JP4161107B2 - めっき方法及び電子デバイス - Google Patents
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Description
(a)基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
(b)少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
(c)前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
(d)前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含む。本発明によれば、基板の粗化領域の上方に金属層を形成するので、基板と金属層の密着性の向上を図り、信頼性の向上を図ることができる。また、基板における金属層以外の領域の表面を荒らさないので、基板の強度を損なうことがなく、さらにはその領域の使用用途を広げることができる。また、例えばフォトレジストの使用を省略することができるので、簡単なプロセスで金属層を形成することができる。なお、本発明において、特定のAの上方にBが設けられているとは、A上に直接Bが設けられている場合と、A上に他の部材を介してBが設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
(2)このめっき方法において、
前記(a)工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含んでもよい。
(3)このめっき方法において、
前記基板は、第1の極性を示し、
前記界面活性剤層及び前記他の界面活性剤層は、第2の極性を示してもよい。
(4)このめっき方法において、
前記(b)工程前に、前記他の界面活性剤層を除去することをさらに含み、
前記(b)工程で、前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングして形成してもよい。
(5)このめっき方法において、
前記(b)工程で、光照射により前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングするとともに、該光照射により前記他の界面活性剤層を除去してもよい。
(6)このめっき方法において、
前記基板及び前記他の界面活性剤層は、第1の極性を示し、
前記界面活性剤層は、第2の極性を示してもよい。
(7)このめっき方法において、
前記他の界面活性剤層が有する前記第1の極性の絶対値は、前記基板よりも大きくてもよい。
(8)このめっき方法において、
前記(b)工程で、前記界面活性剤層を、前記粗化領域の上方、及び前記他の界面活性剤層の上方に形成してもよい。
(9)本発明に係る電子デバイスは、
配線パターンを含む、電子デバイスであって、
前記配線パターンは、上記めっき方法を用いて形成される。
図1〜図8は、本発明の第1の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっき方法により基板上に金属層(配線パターン)を形成する。
図9〜図14は、本発明の第2の実施の形態に係るめっき方法を示す図である。本実施の形態では、第1及び第2の界面活性剤層として、異なる極性を示す性質のものを使用する。
|V2|>|V1|
の関係を有することができる。すなわち、第1の界面活性剤層40は、基板10よりも第1の極性の絶対値が大きい(例えば2倍又は3倍以上大きい)性質を有する。第1の界面活性剤層40としては、例えば、アニオン系界面活性剤(アニオン界面活性剤及びそれと同等の性質を有するもの)を用いることができる。その場合、第1の界面活性剤層40は、基板10よりもより強い負電位面を示す性質を有するということができる。界面活性剤溶液としては、例えば、アルキルサルフェート成分を含む水溶性界面活性剤(ドデシル硫酸ナトリウム)の溶液や、セッケン成分を含むN−ラウロイルサルコシンなどを用いることができる。
−V1+V3(mV)(例えば−50+100=50mV)
となり、
基板10の粗化領域24以外の領域上では、
−V2+V3(mV)(例えば−150+100=−50mV)
となる。すなわち、第2の界面活性剤層44の下地の電位差により、表面が同じ第2の界面活性剤層44であっても、少なくとも電位面から推察するに、後述の触媒の吸着量に差が生じることがわかる。特に、上述したように、|V2|>|V1|の関係を有する場合、すなわち、第1の界面活性剤層42が基板10よりもより強い負電位面を示す場合には、電位差によるコントラストがより明確となる。
|V1|<|V3|<|V2|
の関係を有していてもよい。
図15は、本実施の形態に係るめっき方法により製造された電子デバイスの一例を示す図である。上述しためっき方法により、基板10上の粗化領域24上に配線パターン(金属層)を形成することができる。配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。その場合、基板10は配線基板である。すなわち、上述しためっき方法により配線基板を製造することができる。図15に示す例では、基板10には、集積回路チップ90が電気的に接続され、基板10の一方の端部は、他の基板92(例えば表示パネル)に電気的に接続されている。電子デバイス1000は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、EL(Electroluminescence)ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
26,28…第2の界面活性剤層(界面活性剤層) 34…触媒層 36…金属層
40,42…第1の界面活性剤層(他の界面活性剤層) 44…第2の界面活性剤層
46…触媒層 48…金属層
Claims (6)
- (a)基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
(b)少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
(c)前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
(d)前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含み、
前記(a)工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含み、
前記基板は、第1の極性を示し、
前記界面活性剤層及び前記他の界面活性剤層は、第2の極性を示し、
前記界面活性剤層が有する前記第2の極性の絶対値は、前記基板が有する前記第1の極性の絶対値よりも大きい、めっき方法。 - 請求項1記載のめっき方法において、
前記(b)工程前に、前記他の界面活性剤層を除去することをさらに含み、
前記(b)工程で、前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングして形成する、めっき方法。 - 請求項2記載のめっき方法において、
前記(b)工程で、光照射により前記界面活性剤層を前記粗化領域の上方のみに残存するようにパターニングするとともに、該光照射により前記他の界面活性剤層を除去する、めっき方法。 - (a)基板の所定領域に粗化領域を形成すること、
(b)少なくとも前記粗化領域の上方に界面活性剤層を形成すること、
(c)前記粗化領域の上方であって、前記界面活性剤層の上方に触媒層を形成すること、
(d)前記触媒層の上方に金属層を析出させること、
を含み、
前記(a)工程は、前記基板の前記所定領域以外に他の界面活性剤層を形成し、該基板をウエットエッチングすることにより前記粗化領域を形成することを含み、
前記基板及び前記他の界面活性剤層は、第1の極性を示し、
前記界面活性剤層は、第2の極性を示し、
前記他の界面活性剤層が有する前記第1の極性の絶対値は、前記界面活性剤層が有する前記第2の極性の絶対値よりも大きく、
前記界面活性剤層が有する前記第2の極性の絶対値は、前記基板が有する前記第1の極性の絶対値よりも大きい、めっき方法。 - 請求項4記載のめっき方法において、
前記(b)工程で、前記界面活性剤層を、前記粗化領域の上方、及び前記他の界面活性剤層の上方に形成する、めっき方法。 - 配線パターンを含む、電子デバイスであって、
前記配線パターンは、請求項1から請求項5のいずれかに記載のめっき方法を用いて形成される、電子デバイス。
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