JPS6337587A - セラミツクヒ−タ - Google Patents
セラミツクヒ−タInfo
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- JPS6337587A JPS6337587A JP18150786A JP18150786A JPS6337587A JP S6337587 A JPS6337587 A JP S6337587A JP 18150786 A JP18150786 A JP 18150786A JP 18150786 A JP18150786 A JP 18150786A JP S6337587 A JPS6337587 A JP S6337587A
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般家庭用、電子部品用、産業機器用及び自動
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
一般に、セラミックを基体とするヒータとしてはアルミ
ナ（Ａ１２０３）焼結体中にタングステン（−）やモリ
ブデン（ＭＯ）等の金属を主体とする抵抗体を施したヒ
ータが主流である。
ナ（Ａ１２０３）焼結体中にタングステン（−）やモリ
ブデン（ＭＯ）等の金属を主体とする抵抗体を施したヒ
ータが主流である。
この様なセラミックヒータは電気絶縁性、耐薬品性およ
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下急冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｍｍ”程度と、耐熱
衝撃性および高温強度が劣っている。
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下急冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｍｍ”程度と、耐熱
衝撃性および高温強度が劣っている。
そこで、この耐熱衝撃性及び高温強度が他のセラミック
よりも著しく優れた窒化珪素質焼結体をヒータの基板と
して使用することが注目された。
よりも著しく優れた窒化珪素質焼結体をヒータの基板と
して使用することが注目された。
この様な窒化珪素質焼結体の耐熱衝撃温度差は６００℃
程度、８００ ’Ｃまでの高温強度（４点曲げ抗折強度
）は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく優位であ
る。
程度、８００ ’Ｃまでの高温強度（４点曲げ抗折強度
）は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく優位であ
る。
このような窒化珪素質焼結体を基体とするセラミックヒ
ータはアルミナ基板と同様に一般にタングステン（Ｗ）
やモリブデン（ＭＯ）等の発熱抵抗金属線を基体中に埋
設するものが既に提供され、またこれらタングステン（
Ｗ）やモリブデン（ＭＯ）等の金属を主体とする発熱抵
抗ペーストを窒化珪素質グリーンシート上に印刷配線し
、これを積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−
１２６９８９号公＋Ｕにより提案されている。
ータはアルミナ基板と同様に一般にタングステン（Ｗ）
やモリブデン（ＭＯ）等の発熱抵抗金属線を基体中に埋
設するものが既に提供され、またこれらタングステン（
Ｗ）やモリブデン（ＭＯ）等の金属を主体とする発熱抵
抗ペーストを窒化珪素質グリーンシート上に印刷配線し
、これを積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−
１２６９８９号公＋Ｕにより提案されている。
しかしながら、発熱抵抗体としてタングステン（Ｗ）や
モリブデン（ＭＯ）等の金属を使用すると高温焼成時や
長時間の昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲
と窒化珪素との界面において、タングステン（Ｗ）やモ
リブデン（Ｍｏ）等の金属は窒化珪素（ＳｉＪａ） と
反応して一３ｉ２．Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また
酸素と反応してＷｏ ３１ Ｍｏ０３の層を生成し易い
。このように生成された反応層は物理的に脆弱であるた
め抵抗値のバラツキが大きく、特に高抵抗ヒータの場合
、反応層生成界面に亀裂が生じ易くなり、亀裂による発
熱抵抗体の断線が生じる等の欠点があるために、特に発
熱抵抗ペーストを使用する方式については実用化に供さ
れていないのが現状である。さらに、タングステン（誓
）やモリブデン（Ｍｏ）等の金属から成る発熱抵抗体は
これらの抵抗温度計数（ＴＣＰ）が比較的高く４〜５×
１０−３程度（０〜８００℃）である。従って、既に実
用化されているタングステン（−）やモリブデン（ＭＯ
）の発熱抵抗金属線を基体に埋設する方式においても電
圧印加時の突入電流が大きくなり、電流容量の大きいヒ
ータの通電制御装置を必要とする。さらに、タングステ
ン（賀）やモリブデン（ＭＯ）等の金属から成る発熱抵
抗体は温度に対する抵抗変化が直線的に得られず、電圧
の上昇に伴って温度が一定に上昇しない。
モリブデン（ＭＯ）等の金属を使用すると高温焼成時や
長時間の昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲
と窒化珪素との界面において、タングステン（Ｗ）やモ
リブデン（Ｍｏ）等の金属は窒化珪素（ＳｉＪａ） と
反応して一３ｉ２．Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また
酸素と反応してＷｏ ３１ Ｍｏ０３の層を生成し易い
。このように生成された反応層は物理的に脆弱であるた
め抵抗値のバラツキが大きく、特に高抵抗ヒータの場合
、反応層生成界面に亀裂が生じ易くなり、亀裂による発
熱抵抗体の断線が生じる等の欠点があるために、特に発
熱抵抗ペーストを使用する方式については実用化に供さ
れていないのが現状である。さらに、タングステン（誓
）やモリブデン（Ｍｏ）等の金属から成る発熱抵抗体は
これらの抵抗温度計数（ＴＣＰ）が比較的高く４〜５×
１０−３程度（０〜８００℃）である。従って、既に実
用化されているタングステン（−）やモリブデン（ＭＯ
）の発熱抵抗金属線を基体に埋設する方式においても電
圧印加時の突入電流が大きくなり、電流容量の大きいヒ
ータの通電制御装置を必要とする。さらに、タングステ
ン（賀）やモリブデン（ＭＯ）等の金属から成る発熱抵
抗体は温度に対する抵抗変化が直線的に得られず、電圧
の上昇に伴って温度が一定に上昇しない。
本発明においては、発熱抵抗体の抵抗値のバラツキや断
線が生じ難く、また温度に対する抵抗変化率（ＴＣＲ）
が低く、この抵抗変化が直線的に得られる耐熱衝撃性に
優れたセラミックヒータを提供するものである。
線が生じ難く、また温度に対する抵抗変化率（ＴＣＲ）
が低く、この抵抗変化が直線的に得られる耐熱衝撃性に
優れたセラミックヒータを提供するものである。
本発明によれば窒化珪素焼結体中もしくはその表面にタ
ングステンカーバイド（ｗｅ）’Ｉの発熱抵抗体を形成
してなるセラミックヒータが提供される。
ングステンカーバイド（ｗｅ）’Ｉの発熱抵抗体を形成
してなるセラミックヒータが提供される。
本発明のセラミックヒータにおいて、発熱抵抗体として
用いられるタングステンカーバイド（ＷＣ）はタングス
テン（賀）又はモリブデン（ト０）単身の金属と比べ高
温において熱力学的に安定であり、上記脆弱な反応層が
ほとんど生成されてない。したがって、脆弱な反応層の
存在による抵抗体の断線は略完全に防止できる。
用いられるタングステンカーバイド（ＷＣ）はタングス
テン（賀）又はモリブデン（ト０）単身の金属と比べ高
温において熱力学的に安定であり、上記脆弱な反応層が
ほとんど生成されてない。したがって、脆弱な反応層の
存在による抵抗体の断線は略完全に防止できる。
また、焼結体の焼成時や長期の昇降温繰り返し使用後の
抵抗値変化が生じない。また、タングステンカーバイｌ
−（ＷＣ）は窒化珪素（ＳｉＪ４）と熱膨張係数が近似
しているため昇温繰り返し時に相互に剥離せず強固に結
合した発熱抵抗体を形成することができる。
抵抗値変化が生じない。また、タングステンカーバイｌ
−（ＷＣ）は窒化珪素（ＳｉＪ４）と熱膨張係数が近似
しているため昇温繰り返し時に相互に剥離せず強固に結
合した発熱抵抗体を形成することができる。
さらに、タングステンカーバイド（肛）からなる発熱抵
抗体はタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）と比
べ抵抗温度係数（ＴＣＰ）が約１．３ Ｘｌ０−３（０
〜８００℃）程度と小さい。
抗体はタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）と比
べ抵抗温度係数（ＴＣＰ）が約１．３ Ｘｌ０−３（０
〜８００℃）程度と小さい。
即ち、このことは第１図（ａ） 、 （ｂ）に示す如く
、札を抵抗体とするものＲｏｌ と、タングステン（−
）又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲＯ□と
を同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８０
０℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（ａ
）参照）、タングステン（齢又はモリブデン（Ｍｏ）を
抵抗体とするものは常時抵抗が小さいので、第１図（ｂ
）に示す如＜、Ｖ・ＩＲの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
、札を抵抗体とするものＲｏｌ と、タングステン（−
）又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲＯ□と
を同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８０
０℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（ａ
）参照）、タングステン（齢又はモリブデン（Ｍｏ）を
抵抗体とするものは常時抵抗が小さいので、第１図（ｂ
）に示す如＜、Ｖ・ＩＲの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
一方、タングステンカーバイド（ＷＣ）を抵抗体とする
ものは常時抵抗が大きいので電圧印加等の突入電流を小
さくすることができ、該ヒータの制御装置の電流容量が
小さくて済む。さらに、このような抵抗温度係数（ＴＣ
Ｒ）の小さいことは、使用雰囲気によりヒータの温度分
布が均一になる。
ものは常時抵抗が大きいので電圧印加等の突入電流を小
さくすることができ、該ヒータの制御装置の電流容量が
小さくて済む。さらに、このような抵抗温度係数（ＴＣ
Ｒ）の小さいことは、使用雰囲気によりヒータの温度分
布が均一になる。
即ち、オームの法則によりＷ、１”Ｒ（Ｉは一定）から
抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなることは知
られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）の大
きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、その
部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の発熱
量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数（Ｔ
ＣＲ）の小さな本発明のヒータはその一部が局部的に冷
却されても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下がら
ずその部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータの温
度分布は外部影響を受けにくいということになる。
抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなることは知
られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）の大
きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、その
部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の発熱
量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数（Ｔ
ＣＲ）の小さな本発明のヒータはその一部が局部的に冷
却されても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下がら
ずその部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータの温
度分布は外部影響を受けにくいということになる。
さらに、もう一つの条件としてタングステンカーバイト
（ＷＣ）の発熱抵抗体の厚みは２ｍｍ以下であること
が望ましい。
（ＷＣ）の発熱抵抗体の厚みは２ｍｍ以下であること
が望ましい。
さらに、タングステンカーバイド（ＷＣ）からなる発熱
抵抗体は温度に対する抵抗変化が直線状に得られること
が実験的に分かった。
抵抗体は温度に対する抵抗変化が直線状に得られること
が実験的に分かった。
市販のｈｃ粉末（純度９９．８χ）にアセトン及びバイ
ンダーを添加し、振動ミルにて７２時間混合し、脱アセ
トン後、混練して粘度を調整して一〇質の発熱抵抗体ペ
ーストを作成した。この発熱抵抗体ペーストをプレス成
形又はテープ成形され、かつ焼結体としては絶縁性とな
る窒化珪素質生成形体ｌａ上に第２図の如くスクリーン
印刷して抵抗回路２を形成し、これを積層して常圧によ
り一体的に焼成した。そして、第３図に示すごとく、こ
の焼結体１ｂを研削又は表面処理により電極を露出させ
、これに電極取出金具３をメタライズ層（図示せず）を
介してロウ付けして７０Ｘ５ Ｘｌ、２＋＊−の板状セ
ラミックヒータを得た。
ンダーを添加し、振動ミルにて７２時間混合し、脱アセ
トン後、混練して粘度を調整して一〇質の発熱抵抗体ペ
ーストを作成した。この発熱抵抗体ペーストをプレス成
形又はテープ成形され、かつ焼結体としては絶縁性とな
る窒化珪素質生成形体ｌａ上に第２図の如くスクリーン
印刷して抵抗回路２を形成し、これを積層して常圧によ
り一体的に焼成した。そして、第３図に示すごとく、こ
の焼結体１ｂを研削又は表面処理により電極を露出させ
、これに電極取出金具３をメタライズ層（図示せず）を
介してロウ付けして７０Ｘ５ Ｘｌ、２＋＊−の板状セ
ラミックヒータを得た。
〔比較例１ 〕
市販のＷ金属粉末にアセトン及びバインダーを添加し振
動ミルにて７２時間混合し、脱アセトン後、混練して粘
度を調整してＷ金属の発熱抵抗体ペーストを作成した。
動ミルにて７２時間混合し、脱アセトン後、混練して粘
度を調整してＷ金属の発熱抵抗体ペーストを作成した。
この発熱抵抗体ペーストを前記本発明の実施例と同様に
プレス成形又はテープ成形され、かつ焼結体としては絶
縁性となる窒化珪素質生成形体上にスクリーン印刷して
抵抗回路を形成し、これを積層して常圧により一体的に
焼成した。そして、この焼結体を研削又は表面処理によ
り電極を露出させ、これに電極取出金具をメタライズ層
を介してロウ付けして前記実施例と同様のセラミックヒ
ータを得た。
プレス成形又はテープ成形され、かつ焼結体としては絶
縁性となる窒化珪素質生成形体上にスクリーン印刷して
抵抗回路を形成し、これを積層して常圧により一体的に
焼成した。そして、この焼結体を研削又は表面処理によ
り電極を露出させ、これに電極取出金具をメタライズ層
を介してロウ付けして前記実施例と同様のセラミックヒ
ータを得た。
〔比較例２ 〕
焼結体としては絶縁性となる窒化珪素質粉末内に線径０
．０７ｍｍの一線発熱フィラメントを線径０ 、６ｍｍ
の外部電極取出リードに接続した状態で埋設し、これを
ホットプレスにより焼成し、前記電極取出リードが外部
へ露出した棒状セラミックヒータを得た。
．０７ｍｍの一線発熱フィラメントを線径０ 、６ｍｍ
の外部電極取出リードに接続した状態で埋設し、これを
ホットプレスにより焼成し、前記電極取出リードが外部
へ露出した棒状セラミックヒータを得た。
〔実験例１ 〕
本発明の実施例と比較例１及び２から得られた各サンプ
ル１０本ずつについて抵抗計を用い室温２５℃±１の部
屋にて抵抗値を測定し、各サンプルの抵抗値のバラツキ
を調べ第４図に示した。
ル１０本ずつについて抵抗計を用い室温２５℃±１の部
屋にて抵抗値を測定し、各サンプルの抵抗値のバラツキ
を調べ第４図に示した。
第４図から理解されるように比較例１の胸金属からなる
発熱抵抗体ペーストを用いたものは約１０〜２７５Ωも
の抵抗値のバラツキがあり、また一線からなる発熱抵抗
体を用いたものは本発明の実施例である高抵抗ヒータと
比較するために一発熱フィラメントの線径を０．０７ｍ
ｍと極めて細くしているので−Ｓｔの生成の影響が大き
く約５０〜５９０Ωもの抵抗値のバラツキがある。これ
に対し、本発明の実施例に示す如＜、札からなる発熱抵
抗体ペーストを用いたものは約２５〜３７Ω程度と抵抗
値のバラツキは比較例と比べて著しく小さい。
発熱抵抗体ペーストを用いたものは約１０〜２７５Ωも
の抵抗値のバラツキがあり、また一線からなる発熱抵抗
体を用いたものは本発明の実施例である高抵抗ヒータと
比較するために一発熱フィラメントの線径を０．０７ｍ
ｍと極めて細くしているので−Ｓｔの生成の影響が大き
く約５０〜５９０Ωもの抵抗値のバラツキがある。これ
に対し、本発明の実施例に示す如＜、札からなる発熱抵
抗体ペーストを用いたものは約２５〜３７Ω程度と抵抗
値のバラツキは比較例と比べて著しく小さい。
〔実験例２ 〕
本発明の実施例と比較例１及び２から得られた各サンプ
ルの先端から一定位置（最高発熱部領域）の温度（Ｔ）
を測定しながら、電圧（Ｖ）と電流（１）を測定し、抵
抗値（Ｒ）をＲ＝Ｖ／Ｉの一般式から温度（Ｔ）の関係
を調べ、温度に対する抵抗変化を第５図に示した。
ルの先端から一定位置（最高発熱部領域）の温度（Ｔ）
を測定しながら、電圧（Ｖ）と電流（１）を測定し、抵
抗値（Ｒ）をＲ＝Ｖ／Ｉの一般式から温度（Ｔ）の関係
を調べ、温度に対する抵抗変化を第５図に示した。
第５図から理解されるように比較例１のＷ金属からなる
発熱抵抗体ペーストを用いたもの及び比較例２のＷｖＡ
からなる発熱抵抗体を用いたものは夫々温度に対する抵
抗変化が曲線状である。
発熱抵抗体ペーストを用いたもの及び比較例２のＷｖＡ
からなる発熱抵抗体を用いたものは夫々温度に対する抵
抗変化が曲線状である。
これに対し、本発明の実施例のＷＣからなる発熱抵抗体
ペーストを用いたものは温度に対する抵抗変化が直線状
であるものが得られていることが分る。
ペーストを用いたものは温度に対する抵抗変化が直線状
であるものが得られていることが分る。
〔実験例 ３ 〕
本発明の実施例と比較例１及び２から得られた各サンプ
ルについて、昇降温サイクルテストを行った。比較例１
及び２については５秒間で９００ ’ｃとなるような電
圧を５秒間印加し、その後２０秒間エアーにて冷却する
という０Ｎ−ＯＦＦサイクルを繰り返し、抵抗変化を調
べた。これろの結果を第６図に示す。
ルについて、昇降温サイクルテストを行った。比較例１
及び２については５秒間で９００ ’ｃとなるような電
圧を５秒間印加し、その後２０秒間エアーにて冷却する
という０Ｎ−ＯＦＦサイクルを繰り返し、抵抗変化を調
べた。これろの結果を第６図に示す。
さらに、本発明の実施例については前記比較例ｌ及び２
よりさらに苛酷な昇降温サイクルテストを行った。即ち
、１秒間で１０００℃となるような電圧を１秒間印加し
、その後２０秒間エアーにて冷却するという０Ｎ−ＯＦ
Ｆサイクルを繰り返し、抵抗変化を調べた。これらの結
果を第７図に示す。
よりさらに苛酷な昇降温サイクルテストを行った。即ち
、１秒間で１０００℃となるような電圧を１秒間印加し
、その後２０秒間エアーにて冷却するという０Ｎ−ＯＦ
Ｆサイクルを繰り返し、抵抗変化を調べた。これらの結
果を第７図に示す。
第６図及び第７図から理解されるように比較例１及び２
のものは第６図に示すように約１０００サイクル前後ま
で抵抗が上昇した後断線するのに対し、本発明の実施例
のものは第７図に示すように比較例１及び２より苛酷な
テスト条件においても約１５０００サイクル後において
も抵抗の変化がなく、且つ断線が生じないことが分る。
のものは第６図に示すように約１０００サイクル前後ま
で抵抗が上昇した後断線するのに対し、本発明の実施例
のものは第７図に示すように比較例１及び２より苛酷な
テスト条件においても約１５０００サイクル後において
も抵抗の変化がなく、且つ断線が生じないことが分る。
上述の如く、本発明は窒化珪素質焼結体中もしくはその
表面にタングステンカーバイド（ＷＣ）質の発熱抵抗体
を形成したもので、発熱抵抗体の抵抗値のバラツキや昇
降温サイクルテストにおける抵抗値変化及び断線が生じ
難く、また温度に対する抵抗変化率（ＴＣＲ）が低くか
つこの抵抗変化が直線的に得られるため電圧の上昇に伴
い温度を一定に上昇させることができる有用なセラミッ
クヒータを得ることができる。
表面にタングステンカーバイド（ＷＣ）質の発熱抵抗体
を形成したもので、発熱抵抗体の抵抗値のバラツキや昇
降温サイクルテストにおける抵抗値変化及び断線が生じ
難く、また温度に対する抵抗変化率（ＴＣＲ）が低くか
つこの抵抗変化が直線的に得られるため電圧の上昇に伴
い温度を一定に上昇させることができる有用なセラミッ
クヒータを得ることができる。
なお、前記本発明の実施例においては肛の純度が９９．
８χと略１００χＷＣの発熱抵抗体ペーストを使用した
が、発熱抵抗体の抵抗値を選択したり、また該抵抗体の
緻密度を向上させるため、または窒化珪素基板との接合
性を向上させるために、ＩＡＣに対しＹ等の１ｉｒａ族
元素、ｎａ族元素及び鉄族元素の単体、酸化物、窒化物
、炭化物、炭窒化物や窒化珪素基板と同種のＳｉＪ、を
Ｏ〜４０χ程度まで含有させても本発明の効果に影響は
ない。
８χと略１００χＷＣの発熱抵抗体ペーストを使用した
が、発熱抵抗体の抵抗値を選択したり、また該抵抗体の
緻密度を向上させるため、または窒化珪素基板との接合
性を向上させるために、ＩＡＣに対しＹ等の１ｉｒａ族
元素、ｎａ族元素及び鉄族元素の単体、酸化物、窒化物
、炭化物、炭窒化物や窒化珪素基板と同種のＳｉＪ、を
Ｏ〜４０χ程度まで含有させても本発明の効果に影響は
ない。
第１図（ａ）はＷＣ抵抗体とタングステン（Ｗ）やモリ
ブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示し
た特性図、第１図（ｂ）は前記ＷＣ抵抗体とタングステ
ン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した特性図、第２図は窒化珪素質生成形体上にＷ
Ｃ抵抗体ペーストを印刷した状態を示す斜視部、第３図
は完成状態のセラミックヒータを示す斜視図、第４図は
抵抗値のバラツキを示す特性図、第５図は温度に対する
抵抗変化を示す特性図、第６図は比較例１及び２の昇降
温サイクルテストの結果を示す特性図及び第７図は本発
明の実施例の昇降温サイクルテストの結果を示す特性図
である。 １ａ・・・生成形体 ｉｂ・・・絶縁性焼結体
ブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示し
た特性図、第１図（ｂ）は前記ＷＣ抵抗体とタングステ
ン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した特性図、第２図は窒化珪素質生成形体上にＷ
Ｃ抵抗体ペーストを印刷した状態を示す斜視部、第３図
は完成状態のセラミックヒータを示す斜視図、第４図は
抵抗値のバラツキを示す特性図、第５図は温度に対する
抵抗変化を示す特性図、第６図は比較例１及び２の昇降
温サイクルテストの結果を示す特性図及び第７図は本発
明の実施例の昇降温サイクルテストの結果を示す特性図
である。 １ａ・・・生成形体 ｉｂ・・・絶縁性焼結体
Claims (1)
- 窒化珪素質焼結体中もしくはその表面にタングステンカ
ーバイト（ＷＣ）質の発熱抵抗体を形成してなるセラミ
ックヒータ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181507A JP2534847B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | セラミツクヒ−タ |
| US07/079,255 US4804823A (en) | 1986-07-31 | 1987-07-29 | Ceramic heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181507A JP2534847B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | セラミツクヒ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337587A true JPS6337587A (ja) | 1988-02-18 |
| JP2534847B2 JP2534847B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=16101970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181507A Expired - Fee Related JP2534847B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | セラミツクヒ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534847B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388777A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミツクヒ−タ− |
| JPH0265086A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 加熱体 |
| JPH0340796U (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-18 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997998A (en) * | 1998-03-31 | 1999-12-07 | Tdk Corporation | Resistance element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767297A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Kyoto Ceramic | Ceramic heater |
| JPS6049592A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | 株式会社日立製作所 | 棒状ヒ−タ |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61181507A patent/JP2534847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767297A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Kyoto Ceramic | Ceramic heater |
| JPS6049592A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | 株式会社日立製作所 | 棒状ヒ−タ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388777A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミツクヒ−タ− |
| JPH0265086A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 加熱体 |
| JPH0340796U (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2534847B2 (ja) | 1996-09-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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