JP2007049080A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 必要な部分のみに金属層を析出させるとともに、簡単な製造プロセスで配線を形成することにある。
【解決手段】 本発明にかかる配線基板１００の製造方法は、（ａ）第１の界面活性剤を含む第１の界面活性剤層１６を基板に設ける工程と、（ｂ）第２の界面活性剤および触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって触媒層３２を設ける工程と、（ｃ）前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層６０を設ける工程と、を含む。
【選択図】 図８

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。

フレキシブル基板に配線を形成する方法として、サブトラクティブ法やアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法では、フレキシブル基板の全面に金属層を形成し、金属層上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストをバリヤとして金属層をエッチングする。アディティブ法では、フレキシブル基板上にフォトレジストをパターニングして形成し、フォトレジストからの開口部にめっき処理によって金属層を析出させる。

これらの方法によれば、フォトレジストを最終的に除去する点、さらにサブトラクティブ法では金属層の一部を除去する点において、資源及び材料の消費が課題となっていた。また、フォトレジストの形成及び除去工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。さらに、配線の寸法精度がフォトレジストの解像度に依存するため、より高精度の配線を形成するには限界があった。
特開平１０−６５３１５号公報

本発明の目的は、必要な部分のみに金属層を析出させるとともに、簡単な製造プロセスで配線を形成することにある。

本発明にかかる配線基板の製造方法は、
（ａ）第１の界面活性剤を含む界面活性剤層を基板に設ける工程と、
（ｂ）第２の界面活性剤および触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって触媒層を設ける工程と、
（ｃ）前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層を設ける工程と、
を含む。

本発明にかかる配線基板の製造方法によれば、第１の界面活性剤および第２の界面活性剤を用いることにより、基板の液中表面電位を制御し、所望の領域にのみ触媒層を形成することができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記第１の界面活性剤のイオン価の符号は、前記第２の界面活性剤のイオン価の符号と異なることができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に、
（ｄ）所定の領域の前記界面活性剤層を除去する工程を、さらに含むことができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｄ）は、
前記界面活性剤層の所定の領域に真空紫外放射を照射することによって、前記界面活性剤層を分解する工程を含むことができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
前記界面活性剤層の上方に前記触媒層を設けることができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｄ）では、
前記基板の上面の所定の領域の前記界面活性剤層を除去し、
前記工程（ｂ）では、
前記基板の上面の前記所定の領域以外の領域に前記触媒層を設けることができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）では、
前記基板に設けられた前記界面活性剤層のうち、所定の面積より小さい面積の界面活性剤層の上方に前記触媒層を設けることができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ａ）の前に、
前記基板の上面の所定の領域にレジスト層を設ける工程をさらに含み、
前記工程（ｂ）では、
前記所定の領域以外の領域に前記触媒層を設けることができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）の後に、
前記レジスト層を除去する工程をさらに含むことができる。

本発明にかかる配線基板の製造方法において、
前記第１の界面活性剤は、カチオン系界面活性剤であり、
前記第２の界面活性剤は、アニオン系界面活性剤であり、
前記触媒は、パラジウムを含むことができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

１．第１の実施の形態
１．１．配線基板の製造方法
図１〜図９は、第１の実施の形態にかかる配線基板１００（図９参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して配線基板を製造する。

（１）まず、基板１０を用意する。基板１０は、図１に示すように絶縁基板であってもよい。基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。あるいは、基板１０は、光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。

次に、基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、図１に示すようにウエット洗浄でもよい。ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水１２（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。

（２）次に、図２に示すように、基板１０を界面活性剤溶液１４に浸漬する。界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤としては、カチオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤を含む。基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板１０に吸着しやすいからである。一方、基板１０の表面の液中表面電位が正電位の場合には、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤として、アニオン系界面活性剤を適用することが好ましい。

界面活性剤溶液１４としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）の溶液や、アルキルアンモニウム系の溶液（例えば、セチルトリメチルアンンモニウムクロリド等）などを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。

次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図３に示すように、第１の界面活性剤層１６を基板１０に設けることができる。このとき、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。

（３）次に、第１の界面活性剤層１６をパターニングすることにより、所定の領域の第１の界面活性剤層１６を除去する。本実施の形態では、図４に示すように、所定の領域の第１の界面活性剤層１６を光分解することにより、パターニングする。

所定の領域に照射する光２０としては、例えば真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いることができる。光２０の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。これにより、第１の界面活性剤層１６を光分解させることができる。また、この波長帯域の光２０を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。

光２０の照射は、具体的には、例えば、光源１８として真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、５分〜３０分間行うことができる。光源１８は、例えばＸｅガスが封入されたエキシマランプであってもよい。なお、光２０の波長は、第１の界面活性剤層１６を光分解することができるものであれば、特に限定されない。

光２０は、マスク２２（例えばフォトマスク）を介して基板１０に照射される。詳しくは、光源１８と基板１０の間にマスク２２を配置し、光２０をマスク２２の遮光部２４（例えばクロムなどの金属パターン部）以外の領域に透過させる。本実施の形態では、第１の界面活性剤層１６のパターン領域以外に金属層を形成するため、遮光部は、上述した所定の領域以外の領域に形成される。言い換えれば、遮光部は、金属層のパターン形状と反転形状であって、かつ面対称な形状をなしている。マスク２２は、基板１０に接して配置されていてもよい。また、窒素雰囲気中で光照射処理を行えば、光２０が減衰しにくいので好ましい。こうして、図５に示すように、所定のパターン形状を有する第１の界面活性剤層２８を形成することができる。なお、基板１０の側面および裏面は、上述した光２０が照射されず、パターニングされない。よって、図５に示すように、基板１０の側面および裏面には、第１の界面活性剤層２６が形成されている。

（４）次に、図６に示すように、触媒溶液３０に基板１０を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分および界面活性剤を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。触媒溶液３０に含まれる界面活性剤としては、そのイオン価が、上述した界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤のイオン価と異なる符号を有することが好ましい。具体的には、第１の界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤がカチオン系界面活性剤である場合には、触媒溶液３０に含まれる界面活性剤はアニオン系界面活性剤であることが好ましい。一方、第１の界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤がアニオン系界面活性剤である場合には、触媒溶液３０に含まれる界面活性剤はカチオン系界面活性剤であることが好ましい。アニオン系界面活性剤としては、たとえばドデシル硫酸ナトリウム等のアルキルサルフェート系界面活性剤を用いることができる。

たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。

（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。

（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。

（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。

（４ｄ）ドデシル硫酸ナトリウムを塩化パラジウム溶液に添加し、ドデシル硫酸ナトリウムの濃度を０．１〜４．０ｇ／ｌとする。

このように作製された触媒溶液３０に基板１０を浸漬すると、図７に示すように、第２の界面活性剤層３４および触媒層３２が形成される。

第２の界面活性剤層３４および触媒層３２が形成されるメカニズムについて、以下のように想定することができる。ここでは、第１の界面活性剤層２８がカチオン系界面活性剤を含み、第２の界面活性剤層３４がアニオン系界面活性剤を含む場合について説明する。

まず、第２の界面活性剤層３４は、図７に示すように、基板１０の側面および裏面の第１の界面活性剤層２６上に優先的に形成される。第１の界面活性剤層２６の面積は、パターニングによって形成された第１の界面活性剤層２８の面積より大きいため、より広い領域にわたって正電位を保持している。したがって、第１の界面活性剤層２６は、イオン価の符号が異なる界面活性剤、即ち触媒溶液３０に含まれているアニオン系界面活性剤を引き寄せやすい。よって、第１の界面活性剤層２６の上に優先的にアニオン系界面活性剤が吸着し、第２の界面活性剤層３４が形成される。

次に、触媒層３２は、図７に示すように、第１の界面活性剤層２８上に形成される。基板１０における第２の界面活性剤層３４が形成されている領域は、第１の界面活性剤層２８が形成されている領域に比べて、より多くの負電荷を有する。一方、触媒溶液３０に含まれる触媒のパラジウムは、液中において負の電荷をもつイオンに取り囲まれているため、負に帯電している。したがって、パラジウムは、液中表面電位が正電位の第１の界面活性剤層２８に引き寄せられやすいため、触媒層３２は、第１の界面活性剤層２８上に形成される。

以上のようにメカニズムを想定したが、基板１０を触媒溶液３０に浸漬する工程であっても、第１の界面活性剤層２８上には触媒層３２を形成し、基板１０の側面および裏面の第１の界面活性剤層２６上には触媒層３２を形成しないようにすることができる。これにより、基板１０の側面および裏面に触媒層が形成されないようにするための保護層を予め形成する必要がなく、プロセスを簡略化することができる。

（５）次に、図８に示すように、触媒層３２上に金属層３６を析出させる。具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層３２上に金属層３６を析出させることができる。金属層３６としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度８０℃）に１分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度７５℃）に０．５分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層３６の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。こうして、基板１０上に金属層３６を形成することができる。

金属層３６を析出させた後、超純水によるリンス洗浄を行い、自然乾燥および圧縮空気を吹きかけることによって水滴を除去する。

以上の工程により、配線基板１００を形成することができる。本実施の形態では、上述したように触媒層３２は第１の界面活性剤層２８上のみに形成されているため、金属層３６を第１の界面活性剤層２８上にのみに形成することができる。これにより、基板１０の側面および裏面に金属層３６が形成されないようにするための保護層を形成する必要がなく、プロセスを簡略化することができる。

１．２．配線基板および電子デバイス
図９は、第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法によって製造される配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す。電子デバイス１０００は、配線基板１００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。

配線基板１００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。配線基板１００は、上述した製造方法によって製造される。図９に示す例では、配線基板１００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、配線基板１００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。

２．第２の実施の形態
図１０〜図１７は、第２の実施の形態にかかる配線基板２００（図１７参照）の製造方法を示す図である。

（１）まず、上述した基板１０を用意し、レジスト層５２を形成する。レジスト（図示せず）を基板１０の上面に塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、レジスト層５２を形成することができる。

（２）次に、基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、図１１に示すようにドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよいが、ドライ洗浄がより好ましい。ドライ洗浄にすることによって、剥離等のレジスト層５２に与えるダメージを防止することができる。

ドライ洗浄は、上述した真空紫外線ランプを用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０およびレジスト層５２の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。

（３）次に、図１２に示すように、基板１０を上述した界面活性剤溶液１４に浸漬する。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。

次に、界面活性剤溶液から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図１３に示すように、第１の界面活性剤層５４を基板１０およびレジスト層５２上に設けることができる。このとき、界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板１０の液中表面電位は正電位側にシフトしている。

（４）次に、図１４に示すように、上述した触媒溶液３０に基板１０を浸漬する。触媒溶液３０に含まれる界面活性剤としては、そのイオン価が、上述した界面活性剤溶液１４に含まれる界面活性剤のイオン価と異なる符号を有することが好ましい。具体的には、第１の界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤がカチオン系界面活性剤である場合には、触媒溶液３０に含まれる界面活性剤はアニオン系界面活性剤であることが好ましい。一方、第１の界面活性剤層１６に含まれる界面活性剤がアニオン系界面活性剤である場合には、触媒溶液３０に含まれる界面活性剤はカチオン系界面活性剤であることが好ましい。アニオン性界面活性剤としては、たとえばドデシル硫酸ナトリウム等のアルキルサルフェート系界面活性剤を用いることができる。

たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。

（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。

（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。

（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。

（４ｄ）ドデシル硫酸ナトリウムを塩化パラジウム溶液に添加し、ドデシル硫酸ナトリウムの濃度を０．１〜４．０ｇ／ｌとする。

このように作製された触媒溶液３０に基板１０を浸漬すると、図１５に示すように、第２の界面活性剤層５６および触媒層５８が形成される。浸漬時間は、たとえば３０秒〜５分であってもよい。触媒溶液３０に浸漬した後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電界めっき液に混入するのを防止することができる。

第２の界面活性剤層５６および触媒層５８が形成されるメカニズムについて、以下のように想定することができる。ここでは、第１の界面活性剤層５４がカチオン系界面活性剤を含み、第２の界面活性剤層５６がアニオン系界面活性剤を含む場合について説明する。

第２の界面活性剤層５６は、第１の界面活性剤層５４上全面に形成されるが、基板１０上の各領域によって触媒であるパラジウムとの親和性が異なる。具体的には、基板１０の上面においてレジスト層５２が設けられた領域１と、レジスト層５２が設けられていない領域２と、基板１０の裏面および側面の領域３は、触媒との親和性が異なる。これは、各領域の面積および材質が異なるために生じる現象である。

第２の実施の形態においては、上述した領域２が触媒との親和性が最も高いため、図１５に示すように領域２にのみ触媒層５８が形成される。なお、触媒溶液３０に含まれる触媒のパラジウムは、液中において負の電荷をもつイオンに取り囲まれているため、負に帯電している。

以上のようにメカニズムを想定したが、基板１０を触媒溶液３０に浸漬する工程であっても、基板１０の側面および裏面および基板１０の上面のレジスト層５２上には触媒層５８を形成しないようにすることができる。これにより、基板１０の側面および裏面に触媒層が形成されないようにするための保護層を予め形成する必要がなく、第１の界面活性剤層５４をパターニングする必要もないため、プロセスを簡略化することができる。

（５）次に、図８に示すように、触媒層５８上に金属層６０を析出させる。

具体的には、基板１０を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層５８上に金属層６０を析出させることができる。金属層６０としてニッケル層を析出させる場合を説明すると、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度８０℃）に１分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。あるいは、無電解めっき液として、塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることもできる。例えば、基板１０をこのような無電解めっき液（温度７５℃）に０．５分〜１０分程度浸漬することによって、０．１μｍ〜１．０μｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層６０の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などからも形成することができる。こうして、基板１０上に金属層６０を形成することができる。

第２の実施の形態では、上述したように触媒層５８は上述した領域２上のみに形成されているため、金属層６０を領域２上にのみに形成することができる。また、金属層６０の析出時にレジスト層５２が周囲に形成されているため、レジスト層５２が金属層６０を保護することができる。これにより、微細なパターンであっても金属層６０を厚く形成することが可能となる。

（６）次に、図１７に示すように、レジスト層５２を除去する。レジスト層５２は、たとえばアセトン等を用いて除去することができる。レジスト層５２とともに、レジスト層５２上に設けられた第１の界面活性剤層５４および第２の界面活性剤層５６も除去される。

以上の工程により、配線基板２００を形成することができる。第２の実施の形態によれば、液中電荷の異なる２種類の界面活性剤を用いた無電解めっきにより、基板１０の上面の領域かつレジスト層５２の形成されていない領域に選択的に金属層６０を形成することができる。これにより、簡単な製造プロセスで信頼性の高い配線基板を製造することができる。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第１の実施の形態にかかる配線基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。 第２の実施の形態にかかる配線基板の製造方法を示す図。

符号の説明

１０ 基板、１２ オゾン水、１４ 界面活性剤溶液、１６、２６、２８、５４ 第１の界面活性剤層、１８ 光源、２０ 光、２２ マスク、２４ 遮光部、３０ 触媒溶液、３２、５８ 触媒層、３４、５６ 第２の界面活性剤層、３６、６０ 金属層、５２ レジスト層、９０ 集積回路チップ、９２ 他の基板、１００、２００ 配線基板、１０００ 電子デバイス

Claims (10)

1. （ａ）第１の界面活性剤を含む界面活性剤層を基板に設ける工程と、
   （ｂ）第２の界面活性剤および触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって触媒層を設ける工程と、
   （ｃ）前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層を設ける工程と、
   を含む、配線基板の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記第１の界面活性剤のイオン価の符号は、前記第２の界面活性剤のイオン価の符号と異なる、配線基板の製造方法。
3. 請求項１または２において、
   前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に、
   （ｄ）所定の領域の前記界面活性剤層を除去する工程を、さらに含む、配線基板の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記工程（ｄ）は、
   前記界面活性剤層の所定の領域に真空紫外放射を照射することによって、前記界面活性剤層を分解する工程を含む、配線基板の製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記工程（ｂ）では、
   前記界面活性剤層の上方に前記触媒層を設ける、配線基板の製造方法。
6. 請求項３または４において、
   前記工程（ｄ）では、
   前記基板の上面の所定の領域の前記界面活性剤層を除去し、
   前記工程（ｂ）では、
   前記基板の上面の前記所定の領域以外の領域に前記触媒層を設ける、配線基板の製造方法。
7. 請求項３または４において、
   前記工程（ｂ）では、
   前記基板に設けられた前記界面活性剤層のうち、所定の面積より小さい面積の界面活性剤層の上方に前記触媒層を設ける、配線基板の製造方法。
8. 請求項１または２において、
   前記工程（ａ）の前に、
   前記基板の上面の所定の領域にレジスト層を設ける工程をさらに含み、
   前記工程（ｂ）では、
   前記所定の領域以外の領域に前記触媒層を設ける、配線基板の製造方法。
9. 請求項８において、
   前記工程（ｃ）の後に、
   前記レジスト層を除去する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
10. 請求項１ないし９のいずれかにおいて、
    前記第１の界面活性剤は、カチオン系界面活性剤であり、
    前記第２の界面活性剤は、アニオン系界面活性剤であり、
    前記触媒は、パラジウムを含む、配線基板の製造方法。

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