JPS60257510A - コンデンサ - Google Patents
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- JPS60257510A JPS60257510A JP59113164A JP11316484A JPS60257510A JP S60257510 A JPS60257510 A JP S60257510A JP 59113164 A JP59113164 A JP 59113164A JP 11316484 A JP11316484 A JP 11316484A JP S60257510 A JPS60257510 A JP S60257510A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はコンデンサ、さらに詳しくはプラスチックフィ
ルムを誘電体とするコンデンサに関するものである。
ルムを誘電体とするコンデンサに関するものである。
従来、2軸配向ポリフエニレンスルフイドフイルムをコ
ンデンサの誘電体として用い2周波数特性、温度特性、
耐ハンダ性の優れたコンデンサを得ることが、特開昭5
7−187327等において知られている。
ンデンサの誘電体として用い2周波数特性、温度特性、
耐ハンダ性の優れたコンデンサを得ることが、特開昭5
7−187327等において知られている。
しかし、かかる従来のコンデンサ、特に薄い誘電体を用
いたコンデンサは、容量および絶縁破壊電圧のバラツキ
が大きくなるという欠点があった。
いたコンデンサは、容量および絶縁破壊電圧のバラツキ
が大きくなるという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を解消し、2軸配向ポリフエ
ニレンスルフイドフイルムコンデンサの優れた特性を損
なうことなく、容量および絶縁破壊電圧のバラツキの小
さいコンデンサヲ提供せんとするものである。
ニレンスルフイドフイルムコンデンサの優れた特性を損
なうことなく、容量および絶縁破壊電圧のバラツキの小
さいコンデンサヲ提供せんとするものである。
本発明は上記の目的を達成するため2次の構成。
すなわち、誘電体が、ポリ−p−フェニレンスルフィド
を主成分とする樹脂組成物からなり、かつ表面の微細突
起密度Sdが20〜300個/mm 。
を主成分とする樹脂組成物からなり、かつ表面の微細突
起密度Sdが20〜300個/mm 。
粗大突起密度Laが5個/mm以下の範囲にある2軸配
向ホリフエニレンスルフイドフイルムでアリ。
向ホリフエニレンスルフイドフイルムでアリ。
電極が、金属の薄膜または箔であることを特徴とするコ
ンデンサとしたものである。
ンデンサとしたものである。
本発明においてポリ−p−フエニレンスルフイドとは、
<9返し単位の70モルチ以上(好まし示される構成単
位からなる重合体をいう。かかる成分が70モル係未満
ではポリマの結晶性、熱転移温度等が低くなりポリ−p
−フェニレンスルフィドを主成分とする樹脂組成物から
なるフィルムおよびその積層体の特長である耐熱性1寸
法安定性1機械的特性等を損なう。
<9返し単位の70モルチ以上(好まし示される構成単
位からなる重合体をいう。かかる成分が70モル係未満
ではポリマの結晶性、熱転移温度等が低くなりポリ−p
−フェニレンスルフィドを主成分とする樹脂組成物から
なるフィルムおよびその積層体の特長である耐熱性1寸
法安定性1機械的特性等を損なう。
くり返し単位の60モルチ未満(好ましくは15モル襲
未満)であれば共重合可能なスルフィド結合を含有する
単位が含まれていてもさしつかえない。
未満)であれば共重合可能なスルフィド結合を含有する
単位が含まれていてもさしつかえない。
本発明においてポリ−p−フェニレンスルフィドを主成
分とする樹脂組成物(以下ppsと略称’する)とid
、上記ポリ−p−フェニレンスルフィドを90重量%以
上含む組成物を言う。
分とする樹脂組成物(以下ppsと略称’する)とid
、上記ポリ−p−フェニレンスルフィドを90重量%以
上含む組成物を言う。
ボ’)−p−フェニレンスルフィドの含有i カ9j
oiti*未38組ワウ、品性、□□Iが低くなり該組
成物からなるフィルムおよびその積層体の特長である耐
熱性2寸法安定性1機械的特性等を損なう。
oiti*未38組ワウ、品性、□□Iが低くなり該組
成物からなるフィルムおよびその積層体の特長である耐
熱性2寸法安定性1機械的特性等を損なう。
該組成物中の残りの10重量%未満はポリバラフェニレ
ンスルフィド以外のポリマ、無機または有機光添剤等か
ら成ることができる。また、無機または有機の滑剤2着
色剤、紫外線吸収剤等の添加物を含むこともさしつかえ
ない。
ンスルフィド以外のポリマ、無機または有機光添剤等か
ら成ることができる。また、無機または有機の滑剤2着
色剤、紫外線吸収剤等の添加物を含むこともさしつかえ
ない。
該樹脂組成物の溶融粘度は、温度300 C,せん断速
度200 sec””のもとて500〜12000ポイ
ズ(よシ好ましくは700〜7000ボイズ)の範囲が
フィルムの成形性の点で好ましい。
度200 sec””のもとて500〜12000ポイ
ズ(よシ好ましくは700〜7000ボイズ)の範囲が
フィルムの成形性の点で好ましい。
本発明において、2軸配向ポリフエニレンスルフイドフ
イルム(以下PP5−BOと略称する)とは、上記p
p sを溶融成形してシート状とし。
イルム(以下PP5−BOと略称する)とは、上記p
p sを溶融成形してシート状とし。
2軸延伸、熱処理してなるフィルムであって、その配向
度は特に限定されないが、X線種図形法によシ2θ−2
0〜21に存在する 結晶ピークからめた面配向度が0
.75以上のものが好ましい。 ゛また。その厚さは0
3〜10μmの範囲が好ましい。
度は特に限定されないが、X線種図形法によシ2θ−2
0〜21に存在する 結晶ピークからめた面配向度が0
.75以上のものが好ましい。 ゛また。その厚さは0
3〜10μmの範囲が好ましい。
本発明において、微細突起密度Sdとは、突起高さ00
2μm以上の突起の線密度(単位長さ当シの個数)をい
う。
2μm以上の突起の線密度(単位長さ当シの個数)をい
う。
ここに、突起高さは触針式表面粗さ計(カットオフ値が
0.08mm、触針の半径2μm)によって測定される
もので、縦倍率Nでフィルムの長さ1晒にわたって測定
した粗さ曲線のチャート上の1番目の山頂のレベルをM
i、同じく1番目の山の左側の谷底のレベルをvlとす
るとき、P1=(M i −V i ) / Nを1番
目の突起の突起高さと定義する。
0.08mm、触針の半径2μm)によって測定される
もので、縦倍率Nでフィルムの長さ1晒にわたって測定
した粗さ曲線のチャート上の1番目の山頂のレベルをM
i、同じく1番目の山の左側の谷底のレベルをvlとす
るとき、P1=(M i −V i ) / Nを1番
目の突起の突起高さと定義する。
本発明に用いるP P S−B OのSdは、20〜3
00(よシ好捷しくは60〜200)個/皿の範囲にあ
ることが必要である。Sdが太きすぎても小さすぎても
本発明の目的を達成することは・できない。
00(よシ好捷しくは60〜200)個/皿の範囲にあ
ることが必要である。Sdが太きすぎても小さすぎても
本発明の目的を達成することは・できない。
本発明において、粗大突起密度Ldとは、突起高さ02
μm以上の突起の線密度をいう。
μm以上の突起の線密度をいう。
本発明に用いるPPl9−BOのLdは、5(より好ま
しくは3)個/−以下であることが必要である。L(1
が大きすぎると本発明の目的を達成することはできない
。
しくは3)個/−以下であることが必要である。L(1
が大きすぎると本発明の目的を達成することはできない
。
本発明におけるSdあるいはLdの値と、J工5R−0
601に規定された方法で測定した平均表面あらさl’
jaの値とは一義的には対応しないが2本発明に用いる
PP5−BOのRaは、おおよそ002〜0.08μm
の範囲が好ましい。逆に、Raがこの範囲にあってもS
aおよびLαの値が上記の条件を満さないものは2本発
明の目的を達し得ないことは言うまでもない。
601に規定された方法で測定した平均表面あらさl’
jaの値とは一義的には対応しないが2本発明に用いる
PP5−BOのRaは、おおよそ002〜0.08μm
の範囲が好ましい。逆に、Raがこの範囲にあってもS
aおよびLαの値が上記の条件を満さないものは2本発
明の目的を達し得ないことは言うまでもない。
本発明に用いるPP5−BOの密度は1,356g /
aTl’以上であることが、得られるコンデンサの耐ハ
ンダ性の点で好ましい。
aTl’以上であることが、得られるコンデンサの耐ハ
ンダ性の点で好ましい。
また2本発明に用いるPP5−BOの熱収縮率は、25
0℃、50分で縦、横方向とも0〜8%であることが、
得られるコンデンサの削ハンダ性の点で好ましい。
0℃、50分で縦、横方向とも0〜8%であることが、
得られるコンデンサの削ハンダ性の点で好ましい。
さらに1本発明に用いるP P S −BOの吸湿率は
25℃100%RHで0.1チ以下であることがコンデ
ンサの特性上好ましい。
25℃100%RHで0.1チ以下であることがコンデ
ンサの特性上好ましい。
本発明に用いるpps−BOの絶縁破壊電圧は直流で2
40 kV 7mm以上であることが、コンデンサの特
性上好唸しい。
40 kV 7mm以上であることが、コンデンサの特
性上好唸しい。
本発明において、コンデンサとは、電気回路の受動回路
素子の一種で、誘電体をはさんで導体からなる一対の電
極を設けることにより9両電極間に一定の静電容量を与
えたものを意味し、蓄電器。
素子の一種で、誘電体をはさんで導体からなる一対の電
極を設けることにより9両電極間に一定の静電容量を与
えたものを意味し、蓄電器。
キャパシターなどと呼ばれているものと同義である。
本発明のコンデンサの電極は、金属の薄膜または箔から
なシ、形状、材質等は特に限定されるものではない。
なシ、形状、材質等は特に限定されるものではない。
なお金属箔とは、自己支持性の金属膜であシ。
その厚さは、3〜15μmが好ましい。
金属薄膜とは、PPE+−B@lを支持体として°。
その表面に蒸着、メッキ等の方法で形成された非自己支
持体の金属膜であシ、その厚さは0.01〜05μmが
好ましい。
持体の金属膜であシ、その厚さは0.01〜05μmが
好ましい。
これら金属膜の材質は特に限定されないが、アルミニウ
ム、亜鉛、ニッケル、クロム、銅、もしくはこれらの合
金が好ましい。
ム、亜鉛、ニッケル、クロム、銅、もしくはこれらの合
金が好ましい。
本発明のコンデンサの電極として、金属薄膜を用いる場
合、PP5−BO支持体上に金属薄膜が形成され一体と
なったいわゆる金属化フィルムの状態での熱収縮率が、
250℃60分間で0〜8%(より好ましくは0〜6%
)であることが、好ましい。
合、PP5−BO支持体上に金属薄膜が形成され一体と
なったいわゆる金属化フィルムの状態での熱収縮率が、
250℃60分間で0〜8%(より好ましくは0〜6%
)であることが、好ましい。
本発明のコンデンサは、前述のPPB−BOを誘電体と
することを特徴とするものであるが、PPf9−BOを
誘電体とするコンデンサ本来の特長である。温度特性9
周波数特性等を損なわない限り、PP5−BO以外の絶
縁体薄膜が、PP5−BOとともに電極間に存在するこ
とは何ら支障ない。
することを特徴とするものであるが、PPf9−BOを
誘電体とするコンデンサ本来の特長である。温度特性9
周波数特性等を損なわない限り、PP5−BO以外の絶
縁体薄膜が、PP5−BOとともに電極間に存在するこ
とは何ら支障ない。
本発明のコンデンサの形状としては1通常のリード線を
有するタイプもしくはリード線を有さす基板にハンダを
用いて直付けするタイプ(いわゆるチップコンデンサ)
のいずれでもよい。
有するタイプもしくはリード線を有さす基板にハンダを
用いて直付けするタイプ(いわゆるチップコンデンサ)
のいずれでもよい。
まだ、PP5−BOそのものは、大気中の湿気の影響を
全く受けないが電極がアルミニウムの薄膜で形成される
場合のように大気中の湿気の影響を受けるときは、コン
デンサの周囲に外被を設けることが好ましい。かかる外
被の材質としては。
全く受けないが電極がアルミニウムの薄膜で形成される
場合のように大気中の湿気の影響を受けるときは、コン
デンサの周囲に外被を設けることが好ましい。かかる外
被の材質としては。
アルミニウムなどの金属、ガラスなどの無機物。
プラスチックス等が挙げられるが、チップコンデンサの
場合には、軟化点が200℃以上(よシ好ましくは24
0℃以上)の樹脂組成物が好ましい・次に2本発明のコ
ンデンサの製造方法について説明する。
場合には、軟化点が200℃以上(よシ好ましくは24
0℃以上)の樹脂組成物が好ましい・次に2本発明のコ
ンデンサの製造方法について説明する。
先ず9本発明に使用するポリ−p−フェニレンスルフィ
ドの重合方法としては、硫化アルカリとp−ジハロベン
ゼンを極性溶媒中で高温高圧下に反応させる方法を用い
る。特に硫化ナトリウムとp−ジクロルベンゼンをN−
メチル−ピロリドン等のアミド系高沸点極性溶媒中で反
応させるの゛が好捷しい。この場合1重合度を調整する
ために。
ドの重合方法としては、硫化アルカリとp−ジハロベン
ゼンを極性溶媒中で高温高圧下に反応させる方法を用い
る。特に硫化ナトリウムとp−ジクロルベンゼンをN−
メチル−ピロリドン等のアミド系高沸点極性溶媒中で反
応させるの゛が好捷しい。この場合1重合度を調整する
ために。
か性アルカリ、カルボン酸アルカリ金属塩等のいわゆる
重合助剤を添加して、230〜280℃で反応させるの
が最も好ましい。重合系内の圧力および重合時間は、使
用する助剤の種類や量および所望する重合度などによっ
て適宜決定される。
重合助剤を添加して、230〜280℃で反応させるの
が最も好ましい。重合系内の圧力および重合時間は、使
用する助剤の種類や量および所望する重合度などによっ
て適宜決定される。
カくシて得うれタボリール−フェニレンスルフィドに、
必要に応じ、他のポリマ、添加剤などをブレンド、添加
する。
必要に応じ、他のポリマ、添加剤などをブレンド、添加
する。
こうして得られた樹脂組成物(pps)は、エクストル
ーダに代表される周知の溶融押出装置に供給され、溶融
される。
ーダに代表される周知の溶融押出装置に供給され、溶融
される。
フィルム表面のSclおよびTJ dを本発明の構成範
囲内とするために、必要に応じて上記の溶融押出工程以
前の任意の段階で、樹脂組成物中に、平均粒子径が0.
1〜1.5μmの微粒子を均一に分散させておく。該微
粒子の添加量は、樹脂組成物中に内包されている粒子成
分の種類および量、添加微粒子の平均粒子径等によって
異なるが、およそ005〜0.8 wtq6の範囲であ
る。
囲内とするために、必要に応じて上記の溶融押出工程以
前の任意の段階で、樹脂組成物中に、平均粒子径が0.
1〜1.5μmの微粒子を均一に分散させておく。該微
粒子の添加量は、樹脂組成物中に内包されている粒子成
分の種類および量、添加微粒子の平均粒子径等によって
異なるが、およそ005〜0.8 wtq6の範囲であ
る。
次に、溶融された樹脂を、95%カット孔径が3〜20
μm(好ましくは6〜15μm)の高精度フィルターで
ろ過した後、いわゆるTダイから連続的に押出し、冷却
された金属ドラム上にキャストして、急冷固化し、未配
向非晶状態のソートとする。該金属ドラムの表面は、荒
らさ0.4S以下の鏡面に仕上げられていることが好ま
しい。
μm(好ましくは6〜15μm)の高精度フィルターで
ろ過した後、いわゆるTダイから連続的に押出し、冷却
された金属ドラム上にキャストして、急冷固化し、未配
向非晶状態のソートとする。該金属ドラムの表面は、荒
らさ0.4S以下の鏡面に仕上げられていることが好ま
しい。
次に、このようにして得られたシートを2軸延伸して面
配向度を075以上とする。延伸方法としては、逐次2
軸延伸法、同時2軸延伸法等の周知の方法を用いること
ができるが、ロール群によってシート長手方向に延伸し
た後に、テンタによって幅方向に延伸する。いわゆる縦
横逐次2軸延伸法によるのが好ましい。延伸温度は縦横
ともに95〜110℃の範囲とする。一方、延伸倍率は
樹脂粘度、延伸温度などによって異なり、−概には言え
ないが、およそ63〜4.8倍の範囲である。
配向度を075以上とする。延伸方法としては、逐次2
軸延伸法、同時2軸延伸法等の周知の方法を用いること
ができるが、ロール群によってシート長手方向に延伸し
た後に、テンタによって幅方向に延伸する。いわゆる縦
横逐次2軸延伸法によるのが好ましい。延伸温度は縦横
ともに95〜110℃の範囲とする。一方、延伸倍率は
樹脂粘度、延伸温度などによって異なり、−概には言え
ないが、およそ63〜4.8倍の範囲である。
次に、このようにして得られた延伸フィルムを定長熱処
理する。ここにいう定長熱処理とは、熱処理中の幅およ
び長さの変化が10係以下にな・るようにすることを意
味する。熱処理条件は200〜290℃で3〜50秒と
するが、250〜28・5j!1 ℃で5〜30秒行う
のが好ましい。
理する。ここにいう定長熱処理とは、熱処理中の幅およ
び長さの変化が10係以下にな・るようにすることを意
味する。熱処理条件は200〜290℃で3〜50秒と
するが、250〜28・5j!1 ℃で5〜30秒行う
のが好ましい。
定長熱処理の後に、290℃以下の温度で、長手方向ま
だは/および幅方向に数−以下のりラックスを行うこと
も好ましい。
だは/および幅方向に数−以下のりラックスを行うこと
も好ましい。
以上のようにして、2軸配向ポリフエニレンスルフイド
フイルム(PPS−BO)を得る。
フイルム(PPS−BO)を得る。
こうして得たフィルムを誘電体とし、金属膜を電極とし
て1周知の方法でコンデンサ素子を形成する。すなわち
、金属箔を電極とする場合には。
て1周知の方法でコンデンサ素子を形成する。すなわち
、金属箔を電極とする場合には。
細断したフィルムと金属箔を重ね合わせて円筒状に巻き
上げるいわゆる巻回法が、また金属薄膜を電極とする場
合には、あらかじめフィルム上に蒸着法、メッキ法等に
よって金属薄膜層を形成した後、コンデンサ素子とする
方法が適用できる。いずれの場合も1巻回後、常温〜2
00℃位の温度でフィルム表面と垂直方向にプレスして
、容量および絶縁破壊電圧の安定化を図る。
上げるいわゆる巻回法が、また金属薄膜を電極とする場
合には、あらかじめフィルム上に蒸着法、メッキ法等に
よって金属薄膜層を形成した後、コンデンサ素子とする
方法が適用できる。いずれの場合も1巻回後、常温〜2
00℃位の温度でフィルム表面と垂直方向にプレスして
、容量および絶縁破壊電圧の安定化を図る。
フィルム上に金属薄膜層を形成する場合、あらかじめフ
ィルム表面に、コロナ処理、プラズマ処理環、接着性向
上のだめの処理を施しておくこともできる。
ィルム表面に、コロナ処理、プラズマ処理環、接着性向
上のだめの処理を施しておくこともできる。
必要に応じ、上記のコンデンサ素子に、端面導電化処理
、リード線取付け、外被形成などを行ってコンデンサと
する。
、リード線取付け、外被形成などを行ってコンデンサと
する。
また9本発明のコンデンサに油、電解液などを含浸せし
めて、いわゆる液浸コンデンサとしてもよい。
めて、いわゆる液浸コンデンサとしてもよい。
本発明のコンデンサは9以上のような構成とした結果、
従来のポリフェニレンスルフィドフィルムを誘電体とす
るコンデンサの欠点であった容量および絶縁破壊電圧の
バラツキが解消され、容量および絶縁破壊電圧の安定性
、均一性に優れたコンデンサとなった。
従来のポリフェニレンスルフィドフィルムを誘電体とす
るコンデンサの欠点であった容量および絶縁破壊電圧の
バラツキが解消され、容量および絶縁破壊電圧の安定性
、均一性に優れたコンデンサとなった。
また本発明のコンデンサは、温湿度が大幅に変化しても
容量がほとんど変化しないという、従来のコンデンサに
はない優れた特徴を有するため。
容量がほとんど変化しないという、従来のコンデンサに
はない優れた特徴を有するため。
変化する環境下で常に一定の容量を示すことが要求され
る回路用として有用である。
る回路用として有用である。
また本発明のコンデンサは、広い温度範囲にわたって誘
電損失が小さく、ioo〜170℃という高い温度下で
も長時間安定した特性を示すので。
電損失が小さく、ioo〜170℃という高い温度下で
も長時間安定した特性を示すので。
自動車や電気機器の中などのように9周囲が高温になる
所での使用に好適である。
所での使用に好適である。
さらに2本発明のコンデンサは耐ハンダ性を有するため
、リード線を持たないいわゆるチップコンデンサとして
、プリント基板に直にハンダ付して用いることができる
ので、実装効率の点で従来のフィルムコンデンサより大
幅に優れている。
、リード線を持たないいわゆるチップコンデンサとして
、プリント基板に直にハンダ付して用いることができる
ので、実装効率の点で従来のフィルムコンデンサより大
幅に優れている。
次に2本発明の記述において使用した。フィルム、およ
びコンデンサの特性値の測定、評価法について説明する
。
びコンデンサの特性値の測定、評価法について説明する
。
(1) コンデンサの容量
自動キャパシタンスブリッジを用いて、25℃1 kH
zで容量(キャパシタンス)を測定した。
zで容量(キャパシタンス)を測定した。
(2)容量のバラツキ
同一条件で製造したコンデンサ100個の容量を測定し
てそれらの平均値Cおよび標準偏差σ。
てそれらの平均値Cおよび標準偏差σ。
を算出し、(σ。/c)xloDを容量のバラツキ(単
位:係)と定義する。このバラツキが少ないほど優れて
いることは言うまでもない。
位:係)と定義する。このバラツキが少ないほど優れて
いることは言うまでもない。
(3) コンデンサの絶縁破壊電圧
コンデンサを26℃・50%RHの雰囲気に24時間放
置した後、同一雰囲気で100v/秒の昇圧速度で直流
電圧を印加していき、コンデンサが絶縁破壊するときの
電圧を絶縁破壊電圧とする。
置した後、同一雰囲気で100v/秒の昇圧速度で直流
電圧を印加していき、コンデンサが絶縁破壊するときの
電圧を絶縁破壊電圧とする。
(4)絶縁破壊電圧のバラツキ
同一条件で製造したコンデンサ100個について絶縁破
壊電圧を測定して、それらの平均値■および標準偏差σ
7を算出し、(σv/v)xlooを絶縁破壊電圧のバ
ラツキ(単位:チ)と定義する。このバラツキが少ない
ほど優れていることは言うまでもない。
壊電圧を測定して、それらの平均値■および標準偏差σ
7を算出し、(σv/v)xlooを絶縁破壊電圧のバ
ラツキ(単位:チ)と定義する。このバラツキが少ない
ほど優れていることは言うまでもない。
次に本発明の実施例を挙げて、さらに詳細に説明する。
実施例1
(1) 本発明に用いる2軸配向ポリ
フエニレンスルフイドフイルム
(PPS−BO)の調製
耐 オートクレーブに、硫化ナトリウム32.6kg1
□ (250モル、結晶水40.、wt%を含む)、水
酸化ナトリウム100g、安息香酸ナトリウム661k
g(250モル)、およびN−メチル−2−ピロリドン
(以下NMPと略称する)79.2kgを仕込み205
℃で脱水したのち、1,4ジクロルベンゼン(p −D
OBと略称する)3Z5砲(255モル)、およびN
M p 20. D kgを加え、265℃で4時間
反応させた。反応生成物を水洗、乾燥して。
□ (250モル、結晶水40.、wt%を含む)、水
酸化ナトリウム100g、安息香酸ナトリウム661k
g(250モル)、およびN−メチル−2−ピロリドン
(以下NMPと略称する)79.2kgを仕込み205
℃で脱水したのち、1,4ジクロルベンゼン(p −D
OBと略称する)3Z5砲(255モル)、およびN
M p 20. D kgを加え、265℃で4時間
反応させた。反応生成物を水洗、乾燥して。
p−フェニレンスルフィドユニット100七ルチからな
り、溶融粘度3100ポイズのポ!j−p−フェニレン
スルフィド21.1 kg(収率78%)ヲ得た。
り、溶融粘度3100ポイズのポ!j−p−フェニレン
スルフィド21.1 kg(収率78%)ヲ得た。
この組成物に、平均粒子径0.7μmのシリカ微粉末0
.1 wt%、ステアリン酸カルシウム0.05wt%
を添加し、40mm径の エクストルーダによって31
0℃で溶融し、金属繊維を用いた95チ力ツト孔径10
μmのフィルタでろ過したのち。
.1 wt%、ステアリン酸カルシウム0.05wt%
を添加し、40mm径の エクストルーダによって31
0℃で溶融し、金属繊維を用いた95チ力ツト孔径10
μmのフィルタでろ過したのち。
長さ400mm、間隙1.5mmの直線状リップを有す
るTダイから押し出し9表面を25℃に保った金属ドラ
ム上にキャストして冷却固化し、厚さ52μmの未延伸
フィルムを得た。
るTダイから押し出し9表面を25℃に保った金属ドラ
ム上にキャストして冷却固化し、厚さ52μmの未延伸
フィルムを得た。
このフィルムをロール群から成る縦延伸装置によって、
フィルム温度98℃、延伸速度30000係/分で4.
4倍縦延伸し、続いてテンタを用いて、温度100℃、
延伸速度1000%/分で6.8倍横延伸し、さらに同
一テンタ内の後続する熱処理室で、275℃で10秒間
熱処理して、厚さ4μmのPP5−BOを得た(フィル
ムAとする)。
フィルム温度98℃、延伸速度30000係/分で4.
4倍縦延伸し、続いてテンタを用いて、温度100℃、
延伸速度1000%/分で6.8倍横延伸し、さらに同
一テンタ内の後続する熱処理室で、275℃で10秒間
熱処理して、厚さ4μmのPP5−BOを得た(フィル
ムAとする)。
このフィルムのSdは67個/匝、Ldは1個/mm
、密度は1360であり1本発明に用いるPP5−BO
としての条件を満たしていた。
、密度は1360であり1本発明に用いるPP5−BO
としての条件を満たしていた。
これとは別に比較のだめに、溶融押出前にシリカ微粒子
を添加しなかったこと以外はフィルムAと全く同じ条件
で2軸配向ppsフイルムを調製した(フィルムBとす
る)。このフィルムのSdは11個/ mm 、 L
d Fii個/mm 、密度は1.36・ig/an’
であシ2本発明に用いるPP5−BOとしての要件を満
していなかった。
を添加しなかったこと以外はフィルムAと全く同じ条件
で2軸配向ppsフイルムを調製した(フィルムBとす
る)。このフィルムのSdは11個/ mm 、 L
d Fii個/mm 、密度は1.36・ig/an’
であシ2本発明に用いるPP5−BOとしての要件を満
していなかった。
(2) コンデンサの作成
上記のフィルムAおよびフィルムBを各々真空蒸着装置
にかけ、アルミニウムを表面抵抗3Ωになるように片面
蒸着した。これらの蒸着フィルムをスリットして、素子
巻機にかけ、2枚重ねで巻き上げ、120℃でプレスし
て中空部をつぶしコンデンサ素子を作り、さらに常法に
よって端面メタリコン処理およびリード線取り付けを行
ってコンデンサ素子量0.5μF)を得た(各々コンデ
ンサA、およびコンデンサBとする)。
にかけ、アルミニウムを表面抵抗3Ωになるように片面
蒸着した。これらの蒸着フィルムをスリットして、素子
巻機にかけ、2枚重ねで巻き上げ、120℃でプレスし
て中空部をつぶしコンデンサ素子を作り、さらに常法に
よって端面メタリコン処理およびリード線取り付けを行
ってコンデンサ素子量0.5μF)を得た(各々コンデ
ンサA、およびコンデンサBとする)。
(3)評価
表−1に得られたコンデンサの評価結果を示す。
本発明のコンデンサ(コンデンサA)は、容量および絶
縁破壊電圧のバラツキが小さい優れたコンデンサである
ことがわかる。
縁破壊電圧のバラツキが小さい優れたコンデンサである
ことがわかる。
表−1
実施例2
(11P P S −B Oの調製
実施例1のフィルムAと同様にして、溶融押出、f 前
に添加するシリカ微粉末の平均粒子径および添加量のみ
を変えた5種類のpps−BO(厚さ6μm)を調製し
た(フィルムC−Gとする)。
に添加するシリカ微粉末の平均粒子径および添加量のみ
を変えた5種類のpps−BO(厚さ6μm)を調製し
た(フィルムC−Gとする)。
(2) コンデンサの作成および評価
実施例1と同様にして、フィルムO−’Gを誘電体とし
、アルミニウム蒸着層を電極とする2個別巻回型コンデ
ンサを作成した。
、アルミニウム蒸着層を電極とする2個別巻回型コンデ
ンサを作成した。
表−2に得られたコンデンサの評価結果を示す。
この表から、微細突起密度86および粗大突起密度TJ
dが特定の範囲内にある本発明のコンデンサは、容量
および絶縁破壊電圧のバラツキが極めて小さく優れてい
ることがわかる。
dが特定の範囲内にある本発明のコンデンサは、容量
および絶縁破壊電圧のバラツキが極めて小さく優れてい
ることがわかる。
実施例3
実施例1と同様にして、溶融押出前に平均粒径2μmの
炭酸カルシウム微粉末をり。5%添加し。
炭酸カルシウム微粉末をり。5%添加し。
溶融物を、金属繊維を用いた95係力ツト孔径10μm
のフィルタでろ過して、厚さ2.5μmのPP5−BO
を得た(フィルムHとする)。
のフィルタでろ過して、厚さ2.5μmのPP5−BO
を得た(フィルムHとする)。
一方、比較のために、溶融物を95%カット孔径が40
μmのフィルタでろ過したことを除いては上記と全く同
様にして厚さ2.5μmの2軸延伸フイルムを調設した
(フイルムエとする)。
μmのフィルタでろ過したことを除いては上記と全く同
様にして厚さ2.5μmの2軸延伸フイルムを調設した
(フイルムエとする)。
次に実施例1と同様にして、フィルムHおよび工を各々
誘電体とし、アルミニウム蒸着層を電極とする9個別巻
回型コンデンサ(コンデンサHおよび工とする)を作成
した。
誘電体とし、アルミニウム蒸着層を電極とする9個別巻
回型コンデンサ(コンデンサHおよび工とする)を作成
した。
表−6に、用いたフィルムの特性値および得ちれたコン
デンサの評価結果を示す。
デンサの評価結果を示す。
表−3から、粗大突起密度が太きすぎると2本(1発明
の目的を達し得ないことがわかる。
の目的を達し得ないことがわかる。
表−6
Claims (1)
- 誘電体が、ポリ−p−フェニレンスルフィドを主成分と
する樹脂組成物からなり、かつ表面の微細突起密度Sd
が20〜300個/ mm 、粗大突起密度L(1が5
個/−以下の範囲にある2軸配向ポリフエニレンスルフ
イドフイルムでありtt電極”+金属の薄膜捷だは箔で
あることを特徴とするコンデンサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59113164A JPH0656826B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | コンデンサ |
US06/834,280 US4672506A (en) | 1984-06-04 | 1985-06-04 | Capacitor |
PCT/JP1985/000309 WO1988004099A1 (en) | 1984-06-04 | 1985-06-04 | Capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59113164A JPH0656826B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60257510A true JPS60257510A (ja) | 1985-12-19 |
JPH0656826B2 JPH0656826B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=14605169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59113164A Expired - Lifetime JPH0656826B2 (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | コンデンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4672506A (ja) |
JP (1) | JPH0656826B2 (ja) |
WO (1) | WO1988004099A1 (ja) |
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JPWO2017141844A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2018-12-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | コンデンサおよびコンデンサの製造方法 |
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