JPS611044A - ゲ−トアレイ集積回路 - Google Patents

ゲ−トアレイ集積回路

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Publication number
JPS611044A
JPS611044A JP12080284A JP12080284A JPS611044A JP S611044 A JPS611044 A JP S611044A JP 12080284 A JP12080284 A JP 12080284A JP 12080284 A JP12080284 A JP 12080284A JP S611044 A JPS611044 A JP S611044A
Authority
JP
Japan
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center
gates
gate array
gate
channel
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Pending
Application number
JP12080284A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Yamada
山田 正昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS611044A publication Critical patent/JPS611044A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は、ゲートアレイ集積回路の論理ゲート配列方
式に関する。
〔従来技術とその問題点〕
従来のゲートアレイ集積回路においては、一様な大きさ
、一様な仕様のゲートの組合せを繰返して、ゲート列を
構成していた。そのため1次のような問題点があった。
(11論理回路中の各ゲートに必要とされるドライブ力
は、駆動する負荷の大きさと、遅延時間との関係から決
定されるべきものである。
しかし、各ゲートのドライブ力は一様tこするため、最
悪の負荷を想定して、ゲートの仕様を決定する必要があ
った。
(2)従来の方式では、ゲートの寸法が一様であるため
、チャネルの幅が一定であった(第1図)。
ところが、ゲートアレイの配線をすると、チャネル中央
部で配縁が混雑し、チャネル両端部では配線が疎になる
傾向があり、スペースが有効に利用できなかった。
〔発明の目的〕
この発明は、上述した従来方式の欠点を改良したもので
、ゲートのドライブ力を適切な大きさに設定するととも
に、チャネルの配線混雑度を一様lこしてスペースを有
効に利用することを目的とする。
〔発明の概要〕
第2図のように、チップ(1)上の各ゲート列に)の中
央部には寸法の小さいゲート(3,)を、両端部には寸
法の大きいゲート(3,)を配列する。
両端部のゲートは、一般に次段への配線長が大きくなる
ので、大きなドライブ力を必要とするが、寸法を比較的
大きくすることによって必要なドライブ力が得られる。
中央部のゲートの次段への配線長は比較的小さいので大
きなドライブ力は必要なく、小さな寸法で構成してもよ
い。
このようにゲート配列はチャネル(4)甲央部の幅は大
きく、チャネル両端部の幅は小さくなる。ゲートアレイ
の配線をするとチャネル中央部に配線の混雑が集中する
傾向があるため、チャネル中央部の幅を大きくすること
によって、配線が容易になる。
すなわちゲートを大きくする必要がある両端部ではゲー
ト領域を大きくとり、配線数の多くなる中央部ではチャ
ネル領域を大きくとることによって、全体としてチップ
面積が効率的をこ利用される。
〔発明の効果〕
本発明の方法によれば、チャネルが有効に利用されるの
で、ゲートアレイ集積回路のチップサイズを小さくする
ことができる。チップサイズの縮小は、製造コストの減
少2歩留りの向上、動作スピードの向上に寄与する。
特に、本発明は、ゲートアレイのマスタ一部分に関する
もので1個別品種によらないので、生産量が多大であり
、製造コストが減少することに大きな意味がある。
〔発明の実施例〕
本発明はMO8回路を使って以下のように実施すること
ができる。
MOSゲートアレイでは、ゲート列の方向と垂直な方向
に、MOSのゲートの幅方向を持って来るのが普通であ
る。すなわち、第3図におけるWc 。
Wpの長さは、MOSのゲート幅に比例する。
MO8回路のドライブ力は、ゲート幅にほぼ比例するの
でWc、Wp  はドライブ力に比例すると考えてよい
一方、中央のゲートの駆動すべき負荷の配線長は、両端
のゲートの駆動すべき負荷の配線長の1/21程度であ
る(ただし、配線は直線的と仮定し、上下方向の配線は
無視している)。配線の負荷が全負荷の172 とする
と、第3図において、Wc:Wp−3:4程度の設定が
できる。
〔発明の他の実施例〕
チップ上のすべてのゲート列を一様に作製するのではな
く、第4図のように、チップの端に近いゲート列には、
比較的大きなゲートを設置する方法がある。この方法に
よって上下方向の配線長も考慮した最適化ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の方法で作製したチップの平面図、第2
図は本発明の方法の平面図、第3図は実施例を1つのゲ
ート列について示した平面図、第4図は他の実施例の平
面図である。 代理人弁理士 則 近 憲 佑(他1名)第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 論理ゲート列の中央部には電流ドライブ力の小さいトラ
    ンジスタを作成し、論理ゲート列の両端部には電流ドラ
    イブ力の大きいトランジスタを作成して論理ゲートの配
    列を構成したゲートアレイ集積回路。
JP12080284A 1984-06-14 1984-06-14 ゲ−トアレイ集積回路 Pending JPS611044A (ja)

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JP12080284A JPS611044A (ja) 1984-06-14 1984-06-14 ゲ−トアレイ集積回路

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JPS611044A true JPS611044A (ja) 1986-01-07

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ID=14795349

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JP (1) JPS611044A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197356A (ja) * 1987-02-12 1988-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置
JPH01309353A (ja) * 1988-06-07 1989-12-13 Nec Corp 半導体集積回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63197356A (ja) * 1987-02-12 1988-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置
JPH01309353A (ja) * 1988-06-07 1989-12-13 Nec Corp 半導体集積回路

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