JPS6368632A - 新規重合体とその製造方法 - Google Patents
新規重合体とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学機器用素材、電気・電子機器用素材、そ
の他の一般成形材料等として用いられる光学的性質、耐
熱性に優れた新規なポリカーボネート系の新規重合体と
その製造方法に関する。
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熱性に優れた新規なポリカーボネート系の新規重合体と
その製造方法に関する。
ポリカーボネート樹脂は、−1%iにビスフェノールA
(2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン〕
を原料とし、これにホスゲンやジフェニルカーボネート
など炭酸エステル形成性化合物を反応させて得たものが
用いられている。ところが、このようにして得られるポ
リカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性、機械的強度に
優れているので広汎な用途に用いられているが、射出成
形などの成形品の応力光学歪みが大きく、複屈折が大き
いため光学機器用の素材としては満足すべきものではな
かった。
(2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン〕
を原料とし、これにホスゲンやジフェニルカーボネート
など炭酸エステル形成性化合物を反応させて得たものが
用いられている。ところが、このようにして得られるポ
リカーボネート樹脂は、透明性や耐熱性、機械的強度に
優れているので広汎な用途に用いられているが、射出成
形などの成形品の応力光学歪みが大きく、複屈折が大き
いため光学機器用の素材としては満足すべきものではな
かった。
本発明は、十分な耐熱性を有する上に、光学的性質に優
れた、特に光弾性係数が小さく、複屈折が小さいポリカ
ーボネート系新規重合体とその製造方法を提供すること
を目的とする。
れた、特に光弾性係数が小さく、複屈折が小さいポリカ
ーボネート系新規重合体とその製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、特定のビスフェノールを重合させることによ
り、その目的を達成することを見い出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った・ すなわち、本発明の重合体は、 式 X’ R’ X” O および W’ (式中、R1,R1,R3はそれぞれ水素、C,−C5
(7)フルキル基またはC1〜C+Zのアリール基であ
り、XI、X2、X″、X4はそれぞれ水素、ハロゲン
原子またはC1〜C1のアルキル基であり、YはCI−
Csのアルキル基、C1〜C3のアルコキシ基、06〜
CIOのフェノキシ基またはハロゲン原子である)で表
される繰り返し単位からなり、(I)で表される繰り返
し単位の数をm個、(n)で表される繰り返し単位の数
をn個としたときのm / m + nの値がO,OS
〜1を満足し、かつ塩化メチレンを溶媒とする0゜5
g / d 1濃度の溶液の20℃における還元粘度〔
ηsp/c)が0.3d//g以上テアルコトヲ特徴と
する。本発明の重合体においてm / m + nの値
が0.05未満では光弾性係数の低下が十分でなくなる
。好ましくは0.2〜0,8とするのが望ましい。
ねた結果、特定のビスフェノールを重合させることによ
り、その目的を達成することを見い出し、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った・ すなわち、本発明の重合体は、 式 X’ R’ X” O および W’ (式中、R1,R1,R3はそれぞれ水素、C,−C5
(7)フルキル基またはC1〜C+Zのアリール基であ
り、XI、X2、X″、X4はそれぞれ水素、ハロゲン
原子またはC1〜C1のアルキル基であり、YはCI−
Csのアルキル基、C1〜C3のアルコキシ基、06〜
CIOのフェノキシ基またはハロゲン原子である)で表
される繰り返し単位からなり、(I)で表される繰り返
し単位の数をm個、(n)で表される繰り返し単位の数
をn個としたときのm / m + nの値がO,OS
〜1を満足し、かつ塩化メチレンを溶媒とする0゜5
g / d 1濃度の溶液の20℃における還元粘度〔
ηsp/c)が0.3d//g以上テアルコトヲ特徴と
する。本発明の重合体においてm / m + nの値
が0.05未満では光弾性係数の低下が十分でなくなる
。好ましくは0.2〜0,8とするのが望ましい。
また、還元粘度が0.3 d l / g未満であると
機械的強度が不十分となる。
機械的強度が不十分となる。
本発明の重合体は、例えば本発明の方法に従い、および
(式中、R1,H2、R3、xl、x2、x3、x4、
Yは前記と同じ意味を有する)で表される二価フェノー
ルを[II[) / (I[[) + (rV)のモル
比が0.05〜1となるように使用して、これに炭酸エ
ステル形成性化合物を反応させることにより製造するこ
とができる。
Yは前記と同じ意味を有する)で表される二価フェノー
ルを[II[) / (I[[) + (rV)のモル
比が0.05〜1となるように使用して、これに炭酸エ
ステル形成性化合物を反応させることにより製造するこ
とができる。
本発明に用いられる(II[)の二価フェノール類とし
ては、例えば、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル
)−1−(4−メチルフェニル)メタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メチルフェニ
ル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4−メトキシフェニル)エタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−クロロフェニ
ル)エタン、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4−ブロモフェニル)エタン、2゜2−ビス(
4−ヒドロキシフェニル) −2−(4−フェノキシフ
ェニル)エタン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−2−(4−メトキシフェニル)エタ
ン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシ
フェニル)−2−(4−メチルフェニル)エタン、2,
2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル
) −2−(4−メチルフェニル)エタンなどが挙げら
れる。
ては、例えば、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル
)−1−(4−メチルフェニル)メタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メチルフェニ
ル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4−メトキシフェニル)エタン、2.2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−クロロフェニ
ル)エタン、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4−ブロモフェニル)エタン、2゜2−ビス(
4−ヒドロキシフェニル) −2−(4−フェノキシフ
ェニル)エタン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒド
ロキシフェニル)−2−(4−メトキシフェニル)エタ
ン、2,2−ビス(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシ
フェニル)−2−(4−メチルフェニル)エタン、2,
2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル
) −2−(4−メチルフェニル)エタンなどが挙げら
れる。
DV)の二価フェノール類としては、例えば、ビス(4
−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、2゜2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)ブタン、4.4−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ペンタン、4,4−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサン、4,4−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)へブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)オクタン、2,2−(3,5,3’、5’
−テトラブロモ−4,4′−ジヒドロキシジフエニル)
プロパン、(3,3′−ジクロロ−4,4′−ジヒドロ
キシジフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルメタン、1.1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1=(4−エチル
フェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−ベンジル−メタンなどが挙げられる。
−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、2゜2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2.2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)ブタン、4.4−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)ペンタン、4,4−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサン、4,4−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)へブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)オクタン、2,2−(3,5,3’、5’
−テトラブロモ−4,4′−ジヒドロキシジフエニル)
プロパン、(3,3′−ジクロロ−4,4′−ジヒドロ
キシジフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルメタン、1.1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1=(4−エチル
フェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−ベンジル−メタンなどが挙げられる。
炭酸エステル形成性化合物としては、例えば、ジフェニ
ルカーボネート、ジ−p−トリルカーボネート、フェニ
ル−p−)リルカーボネート、ジ−p−クロロフェニル
カーボネート、ジナフチルカーボネートなどのジアリー
ルカーボネート、ホスゲン、ブロムホスゲンなどの炭酸
のハロゲン化物などが挙げられる。これらのうちジフェ
ニルカーボネート、ホスゲンが好ましい。
ルカーボネート、ジ−p−トリルカーボネート、フェニ
ル−p−)リルカーボネート、ジ−p−クロロフェニル
カーボネート、ジナフチルカーボネートなどのジアリー
ルカーボネート、ホスゲン、ブロムホスゲンなどの炭酸
のハロゲン化物などが挙げられる。これらのうちジフェ
ニルカーボネート、ホスゲンが好ましい。
本発明重合体の製造方法としては、ビスフェノールAか
らポリカーボネートを製造する際に用いられている公知
の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直接反応
、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応などの方法を採用することができ
る。
らポリカーボネートを製造する際に用いられている公知
の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直接反応
、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応などの方法を採用することができ
る。
前者の二価フェノールとホスゲンとの直接反応法におい
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
一般式(I[I)および(rV)で表される二価フェノ
ールを(II[)単独または(II[)と(IV)を所
定割合に併用してホスゲンと反応させる。酸結合剤とし
ては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられ、
また溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼ
ン、キシレンなどが用いられる。さらに、縮重合反応を
促進するために、トリエチルアミンのような第三級アミ
ンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を、また、重
合度を調製するために、フェノール、フェニルフェノー
ル、クミルフェノール、p−t−ブチルフェノールなど
の分子N調節剤を添加して反応を行うことが望ましい、
また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファ
イドナトリウムなどの酸化防止剤を少量添加してもよい
。
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
一般式(I[I)および(rV)で表される二価フェノ
ールを(II[)単独または(II[)と(IV)を所
定割合に併用してホスゲンと反応させる。酸結合剤とし
ては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられ、
また溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼ
ン、キシレンなどが用いられる。さらに、縮重合反応を
促進するために、トリエチルアミンのような第三級アミ
ンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を、また、重
合度を調製するために、フェノール、フェニルフェノー
ル、クミルフェノール、p−t−ブチルフェノールなど
の分子N調節剤を添加して反応を行うことが望ましい、
また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファ
イドナトリウムなどの酸化防止剤を少量添加してもよい
。
二価フェノールの(III)と(IV)の配合割合は(
II[) / (I[[) + (IVIのモル比を0
.05〜1とする。重合体として光弾性係数の小さいも
のを得たい場合には、(III)の化合物の使用割合を
増やせばよい。
II[) / (I[[) + (IVIのモル比を0
.05〜1とする。重合体として光弾性係数の小さいも
のを得たい場合には、(III)の化合物の使用割合を
増やせばよい。
反応は通常θ〜150℃、好ましくは5〜40℃の範囲
の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左右さ
れるが、通常1分〜5時間、好ましくは5分〜3時間で
ある。また、反応中は、反応系のpoを10以上に保持
することが望ましい。
の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左右さ
れるが、通常1分〜5時間、好ましくは5分〜3時間で
ある。また、反応中は、反応系のpoを10以上に保持
することが望ましい。
一方後者のエステル交換法においては、前記一般式(I
I[)および(IV)で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる0反応は通常100〜350℃、好ましく
は200〜300℃の範囲の温度において行われ、また
減圧度は最終で好ましくはlmHg以下にして、エステ
ル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネート
から由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時
間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常
1〜4時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不
活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に
応じ、前記の分子!調節剤や酸化防止剤などを添加して
、反応を行ってもよい。
I[)および(IV)で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる0反応は通常100〜350℃、好ましく
は200〜300℃の範囲の温度において行われ、また
減圧度は最終で好ましくはlmHg以下にして、エステ
ル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネート
から由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時
間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常
1〜4時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不
活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に
応じ、前記の分子!調節剤や酸化防止剤などを添加して
、反応を行ってもよい。
また、あらかじめ式(III)で表されるビスフェノー
ルとホスゲンを重縮合させたり、ビスフェノールと炭酸
ジフェニルを重縮合させてオリゴマーを得、このオリゴ
マーと式(IV)で表される二価フェノールを反応させ
てもよいし、逆に、あらかじめ式(IV)で表される二
価フェノールとホスゲンあるいは炭酸ジフェニルを重縮
合させておき、その後ビスフェノール(III)を反応
させてもよい。
ルとホスゲンを重縮合させたり、ビスフェノールと炭酸
ジフェニルを重縮合させてオリゴマーを得、このオリゴ
マーと式(IV)で表される二価フェノールを反応させ
てもよいし、逆に、あらかじめ式(IV)で表される二
価フェノールとホスゲンあるいは炭酸ジフェニルを重縮
合させておき、その後ビスフェノール(III)を反応
させてもよい。
このようにして得られた本発明の重合体は、前記一般式
(1)または(I)および(IF)で表される繰り返し
単位からなる新規なポリカーボネート系重合体であり、
塩化メチレンを溶媒とする0゜5 g/d x濃度の溶
液の温度20℃における還元粘度(77sp/c〕が0
.3dl/g以上である。
(1)または(I)および(IF)で表される繰り返し
単位からなる新規なポリカーボネート系重合体であり、
塩化メチレンを溶媒とする0゜5 g/d x濃度の溶
液の温度20℃における還元粘度(77sp/c〕が0
.3dl/g以上である。
本発明の重合体の成形法としては、通常ポリカーボネー
ト樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法
、圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるロー
リンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意
の方法を使用することができる。
ト樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法
、圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるロー
リンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意
の方法を使用することができる。
前記成形法においては、本発明の重合体をそのまま成形
してもよいが、所望に応じ、該重合体に各種の成分、例
えば着色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エス
テル類、メルトインデックス値を増大させるための可塑
剤などを配合して成形してもよいし、また、本発明の重
合体の特性を損なわない範囲で、他の樹脂を配合して成
形してもよい。
してもよいが、所望に応じ、該重合体に各種の成分、例
えば着色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エス
テル類、メルトインデックス値を増大させるための可塑
剤などを配合して成形してもよいし、また、本発明の重
合体の特性を損なわない範囲で、他の樹脂を配合して成
形してもよい。
この際使用される亜リン酸エステル類としては、例えば
トリブチルホスファイト、トリス(2−エチルヘキシル
)ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホス
ファイト、2−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフェニルホスファイト、フェニル−ジー2−
エチルへキシルホスファイト、フェニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
トリブチルホスファイト、トリス(2−エチルヘキシル
)ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホス
ファイト、2−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフェニルホスファイト、フェニル−ジー2−
エチルへキシルホスファイト、フェニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
また、可塑剤としては、例えば2−エチルへキシルフタ
レート、n−ブチルフタレート、イソデカニルフタレー
ト、トリデカニルフタレート、へブチルフタレート、ノ
ニルフタレートなどのアルキルフタレート類、2−エチ
ルへキシルアジペート、2−エチルヘキシルセバケート
などの二塩基酸のアルキルエステル類、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸
トリフェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキ
シ化オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチル
などのエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエス
テル系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられ
る。
レート、n−ブチルフタレート、イソデカニルフタレー
ト、トリデカニルフタレート、へブチルフタレート、ノ
ニルフタレートなどのアルキルフタレート類、2−エチ
ルへキシルアジペート、2−エチルヘキシルセバケート
などの二塩基酸のアルキルエステル類、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸
トリフェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキ
シ化オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチル
などのエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエス
テル系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられ
る。
本発明で得られた重合体には、その他に、例えば紫外線
吸収剤、着色剤、螢光増白剤、難燃剤、帯電防止剤、充
填剤、補強剤などを必要に応じ添加配合してもよい。
吸収剤、着色剤、螢光増白剤、難燃剤、帯電防止剤、充
填剤、補強剤などを必要に応じ添加配合してもよい。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
内容積2I!のフラスコに、式(III)の二価フェノ
ールとして2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4−メチルフェニル)−エタン90gを8重量
%濃度の水酸化ナトリウム水溶液6Q Q m j!に
溶解させた溶液と、塩化メチレン300m1、分子量調
節剤としてp−t−ブチルフェノール2.0g、触媒と
してトリエチルアミンの10重量%水溶液1 m Aを
加え、攪拌下にホスゲンガスを30分間吹き込み、反応
を行った0反応生成物の塩化メチレン溶液をさらに塩化
メチレンで希釈して全体を11とし、水ll、0.01
規定の水酸化ナトリウム水溶液500rnl水500m
t、0.01規定濃度の塩酸50 QmJ、水500m
1の順で洗浄して、メタノール中に注入し、白色の重合
体92gを得た。
ールとして2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−2−(4−メチルフェニル)−エタン90gを8重量
%濃度の水酸化ナトリウム水溶液6Q Q m j!に
溶解させた溶液と、塩化メチレン300m1、分子量調
節剤としてp−t−ブチルフェノール2.0g、触媒と
してトリエチルアミンの10重量%水溶液1 m Aを
加え、攪拌下にホスゲンガスを30分間吹き込み、反応
を行った0反応生成物の塩化メチレン溶液をさらに塩化
メチレンで希釈して全体を11とし、水ll、0.01
規定の水酸化ナトリウム水溶液500rnl水500m
t、0.01規定濃度の塩酸50 QmJ、水500m
1の順で洗浄して、メタノール中に注入し、白色の重合
体92gを得た。
この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする0、 5g/
d 1濃度の溶液の20℃において測定(以下の実施例
も同一条件で測定)した還元粘度〔ηsp/c)が0.
56 d l1gT!アリ1.’/ ’y ス転移A度
(Tg)は164℃であった。また、この重合体の赤外
線吸収スペクトル分析により、1650clI−1の位
置にカルボニル基による吸収、1240aa−1の位置
にエーテル基による吸収がみられ、カーボネート結合を
有することが認められた。このことから、この重合体は
下記繰り返し単位からなるポリカーボネートと認められ
る。
d 1濃度の溶液の20℃において測定(以下の実施例
も同一条件で測定)した還元粘度〔ηsp/c)が0.
56 d l1gT!アリ1.’/ ’y ス転移A度
(Tg)は164℃であった。また、この重合体の赤外
線吸収スペクトル分析により、1650clI−1の位
置にカルボニル基による吸収、1240aa−1の位置
にエーテル基による吸収がみられ、カーボネート結合を
有することが認められた。このことから、この重合体は
下記繰り返し単位からなるポリカーボネートと認められ
る。
H3
次に、この重合体の光弾性係数を測定したところ43X
10−” dyne/−であった。以上の結果をまとめ
て表に示す。
10−” dyne/−であった。以上の結果をまとめ
て表に示す。
実施例2
2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−
メチルフェニル)エタンに代え、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−2−(4−メトキシフェニル)エ
タン90gを用いたほかは実施例1と同様の操作をして
、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート93g
を得た。
メチルフェニル)エタンに代え、2,2−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−2−(4−メトキシフェニル)エ
タン90gを用いたほかは実施例1と同様の操作をして
、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート93g
を得た。
Hs
このポリカーボネートの諸性質は表に示すとおりであっ
た。
た。
実施例3
2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−
メチルフェニル)エタンに代え、1.1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−(4−フェノキシフェニル)
エタン90gを用いたほかは実施例1と同様にして、下
記の繰り返し単位からなるポリカーボネート92gを得
た。
メチルフェニル)エタンに代え、1.1−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)−1−(4−フェノキシフェニル)
エタン90gを用いたほかは実施例1と同様にして、下
記の繰り返し単位からなるポリカーボネート92gを得
た。
このポリカーボネートの諸性質は表に示すとおりであっ
た。
た。
実施例4
2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−
メチルフェニル)エタンに代え、2,2−ビス(3−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メトキシ
フェニル)エタン90gを用いたほかは、実施例1と同
様にして、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネー
ト95gを得た。
メチルフェニル)エタンに代え、2,2−ビス(3−メ
チル−4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メトキシ
フェニル)エタン90gを用いたほかは、実施例1と同
様にして、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネー
ト95gを得た。
CHs CH3CHs 0
暑
lh
このポリカーボネートの諸性質は表に示すとおりであっ
た。
た。
実施例5
式(II[)の二価フェノールとして、2.2−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メチルフェニル
)エタン45gと、式(IV)の二価フェノールとして
2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン45
gを用いたほかは、実施例1と同様の操作をして、下記
の繰り返し単位からなるポリカーボネート共重合体93
gを得た。
4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メチルフェニル
)エタン45gと、式(IV)の二価フェノールとして
2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン45
gを用いたほかは、実施例1と同様の操作をして、下記
の繰り返し単位からなるポリカーボネート共重合体93
gを得た。
Hj
このポリカーボネート共重合体の性質は表に示すとおり
であった。
であった。
実施例6
弐(I[I)の二価フェノールとして、2.2−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メチルフェニル
)エタン45gと、式〔■〕の二価フェノールとして2
,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン45gを用いたほかは実施例1と同様の操作をし
て、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート共重
合体92gを得た。
4−ヒドロキシフェニル)−2−(4−メチルフェニル
)エタン45gと、式〔■〕の二価フェノールとして2
,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン45gを用いたほかは実施例1と同様の操作をし
て、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネート共重
合体92gを得た。
このポリカーボネート共重合体の諸性質は表に示すとお
りであった。
りであった。
実施例7
式(III)の二価フェノールとして2.2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル’)−2−(4−メチルフェニル
)エタン45gと、式(It/)の二価フェノールとし
て、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン45gを用いたほかは実施例1と同様の操
作をして、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネー
ト共重合体93gを得た。
−ヒドロキシフェニル’)−2−(4−メチルフェニル
)エタン45gと、式(It/)の二価フェノールとし
て、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン45gを用いたほかは実施例1と同様の操
作をして、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネー
ト共重合体93gを得た。
このポリカーボネート共重合体の諸性質は表に示すとお
りであった。
りであった。
比較例に
二価フェノールとして、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン90gを用いたほかは、実施例1と
同様の操作をして、下記の繰り返し単位からなる一般の
ポリカーボネート95gを得た。このものの諸性質を表
に示す。
フェニル)プロパン90gを用いたほかは、実施例1と
同様の操作をして、下記の繰り返し単位からなる一般の
ポリカーボネート95gを得た。このものの諸性質を表
に示す。
以下余白
〔発明の効果〕
本発明のポリカーボネート系重合体は新規なものであっ
て、光弾性係数が小さく、光学的に優れた特性を有する
エンジニアリングプラスチックであり、デジタルオーデ
ィオディスクや光メモリ−ディスク等の光学機器用素材
、電気・電子機器用素材としてその工業的価値は極めて
大である。
て、光弾性係数が小さく、光学的に優れた特性を有する
エンジニアリングプラスチックであり、デジタルオーデ
ィオディスクや光メモリ−ディスク等の光学機器用素材
、電気・電子機器用素材としてその工業的価値は極めて
大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中、R^1、R^2、R^3はそれぞれ水素、C_
1〜C_5のアルキル基またはC_6〜C_1_2のア
リール基であり、X^1、X^2、X^3、X^4はそ
れぞれ水素、ハロゲン原子またはC_1〜C_5のアル
キル基であり、YはC_1〜C_5のアルキル基、C_
1〜C_5のアルコキシ基、C_6〜C_1_0のフェ
ノキシ基またはハロゲン原子である)で表される繰り返
し単位からなり、〔 I 〕で表される繰り返し単位の数
をm個、〔II〕で表される繰り返し単位の数をn個とし
たときのm/m+nの値が0.05〜1を満足し、かつ
塩化メチレンを溶媒とする0.5g/dl濃度の溶液の
20℃における還元粘度〔ηsp/c〕が0.3dl/
g以上であることを特徴とする新規重合体。 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 および 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 (式中、R^1、R^2、R^3はそれぞれ水素、C_
1〜C_5のアルキル基またはC_6〜C_1_2のア
リール基であり、X^1、X^2、X^3、X^4はそ
れぞれ水素、ハロゲン原子またはC_1〜C_5のアル
キル基であり、YはC_1〜C_5のアルキル基、C_
1〜C_5のアルコキシ基、C_6〜C_1_0のフェ
ノキシ基またはハロゲン原子である)で表される二価フ
ェノールを〔III〕/〔III〕+〔IV〕のモル比が0.0
5〜1となるように使用して、これに炭酸エステル形成
性化合物を反応させることを特徴とする 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中、R^1、R^2、R^3、X^1、X^2、X
^3、X^4、Yは前記と同じ意味を有する)で表され
る繰り返し単位からなり、〔 I 〕で表される繰り返し
単位の数をm個、〔II〕で表される繰り返し単位の数を
n個としたときのm/m+nの値が0.05〜1を満足
し、かつ塩化メチレンを溶媒とする0.5g/dl濃度
の溶液の20℃における還元粘度〔ηsp/c〕が0.
3dl/g以上であることを特徴とする新規重合体の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61211735A JP2538566B2 (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 新規重合体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61211735A JP2538566B2 (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 新規重合体とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6368632A true JPS6368632A (ja) | 1988-03-28 |
JP2538566B2 JP2538566B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=16610720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61211735A Expired - Fee Related JP2538566B2 (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 新規重合体とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2538566B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6487622A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Daicel Chem | Polycarbonate copolymer |
EP0362792A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5098332A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
JPS58179224A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学用樹脂組成物および光学用素子 |
JPS60166322A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光学機器用素材 |
JPS6245623A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP61211735A patent/JP2538566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5098332A (ja) * | 1973-12-26 | 1975-08-05 | ||
JPS58179224A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-10-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学用樹脂組成物および光学用素子 |
JPS60166322A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光学機器用素材 |
JPS6245623A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6487622A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Daicel Chem | Polycarbonate copolymer |
EP0362792A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Aromatic polycarbonate copolymer and optical disk having a substrate of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2538566B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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