JPS60166322A - 光学機器用素材 - Google Patents
光学機器用素材Info
- Publication number
- JPS60166322A JPS60166322A JP59021870A JP2187084A JPS60166322A JP S60166322 A JPS60166322 A JP S60166322A JP 59021870 A JP59021870 A JP 59021870A JP 2187084 A JP2187084 A JP 2187084A JP S60166322 A JPS60166322 A JP S60166322A
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- Japan
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- copolymer
- methylene chloride
- represented
- dihydroxytetraphenylmethane
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
。
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
。
一般に、上述したような光学機器用素材には様々な性能
が要求されておシ、鉤えば透明性、耐熱性、耐湿性１機
械的強度にすぐれていると共に、光学的な性質として光
弾性係数の小さいものが適している。このような性能を
有する素材としては、従来からメタクリル樹脂などが知
られているが、このものは耐熱性や耐湿性、耐衝撃性の
点で未だ充分なものとは言い難いという欠点がある。ま
た、ビスフェノールＡ （２，２−ビス（４′−ヒドロ
キシフェニル）プロパン）ヲホスゲンや炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は、耐熱
性、耐湿性、耐衝撃性などにおいてすぐれているものの
、光弾性係数が大きいため、これに起因して複屈折が大
きくなシ、ディスクに記録された情報の読み取り感度が
低下したり、エラーが発生するという難点がある。
が要求されておシ、鉤えば透明性、耐熱性、耐湿性１機
械的強度にすぐれていると共に、光学的な性質として光
弾性係数の小さいものが適している。このような性能を
有する素材としては、従来からメタクリル樹脂などが知
られているが、このものは耐熱性や耐湿性、耐衝撃性の
点で未だ充分なものとは言い難いという欠点がある。ま
た、ビスフェノールＡ （２，２−ビス（４′−ヒドロ
キシフェニル）プロパン）ヲホスゲンや炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は、耐熱
性、耐湿性、耐衝撃性などにおいてすぐれているものの
、光弾性係数が大きいため、これに起因して複屈折が大
きくなシ、ディスクに記録された情報の読み取り感度が
低下したり、エラーが発生するという難点がある。
本発明は耐熱性にすぐれるとともに、光弾性係数が小さ
くディスクに記録された情報の読み取り感度の高い光学
機器用素材を提供することを目的とするものである。
くディスクに記録された情報の読み取り感度の高い光学
機器用素材を提供することを目的とするものである。
すなわち本発明は
式
で表わされる繰返し単位〔Ｉ〕および
式
で表わされる繰返し単位（１１）を有し、かつ前記繰返
し単位ＣＩ）および［ＩＩ）のモル分率をそれぞれｍお
よびｎとしたときの□の値が０．１〜０．９でｍ＋ｎ あると共に、２０℃における濃度ｏ、ｓｙ−／ｄｌの塩
化メチレン溶液の還元粘度〔ηａｐ／ａ）が０．５〜９
以上の共重合体からなる光学機器用表材を提供するもの
である。
し単位ＣＩ）および［ＩＩ）のモル分率をそれぞれｍお
よびｎとしたときの□の値が０．１〜０．９でｍ＋ｎ あると共に、２０℃における濃度ｏ、ｓｙ−／ｄｌの塩
化メチレン溶液の還元粘度〔ηａｐ／ａ）が０．５〜９
以上の共重合体からなる光学機器用表材を提供するもの
である。
上記繰返し単位ＣＩ）および［ＩＩ）を有する共重合体
の重合度゛は光学機器の種類に応じて適宜選定ずればよ
いが、濃度０．５１％／Ｊの塩化メチレン溶液の２０°
Ｃにおける還元粘度〔η、Ｐ／Ｃ〕が０．５ ｄ１７１
％以上、好ましくは０．４〜１．ｏｃ＆／Ｓ’の共重合
体となるように重合させるべきである。また、上記繰返
し単位ＣＩ）のモル分率をｍ１上記繰返し単位（ＩＩ）
のモル分率をｎとしだとき、−一の値がｏ、ｉｍ＋ｎ 〜０．９、好ましくは０．６〜０．９となるように調節
する。ここで７１の値が０．１未満−であると得られる
共重合体の光弾性係数が大きくなって複屈折が大きくな
り、一方０．９を超えると成形性が低下して成形歪みが
大きくなって複屈折が大きくなるので好ましくない。
の重合度゛は光学機器の種類に応じて適宜選定ずればよ
いが、濃度０．５１％／Ｊの塩化メチレン溶液の２０°
Ｃにおける還元粘度〔η、Ｐ／Ｃ〕が０．５ ｄ１７１
％以上、好ましくは０．４〜１．ｏｃ＆／Ｓ’の共重合
体となるように重合させるべきである。また、上記繰返
し単位ＣＩ）のモル分率をｍ１上記繰返し単位（ＩＩ）
のモル分率をｎとしだとき、−一の値がｏ、ｉｍ＋ｎ 〜０．９、好ましくは０．６〜０．９となるように調節
する。ここで７１の値が０．１未満−であると得られる
共重合体の光弾性係数が大きくなって複屈折が大きくな
り、一方０．９を超えると成形性が低下して成形歪みが
大きくなって複屈折が大きくなるので好ましくない。
上述の共重合体は様々な方法により製造することができ
るが、例えば で表わされる４、４′−ジヒドロキシテトラフェニルメ
タンおよび 式 で表わされる２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）とホスゲンの重縮合によ
り製造することができる。また、このようなホスゲン法
ポリカーボネートの製法に従う方法の他に、炭酸ジフェ
ニルなどヲ用いるエステル交換法ポリ力−ゲネートの製
法に従って行なうこともできる。なお、この場合式（ｔ
Ｕ）で表わされる４、４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタンと式Ｏｖ）で表わされるビスフェノールＡをモ
ノマーのまま直接混合し、ホスゲンあるいは炭酸ジフェ
ニルと共に反応させてもよく、或いは予め式〔■〕で表
わされる４、々′−ジヒドロキシテトラフ工二ルメタン
とホスゲンまたは炭酸ジフェニルを重縮合させてオリゴ
マーを得、このオリゴマート式〔■〕で表わされるビス
フェノールＡを反応させてもよい。また、逆に予め式（
ＩＶ）で表わされるビス７エ゛；、、、−ルＡとホス〃
ンまたは炭酸ジフェニルを重縮合させておき１．その後
代（ＩＩＩ）で表わされる４、４′−ジヒドロキシテト
ラフェニルメタンと反応させてもよい。この重縮合の際
の条件は所望する共重合体の重合度などにょシー義的に
定めることはできないが、通常は塩化メチレン、クロル
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素やピリジンなどの溶媒
中で、好ましくは塩化メチレン溶液中で、適当な触媒、
アルカリ、分子量調節剤などを用いればよい。ここで分
子量調節剤としては様々な一価フエノールを挙げること
ができるが、好ましいものとしては 本発明の共重合体を構成す抵繰返し単位（１）は式ｃｕ
ｔ〕で表わされる４、４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタンとホスゲン等との反応により形成され、また繰
返し単位［ｎ）は式（ＩＶ）で表わされるビスフェノー
ル八とホスゲン専との反応によ・り形成される。従って
、共重合体における繰返し単位（１）、 （ＩＩ）の所
望するモル−分率に応じて式［１１）で表わされる４、
４′−ジヒドロキシテトラフェニルメタンと式〔■〕で
表わされるビスフェノールＡの使用社を適宜選定すれば
よい。なお、本発明の共重合体をディスク等の成形に用
いるにあたっては、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの通
常の添加剤を配合してもよい。
るが、例えば で表わされる４、４′−ジヒドロキシテトラフェニルメ
タンおよび 式 で表わされる２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）とホスゲンの重縮合によ
り製造することができる。また、このようなホスゲン法
ポリカーボネートの製法に従う方法の他に、炭酸ジフェ
ニルなどヲ用いるエステル交換法ポリ力−ゲネートの製
法に従って行なうこともできる。なお、この場合式（ｔ
Ｕ）で表わされる４、４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタンと式Ｏｖ）で表わされるビスフェノールＡをモ
ノマーのまま直接混合し、ホスゲンあるいは炭酸ジフェ
ニルと共に反応させてもよく、或いは予め式〔■〕で表
わされる４、々′−ジヒドロキシテトラフ工二ルメタン
とホスゲンまたは炭酸ジフェニルを重縮合させてオリゴ
マーを得、このオリゴマート式〔■〕で表わされるビス
フェノールＡを反応させてもよい。また、逆に予め式（
ＩＶ）で表わされるビス７エ゛；、、、−ルＡとホス〃
ンまたは炭酸ジフェニルを重縮合させておき１．その後
代（ＩＩＩ）で表わされる４、４′−ジヒドロキシテト
ラフェニルメタンと反応させてもよい。この重縮合の際
の条件は所望する共重合体の重合度などにょシー義的に
定めることはできないが、通常は塩化メチレン、クロル
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素やピリジンなどの溶媒
中で、好ましくは塩化メチレン溶液中で、適当な触媒、
アルカリ、分子量調節剤などを用いればよい。ここで分
子量調節剤としては様々な一価フエノールを挙げること
ができるが、好ましいものとしては 本発明の共重合体を構成す抵繰返し単位（１）は式ｃｕ
ｔ〕で表わされる４、４′−ジヒドロキシテトラフェニ
ルメタンとホスゲン等との反応により形成され、また繰
返し単位［ｎ）は式（ＩＶ）で表わされるビスフェノー
ル八とホスゲン専との反応によ・り形成される。従って
、共重合体における繰返し単位（１）、 （ＩＩ）の所
望するモル−分率に応じて式［１１）で表わされる４、
４′−ジヒドロキシテトラフェニルメタンと式〔■〕で
表わされるビスフェノールＡの使用社を適宜選定すれば
よい。なお、本発明の共重合体をディスク等の成形に用
いるにあたっては、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの通
常の添加剤を配合してもよい。
このようにして得られる共重合体は光弾性係数が小さい
ため光の複屈折率が小さい。したがって、本発明の共重
合体を各種光学機器の素材として用いれば光学的性質が
改良されているためディスクに記録された情報の読み数
カ感度が高く、エラーの発生の少ない光学機器が得られ
る。また、本発明の共重合体は耐熱性にすぐれておシ、
シかも機械的にも良好な素材であるため、これを用いて
作られた光学機器は様々な東件下で安定して作動する。
ため光の複屈折率が小さい。したがって、本発明の共重
合体を各種光学機器の素材として用いれば光学的性質が
改良されているためディスクに記録された情報の読み数
カ感度が高く、エラーの発生の少ない光学機器が得られ
る。また、本発明の共重合体は耐熱性にすぐれておシ、
シかも機械的にも良好な素材であるため、これを用いて
作られた光学機器は様々な東件下で安定して作動する。
それ故、本発明の素材は、デジタルオーディオディスク
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
次に、本発明を実施例にょシさらに詳しく説明する。
実施列１
２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパｙ６７
ｆ（ｏ、２９モル）を水酸化ナトリウム水溶液（濃度６
重社％）４５ｐｍに溶解し、これに溶媒として塩化メチ
レン２００ｍ７を加木て攪拌しながら、この混合液中に
ホスゲンガスを室温で８０ＣＩ＋／／分の供給割合で吹
込み、反応系のｐＨが９まで低下した時点でホスゲンガ
スの吹込みを停止した。次いで生成物を静置分離するこ
とにより有機相に重合度２〜３のクロロホーメート基末
端を有するポリカーボネート・オリゴマーを得た０次に
、このポリカーボネート・オリゴマーの塩化メチレン溶
液２５ｏｍ／をさらに塩化メチレンで希釈して全体を４
５０ｍ１とした。このオリゴマー溶液に、４．４’−ジ
ヒドロキシテトラフェニルメタン５１．９７ （０，０
９モル）を水酸化ナトリウム水溶液（＠度２規定）１４
０ｍｌに溶解した溶液を混合し、この混合液を激しく攪
拌しながら分子量調節剤としてｐ−ターシャリ−ブチル
フェノール１．８７．重合触媒としてトリエチルアミン
水溶液（濃度０．５モル／１）１ｄを加え、２８℃で１
時間重縮合反応を行なった。反応終了後、反応生成物を
塩化メチレン１ｔで希釈し、水、水酸化ナトリウム水溶
液（濃度０．０１規定）、水、塩酸（濃度０゜０１規定
）、水の順で洗浄し、最後に反応生成物をメタノール中
に投入し７、共１を合体１０８２を回収した。
ｆ（ｏ、２９モル）を水酸化ナトリウム水溶液（濃度６
重社％）４５ｐｍに溶解し、これに溶媒として塩化メチ
レン２００ｍ７を加木て攪拌しながら、この混合液中に
ホスゲンガスを室温で８０ＣＩ＋／／分の供給割合で吹
込み、反応系のｐＨが９まで低下した時点でホスゲンガ
スの吹込みを停止した。次いで生成物を静置分離するこ
とにより有機相に重合度２〜３のクロロホーメート基末
端を有するポリカーボネート・オリゴマーを得た０次に
、このポリカーボネート・オリゴマーの塩化メチレン溶
液２５ｏｍ／をさらに塩化メチレンで希釈して全体を４
５０ｍ１とした。このオリゴマー溶液に、４．４’−ジ
ヒドロキシテトラフェニルメタン５１．９７ （０，０
９モル）を水酸化ナトリウム水溶液（＠度２規定）１４
０ｍｌに溶解した溶液を混合し、この混合液を激しく攪
拌しながら分子量調節剤としてｐ−ターシャリ−ブチル
フェノール１．８７．重合触媒としてトリエチルアミン
水溶液（濃度０．５モル／１）１ｄを加え、２８℃で１
時間重縮合反応を行なった。反応終了後、反応生成物を
塩化メチレン１ｔで希釈し、水、水酸化ナトリウム水溶
液（濃度０．０１規定）、水、塩酸（濃度０゜０１規定
）、水の順で洗浄し、最後に反応生成物をメタノール中
に投入し７、共１を合体１０８２を回収した。
得られた共重合体の濃度Ｑ、５ｆ／、／ｄ／−の塩化メ
チレン溶液の２０°Ｃにおける還元粘度〔η、、１０）
であった。さらにこの共重合体を２８０℃においてプレ
ス成形し、肉厚０．５１１１１の透明シートとし、この
滌明シー、トを用いて波長６５５ ｎｍにおいて光弾性
係数を測定した。また、この共重合体のカフス転移温度
を測定した。結果′を第１表にボす。
チレン溶液の２０°Ｃにおける還元粘度〔η、、１０）
であった。さらにこの共重合体を２８０℃においてプレ
ス成形し、肉厚０．５１１１１の透明シートとし、この
滌明シー、トを用いて波長６５５ ｎｍにおいて光弾性
係数を測定した。また、この共重合体のカフス転移温度
を測定した。結果′を第１表にボす。
実施ｆｌ１２
実施例１において、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンに代工て４．４１−ジヒドロキシテトラ
フェニルメタンを用いてオリゴマーを合成したのち、こ
のオリゴマーに対して４．４′−ジヒドロキシテトラフ
ェニルメタンの代わシに２．２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパ第１表に示す。
ニル）プロパンに代工て４．４１−ジヒドロキシテトラ
フェニルメタンを用いてオリゴマーを合成したのち、こ
のオリゴマーに対して４．４′−ジヒドロキシテトラフ
ェニルメタンの代わシに２．２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパ第１表に示す。
実施例３
実施例１において、原料として２，２−ビス（４−ヒ）
”ロキシフエニ／Ｌ−） プロバント４．４’−ヒドロ
キシテトラフェニルメタンの混合物を用いたこと以外は
、実ｆｉ例１と同様にして共重合体ならびに透明シート
を製造した。結果を第１表に示す。
”ロキシフエニ／Ｌ−） プロバント４．４’−ヒドロ
キシテトラフェニルメタンの混合物を用いたこと以外は
、実ｆｉ例１と同様にして共重合体ならびに透明シート
を製造した。結果を第１表に示す。
比較例１
実施例１において、原料として２，２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパンのみを用イタこと以外は、実
施例１と同様にしてポリカーボネートならびに透明シー
トを製造した。結果を第１表に示す。
ロキシフェニル）プロパンのみを用イタこと以外は、実
施例１と同様にしてポリカーボネートならびに透明シー
トを製造した。結果を第１表に示す。
第 １ 表
以上の結果から、本発明の素材は比較例１のポリカーボ
ネートに比し、耐熱性がさらに優れてお特許出願人 出
光興産株式会社
ネートに比し、耐熱性がさらに優れてお特許出願人 出
光興産株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 で表わされる繰返し単位ＣＩ）および 式 で表オ〕される繰返し単位（ｎ）を有し、かつ前記繰返
し単位０）および（ＩＩ）のモル分率をそれぞれｍおよ
びｎとしたときの□の値が０．１〜ｍ＋Ｈ ０，９であると共に、２０℃における濃度ａ、ｓｙ／ｄ
の塩化メチレン溶液の還元粘度（Ｖ、、／ Ｏ）が０．
５ ｄ／ ７以上の共重合体からなる光学機器用素材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021870A JPS60166322A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021870A JPS60166322A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60166322A true JPS60166322A (ja) | 1985-08-29 |
| JPH0319248B2 JPH0319248B2 (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=12067156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021870A Granted JPS60166322A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60166322A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155117A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光情報材料 |
| JPS62177032A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-03 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂製光デイスク基板の製造法 |
| JPS6366255A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカ−ボネ−ト系樹脂組成物 |
| JPS6368632A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規重合体とその製造方法 |
| JPS6456728A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Idemitsu Petrochemical Co | Polycarbonate for disc substrate |
| JPH01201338A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族ポリカーボネートフイルム |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021870A patent/JPS60166322A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155117A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光情報材料 |
| JPH0662752B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-08-17 | 三菱化成株式会社 | 光情報材料 |
| JPS62177032A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-03 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂製光デイスク基板の製造法 |
| JPH0620783B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1994-03-23 | 三菱化成株式会社 | ポリカ−ボネ−ト樹脂製光デイスク基板の製造法 |
| JPS6366255A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリカ−ボネ−ト系樹脂組成物 |
| JPS6368632A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規重合体とその製造方法 |
| JPS6456728A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Idemitsu Petrochemical Co | Polycarbonate for disc substrate |
| JPH01201338A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族ポリカーボネートフイルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319248B2 (ja) | 1991-03-14 |
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