JPS61104581A - セラミツクスヒ−タおよびその製造方法 - Google Patents
セラミツクスヒ−タおよびその製造方法Info
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- JPS61104581A JPS61104581A JP59226291A JP22629184A JPS61104581A JP S61104581 A JPS61104581 A JP S61104581A JP 59226291 A JP59226291 A JP 59226291A JP 22629184 A JP22629184 A JP 22629184A JP S61104581 A JPS61104581 A JP S61104581A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本第１発明は窒化珪素と導電性セラミックスとを主要成
分とする焼結体である発熱体を有するセラミックスヒー
タの改良に関し、本第２発明はその製造方法に関する。
分とする焼結体である発熱体を有するセラミックスヒー
タの改良に関し、本第２発明はその製造方法に関する。
［従来の技術］
従来より発熱体として金属発熱体やセラミックス発熱体
が提供されている。金属発熱体としてはニクロムやカン
タル等があるがこれらは耐熱性に乏しい。又セラミック
ス発熱体としては炭化珪素、二珪化モリブデン、クロム
酸ランタン（Ｌａ ＣｒＯ２のことをいう）等があるが
、これらはいずれも耐熱衝撃性や強度が小さい。またこ
れらは比抵抗が高いため、低電圧、例えばカーバッテリ
ーの−〇 − １２Ｖの低電圧では使用が困難である。
が提供されている。金属発熱体としてはニクロムやカン
タル等があるがこれらは耐熱性に乏しい。又セラミック
ス発熱体としては炭化珪素、二珪化モリブデン、クロム
酸ランタン（Ｌａ ＣｒＯ２のことをいう）等があるが
、これらはいずれも耐熱衝撃性や強度が小さい。またこ
れらは比抵抗が高いため、低電圧、例えばカーバッテリ
ーの−〇 − １２Ｖの低電圧では使用が困難である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明者らは、上記した従来技術の問題点を解決するべ
く努力した結果、炭化チタン、窒化チタン、および二珪
化モリブデン等のうちの少なくとも１種から成る導電性
セラミックスと、窒化珪素等とを主要成分とする焼結体
で構成される発熱体が、強度、耐熱衝撃性、耐熱性に優
れることを見出した。そこで本発明者らは、この見出さ
れた、新規な事実のうち、特に強度、耐衝撃性および耐
熱性に優れ、更に比抵抗が調節可能で低電圧でも使用で
きる態様のセラミックスヒータについて出願（特許出願
番号５８−１６５６９２、特許出願人日本電装株式会社
）をした。即ち該出願に係るセラミックスヒータを構成
する発熱体は、炭化チタンおよび窒化チタンの少なくと
も１つと窒化珪素との焼結体から成る。
く努力した結果、炭化チタン、窒化チタン、および二珪
化モリブデン等のうちの少なくとも１種から成る導電性
セラミックスと、窒化珪素等とを主要成分とする焼結体
で構成される発熱体が、強度、耐熱衝撃性、耐熱性に優
れることを見出した。そこで本発明者らは、この見出さ
れた、新規な事実のうち、特に強度、耐衝撃性および耐
熱性に優れ、更に比抵抗が調節可能で低電圧でも使用で
きる態様のセラミックスヒータについて出願（特許出願
番号５８−１６５６９２、特許出願人日本電装株式会社
）をした。即ち該出願に係るセラミックスヒータを構成
する発熱体は、炭化チタンおよび窒化チタンの少なくと
も１つと窒化珪素との焼結体から成る。
しかし上記セラミックスヒータは発熱体に通電するため
の電極構造に以下の如き問題点を有する。
の電極構造に以下の如き問題点を有する。
通常セラミックスヒータは、セラミックス発熱−７一
体と、該発熱体表面にニッケル、銀等がペースト焼付や
メッキにより形成されたメタライズ層と、該メタライズ
層上に配設された金属電極と、該メタライズ層と該金属
電極を接合するロー材層とから構成される。しかし該セ
ラミックスヒータにおいては、該発熱体と金属とのぬれ
性が悪いため、ペースト焼付時に該発熱体とペースト金
属との接合性が悪い。従ってこの場合は発熱体と焼付金
属間で、はがれや抵抗の上昇といった問題が生じる。
メッキにより形成されたメタライズ層と、該メタライズ
層上に配設された金属電極と、該メタライズ層と該金属
電極を接合するロー材層とから構成される。しかし該セ
ラミックスヒータにおいては、該発熱体と金属とのぬれ
性が悪いため、ペースト焼付時に該発熱体とペースト金
属との接合性が悪い。従ってこの場合は発熱体と焼付金
属間で、はがれや抵抗の上昇といった問題が生じる。
さらに該セラミックスヒータにおいては、メタライズ層
と接合する発熱体の比抵抗が大きいので、電極回りの発
熱が生じ、高温使用時での寿命が低下する。
と接合する発熱体の比抵抗が大きいので、電極回りの発
熱が生じ、高温使用時での寿命が低下する。
又上記メタライズ層を設けない場合においては、上記発
荊体に電極板が押圧されて使用される。この場合におい
ても電極回りの発熱が生じ高温使用時での寿命が低下す
る。
荊体に電極板が押圧されて使用される。この場合におい
ても電極回りの発熱が生じ高温使用時での寿命が低下す
る。
そこで本発明は上記問題点を克服するものであり、本第
１発明は、電極回りの発熱を押さえ高温使用時の寿命を
高め、発熱体とメタライズ層の接＝ ８ − 合性をよくし発熱体とメタライズ層間でのはがれや抵抗
の上昇を少なくし、低電圧でも使用できるセラミックス
ヒータを提供することを目的とする。
１発明は、電極回りの発熱を押さえ高温使用時の寿命を
高め、発熱体とメタライズ層の接＝ ８ − 合性をよくし発熱体とメタライズ層間でのはがれや抵抗
の上昇を少なくし、低電圧でも使用できるセラミックス
ヒータを提供することを目的とする。
又第２発明は第１発明の該セラミックスヒータの製造を
可能どする製造方法を提供することを目的とする。
可能どする製造方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
［第１発明］
本第１発明のセラミックスヒータは、チタン（Ｔｉ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウ
ム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ ）、タンタル（Ｔａ）、クロ
ム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）
およびランタン（Ｌａ ）の各窒化物、それらの金属の
各炭化物および二珪化モリブデンのうちの少なくとも１
つから成る導電性セラミックスと、窒化珪素、炭化珪素
および酸化アルミニウム（ＡＩ ２０３）のうちの少
なくとも１つから成る絶縁材料とを主要成分とする焼結
体から成る発熱体と、 該発熱体の表面の一部に形成され、チタン（Ｔ１）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（１１ｆ）、バナジウ
ム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ））、タンタル（Ｔａ）、クロ
ム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ ）、タングステン（Ｗ
）およびランタン（Ｌａ ）の各窒化物、それらの金属
の各炭化物および二珪化モリブデンのうちの少なくとも
１つから成る導電性セラミックスを主要成分とする導電
層とから構成され、 該導電層中にお（プる導電性セラミックスの成分割合が
、該発熱体中における導電性セラミックスの成分割合よ
りも大きいことを特徴どする。
ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウ
ム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ ）、タンタル（Ｔａ）、クロ
ム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）
およびランタン（Ｌａ ）の各窒化物、それらの金属の
各炭化物および二珪化モリブデンのうちの少なくとも１
つから成る導電性セラミックスと、窒化珪素、炭化珪素
および酸化アルミニウム（ＡＩ ２０３）のうちの少
なくとも１つから成る絶縁材料とを主要成分とする焼結
体から成る発熱体と、 該発熱体の表面の一部に形成され、チタン（Ｔ１）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（１１ｆ）、バナジウ
ム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ））、タンタル（Ｔａ）、クロ
ム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ ）、タングステン（Ｗ
）およびランタン（Ｌａ ）の各窒化物、それらの金属
の各炭化物および二珪化モリブデンのうちの少なくとも
１つから成る導電性セラミックスを主要成分とする導電
層とから構成され、 該導電層中にお（プる導電性セラミックスの成分割合が
、該発熱体中における導電性セラミックスの成分割合よ
りも大きいことを特徴どする。
（１）発熱体
本セラミックスヒータの構成要素の１つは、Ｔｉ 、Ｚ
ｒ、ｌ−Ｈ，Ｖ、Ｎｌ）、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗおよび
ｌ−ａの各窒化物、それらの金属の各炭化物および二珪
化モリブデン（Ｍｏ８ｉ ２）のうちの少なくとも１つ
から成る導電性レラミックスと、窒化珪素（Ｓ１３Ｎ４
）、炭化珪素（Ｓｉ Ｃ）および酸化アルミニウム（Δ
１２０３＞のうちの少なくとも１つ力目ら成る絶縁材料
とを主要成分とする焼結体から成る発熱体である。
ｒ、ｌ−Ｈ，Ｖ、Ｎｌ）、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗおよび
ｌ−ａの各窒化物、それらの金属の各炭化物および二珪
化モリブデン（Ｍｏ８ｉ ２）のうちの少なくとも１つ
から成る導電性レラミックスと、窒化珪素（Ｓ１３Ｎ４
）、炭化珪素（Ｓｉ Ｃ）および酸化アルミニウム（Δ
１２０３＞のうちの少なくとも１つ力目ら成る絶縁材料
とを主要成分とする焼結体から成る発熱体である。
該導電性セラミックスは、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）
、窒化ジルコニウム（Ｚｒ Ｎ） 、窒化クロム（Ｃｒ
Ｎ）、窒化タングステン（ＷＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ
）および炭化ジルコニウム（Ｚｒ Ｃ）等のうちの少な
くとも１つから成ればよく、それらのうちの２以上のも
のから成ってもよい。該導電性セラミックスのうち窒化
チタンおよび炭化チタンのうちの少なくとも１つから成
るものが好ましい。これらの場合は、セラミックス発熱
体の高温での機械的強度が大きくかつ耐熱性にも優れて
いるので、該セラミックスヒータの高温での使用寿命が
優れるからである。
、窒化ジルコニウム（Ｚｒ Ｎ） 、窒化クロム（Ｃｒ
Ｎ）、窒化タングステン（ＷＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ
）および炭化ジルコニウム（Ｚｒ Ｃ）等のうちの少な
くとも１つから成ればよく、それらのうちの２以上のも
のから成ってもよい。該導電性セラミックスのうち窒化
チタンおよび炭化チタンのうちの少なくとも１つから成
るものが好ましい。これらの場合は、セラミックス発熱
体の高温での機械的強度が大きくかつ耐熱性にも優れて
いるので、該セラミックスヒータの高温での使用寿命が
優れるからである。
発熱体に含まれる該導電性セラミックスの成分割合は、
発熱体が発熱機能を有する程度ものであればよく特に限
定されない。該導電性セラミックスの成分割合は、全体
を１００モル％としたときに、１０〜８０モル％である
のがり了乏１、しい。この範囲では導電性セラミックス
の含有量を調整することにＪ：り焼結体の比抵抗を発熱
体として適当に調整できるからである。
発熱体が発熱機能を有する程度ものであればよく特に限
定されない。該導電性セラミックスの成分割合は、全体
を１００モル％としたときに、１０〜８０モル％である
のがり了乏１、しい。この範囲では導電性セラミックス
の含有量を調整することにＪ：り焼結体の比抵抗を発熱
体として適当に調整できるからである。
該絶縁４２１１は、窒化珪素、炭化珪素おＪ：びＡ１２
０３のうちの少イ１くとも１つから成る。該窒化珪素は
一般に強度、耐熱衝撃性、耐熱↑１１に優れているセラ
ミックスである。また該絶縁材料には、窒化ＪＩ素と△
１２０３とから成るザイアロンも含む。
０３のうちの少イ１くとも１つから成る。該窒化珪素は
一般に強度、耐熱衝撃性、耐熱↑１１に優れているセラ
ミックスである。また該絶縁材料には、窒化ＪＩ素と△
１２０３とから成るザイアロンも含む。
該発熱体は上記導電性セラミックスと上記絶縁材料とを
主要成分とする焼結体から成る。ここに主要成分どは発
熱体を１１４成する」−で重要な成分を意味し、その含
有量を問題とする主成分ど（よ違った概念である。該発
熱体には」−記成分以外に、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ
２）、酸化マグネシウム（Ｍ ９０）、酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯｐ）、ｆｌｕ化
アルアルミニウムマグネシウムＭ ｏ△１２０４）等を
含んでもよい。
主要成分とする焼結体から成る。ここに主要成分どは発
熱体を１１４成する」−で重要な成分を意味し、その含
有量を問題とする主成分ど（よ違った概念である。該発
熱体には」−記成分以外に、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ
２）、酸化マグネシウム（Ｍ ９０）、酸化アルミニウ
ム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯｐ）、ｆｌｕ化
アルアルミニウムマグネシウムＭ ｏ△１２０４）等を
含んでもよい。
又その添加割合も特に限定されないが、全体を１００モ
ル％どしたどきに、３〜１５モル％程度が９丁ましい。
ル％どしたどきに、３〜１５モル％程度が９丁ましい。
該絶縁材料、該導電性セラミックス等の粒径は特に限定
されず、焼成することにより焼結体を製造できるもので
あればＪ：い。例えば窒化珪素の粒径は０．１〜５０μ
の範囲が好ましく、導電性セラミックスの粒径は０．１
〜４μの範囲が好ましい。このような粒径とすればより
低抵抗の発熱体を得ることができるｈ目らである。
されず、焼成することにより焼結体を製造できるもので
あればＪ：い。例えば窒化珪素の粒径は０．１〜５０μ
の範囲が好ましく、導電性セラミックスの粒径は０．１
〜４μの範囲が好ましい。このような粒径とすればより
低抵抗の発熱体を得ることができるｈ目らである。
該発熱体の形状は特に限定されず、目的および用途によ
り種々のものを選択できる。例えば該形状は第５図に示
すように内部に隙間のある長方形状とすることもできる
し、第６図に示すように内部に隙間のある２つの脚部を
有する扇形形状とすることもできる。
り種々のものを選択できる。例えば該形状は第５図に示
すように内部に隙間のある長方形状とすることもできる
し、第６図に示すように内部に隙間のある２つの脚部を
有する扇形形状とすることもできる。
（２）導電層
本第１発明のセラミックスヒータの他の構成要素は、該
発熱体の表面の一部に形成され、上述の窒化チタン、炭
化チタン、１珪化モリブデン等のうちの少なくとも１つ
から成る導電性セラミックスを主要成分とし、該導電性
セラミックスの成分割合が該発熱体を構成する導電性セ
ラミックスの成分割合よりも大きい導電層である。
発熱体の表面の一部に形成され、上述の窒化チタン、炭
化チタン、１珪化モリブデン等のうちの少なくとも１つ
から成る導電性セラミックスを主要成分とし、該導電性
セラミックスの成分割合が該発熱体を構成する導電性セ
ラミックスの成分割合よりも大きい導電層である。
該導電層を４ｒ４成する導電性セラミックスは、上記の
うちの少なくとも１つであればよい。又該導電性セラミ
ックスの種類は」１記発熱体を構成する導電性セラミッ
クスと同種でもにいし異種でもにい。このうち同種のも
のが好ましい。発熱体と導電層との接合強度が太き（な
るからである。
うちの少なくとも１つであればよい。又該導電性セラミ
ックスの種類は」１記発熱体を構成する導電性セラミッ
クスと同種でもにいし異種でもにい。このうち同種のも
のが好ましい。発熱体と導電層との接合強度が太き（な
るからである。
該導電性セラミックスは、窒化チタンおよび炭化チタン
のうちの少なくとも１つから成るものが好ましい。発熱
体を構成する導電性セラミックスは窒化チタンおよび炭
化チタンのうちの少なくとも１つが好ましいので、導電
層を構成Ｊ−る導電性セラミックスも、それと同−又は
類似のものからなるのが、より好ましいからである。
のうちの少なくとも１つから成るものが好ましい。発熱
体を構成する導電性セラミックスは窒化チタンおよび炭
化チタンのうちの少なくとも１つが好ましいので、導電
層を構成Ｊ−る導電性セラミックスも、それと同−又は
類似のものからなるのが、より好ましいからである。
上述の導電性セラミックスの少なくとも１つを主要成分
とずればよい。即ち、他に発熱体を４１４成する窒化珪
素等が含まれていてもよい。ただし該導電性セラミック
スの成分割合は発熱体を構成する導電性セラミックスの
成分割合よりも大きいことが必要である。この導電層を
構成する導電性セラミックスの成分割合が大きい場合に
は、該導電層とメタライズ層とのぬれ性が良いので、こ
の両層の接合強度は強い。従ってこの両層間でのはがれ
は少ない。またこの場合は電極回りの発熱を防止づ−る
こともで゛きる。
とずればよい。即ち、他に発熱体を４１４成する窒化珪
素等が含まれていてもよい。ただし該導電性セラミック
スの成分割合は発熱体を構成する導電性セラミックスの
成分割合よりも大きいことが必要である。この導電層を
構成する導電性セラミックスの成分割合が大きい場合に
は、該導電層とメタライズ層とのぬれ性が良いので、こ
の両層の接合強度は強い。従ってこの両層間でのはがれ
は少ない。またこの場合は電極回りの発熱を防止づ−る
こともで゛きる。
該Ｓ電層の形成される場所【ま、該発熱体の表面の一部
であり、メタライズ層が形成され又は金属電極が配設さ
れる場所であれば良く、それ以外は特に限定されない。
であり、メタライズ層が形成され又は金属電極が配設さ
れる場所であれば良く、それ以外は特に限定されない。
例えば第１図に示すように発熱体１表面の端部であり上
下圧ら表面および裏面の４箇所であってもよい。又第１
図に示すように導電層２４＝と、導電層が形成されない
、発熱体の各表面とが平坦どなるように形成されてもよ
いし、第２図に示すように発熱体表面の上部に導電層２
１が形成されてもよい。
下圧ら表面および裏面の４箇所であってもよい。又第１
図に示すように導電層２４＝と、導電層が形成されない
、発熱体の各表面とが平坦どなるように形成されてもよ
いし、第２図に示すように発熱体表面の上部に導電層２
１が形成されてもよい。
該導電層の多孔質の有無は問わないが、多孔質であるも
のが好ましい。かかる場合には該多孔質面と金属との接
着性がさらに強くなるので、該セラミックスヒータは発
熱体とメタライズ層間でのはがれはさらに一層防止され
る。ここで「多孔質」は、ＣＶ ｌ）法又はＰＶＤ法で
形成される導電層の気孔率よりも、大ぎな気孔率を有力
る程度の意味である。
のが好ましい。かかる場合には該多孔質面と金属との接
着性がさらに強くなるので、該セラミックスヒータは発
熱体とメタライズ層間でのはがれはさらに一層防止され
る。ここで「多孔質」は、ＣＶ ｌ）法又はＰＶＤ法で
形成される導電層の気孔率よりも、大ぎな気孔率を有力
る程度の意味である。
（３）メタライズ層及び金属電極
導電層の表面側にはメタライズ層が形成されているもの
とすることができる。該メタライズ層の材質は特に限定
されず通常用いるものを用いることができる。又該メタ
ライズ層の形成場所は、導電層をほぼ全面被覆するよう
に形成されるのが好コ、しい、、導電層又は発熱体の高
温酸化を防１１１リ−るためである。
とすることができる。該メタライズ層の材質は特に限定
されず通常用いるものを用いることができる。又該メタ
ライズ層の形成場所は、導電層をほぼ全面被覆するよう
に形成されるのが好コ、しい、、導電層又は発熱体の高
温酸化を防１１１リ−るためである。
メタライズ層の表面側には金属電極が配設されているも
のとすることができる。該金属電極の材質は特に限定さ
れず通常使用されるものを用いることができる。該金属
電極は第４図に示すように発熱体１の端部を押圧する形
状のもの４であってもよいし、第７図に示すようにリー
ド線が接合された電極板４３であってもよい。
のとすることができる。該金属電極の材質は特に限定さ
れず通常使用されるものを用いることができる。該金属
電極は第４図に示すように発熱体１の端部を押圧する形
状のもの４であってもよいし、第７図に示すようにリー
ド線が接合された電極板４３であってもよい。
されてもよい。該ロー材層５の材質は特に限定さ＝
１６ − れないが、通常耐熱性のある銅等が用いられる。
１６ − れないが、通常耐熱性のある銅等が用いられる。
［第２発明］
本第２発明は、第１′Ｒ，明の発熱体を構成する導電性
セラミックスと同じ導電性セラミックスの粉末と、同様
の絶縁材わ１の粉末とを混合して、混合粉末を調整する
第１工程と、 第１工程で調整された混合粉末を成形し、得られたセラ
ミックス成形体を焼成して、セラミックス焼結体を形成
する第２工程と、 第２工程で形成されたセラミックス焼結体の表面の一部
に、第１発明の導電層を構成づ−る導電性セラミックス
と同じ導電性セラミックスを主要成分とし、該導電性セ
ラミックスの成分割合が該セラミックス焼結体を構成す
る該導電性セラミックスの成分割合よりも大きい導電層
を形成する第３工稈とから構成されることを特徴とする
。
セラミックスと同じ導電性セラミックスの粉末と、同様
の絶縁材わ１の粉末とを混合して、混合粉末を調整する
第１工程と、 第１工程で調整された混合粉末を成形し、得られたセラ
ミックス成形体を焼成して、セラミックス焼結体を形成
する第２工程と、 第２工程で形成されたセラミックス焼結体の表面の一部
に、第１発明の導電層を構成づ−る導電性セラミックス
と同じ導電性セラミックスを主要成分とし、該導電性セ
ラミックスの成分割合が該セラミックス焼結体を構成す
る該導電性セラミックスの成分割合よりも大きい導電層
を形成する第３工稈とから構成されることを特徴とする
。
上記第１工程は、導電性セラミックスの粉末と、窒化珪
素等の絶縁材料の粉末とを混合して混合粉末を調整する
ものである。該導電性セラミックス及び該窒化珪素等の
意味は第１発明のものど同じである。又これらの粉末形
状は特に限定されないが第１発明で述べた粒径のものが
好Ｊ、しい。該混合の方法及び混合粉末を調整する方法
は通常用いられる方法を用いることができる。
素等の絶縁材料の粉末とを混合して混合粉末を調整する
ものである。該導電性セラミックス及び該窒化珪素等の
意味は第１発明のものど同じである。又これらの粉末形
状は特に限定されないが第１発明で述べた粒径のものが
好Ｊ、しい。該混合の方法及び混合粉末を調整する方法
は通常用いられる方法を用いることができる。
上記第２工程は、第１工程で調整された）捏合粉末を成
形し、１ｇられたセラミックス成形体を焼成してセラミ
ックス焼結体を形成するものである。
形し、１ｇられたセラミックス成形体を焼成してセラミ
ックス焼結体を形成するものである。
この混合粉末を成形づ−る方法及びセラミックス焼結体
の焼成方法は特に限定されず通常用いられる方法を用い
ることができる。
の焼成方法は特に限定されず通常用いられる方法を用い
ることができる。
上記第３工程は、第２工程で形成されたセラミックス焼
結体の表面の一部に、上述の導電性セラミックスを主要
成分とし該導電性セラミックスの成分割合が該セラミッ
クス焼結体を構成する該導電性セラミックスの成分割合
よりも大きい導電層を形成するものである。ここで用い
られる導電性セラミックス及び主要成分の意味は第１発
明の場合と同じである。
結体の表面の一部に、上述の導電性セラミックスを主要
成分とし該導電性セラミックスの成分割合が該セラミッ
クス焼結体を構成する該導電性セラミックスの成分割合
よりも大きい導電層を形成するものである。ここで用い
られる導電性セラミックス及び主要成分の意味は第１発
明の場合と同じである。
該導電層は多孔質の有無は問わないが多孔７１であるの
が好ましい。この多孔質の導電層を形成するのに主に以
下の２つの方法がある。
が好ましい。この多孔質の導電層を形成するのに主に以
下の２つの方法がある。
（Ａ）その１つは、第２工程で形成されたセラミックス
成形体を焼成することにより、セラミックス焼結体の表
面部の窒化珪素又は炭化珪素の少なくとも一部を熱分解
させこの熱分解物を揮散させて、多孔質であり、かつ導
電性セラミックスの成分割合が該焼結体を構成する該導
電性セラミックスの成分割合より大きい表面層を形成し
、その後該表面層の一部を除いて残りの表面層を研磨し
て、該セラミックス焼結体の表面の一部に多孔質の導電
層を形成する方法である。この方法はセラミックス焼結
体の表面部を加熱して多孔質な表面層を形成し、その一
部を研磨して導電層を形成する方法である。熱分解され
る窒化珪素又は炭化珪素は、表面部を構成する窒化珪素
または炭化珪素の全部であってもよいし、一部であって
もよい。前者では、導電層は導電性セラミックスのみか
ら成り、後者では一部に窒化珪素又は炭化珪素を含む。
成形体を焼成することにより、セラミックス焼結体の表
面部の窒化珪素又は炭化珪素の少なくとも一部を熱分解
させこの熱分解物を揮散させて、多孔質であり、かつ導
電性セラミックスの成分割合が該焼結体を構成する該導
電性セラミックスの成分割合より大きい表面層を形成し
、その後該表面層の一部を除いて残りの表面層を研磨し
て、該セラミックス焼結体の表面の一部に多孔質の導電
層を形成する方法である。この方法はセラミックス焼結
体の表面部を加熱して多孔質な表面層を形成し、その一
部を研磨して導電層を形成する方法である。熱分解され
る窒化珪素又は炭化珪素は、表面部を構成する窒化珪素
または炭化珪素の全部であってもよいし、一部であって
もよい。前者では、導電層は導電性セラミックスのみか
ら成り、後者では一部に窒化珪素又は炭化珪素を含む。
電極回りの発熱を防止する観点では、前者が好ましい。
この方法によれば第２図に示する。
（Ｂ）他の方法は、セラミックス焼結体の表面の一部に
、活性金属の粉末から成るペーストを塗の熱分解物を揮
散さぽて、該セラミックス焼結体の表面の一部に、多孔
質の導電層を形成する方法である。この方法は活性金属
の触媒作用を利用するものである。該活性金属には白金
、ニッケル等が用いられる。又この方法は前記の方法の
ように表面を研磨する必要もなく、活性金属を塗布した
位置に導電層を形成することができる。尚導電層形成後
に活性金属の粉末がその表面に存在するので、そのまま
セラミックスヒータとして用いられるか又はそのまま次
のメタライズ層の形成工程に進めることが通常行なわれ
る。この方法により形成された導電層は第１図に示すよ
うに導電層の表面と、導電層が形成されない発熱体の表
面とが平坦となる。
、活性金属の粉末から成るペーストを塗の熱分解物を揮
散さぽて、該セラミックス焼結体の表面の一部に、多孔
質の導電層を形成する方法である。この方法は活性金属
の触媒作用を利用するものである。該活性金属には白金
、ニッケル等が用いられる。又この方法は前記の方法の
ように表面を研磨する必要もなく、活性金属を塗布した
位置に導電層を形成することができる。尚導電層形成後
に活性金属の粉末がその表面に存在するので、そのまま
セラミックスヒータとして用いられるか又はそのまま次
のメタライズ層の形成工程に進めることが通常行なわれ
る。この方法により形成された導電層は第１図に示すよ
うに導電層の表面と、導電層が形成されない発熱体の表
面とが平坦となる。
−２０＝
上記の（△）（Ｂ）の方法によれば、（１）形成される
導電層は多孔質であること、（２）発熱体層に含まれる
導電性セラミックスと導Ｎ層に含まれる導電性レラミッ
クスとは同一種類であること、（３）導電層と、該導電
層と接続する発熱体層との骨格は連続していることの特
徴がある。従ってこれらの製造方法（Ａ）（Ｂ）により
製造されたセラミックスヒータは、該導電層とメタライ
ズ層どの接合、および該導電層と該発熱体との接合がい
ずれも著しく強固である。従ってこれらの製造方法（Ａ
）（Ｂ）によれば、導電層からのメタライズ層のばくり
および発熱体からの導電層のはくりのいずれもが強く防
止されたセラミックスヒータを製造することができる。
導電層は多孔質であること、（２）発熱体層に含まれる
導電性セラミックスと導Ｎ層に含まれる導電性レラミッ
クスとは同一種類であること、（３）導電層と、該導電
層と接続する発熱体層との骨格は連続していることの特
徴がある。従ってこれらの製造方法（Ａ）（Ｂ）により
製造されたセラミックスヒータは、該導電層とメタライ
ズ層どの接合、および該導電層と該発熱体との接合がい
ずれも著しく強固である。従ってこれらの製造方法（Ａ
）（Ｂ）によれば、導電層からのメタライズ層のばくり
および発熱体からの導電層のはくりのいずれもが強く防
止されたセラミックスヒータを製造することができる。
上記＜Ａ）（Ｂ）と比べて多孔質性でない窒化チタン、
炭化チタンの導電層の形成方法には、ＣＶＤ法又はＰＶ
Ｄ法を用いることができる。尚このＰＶＤ法には真空蒸
着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法等が
ある。
炭化チタンの導電層の形成方法には、ＣＶＤ法又はＰＶ
Ｄ法を用いることができる。尚このＰＶＤ法には真空蒸
着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法等が
ある。
第３工程の後には、第３工程で形成された導電−２１一
層の表面にメタライズ層を形成する工程を設（プること
ができる。このメタライズ層の形成方法は特に限定され
ない。又その材質は通常用いられるものを用いることが
できる。なお通常該メタライズ層の焼付は、発熱体およ
び導電層の酸化を防止するため、不活性ガス中又は還元
雰囲気中で行なわれる。
ができる。このメタライズ層の形成方法は特に限定され
ない。又その材質は通常用いられるものを用いることが
できる。なお通常該メタライズ層の焼付は、発熱体およ
び導電層の酸化を防止するため、不活性ガス中又は還元
雰囲気中で行なわれる。
上記メタライズ層を形成１−る工程の後には、該メタラ
イズ層の表面に金属電極を取イ」ける工程を設（プるこ
とかできる。この方法及び材質は特に限定されない。
イズ層の表面に金属電極を取イ」ける工程を設（プるこ
とかできる。この方法及び材質は特に限定されない。
上記により形成されたメタライズ層及び金属電極を接合
するために、ロー材層を形成することもできる。このロ
ー材層の形成の方法及びその材質も特に限定されない。
するために、ロー材層を形成することもできる。このロ
ー材層の形成の方法及びその材質も特に限定されない。
［実施例］
以下、実施例゛により本第１発明及び本第２発明を説明
する。
する。
実施例
（１）セラミックスヒータの製造方法
（Δ）セラミックス焼結体の形成
モル％、窒化チタン５５．４モル％の組成の混合粉末を
調整した。またこの混合粉末はＭｇΔ１０４２．２モル
％、Ｙ２Ｏ３１，４モル％の焼結助剤を含む。この混合
粉末を溶媒としての水に投入して１２峙間混合した。こ
のように浸油混合された混合粉末を乾燥し、造粒した。
調整した。またこの混合粉末はＭｇΔ１０４２．２モル
％、Ｙ２Ｏ３１，４モル％の焼結助剤を含む。この混合
粉末を溶媒としての水に投入して１２峙間混合した。こ
のように浸油混合された混合粉末を乾燥し、造粒した。
次に所定の大ぎさにプレス成形し、その後１７５０℃で
４時間窒素雰囲気中で焼成して焼結体を形成した。
４時間窒素雰囲気中で焼成して焼結体を形成した。
（Ｂ）多孔質な導電層の形成
上記により形成されたセラミックス焼結体の表面の上面
及び下面の両端の４箇所に白金の粉末から成るペースト
を塗布し、１４００〜１８００℃に加熱した。この白金
の触媒作用により該表面部の窒化珪素が熱分解され、こ
の熱分解物は揮散されて、該セラミックス焼結体の所定
の表面に、多孔質の導電層が形成された。
及び下面の両端の４箇所に白金の粉末から成るペースト
を塗布し、１４００〜１８００℃に加熱した。この白金
の触媒作用により該表面部の窒化珪素が熱分解され、こ
の熱分解物は揮散されて、該セラミックス焼結体の所定
の表面に、多孔質の導電層が形成された。
（Ｃ）メタライズ層の形成
＝ ２３ −
第３図に示すように、上記により形成された導電層２の
上に白金層を不活性ガス中１２００〜１４００℃の温度
で焼付で導電層の上にメタライズ層３を形成した。
上に白金層を不活性ガス中１２００〜１４００℃の温度
で焼付で導電層の上にメタライズ層３を形成した。
（Ｄ）金属電極の配置、固定
第４図に示ずように、上記にＪ：り形成されたメタライ
ズ層３の一部表面上に金属電極４を配置し、該金属電極
４と該メタライズ層３とをロー材にッケル）を用いてロ
ーイ」けしロー材層５を形成した。
ズ層３の一部表面上に金属電極４を配置し、該金属電極
４と該メタライズ層３とをロー材にッケル）を用いてロ
ーイ」けしロー材層５を形成した。
（２）セラミックスヒータの構造及び性能＜Ａ）上記く
１〉により製造されたセラミックスヒータは、第４図に
示すように、窒化チタン５５゜４モル％及び窒化珪素４
１モル％から成る焼結体である発熱体１と、該発熱体１
の表面の一部に形成され、窒化チタンのみから成り、か
つ多孔質な導Ｎ層２と、該導電層２の表面をほぼ全部被
覆するように形成されたメタライズ層３と、該メタライ
ズ層３の表面側に配設され、ボルトで固定された金属電
極４と、該メタライズ層゛３と該金属電極４とをロー付
けしたロー付は材層５とから構成される。
１〉により製造されたセラミックスヒータは、第４図に
示すように、窒化チタン５５゜４モル％及び窒化珪素４
１モル％から成る焼結体である発熱体１と、該発熱体１
の表面の一部に形成され、窒化チタンのみから成り、か
つ多孔質な導Ｎ層２と、該導電層２の表面をほぼ全部被
覆するように形成されたメタライズ層３と、該メタライ
ズ層３の表面側に配設され、ボルトで固定された金属電
極４と、該メタライズ層゛３と該金属電極４とをロー付
けしたロー付は材層５とから構成される。
（Ｂ）比較例として上記導電層を有しないセラミックヒ
ータを上記（１）と同様にして製造した。
ータを上記（１）と同様にして製造した。
そして本実施例のセラミックヒータの性能を核化−２５
＝ 休及び導電層の比抵抗、メタライズ層の焼付性を求めた
。尚この焼付性は、製造後のセラミックスヒータのはが
れの有無、メタライズ層の比抵抗、８００℃、２００時
間加熱後にお（プる耐熱性をメタライズ層と金属電極間
との抵抗値およびはがれの有無で示したものにより評価
した。
＝ 休及び導電層の比抵抗、メタライズ層の焼付性を求めた
。尚この焼付性は、製造後のセラミックスヒータのはが
れの有無、メタライズ層の比抵抗、８００℃、２００時
間加熱後にお（プる耐熱性をメタライズ層と金属電極間
との抵抗値およびはがれの有無で示したものにより評価
した。
この表の結果によれば、（１）導電層の比抵抗が発熱体
の比抵抗よりも小さいこと、（２）比較例ではセラミッ
クヒータの焼付りにおいて一部はがれが生じたが本実施
例では生じないこと、（３）メタライズ層の比抵抗が比
較例と比べ本実施例では小さいこと、（４，＞８００℃
における耐熱性の評価において、比較例では２００時間
後にはがれが生じ導通が不良となったが本実施例では２
００時間経過後においてもはがれが生じず、抵抗値がヒ
ータは比較例と比べてセラミックスとメタライズ層との
接合が強く、メタライズ層のはがれや抵抗上昇が生じな
かった。又導電層の比抵抗が発熱体のものと比べて小さ
いので電極回りの発熱を低減することがで゛き、本セラ
ミックスヒータは高ン品使用時の寿命が長くなる。
の比抵抗よりも小さいこと、（２）比較例ではセラミッ
クヒータの焼付りにおいて一部はがれが生じたが本実施
例では生じないこと、（３）メタライズ層の比抵抗が比
較例と比べ本実施例では小さいこと、（４，＞８００℃
における耐熱性の評価において、比較例では２００時間
後にはがれが生じ導通が不良となったが本実施例では２
００時間経過後においてもはがれが生じず、抵抗値がヒ
ータは比較例と比べてセラミックスとメタライズ層との
接合が強く、メタライズ層のはがれや抵抗上昇が生じな
かった。又導電層の比抵抗が発熱体のものと比べて小さ
いので電極回りの発熱を低減することがで゛き、本セラ
ミックスヒータは高ン品使用時の寿命が長くなる。
「発明の効果〕
〈１）第１発明の効果
第１発明のセンミックスヒータは、上）本の窒化チタン
等のうちの少なくとも１つから成る導電性セラミックス
と上述の窒化珪素等のうち少なくとも１つを主要成分と
する焼結体から成る発熱体と、該発熱体の表面の一部に
形成され、上）ホの窒化チタン等のうちの少なくとも１
つから成る導電性セラミックスを主要成分とし、該導電
性セラミックスの成分割合が該発熱体をＪＭ成する導電
性セラミックスの成分割合よりも大ぎい導電層とから構
成されることを特徴とする。即ち、本セラミックスヒー
タにおいては、発熱体と比へて比抵抗の小さい導電層が
メタライズ層又は金属電極と接合される。
等のうちの少なくとも１つから成る導電性セラミックス
と上述の窒化珪素等のうち少なくとも１つを主要成分と
する焼結体から成る発熱体と、該発熱体の表面の一部に
形成され、上）ホの窒化チタン等のうちの少なくとも１
つから成る導電性セラミックスを主要成分とし、該導電
性セラミックスの成分割合が該発熱体をＪＭ成する導電
性セラミックスの成分割合よりも大ぎい導電層とから構
成されることを特徴とする。即ち、本セラミックスヒー
タにおいては、発熱体と比へて比抵抗の小さい導電層が
メタライズ層又は金属電極と接合される。
従って本セラミックスヒータにおいては電極回りの発熱
を低減することができ、高温使用時のステ命を長くする
ことができる。又本しラミックスヒータにおいては導電
層を右するため該導電層と金属例えばメタライズ層を形
成する金属とのぬれ性が良いので、メタライズ層を段ｔ
プる場合においては該メタライズ層と導電層との接合性
が良く、セラミックス体とメタライズ層との間でのはが
れや抵抗上界が防止される。
を低減することができ、高温使用時のステ命を長くする
ことができる。又本しラミックスヒータにおいては導電
層を右するため該導電層と金属例えばメタライズ層を形
成する金属とのぬれ性が良いので、メタライズ層を段ｔ
プる場合においては該メタライズ層と導電層との接合性
が良く、セラミックス体とメタライズ層との間でのはが
れや抵抗上界が防止される。
本セラミックスヒータを構成１−る発熱体は窒化珪素等
の絶縁４１料と導電付セラミックスとを主要成分とする
焼結体から成る。従って本セラミックスヒータは炭化珪
素、１珪化モリブデン等を用いたものと比べ、耐熱衝撃
性、強度及び耐熱性に著しく優れている。
の絶縁４１料と導電付セラミックスとを主要成分とする
焼結体から成る。従って本セラミックスヒータは炭化珪
素、１珪化モリブデン等を用いたものと比べ、耐熱衝撃
性、強度及び耐熱性に著しく優れている。
以」二より本セラミックスヒータは常に８００ ’Ｃの
高温１３１ガスにさらされる微粒子捕集用フィルターの
再生用ヒータに極めて有用である。
高温１３１ガスにさらされる微粒子捕集用フィルターの
再生用ヒータに極めて有用である。
（２）第２発明の効果
本第２発明のセラミックスヒータの製造方法は、上述の
窒化チタン等のうちの少なくとも１つからなる導電性セ
ラミックスの粉末と、窒化珪素等のう＄％なくとも１つ
から成る絶縁材料の粉末とを混合して、混合粉末を調整
する第１工程と、第１工程で調整された混合粉末を形成
し、１０られたセラミックス成形体を焼成して、セラミ
ックス焼結体を形成する第２工程と、 第２工程で形成されたセラミックス焼結体の表面の一部
に、」上述の窒化チタン等のうちの少なくとも１つから
成る導電性セラミックスを主要成分とし、該導電性セラ
ミックスの成分割合が該セラミックス焼結体を構成する
該導電性セラミックの成分割合よりも大きい導電層を形
成する第３工程とから成ることを特徴とする。
窒化チタン等のうちの少なくとも１つからなる導電性セ
ラミックスの粉末と、窒化珪素等のう＄％なくとも１つ
から成る絶縁材料の粉末とを混合して、混合粉末を調整
する第１工程と、第１工程で調整された混合粉末を形成
し、１０られたセラミックス成形体を焼成して、セラミ
ックス焼結体を形成する第２工程と、 第２工程で形成されたセラミックス焼結体の表面の一部
に、」上述の窒化チタン等のうちの少なくとも１つから
成る導電性セラミックスを主要成分とし、該導電性セラ
ミックスの成分割合が該セラミックス焼結体を構成する
該導電性セラミックの成分割合よりも大きい導電層を形
成する第３工程とから成ることを特徴とする。
従って本製造方法によれば、「第１発明の効果」欄で述
べた、従来にない効果を有するセラミックスヒータを製
造することができる。
べた、従来にない効果を有するセラミックスヒータを製
造することができる。
第１図は発熱体と導電層とから成るセラミックスヒータ
の一態様の一部断面図である。第２図は発熱体と、該発
熱体の表面上に形成された導電層とから成るセラミック
スヒータの一部断面図である。第３図は発熱体と、導電
層と、該導電層の表面に形成されたメタライズ層どから
成るセラミックスヒータの一部断面図である。第４図は
本実施例において製造されたセラミックスヒータの一部
断面図である。なお第４図は第５図に示したＡ−Ａ矢視
方向の断面図を示す。第５図は本実施例で製造されたセ
ラミックスヒータの平面図である。 第６図は本セラミックスヒータの他の態様を示ザ斜視図
である。第７図は本セラミックスヒータの他の態様と、
該セラミックスヒータの組立て状態とを示ず斜視図であ
る。第８図はセラミックスヒータを有する加熱装置の平
面図である。 １・・・発熱体 ２・・・導電層３・・・メタ
ライズ層 ４・・・金属電極５・・・ロー材層 特許出願人 日木電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 藤谷 修 同 弁理士 丸山明夫 ＝ ３０ − 第１図 第２１３’１ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
の一態様の一部断面図である。第２図は発熱体と、該発
熱体の表面上に形成された導電層とから成るセラミック
スヒータの一部断面図である。第３図は発熱体と、導電
層と、該導電層の表面に形成されたメタライズ層どから
成るセラミックスヒータの一部断面図である。第４図は
本実施例において製造されたセラミックスヒータの一部
断面図である。なお第４図は第５図に示したＡ−Ａ矢視
方向の断面図を示す。第５図は本実施例で製造されたセ
ラミックスヒータの平面図である。 第６図は本セラミックスヒータの他の態様を示ザ斜視図
である。第７図は本セラミックスヒータの他の態様と、
該セラミックスヒータの組立て状態とを示ず斜視図であ
る。第８図はセラミックスヒータを有する加熱装置の平
面図である。 １・・・発熱体 ２・・・導電層３・・・メタ
ライズ層 ４・・・金属電極５・・・ロー材層 特許出願人 日木電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 藤谷 修 同 弁理士 丸山明夫 ＝ ３０ − 第１図 第２１３’１ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (11)
- （１）チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニ
ウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）
、タングステン（Ｗ）およびランタン（Ｌａ）の各窒化
物、それらの金属の各炭化物および二珪化モリブデンの
うちの少なくとも１つから成る導電性セラミックスと、
窒化珪素、炭化珪素および酸化アルミニウム、（Ａｌ＿
２Ｏ＿３）のうちの少なくとも１つから成る絶縁材料と
を、主要成分とする焼結体から成る発熱体と、 該発熱体の表面の一部に形成され、チタン（Ｔｉ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム
（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（
Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およ
びランタン（Ｌａ）の各窒化物、それらの金属の各炭化
物および二珪化モリブデンのうちの少なくとも１つから
成る導電性セラミックスを主要成分とする導電層とから
構成され、 該導電層中における導電性セラミックスの成分割合が、
該発熱体を構成する導電性セラミックスの成分割合より
も大きいことを特徴とするセラミックスヒータ。 - （２）発熱体を構成する導電性セラミックスは、窒化チ
タンおよび炭化チタンのうちの少なくとも１つであり、 導電層を構成する導電性セラミックスは、窒化チタンお
よび炭化チタンのうちの少なくとも１つから成る特許請
求の範囲第１項記載のセラミックスヒータ。 - （３）導電層は、多孔質である特許請求の範囲第２項記
載のセラミックスヒータ。 - （４）発熱体中における導電性セラミックスの成分割合
は、全体を１００モル％としたときに、１０〜８０モル
％である特許請求の範囲第２項記載のセラミックスヒー
タ。 - （５）導電層の表面側にはメタライズ層が形成されてい
る特許請求の範囲第１項記載のセラミックスヒータ。 - （６）メタライズ層の表面側には金属電極が配設されて
いる特許請求の範囲第１項記載のセラミックスヒータ。 - （７）チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニ
ウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タ
ンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）
、タングステン（Ｗ）およびランタン（Ｌａ）の各窒化
物、それらの金属の各炭化物および二珪化モリブデンの
うちの少なくとも１つからなる導電性セラミックスの粉
末と、窒化珪素、炭化珪素および酸化アルミニウム（Ａ
ｌ＿２Ｏ＿３）のうちの少なくとも１つから成る絶縁材
料の粉末とを混合して、混合粉末を調整する第１工程と
、 第１工程で調整された混合粉末を成形し、得られたセラ
ミックス成形体を焼成して、セラミックス焼結体を形成
する第２工程と、 第２工程で形成されたセラミックス焼結体の表面の一部
に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウ
ム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タン
タル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）およびランタン（Ｌａ）の各窒化物
、それらの金属の各炭化物および二珪化モリブデンのう
ちの少なくとも１つから成る導電性セラミックスを主要
成分とし、該導電性セラミックスの成分割合が該セラミ
ックス焼結体を構成する該導電性セラミックスの成分割
合よりも大きい導電層を形成する第３工程とから構成さ
れることを特徴とするセラミックスヒータの製造方法。 - （８）第２工程および第３工程は、発熱体が窒化チタン
および炭化チタンのうちの少なくとも１つと窒化珪素又
は炭化珪素とから成る焼結体であり、第２工程で形成さ
れたセラミックス成形体を焼成することにより、上記セ
ラミックス焼結体の表面部の窒化珪素又は炭化珪素の少
なくとも一部を熱分解させ、この熱分解物を揮散させて
、多孔質でありかつ該導電性セラミックスの成分割合が
該焼結体を構成する該導電性セラミックスの成分割合よ
り高い表面層を形成し、 その後該表面層の一部を除いて残りの表面層を研磨して
、該セラミックス焼結体の表面の一部に多孔質の導電層
を形成する特許請求の範囲第７項記載のセラミックスヒ
ータの製造方法。 - （９）第３工程は、セラミックス焼結体に含まれる導電
性セラミックスが窒化チタンおよび炭化チタンの少なく
とも１つであり、 該セラミックス焼結体の表面の一部に、活性金属の粉末
から成るペーストを塗布し、１４００〜１７００℃に加
熱して、該表面部の窒化珪素又は炭化珪素の少なくとも
一部を熱分解させ、この熱分解物を揮散させて、該セラ
ミックス焼結体の表面の一部に、多孔質の導電層を形成
する特許請求の範囲第７項記載のセラミックスヒータの
製造方法。 - （１０）第３工程の後には、第３工程で形成された導電
層の表面に、メタライズ層を形成する工程を有する特許
請求の範囲第７項記載のセラミックスヒータの製造方法
。 - （１１）導電層の表面にメタライズ層を形成する工程の
後には、該メタライズ層の表面に金属電極を取付ける工
程を有する特許請求の範囲第１０項記載のセラミックス
ヒータの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP59226291A JPH0719643B2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | セラミツクスヒ−タおよびその製造方法 |
| US06/791,523 US4652727A (en) | 1984-10-26 | 1985-10-25 | Ceramic heater and a process for producing the same |
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| JP59226291A JPH0719643B2 (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | セラミツクスヒ−タおよびその製造方法 |
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| JPH0719643B2 JPH0719643B2 (ja) | 1995-03-06 |
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ID=16842908
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