短絡を生じる。
層速くかつより均一に移動する、というのは少な
くとも１つの新たな大きな面積の境界面すなわち
高融点材料／アルミニウム境界面はアルミニウム
が移動するのに利用できるからである。したがつ
て、空〓による電気的な開路は、新たな可能性の
ある障害を引き起こすことを犠牲にして除去され
る。その新たな可能性のある障害は、アルミニウ
ムウイスカーの形成である。要するに、ラインに
沿つて、かつ新たな境界面を、電子の流れの方向
に流れる増量したアルミニウムは、ラインの端部
で積重なり、かつ最後にアルミニウムウイスカー
の形で突然現われ、隣接する誘電体の上層を切断
しかつ電気的な短絡を生じる。
したがつて、配線のエレクトロマイグレーシヨ
ンについての心配は、短絡の１つとなり、かつ試
験は、開路のためになされ得るので、分離された
配線上ではもはなされ得ない。この発明は、より
容易な開路または空〓が生じる問題も解決しつ
つ、アルミニウムウイスカーの問題を抑えまたは
除去する。さらに、この発明の結果、100％タン
グステン−タングステンコンタクトまたはタング
ステン−シリコンコンタクトが生じ、これらはア
ルミニウムコンタクトよりずつとエレクトロマイ
グレーシヨンに対して抵抗力がある一方また、コ
ンタクトのステツプカバレツジを従来のアルミニ
ウムコンタクトに典型的な25ないし50％の範囲か
ら100％まで増加させる。より良いステツプカバ
レツジは、段での厚さの減少がないため、より良
いエレクトロマイグレーシヨン抵抗を意味する。
ンについての心配は、短絡の１つとなり、かつ試
験は、開路のためになされ得るので、分離された
配線上ではもはなされ得ない。この発明は、より
容易な開路または空〓が生じる問題も解決しつ
つ、アルミニウムウイスカーの問題を抑えまたは
除去する。さらに、この発明の結果、100％タン
グステン−タングステンコンタクトまたはタング
ステン−シリコンコンタクトが生じ、これらはア
ルミニウムコンタクトよりずつとエレクトロマイ
グレーシヨンに対して抵抗力がある一方また、コ
ンタクトのステツプカバレツジを従来のアルミニ
ウムコンタクトに典型的な25ないし50％の範囲か
ら100％まで増加させる。より良いステツプカバ
レツジは、段での厚さの減少がないため、より良
いエレクトロマイグレーシヨン抵抗を意味する。
クラツドタングステン(W)方法の３つの定期的に
提案された変形は、CVDタングステンの頂部を
アルミニウムまたは金のいずれかで被覆すること
（「キヤツプ」と呼ばれる）、またはCVDタングス
テンの頂部および側面を金で被覆すること（「封
止」と呼ばれる）を含み、（このタングステンは、
半導体基板上に予め析出されかつパターン化され
ている）。
提案された変形は、CVDタングステンの頂部を
アルミニウムまたは金のいずれかで被覆すること
（「キヤツプ」と呼ばれる）、またはCVDタングス
テンの頂部および側面を金で被覆すること（「封
止」と呼ばれる）を含み、（このタングステンは、
半導体基板上に予め析出されかつパターン化され
ている）。
最初の２つの変形は、ライン高さのライン幅に
対するアスペクト比の実質的な増加を生じ、なら
びに複雑な多段階プラズマドライエツチング工程
を用いることを必要とする。厚さが増加するた
め、金属ライン上を覆う後の酸化物プレーナ化と
いう既に困難な仕事がなお一層困難となる。第３
の変形は、金めつきを使用することを必要とする
が、そのイオンおよび有機物がきたなくかつ制御
が困難であるため、IC処理技師には非常に嫌な
ことである。
対するアスペクト比の実質的な増加を生じ、なら
びに複雑な多段階プラズマドライエツチング工程
を用いることを必要とする。厚さが増加するた
め、金属ライン上を覆う後の酸化物プレーナ化と
いう既に困難な仕事がなお一層困難となる。第３
の変形は、金めつきを使用することを必要とする
が、そのイオンおよび有機物がきたなくかつ制御
が困難であるため、IC処理技師には非常に嫌な
ことである。
さらに、CMOS技術で金を使用することは意
外な問題を引き起こす、というのは金はMOS素
子では非常に有効なライフタイムキラーであるか
らである。金を使用する結果また、その金とその
上にある酸化物との間の境界面の接着結合が不十
分となる。したがつて、接着ならびにそのような
配線／酸化物境界面に沿つて水分が入つてくるこ
とは、信頼性の問題となる。
外な問題を引き起こす、というのは金はMOS素
子では非常に有効なライフタイムキラーであるか
らである。金を使用する結果また、その金とその
上にある酸化物との間の境界面の接着結合が不十
分となる。したがつて、接着ならびにそのような
配線／酸化物境界面に沿つて水分が入つてくるこ
とは、信頼性の問題となる。
さらに、今日実施されているようなCVDタン
グステンは、CVDタングステンシリサイド
（WSix）またはアモルフアスシリコン（α−Si）
粘着層を使用してもよく、これらは約200℃の非
常に低い温度でも金が素子接合部へ浸透するのを
防ぐという取るに足りない能力を有するだろう。
グステンは、CVDタングステンシリサイド
（WSix）またはアモルフアスシリコン（α−Si）
粘着層を使用してもよく、これらは約200℃の非
常に低い温度でも金が素子接合部へ浸透するのを
防ぐという取るに足りない能力を有するだろう。
次に、さらに他のエレクトロマイグレーシヨン
の問題に戻ると、下にあるシリコンまで形成され
るコンタクトまたは金属層間のコンタクトでのエ
レクトロマイグレーシヨンは、急速に他の最も有
力な破損機能となりつつある。そのようなコンタ
クトは、望ましくない汚染が混ざる場合、特に信
頼性がない。たとえば、CVDタングステンまた
はWSixの上位レベルの配線から下つてアルミニ
ウムで覆われた下位レベルの配線までの金属間コ
ンタクトを形成する結果、高い電気抵抗を有する
フツ化アルミニウム化合物のタングステン／アル
ミニウム境界面またはWSx／アルミニウム境界面
が形成される。
の問題に戻ると、下にあるシリコンまで形成され
るコンタクトまたは金属層間のコンタクトでのエ
レクトロマイグレーシヨンは、急速に他の最も有
力な破損機能となりつつある。そのようなコンタ
クトは、望ましくない汚染が混ざる場合、特に信
頼性がない。たとえば、CVDタングステンまた
はWSixの上位レベルの配線から下つてアルミニ
ウムで覆われた下位レベルの配線までの金属間コ
ンタクトを形成する結果、高い電気抵抗を有する
フツ化アルミニウム化合物のタングステン／アル
ミニウム境界面またはWSx／アルミニウム境界面
が形成される。
この形成は、CVDタングステン処理化学にお
いてWF6反応物にアルミニウムがさらされるた
めでである。そのような汚れたコンタクトは、汚
れていないアルミニウム−アルミニウムコンタク
トと比べて、素早くエレクトロマイグレーシヨン
応力下で障害を起こすだろう。汚れていないが異
なる高融点／アルミニウム境界面は、アルミニウ
ム原子を移動させることによつて見られるような
不連続として作用するので、汚れていないタング
ステン−アルミニウムコンタクトの性能は後者の
２つの間で下がるだろう。１つの材料が不十分な
エレクトロマイグレーシヨン抵抗を有するとき、
急なコンタクト境界面を形成する異なる材料を持
たない方が常に良い。
いてWF6反応物にアルミニウムがさらされるた
めでである。そのような汚れたコンタクトは、汚
れていないアルミニウム−アルミニウムコンタク
トと比べて、素早くエレクトロマイグレーシヨン
応力下で障害を起こすだろう。汚れていないが異
なる高融点／アルミニウム境界面は、アルミニウ
ム原子を移動させることによつて見られるような
不連続として作用するので、汚れていないタング
ステン−アルミニウムコンタクトの性能は後者の
２つの間で下がるだろう。１つの材料が不十分な
エレクトロマイグレーシヨン抵抗を有するとき、
急なコンタクト境界面を形成する異なる材料を持
たない方が常に良い。
上述のフツ化アルミニウムの問題を避けるため
に、アルミニウム−クラツドの下にあるタングス
テン配線まで下方へコンタクトエツチングしてい
る間、どの露出されたアルミニウムもエツチング
除去され得ると論じられているが、このことは、
実施において、既に深いコンタクトホールの底部
にエツチングされているアルミニウムキヤツプ上
の側壁重合体形成に関する問題なしで済ますのは
非常に困難である。狭いコンタクトに重合体側壁
残留物を形成することは、後に高温タングステン
CVD化学を理解しなければならないが、重要な
除気問題となり、かつ重合体を除去するために
CVDの前に従来のコンタクトスパツタエツチン
グ予備洗浄をする能力は、重合体に近づきにくい
ため非常に制限されるだろう。そのような重合体
は、異方性エツチングを促進するために設計され
る通常のアルミニウムエツチング工程ならびにシ
リコンおよび銅でドープされたアルミニウムが用
いられる場合にはシリコンまたは銅の除去の結果
として、コンタクト側壁上に生じる。
に、アルミニウム−クラツドの下にあるタングス
テン配線まで下方へコンタクトエツチングしてい
る間、どの露出されたアルミニウムもエツチング
除去され得ると論じられているが、このことは、
実施において、既に深いコンタクトホールの底部
にエツチングされているアルミニウムキヤツプ上
の側壁重合体形成に関する問題なしで済ますのは
非常に困難である。狭いコンタクトに重合体側壁
残留物を形成することは、後に高温タングステン
CVD化学を理解しなければならないが、重要な
除気問題となり、かつ重合体を除去するために
CVDの前に従来のコンタクトスパツタエツチン
グ予備洗浄をする能力は、重合体に近づきにくい
ため非常に制限されるだろう。そのような重合体
は、異方性エツチングを促進するために設計され
る通常のアルミニウムエツチング工程ならびにシ
リコンおよび銅でドープされたアルミニウムが用
いられる場合にはシリコンまたは銅の除去の結果
として、コンタクト側壁上に生じる。
そのようなアルミニウムを覆う材料がウエツト
エツチングされてもよいということもまた論じら
れるかもしれない。いかなる重合体も形成されな
いが、この方法では、コンタクトホールからエツ
チング液をどつと流すことができないため、腐食
が重要な問題となる。
エツチングされてもよいということもまた論じら
れるかもしれない。いかなる重合体も形成されな
いが、この方法では、コンタクトホールからエツ
チング液をどつと流すことができないため、腐食
が重要な問題となる。
上位レベルCVDタングステン配線層を用いて、
上述のフツ化アルミニウムおよび重合体／エツチ
ング問題があるため、配線層の下にあるアルミニ
ウムクラツドタングステンまで下方にコンタクト
を形成することは非常に困難であると仮定すれ
ば、真に所望されることは、アルミニウムをコン
タクトエツチングおよびコンタクト形成動作から
分離することである。前で述べたように、この方
法のタングステン−タングステンおよびタングス
テン−シリコンエレクトロマイグレーシヨン抵抗
はまた、望ましくかつ非常に優れている。
上述のフツ化アルミニウムおよび重合体／エツチ
ング問題があるため、配線層の下にあるアルミニ
ウムクラツドタングステンまで下方にコンタクト
を形成することは非常に困難であると仮定すれ
ば、真に所望されることは、アルミニウムをコン
タクトエツチングおよびコンタクト形成動作から
分離することである。前で述べたように、この方
法のタングステン−タングステンおよびタングス
テン−シリコンエレクトロマイグレーシヨン抵抗
はまた、望ましくかつ非常に優れている。
上述のAl−またAu−クラツドCVDタングステ
ン配線およびコンタクトを製作するためのより簡
単な方法は、より厚いアルミニウムまたは金クラ
ツドならびにより薄いCVDタングステンを下部
に使用することであると論じられるかもしれな
い。生増、コンタクトバイアを充填するために、
できるだけ多くCVDタングステンを用いるのが
望ましい、というのはアルミニウムスパツタリン
グ技術は、析出中過度にRFバイアスをかけるこ
となしに空〓が生じないようにアルミニウムを高
アスペクトの深いコンタクトへ入れることができ
ないからである。必要なタングステンの量は、
（厚さでは）充填を必要とする最も大きいバイア
の半径より幾分大きい。
ン配線およびコンタクトを製作するためのより簡
単な方法は、より厚いアルミニウムまたは金クラ
ツドならびにより薄いCVDタングステンを下部
に使用することであると論じられるかもしれな
い。生増、コンタクトバイアを充填するために、
できるだけ多くCVDタングステンを用いるのが
望ましい、というのはアルミニウムスパツタリン
グ技術は、析出中過度にRFバイアスをかけるこ
となしに空〓が生じないようにアルミニウムを高
アスペクトの深いコンタクトへ入れることができ
ないからである。必要なタングステンの量は、
（厚さでは）充填を必要とする最も大きいバイア
の半径より幾分大きい。
典型的に、メモリ以外のいかなる素子も、１つ
のコンタクト寸法で効率良く設計され得ず、かつ
実際には、メモリでも、電源および接地のための
或る大きなコンタクトを有する。したがつて、実
施において、所与の装置上のすべてのバイア（コ
ンタクト）は、タングステンですつかり塞がれ得
ない。結果として、より大きなコンタクトは、充
填されないだけでなく、内曲する（すなわち負の
傾斜で、アンダーカツトされる）。これは、タン
グステンCVDが、等角でなく、かつ特にこの析
出される量が増加するときコンタクトまたは溝の
底部により薄く析出するからである。
のコンタクト寸法で効率良く設計され得ず、かつ
実際には、メモリでも、電源および接地のための
或る大きなコンタクトを有する。したがつて、実
施において、所与の装置上のすべてのバイア（コ
ンタクト）は、タングステンですつかり塞がれ得
ない。結果として、より大きなコンタクトは、充
填されないだけでなく、内曲する（すなわち負の
傾斜で、アンダーカツトされる）。これは、タン
グステンCVDが、等角でなく、かつ特にこの析
出される量が増加するときコンタクトまたは溝の
底部により薄く析出するからである。
上述の先行技術では、これは、内曲したタング
ステンがその内曲部分内に位置決めされるアルミ
ニウムをマスクする端縁でのエツチングの問題と
なるだろう。このアルミニウムは、典型的なアル
ミニウムのスパツタリング法では、そのような突
出部分の下に入る。アルミニウムで薄く覆われた
タングステン配線をパターン化するための２段階
のエツチングのステツプ１としてのアルミニウム
の反応性イオンエツチング（RIE）は、そのよう
な隠れたアルミニウムに達しないだろう。第２の
RIEステツプ中、タングステンのエツチング化学
は、隠れたアルミニウム上で立往生するだろう。
また、両方の層を等しく腐食するエツチング化学
を持出すために調節がなされると、より不必要な
トレードオフが生じる。
ステンがその内曲部分内に位置決めされるアルミ
ニウムをマスクする端縁でのエツチングの問題と
なるだろう。このアルミニウムは、典型的なアル
ミニウムのスパツタリング法では、そのような突
出部分の下に入る。アルミニウムで薄く覆われた
タングステン配線をパターン化するための２段階
のエツチングのステツプ１としてのアルミニウム
の反応性イオンエツチング（RIE）は、そのよう
な隠れたアルミニウムに達しないだろう。第２の
RIEステツプ中、タングステンのエツチング化学
は、隠れたアルミニウム上で立往生するだろう。
また、両方の層を等しく腐食するエツチング化学
を持出すために調節がなされると、より不必要な
トレードオフが生じる。
ここで説明する現在の先行技術の方法の最後の
欠点は、所与の金属配線層のエツチング中、下に
ある配線層が決してエツチングを受けてはいけな
いということが必要であるということである。こ
れは従来のアルミニウムのみの配線にとつて常に
問題であつた、というのはコンタクトで露出され
ている下にある層は腐食され、アンダーカツトさ
れ、または除去され得るからである。上述のタン
グステン／アルミニウムシステムでは、それは一
つの問題以上のことである、というのはコンタク
トでは各金属の量および突出した厚さは、２層構
造体の各サブ層の充填の程度で異なるからであ
る。コンタクトが常に上にある層の犬の骨の形状
のパツドによつて100％覆われていることを保証
することによつて、配線密度を犠牲にしてその問
題が避けられる。したがつて、下にある金属は、
コンタクトでの上にある金属パツドによつて常に
保護される。
欠点は、所与の金属配線層のエツチング中、下に
ある配線層が決してエツチングを受けてはいけな
いということが必要であるということである。こ
れは従来のアルミニウムのみの配線にとつて常に
問題であつた、というのはコンタクトで露出され
ている下にある層は腐食され、アンダーカツトさ
れ、または除去され得るからである。上述のタン
グステン／アルミニウムシステムでは、それは一
つの問題以上のことである、というのはコンタク
トでは各金属の量および突出した厚さは、２層構
造体の各サブ層の充填の程度で異なるからであ
る。コンタクトが常に上にある層の犬の骨の形状
のパツドによつて100％覆われていることを保証
することによつて、配線密度を犠牲にしてその問
題が避けられる。したがつて、下にある金属は、
コンタクトでの上にある金属パツドによつて常に
保護される。
エレクトロマイグレーシヨンによる開路および
短絡のいずれも受けない配線を形成しつつ優れた
信頼性を持ち、かつ高速度を有する100％のタン
グステン−タングステンコンタクトまたはタング
ステン−シリコンコンタクトを製作しようとする
際に現在出くわす上述の問題をまとめると、
CVDタングステン化学は、信頼性およびコンタ
クト抵抗をそこねるフツ化アルミニウムを有する
アルミニウムコンタクトを害するように思われ、
一方アルミニウムキヤツプを介してエツチングす
ることによつて、重合体または腐食の問題が生じ
る。CVDタングステンが内曲することによつて、
アルミニウムエツチングリボンが生じる。上述の
先行技術は、アルミニウムウイスカーの問題に全
く取り組んでいない。現在の実施は、記録密度を
得るために犬の骨を除去することを妨げている。
短絡のいずれも受けない配線を形成しつつ優れた
信頼性を持ち、かつ高速度を有する100％のタン
グステン−タングステンコンタクトまたはタング
ステン−シリコンコンタクトを製作しようとする
際に現在出くわす上述の問題をまとめると、
CVDタングステン化学は、信頼性およびコンタ
クト抵抗をそこねるフツ化アルミニウムを有する
アルミニウムコンタクトを害するように思われ、
一方アルミニウムキヤツプを介してエツチングす
ることによつて、重合体または腐食の問題が生じ
る。CVDタングステンが内曲することによつて、
アルミニウムエツチングリボンが生じる。上述の
先行技術は、アルミニウムウイスカーの問題に全
く取り組んでいない。現在の実施は、記録密度を
得るために犬の骨を除去することを妨げている。
発明の概要
したがつて、この発明の目的は、非常に信頼性
あることが知られている100％の高融点材料また
は高融点材料／シリコンコンタクトを提供するこ
とである。
あることが知られている100％の高融点材料また
は高融点材料／シリコンコンタクトを提供するこ
とである。
この発明の他の目的は、高融点材料のアルミニ
ウムクラツドの抵抗を減じる特性をなお利用して
いる配線を提供することであるが、エツチングリ
ボンの問題が生じやすい２段階の２層構造体エツ
チング法を避けることである。
ウムクラツドの抵抗を減じる特性をなお利用して
いる配線を提供することであるが、エツチングリ
ボンの問題が生じやすい２段階の２層構造体エツ
チング法を避けることである。
この発明のさらに他の目的は、３つのエレクト
ロマイグレーシヨンの問題のすべて、すなわちコ
ンタクトのエレクトロマイグレーシヨン、ならび
に配線の開路および配線のウイスカーによる短絡
を処理する配線を提供することである。
ロマイグレーシヨンの問題のすべて、すなわちコ
ンタクトのエレクトロマイグレーシヨン、ならび
に配線の開路および配線のウイスカーによる短絡
を処理する配線を提供することである。
この発明の他の目的は、より容易なプレーナ化
およびコンタクト形成のための改良されたアスペ
クト比および／または形状を有するコンタクトお
よび配線を提供することである。
およびコンタクト形成のための改良されたアスペ
クト比および／または形状を有するコンタクトお
よび配線を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、犬の骨のような
コンタクトを除去することであり、したがつて配
線の記録密度を増す。
コンタクトを除去することであり、したがつて配
線の記録密度を増す。
この発明のまたさらに他の目的は、小さい直径
のコンタクトでの最も可能なエレクトロマイグレ
ーシヨン抵抗のために、コンタクトホールを高融
点金属でより十分充填することである。
のコンタクトでの最も可能なエレクトロマイグレ
ーシヨン抵抗のために、コンタクトホールを高融
点金属でより十分充填することである。
この発明に従つて、配線は、パターン化された
高融点材料（タングステンまたはモリブデン）コ
アを含み、その側壁は、横方向の低抵抗率クラツ
ドを提供するために、アルミニウム、金または銅
の低抵抗率の条片で覆われている。コアの頂部表
面は、上向きの高融点材料／高融点材料コンタク
トを達成するために被覆されないままであり、一
方コアの底部表面は、下向きの高融点材料−高融
点材料または高融点材料−半導体コンタクトを達
成するために被覆されないままで残される。別個
の側壁クラツドまたは側壁「スペーサ」は、後の
酸化物プレーナ化を改良するためのみならずエレ
クトロマイグレーシヨンのためウイスカーが形成
されることおよび空〓を生じることが始まるのを
禁止しかつ抑えるために独自の方法を提供する。
高融点材料（タングステンまたはモリブデン）コ
アを含み、その側壁は、横方向の低抵抗率クラツ
ドを提供するために、アルミニウム、金または銅
の低抵抗率の条片で覆われている。コアの頂部表
面は、上向きの高融点材料／高融点材料コンタク
トを達成するために被覆されないままであり、一
方コアの底部表面は、下向きの高融点材料−高融
点材料または高融点材料−半導体コンタクトを達
成するために被覆されないままで残される。別個
の側壁クラツドまたは側壁「スペーサ」は、後の
酸化物プレーナ化を改良するためのみならずエレ
クトロマイグレーシヨンのためウイスカーが形成
されることおよび空〓を生じることが始まるのを
禁止しかつ抑えるために独自の方法を提供する。
この発明の他の目的、特徴および利点は、次の
詳細な説明および添付の図面を考慮すると明らか
となり、同じ参照符号は図面全体を通じて同じ特
徴を表わす。
詳細な説明および添付の図面を考慮すると明らか
となり、同じ参照符号は図面全体を通じて同じ特
徴を表わす。
この説明で参照される図面は、特に注目される
場合を除いて一定の縮尺で描かれていないと理解
べきである。さらに、図面は、この発明に従つて
製作される集積回路の一部分のみを図解するよう
意図されている。
場合を除いて一定の縮尺で描かれていないと理解
べきである。さらに、図面は、この発明に従つて
製作される集積回路の一部分のみを図解するよう
意図されている。
発明の詳細な説明
第１Ａ図およひ第１Ｂ図は、たとえば二酸化シ
リコンのような層１２の表面上に形成される先行
技術のCVDタングステンライン１０を描く。タ
ングステンライン１０には、金属クラツド１４が
設けられており、共に、低抵抗でエレクトロマイ
グレーシヨンに対して抵抗力のある配線１６を提
供する。ここでの耐エレクトロマイグレーシヨン
が意味することは、空〓が生じることによる開路
に対する抵抗力であつて、ウイスカーによつて誘
起される短絡に対する抵抗力ではない。
リコンのような層１２の表面上に形成される先行
技術のCVDタングステンライン１０を描く。タ
ングステンライン１０には、金属クラツド１４が
設けられており、共に、低抵抗でエレクトロマイ
グレーシヨンに対して抵抗力のある配線１６を提
供する。ここでの耐エレクトロマイグレーシヨン
が意味することは、空〓が生じることによる開路
に対する抵抗力であつて、ウイスカーによつて誘
起される短絡に対する抵抗力ではない。
金属クラツド１４は、タングステンライン１０
の頂部部分１０ａ上のキヤツプとして（第１Ａ
図）、またはタングステンラインの頂部および側
面１０ｂ上の封止として（第１Ｂ図）形成され
る。そのキヤツプは、アルミニウム、金または銅
を含んでもよく、一方封止は、通常めつきされた
金または銅を含む。
の頂部部分１０ａ上のキヤツプとして（第１Ａ
図）、またはタングステンラインの頂部および側
面１０ｂ上の封止として（第１Ｂ図）形成され
る。そのキヤツプは、アルミニウム、金または銅
を含んでもよく、一方封止は、通常めつきされた
金または銅を含む。
絶縁層２２のコンタクトホールまたはバイア２
０を介して上位レベルの配線１８が下にある下位
レベルの配線１６に接続される結果、前で述べた
ように、フツ化アルミニウム合金２４が形成され
ることができ、そこにタングステン層２６は、上
層配線の第１の層でありかつWF6を使用する
CVDによつて析出される。フツ化アルミニウム
は、第２Ａ図に示されるように、コンタクトホー
ル２０の底部に、または第２Ｂ図に示されるよう
に、アルミニウム層１４を介して下にあるCVD
タングステンライン１０までエツチングをしよう
とする場合、アルミニウム層１４の側壁に沿つて
生じる。
０を介して上位レベルの配線１８が下にある下位
レベルの配線１６に接続される結果、前で述べた
ように、フツ化アルミニウム合金２４が形成され
ることができ、そこにタングステン層２６は、上
層配線の第１の層でありかつWF6を使用する
CVDによつて析出される。フツ化アルミニウム
は、第２Ａ図に示されるように、コンタクトホー
ル２０の底部に、または第２Ｂ図に示されるよう
に、アルミニウム層１４を介して下にあるCVD
タングステンライン１０までエツチングをしよう
とする場合、アルミニウム層１４の側壁に沿つて
生じる。
もし上位レベルタングステン２６がCVDによ
つてよりむしろスパツタリングによつて析出され
るならば、フツ化アルミニウムは生じないだろ
う。しかしながら、第２Ｂ図のアルミニウムキヤ
ツプ１４のエツチング中、同じ位置２４にエツチ
ング重合体が形成されるだろう。構造２Ａには、
はるかに少ない重合体が形成されるが、スパツタ
リングされたタングステンは、コンタクトを充填
するときは必ず空〓を生じるだろう。第２Ａ図お
よび第２Ｂ図では、第２のレベルの金属１８は、
アルミニウム１４で薄く覆われたCVDタングス
テンを含む第１の金属配線１６と同様の態様で、
アルミニウム２８で薄く覆われたCVDタングス
テンを含む。
つてよりむしろスパツタリングによつて析出され
るならば、フツ化アルミニウムは生じないだろ
う。しかしながら、第２Ｂ図のアルミニウムキヤ
ツプ１４のエツチング中、同じ位置２４にエツチ
ング重合体が形成されるだろう。構造２Ａには、
はるかに少ない重合体が形成されるが、スパツタ
リングされたタングステンは、コンタクトを充填
するときは必ず空〓を生じるだろう。第２Ａ図お
よび第２Ｂ図では、第２のレベルの金属１８は、
アルミニウム１４で薄く覆われたCVDタングス
テンを含む第１の金属配線１６と同様の態様で、
アルミニウム２８で薄く覆われたCVDタングス
テンを含む。
次に、この発明の特定の実施例を詳細に参照す
るが、これはこの発明を実施するために発明者ら
によつて現在考えられるベストモードを図解して
いる。代わりの実施例もまた、応用可能なものと
して簡単に説明する。
るが、これはこの発明を実施するために発明者ら
によつて現在考えられるベストモードを図解して
いる。代わりの実施例もまた、応用可能なものと
して簡単に説明する。
この発明の配線を形成する際の処理シーケンス
は、第３Ａ図−第３Ｃ図に描かれている。そこで
は、タングステンライン１０（断面図で）は、第
３Ａ図では、たとえば二酸化シリコンのような層
１２の表面上に形成されて示される。代わりに、
層１２は、どの金属配線層が考えられているかか
つどの素子技術が使用されているかによつて、リ
フローされたPSG膜（リンガラン膜）またはリ
フローされたBPSG膜（ボロンリンガラス膜）、
あるいはドープされた／ドープされていない、リ
フローされていない中間レベルの酸化物または窒
化物、酸窒化物、ポリイミド、砒素−ドープされ
たガラス、スピンオンシリケートまたはシロキサ
ンガラスあるいはアモルフアスシリコンを含んで
もよい。CMOS技術がここで描かれているが、
GaAsまたはバイポーラのような他の素子技術
は、類似の下にある酸化物または窒化物あるいは
ポリイミドを使用するだろう。
は、第３Ａ図−第３Ｃ図に描かれている。そこで
は、タングステンライン１０（断面図で）は、第
３Ａ図では、たとえば二酸化シリコンのような層
１２の表面上に形成されて示される。代わりに、
層１２は、どの金属配線層が考えられているかか
つどの素子技術が使用されているかによつて、リ
フローされたPSG膜（リンガラン膜）またはリ
フローされたBPSG膜（ボロンリンガラス膜）、
あるいはドープされた／ドープされていない、リ
フローされていない中間レベルの酸化物または窒
化物、酸窒化物、ポリイミド、砒素−ドープされ
たガラス、スピンオンシリケートまたはシロキサ
ンガラスあるいはアモルフアスシリコンを含んで
もよい。CMOS技術がここで描かれているが、
GaAsまたはバイポーラのような他の素子技術
は、類似の下にある酸化物または窒化物あるいは
ポリイミドを使用するだろう。
ここでコア領域と呼ばれるライン１０は、タン
グステン、WSix／Ｗ、またはα−Si／Ｗを含ん
でもよく、かつ従来のプロセスパラメータを使用
するCVDによつて析出される。第３Ａ図では、
任意のタングステン粘着層１０ｃは、CVDα−Si
またはWSix膜を含み、あるいは代わりに窒化チ
タンまたはチタン／窒化チタンからなるスパツタ
リングされた粘着および接触層を含む。または層
１０ｃの同じ目的に合うことができる多数の他の
膜がある。タングステンよりむしろモリブデンな
らびにCVDよりむしろバイアススパツタ析出を
任意に使用することは、コア１０を実現するため
にここでは前に説明している。
グステン、WSix／Ｗ、またはα−Si／Ｗを含ん
でもよく、かつ従来のプロセスパラメータを使用
するCVDによつて析出される。第３Ａ図では、
任意のタングステン粘着層１０ｃは、CVDα−Si
またはWSix膜を含み、あるいは代わりに窒化チ
タンまたはチタン／窒化チタンからなるスパツタ
リングされた粘着および接触層を含む。または層
１０ｃの同じ目的に合うことができる多数の他の
膜がある。タングステンよりむしろモリブデンな
らびにCVDよりむしろバイアススパツタ析出を
任意に使用することは、コア１０を実現するため
にここでは前に説明している。
ライン１０は、印刷されかつ所与のラインピツ
チに対して通常の場合より狭い最終のライン幅の
寸法までエツチングされ、３０によつて示される
ライン間隔を与える。側壁クラツドが実現される
と、普通より小さく程度のものは消去される。し
たがつて、側壁クラツド後、そのライン／空間の
寸法は、この発明の技術を用いて、所与のピツチ
に対して現在可能であるよりも広いラインを有す
ることができるが、ほぼ現在実施されている寸法
である。したがつて、所与のピツチに対して、あ
るいは中心間のライン間隔に対して、この発明に
よつて、横方向容量が伝搬速度を支配していない
位置に、より広いかつより高速な配線が生じる。
チに対して通常の場合より狭い最終のライン幅の
寸法までエツチングされ、３０によつて示される
ライン間隔を与える。側壁クラツドが実現される
と、普通より小さく程度のものは消去される。し
たがつて、側壁クラツド後、そのライン／空間の
寸法は、この発明の技術を用いて、所与のピツチ
に対して現在可能であるよりも広いラインを有す
ることができるが、ほぼ現在実施されている寸法
である。したがつて、所与のピツチに対して、あ
るいは中心間のライン間隔に対して、この発明に
よつて、横方向容量が伝搬速度を支配していない
位置に、より広いかつより高速な配線が生じる。
ところで、最終のライン幅は、タングステンコ
ア１０の幅と横方向スペーサ３２ａの幅の２倍と
の和である。十分封止されたコアはまた、同様の
普通より小さくされた態様で印刷されかつエツチ
ングされなければならないということが先行技術
の第１Ｂ図において注目されよう。普通より小さ
い程度は、この発明では第１Ｂ図の程度より大き
い、というのは低抵抗率の封止材のすべてが横方
向に位置決めされるからである。したがつて、横
方向封止材３２ａはここでは側壁材料または側壁
クラツドと呼ばれるが、それは一般にそれらの位
置にのみ見られ、コア１０の頂部上には見られな
いからである。
ア１０の幅と横方向スペーサ３２ａの幅の２倍と
の和である。十分封止されたコアはまた、同様の
普通より小さくされた態様で印刷されかつエツチ
ングされなければならないということが先行技術
の第１Ｂ図において注目されよう。普通より小さ
い程度は、この発明では第１Ｂ図の程度より大き
い、というのは低抵抗率の封止材のすべてが横方
向に位置決めされるからである。したがつて、横
方向封止材３２ａはここでは側壁材料または側壁
クラツドと呼ばれるが、それは一般にそれらの位
置にのみ見られ、コア１０の頂部上には見られな
いからである。
例として、1μｍのラインおよび1μｍの空間を
有する2μｍのピツチの配線に対して、端縁ごと
のアルミニウム側壁の最大厚さは0.05から0.25μ
ｍに及び、それぞれ0.1μｍおよび0.50μｍだけ普
通より小さくされたタングステンコアを与える。
有する2μｍのピツチの配線に対して、端縁ごと
のアルミニウム側壁の最大厚さは0.05から0.25μ
ｍに及び、それぞれ0.1μｍおよび0.50μｍだけ普
通より小さくされたタングステンコアを与える。
横方向側壁材料層３２は、最初いたるところに
析出され、第３Ｂ図に見られるように、タングス
テンライン１０の頂部１０ａおよび向かい合つた
側面１０ｂ、ならびに層１２の表面１２ａの露出
した部分を覆う。金属３２は、アルミニウム、金
または銅を含む。しかしながら、低抵抗率の合金
を提供するこれらの金属に種々の合金元素がより
少数加えられてもよく、かつ特定の金属３２を論
じるとまた、これらの合金が含まれることが理解
されよう。適当な合金の例は、アルミニウム−
0.5％銅、アルミニウム−１％シリコン−0.1.5％
チタン、および金−ｘ％パラジウムを含み、ここ
でｘは約１から５％に及び、これらは工業規格の
合金である。さらに、金属を組合わせること、た
とえば無電解めつき法によつて銅を析出し、続い
て耐食性のためにその上に金を無電解めつきまた
は電気めつきすることはまた、複雑である。
析出され、第３Ｂ図に見られるように、タングス
テンライン１０の頂部１０ａおよび向かい合つた
側面１０ｂ、ならびに層１２の表面１２ａの露出
した部分を覆う。金属３２は、アルミニウム、金
または銅を含む。しかしながら、低抵抗率の合金
を提供するこれらの金属に種々の合金元素がより
少数加えられてもよく、かつ特定の金属３２を論
じるとまた、これらの合金が含まれることが理解
されよう。適当な合金の例は、アルミニウム−
0.5％銅、アルミニウム−１％シリコン−0.1.5％
チタン、および金−ｘ％パラジウムを含み、ここ
でｘは約１から５％に及び、これらは工業規格の
合金である。さらに、金属を組合わせること、た
とえば無電解めつき法によつて銅を析出し、続い
て耐食性のためにその上に金を無電解めつきまた
は電気めつきすることはまた、複雑である。
アルミニウムの場合、析出技術は、蒸着、スパ
ツタリング、バイアススパツタリングまたは
CVDであつてもよい。最も望ましい等角コーテ
イングは、スパツタリングまたはCVD法で、バ
イアスがあつてもなくても得られるだろう。金ま
たは銅の場合、析出技術は、層３２に対するドラ
イエツチング法が使用可能であれば同じであつて
もよく、または使用可能でなければ、電気めつき
または無電解めつき技術を使用する側壁１０ｂ上
のみでの選択析出であり、電気めつきの場合ライ
ン１０の頂部１０ａ上でかつ表面１２ａ上でめつ
きマスクが使用される、というのは表面１２ａ上
の一時的に連続する金属膜は、ウエハ上の電気め
つきというこの公知の産業規格法のために閉電流
ループを形成する必要であるからである。
ツタリング、バイアススパツタリングまたは
CVDであつてもよい。最も望ましい等角コーテ
イングは、スパツタリングまたはCVD法で、バ
イアスがあつてもなくても得られるだろう。金ま
たは銅の場合、析出技術は、層３２に対するドラ
イエツチング法が使用可能であれば同じであつて
もよく、または使用可能でなければ、電気めつき
または無電解めつき技術を使用する側壁１０ｂ上
のみでの選択析出であり、電気めつきの場合ライ
ン１０の頂部１０ａ上でかつ表面１２ａ上でめつ
きマスクが使用される、というのは表面１２ａ上
の一時的に連続する金属膜は、ウエハ上の電気め
つきというこの公知の産業規格法のために閉電流
ループを形成する必要であるからである。
必要とされるように、スパツタリングされたア
ルミニウムではそうであるが、金属３２は、タン
グステンライン１０の頂部１０ａからかつ表面１
２ａの露出した部分から除去され、タングステン
ラインの側面部分に沿つて金属側壁スペーサ３２
ａを残し、それによつて第３Ｃ図に示されるよう
にその横方向クラツドを与え、配線構造１６′を
生じる。低抵抗率金属３２を水平表面１０ａおよ
び１２ａから除去することは、異方性反応性イオ
ンエツチング（RIE）を用いるアルミニウムでは
最も容易に達成される。ジエツト噴霧方式の方向
性ウエツトエツチングが使用されてもよい。
ルミニウムではそうであるが、金属３２は、タン
グステンライン１０の頂部１０ａからかつ表面１
２ａの露出した部分から除去され、タングステン
ラインの側面部分に沿つて金属側壁スペーサ３２
ａを残し、それによつて第３Ｃ図に示されるよう
にその横方向クラツドを与え、配線構造１６′を
生じる。低抵抗率金属３２を水平表面１０ａおよ
び１２ａから除去することは、異方性反応性イオ
ンエツチング（RIE）を用いるアルミニウムでは
最も容易に達成される。ジエツト噴霧方式の方向
性ウエツトエツチングが使用されてもよい。
金または銅の場合に説明したように、方向性異
方性プラズマエツチングに関連するかなりの製造
上の問題点があり、かつイオンビームエツチング
またはスパツタエツチングの不十分なエツチング
の選択性が許容され得なければ、あるいは周辺の
異方性作用または擬似方向性ウエツトスプレーエ
ツチングが許容され得なければ、無電解めつきま
たは電気めつきによつて側壁金属３２を選択的に
析出するのがおそらく最も良く、エツチングの問
題点を完全に回避する。上述のめつきマスクは、
無電解めつきの場合、コア１０をエツチングする
ために用いられるのと同じマスクであつてもよ
い。
方性プラズマエツチングに関連するかなりの製造
上の問題点があり、かつイオンビームエツチング
またはスパツタエツチングの不十分なエツチング
の選択性が許容され得なければ、あるいは周辺の
異方性作用または擬似方向性ウエツトスプレーエ
ツチングが許容され得なければ、無電解めつきま
たは電気めつきによつて側壁金属３２を選択的に
析出するのがおそらく最も良く、エツチングの問
題点を完全に回避する。上述のめつきマスクは、
無電解めつきの場合、コア１０をエツチングする
ために用いられるのと同じマスクであつてもよ
い。
タングステン析出およびエツチング工程は、ア
ルミニウム析出およびエツチング工程の前に完了
することが注目されよう。CVDによるタングス
テン析出中、アルミニウムは全く露出されないこ
ともまた注目されよう。したがつて、重合体の形
成、フツ化アルミニウムの形成および同じエツチ
ング操作において２つの金属層をエツチングする
ことができないことを含む、前で説明した問題の
すべては、すつかり回避される。
ルミニウム析出およびエツチング工程の前に完了
することが注目されよう。CVDによるタングス
テン析出中、アルミニウムは全く露出されないこ
ともまた注目されよう。したがつて、重合体の形
成、フツ化アルミニウムの形成および同じエツチ
ング操作において２つの金属層をエツチングする
ことができないことを含む、前で説明した問題の
すべては、すつかり回避される。
第４図は、この発明に基づく３重レベル金属機
構を示す。金属１，１６′、金属２，１８′および
金属３，１８″は、この発明で実施されるものと
して示される。注目すべき第１のことは、レベル
間金属−金属コンタクトがすべて、タングステン
１０−タングステン１０境界面を含み、側壁の低
抵抗率材料３２ａはどこでもコンタクト形成に加
わらないということである。金属１６′−基板１
３コンタクトは、コア１０の材料とシリコンとの
間の境界面を含む。さらに、コア１０は下に粘着
または粘着／接触層１０ｃを含んでもよいという
ことが思い出され、この場合基板コンタクトは層
１０ｃと基板１３との間の境界面である。
構を示す。金属１，１６′、金属２，１８′および
金属３，１８″は、この発明で実施されるものと
して示される。注目すべき第１のことは、レベル
間金属−金属コンタクトがすべて、タングステン
１０−タングステン１０境界面を含み、側壁の低
抵抗率材料３２ａはどこでもコンタクト形成に加
わらないということである。金属１６′−基板１
３コンタクトは、コア１０の材料とシリコンとの
間の境界面を含む。さらに、コア１０は下に粘着
または粘着／接触層１０ｃを含んでもよいという
ことが思い出され、この場合基板コンタクトは層
１０ｃと基板１３との間の境界面である。
第４図の配線は、受け入れ不可能なRC遅延ま
たはIC降下がなければ、（先行技術の配線に典型
的な）２×105amps／cm2よりはるかに大きい電流
密度で動作することができるだろう。電流密度の
増加が可能となれば、はるかに優れた性能となり
得るだろうし、または代わりに電流密度が増加さ
れなければ、２×105amps／cm2でははるかに優れ
た信頼性または中間的な電流密度でははるかに優
れた性能と信頼性となり得るだろう。
たはIC降下がなければ、（先行技術の配線に典型
的な）２×105amps／cm2よりはるかに大きい電流
密度で動作することができるだろう。電流密度の
増加が可能となれば、はるかに優れた性能となり
得るだろうし、または代わりに電流密度が増加さ
れなければ、２×105amps／cm2でははるかに優れ
た信頼性または中間的な電流密度でははるかに優
れた性能と信頼性となり得るだろう。
この発明によつて、設計者は、コンタクトのス
パイクまたは空〓を生じることあるいは配線トレ
ースの空〓を生じることまたはウイスカーを生じ
ることのため、エレクトロマイグレーシヨン障害
についてそれほど心配することなく、低抵抗率お
よび高電流の両方を有することができる。この発
明の特徴は、特に選択の自由を与えることであ
り、側壁コーテイング３２ａが施された後かつ側
壁コーテイング３２ａを与えるために材料３２上
での異方性エツチングが行なわれる前に、タング
ステンコア材料１０の頂部上の、直接ではない領
域でパターン材料３２に対して通常のフオトリソ
グラフイステツプが行なわれ、したがつて側壁ク
ラツド配線および完全に最小抵抗率の材料３２か
らなる配線の両方で配線構造を実現する。
パイクまたは空〓を生じることあるいは配線トレ
ースの空〓を生じることまたはウイスカーを生じ
ることのため、エレクトロマイグレーシヨン障害
についてそれほど心配することなく、低抵抗率お
よび高電流の両方を有することができる。この発
明の特徴は、特に選択の自由を与えることであ
り、側壁コーテイング３２ａが施された後かつ側
壁コーテイング３２ａを与えるために材料３２上
での異方性エツチングが行なわれる前に、タング
ステンコア材料１０の頂部上の、直接ではない領
域でパターン材料３２に対して通常のフオトリソ
グラフイステツプが行なわれ、したがつて側壁ク
ラツド配線および完全に最小抵抗率の材料３２か
らなる配線の両方で配線構造を実現する。
材料３２に対してこの別個のマスキングステツ
プを使用し、第５Ａ図に示されるような連続する
側壁クラツド３２ａよりむしろ第５Ｃ図に示され
るような不連続な側壁クラツド３２a′を形成する
こともまた自由である。この方法の重要に利点
は、材料３２がラインの長さ全体に沿つて連続す
るエレクトロマイグレーシヨン経路に与えられな
いということである。短いセグメント３２a′は、
特にそれらがエレクトロマイグレーシヨンに対す
る臨界長さ（それは先行技術の文献で背計算され
ている）より短く保たれている場合、事実上決し
て損傷しないだろう。セグメント３２a′間のギヤ
ツプ３３は、構造全体の抵抗を最小に保つために
最少の大きさに保たれるだろう。
プを使用し、第５Ａ図に示されるような連続する
側壁クラツド３２ａよりむしろ第５Ｃ図に示され
るような不連続な側壁クラツド３２a′を形成する
こともまた自由である。この方法の重要に利点
は、材料３２がラインの長さ全体に沿つて連続す
るエレクトロマイグレーシヨン経路に与えられな
いということである。短いセグメント３２a′は、
特にそれらがエレクトロマイグレーシヨンに対す
る臨界長さ（それは先行技術の文献で背計算され
ている）より短く保たれている場合、事実上決し
て損傷しないだろう。セグメント３２a′間のギヤ
ツプ３３は、構造全体の抵抗を最小に保つために
最少の大きさに保たれるだろう。
この発明の２重側壁クラツド機構の重要な付加
的な利点は、アルミニウム分路が電気的に冗長で
ありかつタングステンライン１０に沿つた各位置
で物理的に独立しており、そのためアルミニウム
が１つの側面に沿つて移動し始めると、反対側の
側面上には代わりのよい低い抵抗の経路があると
いうことである。横方向クラツド３２ａを有する
タングステンライン１０は第５Ａ図に示され、か
つ対応する抵抗モデルは第５Ｂ図に描かれる。空
〓の形成が始まることによつて、一方の端縁上に
局部的な高抵抗が生じるので、反対側の独立した
端縁は電流を分路するように作用し、したがつて
最初の空〓が連続して成長することを抑える。統
計的に、２つの空〓はちようど互いに向かい合つ
て同時に凝集する見込みはない。したがつて、キ
ラー空〓およびウイスカーの始まりは、高抵抗領
域を迂回することを選ぶ電流のため、空〓の形成
および成長が抑えられるので遅延される。
的な利点は、アルミニウム分路が電気的に冗長で
ありかつタングステンライン１０に沿つた各位置
で物理的に独立しており、そのためアルミニウム
が１つの側面に沿つて移動し始めると、反対側の
側面上には代わりのよい低い抵抗の経路があると
いうことである。横方向クラツド３２ａを有する
タングステンライン１０は第５Ａ図に示され、か
つ対応する抵抗モデルは第５Ｂ図に描かれる。空
〓の形成が始まることによつて、一方の端縁上に
局部的な高抵抗が生じるので、反対側の独立した
端縁は電流を分路するように作用し、したがつて
最初の空〓が連続して成長することを抑える。統
計的に、２つの空〓はちようど互いに向かい合つ
て同時に凝集する見込みはない。したがつて、キ
ラー空〓およびウイスカーの始まりは、高抵抗領
域を迂回することを選ぶ電流のため、空〓の形成
および成長が抑えられるので遅延される。
向かい合つて面する側壁スペーサの相補的な擬
似独立電流伝搬能力は、コア材料１０が、側壁材
料３２より著しく高い抵抗を有するということの
ためである。したがつて、電流は、空〓が生じか
つ成長するとき局部的に左右に切換わり、かつ可
能であればコアを避けるだろう。
似独立電流伝搬能力は、コア材料１０が、側壁材
料３２より著しく高い抵抗を有するということの
ためである。したがつて、電流は、空〓が生じか
つ成長するとき局部的に左右に切換わり、かつ可
能であればコアを避けるだろう。
第５Ｃ図に描かれるような分割された側壁３２
a′の場合、総抵抗率とエレクトロマイグレーシヨ
ンとの間の最適なトレードオフが所与の電流密度
のために与えられ得るように、コア１０の長さに
沿つてセグメントを相対的に位置決めすることが
可能となる。スロツト３３（第５Ｃ図）の最適な
位置は、電流密度のみならず電流波形およびその
関連するジユール加熱への影響（すなわちI2R損
失）によつて部分的に定められよう。
a′の場合、総抵抗率とエレクトロマイグレーシヨ
ンとの間の最適なトレードオフが所与の電流密度
のために与えられ得るように、コア１０の長さに
沿つてセグメントを相対的に位置決めすることが
可能となる。スロツト３３（第５Ｃ図）の最適な
位置は、電流密度のみならず電流波形およびその
関連するジユール加熱への影響（すなわちI2R損
失）によつて部分的に定められよう。
フオトリソグラフイツクの利点はまた、この発
明の技術を使用して得られる。エツチングおよび
リソグラフイバイアスを補償するために通常空間
を狭くしかつマスク上のラインを拡げる代わり
に、この方法では、マスクに対する電流バイアス
補正は、空間を増しかつラインをより印刷しやす
くするために逆の符号であるだろう。側壁スペー
サ３２ａは、第３Ｃ図、第４図、第５Ａ図、第５
Ｃ図、第６図および第７Ｂ図に示されるようにテ
ーパを付けたまたは丸くなつた形をとつてもよい
ため、プレーナ酸化物２２を個々の配線層上を覆
つて析出する仕事がかなり簡単になる。より狭い
タングステンコアすなわちライン１０をパターン
化するために、露出されかつ現像されたレジスト
ラインは、公知の高分解能レンズおよび露光波長
を使用することによつて長方形の断面として維持
されるだろう。たとえば、0.8μｍの幅を有するコ
ア１０に対して、Ｇライン照度を有する開口数
0.42のレンズが使用されるだろう。２層構造体の
レジスト工程は、過度のトポロジーを処理するこ
とができるだろう。
明の技術を使用して得られる。エツチングおよび
リソグラフイバイアスを補償するために通常空間
を狭くしかつマスク上のラインを拡げる代わり
に、この方法では、マスクに対する電流バイアス
補正は、空間を増しかつラインをより印刷しやす
くするために逆の符号であるだろう。側壁スペー
サ３２ａは、第３Ｃ図、第４図、第５Ａ図、第５
Ｃ図、第６図および第７Ｂ図に示されるようにテ
ーパを付けたまたは丸くなつた形をとつてもよい
ため、プレーナ酸化物２２を個々の配線層上を覆
つて析出する仕事がかなり簡単になる。より狭い
タングステンコアすなわちライン１０をパターン
化するために、露出されかつ現像されたレジスト
ラインは、公知の高分解能レンズおよび露光波長
を使用することによつて長方形の断面として維持
されるだろう。たとえば、0.8μｍの幅を有するコ
ア１０に対して、Ｇライン照度を有する開口数
0.42のレンズが使用されるだろう。２層構造体の
レジスト工程は、過度のトポロジーを処理するこ
とができるだろう。
この発明では、アルミニウム３２ａはその表面
領域の半分が露出されるので激しく機械的に圧迫
されないということは、製作中小丘の形成のため
の駆動力を減じるのに役立つだろう。従来の方法
では、高融点材料はアルミニウムの上に重ねられ
るが、圧迫されたアルミニウムにおいて形成され
る応力による横方向の小丘の難しい問題がある。
横方向の小丘によつて、間隔が詰まつたライン間
で短絡が生じる。
領域の半分が露出されるので激しく機械的に圧迫
されないということは、製作中小丘の形成のため
の駆動力を減じるのに役立つだろう。従来の方法
では、高融点材料はアルミニウムの上に重ねられ
るが、圧迫されたアルミニウムにおいて形成され
る応力による横方向の小丘の難しい問題がある。
横方向の小丘によつて、間隔が詰まつたライン間
で短絡が生じる。
アルミニウムの側壁コーテイング３２ａがすべ
ての金属間バイアおよび基板コンタクトバイアか
ら冶金学的にかつ物理学的に分離されるというこ
とは大いに有利である。このことは、アルミニウ
ムによつてシリコンが取込まれまたは接合シリコ
ンがアルミニウムへ移動するため、コンタクトの
エレクトロマイグレーシヨンまたはコンタクトの
スパイクおよび漏れの心配がないということを意
味する。
ての金属間バイアおよび基板コンタクトバイアか
ら冶金学的にかつ物理学的に分離されるというこ
とは大いに有利である。このことは、アルミニウ
ムによつてシリコンが取込まれまたは接合シリコ
ンがアルミニウムへ移動するため、コンタクトの
エレクトロマイグレーシヨンまたはコンタクトの
スパイクおよび漏れの心配がないということを意
味する。
第６図は、下にある配線１６′のタングステン
コア１０へエツチングするコンタクトエツチング
法の結果を示す。下位レベル１６′のタングステ
ン材料１０の浸透はコンタクト境界面の面積をさ
らに増すのに役立つにすぎないが、これは望まし
いということに注目すべきである。
コア１０へエツチングするコンタクトエツチング
法の結果を示す。下位レベル１６′のタングステ
ン材料１０の浸透はコンタクト境界面の面積をさ
らに増すのに役立つにすぎないが、これは望まし
いということに注目すべきである。
分割された側壁スペーサ３２a′（第５Ｃ図）を
用いる場合、アルミニウム側壁材料は、すべての
コンタクト位置で除去されてもよい。分割されて
いない側壁スベーサ３２ａ（第５Ａ図）の場合、
アルミニウムは、コンタクトホールを上からエツ
チングするとき（第６図）露出されるだろう。
用いる場合、アルミニウム側壁材料は、すべての
コンタクト位置で除去されてもよい。分割されて
いない側壁スベーサ３２ａ（第５Ａ図）の場合、
アルミニウムは、コンタクトホールを上からエツ
チングするとき（第６図）露出されるだろう。
コンタクトエツチング中露出されている下にあ
る配線１６′の大部分が、悪い整列がそうである
ように側壁３２ａからなるような設計規則の寸法
であれば、コンタクトバイア２０のコンタクトエ
ツチングによつて露出される側壁材料は、コンタ
クトのエツチング中エツチング除去されてもよ
い。このことは、コンタクトバイア２０が開いた
後、塩素をベースとするエツチングステツプを加
えることを必要とするだろう。コア１０および側
壁３２ａの両方がエツチングされるだろう。これ
の正のアスペクトは、開いていないコンタクトを
有する見込みがほとんどないということである。
アルミニウムエツチングによつて腐食されない材
料でパターン化する前に、保護膜コア１０が自由
に選択できる。１つの例は、タングステンシリサ
イドによつて覆われるコア１０であるだろうが、
これはこの技術に共通して実施される。したがつ
て、第６図において、アルミニウム側壁３２ａを
腐食することなくコア１０へエツチングする代わ
りに、コア１０を腐食することなく３２ａが除去
されるだろう。第６図に示されるようなコア１０
へのエツチングは、側壁３２がコンタクト底面の
決まつた場所に残されるかどうかにかからわず選
択される。
る配線１６′の大部分が、悪い整列がそうである
ように側壁３２ａからなるような設計規則の寸法
であれば、コンタクトバイア２０のコンタクトエ
ツチングによつて露出される側壁材料は、コンタ
クトのエツチング中エツチング除去されてもよ
い。このことは、コンタクトバイア２０が開いた
後、塩素をベースとするエツチングステツプを加
えることを必要とするだろう。コア１０および側
壁３２ａの両方がエツチングされるだろう。これ
の正のアスペクトは、開いていないコンタクトを
有する見込みがほとんどないということである。
アルミニウムエツチングによつて腐食されない材
料でパターン化する前に、保護膜コア１０が自由
に選択できる。１つの例は、タングステンシリサ
イドによつて覆われるコア１０であるだろうが、
これはこの技術に共通して実施される。したがつ
て、第６図において、アルミニウム側壁３２ａを
腐食することなくコア１０へエツチングする代わ
りに、コア１０を腐食することなく３２ａが除去
されるだろう。第６図に示されるようなコア１０
へのエツチングは、側壁３２がコンタクト底面の
決まつた場所に残されるかどうかにかからわず選
択される。
金属ライン間の横方向寄生容量の点から、上述
の被覆された（覆われたまたは封止された）先行
技術のタングステン配線に対してかつこの発明の
方法について存在する平均的な間隔は、この発明
では、わずかに大きくないとしたら同じであるだ
ろう。したがつて、横方向容量は、ほぼ同じであ
るかまたはわずかに小さいだろう。したがつて、
先行技術と同様、RC時定数、かつより特定的に
は抵抗Ｒは、断面積全体が一定に保たれるとすれ
ば、その配列（すなわち側壁対キヤツプ対封止）
にかかわらず、断面に組込まれ得るアルミニウム
の断片の量に直接関連して下がるだろう。
の被覆された（覆われたまたは封止された）先行
技術のタングステン配線に対してかつこの発明の
方法について存在する平均的な間隔は、この発明
では、わずかに大きくないとしたら同じであるだ
ろう。したがつて、横方向容量は、ほぼ同じであ
るかまたはわずかに小さいだろう。したがつて、
先行技術と同様、RC時定数、かつより特定的に
は抵抗Ｒは、断面積全体が一定に保たれるとすれ
ば、その配列（すなわち側壁対キヤツプ対封止）
にかかわらず、断面に組込まれ得るアルミニウム
の断片の量に直接関連して下がるだろう。
使用可能であるアルミニウムの最大断片の量
は、コア１０がどれぐらい狭く製作され得るか、
かつどの点でアルミニウムまたはスペース材料３
２ａがコンタクト境界面の構成に貢献し始めるか
によつて定められる。明らかに、コンタクトのい
くつかのアルミニウムは許容できる。何も持たな
いような選択も利用できる。自由に、コンタクト
ホール２０が標準より大きくなり、かつ下にある
金属１６′から落ち、かつ上にある配線１８′がパ
ターン化された後上から部分的に露出されること
ができるため、犬の骨のようなものを減じ／除去
することができる。
は、コア１０がどれぐらい狭く製作され得るか、
かつどの点でアルミニウムまたはスペース材料３
２ａがコンタクト境界面の構成に貢献し始めるか
によつて定められる。明らかに、コンタクトのい
くつかのアルミニウムは許容できる。何も持たな
いような選択も利用できる。自由に、コンタクト
ホール２０が標準より大きくなり、かつ下にある
金属１６′から落ち、かつ上にある配線１８′がパ
ターン化された後上から部分的に露出されること
ができるため、犬の骨のようなものを減じ／除去
することができる。
上位レベル１８′のCVDタングステンプラグ材
料１０は、金属間バイアコンタクト２０のエツチ
ング中、下にある配線１６′のコア材料１０また
は側壁材料３２ａのエツチングを受けることによ
つて生じるいかなる孔も再び充填するだろう。上
方金属１８′のコア１０のエツチングが、コンタ
クト２０全体が１８′の材料１０によつて覆われ
ないようなものであれば、材料１８′のコア１０
ｂの端縁はコンタクト２０上にあるだろう。十分
なコア材料１０が電気的に満足のいくように孔２
０に残つている限り、製造可能性の問題はない。
料１０は、金属間バイアコンタクト２０のエツチ
ング中、下にある配線１６′のコア材料１０また
は側壁材料３２ａのエツチングを受けることによ
つて生じるいかなる孔も再び充填するだろう。上
方金属１８′のコア１０のエツチングが、コンタ
クト２０全体が１８′の材料１０によつて覆われ
ないようなものであれば、材料１８′のコア１０
ｂの端縁はコンタクト２０上にあるだろう。十分
なコア材料１０が電気的に満足のいくように孔２
０に残つている限り、製造可能性の問題はない。
第５Ｂ図に示される平行な電気抵抗の妥当な仮
定に基づく、配線ラインの断面におけるアルミニ
ウムの領域の部分の変化にともなう抵抗の減少の
分析は、第７Ａ図にプロツトされる。第７Ａ図に
見られるように、アルミニウムの量の増加は、タ
ングステン／アルミニウム配線トレースの抵抗の
実質的な減少を生じる。第７Ｂ図は、分析に使用
される断面モデルを描いており、ここで側壁部分
３２ａは適当な計算の簡略化のために三角形であ
ると仮定される。実際に、三角形の部分は実際よ
り小さく見積られ、第７Ａ図のグラフが控えめに
見積られていることに注目すべきである。
定に基づく、配線ラインの断面におけるアルミニ
ウムの領域の部分の変化にともなう抵抗の減少の
分析は、第７Ａ図にプロツトされる。第７Ａ図に
見られるように、アルミニウムの量の増加は、タ
ングステン／アルミニウム配線トレースの抵抗の
実質的な減少を生じる。第７Ｂ図は、分析に使用
される断面モデルを描いており、ここで側壁部分
３２ａは適当な計算の簡略化のために三角形であ
ると仮定される。実際に、三角形の部分は実際よ
り小さく見積られ、第７Ａ図のグラフが控えめに
見積られていることに注目すべきである。
1μｍの膜の厚さを有する1μｍライン／1μｍ空
間の構造では、この発明の配線機構の「シート」
抵抗は、500ÅTi／1000ÅTiN／8500ÅAl合金か
らなる従来の膜と比べて優り、ここで １／RT＝１／RTi＋１／RTiN＋１／RA1
（第５Ｂ図で） かつ全体の有効な抵抗率は、次のように計算さ
れ得ることが注目されよう： ρT〜1.17ρA1 すなわち、Ti／TiNバリヤを使用することに
よつて、構造は、等価の100％アルミニウム配線
より高い有効な抵抗率17％を有する。
間の構造では、この発明の配線機構の「シート」
抵抗は、500ÅTi／1000ÅTiN／8500ÅAl合金か
らなる従来の膜と比べて優り、ここで １／RT＝１／RTi＋１／RTiN＋１／RA1
（第５Ｂ図で） かつ全体の有効な抵抗率は、次のように計算さ
れ得ることが注目されよう： ρT〜1.17ρA1 すなわち、Ti／TiNバリヤを使用することに
よつて、構造は、等価の100％アルミニウム配線
より高い有効な抵抗率17％を有する。
約1.5ρA1の有効な抵抗率を有するこの発明の50
％（領域部分）アルミニウムの変形と、1.17ρA1
を有する従来のバリヤ／アルミニウム方法とを比
較すると、約30％だけ抵抗率の不利があることが
わかる。すなわち、ほとんど同等の抵抗率を有す
るがかなり大きい信頼性を有する配線システムが
得られる。
％（領域部分）アルミニウムの変形と、1.17ρA1
を有する従来のバリヤ／アルミニウム方法とを比
較すると、約30％だけ抵抗率の不利があることが
わかる。すなわち、ほとんど同等の抵抗率を有す
るがかなり大きい信頼性を有する配線システムが
得られる。
この発明のコンタクト機構を形成するための方
法は、100％のステツプカバレツジで円筒形のバ
イアを充填するというCVDタングステンの本来
の能力のため、傾斜のある酸化物エツチングを必
要としないということが認識されよう。したがつ
て、領域は保護されかつ密度は増加され得る。
法は、100％のステツプカバレツジで円筒形のバ
イアを充填するというCVDタングステンの本来
の能力のため、傾斜のある酸化物エツチングを必
要としないということが認識されよう。したがつ
て、領域は保護されかつ密度は増加され得る。
この発明の配線を製作することができるエツチ
ング化学のシーケンスが開発されてきている。次
に、この化学の詳細を説明する。
ング化学のシーケンスが開発されてきている。次
に、この化学の詳細を説明する。
異方性タングステンエツチングはタングステン
ライン１０を形成するために使用される。そのよ
うなエツチングは、CF4＋〜10％O2またはSF6＋
Heを含んでもよい。多くのフツ素化ガスは、タ
ングステンを十分にエツチングするだろう。エツ
チングは、低圧力および中間的な出力でのプラズ
マ（RIEモード）で、またはプラズマモードでは
より高い圧力およびより高い出力で行なわれる。
ライン１０を形成するために使用される。そのよ
うなエツチングは、CF4＋〜10％O2またはSF6＋
Heを含んでもよい。多くのフツ素化ガスは、タ
ングステンを十分にエツチングするだろう。エツ
チングは、低圧力および中間的な出力でのプラズ
マ（RIEモード）で、またはプラズマモードでは
より高い圧力およびより高い出力で行なわれる。
アルミニウム３２は、ほとんど重合体を形成し
ないCl2＋BCl3またはいくらか側壁重合体を形成
するSiCl4＋CHCl3＋Cl2のいずれかを使用するレ
ジストのないブランケツトRIEによつて、タング
ステンライン１０の頂部１０ａからかつ酸化物表
面２２上のライン間から除去される。低圧力およ
び高出力でのプラズマRIEモードは、最もよい結
果を与える。前者のエツチング液は、残余の銅を
アルミニウムから除去するのに役立つようにスパ
ツタリングモードで作動されなければならない。
後者のエツチング液の結果、重合体が形成され、
かつ後者のエツチング液は異方性である。異方性
の程度は、側壁１０ｂ上に最初に析出された金属
３２のどれぐらいがクラツド３２ａを形成するた
めに残つているかを定める。金属３２の等角にコ
ーテイングされた層と組合わされる非常に異方性
なエツチングの結果、最も大きな程度のライン幅
となりつ全体の抵抗率が制御される。これは、側
壁クラツドがエツチングによつて腐食されないか
らである。
ないCl2＋BCl3またはいくらか側壁重合体を形成
するSiCl4＋CHCl3＋Cl2のいずれかを使用するレ
ジストのないブランケツトRIEによつて、タング
ステンライン１０の頂部１０ａからかつ酸化物表
面２２上のライン間から除去される。低圧力およ
び高出力でのプラズマRIEモードは、最もよい結
果を与える。前者のエツチング液は、残余の銅を
アルミニウムから除去するのに役立つようにスパ
ツタリングモードで作動されなければならない。
後者のエツチング液の結果、重合体が形成され、
かつ後者のエツチング液は異方性である。異方性
の程度は、側壁１０ｂ上に最初に析出された金属
３２のどれぐらいがクラツド３２ａを形成するた
めに残つているかを定める。金属３２の等角にコ
ーテイングされた層と組合わされる非常に異方性
なエツチングの結果、最も大きな程度のライン幅
となりつ全体の抵抗率が制御される。これは、側
壁クラツドがエツチングによつて腐食されないか
らである。
パツシベーシヨンは、高圧力および低出力で
CF4またはCHF3プラズマ内で行なわれる。
CF4またはCHF3プラズマ内で行なわれる。
コンタクトホール２０を形成するための酸化物
エツチングは、低圧力または高圧力でかつ中間出
力ないし高出力でCHF3＋O2またはCHF3＋C2F6
＋Heを用いて、RIEまたはプラズマエツチング
によつて行なわれる。
エツチングは、低圧力または高圧力でかつ中間出
力ないし高出力でCHF3＋O2またはCHF3＋C2F6
＋Heを用いて、RIEまたはプラズマエツチング
によつて行なわれる。
いかなる露出されたアルミニウム側壁３２ａ
（第６図）も腐食することなく下にある配線１
６′の露出されたタングステンコア１０へエツチ
ングしようと決めれば、タングステンエツチング
は、低圧力および中間出力でCF4＋O2を用いて
RIEによつて、または刺激の少ない塩基性溶液で
ウエツトエツチングによつてのいずれかで行なわ
れる。タングステンエツチングは、SiO2に選択
的であるものまたはSiO2を異方性にエツチング
するものであるべきである。
（第６図）も腐食することなく下にある配線１
６′の露出されたタングステンコア１０へエツチ
ングしようと決めれば、タングステンエツチング
は、低圧力および中間出力でCF4＋O2を用いて
RIEによつて、または刺激の少ない塩基性溶液で
ウエツトエツチングによつてのいずれかで行なわ
れる。タングステンエツチングは、SiO2に選択
的であるものまたはSiO2を異方性にエツチング
するものであるべきである。
いかなるアルミニウム３２ａも、上で述べたア
ルミニウムエツチングを用いることによつて除去
される。アルミニウムおよびタングステンの両方
を腐食する組合わされたエツチングもまた、自由
に選択される。しかしながら、その目的は、主と
してタングステンからなるコンタクト境界面で終
わることである。
ルミニウムエツチングを用いることによつて除去
される。アルミニウムおよびタングステンの両方
を腐食する組合わされたエツチングもまた、自由
に選択される。しかしながら、その目的は、主と
してタングステンからなるコンタクト境界面で終
わることである。
この発明の好ましい実施例の好ましい実施例の
上述の説明は、図解および説明のために提供され
ている。排他的であることまたはこの発明を開示
されるまさにその形に制限することは意図されて
いない。明らかに、多くの修正および変形が当業
者に明らかとなろう。この発明は、MOS工程ま
たはバイポーラ工程の他の製作技術で実施される
ことも可能である。同様に、上述のいかなる方法
ステツプも、同じ結果を達成するために他のステ
ツプと交換可能であるだろう。この実施例は、こ
の発明の原理およびその実際の応用を最もよく説
明するために選択されかつ説明されており、その
ため当業者は考えられる特定の使用に合うような
様々な実施例および様々な修正でこの発明を理解
することができる。この発明の範囲は前掲の特許
請求の範囲およびその均等物によつて規定される
ことが意図されている。
上述の説明は、図解および説明のために提供され
ている。排他的であることまたはこの発明を開示
されるまさにその形に制限することは意図されて
いない。明らかに、多くの修正および変形が当業
者に明らかとなろう。この発明は、MOS工程ま
たはバイポーラ工程の他の製作技術で実施される
ことも可能である。同様に、上述のいかなる方法
ステツプも、同じ結果を達成するために他のステ
ツプと交換可能であるだろう。この実施例は、こ
の発明の原理およびその実際の応用を最もよく説
明するために選択されかつ説明されており、その
ため当業者は考えられる特定の使用に合うような
様々な実施例および様々な修正でこの発明を理解
することができる。この発明の範囲は前掲の特許
請求の範囲およびその均等物によつて規定される
ことが意図されている。
第１Ａ図−第１Ｂ図は、斜視図で、半導体基板
上に形成される先行技術のクラツドCVDタング
ステンラインを描く。第２Ａ図−第２Ｂ図は、断
面図で、先行技術の機構での望ましくないフツ化
アルミニウム化合物および／またはエツチング重
合体の形成を描く。第３Ａ図−第３Ｃ図は、断面
図で、この発明に従う処理シーケンスを描く。第
４図は、３重レベル金属機構を用いるこの発明の
１つの実現化例を描く。第５Ａ図はこの発明に従
つた横方向クラツドCVDタングステンラインの
斜視図である。第５Ｂ図は、第５Ａ図の横方向ク
ラツドラインの電気的抵抗モデルである。第５Ｃ
図は、この発明の他の実施例に従う、そのクラツ
ドが分割される横方クラツドCVDタングステン
ラインの斜視図である。第６図は、この発明のコ
ンタクトをオーバエツチングすることは有害では
ないことを示す断面図である。第７Ａ図は、相対
的な抵抗率（アルミニウムの抵抗率に対する抵抗
率）および断片のアルミニウム領域の含有量の座
標での、100％のアルミニウムの抵抗率に対する
比で表わされる特定の配線抵抗率を達成するため
に必要とされるアルミニウムの量（％で）のプロ
ツトである。第７Ｂ図は、断面図で、第７Ａ図の
プロツトを生じる際に使用されるモデルのプロフ
イールを描く。 図において、１０は高融点コア、１３は半導体
基板、１２および２２は絶縁層、１４は金属クラ
ツド、１６および１８は配線、２０はコンタクト
ホール、および３２ａは側壁スペーサである。
上に形成される先行技術のクラツドCVDタング
ステンラインを描く。第２Ａ図−第２Ｂ図は、断
面図で、先行技術の機構での望ましくないフツ化
アルミニウム化合物および／またはエツチング重
合体の形成を描く。第３Ａ図−第３Ｃ図は、断面
図で、この発明に従う処理シーケンスを描く。第
４図は、３重レベル金属機構を用いるこの発明の
１つの実現化例を描く。第５Ａ図はこの発明に従
つた横方向クラツドCVDタングステンラインの
斜視図である。第５Ｂ図は、第５Ａ図の横方向ク
ラツドラインの電気的抵抗モデルである。第５Ｃ
図は、この発明の他の実施例に従う、そのクラツ
ドが分割される横方クラツドCVDタングステン
ラインの斜視図である。第６図は、この発明のコ
ンタクトをオーバエツチングすることは有害では
ないことを示す断面図である。第７Ａ図は、相対
的な抵抗率（アルミニウムの抵抗率に対する抵抗
率）および断片のアルミニウム領域の含有量の座
標での、100％のアルミニウムの抵抗率に対する
比で表わされる特定の配線抵抗率を達成するため
に必要とされるアルミニウムの量（％で）のプロ
ツトである。第７Ｂ図は、断面図で、第７Ａ図の
プロツトを生じる際に使用されるモデルのプロフ
イールを描く。 図において、１０は高融点コア、１３は半導体
基板、１２および２２は絶縁層、１４は金属クラ
ツド、１６および１８は配線、２０はコンタクト
ホール、および３２ａは側壁スペーサである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に形成される集積回路上で個々
の回路および素子を電気的に接続する配線構造で
あつて、前記構造は、一般に長方形の断面を有
し、かつその向かい合つた側壁がアルミニウム、
金および銅ならびにその合金からなる群から選択
される少なくとも１つの材料の低抵抗率の条片で
覆われかつそれと電気的かつ物理的に接触し、か
つその頂部表面は高融点材料−高融点材料コンタ
クト形成のために使用可能でありかつその底部表
面は高融点材料−高融点材料コンタクトまたは高
融点材料−半導体コンタクト形成のために使用可
能である、絶縁層上に形成される少なくとも１つ
の高融点コアを含む、配線構造。 ２ 半導体基板上に形成される集積回路上で個々
の回路および素子を電気的に接続する配線構造で
あつて、前記構造は、(a)絶縁層上に形成され、一
般に長方形の断面を有しかつその向かい合つた側
壁はアルミニウム、金および銅ならびにその合金
からなる群から選択される少なくとも１つの材料
の低抵抗率の条片で覆われかつそれと電気的かつ
物理的に接触し、かつその頂部表面は高融点材料
−高融点材料コンタクト形成のために使用可能で
ありかつその底部表面は高融点材料−高融点材料
コンタクトまたは高融点材料−半導体コンタクト
形成のために使用可能である、少なくとも１つの
高融点コア、ならびに(b)前記側壁材料を含み、前
記高融点コアとは別の少なくとも１つのパターン
化されたラインを含む、配線構造。 ３ 前記高融点材料は、タングステン、モリブデ
ン、WSix／Ｗおよひびα−Si／Ｗからなる群か
ら選択される金属を含む、請求項１または２記載
の配線。 ４ 前記高融点材料はタングステンを含む、請求
項３記載の配線。 ５ 前記側壁材料は、アルミニウムまたはその合
金を含む、請求項１または２記載の配線。 ６ 前記半導体はシリコンを含む、請求項１また
は２記載の配線。 ７ 前記側壁材料は分割され、その不連続な部分
を含む、請求項１または２記載の配線。 ８ 前記部分は、前記材料のエレクトロマイグレ
ーシヨンのための臨界長さより短い、請求項７記
載の配線。 ９ 前記側壁は、前記低抵抗率材料の少なくとも
その他のものによつて被覆される前記低抵抗率材
料の１つを含む、請求項１または２記載の配線。 １０ 前記絶縁層上に形成される粘着層上に形成
される前記高融点金属を含む、請求項１または２
記載の配線。 １１ 前記粘着層は、α−Si、WSix、窒化チタ
ンおよびチタン／窒化チタンからなる群から選択
される材料を含む、請求項１０記載の配線。 １２ シリコン基板上に形成される集積回路上で
個々の回路および素子を電気的に接続する配線構
造であつて、前記構造は、一般に長方形の断面を
有しかつその向かい合つた側壁はアルミニウムま
たはその合金の低抵抗率の条片で覆われかつそれ
と電気的かつ物理的に接触し、かつその頂部表面
はタングステン−タングステンコンタクト形成の
ために使用可能でありかつその底部表面はタング
ステン−タングステンコンタクトまたはタングス
テン−シリコンコンタクト形成のために使用可能
である、絶縁層上に形成される少なくとも１つの
パターン化されたCVDタングステンを含む、配
線構造。 １３ シリコン基板上に形成される集積回路上で
個々の回路および素子を電気的に接続する配線構
造であつて、前記構造は、(a)絶縁層上に形成され
る一般に長方形の断面を有しかつその向かい合つ
た側壁はアルミニウムまたはその合金の低抵抗率
の条片で覆われかつそれと電気的かつ物理的に接
触し、かつその頂部表面はタングステン−タング
ステンコンタクト形成のために使用可能でありか
つその底部表面はタングステン−タングステンコ
ンタクトまたはタングステン−シリコンコンタク
ト形成のために使用可能である、少なくとも１つ
のパターン化されたCVDタングステンコア、な
らびに(b)前記アルミニウムまたはその合金を含
み、前記タングステンコアとは別の少なくとも１
つのパターン化されたラインを含む、配線構造。 １４ 前記絶縁層は、ドープされていないまたは
ドープされた酸化物、窒化物、酸窒化物、ポリイ
ミド、スピンオンシリケートおよびシロキサンガ
ラスならびにアモルフアスシリコンからなる群か
ら選択される、請求項１、２、１２または１３記
載の配線。 １５ 前記絶縁層は、リン、ホウ素／リンおよび
砒素からなる群から選択される材料でドープされ
た二酸化シリコンを含む、請求項１４記載の配
線。 １６ 優れた信頼性および高速度を有する配線構
造を形成する方法であつて、絶縁層上に少なくと
も１つのパターン化された高融点コア部分を形成
することを含み、前記コア部分は頂部部分および
向かい合つた側面部分を有し、前記方法は、前記
コア部分にアルミニウム、金および銅ならびにそ
の合金からなる群から選択される少くとも１つの
材料の側壁スペーサを設けることを含み、それに
よつて前記高融点コア部分の横方向クラツドを与
え、かつその前記頂部部分を露出する、方法。 １７ 前記側壁材料料はブラケツト析出され、前
記コア部分と関連しない前記材料の領域はパター
ン化され、かつ前記コア部分と前記パターン化さ
れた領域の外の前記材料との上にありかつその間
にある前記材料は除去され、前記横方向クラツド
を有するコア部分および前記材料からなるパター
ン化されたラインを残す、請求項１６記載の方
法。 １８ 優れた信頼性および高速度を有する配線構
造を形成する方法であつて、絶縁層上に少なくと
も１つのパターン化されたCVDタングステンコ
ア部分を形成することを含み、前記部分は頂部部
分および向かい合つた側面部分を有し、前記方法
は、前記コア部分にアルミニウムまたはその合金
の側壁スペーサを設けることを含み、それによつ
て前記タングステン部分の横方向クラツドを与え
かつその前記頂部部分を露出する、方法。 １９ 優れた信頼性および高速度を有する配線構
造を形成する方法であつて、絶縁層上に少なくと
も１つのパターン化された高融点コア部分を形成
することを含み、前記コア部分は頂部部分および
向かい合つた側面部分を有し、前記方法は、アル
ミニウム、金および銅ならびにその合金からなる
群から選択される側壁材料をブランケツト析出
し、前記コア部分と関連しない前記材料の領域を
パターン化し、かつ前記コア部分と前記パターン
化された領域の外の前記材料との上にありかつそ
の間にある前記材料を除去することを含み、横方
向クラツドを有するコア部分を残しかつ前記材料
を含むパターン化されたラインを残す、方法。 ２０ 前記絶縁層は、ドープされていないまたは
ドープされた酸化物、窒化物、酸窒化物、ポリイ
ミド、スピンオンシリケートおよびシロキサンガ
ラスならびにアモルフアスシリコンからなる群か
ら選択される、請求項１６、１８また１９記載の
方法。 ２１ 前記絶縁層は、リン、ホウ素／リンおよび
砒素でドープされた二酸化シリコンを含む、請求
項２０記載の方法。 ２２ 前記高融点金属は、タングステン、モリブ
デン、WSix／Ｗおよびα−Si／Ｗからなる群か
ら選択される材料を含む、請求項１６または１９
記載の方法。 ２３ 前記高融点金属はタングステンを含む、請
求項２２記載の方法。 ２４ 前記側壁材料は、アルミニウムまたはその
合金を含む、請求項１６または１９記載の方法。 ２５ 前記半導体シリコンを含む、請求項１６ま
たは１９記載の方法。 ２６ 前記側壁材料はセグメントとして形成さ
れ、その不連続な部分を含む、請求項１６または
１９記載の方法。 ２７ 前記部分は、前記材料のエレクトロマイグ
レーシヨンのための臨界長さより短く形成され
る、請求項２６記載の方法。 ２８ 前記側壁は、前記低抵抗率材料の１つを前
記低抵抗率材料の少なくともその他のものによつ
て被覆することを含む、請求項１６または１９記
載の方法。 ２９ 第１のクラツドは、前記高融点コア上に銅
を析出することによつて形成され、続いて第２の
クラツドはその上に金を析出することによつて形
成される、請求項２８記載の方法。 ３０ 粘着層は、前記高融点金属をその上に形成
する前に、前記絶縁層上に形成される、請求項１
６または１９記載の方法。 ３１ 前記粘着層は、α−Si、WSix、窒化チタ
ンおよびチタン／窒化チタンからなる群から選択
される材料を含む、請求項３０記載の方法。 ３２ 優れた信頼性および高速度を有する配線構
造を形成する方法であつて、少なくとも１つのパ
ターン化されたタングステンコア部分を二酸化シ
リコンの表面上に形成することを含み、前記コア
部分は頂部部分および向かい合つた側面部分を有
し、前記方法は、アルミニウムまたはその合金を
含む側壁材料をブランケツト析出し、前記コア部
分と関連しない前記材料の領域をパターン化し、
かつ前記コア部分と、前記パターン化された領域
の外の前記材料との上にありかつその間にある前
記材料を除去することを含み、横方向クラツドを
有するコア部分を残しかつ前記材料を含むパター
ン化されたラインを残す、方法。 ３３ 前記表面は、リン、ホウ素／リンおよび砒
素から群から選択される材料でドープされた二酸
化シリコンを含む、請求項３２記載の方法。
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|---|---|---|---|
| US07/024,283 US4847674A (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | High speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism |
| US24,283 | 1987-03-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234549A JPS63234549A (ja) | 1988-09-29 |
| JPH0572099B2 true JPH0572099B2 (ja) | 1993-10-08 |
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Families Citing this family (90)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2769331B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1998-06-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPH04242938A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0669208A (ja) * | 1991-03-12 | 1994-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US5639690A (en) * | 1991-03-12 | 1997-06-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing a conductive pattern structure for a semiconductor device |
| SE500523C2 (sv) * | 1992-10-09 | 1994-07-11 | Elsa Elektroniska Systems And | Halvledarkomponent med minst en första och en andra komponentelektrod innefattande ett flertal på en halvledarbricka integrerade halvledarelement, som vart och ett innefattar minst en första och en andra elementelektrod på samma sida av halvledarbrickan, varid de första elementelektroderna är förbundna med den första komponentelektroden och de andra elementelektroderna är förbundna med den andra komponentelektroden. |
| JP3309717B2 (ja) * | 1996-06-26 | 2002-07-29 | 三菱電機株式会社 | 集積回路の配線の製造方法 |
| US7943505B2 (en) * | 1997-03-14 | 2011-05-17 | Micron Technology, Inc. | Advanced VLSI metallization |
| US6242346B1 (en) * | 1997-08-13 | 2001-06-05 | United Microelectronics Corporation | Metallization for uncovered contacts and vias |
| US6653193B2 (en) * | 2000-12-08 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable device |
| US6457814B1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-10-01 | Hewlett-Packard Company | Fluid-jet printhead and method of fabricating a fluid-jet printhead |
| US6638820B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices |
| US6727192B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of metal doping a chalcogenide material |
| US6818481B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell |
| US6734455B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides |
| US7102150B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-05 | Harshfield Steven T | PCRAM memory cell and method of making same |
| US6951805B2 (en) | 2001-08-01 | 2005-10-04 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry |
| US6737312B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode |
| US6784018B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry |
| US6881623B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device |
| US6955940B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices |
| US6709958B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials |
| US6646902B2 (en) | 2001-08-30 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM |
| US6815818B2 (en) | 2001-11-19 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Electrode structure for use in an integrated circuit |
| US6791859B2 (en) * | 2001-11-20 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation |
| US6873538B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto |
| US6909656B2 (en) | 2002-01-04 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | PCRAM rewrite prevention |
| US20030143782A1 (en) * | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Gilton Terry L. | Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures |
| US6867064B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
| US6791885B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
| US6847535B2 (en) | 2002-02-20 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation |
| US6891749B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable ‘on ’ memory |
| US6809362B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-10-26 | Micron Technology, Inc. | Multiple data state memory cell |
| US7087919B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Layered resistance variable memory device and method of fabrication |
| US7151273B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory |
| US6937528B2 (en) | 2002-03-05 | 2005-08-30 | Micron Technology, Inc. | Variable resistance memory and method for sensing same |
| US6849868B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for resistance variable material cells |
| US6751114B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-06-15 | Micron Technology, Inc. | Method for programming a memory cell |
| US7341947B2 (en) * | 2002-03-29 | 2008-03-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming metal-containing films over surfaces of semiconductor substrates |
| US6653236B2 (en) * | 2002-03-29 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming metal-containing films over surfaces of semiconductor substrates; and semiconductor constructions |
| US6864500B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor memory cell structure |
| US6855975B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-02-15 | Micron Technology, Inc. | Thin film diode integrated with chalcogenide memory cell |
| US6858482B2 (en) | 2002-04-10 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of programmable switching circuits and memory cells employing a glass layer |
| US6731528B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation |
| US6825135B2 (en) | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition |
| US6890790B2 (en) * | 2002-06-06 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides |
| US7015494B2 (en) | 2002-07-10 | 2006-03-21 | Micron Technology, Inc. | Assemblies displaying differential negative resistance |
| US7209378B2 (en) | 2002-08-08 | 2007-04-24 | Micron Technology, Inc. | Columnar 1T-N memory cell structure |
| US7018863B2 (en) | 2002-08-22 | 2006-03-28 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacture of a resistance variable memory cell |
| US6867114B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology Inc. | Methods to form a memory cell with metal-rich metal chalcogenide |
| US7294527B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-11-13 | Micron Technology Inc. | Method of forming a memory cell |
| US6831019B1 (en) | 2002-08-29 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods and methods of forming memory devices comprising a chalcogenide comprising layer received operably proximate conductive electrodes |
| US20040040837A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Mcteer Allen | Method of forming chalcogenide sputter target |
| US7163837B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a resistance variable memory element |
| US7010644B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Software refreshed memory device and method |
| US6867996B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Single-polarity programmable resistance-variable memory element |
| US6864521B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method to control silver concentration in a resistance variable memory element |
| US7364644B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
| US6813178B2 (en) * | 2003-03-12 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide glass constant current device, and its method of fabrication and operation |
| US7022579B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method for filling via with metal |
| US7050327B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Differential negative resistance memory |
| US6930909B2 (en) | 2003-06-25 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Memory device and methods of controlling resistance variation and resistance profile drift |
| US6961277B2 (en) | 2003-07-08 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | Method of refreshing a PCRAM memory device |
| US7061004B2 (en) | 2003-07-21 | 2006-06-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory elements and methods of formation |
| US6903361B2 (en) | 2003-09-17 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory structure |
| US7583551B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Power management control and controlling memory refresh operations |
| US7098068B2 (en) | 2004-03-10 | 2006-08-29 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a chalcogenide material containing device |
| US20050274480A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-15 | Barsoum Michel W | Reduction of spontaneous metal whisker formation |
| US7326950B2 (en) | 2004-07-19 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Memory device with switching glass layer |
| US7190048B2 (en) | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device and method of fabrication |
| US7354793B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element |
| US7365411B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory with temperature tolerant materials |
| US7151688B2 (en) | 2004-09-01 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Sensing of resistance variable memory devices |
| US20060131555A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable devices with controllable channels |
| US7374174B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Small electrode for resistance variable devices |
| US7317200B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | SnSe-based limited reprogrammable cell |
| US7427770B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Memory array for increased bit density |
| US7709289B2 (en) | 2005-04-22 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same |
| US7269044B2 (en) | 2005-04-22 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for accessing a memory array |
| US7269079B2 (en) | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Power circuits for reducing a number of power supply voltage taps required for sensing a resistive memory |
| US7233520B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Process for erasing chalcogenide variable resistance memory bits |
| US7274034B2 (en) | 2005-08-01 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication |
| US7332735B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory cell and method of formation |
| US7317567B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for providing color changing thin film material |
| US7579615B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Access transistor for memory device |
| US7304368B2 (en) | 2005-08-11 | 2007-12-04 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide-based electrokinetic memory element and method of forming the same |
| US7251154B2 (en) | 2005-08-15 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance |
| US7277313B2 (en) | 2005-08-31 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory element with threshold device and method of forming the same |
| US7560723B2 (en) | 2006-08-29 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication |
| US20090102023A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Stephan Wege | Method for Manufacturing a Structure, Semiconductor Device and Structure on a Substrate |
| US8467236B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-06-18 | Boise State University | Continuously variable resistor |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2922092A (en) * | 1957-05-09 | 1960-01-19 | Westinghouse Electric Corp | Base contact members for semiconductor devices |
| US3838204A (en) * | 1966-03-30 | 1974-09-24 | Ibm | Multilayer circuits |
| US3436615A (en) * | 1967-08-09 | 1969-04-01 | Fairchild Camera Instr Co | Contact metal system of an allayer adjacent to semi-conductor and a layer of au-al intermetallics adjacent to the conductive metal |
| US3647935A (en) * | 1969-12-15 | 1972-03-07 | Motorola Inc | Intermetallic passivation of aluminum metallization |
| JPS5414159A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor device |
| US4494136A (en) * | 1979-10-04 | 1985-01-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Semiconductor device having an amorphous metal layer contact |
| US4367119A (en) * | 1980-08-18 | 1983-01-04 | International Business Machines Corporation | Planar multi-level metal process with built-in etch stop |
| US4654680A (en) * | 1980-09-24 | 1987-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sidewall gate IGFET |
| US4700215A (en) * | 1981-11-19 | 1987-10-13 | Texas Instruments Incorporated | Polycide electrodes for integrated circuits |
| US4712125A (en) * | 1982-08-06 | 1987-12-08 | International Business Machines Corporation | Structure for contacting a narrow width PN junction region |
| US4489482A (en) * | 1983-06-06 | 1984-12-25 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Impregnation of aluminum interconnects with copper |
| US4689113A (en) * | 1986-03-21 | 1987-08-25 | International Business Machines Corporation | Process for forming planar chip-level wiring |
| US4689869A (en) * | 1986-04-07 | 1987-09-01 | International Business Machines Corporation | Fabrication of insulated gate gallium arsenide FET with self-aligned source/drain and submicron channel length |
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