JPS60195077A - セラミツクスの無電解めつき用触媒組成物 - Google Patents
セラミツクスの無電解めつき用触媒組成物Info
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- JPS60195077A JPS60195077A JP59051353A JP5135384A JPS60195077A JP S60195077 A JPS60195077 A JP S60195077A JP 59051353 A JP59051353 A JP 59051353A JP 5135384 A JP5135384 A JP 5135384A JP S60195077 A JPS60195077 A JP S60195077A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
- C23C18/1865—Heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1889—Multistep pretreatment with use of metal first
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、無電解めっき用触媒組成物に関し、更に詳し
くは無電解めっき処理によりセラミックス基材上に銅又
はニッケルからなる金属被膜を形成させるに先立ち、基
材上に触媒金属を析出させる為の組成物に関する。
くは無電解めっき処理によりセラミックス基材上に銅又
はニッケルからなる金属被膜を形成させるに先立ち、基
材上に触媒金属を析出させる為の組成物に関する。
セラミックス表面に金属導体被膜を形成する技術は、主
に電子部品の製造に際し広く採用されている。この様な
技術の一つとして無電解めっき法がある。セラミックス
は、無電解めっき浴に対す゛る感応性を有していないの
で、無電解めっきにより金属被膜を形成させるに先立ち
、その表面にパラジウム、銀等の触媒金属を予め付与し
ておく必要がある。触媒金属の付与方法としては、（イ
）触媒 。
に電子部品の製造に際し広く採用されている。この様な
技術の一つとして無電解めっき法がある。セラミックス
は、無電解めっき浴に対す゛る感応性を有していないの
で、無電解めっきにより金属被膜を形成させるに先立ち
、その表面にパラジウム、銀等の触媒金属を予め付与し
ておく必要がある。触媒金属の付与方法としては、（イ
）触媒 。
金属を酸性水溶液に溶解させて得た溶液にセラミックス
基材を浸漬する方法、（ロ）有機溶剤に触媒金属化合物
を溶解又は分散させた浴液に基材を浸漬するか或いは刷
毛塗り、スプレー塗り等の方法により基材上に該液を塗
布した後、基材を加熱する方法、（ハ）有機ビヒクル等
に触媒金属化合物を溶解又は分散させた組成物を基材上
に印刷した後、加熱する方法岬が知られている。しかし
ながら、公知の触媒金属付与方法には、以下の如き欠点
の少なくとも１つが存在しており、その改善が要望され
ている。
基材を浸漬する方法、（ロ）有機溶剤に触媒金属化合物
を溶解又は分散させた浴液に基材を浸漬するか或いは刷
毛塗り、スプレー塗り等の方法により基材上に該液を塗
布した後、基材を加熱する方法、（ハ）有機ビヒクル等
に触媒金属化合物を溶解又は分散させた組成物を基材上
に印刷した後、加熱する方法岬が知られている。しかし
ながら、公知の触媒金属付与方法には、以下の如き欠点
の少なくとも１つが存在しており、その改善が要望され
ている。
（ａｌｌ 高価な触媒金属化合物の含有量を高くしなけ
ればならないので、高価となる。
ればならないので、高価となる。
（ｂ） 触媒金属化合物を含む組成物の貯蔵安定性が低
い。
い。
（Ｃ） 触媒金属付与後に形成される無電解めっき金属
のセラミックス基材に対する析出性及び密着性が十分満
足すべきものであるとは言い難い。
のセラミックス基材に対する析出性及び密着性が十分満
足すべきものであるとは言い難い。
（ｄ） 対象となるセラミックス材料に大巾な制限があ
る。
る。
（ｅｌ スクリーン印刷、部分的浸漬等によりセラミッ
クス基材に触媒金属を付与した場合に、金属めっき層の
寸法精度が低下する。
クス基材に触媒金属を付与した場合に、金属めっき層の
寸法精度が低下する。
発明の構成
本発明者は、無電解金属めっき法における触媒金属付与
方法について種々実験及び研究を重ねた結果、特定のパ
ラジウム及び／又は銀の化合物と特定の有機金属化合物
とを併用する組成物を使用する場合には、前記従来技術
における問題点が実質的に解消若しくは大巾に軽減され
ることを見出した。即ち、本発明は、先ず下記の構成を
有する発明（以下本願第一発明という）に係る。
方法について種々実験及び研究を重ねた結果、特定のパ
ラジウム及び／又は銀の化合物と特定の有機金属化合物
とを併用する組成物を使用する場合には、前記従来技術
における問題点が実質的に解消若しくは大巾に軽減され
ることを見出した。即ち、本発明は、先ず下記の構成を
有する発明（以下本願第一発明という）に係る。
■（１１（ＩＩ） 一般式
％式％
）
））
）
〔但しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕で示される
有機パラジウム化合物、並びに（ｔ）ｌ 一般式 ％式％） ：］ ）： ） ） 〔但しｎ及びｎは、１〜７の整数を示す〕で示される有
機銀化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種１重
量部、 （１１一般式 ％式％） ） ） ） ： ） ） 〔但しｎは、０又は１〜１８の整数、ｎ′は、１〜１８
の整数、イ′は、２〜４の整数を夫々示す。又、Ｍは、
銅、ニッケル、鉄、アル文ニウム、亜鉛及び錫を示す。
有機パラジウム化合物、並びに（ｔ）ｌ 一般式 ％式％） ：］ ）： ） ） 〔但しｎ及びｎは、１〜７の整数を示す〕で示される有
機銀化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種１重
量部、 （１１一般式 ％式％） ） ） ） ： ） ） 〔但しｎは、０又は１〜１８の整数、ｎ′は、１〜１８
の整数、イ′は、２〜４の整数を夫々示す。又、Ｍは、
銅、ニッケル、鉄、アル文ニウム、亜鉛及び錫を示す。
〕
ばれた少なくとも１種０．１〜２００重量部、及び
（１） 有機溶媒１０〜１０００Ｉｉ量部を含むセラミ
ックスの無電解めっき用触媒組成物。
ックスの無電解めっき用触媒組成物。
更に、本発明者の研究によれば、本願第一発明の組成物
に高分子化合物及び／又は無機粉末を配合する場合には
、セラミックス基材と金属めっき皮膜との密着性がより
一層改善されることが見出された。即ち、本発明は、下
記の構成を有する発明（以下本願第二発明という）にも
係る。
に高分子化合物及び／又は無機粉末を配合する場合には
、セラミックス基材と金属めっき皮膜との密着性がより
一層改善されることが見出された。即ち、本発明は、下
記の構成を有する発明（以下本願第二発明という）にも
係る。
■（１１（ａｌ 一般式
％式％）
）
））
）
〔但しｎ及びれ′は、１〜７の整数を意味する〕
で示される有機パラジウム化合物、並びにＴｂｌ 一般
式 ％式％） ） ）） ） ） 〔但しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕で示される
有機銀化合物 からなる群から選ば、れた少なくとも１種１重量部、 （酊 一般式 ％式％ ： ） ）） ： ） ） 〔但しｎは、０又は１〜１８の整数、ｎ′は、１〜１８
の整数、ｄ′は、２〜４の整数を夫々示す。又、Ｍは、
銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、亜鉛及び鍋を示す。
式 ％式％） ） ）） ） ） 〔但しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕で示される
有機銀化合物 からなる群から選ば、れた少なくとも１種１重量部、 （酊 一般式 ％式％ ： ） ）） ： ） ） 〔但しｎは、０又は１〜１８の整数、ｎ′は、１〜１８
の整数、ｄ′は、２〜４の整数を夫々示す。又、Ｍは、
銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、亜鉛及び鍋を示す。
〕
で示される有機金属化合物からなる群から選ばれた少な
くとも１種０．１〜２００重量部、（町 有機溶媒１０
〜１０００重量部、及び（１ｖ）高分子化合物及び無機
粉末の少なくとも１種１〜５００重量部 を含むセラミックスの無電解めっき用触媒組成物。
くとも１種０．１〜２００重量部、（町 有機溶媒１０
〜１０００重量部、及び（１ｖ）高分子化合物及び無機
粉末の少なくとも１種１〜５００重量部 を含むセラミックスの無電解めっき用触媒組成物。
以下、本発明を構成する各成分等につき詳細に説明する
。
。
（１１本発明で使用される有機パラジウム化合物及び有
機銀化合物は、脂肪族モノカルボン酸のパラジウム又は
銀化合物に脂肪族又は芳香族の２級又は８級アミン化合
物を配位させた化合物である。パラジウム又は銀と化合
物を形成する脂肪族カルボン酸としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプ
リル酸等の炭素数１〜７の脂肪族モノカルボン酸が、化
合物の有機溶剤への溶解性乃至分散性及び組成物の長期
安定性の観点から特に好適である。炭素数８以上の脂肪
族モノカルボン酸、オキシカルボン酸、ジカルボン酸等
のパラジウム化合物及び銀化合物は、有機溶剤への溶解
乃至分散性が低く、組成物中での安定性も劣るので、不
適当である。又、上記の如き脂肪族モノカルボン酸のパ
ラジウム化合物又は銀化合物に配位させるべき２級又は
８級アミン化合物としては、ジメチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、ジノルマルプロピルアミン
、ジインプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルア這ン、トリ
ブチルアミン、ピリジン、フェニルエチルアミン、フェ
ニルジプロピルアミン、ジフェニルアミン等が挙げられ
る。１級アミン化合物を配位させた脂肪族モノカルボン
酸のパラジウム又は銀化合物は、溶解性乃至分散性並び
に安定性が低く、炭素数２未満の低級アミンを配位させ
たパラジウム又は銀の化合物は、その合成が容易ではな
く、又炭素数の大きい高級アミンは溶解性乃至分散性が
低いので、大々不適当である。
機銀化合物は、脂肪族モノカルボン酸のパラジウム又は
銀化合物に脂肪族又は芳香族の２級又は８級アミン化合
物を配位させた化合物である。パラジウム又は銀と化合
物を形成する脂肪族カルボン酸としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプ
リル酸等の炭素数１〜７の脂肪族モノカルボン酸が、化
合物の有機溶剤への溶解性乃至分散性及び組成物の長期
安定性の観点から特に好適である。炭素数８以上の脂肪
族モノカルボン酸、オキシカルボン酸、ジカルボン酸等
のパラジウム化合物及び銀化合物は、有機溶剤への溶解
乃至分散性が低く、組成物中での安定性も劣るので、不
適当である。又、上記の如き脂肪族モノカルボン酸のパ
ラジウム化合物又は銀化合物に配位させるべき２級又は
８級アミン化合物としては、ジメチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、ジノルマルプロピルアミン
、ジインプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルア這ン、トリ
ブチルアミン、ピリジン、フェニルエチルアミン、フェ
ニルジプロピルアミン、ジフェニルアミン等が挙げられ
る。１級アミン化合物を配位させた脂肪族モノカルボン
酸のパラジウム又は銀化合物は、溶解性乃至分散性並び
に安定性が低く、炭素数２未満の低級アミンを配位させ
たパラジウム又は銀の化合物は、その合成が容易ではな
く、又炭素数の大きい高級アミンは溶解性乃至分散性が
低いので、大々不適当である。
有機パラジウム化合物及び有機銀化合物の一般式及び具
体例を示せば、以下の通りである。。
体例を示せば、以下の通りである。。
（ａｌ 一般式で示される有機パラジウム化合物：（Ｃ
ｎＨ１ｎ＋ＩＣ００）ｍＰｄ［：（Ｃｎ’）１１ｎ’＋
１）寞Ｎｕ）意１（ＣｎＨｇｎ＋４ＧＯＯ）ｇＰ’［（
Ｃｎ’Ｈｘｎ’＋ｔ）ｓ Ｎ ）ｇ 。
ｎＨ１ｎ＋ＩＣ００）ｍＰｄ［：（Ｃｎ’）１１ｎ’＋
１）寞Ｎｕ）意１（ＣｎＨｇｎ＋４ＧＯＯ）ｇＰ’［（
Ｃｎ’Ｈｘｎ’＋ｔ）ｓ Ｎ ）ｇ 。
（ＣｎＨ愈ｎ＋ｔＣＯＯ）ｍＰｄ（（Ｃｎ’Ｈｓｎ’＋
ｘ）ＮＨ（ＣｇＨｓ））ｇ ＊（ＣｎＨｇｎ＋４ＧＯＯ
）１ Ｐｄ Ｃ（Ｃａｎｓ）ｍＮＨ）濁 及び（ＣｎＨ
ｇｎ４−ＩＣＯＯ）ｇ Ｐ’ （ＣＩＬＨ６Ｎ）ｇ〔但
しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕。
ｘ）ＮＨ（ＣｇＨｓ））ｇ ＊（ＣｎＨｇｎ＋４ＧＯＯ
）１ Ｐｄ Ｃ（Ｃａｎｓ）ｍＮＨ）濁 及び（ＣｎＨ
ｇｎ４−ＩＣＯＯ）ｇ Ｐ’ （ＣＩＬＨ６Ｎ）ｇ〔但
しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕。
有機パラジウム化合物としては、
（ｃｕａｃｏｏ）ｚｐｄ［（ｃｇｕｒ＋）ｇＮｕ）ｇ
。
。
（ｃｕｇｃｏｏ）ｇＰｄ（（ＣｇＨｙ）ｓ＋ＮＨ）ｇ
＊（ｃｕｇｃｏｏ）ＩＰｄ［：（Ｃ４Ｈｅ＞ａＮ：Ｉ！
１＋（ｃｕｓｃｏｏ）ｇＰｄｃ（ＣｅＨｓ）ＮＨ（ｃｓ
Ｈｓ））ｇ ＊（ＣｇＨＩＳＣＯＯ）ｚＰｄｌ：（Ｃｉ
Ｈａ）ｇＮ）ｉ Ｉ（ＣａＨｓＣＯＯ）ｓＰｄ（ＣｓＨ
ｒ＋Ｎ）ｓ ＊（ｃ、、ａｌｌｃｏｏ）ｇｐｄ［（ｃ４
Ｈｅ）ｓ＋Ｎｕ）冨。
＊（ｃｕｇｃｏｏ）ＩＰｄ［：（Ｃ４Ｈｅ＞ａＮ：Ｉ！
１＋（ｃｕｓｃｏｏ）ｇＰｄｃ（ＣｅＨｓ）ＮＨ（ｃｓ
Ｈｓ））ｇ ＊（ＣｇＨＩＳＣＯＯ）ｚＰｄｌ：（Ｃｉ
Ｈａ）ｇＮ）ｉ Ｉ（ＣａＨｓＣＯＯ）ｓＰｄ（ＣｓＨ
ｒ＋Ｎ）ｓ ＊（ｃ、、ａｌｌｃｏｏ）ｇｐｄ［（ｃ４
Ｈｅ）ｓ＋Ｎｕ）冨。
（ＣｙＨｘａｃｏｏ）ｇ＋ｐａ（（ｃ愈Ｈ６）ａＮｈｓ
等が好ましい化合物として具体的に例示される。
等が好ましい化合物として具体的に例示される。
（ｂｌ 一般式で示される有機銀化合物：（ＣｎＨｇｎ
＋ｉ Ｃｏｏ）Ａｇ （（Ｃｎ’Ｈ，１ｊ＋１）ｍＮＨ
：） ＊（ＣｎＨｇｎ＋ｌＣｌＣ００）Ａ：（ＣｎＨｇ
ｎ＋１）ｓＮ ） 。
＋ｉ Ｃｏｏ）Ａｇ （（Ｃｎ’Ｈ，１ｊ＋１）ｍＮＨ
：） ＊（ＣｎＨｇｎ＋ｌＣｌＣ００）Ａ：（ＣｎＨｇ
ｎ＋１）ｓＮ ） 。
（ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯＯ）Ａｇ（（ＣｎＨｇｎ′＋１
）ＮＨ（ＣｅＨ６） ） ＋（ＣｎＨｇｎ４Ｉ ＣＣ０
０）Ａ Ｃ（ＣａＨｓ ） ＩＮＨ）及び（ｃｎｕｌｎ
＋１ｃｏｏ）Ａｇ（ＣｓＨｓＮ）〔但しｎ及びｎ′は、
１〜７の整数を示す〕。
）ＮＨ（ＣｅＨ６） ） ＋（ＣｎＨｇｎ４Ｉ ＣＣ０
０）Ａ Ｃ（ＣａＨｓ ） ＩＮＨ）及び（ｃｎｕｌｎ
＋１ｃｏｏ）Ａｇ（ＣｓＨｓＮ）〔但しｎ及びｎ′は、
１〜７の整数を示す〕。
有機銀化合物としては、
（ｃｎｌｃｏｏ）Ａｇ［：（ＣａＨ６）ｓＮＨ） ＋（
ｃＨｇｃｏｏ）Ａｇ［：（ＣａＨｓ）窓ＮＨ：Ｉ。
ｃＨｇｃｏｏ）Ａｇ［：（ＣａＨｓ）窓ＮＨ：Ｉ。
（ＣＨＢＣＯＯ）Ａｇ（Ｃ６Ｈ６Ｎ） 。
（ｃｕｓｃｏｏ）Ａｇ［：（ｃ意Ｈｓ）ａＮ）。
（ｃ２Ｈ６ｃｏｏ）Ａｇｃ（Ｃｓ＋Ｈｙ）ｇＮＨ）。
（ｃａ７ｃｏｏ）Ａｇ［：（Ｃ４Ｈｏ）ｇＮ：Ｉ−。
（ｃ６ｕ１１ｃｏｏ）Ａｇｌ：（ＣｅＨｓ）ＮＵ（Ｃａ
Ｈｙ）：） ｅ（ＣＴＨｘａＣＯＯ）Ａｇ（（ＣｓＨｓ
）ｘＮＨ） 等が好ましい化合物として具体的に例示さ
れる。
Ｈｙ）：） ｅ（ＣＴＨｘａＣＯＯ）Ａｇ（（ＣｓＨｓ
）ｘＮＨ） 等が好ましい化合物として具体的に例示さ
れる。
（２）本発明において上記有機パラジウム、化合物及び
／又は有機銀化合物と併用される銅、ニッケル、鉄、ア
ルミニウム、亜鉛及び錫の有機金属化合物としては、脂
肪族モノカルボン酸の金属塩及び該金属塩に２級又は８
級アミン化合物を配位させた化合物並びにアルミニウム
のアルコラ−）及びキレート化合物が好適である。銅等
の金属と塩を形成すべき脂肪族モノカルボン酸としては
、一般式％式％ あり、塩としてはギ酸ニッケル、ギ酸銅、酢酸ニッケル
、酢酸銅、酢酸亜鉛、酢酸鉄、酢酸錫、酢酸アルミニウ
ム、プロピオン酸錫、プロピオン酸ニッケル、プロピオ
ン酸鉄、プロピオン酸アルｔニウム、プロピオン酸亜鉛
、プロピオン酸銀、酪酸銅、酪酸ニッケル、酪酸鉄、酪
酸アルミニウム、酪酸亜鉛、酪酸銀、吉草酸銅、吉草酸
ニッケル、吉草酸鉄、吉草酸アルミニウム、吉草酸亜鉛
、吉草酸銀、カプロン酸錫、カプロン酸ニッケル、カブ
９ン酸鉄、カプロン酸アルミニウム、カプロン酸亜鉛、
カプロン酸銀、カプリル酸錫、カプリル酸ニッケル、カ
プリル酸鉄、カプリル酸アルをニウム、カプリル酸亜鉛
、カプリル酸銀、パルミチン酸銅、パルミチン酸ニッケ
ル、パル霊チン酸鉄、パルミチン酸アルミニウム、パル
ミチン酸亜鉛、パルミチン酸銀、ステアリン酸銅、ステ
アリン酸ニッケル、ステアリン酸鉄、ステアリン酸アル
ミニウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸銅等が例示
される。又、これ等の脂肪族モノカルボン酸の金属塩に
配位さるべき２級又は８級アミン化合物としては、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジノ
ルマルプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリプ
ロピルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ピ
リジン、フェニル゛エチルアミン、フェニルジプロピル
ア゛ミン、ジフェニルアミン等が例示される。
／又は有機銀化合物と併用される銅、ニッケル、鉄、ア
ルミニウム、亜鉛及び錫の有機金属化合物としては、脂
肪族モノカルボン酸の金属塩及び該金属塩に２級又は８
級アミン化合物を配位させた化合物並びにアルミニウム
のアルコラ−）及びキレート化合物が好適である。銅等
の金属と塩を形成すべき脂肪族モノカルボン酸としては
、一般式％式％ あり、塩としてはギ酸ニッケル、ギ酸銅、酢酸ニッケル
、酢酸銅、酢酸亜鉛、酢酸鉄、酢酸錫、酢酸アルミニウ
ム、プロピオン酸錫、プロピオン酸ニッケル、プロピオ
ン酸鉄、プロピオン酸アルｔニウム、プロピオン酸亜鉛
、プロピオン酸銀、酪酸銅、酪酸ニッケル、酪酸鉄、酪
酸アルミニウム、酪酸亜鉛、酪酸銀、吉草酸銅、吉草酸
ニッケル、吉草酸鉄、吉草酸アルミニウム、吉草酸亜鉛
、吉草酸銀、カプロン酸錫、カプロン酸ニッケル、カブ
９ン酸鉄、カプロン酸アルミニウム、カプロン酸亜鉛、
カプロン酸銀、カプリル酸錫、カプリル酸ニッケル、カ
プリル酸鉄、カプリル酸アルをニウム、カプリル酸亜鉛
、カプリル酸銀、パルミチン酸銅、パルミチン酸ニッケ
ル、パル霊チン酸鉄、パルミチン酸アルミニウム、パル
ミチン酸亜鉛、パルミチン酸銀、ステアリン酸銅、ステ
アリン酸ニッケル、ステアリン酸鉄、ステアリン酸アル
ミニウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸銅等が例示
される。又、これ等の脂肪族モノカルボン酸の金属塩に
配位さるべき２級又は８級アミン化合物としては、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジノ
ルマルプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリプ
ロピルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ピ
リジン、フェニル゛エチルアミン、フェニルジプロピル
ア゛ミン、ジフェニルアミン等が例示される。
銅等の金属の有機化合物を一般式で示せば、以下の通り
である： （ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯＯ）ｘ Ｍ ＊ （ＣｎＨｇｎ＋
ｘＣＯＯ）ｓＭＣＣＣｎ’Ｈ＊ ｎ’＋ ｌ ）ｇＮＨ
）ｓ。
である： （ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯＯ）ｘ Ｍ ＊ （ＣｎＨｇｎ＋
ｘＣＯＯ）ｓＭＣＣＣｎ’Ｈ＊ ｎ’＋ ｌ ）ｇＮＨ
）ｓ。
（ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯＯ）ｇＭ（（ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯ
Ｏ）ｓＮ）ｇ ｌ（ＣｎＨｇｎ＋ｘＣＯＯ）ｇＭ［（Ｃ
ｎ’Ｈｇｎ’＋１）ＮＨ（ＣｓＨｓ）：Ｉｔ ｅ（Ｃｎ
Ｈｇｎ＋１ＣＯＯ）ｘＭ（（ＣａＨ６）ｍＮＨ］ｇ １
（ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯＯ）ｓＭ（ＣｓＨｓＮ）ｇ Ｉ
（Ｃｄ’Ｈｉｓ（’＋ｘＯ）Ａｌｓ ＩＣ５Ｈ９０１Ａ
ｌ！（ＯＣｄ’Ｈ，／＋ｌ ） ｉｌ、 （Ｃ，Ｉｆ２
ｎ＋□Ｃｏｏ）３Ａｌ〔但しｎは、０又は１〜１８の整
数、ｎ′は、１〜１８の整数、Ｉは、２〜４の整数を夫
々示す。又、Ｍは、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、
亜鉛及び錫を意味する。〕 上記一般式で示される有機金属化合物の具体例としては
、以下の如きものが挙げられる：（ｎｃｏｏ）ｚｃｕ（
（ＣｓＨｓ）２Ｎｎ〕ｓ ｅ（ＣｓＨｌｇＣＯＯ）鵞Ｃ
ｕ（（ＣｓＨｓ）ｚＮＨ）ｔ ｅ（ｃｎｌｃｏｏ）２Ｎ
Ｎ（（ｃｓＨｙ）ａＮ）＊ ＊（Ｃ６Ｈ１１ＣＯＯ）ｇ
Ｎｉ（（ＣｓＨｌｌ）ＩＮＨ）１ 。
Ｏ）ｓＮ）ｇ ｌ（ＣｎＨｇｎ＋ｘＣＯＯ）ｇＭ［（Ｃ
ｎ’Ｈｇｎ’＋１）ＮＨ（ＣｓＨｓ）：Ｉｔ ｅ（Ｃｎ
Ｈｇｎ＋１ＣＯＯ）ｘＭ（（ＣａＨ６）ｍＮＨ］ｇ １
（ＣｎＨｇｎ＋１ＣＯＯ）ｓＭ（ＣｓＨｓＮ）ｇ Ｉ
（Ｃｄ’Ｈｉｓ（’＋ｘＯ）Ａｌｓ ＩＣ５Ｈ９０１Ａ
ｌ！（ＯＣｄ’Ｈ，／＋ｌ ） ｉｌ、 （Ｃ，Ｉｆ２
ｎ＋□Ｃｏｏ）３Ａｌ〔但しｎは、０又は１〜１８の整
数、ｎ′は、１〜１８の整数、Ｉは、２〜４の整数を夫
々示す。又、Ｍは、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、
亜鉛及び錫を意味する。〕 上記一般式で示される有機金属化合物の具体例としては
、以下の如きものが挙げられる：（ｎｃｏｏ）ｚｃｕ（
（ＣｓＨｓ）２Ｎｎ〕ｓ ｅ（ＣｓＨｌｇＣＯＯ）鵞Ｃ
ｕ（（ＣｓＨｓ）ｚＮＨ）ｔ ｅ（ｃｎｌｃｏｏ）２Ｎ
Ｎ（（ｃｓＨｙ）ａＮ）＊ ＊（Ｃ６Ｈ１１ＣＯＯ）ｇ
Ｎｉ（（ＣｓＨｌｌ）ＩＮＨ）１ 。
（ＣｓＨｉＣＯＯ）ｍＦｅ（（Ｃ意Ｈｉ）ｓＮ：Ｉｍ（
Ｃ６Ｈ１１ＣＯＯ）ｓＦｅ（（Ｃ４Ｈｅ）ｍＮＨ）ｇ
９（Ｃ１６Ｈａｔｃｏｏ）露Ａ／（（Ｃ諺Ｂｙ）寓Ｎｎ
）ｓ。
Ｃ６Ｈ１１ＣＯＯ）ｓＦｅ（（Ｃ４Ｈｅ）ｍＮＨ）ｇ
９（Ｃ１６Ｈａｔｃｏｏ）露Ａ／（（Ｃ諺Ｂｙ）寓Ｎｎ
）ｓ。
（Ｃ１ａＨｓｙＣＯＯ）ｓＡｊ（（ＣａＢ６）ＮＨ（Ｃ
ｓＨａ））。
ｓＨａ））。
（ＣｓＨｙＣＯＯ）ｓＺｎ（（Ｃ４ｎｏ）ａＮ）ｚ ＃
（ＣｌｏＨｇｘＣＯＯ）ｇＺｎ（（Ｃｒｕｘｓ）舅Ｎ’
Ｈ）ｘ Ｉ（ｃ４ｉｉ＠ｃｏｏ）ｇｓｎ（（ＣｓＨｕ）
ｍ Ｎ ）ｘ ｅ（Ｃｅｎｌ＠ｃｏｏ）ｇｓｎ（（Ｃ４
１１ｓ）ＮＨ（ＣｓＨ％））ｓ 。
（ＣｌｏＨｇｘＣＯＯ）ｇＺｎ（（Ｃｒｕｘｓ）舅Ｎ’
Ｈ）ｘ Ｉ（ｃ４ｉｉ＠ｃｏｏ）ｇｓｎ（（ＣｓＨｕ）
ｍ Ｎ ）ｘ ｅ（Ｃｅｎｌ＠ｃｏｏ）ｇｓｎ（（Ｃ４
１１ｓ）ＮＨ（ＣｓＨ％））ｓ 。
（ＣｓＨｙＣＯＯ）＋Ｓｎ（ＣｓＨｓＮ）ｇ 、 ７
ルミ＝ １７ Ａ インプロピレート、アルミニウムブ
チレート、モノブトキシアルミニウムジイソプ戸ピレー
ト、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピ
レート等。
ルミ＝ １７ Ａ インプロピレート、アルミニウムブ
チレート、モノブトキシアルミニウムジイソプ戸ピレー
ト、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピ
レート等。
これ等金属の有機化合物は、前記有機銀化合物及び／又
は有機パラジウム化合物１重量部に対し、０．１〜２０
０重量部程重量部会で使用される。
は有機パラジウム化合物１重量部に対し、０．１〜２０
０重量部程重量部会で使用される。
０．１重量部未満では、２種の有機金属化合物の併用に
よる効果が十分に発現されないのに対し、ｇｏ。
よる効果が十分に発現されないのに対し、ｇｏ。
重量部を上回る場合には、経済的に不利となるのみなら
ず、無電解めっき被膜のセラミックス基材に対する密着
力を低下させる。
ず、無電解めっき被膜のセラミックス基材に対する密着
力を低下させる。
（３）本発明で使用する有機溶媒は、１記有機銀及びパ
ラジウム化合物並びに銅等の有機化合物を良好に溶解若
しくは分散させ得る限り、特に限定されず、印刷インキ
、塗料、各種ペースト等において通常使用されている各
種のものが使用される。
ラジウム化合物並びに銅等の有機化合物を良好に溶解若
しくは分散させ得る限り、特に限定されず、印刷インキ
、塗料、各種ペースト等において通常使用されている各
種のものが使用される。
好ましい有機溶媒としては、シクロヘキサン、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の炭化水素類：１．１．１−
）リクロロエタン、四塩化炭素、エピクロルヒドリン、
モノクロルベンゼン等の含塩素溶媒：メタノール、エタ
ノール、インプロピルアル：ｌ−ル、ｎ−フタ／−ル、
ｎ−ヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレング
リコール、グリセリン等のアルコール類；ポリエチレン
グリコール等の高分子アルコール類ニアセトニ）ＩＪル
等のニトリル類ニトリエチルアミン、イソプロピルアミ
ン、アニリン、モノエタノールア主ン、トリエタノール
ア文ン等のアミン類ニア七トン、メチルエチルケトン、
メチル−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類：インプロビルエーテル、エチルセロソルブ、プチ
ルセロンルフ、ブチルカルピトール、ジオキサン等のエ
ーテル類：酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチル
、エチルセロンルブアセテート、プチルセロンルブアセ
テート、ブチルカルピトールアセテート等のエステル類
：ポへＸ極へへＸ隻へへ袴等句高分与寞〜へへへ類へパ
インオイル、ターピネオール、バルサムオイル等の天然
物等が例示される。
、トルエン、キシレン等の炭化水素類：１．１．１−
）リクロロエタン、四塩化炭素、エピクロルヒドリン、
モノクロルベンゼン等の含塩素溶媒：メタノール、エタ
ノール、インプロピルアル：ｌ−ル、ｎ−フタ／−ル、
ｎ−ヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレング
リコール、グリセリン等のアルコール類；ポリエチレン
グリコール等の高分子アルコール類ニアセトニ）ＩＪル
等のニトリル類ニトリエチルアミン、イソプロピルアミ
ン、アニリン、モノエタノールア主ン、トリエタノール
ア文ン等のアミン類ニア七トン、メチルエチルケトン、
メチル−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類：インプロビルエーテル、エチルセロソルブ、プチ
ルセロンルフ、ブチルカルピトール、ジオキサン等のエ
ーテル類：酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチル
、エチルセロンルブアセテート、プチルセロンルブアセ
テート、ブチルカルピトールアセテート等のエステル類
：ポへＸ極へへＸ隻へへ袴等句高分与寞〜へへへ類へパ
インオイル、ターピネオール、バルサムオイル等の天然
物等が例示される。
これ等の溶剤の使用量は、特に限定されないが、前記有
機銀化合物及び／又は有機パラジウム化合物１重量部に
対し、１ｏ〜ｔｏｏｏ重量部とすることが好ましい。
機銀化合物及び／又は有機パラジウム化合物１重量部に
対し、１ｏ〜ｔｏｏｏ重量部とすることが好ましい。
（４） 本願第二発明の組成物には、更に高分子化合物
及び／又は無機粉末を加える。
及び／又は無機粉末を加える。
高分子化合物は、スクリーン印刷等によりセラミックス
基村上に、特定のパターンで触媒金属を付与する為には
必須の成分である。高分子化合物としては、メチルメタ
クリレート、ブチルメタクリレート等のアクリレート類
；エチルセルロース、ブチルセルロース、ニトロセルロ
ース、酢酸セルロース等のセルロース類：ポリブタジェ
ン、ポリスチロール、ポリエチレン、ポリプロピレン、
酢酸ビニル、樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリロニトリル
−スチレン共重合樹脂等の熱可塑性樹脂等が例示される
。
基村上に、特定のパターンで触媒金属を付与する為には
必須の成分である。高分子化合物としては、メチルメタ
クリレート、ブチルメタクリレート等のアクリレート類
；エチルセルロース、ブチルセルロース、ニトロセルロ
ース、酢酸セルロース等のセルロース類：ポリブタジェ
ン、ポリスチロール、ポリエチレン、ポリプロピレン、
酢酸ビニル、樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリロニトリル
−スチレン共重合樹脂等の熱可塑性樹脂等が例示される
。
組成物中に無機粉末を加える場合には、組成物を塗布し
たセラミックス基材を焼成することにより、基材上に無
機粉末が融着して基材表面に凹凸部分が無数に形成され
、次いで、この凹凸部分に形成された触媒金属を介して
無電解めっき層が形成されるので、物理的なアンカー効
果によってめっき金属の基材に対する密着力がより一層
改善される。無機粉末としては、例えば、８１０２．
ＰｂＯ。
たセラミックス基材を焼成することにより、基材上に無
機粉末が融着して基材表面に凹凸部分が無数に形成され
、次いで、この凹凸部分に形成された触媒金属を介して
無電解めっき層が形成されるので、物理的なアンカー効
果によってめっき金属の基材に対する密着力がより一層
改善される。無機粉末としては、例えば、８１０２．
ＰｂＯ。
Ｂ ２０ ＲＩ Ａ／ ２０３１ ＋ （、ａｏ ｌ
ＢａＯ＊ ＭｇＯ＊ Ｂ ”Ｏ＊ Ｔ ｉｏｉ ｔＺｒ
０２ 、 Ｓｎｕｇ 、 Ｎａｎｏ 、 Ｌ１２０等の
金属酸化物：ＰｂＦｇ 、 ５ｎＦｌ 、 ＣａＦｇ等
の金属弗化物：その他タルク、コープイライト、カオリ
ン、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸
カルシウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、窒
化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸鉛等が例示され
る。これ等は、単独又は２種以上の混合物として使用さ
れ、又例えばガラスエナメル組成物の形態で使用しても
良い。無機粉末の粒度は、１〜１０μｍ程度とすること
が好ましい。
ＢａＯ＊ ＭｇＯ＊ Ｂ ”Ｏ＊ Ｔ ｉｏｉ ｔＺｒ
０２ 、 Ｓｎｕｇ 、 Ｎａｎｏ 、 Ｌ１２０等の
金属酸化物：ＰｂＦｇ 、 ５ｎＦｌ 、 ＣａＦｇ等
の金属弗化物：その他タルク、コープイライト、カオリ
ン、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸
カルシウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、窒
化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸鉛等が例示され
る。これ等は、単独又は２種以上の混合物として使用さ
れ、又例えばガラスエナメル組成物の形態で使用しても
良い。無機粉末の粒度は、１〜１０μｍ程度とすること
が好ましい。
高分子化合物及び／又は無機粉末の使用量は、前記有機
銀化合物及び／又は有機パラジウム化合物１重量部に対
し、１〜６００重量部とすることが好ましい。
銀化合物及び／又は有機パラジウム化合物１重量部に対
し、１〜６００重量部とすることが好ましい。
本発明触媒組成物は、（＋）有機パラジウム化合物及び
／又は有機銀化合物、（ｍｌ銅等の有機化合物、及び（
１）有機溶媒（本願第一発明の場合）を、或いは更にＯ
ｖｌ高分子化合物及び／又は無機化合物を加えて（本願
第二発明の場合）、撹拌混合し、有機溶媒中に他の成分
を均一に溶解乃至分散させることにより容易に得られる
。
／又は有機銀化合物、（ｍｌ銅等の有機化合物、及び（
１）有機溶媒（本願第一発明の場合）を、或いは更にＯ
ｖｌ高分子化合物及び／又は無機化合物を加えて（本願
第二発明の場合）、撹拌混合し、有機溶媒中に他の成分
を均一に溶解乃至分散させることにより容易に得られる
。
セラミックスの無電解めっき処理に際しては、浸漬法、
刷毛塗り法、ディスペンサーによる滴下法、スクリーン
印刷法、スプレー法、転写法等の任意の方法により、セ
ラミックス基材に本発明触媒組成物を塗布する。次いで
、該セラミックス基材を１８０〜１６００℃程度の温度
で空気中で６〜６０分間程度乾燥若しくは焼成すること
により、有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合物
並びに銅等の有機化合物が分解し、パラジウム及び／又
は銀並びに銅等が微粒状の単体又は酸化物としてセラミ
ックス基材の表面に点在することとなる。この際、有機
溶剤及び高分子化合物（本願第二発明の場合）は蒸発又
は熱分解して大気中基こ飛散し、無機粉末（本願第二発
明の場合）は、セラミックス基材表面に残存する。尚、
無機粉末を使用する場合には、無機粉末の軟化点（一般
に５００℃以上）の上下的８０℃の範囲内で行ない、無
機粉末をセラミックス基材に十分に融着させることが好
ましい。次いで、加熱されたセラミックス基材が約５０
℃以下となった後、これを無電解めっき液に浸漬するこ
とにより、めっき金属を析出させる。セラミックス基材
の成分、加熱温度、触媒金属付着量、めっき条件等の種
々の要因により、無電解めっきの析出が不十分である場
合には、約５０℃以下となったセラミックス基材を塩酸
、硫酸、弗化水素酸等の鉱酸の希釈液に浸漬し、水洗し
た後、無電解めっき液に浸漬することにより、金属の析
出を改善し得る。無電解めっき液としては、公知の銅め
っき液及びニッケルめっき液が使用される。具体的には
、銅めっき液としては、ホルムアルデヒド、ジメチルア
ミンボラン、ホウ水素化す） ＩＪウム等の公知の還元
剤を使用する無電解銅めっき液があり、例えば、商標名
”ＴＭＰ化学銅す５００″、“０ＰＣ−７００”、”ｏ
ｐｃカッパー″、“カッパーＬＰ“、′カッパーＦ Ｌ
／／の下に市販されている液（いずれも奥野製薬工業■
製）等が好適である。又、ニッケルめっき液としては、
次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン等の公知
の還元剤を使用する無電解ニツケルめっき液があり、例
えば、商標名“トツープコロ７Ｎ−４１” 、”）”／
プ：ｆｆＯ／ＴＲ”、翳トッフ＝コｏｙＢＬ−ＴＯＸ″
、”ＴＭＰ化学二’ｚケル”、″ナイクラツド７４０“
、″ナイクラット７４１”の下に市販されている液（い
ずれも奥野製薬工業■製）等が例示される。
刷毛塗り法、ディスペンサーによる滴下法、スクリーン
印刷法、スプレー法、転写法等の任意の方法により、セ
ラミックス基材に本発明触媒組成物を塗布する。次いで
、該セラミックス基材を１８０〜１６００℃程度の温度
で空気中で６〜６０分間程度乾燥若しくは焼成すること
により、有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合物
並びに銅等の有機化合物が分解し、パラジウム及び／又
は銀並びに銅等が微粒状の単体又は酸化物としてセラミ
ックス基材の表面に点在することとなる。この際、有機
溶剤及び高分子化合物（本願第二発明の場合）は蒸発又
は熱分解して大気中基こ飛散し、無機粉末（本願第二発
明の場合）は、セラミックス基材表面に残存する。尚、
無機粉末を使用する場合には、無機粉末の軟化点（一般
に５００℃以上）の上下的８０℃の範囲内で行ない、無
機粉末をセラミックス基材に十分に融着させることが好
ましい。次いで、加熱されたセラミックス基材が約５０
℃以下となった後、これを無電解めっき液に浸漬するこ
とにより、めっき金属を析出させる。セラミックス基材
の成分、加熱温度、触媒金属付着量、めっき条件等の種
々の要因により、無電解めっきの析出が不十分である場
合には、約５０℃以下となったセラミックス基材を塩酸
、硫酸、弗化水素酸等の鉱酸の希釈液に浸漬し、水洗し
た後、無電解めっき液に浸漬することにより、金属の析
出を改善し得る。無電解めっき液としては、公知の銅め
っき液及びニッケルめっき液が使用される。具体的には
、銅めっき液としては、ホルムアルデヒド、ジメチルア
ミンボラン、ホウ水素化す） ＩＪウム等の公知の還元
剤を使用する無電解銅めっき液があり、例えば、商標名
”ＴＭＰ化学銅す５００″、“０ＰＣ−７００”、”ｏ
ｐｃカッパー″、“カッパーＬＰ“、′カッパーＦ Ｌ
／／の下に市販されている液（いずれも奥野製薬工業■
製）等が好適である。又、ニッケルめっき液としては、
次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン等の公知
の還元剤を使用する無電解ニツケルめっき液があり、例
えば、商標名“トツープコロ７Ｎ−４１” 、”）”／
プ：ｆｆＯ／ＴＲ”、翳トッフ＝コｏｙＢＬ−ＴＯＸ″
、”ＴＭＰ化学二’ｚケル”、″ナイクラツド７４０“
、″ナイクラット７４１”の下に市販されている液（い
ずれも奥野製薬工業■製）等が例示される。
尚、上記の如くして銅又はニッケルめっき皮膜を形成さ
れたセラミック基材を、必要ならば、更に電解めっき及
び／又は無電解めっき処理し、銅、ニッケル、錫、ハン
ダ、銀、金等のめつき皮膜を複層状に形成させてもよい
。
れたセラミック基材を、必要ならば、更に電解めっき及
び／又は無電解めっき処理し、銅、ニッケル、錫、ハン
ダ、銀、金等のめつき皮膜を複層状に形成させてもよい
。
本発明触媒組成物により処理した後、無電解めりきに供
されるセラミックス基材としては、特に制限はなく、酸
化物、窒化物、炭化物、硼化物の単独及び混合物の焼結
体が挙げられ、具体的には、アルミナ、ムライト、ジル
コニア、ベリリア、フォルステライト、ステアタイト、
フェライト等の酸化物系セラミックス：チタン酸バリウ
ム、チタ漕ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ジル
コン酸鉛等のチタン酸化合物系セラミックス二窒化硼素
、窒化硅素、窒化チタン等の窒化物系セラミックス！炭
化硅素等の炭化物系セラミックス：硼化チタン等の硼化
物系セラミ−ツクス等が例示される。
されるセラミックス基材としては、特に制限はなく、酸
化物、窒化物、炭化物、硼化物の単独及び混合物の焼結
体が挙げられ、具体的には、アルミナ、ムライト、ジル
コニア、ベリリア、フォルステライト、ステアタイト、
フェライト等の酸化物系セラミックス：チタン酸バリウ
ム、チタ漕ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ジル
コン酸鉛等のチタン酸化合物系セラミックス二窒化硼素
、窒化硅素、窒化チタン等の窒化物系セラミックス！炭
化硅素等の炭化物系セラミックス：硼化チタン等の硼化
物系セラミ−ツクス等が例示される。
本発明組成物を使用してセラミックス基材に触媒金属を
付与し、次いで所望のめつき皮膜を形成させる方法は、
コンデンサーの電極、圧電セラミックスの電極及びセラ
ミックスセンサーの電極の形成、セラミックス抵抗体及
びセラミックス発熱体の製造、セラミックス及びホーロ
ー基板上への導体回路形成などに極めて有用である。
付与し、次いで所望のめつき皮膜を形成させる方法は、
コンデンサーの電極、圧電セラミックスの電極及びセラ
ミックスセンサーの電極の形成、セラミックス抵抗体及
びセラミックス発熱体の製造、セラミックス及びホーロ
ー基板上への導体回路形成などに極めて有用である。
発明の効果
（１１本発明触媒組成物は、貯蔵安定性に極めて優れて
いる。即ち、該組成物は、８ケ月の保存後にも、その成
分の分離や、沈降は実質上認められず、又セラミックス
基材に付与した場合にも、めっき金属の析出性、密着性
等の低下は全く認められない。
いる。即ち、該組成物は、８ケ月の保存後にも、その成
分の分離や、沈降は実質上認められず、又セラミックス
基材に付与した場合にも、めっき金属の析出性、密着性
等の低下は全く認められない。
（２１本発明組成物においては、浸透性に優れた有機溶
剤中に他の成分が極めて良好に溶解乃至分散しているの
で、セラ文ツクス基材表面の平滑な部分μみならず微細
な凹凸や隙間−ζも有機溶剤とともに触媒金属化合物も
均一に浸透する。従って。
剤中に他の成分が極めて良好に溶解乃至分散しているの
で、セラ文ツクス基材表面の平滑な部分μみならず微細
な凹凸や隙間−ζも有機溶剤とともに触媒金属化合物も
均一に浸透する。従って。
無電解めっきに際し、この様な凹凸及び隙間にまでも金
属が均一に析出するので、アンカー効果によるセラミッ
クス−金属被膜間の密着力が強固となり、又−個の製品
の異なる部位におけるめっき金属の析出不均一や量産さ
れる複数個の製品間におけるめっき金属の析出のバラツ
キも大巾に解消される。
属が均一に析出するので、アンカー効果によるセラミッ
クス−金属被膜間の密着力が強固となり、又−個の製品
の異なる部位におけるめっき金属の析出不均一や量産さ
れる複数個の製品間におけるめっき金属の析出のバラツ
キも大巾に解消される。
（３）本発明触媒組成物は、貯蔵安定性が優れているに
もかかわらず、セラミックス基材に塗布後加熱する場合
には、１８０〜１６００℃という広範囲の温度域で容易
に分解して、金属パラジウム又は銀となり、優れた触媒
効果を発揮する。
もかかわらず、セラミックス基材に塗布後加熱する場合
には、１８０〜１６００℃という広範囲の温度域で容易
に分解して、金属パラジウム又は銀となり、優れた触媒
効果を発揮する。
（４）有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合物と
併用される銅等の有機金属化合物は、セラミックス基材
上で加熱されて銅等の金属又は金属酸化物の微粒子とな
る。この金属粒子又は無電解めっき液中の還元剤の作用
により金属酸化物から生成する金属粒子は、それ自体は
実質的に触媒活性を有していないが、パラジウム及び／
又は銀との共存下にこれ等触媒金属の触媒活性を大中に
向上させるという特異な効果を奏する。この様な特異な
効果が奏される理由は、未だ十分に解明されるにはいた
っていないが、以下の様なものであろうと推適されてい
る。即ち、有機パラジウム化合物又は有機銀化合物を加
熱すると１分解により金属微粒子と少量の金属酸化物微
粒子とが生成し、後者が前者の触媒作用を阻害する。こ
の触媒金属の酸化物は、酸又は無電解めっき液中に存在
する還元剤と接触しても、容易に金属とはなり難い。し
かるに、有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合物
と銅等の有機金属化合物とを併用する場合には、パラジ
ウム及び／又は銀の酸化物の生成が大巾に抑制され、パ
ラジウム及び／又は銀の金属微粒子の触−媒作用に対す
る阻害現象は大巾に低下する。
併用される銅等の有機金属化合物は、セラミックス基材
上で加熱されて銅等の金属又は金属酸化物の微粒子とな
る。この金属粒子又は無電解めっき液中の還元剤の作用
により金属酸化物から生成する金属粒子は、それ自体は
実質的に触媒活性を有していないが、パラジウム及び／
又は銀との共存下にこれ等触媒金属の触媒活性を大中に
向上させるという特異な効果を奏する。この様な特異な
効果が奏される理由は、未だ十分に解明されるにはいた
っていないが、以下の様なものであろうと推適されてい
る。即ち、有機パラジウム化合物又は有機銀化合物を加
熱すると１分解により金属微粒子と少量の金属酸化物微
粒子とが生成し、後者が前者の触媒作用を阻害する。こ
の触媒金属の酸化物は、酸又は無電解めっき液中に存在
する還元剤と接触しても、容易に金属とはなり難い。し
かるに、有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合物
と銅等の有機金属化合物とを併用する場合には、パラジ
ウム及び／又は銀の酸化物の生成が大巾に抑制され、パ
ラジウム及び／又は銀の金属微粒子の触−媒作用に対す
る阻害現象は大巾に低下する。
（５） パラジウム及び／又は銀の触媒活性が奢るしく
向上するので、高価な触媒金属化合物の使用量を最大５
０％程度まで減少させることができ条。従って、セラミ
ックス製品の製造コストが低下する。
向上するので、高価な触媒金属化合物の使用量を最大５
０％程度まで減少させることができ条。従って、セラミ
ックス製品の製造コストが低下する。
（６） チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛等の鉛含有
セラミックスやビスマス含有セラミックスの如き従来無
電解めっきの析出が困難であったセラミックスに対して
も、無電解めっきを極めて容易に析出させることが可能
である。
セラミックスやビスマス含有セラミックスの如き従来無
電解めっきの析出が困難であったセラミックスに対して
も、無電解めっきを極めて容易に析出させることが可能
である。
（７） 従来セラミックス製品をめっき処理する場合に
は、セラミックス原料配合物を混合・粉砕し、成形及び
仮焼成し、次いで本焼成した彼、触媒金属化合物を含む
組成物をコーティングし、２００〜８００℃程度で焼成
し、無電解めっきを行なっている。この際、触媒組成物
コーテイング後の焼成温度をｓｏｏ’ｃ程度までとして
いるのは、触媒金属の酸化を抑制し、もって酸化物形成
による無電解めっき時の触媒効果の低下を防止する為で
おる。
は、セラミックス原料配合物を混合・粉砕し、成形及び
仮焼成し、次いで本焼成した彼、触媒金属化合物を含む
組成物をコーティングし、２００〜８００℃程度で焼成
し、無電解めっきを行なっている。この際、触媒組成物
コーテイング後の焼成温度をｓｏｏ’ｃ程度までとして
いるのは、触媒金属の酸化を抑制し、もって酸化物形成
による無電解めっき時の触媒効果の低下を防止する為で
おる。
これに対し、有機パラジウム化合物及ヒ／又は有機銀化
合物と銅等の有機金属化合物とを併用する本発明触媒組
成物を使用する場合には、銅等の併用金属の存在が触媒
金属の酸化を良好に抑制するので、組成物コーテイング
後の焼成を１８００’Ｃ程度までの高温で行なっても差
支えない。従って、セラミックスを成形及び仮焼成した
後、直ちに触媒組成物をコーティングし、８ｏｏ〜１６
００℃程度で焼成し、無電解めっきを行なうことが可能
となるので、触媒組成物のコーティングに先立つ成形体
の本焼成工程を省略することが可能となる。
合物と銅等の有機金属化合物とを併用する本発明触媒組
成物を使用する場合には、銅等の併用金属の存在が触媒
金属の酸化を良好に抑制するので、組成物コーテイング
後の焼成を１８００’Ｃ程度までの高温で行なっても差
支えない。従って、セラミックスを成形及び仮焼成した
後、直ちに触媒組成物をコーティングし、８ｏｏ〜１６
００℃程度で焼成し、無電解めっきを行なうことが可能
となるので、触媒組成物のコーティングに先立つ成形体
の本焼成工程を省略することが可能となる。
（８）本発明触媒組成物で使用する銅、ニッケル。
鉄、アルミニウム、亜鉛及び錫の少なくとも１種の存在
も、めっき皮膜金属とセラミックス基材との密着力を大
きく向上させる。これは、銅等の金属がめつき皮膜金属
とセラミックス基材との間に介在して化学的結合（金属
結合）を形成させることにより、前述のアンカー効果に
よる密着力を補強する為と推考される。
も、めっき皮膜金属とセラミックス基材との密着力を大
きく向上させる。これは、銅等の金属がめつき皮膜金属
とセラミックス基材との間に介在して化学的結合（金属
結合）を形成させることにより、前述のアンカー効果に
よる密着力を補強する為と推考される。
（９） セラミックス材料上に特定パターンの無電解め
っき部を形成させる場合、セラミックス材料上のめっき
を形成すべき個所にのみ予め触媒組成物をスクリーン印
刷する。この際、触媒組成物の印刷精度がそのままパタ
ーンめっきの精度となることが多い。従って、触媒組成
物が微細なパターン部以外に拡がるのを防止する為に、
高粘度の有機ビヒクルやガラスエナメル等の配合量を増
加させて組成物のチキントロピー性を向上させることが
行なわれている。この場合、印刷精度はたしかに向上す
るものの、組成物の粘度上昇が著るしいので、印刷作業
性の低下は避は難い。しかるに、本発明組成物は、銅等
の有機金属化合物を併有するので、組成物の粘度上昇が
少ないにもかかわらず、チキントロピー性が著るしく向
上し、印刷精度と印刷作業性とを兼ね備えたものとなる
。
っき部を形成させる場合、セラミックス材料上のめっき
を形成すべき個所にのみ予め触媒組成物をスクリーン印
刷する。この際、触媒組成物の印刷精度がそのままパタ
ーンめっきの精度となることが多い。従って、触媒組成
物が微細なパターン部以外に拡がるのを防止する為に、
高粘度の有機ビヒクルやガラスエナメル等の配合量を増
加させて組成物のチキントロピー性を向上させることが
行なわれている。この場合、印刷精度はたしかに向上す
るものの、組成物の粘度上昇が著るしいので、印刷作業
性の低下は避は難い。しかるに、本発明組成物は、銅等
の有機金属化合物を併有するので、組成物の粘度上昇が
少ないにもかかわらず、チキントロピー性が著るしく向
上し、印刷精度と印刷作業性とを兼ね備えたものとなる
。
実 施 例
以下実施例を示し、本発明の特徴とするところを更に一
層明らかにする。尚、以下において、“部″及び１部％
“とあるのは夫々１１重量部″及び”重量％″を示すも
のとする。
層明らかにする。尚、以下において、“部″及び１部％
“とあるのは夫々１１重量部″及び”重量％″を示すも
のとする。
実施例１
アセトン４４，８部及び酢酸ブチル６ｏ部からなる混合
溶媒に（ＣＨｌｃｏＯ）１Ｐｄ［（Ｃａｎｔ）ｓ＋ＮＨ
］５Ｏ６２６部及び酢酸ニッケル６部を溶解乃至分散さ
せて本発明触媒組成物を得た。次いで、該組成物に９６
％アルミナセラミックス片（８Ｘ ８ Ｘ ０．５ｍｍ
３） １６６個を２０’Ｃで５分間浸漬した後、１５０
℃て１０分間加熱した。冷却後のアルミナ七う識ツクス
片を無電解ニッケルめっき液（Ａ）内で９０℃で１０分
間めっき処理した。
溶媒に（ＣＨｌｃｏＯ）１Ｐｄ［（Ｃａｎｔ）ｓ＋ＮＨ
］５Ｏ６２６部及び酢酸ニッケル６部を溶解乃至分散さ
せて本発明触媒組成物を得た。次いで、該組成物に９６
％アルミナセラミックス片（８Ｘ ８ Ｘ ０．５ｍｍ
３） １６６個を２０’Ｃで５分間浸漬した後、１５０
℃て１０分間加熱した。冷却後のアルミナ七う識ツクス
片を無電解ニッケルめっき液（Ａ）内で９０℃で１０分
間めっき処理した。
第１表に無電解ニッケルめっき液（Ａ）及び以下の各実
施例及び比較例で使用するめつき液の組成を示し、第２
表に各実施例及び比較例による触媒組成物の貯蔵安定性
並びに得られる無電解めっきの特性を示す。
施例及び比較例で使用するめつき液の組成を示し、第２
表に各実施例及び比較例による触媒組成物の貯蔵安定性
並びに得られる無電解めっきの特性を示す。
実施例２
トルエン９６．６部に（Ｃ意ｕ６ｃｏｏ）Ａｇ（ｃｓＨ
ｓＮ）０．４部及び（ＣＨｍＣＯＯ）ｉｃｕ（（ＣｍＨ
ｙ）ｓＮＨ）＋ ８部を分散乃至溶解させた本発明触媒
組成物に窒化ケイ素焼結体（２０ｍｍ×２０ ｍｍＸ１
０ ｍｍ）を２５℃で８分間浸漬した後、２００℃で１
６分間加熱した。焼結体を冷却した後、無電解銅めっき
液（Ｂ）中で５６℃で２０分間めっき処理した。
ｓＮ）０．４部及び（ＣＨｍＣＯＯ）ｉｃｕ（（ＣｍＨ
ｙ）ｓＮＨ）＋ ８部を分散乃至溶解させた本発明触媒
組成物に窒化ケイ素焼結体（２０ｍｍ×２０ ｍｍＸ１
０ ｍｍ）を２５℃で８分間浸漬した後、２００℃で１
６分間加熱した。焼結体を冷却した後、無電解銅めっき
液（Ｂ）中で５６℃で２０分間めっき処理した。
実施例８
エチルセルロース１６部及ヒフチルカルビ十−ルアセテ
ート７９．９部からなるビヒクルに（Ｃ４ＨｏＣＯＯ）
ｓＰｄ（（ＣｉＨｔ）ｓＮ）寓１部及びステアリン酸銀
４部を溶解乃至分散させて本発明触媒組成物を得た。８
００メツシユスクリーンを使用して９６％アルミナセラ
ミックス板（５０ｍｍＸ５０ｍｍＸ０．６５ｍｍ）の片
面に該組成物により中１５０μｍ１ 長さ４９ ｍｍの
線を８本スクリーン印刷し、１５０℃で１０分間乾燥し
た後、５００’Ｃで１゜分間焼成した。アルミナセラミ
ックス板を冷却した後、無電解ニッケルめっき液（Ａ）
中で７７℃で１０分間めっき処理した。
ート７９．９部からなるビヒクルに（Ｃ４ＨｏＣＯＯ）
ｓＰｄ（（ＣｉＨｔ）ｓＮ）寓１部及びステアリン酸銀
４部を溶解乃至分散させて本発明触媒組成物を得た。８
００メツシユスクリーンを使用して９６％アルミナセラ
ミックス板（５０ｍｍＸ５０ｍｍＸ０．６５ｍｍ）の片
面に該組成物により中１５０μｍ１ 長さ４９ ｍｍの
線を８本スクリーン印刷し、１５０℃で１０分間乾燥し
た後、５００’Ｃで１゜分間焼成した。アルミナセラミ
ックス板を冷却した後、無電解ニッケルめっき液（Ａ）
中で７７℃で１０分間めっき処理した。
実施例４
メチルメタクリレ−）１０部、エチルセロフル１８９部
及びアセト酢酸エチル４０部からなるビヒクルｌｃ （
ＣＨ８Ｃ００）２ＰｄＣ（Ｃ６Ｈ５）ＮＨ（Ｃ９Ｈ５）
：１２０．５部、（ｏｎｇｃｏｏ）ｚＡｇ［：（ＣｓＨ
ｓ）ｍＮａ） ０．５部、プロピオン酸銀５部及び酢酸
鉄５部を溶解乃至分散させた。得られた組成物を２００
メツシユスクリーンにより９８％アルミナセラミックス
板（５０ｍｍ Ｘ ５０ ｍｍｘＱ、９５ ｍｍ ）の
片面全面にスクリーン印刷し、１７０℃で１０分間乾燥
した後、４６０℃で１８分間焼成した。セラミック板を
冷却した後、無電解銅めっき液（Ｃ）に浸漬し、８７℃
で２０分間めっき処理した。
及びアセト酢酸エチル４０部からなるビヒクルｌｃ （
ＣＨ８Ｃ００）２ＰｄＣ（Ｃ６Ｈ５）ＮＨ（Ｃ９Ｈ５）
：１２０．５部、（ｏｎｇｃｏｏ）ｚＡｇ［：（ＣｓＨ
ｓ）ｍＮａ） ０．５部、プロピオン酸銀５部及び酢酸
鉄５部を溶解乃至分散させた。得られた組成物を２００
メツシユスクリーンにより９８％アルミナセラミックス
板（５０ｍｍ Ｘ ５０ ｍｍｘＱ、９５ ｍｍ ）の
片面全面にスクリーン印刷し、１７０℃で１０分間乾燥
した後、４６０℃で１８分間焼成した。セラミック板を
冷却した後、無電解銅めっき液（Ｃ）に浸漬し、８７℃
で２０分間めっき処理した。
実施例６
ポリエチレングリコール９５部に
（ＣｓＨｎＣＯＯ）２Ｐｄ［：（ＣｓＨｙ）’ｓＮＨ″
１２２部、ステアリン酸亜鉛１部及び（ＣｇＨｖＣＯＯ
）ｇＦｅ［（ＣｇＨｓ）ｓＮ］２部を溶解乃至分散′シ
て本発明触媒組成物を得た。
１２２部、ステアリン酸亜鉛１部及び（ＣｇＨｖＣＯＯ
）ｇＦｅ［（ＣｇＨｓ）ｓＮ］２部を溶解乃至分散′シ
て本発明触媒組成物を得た。
次いで、フェライト焼結板（１０ｍｍＸ１０ｍｍｘ５、
ｍｍ・）の中央部に設けられた凹部（縦４ｍｍＸ横４
ｍｍ ×深さ２ｍｍ）にディスペンサーにより上記組成
物２ｍｌを滴下した後、該焼結板を４００℃で８分間焼
成した。焼結板を冷却した後、無電解ニッケルめっき液
（Ｄ）中で８６℃で１４分間めっき処理した。
ｍｍ・）の中央部に設けられた凹部（縦４ｍｍＸ横４
ｍｍ ×深さ２ｍｍ）にディスペンサーにより上記組成
物２ｍｌを滴下した後、該焼結板を４００℃で８分間焼
成した。焼結板を冷却した後、無電解ニッケルめっき液
（Ｄ）中で８６℃で１４分間めっき処理した。
実施例６
パルサムオイル８９部に
（ｃｌｉｉＢｃｏｏ）ｚＰｄ（（Ｃ４Ｈｅ）ｇＮＨ：Ｉ
ｇ １０部及びアルミニウムイソプロピレート１部を溶
解乃至分散して得た組成物を転写方式によりチタン酸バ
リウム焼結円框（直径１５ｍｍＸ厚さＱ、ｌ ｍｍ）の
両面に直径ＩＱｍｍに印刷した後、５９０℃で１８分間
焼成した。冷却後、核焼結円板を無電解めっき液（Ａ）
に９０℃で６分間浸漬してめっきを行なった。
ｇ １０部及びアルミニウムイソプロピレート１部を溶
解乃至分散して得た組成物を転写方式によりチタン酸バ
リウム焼結円框（直径１５ｍｍＸ厚さＱ、ｌ ｍｍ）の
両面に直径ＩＱｍｍに印刷した後、５９０℃で１８分間
焼成した。冷却後、核焼結円板を無電解めっき液（Ａ）
に９０℃で６分間浸漬してめっきを行なった。
実施例７
ブチルセルロース１１部、メチルエチル’ｌ−１７２２
部及びパインオイル２６部からなる混合溶媒に（ｃｎｇ
ｃｏｏ）ｇＰｄ（（Ｃｚｕａ）ｓＮ）ｚ ５部、（Ｃｓ
ＨｕＣｏＯ）２Ｃｕ（（Ｃ４Ｈｏ）ｇＮ）ｇ １２部及
びガラスエナメル（ＳｓＯｇ ５０％、Ｂｇｏｌ １５
％、ｐｂ。
部及びパインオイル２６部からなる混合溶媒に（ｃｎｇ
ｃｏｏ）ｇＰｄ（（Ｃｚｕａ）ｓＮ）ｚ ５部、（Ｃｓ
ＨｕＣｏＯ）２Ｃｕ（（Ｃ４Ｈｏ）ｇＮ）ｇ １２部及
びガラスエナメル（ＳｓＯｇ ５０％、Ｂｇｏｌ １５
％、ｐｂ。
１６％、Ｎａ２Ｏ５％、Ｌｉ１０８％、ｚｒ０２４％、
ＡｌｔａＯｓ８％、ＣａＦ ４％及びＴｉｏ２１％）２
０部を溶解乃至分散させて触媒組成物とした。チタン酸
ジルコン酸鉛焼結板（２０ｍｍ Ｘ １ ｏｍｍｘｏ、
ｓｍｍ）の両面に２５０メツシユスクリーンにより該組
成物を１８ｍｍＸｇｍｍにスクリーン印刷し、１５０℃
で６分間乾燥した後、６２０℃で２０分間焼成した。冷
却後の焼結板を６容量％塩酸に２０℃で２０秒間浸漬し
、水洗した後、無電解ニッケルめっき液（Ｅ）に９０’
Ｃで６分間浸漬して、めっきを行なった。
ＡｌｔａＯｓ８％、ＣａＦ ４％及びＴｉｏ２１％）２
０部を溶解乃至分散させて触媒組成物とした。チタン酸
ジルコン酸鉛焼結板（２０ｍｍ Ｘ １ ｏｍｍｘｏ、
ｓｍｍ）の両面に２５０メツシユスクリーンにより該組
成物を１８ｍｍＸｇｍｍにスクリーン印刷し、１５０℃
で６分間乾燥した後、６２０℃で２０分間焼成した。冷
却後の焼結板を６容量％塩酸に２０℃で２０秒間浸漬し
、水洗した後、無電解ニッケルめっき液（Ｅ）に９０’
Ｃで６分間浸漬して、めっきを行なった。
実施例８
ＡＢＳ樹脂８部、アセトン１８部、インプロピルアルコ
ール２８部及びトルエン２０部からなるビヒクルに（ｃ
ｌｕｙｃｏｏ）ＡｇＣ（ｃｓ）ｉｔ）ｓＮＨ） ７部、
（ＣｇＨｓＣＯＯ）ｉＰｄｃ（ＣｓＨｓ）ｓＮＨ）ｍ
２部、ギ酸銅２部、カプロン酸ニッケル５部、ステアリ
ン酸アル文ニウム７部及びガラスエナメル（８１０！５
８％、ＰｂＦ１１４％、Ｂｆｉ０１１１１％、Ｎｌｌ０
４％、Ｌｉｇｏ ８％、Ｂｏｏ ２５’ｌｉ 、ＡＩ！
ｓ＋Ｏ１５％ ４８ｎ０１８％及び’ｒｔｏｌ ８％）
８部を溶解又は分散させた。
ール２８部及びトルエン２０部からなるビヒクルに（ｃ
ｌｕｙｃｏｏ）ＡｇＣ（ｃｓ）ｉｔ）ｓＮＨ） ７部、
（ＣｇＨｓＣＯＯ）ｉＰｄｃ（ＣｓＨｓ）ｓＮＨ）ｍ
２部、ギ酸銅２部、カプロン酸ニッケル５部、ステアリ
ン酸アル文ニウム７部及びガラスエナメル（８１０！５
８％、ＰｂＦ１１４％、Ｂｆｉ０１１１１％、Ｎｌｌ０
４％、Ｌｉｇｏ ８％、Ｂｏｏ ２５’ｌｉ 、ＡＩ！
ｓ＋Ｏ１５％ ４８ｎ０１８％及び’ｒｔｏｌ ８％）
８部を溶解又は分散させた。
得られた触媒組成物をソーダライムガラス板（５０ｍｍ
Ｘ ６０ ｍｍＸ５ ｍｍ）の全面にスプレーして厚
さ約１０μｍに塗布した後、ｔｏｏ’ｃで１０分間乾燥
し、次いで６６０℃で１２分間焼成した。該ガラス板を
冷却した後、無電解めっき液（Ｆ）に２６℃で６０分間
浸漬して銅めっきした後、水洗し、無電解めっき液（Ｇ
）中で６６℃で１部分間錫めっきした。
Ｘ ６０ ｍｍＸ５ ｍｍ）の全面にスプレーして厚
さ約１０μｍに塗布した後、ｔｏｏ’ｃで１０分間乾燥
し、次いで６６０℃で１２分間焼成した。該ガラス板を
冷却した後、無電解めっき液（Ｆ）に２６℃で６０分間
浸漬して銅めっきした後、水洗し、無電解めっき液（Ｇ
）中で６６℃で１部分間錫めっきした。
実施例９
ニトロセルロース６部、モノエタノールア電ン２７部及
びモノクロルベンゼン２９部からなるビヒクルに（ｃ７
ｕ１６ｃｏｏ）ｌｐｄ（（ＣａＨｓ）ｇＮＨ）ｘ ｌ
。
びモノクロルベンゼン２９部からなるビヒクルに（ｃ７
ｕ１６ｃｏｏ）ｌｐｄ（（ＣａＨｓ）ｇＮＨ）ｘ ｌ
。
部、（Ｃ６ＨＨＣＯＯ）Ａｇ（（ＣｓＨｓ）ｓ＋ＮＨ）
１０部、パルミチン酸亜鉛４部、 （ＣｙＨｔｓｃｏｏ）ｓｎ（：（ｃ６ｕ６）Ｎ■（ｃｓ
Ｈｌ））ｘ ｓ部及びステアリン酸銅７部を溶解乃至分
散させて本発 ・明触媒組成物を得た。９６％アルミナ
セラミックスの仮焼成板（１００ｍｍ×ｌ ＯＯｍｍＸ
１ ｍｍ）の片面に２７０メツシユスクリーンにより上
記触媒組成物を中ｇｍｍの直角に屈曲する線状パターン
（全長１７０ｍｍ）にスクリーン印刷し、１６０℃で２
０分間乾燥した後、１６００℃で５０分間焼成した。焼
成体を冷却後、２０容量％塩酸薯こ８０℃で６０秒間浸
漬し、水洗し、次いで無電解ニッケルめっき液（Ｈ）に
６５℃で２０分間浸漬した。該焼成体を水洗し、次いで
６容量％硫酸液に２０℃で８０秒間浸漬した後、電気銅
めっき液（夏）に浸漬し、２０℃−１１，５Ａ／ｄｍ！
テ８０ 分間電気めっきした。
１０部、パルミチン酸亜鉛４部、 （ＣｙＨｔｓｃｏｏ）ｓｎ（：（ｃ６ｕ６）Ｎ■（ｃｓ
Ｈｌ））ｘ ｓ部及びステアリン酸銅７部を溶解乃至分
散させて本発 ・明触媒組成物を得た。９６％アルミナ
セラミックスの仮焼成板（１００ｍｍ×ｌ ＯＯｍｍＸ
１ ｍｍ）の片面に２７０メツシユスクリーンにより上
記触媒組成物を中ｇｍｍの直角に屈曲する線状パターン
（全長１７０ｍｍ）にスクリーン印刷し、１６０℃で２
０分間乾燥した後、１６００℃で５０分間焼成した。焼
成体を冷却後、２０容量％塩酸薯こ８０℃で６０秒間浸
漬し、水洗し、次いで無電解ニッケルめっき液（Ｈ）に
６５℃で２０分間浸漬した。該焼成体を水洗し、次いで
６容量％硫酸液に２０℃で８０秒間浸漬した後、電気銅
めっき液（夏）に浸漬し、２０℃−１１，５Ａ／ｄｍ！
テ８０ 分間電気めっきした。
比較例１−Ａ
塩化パラジウム０．２部、アセトン６０部及び酢酸ブチ
ル６０部からなる触媒組、成物を使用する以外は、実施
例１と同様の処理を行なった。
ル６０部からなる触媒組、成物を使用する以外は、実施
例１と同様の処理を行なった。
比較例１−Ｂ
（ＣＨａＣＯＯ）ｇＰｄ（（ＣｉＨａ）ｍＮＨ）ｚ Ｏ
，２５部、アセトン６０部及び酢酸ブチル６０部からな
る触媒組成物を使用する以外は、実施例１と同様の処理
を行なった。
，２５部、アセトン６０部及び酢酸ブチル６０部からな
る触媒組成物を使用する以外は、実施例１と同様の処理
を行なった。
比較例２−Ａ
トルエン１００部及び酢酸銀０．４部からなる触媒組成
物を使用する以外は、実施例２と同様の処理を行なった
。
物を使用する以外は、実施例２と同様の処理を行なった
。
比較例２−Ｂ
トルエン１００部及び（ＣｚＨｓＣＯＯ）Ａｇ（ＣｓＨ
６Ｎ）０．４部からなる触媒組成物を使用する以外は、
実施例２と同様の処理を行なった。
６Ｎ）０．４部からなる触媒組成物を使用する以外は、
実施例２と同様の処理を行なった。
比較例８−Ａ
エチルセルロース１５部及びブチルカルピトールアセテ
ート８５部からなるビヒクルにパラジウム粉末０．５部
を分散させた触媒組成物を使用する以外は、実施例８と
同様の処理を行なった。
ート８５部からなるビヒクルにパラジウム粉末０．５部
を分散させた触媒組成物を使用する以外は、実施例８と
同様の処理を行なった。
比較例８−Ｂ
（Ｃ４ＨｓＣＯＯ）ｓＰｄ（（Ｃｓ＋Ｈａ）ｓＮ）ｓ＋
１部、エチルセルロース１５部及びブチルカルピトー
ルアセテート８０部からなる触媒組成物を使用する以外
は、実施例８と同様の処理を行なった。
１部、エチルセルロース１５部及びブチルカルピトー
ルアセテート８０部からなる触媒組成物を使用する以外
は、実施例８と同様の処理を行なった。
比較例４−Ａ
塩化パラジウム０．６部、塩化銀０．６部、メチルメタ
クリレ−）１０部、エチルセロソルブ４０部及びアセト
酢酸エチル４０部からなる触媒組成物を使用する以外は
、実施例４と同様の処理を行なった。
クリレ−）１０部、エチルセロソルブ４０部及びアセト
酢酸エチル４０部からなる触媒組成物を使用する以外は
、実施例４と同様の処理を行なった。
比較例４−Ｂ
（ＣＨ８ＣＯＯ）震Ｐｄ（（ＣａＨａ）ＮＨ（ＣｉＨｓ
））ｓ Ｏ，５部、（ＣＨ３ＣＯＯ）Ａｇ（（Ｃ６Ｈｓ
）１Ｎｕ） ０．５部、メチルメタクリレート１０部、
エチルセロソルブ４０部及びアセト酢酸エチル４０部か
らなる触媒組成物を使用する以外は、実施例４と同様の
処理を行なった。
））ｓ Ｏ，５部、（ＣＨ３ＣＯＯ）Ａｇ（（Ｃ６Ｈｓ
）１Ｎｕ） ０．５部、メチルメタクリレート１０部、
エチルセロソルブ４０部及びアセト酢酸エチル４０部か
らなる触媒組成物を使用する以外は、実施例４と同様の
処理を行なった。
比較例５−Ａ
酢酸パラジウム２部、ステアリン酸亜鉛１部、（（４Ｈ
７ＣＯＯ）ｔＦｅｃ（ＣｍＨ６）ＩＮ）ｇ ２部及びポ
リエチレングリコール９５部からなる触媒組成物を使用
する以外は、実施例６と同様の処理を行なった。
７ＣＯＯ）ｔＦｅｃ（ＣｍＨ６）ＩＮ）ｇ ２部及びポ
リエチレングリコール９５部からなる触媒組成物を使用
する以外は、実施例６と同様の処理を行なった。
比較例５−Ｂ
（Ｃ６Ｈ１１ＣＯＯ）！ＩＰｄ（（Ｃ８Ｈ７）ＮＨ）ｊ
ｌ ２部及びポリエチレングリコール９６部からなる触
媒組成物を使用する以外は、実施例６と同様の処理を行
なった。
ｌ ２部及びポリエチレングリコール９６部からなる触
媒組成物を使用する以外は、実施例６と同様の処理を行
なった。
比較例６−Ａ
パラジウム粉末７部をバルサムオイル９８部に分散した
触媒組成物を使用する以外は、実施例６と同様の処理を
行なった。
触媒組成物を使用する以外は、実施例６と同様の処理を
行なった。
比較例６−Ｂ
バルサムオイル９０部と
（ＣｉＨｓＣＯＯ）ｓＰｄ（（Ｃ４ｎｏ）ｇＮｎ）２
１０部とからなる触媒組成物を使用する以外は、実施例
６と同様の処理を行なった。
１０部とからなる触媒組成物を使用する以外は、実施例
６と同様の処理を行なった。
比較例７−Ａ
（ＣＨｓＣＯＯ）ｓ＋Ｐｄ（（ＣｇＨｉ）ｓＮ）ｇ ５
部、ガラスエナメル２０部、ブチルセルロー３１１部、
メチルエチルケトン２２部及びパインオイル２６部から
なる触媒組成物を使用する以外は、実施例７と同様にル
で処理を行なった。
部、ガラスエナメル２０部、ブチルセルロー３１１部、
メチルエチルケトン２２部及びパインオイル２６部から
なる触媒組成物を使用する以外は、実施例７と同様にル
で処理を行なった。
比較例７−Ｂ
実施例７の触媒組成物中の
（ｃａｓｃｏｏ）２Ｐｄｌ：（ＣｓＨｇ）ｓＮ）ｇ ５
部 に代えて塩化パラジウム６部を使用する触媒組成物
を用いて一実施例７と同様の処理を行なった。
部 に代えて塩化パラジウム６部を使用する触媒組成物
を用いて一実施例７と同様の処理を行なった。
比較例８−Ａ
硝酸銀７部、酢酸パラジウム２部、ガラスエナメル８部
、ＡＢＳ樹脂８部、アセト７２０部、インプロピルアル
コール２６部及ヒドルエン８０部からなる触媒組成物を
使用する以外は、実施例８と同様の処理を行なった。
、ＡＢＳ樹脂８部、アセト７２０部、インプロピルアル
コール２６部及ヒドルエン８０部からなる触媒組成物を
使用する以外は、実施例８と同様の処理を行なった。
比較例８−Ｂ
実施例８の触媒組成物からギ酸銅、カプロン酸ニッケル
５部及びステアリン酸アルミニウム７部を除いた触媒組
成物を使用して、実施例８と同様の処理を行なった。
５部及びステアリン酸アルミニウム７部を除いた触媒組
成物を使用して、実施例８と同様の処理を行なった。
実施例９の触媒組成物からパルミチン酸亜鉛４部、（Ｃ
７Ｈ１６ＣＯＯ）ｇｓｎ（Ｃ６Ｈ６ＮＨＣ１Ｈ７）ｓ
８部及びステアリン酸銅７部を除いた融媒組成物を使用
して、実施例９と同様の処理を行なった。
７Ｈ１６ＣＯＯ）ｇｓｎ（Ｃ６Ｈ６ＮＨＣ１Ｈ７）ｓ
８部及びステアリン酸銅７部を除いた融媒組成物を使用
して、実施例９と同様の処理を行なった。
比較例９−Ｂ
（Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯ）冨Ｐｄ［（ＣａＢ６）ｉＮＨ］ｔ
１０部、（ｃ６ｕ１ｇｃｏｏ）Ａｇ［：（ＣａＨａ）
ｇＮｕ〕ｉ ｏ部、パルミチン酸亜鉛８部、（Ｃ７Ｈ１
５ＣＯＯ） ２Ｓｎ（Ｃ’ｉｌＨ５ＮＨＣｇｌ（７）１
１５部、ステアリン酸銅２０部、ニトロセルロース６部
、モノエタノールア１フ２０部及びモノクロルベンゼン
１７部からなる触媒組成物を使用する以外は、実施例９
と同様の処理を行なった。゛第 １ 表 第 １ 表 （続き） 第 １ 表 （続き） ２ （２）めっきされた材料に錫引き鉛線をノ１ンダ付けし
た後、直角方向に引張った時の値を示す。
１０部、（ｃ６ｕ１ｇｃｏｏ）Ａｇ［：（ＣａＨａ）
ｇＮｕ〕ｉ ｏ部、パルミチン酸亜鉛８部、（Ｃ７Ｈ１
５ＣＯＯ） ２Ｓｎ（Ｃ’ｉｌＨ５ＮＨＣｇｌ（７）１
１５部、ステアリン酸銅２０部、ニトロセルロース６部
、モノエタノールア１フ２０部及びモノクロルベンゼン
１７部からなる触媒組成物を使用する以外は、実施例９
と同様の処理を行なった。゛第 １ 表 第 １ 表 （続き） 第 １ 表 （続き） ２ （２）めっきされた材料に錫引き鉛線をノ１ンダ付けし
た後、直角方向に引張った時の値を示す。
ｎ＝５
（３） 組成物を調製後、密閉容器に入れ、２０〜２６
℃で保存した。
℃で保存した。
（以上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■（＋１（＄１ 一般式 ％式％） ） ） ） 〔但し、ｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕で示され
る有機パラジウム化合物、並°びに（ｂ） 一般式 ％式％） ） ）］ ） ） 〔但しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕で示される
有機銀化合物 からなる群から選ばれた少なくとも１種１重量部、 （１１）一般式 ％式％ ） ）） ） ） ） 〔但し、ｎは０又は１〜１８の整数、ｎ′は１〜１８の
整数、！１′は、２〜４の整数を夫々示す。又、Ｍは、
銅、ニッケル、鋏、アルｔ、ｚウム、亜鉛及び錫を示す
。〕 で示される有機金属化合物からなる群から選ばれた少な
くとも１種０．１〜２００重量部、及び （−）有機溶媒１０〜１０００重量部を含むことを特徴
とするセラミックスの無電解めっき用触媒組成物。 ■１１）＋１） 一般式 ％式％） ： ） ） 〔但し、ｎ及びｎ′は１〜７の整数を意味する〕 で示される有機パラジウム化合物、並びに（ｂ） 一般
式 ％式％） ） ）） ） ） 〔但しｎ及びｎ′は、１〜７の整数を示す〕で示される
有機銀化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種１
重量部、 （１） 一般式 ％式％ ） ） ： ） ） ） 〔但しｎは、０又は１〜１８の整数、ｎ′は、１〜１８
の整数、ｌは、２〜４の整数を夫々示す、。又１Ｍは、
銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、亜鉛及び錫を示す。 〕 で示される有機金属化合物からなる群から゛迦゛ばれた
少なくとも１種ｏ、１〜２ｏｏ重量部、 （−）有機溶媒１０〜１０００重量部、及び（ｌｖ）
高分子化合物及び無機粉末の少なくとも１種１〜６００
重量部 を含むことを特徴とするセラミックスの無電解めっき用
触媒組成物。
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|---|---|---|---|
| JP59051353A JPS60195077A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | セラミツクスの無電解めつき用触媒組成物 |
| PCT/JP1985/000128 WO1987002029A1 (en) | 1984-03-16 | 1985-03-14 | Catalyst composition for electroless plating of ceramics |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051353A JPS60195077A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | セラミツクスの無電解めつき用触媒組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195077A true JPS60195077A (ja) | 1985-10-03 |
| JPH0130794B2 JPH0130794B2 (ja) | 1989-06-21 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP59051353A Granted JPS60195077A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | セラミツクスの無電解めつき用触媒組成物 |
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- 1985-03-14 US US06/803,290 patent/US4622069A/en not_active Expired - Fee Related
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