JPS60177378A - 積層型電子写真感光体の改質方法 - Google Patents

積層型電子写真感光体の改質方法

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JPS60177378A
JPS60177378A JP3364184A JP3364184A JPS60177378A JP S60177378 A JPS60177378 A JP S60177378A JP 3364184 A JP3364184 A JP 3364184A JP 3364184 A JP3364184 A JP 3364184A JP S60177378 A JPS60177378 A JP S60177378A
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JP3364184A
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Hiroyuki Kitayama
北山 宏之
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/06Eliminating residual charges from a reusable imaging member
    • G03G21/08Eliminating residual charges from a reusable imaging member using optical radiation

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  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子写真感光体の改質に関し、詳しくは、光
メモリー効果を除去する方法に関するものである。
電子写真法において画像形成を行なうためには、暗所コ
ロナ帯電、像露光、現像のプロセスが必要だが、暗所帯
電の前に、電子写真感光体が光照射を受けると、その直
後に繰シ返し帯電および露光を行なった際には明部電位
と暗部電位の変動が大きい。この効果を光メモリー効果
という。
さらに従来の積層型感光体においては、感度を向上させ
ようという様々な試みは常に、上述の光メモリー効果の
増大を伴うことが判明しており、高感度で同時に光メモ
リー効果が小さい感光体はこれまでのところ得られてい
なかった=従来光メモリー効果の除去については暗所に
長期間放置するとかあるいは特開昭53−21933号
公報に記載されているように、電子写真感光体を加熱す
る、などの方法がとられていた。
本発明は上述の欠点を解消し、光メモリー効果を短時間
に容易に除去することができる方法を提供するものであ
る。
即ち本発明の光メモリー効果除去方法は、積層型電子写
真感光体に暗所コロナ帯電をする前に通常行なわれる白
色光による前露光の代わシに前露光として650nm以
上の赤外光を照射することにある。
本発明における光メモリー効果の除去の対象となる積層
型電子写真感光体は大きい光メモリー効果がめる0たと
えば−6kVにてコロナ放電を行なって前露光のない感
光体は、初期電位−600vであるが、6001uxの
螢光灯を3分照射するだけで、初期電位が一500vに
低下する。しかしこの螢光灯に3分照射した後、紫外お
よび可視光をカットするフィルターを通してタングステ
ンランプ光源からの赤外光のみを5秒間照射しただけで
、初期電位は一590vになる。
通常前露光は、暗所コロナ帯電、像露光、現像などの各
プロセスを経た段階で感光ドラム表面の残留電位をなく
す目的で感光体に照射される。この際の前露光は、はと
んどの場合像露光と同一の光源を用いている。したがっ
て、前露光照射によって、光キャリヤが生成し、残留電
位が打ち消されるが、その際に、生成したキャリヤの一
部が電荷発生層や電荷輸送層内にトラップされ、これら
がメモリーとなって、それ以後の帯電プロセスで初期表
面゛電位が低下するという現象につながる可能性がある
。そこで本発明では、前露光として650nm以上の赤
外光を照射することにより、生成したキャリヤは残留電
位を打ち消し、同時にその際に電荷発生層や電荷輸送層
内にトラップされたキャリヤをたたき出すことによって
、光メモリー効果を除去することに成功したものである
光メモリー効果の原因となるキャリヤトラップの詳細に
ついては現在未だよくわかっていないが、かなり浅いエ
ネルギーレベルのトラップである可能性が強い。そこで
、本発明のように赤外光を照射すれば容易にトラップキ
ャリヤのたたき出しが可能である。尚本発明の赤外光の
好ましい波長範囲は650nm以上であシ、この赤外光
は本来赤外光成分を含む光源のうち、紫外光及び可視光
をカットすれば容易に得ることができる。さらに、65
0nm以上の発光波長をもっLED (発光ダイオード
)、たとえばGaP * GaAtAs + GaAs
などの発光ダイオードを用いることもできる。
本発明で対象とする積層型電子写真感光体の電荷発生層
は、ビリリウム、チアピリリウム系染料、フタロシアニ
ン系顔料、アントアントロン顔料、ジベンズピレンキノ
ン顔料、ビラントロン顔料、トリスアゾ顔料、シスアゾ
顔料、アゾ顔料、インジが顔料、キナクリドン系顔料、
非対称キノシアニン、キノシアニンなどの電荷発生物質
から選ばれた別個の蒸着層あるいは樹脂分散層を用いる
ことができる。
電荷発生層は、前述の電荷発生物質を適当な結着剤に分
散させ、これを基体の上に塗工することによって形成で
き、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することによ
って得ることができる。電荷発生層を塗工によって形成
する際に用いうる結着剤としては広範な絶縁性樹脂から
選択でき、またポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセンやぼりビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマーから選択できる。好ましくは、ポリビニルア
ルコール、ボリアリレート(ビスフェノールAとフタル
酸の縮重合体など)、ポリカーブネート、ポリエステル
、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポ
リアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニルピリジ
ン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、
カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷発生層
中に含有する樹脂は、80重量−以下、好ましくは40
重量%以下が適している。塗工の際に用いる有機溶剤と
しては、メタノール、エタノール、イソグリフ9ノール
などのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノンなどのケトン類、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミ
ド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン
、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
などの脂肪族ハロダン化炭化水素類アルいはベンゼン、
トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン
、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることが
できる。
本発明においては、又米国特許第3684502号公報
などに開示のビリリウム染料とアルキリデンジアリーレ
ン部分を有する電気絶縁重合体との共晶錯体を電荷発生
層として用いた感光体にも適用できる。この共晶錯体は
、例えば4−〔4−ビスー(2−りOoエチル)アミノ
フェニルツー2,6−シフエニルチアピリリウムパーク
ロレートとポリ(4,4’−イソ!ロピリデンジフェニ
レンヵーポネート)をハロダン化炭化水素系溶剤(例え
ば、ジクロルメタン、クロロホルム、四塩化炭素1.1
−ジクロルエタン、l、2−ジクロルエタン、1.1.
2〜トリクロルエタン、クロルベンゼン、ブロモベンゼ
ン、1,2−ジクロルベンゼン)K溶解し、支持体上に
コーティングした後、該層を上記染料の溶剤の蒸気と接
触せしめることによって粒子状共晶錯体として得られる
。この具体例における電子写真感光体には、スチレン−
!タジェンコポリマー、シリコン樹脂、ビニル樹脂、塩
化ビニリデン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン
−アクリロニトリルコーリマー、ビニルアセテート−m
化ビニルコポリマー、ポリビニルブチラール、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリ−N−7”チルメタクリレート
、ポリエステル類、セルロースエステル類などを結着剤
として含有することができる。
また別の具体例では、特開昭54−83837号公報に
記載の、染料−染料間相互作用状態にある染料と電気絶
縁性重合体・ぐインダーを含む層を電、荷発生層として
用いた感光体にも適用できる。
1 この材料は、例えば、4−C2,6−ジフェニル−
4H−チオビラン−4−イリデン)−メチル〕−2,6
−シフエニルチオヒリリウムパークロレートとポリ(4
,4’−(ヘキサヒドロ−4,7−メタ)インタン−5
−イ!J 7’ン)ジフェニレンテレフタレート〕を含
む層を支持体上にコーティングした後、該層を上記染料
の溶剤の蒸気と接触せしめて上記染料を染料−染料間相
互作用状態に転移せしめたものを電荷発生層として用い
たものにも適用できる。
さらに別の具体例では、前述のジスアゾ顔料あるいは、
米国籍肝第3554745号、同第3567438号、
同第3586500号公報などに開示のピリリウム染料
、チアピリリウム染料、セレナピリリウム染料、ベンゾ
ピリリウム染料、ベンゾチアピリリウム染料、ナンドピ
リリウム染料、ナフトチアピリリウム染料などの光導電
性を有する顔料や染料を増感剤としても用いることがで
きる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーチインク法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限シ
多くの前記有機光導電体を含有し、且つ発生した電荷キ
ャリアの飛程を短かくするために、薄膜層、例えば5ミ
クロン以下、好ましくはo、oiミクロン〜 1ミクロ
ンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。このこと
は、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収されて、多く
の電荷キャリアを生成すること、さらに発生した電荷キ
ャリアを再結合や捕獲(トラップ)によシ失活すること
なく電荷輸送層に注入する必要がおることに帰因しこの
様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感光層
は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層を有
する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、例え
ばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステン
レス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッ
ケル、インジウム、金や白金などを用いることができ、
その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真空
蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック
(例えば、ポリエチレン、ポリゾロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ぼりエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、カー?
ンッラック、銀粒子など)を適当なバインダーとともに
グラスチックの上に核種した基体、導電性粒子をグラス
チックや紙に含浸した基体や導電性Iリマーを有するグ
ラスチックなどを用−ることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着澁m 4
 n リτ書I醒シーピI’L+Δ ツ 11 J A
 シ 吋 〒1トコハ、カゼイン、ポリぎニルアルコー
ル、ニトロ七ルロース、エチレン−アクリル酸コホリマ
ー、ポリアミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン
など)、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウムガ
どによって形成できる・ 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜5ミクロン、好まし
くは0.5ミクロン〜3ミクロンが適当である。
次に本発明を適用する積層型電子写真感光体における電
荷輸送層は、ピレン、N−エチルカルバゾール、N−イ
ソプロピルカルバゾール、N−メチル−N−フェニルヒ
ドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバソール、
N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−
エチルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒドラゾノー
3−メチリデン−10−二チルフェノチアジン、N、N
−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−4−
F−ルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベンズアル
デヒド−N、N−ジフェニルヒドラジノ、p−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−N−α−ナフチに−N−フェ
ニルヒト・う・シン、p−ピロリソニルベンズアルデヒ
ド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、1.3.3− )
 ジメチルインドレニンーω−アルデヒド−N、N−ジ
フェニルヒドラゾン、p−ジエチルベンズアルデヒド−
3−メチルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニ
ル) −1,3,4−オキサゾアゾール、1−フェニル
−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジ
エチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔キノリル(
2) ) −3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5
−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔
ピリジル(2) ) −3−(’ p−ジエチルアミノ
スチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラ
ゾリン、l−〔6−メドキシーピリジル(2) ) −
3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(3
) ) −3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジェチルアミノフェニ/I/)ピラゾリン、1−
〔レビジル(2) ) −3−(p−ジエチルアミノス
チリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−〔ピリジル(2))−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、1−〔ピリジル(2) ) 
−3−(α−メチル−p−ジエチルアミノスチリル)−
5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
7xニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−4−
メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−フェニル−3−(α−ベンジル−p−ジエチル
アミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル
)ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、
2−(P−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルア
ミノペンズオキサゾール、2−(p−ジエチルアミノフ
ェニル)−4−(p−ジメチルアミノフェニル)−5−
(2−クロロフェニル)オキサゾール等のオキサゾール
系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−
ジニチルアミノペンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)
−フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1
,1−ビス(4−N、N −ジエチルアミノ−2−メチ
ルフェニル)へブタン、1.1.2.2−テトラキス(
4−N、N−ツメチルアミノ−2−メチルフェニル)エ
タン等のポリアリールアルカン類、トリフェニルアミン
、ポリーN−ピニルカルノ々ゾール、ポリビニルピレン
、Iリピニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポ
リ−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルノ々ゾールホルムアルデヒ
ド樹脂等の電荷輸送物質から選ばれた材料を用いること
ができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上組
合せて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂ボ
リアリレート、ポリエステル、ポリカーブネート、ポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−シタジエン、コポリマー、ポリビニル
ブチラール、?リビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化がム等の絶縁性
樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性
ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5ミクロン〜30ミクロンであるが、好ましい範
囲は8ミクロン〜20ミクロンである。塗工によって電
荷輸送層を形成する際には、前述した様な適当なコーテ
ィング法を用いることができる。
本発明によシ提供される電子写真感光体は電子写真複写
機に利用するのみならず、レーザープリンターやCRT
プリンター等の電子写真応用分野にも広く用いることが
できる。
また、本発明の有機光導電体は、前述の電子写真感光体
の他に、太陽電池や光センサーに用いることもできる。
太陽電池は、例えば酸化インジウムとアルミニウムによ
って前述の有機光導電体をサンドイッチすることによっ
て調製できる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例1 下記構造式(1)を有するジスアゾ顔料を4.1?とシ
、そこにシクロヘキサノン18.1 ?とガラスビーズ
20ゴを加え、レッドデビルで4時間分散を行なう。
・・・・・・(1) この分散液に結着剤としてポリビニルブチラール(商品
名積木化学製BM−2)のメチルエチルケトン:シクロ
へ中テノン−1=1重量比の9.1重量q6溶液を4.
4を加え、さらに2時間レッドデビルで分散する。この
分散液をアルミシート上にワイヤーパーで乾燥膜厚が0
.2ミクロンとなる様に塗工して電荷発生層を形成する
次に構造式(2)のヒドラゾンと結着剤としてのスチレ
ン−アクリル樹脂(商品名新日本製鉄化学展MS−20
0)とを 1.5:1の重量比で混合したもののモノクロルベンゼ
ン20重量%溶液を電荷発生層の上にワイヤーパーで乾
燥後の膜厚が20ミクロンとなる様に塗工して電荷輸送
層を形成する。
この様にして作成した電子写真感光体を川口電機(株)
製靜電複写紙試験装置Model 5P−428を用い
てダイナミ、り方式でコロナ帯電し、暗所で1秒間減衰
させた時の初期電位(vl )を600vとしその後態
度51uxで4秒間露光し、帯電特性を調べた。
光メモリー効果を簡単に表わす方法としては、1回上述
の測定を行なった試料を600 luxの螢光灯で3分
間照射し、その後1分間暗所放置したものを再び帯電、
露光させた時の、初期電位の1回目の電位(−600V
)との差Δv1で代表させるものとする。Δv1の値が
大きいほど元メモリー効果が大きいといえる。
上述のようにして作成した感光体のΔv8は95がルト
であった。この直後にさらに感光体に紫外2よび可視光
をカットするフィルターを通してタングステンラング光
源からの赤外光(感光体表面での照度10 lux )
を5秒間照射した後、上述の方法で帯電特性を測定した
ところ、初期電位は590vに回復し、光メモリー効果
がほとんど消失した。
実施例2 ポリカーがネート(商品名テイゾンノ臂ンライトL−1
250)0.76?、P−ジメチルアミノフェニル−2
,6−シフエニルチアヒT)リウムノ辛−クロレート0
.22fを塩化メチレン30CCに溶解させた。この塗
工液をアルミニウムシート上に乾燥膜厚が1ミクロン以
下となる様にワイヤーパーで塗布し、80℃、10分乾
燥して電荷発生層を形成する。次にこの層を塩化メチレ
ンの蒸気と数分接触させることによって共晶錯体を得た
次に、ポリ−N−ビニルカルバゾール(商品名Lubi
aan M−170) 3 Ji’をテトラヒドロ7ラ
ン30CI1.(10重量%)に溶解させて塗工液を電
荷発生層の上にワイヤーパーで乾燥膜厚が12ミクロン
となる様に塗工して電荷輸送層を形成する。
このようにして作成した感光体のΔv1は175がルト
と大きな光メモリー効果を示したが、この直後にさらに
感光体に、松下社製GaP発光ダイオード(発光波長7
00nm、視感度1 m /W )を10秒間照射した
後、実施例1で述べたのと同様な方法で帯電特性を測定
したところ、初期電位は560Vにまで回復した。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 積層型電子写真感光体に電子写真記録方式の前露光プロ
    セスとして650nm以上の赤外光を照射することを特
    徴とする積層型電子写真感光体の改質方法。
JP3364184A 1984-02-24 1984-02-24 積層型電子写真感光体の改質方法 Pending JPS60177378A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6285282A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Fuji Electric Co Ltd 電子写真装置
JPS634264A (ja) * 1986-06-24 1988-01-09 Ricoh Co Ltd 電子写真方法
JPH0277780A (ja) * 1988-09-13 1990-03-16 Dainippon Printing Co Ltd 高解像度静電カメラ
JPH03188459A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Konica Corp 画像形成方法

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