JPS62158312A - コンデンサ - Google Patents

コンデンサ

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JPS62158312A
JPS62158312A JP29855985A JP29855985A JPS62158312A JP S62158312 A JPS62158312 A JP S62158312A JP 29855985 A JP29855985 A JP 29855985A JP 29855985 A JP29855985 A JP 29855985A JP S62158312 A JPS62158312 A JP S62158312A
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capacitor
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dielectric
poly
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野 本発明は,コンデンサに関するものである。
(従来技術〕 従来,2軸配向ポリーp−7エニレンスルフイドフィル
ムをコンデンサの誘電体として用い,周波数特性,温度
特性,lTI4ハンダ性の優れたコンデンサを得ること
が,特開昭57−187327等において知られている
〔本発明が解決しようとする問題点〕
2軸配向ポリ−pーフエニレンスルフイドフィルムを誘
電体として用いたコンデンサが.周波数特性,温度特性
,」熱性等に優れたコンデンサとして注目されている。
しかし、従来のポリ−pーフエニレンスルフイドフィル
ムを誘電体とするコンデンサには,耐電圧が充分ではな
いという欠点があった。
本発明は,従来のボリーP−7エニレンスルフイドフィ
ルムを誘電体とするコンデシサの有していた上記のよう
な欠点を解消し,耐電圧の改良さレタポリ−p−7エコ
レンスルフイドフィルムコンデンサを提供することを目
的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は,主たる誘電体がポリ−p一フエコレンスルフ
イドを主成分とする樹脂組成物の2軸配向フィルムから
なるコンデンサにおいて,該樹脂組成物の300℃にお
ける溶融比抵抗が,1.Ox10Ω・儂以上であること
を特徴とするコンデンサとしたものである。
本発明においてポリ−p−フェニレンスルフィド(以下
,ppsと略称することがある)とは。
繰シ返し単位の70モルチ以上(好ましくは85構成単
位からなる重合体をいう。係る成分が70モル係未満で
はポリマの結晶性、熱転移温度等が低くなりppsl主
成分とする樹脂組成物からなるフィルムの特長である耐
熱性9寸法安定性9機械的特性等を損う。
繰り返し単位の30モル係未満、好ましくは15モルチ
未満であれば共重合可能なスルフィド結合を含有する単
位が含まれていても差し支えない。
本発明においてppsl主成分とする樹脂組成物(以下
、pps系組成物と略称することがある)とは、上記P
 P Sf:90重量係以上含む組成物を言う。
ppsの含有量が90重量%未満では9組成物としての
結晶性、熱転移温度等が低くなシ、該組成物からなるフ
ィルムの特長である耐熱性9寸法安定性1機械的特性等
を損う。
該組成物中の残シの10重量係未満はpps以外のポリ
マ、無機または有機の滑剤9着色剤、紫外線吸収剤など
の添加物を含むことも、後述の溶融比抵抗に関する制限
を満たす限シに於ては差し支えない。
本発明においては、該樹脂組成物の300℃における溶
融比抵抗(以下、単にσと略称することがある)が、1
.0xlOΩ・ω以上であることが必須の要件である。
σが上記の値未満では、該樹脂組成物のフィルムを誘電
体とするコンデンサの耐電圧の改良効果が小さく本発明
の目的を達成できない、σの上限は特にないが、5.0
xlOΩ・cm’を超えることは一般には困難である。
また、σは。
2.0x10  Ω・口以下であることが、フィルムの
厚み均一性を良好に保ち、これを誘電体とするコンデン
サの容量および絶縁破壊電圧のばらつきをよシ小さく保
てる点で好ましい。
該樹脂組成物の溶融粘度は、温度300℃、せん断速度
200 1’/secのもとで、500〜12000ポ
イズ(よシ好ましくは700〜1ooooボイズ)の範
囲がフィルムの成形性の点で好ましい。
該樹脂組成物の溶融比抵抗および溶融粘度は。
最終的に得られるコンデンサの主たる誘電体としての2
軸配向ポリ−P−フェニレンスルフィトフィルムの溶融
比抵抗および溶融粘度に等しい。
本発明において、2軸配向ポリ−P−フェニレンスルフ
ィドフィルム(以下、PP5−BOフィルムと略称する
ことがある)とは、上記pps系組成物を、溶融成形し
てシート状とし、2軸延伸。
熱処理してなるフィルムである。
該フィルムの配向度は、広角X線回折で20−20〜2
1度の結晶ピークについて求めた配向度OFがEnd方
向及びEdge方向で0.07〜0.50゜Throu
gh方向で0.60〜1. OOの範囲にあるととが好
ましい。
また、該フィルムの厚さは0.6〜25ミクロンの範囲
が好ましい。
吻 該フィルムのJIS  K−6768−71に従って測
定した表面の濡損数は30〜45 dyne/mの範囲
とすることか好ましい。
該フィルムの熱収縮率は、250℃、10分でフィルム
の長さ方向が3〜8%9幅方向が一1〜+3% の範囲
が好ましい。
本発明において、コンデンサとは、電気回路の受動回路
素子の一種で、誘電体をはさんで導体からなる一対の電
極ヲ設けることによシ9両電極間に一定の静電容量を与
えたものを意味し、蓄電器。
キャパシターなどと呼ばれているものと同義である。
本発明のコンデンサの電極は、金属の薄膜または箔から
なシ、形状、材質等は特に限定されない。
なお金属箔とは、自己支持性の金属膜であり。
その厚さは3〜10μmが好ましい。
金属薄膜とは、PP5−BOフィルムを支持体として、
その表面に蒸着、メッキ等の方法で形成された非自己支
持性の金属膜であり、その厚さは0.01〜0.5μm
が好ましい。
本発明のコンデンサの電極として、金属薄膜を用いる場
合、PP5−BOフィルム支持体上に金属薄膜が形成さ
れ一体となったいわゆる金属化フィルムの状態での熱収
縮率が、250℃、10分でフィルム長さ方向が3〜8
%9幅方向が一1〜+3チの範囲が好ましい。
本発明のコンデンサは、前述のPP5−BOフィルムを
主たる誘電体とするものであるが9本発明のコンデンサ
の特長である温度特性9周波数特性、削ハンダ性等を損
わない限り、PP5−D。
フィルム以外の絶縁体層が、PP5−BOフィルムとと
もに電極間に存在することは何ら支障ない。
係る絶縁体層の例としては、ポリスルホン、ポリフェニ
レンオキサイド、ポリカーボネート、ポリエーテルスル
ホン、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂等が挙げられる
が、これに限定されるものではない。
本発明のコンデンサの形状としては9通常のリード線を
有するタイプもしくはリード線を有さず基板表面に直接
ハンダ付けするタイプ(いわゆるチップコンデンサ)の
いずれでもよい。
また、PP5−BOフィルムそのものは、大気中の湿気
の影響を全く受けない力i、電極がアルミニウムの薄膜
の場合のように大気中の湿気の影響を受けるときは、コ
ンデンサ素子の周囲に外装体を設けることが好ましい。
係る外装体の材質としては、アルミニウムなどの金属、
ガラスなどの無機物、プラスチックス等が挙げられるが
、PPS樹脂、エポキシ樹脂などのプラスチックスが好
ましい。
次に9本発明のコンデンサの製造方法について説明する
先ず9本発明に使用するポリ−p−フェニレンスルフィ
ドの重合方法としては、硫化アルカリとP−ジハロベン
ゼンを極性溶媒中で高温高圧下に反応させる方法を用い
る。特に硫化す) IJウムとP−ジクロルベンゼンを
N−メチル−ピロリドン等のアミド系高沸点極性溶媒中
で反応させるのが好ましい、この場合9重合度を調整す
るために。
苛性アルカリ、カルボン酸アルカリ金属塩等のいわゆる
重合助剤を添加して230℃〜280℃で反応させるの
が最も好ましい。重合系内の圧力および重合時間は、使
用する助剤の種類や量および所望する重合度などによっ
て適宜決定される。
重合終了後、系を徐冷しポリマを析出させた後水中にダ
ンプし、フィルタで戸別してポリマを得る。
次に、副生塩の除去等を目的として、ポリマを水洗する
が、得られるポリマの溶融比抵抗を前述の範囲とするた
めには1次のような方法を用いることができる。
(1)水洗を100℃以上の加圧イオン交換水で行なう
(2)水洗後、ポリマを酸洗浄する。
これらの方法での水洗時間、酸のpH等は重合後のポリ
マの形状、密度等によシ適宜決定すればよい。
σの大きさは、pps系組成物中のカチオンのくの場合
Na)i含んでおり、またポリマの 水洗する際、洗浄
水中に■a族カチオンなどが含まれていると、水洗後ポ
リマ中に吸蔵される。これらのいずれもがσに影響を与
えるが、カチオンの種類によって多少影響の度合が異な
るため、σの値を前述の1.0x10Ω幡 以上とする
ための総力チオン濃度は完全に一義的には定まらないが
、大略9重量濃度で200ppm程度以下とすればよい
該濃度の下限は特に制限はなく、小さい方が好ましいが
、加圧水洗法で30ppm前後、酸洗浄法で10ppm
程度が限界である。
こうして得られた樹脂組成物(pps系組成物)は、エ
クストルーダに代表される周知の溶融押出装置に供給さ
れ、溶融される。
次に、溶融された樹脂を95%カット孔径が3〜20μ
m(好ましくは′5〜15μm)の高精度フィルターで
濾過したのち、いわゆるTダイから連続的に押出し、冷
却された金属ドラム上にキャストして、急冷固化し、未
配向非晶状態のシートとする。該金属ドラムの表面は、
荒さ0.4S以下の鏡面に仕上けられていることが好ま
しい。
次に、このようにして得られたシート′f:、2軸延伸
する。延伸方法としては、逐次2軸延伸法、同時2軸延
伸法等の周知の方法を用いることができるが、ロール群
によってシート長手方向に延伸した後に、デンタによっ
て幅方向に延伸する。いわゆる縦横逐次2軸延伸法によ
るのが好ましい、延伸温度は縦横とも95〜110℃の
範囲とする。
一方、延伸倍率は樹脂粘度、延伸温度などによって異な
り、−概には言えないが、縦方向およそ3゜2〜485
倍、横方向およそ3.0〜6,8倍の範囲である。
次に、このようにして得られた延伸フィルムを定長熱処
理する。ここにいう定長熱処理とは、熱処理中の幅およ
び長さの変化が10%以下になるようKすることを意味
する。熱処理条件は250〜290 ’Cで1〜50秒
とするが、260〜285°Cで3〜20秒行うのが好
ましい。
定長熱処理の後に、240乃至290℃の温度でリラッ
クスを行うことが好ましい。
以上のようにして2軸配向ppsフィルム(PPS−B
Oフィルム)を得る。
こうして得たフィルムを誘電体とし、金属膜を電極とし
て9周知の方法でコンデンサ素子を形成する。すなわち
、金属箔を電極とする場合には。
細断したフィルムと金属箔を重ね合せて円筒状に巻き上
げる。いわゆる巻回法が、また金属薄膜を電極とする場
合にはあらかじめフィルム上に蒸着法、メッキ法等によ
つ忙金属薄膜層を形成した後。
巻回もしくは積層してコンデンサ素子とする方法7;・
が適用できる。いずれの場合も巻回もしくは積層後、1
50〜24 Q ’O位の温度でフィルム表面と垂直方
向にプレスして、容量および絶縁破壊電圧の安定化を図
る。
フィルム上に金属薄膜層を形成する場合、あらかじめフ
ィルム表面に、コロナ処理、プラズマ処理等、接着性向
上のための処理を施しておくこともできる。
必要に応じ、上記のコンデンサ素子に、端面導電化処理
、リード線取付け、外被形成などを行ってコンデンサと
する。
また9本発明のコンデンサに絶縁油等を含浸せしめて、
いわゆる油浸コンデンサとしてもよい。
〔発明の効果〕
本発明のコンデンサは1以上のような構成とした結果、
従来のポリ−p−フェニレンスルフィドフィルムを誘電
体とするコンデンサに比べて、制電圧特性が大幅に改良
された。すなわち、コンデンサとしての絶縁破壊電圧が
向上すると同時に。
長時間使用後の絶縁不良率が小さくなる。従って本発明
のコンデンサは、従来のものに比べ、同一定格電圧に対
してより薄い誘電体を用いることができるので、同一容
量ならより小型に、同一サイズならよシ大容量のコンデ
ンサを提供することができる。
次に本発明の記述において使用したポリマ、フィルムお
よびコンデンサの特性値の測定、評価法について説明す
る。
押出機の出口部のポリマ管内に、対向面積社÷(2)の
一対の平行平板型電極を設ける(電極間距離0.5個9
両電極間の空の絶縁抵抗は10 9以上とする)。押出
機から、ポリマ温度300℃で測定しようとする樹脂を
押し出しつつ9両電極間にDC5kvy印加したときに
流れる電流f1mA とすると、300℃での溶融比抵
抗σ(j2・−)は次の式で求められる。
σテ3xlO/1 (2)  コンデンサの絶縁破壊電圧 コンデンサの両端子間に直流電圧に100V/秒の昇圧
速度で印加していき、コンデンサが絶縁破壊する(カッ
トオフ電流I QmA )ときの電圧を絶縁破壊電圧と
する。
(3)使用中の不良率(信頼性) コンデンサの両端子間に、誘電体の厚さ1μm当、95
0Vの直流電圧を印加しつつ、150℃のオープン中に
放置し、2000時間以内に導通して不良となる個数の
割合を測定して、使用後の不良率とする。測定はio、
ooo個について行なった。また厚さは電子式マイクロ
メータで測定した。
この不良率が小さいほど優れていることは言うまでもな
い。
(4)容量 コンデンサの容量は、自動キャパシタンスブリッジを用
いて、25℃、 1 kHzで測定した。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を挙げて、さらに詳細に説明する。
実施例1 (1)本発明に用いる2軸配向ポリフエニレンスルフイ
ドフィルム(PPS−BO)の調製オートクレーブに、
硫化ナトリウム′52.6z(250モル、結晶水40
wt%を含む)、水酸化ナトリウム100g5安息香酸
ナトリウム36.1−(250モル)、およびN−メチ
ル−2−ピロリドン(以下NMPと略称する)79.2
kH’i仕込み205°0で脱水したのち、1.4ジク
ロルベンゼン(p’−DCBと略称する)3Z5襠(2
55モル)、およびN M P 20.0権を加え、2
65℃で4時間反応させた。
その後攪拌しながら約り℃/分の速さで100℃以下ま
で徐冷し、イオン交換水中にダンプした。
得られた水スラリーを、200メツシユの目開きを有す
るフィルターで渥別し、ウェットケーキを得た。
このウェットケーキをイオン交換水で3回洗浄した後、
酢酸水溶液(pH5)で洗浄し、さらに2回イオン交換
水洗浄し、乾燥してポリ−p−フェニレンスルフィドユ
ニット100モル係からなり500℃の溶融粘度650
0ボイズのボIJ  p −フェニレンスルフィド21
kgを得た。
このポリマ粉末に、平均粒径1.5μmのシリカ微粉末
Q、4wt%を添加し、60工径の押出機でガツト状に
押し出し、切断してペレット化した。
このペレットf 40 ann径の押出機に供給し′5
00℃で押出し、金属繊維を用いた95%カット孔径1
0μmのフィルターで濾過したのち、長さ400=9間
隙1.5mtoの直線状リップを有するTダイから押し
出し9表面を25°Cに保った金属ドラム上に静電印加
キャストして冷却固化し、厚さ26μmの未延伸フィル
ムを得た。
このとき、押出機出口のポリマ管内に設けた前述の溶融
比抵抗測定電極で測定した。原料樹脂の300℃におけ
る溶融比抵抗は3.2x10’Ω・個であった。
この未延伸フィルムをロール群からなる縦延伸装置によ
って、フィルム温度102℃、延伸速度30001/分
で3.7倍縦延伸し、続いてテンタを用いて温度100
℃、延伸速度10004/分で6.5倍横延伸し、さら
に同一テンタ内の後続する熱処理室で275℃で10秒
間熱処理して、厚さ2.5μmのPP5−BOフィルム
を得た(フィルムAとする)。
これとは別に比較のため、ポリマの重合後に酢酸洗浄を
行なわなかった以外は、フィルムAと同じ条件で別のP
P5−BOフィルムを得た(フィルムBとする)、フィ
ルムBの原料樹脂の300℃における溶融比抵抗は0.
61X10  であった。
(2)  コンデンサの作成 上記のフィルムAおよびフィルムBi各々真空蒸着装置
にかけ、アルミニウムを表面抵抗5Ωになるように片面
蒸着した。これらの蒸着フィルムをスリットして(幅4
.50m1.マージン部0.5 mm )。
素子巻機にかけ、2枚重ねで巻き上げ200℃でプレス
して中空部をつぶし、コンデンサ素子を作シ、さらに常
法によって端面メタリコン処理およびリード線取シ付け
を行ってコンデンサ(容量0.01μF)t−得た(各
々コンデンサAおよびコンデンサBとする)。
(3)  評価 第1表に得られたコンデンサの評価結果を示す。
本発明のコンデンサ(コンデンサA)は、コンデンサB
に比べ絶縁破壊電圧が高く、かつ使用中の不良発生率も
低いことがわかる。
第  1  表 実施例2 実施例1と同様にしてpps6重合し、水洗時の水温1
時間を適当に変え、塩酸による洗浄も一部併用して種々
の溶融比抵抗を有する原料樹脂を調製した。このような
樹脂を用いて実施例1と同様にPP5−BOフィルムを
作シ(フィルムC〜フィルムG)、それらを誘電体とす
るコンデンサを作って(コンデンサC−コンデンサG)
、原料樹脂の300℃における溶融比抵抗と、絶縁破壊
電圧及び使用中の不良発生率を測定した。
これらの測定結果を、第2表にまとめて示す。
これらの表から、原料樹脂の溶融比抵抗が1.0×10
Ω・(至)以上になると、絶縁破壊電圧の向上及び使用
中の不良率の低下が目立つことがわかる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  主たる誘電体が、ポリ−p−フェニレンスルフィドを
    主成分とする樹脂組成物の2軸配向フィルムからなるコ
    ンデンサにおいて、該樹脂組成物の300℃における溶
    融比抵抗が、1.0×10Ω・cm以上であることを特
    徴とするコンデンサ。
JP29855985A 1985-12-28 1985-12-28 コンデンサ Granted JPS62158312A (ja)

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JP29855985A JPS62158312A (ja) 1985-12-28 1985-12-28 コンデンサ

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JPH0562447B2 JPH0562447B2 (ja) 1993-09-08

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6477908A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of film capacitor
WO1990004259A1 (en) * 1988-10-05 1990-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor for acoustic use

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5979903A (ja) * 1982-10-29 1984-05-09 大日本インキ化学工業株式会社 電気絶縁材料

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