JP2000128637A - セラミックス発熱体 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910008062 Si-SiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910006403 Si—SiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100032566 Carbonic anhydrase-related protein 10 Human genes 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101000867836 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 10 Proteins 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000004332 deodorization Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Exhaust Gas After Treatment (AREA)
- Processes For Solid Components From Exhaust (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミックを基材とし、導電性物質を内部に分
散させたセラミック発熱体は、導電性物質が直接大気中
の酸素と接触しやすく、発熱させた場合に導電性物質が
酸化してすぐに抵抗が増加し断線してしまうという問題
があった。 【解決手段】発熱体を構成する導電性物質粒子の周囲を
２〜２０体積％のＲＥ（周期律表第３ａ族元素）−Ｓｉ
またはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成分とする酸化物あるいは
酸窒化物層が被覆しており、その厚みが１〜２０μｍで
あるセラミックス発熱体。
散させたセラミック発熱体は、導電性物質が直接大気中
の酸素と接触しやすく、発熱させた場合に導電性物質が
酸化してすぐに抵抗が増加し断線してしまうという問題
があった。 【解決手段】発熱体を構成する導電性物質粒子の周囲を
２〜２０体積％のＲＥ（周期律表第３ａ族元素）−Ｓｉ
またはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成分とする酸化物あるいは
酸窒化物層が被覆しており、その厚みが１〜２０μｍで
あるセラミックス発熱体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガソリンエンジン
の排気ガス浄化触媒担体用ハニカム構造体、ディーゼル
エンジンのパティキュレート（粒子状物質）除去用ハニ
カム構造体、脱臭用、温風用、温水用などの加熱を必要
とするハニカム構造のセラミック発熱体に好適に利用で
き、さらには一般の工業用、民生用の発熱体としても利
用できる。
の排気ガス浄化触媒担体用ハニカム構造体、ディーゼル
エンジンのパティキュレート（粒子状物質）除去用ハニ
カム構造体、脱臭用、温風用、温水用などの加熱を必要
とするハニカム構造のセラミック発熱体に好適に利用で
き、さらには一般の工業用、民生用の発熱体としても利
用できる。
【０００２】
【従来の技術】従来、自動車の内燃機関から排出される
排気ガス中の窒素酸化物（ＮＯｘ）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、炭化水素（ＨＣ）を浄化するために、触媒を表面
積が大きく、かつ、流体の圧力損失が小さいハニカム構
造体に担持させて浄化させている。近年においては、排
ガス規制のさらなる強化に伴い、コールドスタート時の
触媒浄化性能を向上させるために、ハニカム構造体に通
電・発熱させ、触媒を活性温度域までエンジン始動直後
より急速昇温させ、早期に触媒を活性化させるＥＨＣ
（Electrically Heated Catalysts ）の試みが行われて
いる。このハニカム構造発熱体として、近年金属製のも
のが提案されている。
排気ガス中の窒素酸化物（ＮＯｘ）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、炭化水素（ＨＣ）を浄化するために、触媒を表面
積が大きく、かつ、流体の圧力損失が小さいハニカム構
造体に担持させて浄化させている。近年においては、排
ガス規制のさらなる強化に伴い、コールドスタート時の
触媒浄化性能を向上させるために、ハニカム構造体に通
電・発熱させ、触媒を活性温度域までエンジン始動直後
より急速昇温させ、早期に触媒を活性化させるＥＨＣ
（Electrically Heated Catalysts ）の試みが行われて
いる。このハニカム構造発熱体として、近年金属製のも
のが提案されている。
【０００３】しかしながら、金属製のハニカム構造発熱
体では、熱容量が大きいために急速昇温には適しておら
ず、目的とするコールドスタート時の浄化性能の向上を
はかれないという問題があり、さらなる急速昇温可能な
ハニカム構造発熱体が切望されている。
体では、熱容量が大きいために急速昇温には適しておら
ず、目的とするコールドスタート時の浄化性能の向上を
はかれないという問題があり、さらなる急速昇温可能な
ハニカム構造発熱体が切望されている。
【０００４】そこで、セラミックス中に導電性物質を分
散させたセラミック発熱体をハニカム構造体とすること
も提案されている。
散させたセラミック発熱体をハニカム構造体とすること
も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】セラミックを基材と
し、導電性物質を内部に分散させたセラミック発熱体
は、熱容量が金属発熱体に較べて小さく有利であるが、
セラミック発熱体中の導電性物質が直接大気中の酸素と
接触しやすく、発熱させた場合に導電性物質が酸化して
すぐに抵抗が増加し、その部分が異常発熱するようにな
り断線してしまうという問題があった。
し、導電性物質を内部に分散させたセラミック発熱体
は、熱容量が金属発熱体に較べて小さく有利であるが、
セラミック発熱体中の導電性物質が直接大気中の酸素と
接触しやすく、発熱させた場合に導電性物質が酸化して
すぐに抵抗が増加し、その部分が異常発熱するようにな
り断線してしまうという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、金属製の
ハニカム構造のセラミック発熱体の弱点である急速昇温
性に着目し、熱容量の小さなセラミックスを素材に用い
ることで、従来にはない急速昇温可能なハニカム構造の
セラミック発熱体を提供し、さらには耐腐食性に優れ、
機械的強度の高いハニカム構造発熱体を発明するに至っ
た。すなわち、セラミック発熱体中に分散された導電性
物質粒子の周囲をＲＡ（周期律表第３ａ族元素）−Ｓｉ
またはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成分とした酸化物あるいは
酸窒化物層で１〜２０μｍの厚さで被覆すると、耐久性
良好なセラミック発熱体を得られることが判った。
ハニカム構造のセラミック発熱体の弱点である急速昇温
性に着目し、熱容量の小さなセラミックスを素材に用い
ることで、従来にはない急速昇温可能なハニカム構造の
セラミック発熱体を提供し、さらには耐腐食性に優れ、
機械的強度の高いハニカム構造発熱体を発明するに至っ
た。すなわち、セラミック発熱体中に分散された導電性
物質粒子の周囲をＲＡ（周期律表第３ａ族元素）−Ｓｉ
またはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成分とした酸化物あるいは
酸窒化物層で１〜２０μｍの厚さで被覆すると、耐久性
良好なセラミック発熱体を得られることが判った。
【０００７】また、導電性物質として少なくとも周期律
表第４ａ、５ａ、６ａ族の窒化物、炭化物、珪化物、硼
化物の１種類以上を主成分とし、導電性物質の平均粒径
が窒化珪素の平均粒径よりも大きく、かつ７０μｍ以下
であるセラミックスで構成すればより好適である。さら
に、導電性物質としてはＭｏＳｉ2 を主成分とするもの
が望ましい。
表第４ａ、５ａ、６ａ族の窒化物、炭化物、珪化物、硼
化物の１種類以上を主成分とし、導電性物質の平均粒径
が窒化珪素の平均粒径よりも大きく、かつ７０μｍ以下
であるセラミックスで構成すればより好適である。さら
に、導電性物質としてはＭｏＳｉ2 を主成分とするもの
が望ましい。
【０００８】本発明によれば、窒化珪素はエンジニアリ
ングセラミックスの代表的材料であり、その特徴である
機械的強度、破壊靭性値が高く、さらには耐熱衝撃性に
優れていることから急速昇温性を要求される発熱体の母
材として好適である。
ングセラミックスの代表的材料であり、その特徴である
機械的強度、破壊靭性値が高く、さらには耐熱衝撃性に
優れていることから急速昇温性を要求される発熱体の母
材として好適である。
【０００９】また、導電性物質粒子の周囲をＲＥ（周期
律表第３ａ族元素）−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主
成分とする酸化物あるいは酸窒化物層が被覆することで
さらに耐酸化特性を向上させ、導電性の低下による抵抗
値の変化を抑制することができるが、その層厚みが厚く
なると導電性が極端に低下し発熱体として有効でなくな
るので、その層厚みは２０μｍ以下が望ましい。また、
その層の厚みは、１μｍより小さいと導電性物質が酸化
され易くなり、層の厚みを制御するのも製造上困難とな
る。
律表第３ａ族元素）−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主
成分とする酸化物あるいは酸窒化物層が被覆することで
さらに耐酸化特性を向上させ、導電性の低下による抵抗
値の変化を抑制することができるが、その層厚みが厚く
なると導電性が極端に低下し発熱体として有効でなくな
るので、その層厚みは２０μｍ以下が望ましい。また、
その層の厚みは、１μｍより小さいと導電性物質が酸化
され易くなり、層の厚みを制御するのも製造上困難とな
る。
【００１０】粒界相は焼成温度において窒化珪素や導電
性物質と良好な濡れ性を有するため、緻密化を促す役目
およびそれらの間隙を埋めるように存在し、酸化を防止
する役目を担う。従ってＲＥ−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−
Ｓｉを主成分とする酸化物あるいは酸窒化物（粒界相）
の含有量を２〜２０体積％としたのは、２体積％より少
ない場合、導電性物質の被覆が不十分となり、導電性物
質が酸化して抵抗が増加し好ましくないためである。ま
た、２０体積％を越えると耐久テスト中に粒界相中のイ
オンのマイグレーションが活発になるため耐久性が低下
し抵抗値の上昇を引き起こすので好ましくない。
性物質と良好な濡れ性を有するため、緻密化を促す役目
およびそれらの間隙を埋めるように存在し、酸化を防止
する役目を担う。従ってＲＥ−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−
Ｓｉを主成分とする酸化物あるいは酸窒化物（粒界相）
の含有量を２〜２０体積％としたのは、２体積％より少
ない場合、導電性物質の被覆が不十分となり、導電性物
質が酸化して抵抗が増加し好ましくないためである。ま
た、２０体積％を越えると耐久テスト中に粒界相中のイ
オンのマイグレーションが活発になるため耐久性が低下
し抵抗値の上昇を引き起こすので好ましくない。
【００１１】前記酸化物あるいは酸窒化物からなる被覆
層を導電性物質表面に有効に形成するには、焼成中の酸
素分圧の管理が重要である。セラミック発熱体を焼成す
る際にＳｉ−ＳｉＯ2 混合物を同時に焼成し、これによ
り酸素分圧を調整すると、導電性物質表面に前記被覆層
が形成されやすくなる。酸素分圧が低くなりすぎると、
導電性物質表面に被覆層が有効に形成されず、セラミッ
ク発熱体を発熱させた場合に、被覆のない部分の導電性
物質が酸化されるので好ましくない。また、酸素分圧が
高くなりすぎると、導電性物質自体の焼結が阻害される
ので好ましくない。
層を導電性物質表面に有効に形成するには、焼成中の酸
素分圧の管理が重要である。セラミック発熱体を焼成す
る際にＳｉ−ＳｉＯ2 混合物を同時に焼成し、これによ
り酸素分圧を調整すると、導電性物質表面に前記被覆層
が形成されやすくなる。酸素分圧が低くなりすぎると、
導電性物質表面に被覆層が有効に形成されず、セラミッ
ク発熱体を発熱させた場合に、被覆のない部分の導電性
物質が酸化されるので好ましくない。また、酸素分圧が
高くなりすぎると、導電性物質自体の焼結が阻害される
ので好ましくない。
【００１２】導電性物質は、周期律表第４ａ、５ａ、６
ａ族の窒化物、炭化物、珪化物の１種以上であれば良い
が、特にＭｏＳｉ2 を主成分とすることが望ましい。Ｍ
ｏＳｉ2 は酸化してＳｉＯ2 の保護膜を生成しやすく、
他の導電性物質を主成分とした時よりも耐酸化性に優れ
ており、長時間の発熱後の抵抗変化が極めて少ない。こ
の導電性物質の量は３０〜８０体積％、さらに好ましく
は３０〜６０体積％であることが望ましい。３０体積％
より少ない場合十分な導電性が得られず、また８０体積
％を越える場合たとえ気孔率が３０％以下であっても導
電性物質が内部まで酸化されやすく、導電性が低下して
抵抗値が上昇する。
ａ族の窒化物、炭化物、珪化物の１種以上であれば良い
が、特にＭｏＳｉ2 を主成分とすることが望ましい。Ｍ
ｏＳｉ2 は酸化してＳｉＯ2 の保護膜を生成しやすく、
他の導電性物質を主成分とした時よりも耐酸化性に優れ
ており、長時間の発熱後の抵抗変化が極めて少ない。こ
の導電性物質の量は３０〜８０体積％、さらに好ましく
は３０〜６０体積％であることが望ましい。３０体積％
より少ない場合十分な導電性が得られず、また８０体積
％を越える場合たとえ気孔率が３０％以下であっても導
電性物質が内部まで酸化されやすく、導電性が低下して
抵抗値が上昇する。
【００１３】導電性粒子の平均粒径は、窒化珪素粒子の
平均粒径より大きい方が好ましい。これは発熱体として
有効な抵抗特性を得るためには、導電性物質の体積分率
とともにその平均粒径が非常に重要であるからである。
このような導電性物質粒子の焼結体の抵抗に関しては、
導電性粒子間の接触抵抗の影響が大きい。そこで、導電
性物質の平均粒径を大きくすることにより、粒子間の接
触抵抗による抵抗増大を防止できるので、抵抗値を低く
することが可能となる。
平均粒径より大きい方が好ましい。これは発熱体として
有効な抵抗特性を得るためには、導電性物質の体積分率
とともにその平均粒径が非常に重要であるからである。
このような導電性物質粒子の焼結体の抵抗に関しては、
導電性粒子間の接触抵抗の影響が大きい。そこで、導電
性物質の平均粒径を大きくすることにより、粒子間の接
触抵抗による抵抗増大を防止できるので、抵抗値を低く
することが可能となる。
【００１４】さらに、導電性物質の平均粒径は７０μｍ
以下であることが望ましい。導電性物質の粒径が７０μ
ｍを越えると、微粒の窒化珪素粒子が導電性物質間に存
在する確率が高くなるので、逆に導通が取り難くなって
しまうからである。
以下であることが望ましい。導電性物質の粒径が７０μ
ｍを越えると、微粒の窒化珪素粒子が導電性物質間に存
在する確率が高くなるので、逆に導通が取り難くなって
しまうからである。
【００１５】一般に、窒化珪素原料は、焼成温度の関係
で平均粒径１μｍ以下のものを用いる。これ以上の粒径
になると焼成温度が高くなり、窒化珪素の分解温度近く
になってしまうため、加圧焼成が必要となり、たとえば
ハニカム構造のセラミックヒータのような容積の大きな
ものを焼成するためには、焼成コストが高くなり好まし
くなくなるからである。焼成温度を下げるためには、焼
結助剤を増やすという手法もあるが、焼結助剤量を過剰
に増やすと、通電加熱時の金属イオンのマイグレーショ
ンが発生し、すぐに抵抗値が増加するので好ましくな
い。
で平均粒径１μｍ以下のものを用いる。これ以上の粒径
になると焼成温度が高くなり、窒化珪素の分解温度近く
になってしまうため、加圧焼成が必要となり、たとえば
ハニカム構造のセラミックヒータのような容積の大きな
ものを焼成するためには、焼成コストが高くなり好まし
くなくなるからである。焼成温度を下げるためには、焼
結助剤を増やすという手法もあるが、焼結助剤量を過剰
に増やすと、通電加熱時の金属イオンのマイグレーショ
ンが発生し、すぐに抵抗値が増加するので好ましくな
い。
【００１６】また、気孔率が３０％を越えると４ａ、５
ａ、６ａ族の窒化物、炭化物、珪化物からなる導電性物
質が内部まで酸化することにより、導電性が劣化し抵抗
値が大幅に上昇するので、気孔率は３０％以下であるこ
とが望ましい。
ａ、６ａ族の窒化物、炭化物、珪化物からなる導電性物
質が内部まで酸化することにより、導電性が劣化し抵抗
値が大幅に上昇するので、気孔率は３０％以下であるこ
とが望ましい。
【００１７】さらに、上記セラミック発熱体を図１に示
すようなハニカム構造体１とし、その両端面に電極２を
備えて、ハニカム構造のセラミック発熱体とすることも
できる。これは、排気ガス浄化触媒担体用やパティキュ
レート除去用等のハニカム構造体等として使用できる。
すようなハニカム構造体１とし、その両端面に電極２を
備えて、ハニカム構造のセラミック発熱体とすることも
できる。これは、排気ガス浄化触媒担体用やパティキュ
レート除去用等のハニカム構造体等として使用できる。
【００１８】
【実施例】窒化珪素粉末または金属珪素粉末と、導電性
物質としてＭｏＳｉ2 または金属Ｍｏ粉末と、粒界成分
としてＹ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 等の希土類金
属酸化物粉末、Ａｌ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末をそれぞ
れの割合で湿式混合した後乾燥し、これを所定量の成形
助剤、バインダー等とともに混練、脱気し、押出し成形
にて成形を行った。
物質としてＭｏＳｉ2 または金属Ｍｏ粉末と、粒界成分
としてＹ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 等の希土類金
属酸化物粉末、Ａｌ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末をそれぞ
れの割合で湿式混合した後乾燥し、これを所定量の成形
助剤、バインダー等とともに混練、脱気し、押出し成形
にて成形を行った。
【００１９】得られた成形体を窒素雰囲気中にて５００
〜６００℃にて５〜１０時間脱脂した後、ＳｉとＳｉＯ
2 の混合物によりＳｉＯ雰囲気を調整した不活性雰囲気
中で１２００〜１７５０℃の温度範囲で３〜５時間焼成
する事により、図１に示すような直径８０ｍｍ、長さ７
０ｍｍ、リブ厚み０．２ｍｍ、６２セル／ｃｍ2 のハニ
カム構造体１を得、さらにその両端部に電極２を装着し
てハニカム構造のセラミック発熱体とし、特性を評価し
た。
〜６００℃にて５〜１０時間脱脂した後、ＳｉとＳｉＯ
2 の混合物によりＳｉＯ雰囲気を調整した不活性雰囲気
中で１２００〜１７５０℃の温度範囲で３〜５時間焼成
する事により、図１に示すような直径８０ｍｍ、長さ７
０ｍｍ、リブ厚み０．２ｍｍ、６２セル／ｃｍ2 のハニ
カム構造体１を得、さらにその両端部に電極２を装着し
てハニカム構造のセラミック発熱体とし、特性を評価し
た。
【００２０】なお、開気孔率の測定、各粒子径および粒
界相部の体積分率の測定は電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の
画像解析により行った。まず、セルのリブ方向に研磨し
１μｍのダイヤモンドペーストで鏡面研磨した面につい
て、研磨面のＳＥＭ写真を準備する。そして、開気孔率
の測定については、１０枚のＳＥＭ写真について画像解
析により気孔の面積率を測定し、その平均値を開気孔率
とした。
界相部の体積分率の測定は電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の
画像解析により行った。まず、セルのリブ方向に研磨し
１μｍのダイヤモンドペーストで鏡面研磨した面につい
て、研磨面のＳＥＭ写真を準備する。そして、開気孔率
の測定については、１０枚のＳＥＭ写真について画像解
析により気孔の面積率を測定し、その平均値を開気孔率
とした。
【００２１】導電性粒子および窒化珪素粒子の粒子径の
測定は、各粒子が１００〜２００個含まれる面積の写真
を用意し、この内、大きなものから１００個の最大粒径
を測定し、その平均値を粒子径とした。
測定は、各粒子が１００〜２００個含まれる面積の写真
を用意し、この内、大きなものから１００個の最大粒径
を測定し、その平均値を粒子径とした。
【００２２】また、窒化珪素、導電性物質、粒界相の体
積分率の測定は、１０００倍のＳＥＭ写真１０枚におけ
る面積比率を窒化珪素、導電性物質および粒界相部分の
面積比率を体積比率として換算した。粒界相の体積分率
の測定については、直接測定することが難しいので、測
定面積から窒化珪素、導電性物質、気孔の面積を差し引
いたものを粒界相の面積とし、これを直接体積％に換算
して求めた。
積分率の測定は、１０００倍のＳＥＭ写真１０枚におけ
る面積比率を窒化珪素、導電性物質および粒界相部分の
面積比率を体積比率として換算した。粒界相の体積分率
の測定については、直接測定することが難しいので、測
定面積から窒化珪素、導電性物質、気孔の面積を差し引
いたものを粒界相の面積とし、これを直接体積％に換算
して求めた。
【００２３】昇温特性は最高発熱部が飽和温度９００℃
に達するまでの所要時間であり、抵抗変化率および重量
変化率は９００℃−１５０時間連続通電後に測定したも
のである。
に達するまでの所要時間であり、抵抗変化率および重量
変化率は９００℃−１５０時間連続通電後に測定したも
のである。
【００２４】導電性物質粒子の周囲の酸化物あるいは酸
窒化物層の厚みは、前記ＳＥＭ写真の中で、最大粒径か
ら１０個の粒子について、最も厚みの薄くなる部分を選
んで測定し、その平均値を酸化物あるいは酸窒化物層の
厚みとした。
窒化物層の厚みは、前記ＳＥＭ写真の中で、最大粒径か
ら１０個の粒子について、最も厚みの薄くなる部分を選
んで測定し、その平均値を酸化物あるいは酸窒化物層の
厚みとした。
【００２５】前記導電性物質粒子の周囲の酸化物もしく
は酸窒化物は、一般にはガラス層として存在しており、
Ｘ線回折等の手法で構造を同定することは出来なかっ
た。
は酸窒化物は、一般にはガラス層として存在しており、
Ｘ線回折等の手法で構造を同定することは出来なかっ
た。
【００２６】表１に導電性物質の体積％と粒径、粒界相
の体積％、粒界相厚み、開気孔率を変量したものについ
て、比抵抗、昇温特性、通電加熱後の抵抗変化率と重量
変化の比率を示した。表１に示したように、導電性物質
粒子の体積分率は３０〜８０体積％であること、導電性
物質粒子の周囲を２〜２０体積％の酸化物あるいは酸窒
化物層が覆っており、その厚みは１〜２０μｍが好まし
いことが判った。
の体積％、粒界相厚み、開気孔率を変量したものについ
て、比抵抗、昇温特性、通電加熱後の抵抗変化率と重量
変化の比率を示した。表１に示したように、導電性物質
粒子の体積分率は３０〜８０体積％であること、導電性
物質粒子の周囲を２〜２０体積％の酸化物あるいは酸窒
化物層が覆っており、その厚みは１〜２０μｍが好まし
いことが判った。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】本発明のハニカム構造のセラミック発熱
体によれば、金属と比較して、熱容量の小さなセラミッ
クスを用いるため、従来に無い急速昇温が可能となり、
また、導電性粒子の表面を１〜２０μｍの周期律表第３
ａ族元素（ＲＥ）−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成
分とする酸化物あるいは酸窒化物層で被覆する事によ
り、高温における導電性粒子の酸化を防止できるので、
耐久性を大きく向上させることができる。
体によれば、金属と比較して、熱容量の小さなセラミッ
クスを用いるため、従来に無い急速昇温が可能となり、
また、導電性粒子の表面を１〜２０μｍの周期律表第３
ａ族元素（ＲＥ）−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成
分とする酸化物あるいは酸窒化物層で被覆する事によ
り、高温における導電性粒子の酸化を防止できるので、
耐久性を大きく向上させることができる。
【図１】本発明のハニカム構造のセラミック発熱体の斜
視図である。
視図である。
１：ハニカム構造体 ２：電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ０１Ｎ 3/28 ３０１ Ｂ０１Ｊ 35/02 Ｇ // Ｂ０１Ｊ 35/02 Ｃ０４Ｂ 35/58 １０２Ｋ １０２Ｙ Ｆターム(参考） 3G090 BA04 3G091 AA02 AA17 AA18 AB01 AB13 BA03 BA23 CA04 FA02 FA04 FB02 FC06 FC07 GA06 GB01X GB10X GB13X GB15X GB17X HA45 4G001 BA03 BA04 BA08 BA09 BA10 BA24 BA25 BA26 BA32 BA37 BA38 BA49 BA53 BA61 BA62 BB03 BB04 BB08 BB09 BB10 BB24 BB25 BB26 BB32 BB37 BB38 BB48 BB49 BB51 BB53 BC02 BC13 BC54 BD04 BD15 BE13 BE22 BE26 BE32 BE33 4G030 AA11 AA15 AA45 AA49 AA52 BA02 BA23 CA04 CA05 CA10 GA11
Claims (3)
- 【請求項１】窒化珪素、３０〜８０体積％の導電性物
質、および２〜２０体積％のＲＥ（周期律表第３ａ族元
素）−ＳｉまたはＲＥ−Ａｌ−Ｓｉを主成分とする酸化
物あるいは酸窒化物からなるセラミックス発熱体であっ
て、前記導電性物質粒子の周囲をＲＥ−ＳｉまたはＲＥ
−Ａｌ−Ｓｉを主成分とする酸化物あるいは酸窒化物層
が１〜２０μｍの厚みで被覆していることを特徴とする
セラミックス発熱体。 - 【請求項２】上記導電性物質が、周期律表第４ａ、５
ａ、６ａ族の窒化物、炭化物、珪化物の１種類以上から
なり、その平均粒径が窒化珪素の平均粒径よりも大き
く、かつ７０μｍ以下である事を特徴とする請求項１記
載のセラミックス発熱体。 - 【請求項３】上記導電性物質がＭｏＳｉ2 を主成分とす
る事を特徴とする請求項１又は２記載のセラミックス発
熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308628A JP2000128637A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | セラミックス発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10308628A JP2000128637A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | セラミックス発熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000128637A true JP2000128637A (ja) | 2000-05-09 |
Family
ID=17983346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308628A Pending JP2000128637A (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | セラミックス発熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000128637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012086814A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
| ITUB20150793A1 (it) * | 2015-05-22 | 2016-11-22 | Nuovo Pignone Srl | Materiale composito a base di siliciuro e processo per produrlo |
| WO2021111870A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社デンソー | 電気抵抗体、ハニカム構造体、および、電気加熱式触媒装置 |
| WO2021111869A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社デンソー | 電気抵抗体、ハニカム構造体、および、電気加熱式触媒装置 |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP10308628A patent/JP2000128637A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012086814A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
| CN103282102A (zh) * | 2010-12-24 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | 蜂窝结构体 |
| JP5850858B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2016-02-03 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
| US9585196B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-02-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Honeycomb structure |
| ITUB20150793A1 (it) * | 2015-05-22 | 2016-11-22 | Nuovo Pignone Srl | Materiale composito a base di siliciuro e processo per produrlo |
| WO2016188855A3 (en) * | 2015-05-22 | 2017-04-27 | Nuovo Pignone Tecnologie Srl | Silicide-based composite material and process for producing the same |
| CN107531023A (zh) * | 2015-05-22 | 2018-01-02 | 诺沃皮尼奥内技术股份有限公司 | 基于硅化物的复合材料及其生产方法 |
| CN107531023B (zh) * | 2015-05-22 | 2020-12-01 | 诺沃皮尼奥内技术股份有限公司 | 基于硅化物的复合材料及其生产方法 |
| US11384027B2 (en) | 2015-05-22 | 2022-07-12 | Nuovo Pignone Tecnologie Srl | Silicide-based composite material and process for producing the same |
| WO2021111870A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社デンソー | 電気抵抗体、ハニカム構造体、および、電気加熱式触媒装置 |
| WO2021111869A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社デンソー | 電気抵抗体、ハニカム構造体、および、電気加熱式触媒装置 |
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