JPS60166321A - 光学機器用素材 - Google Patents
光学機器用素材Info
- Publication number
- JPS60166321A JPS60166321A JP59021869A JP2186984A JPS60166321A JP S60166321 A JPS60166321 A JP S60166321A JP 59021869 A JP59021869 A JP 59021869A JP 2186984 A JP2186984 A JP 2186984A JP S60166321 A JPS60166321 A JP S60166321A
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- Japan
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- copolymer
- represented
- sec
- methylene chloride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
。
オディスクや光メモリ−ディスクに適した素材に関する
。
一般に、上述したような光学機器用素材には様様な性能
が要求されておシ、例えば透明性、耐熱性、耐湿性１機
械的強度にすぐれていると共に、光学的な性質にすぐれ
ていることが必要である。
が要求されておシ、例えば透明性、耐熱性、耐湿性１機
械的強度にすぐれていると共に、光学的な性質にすぐれ
ていることが必要である。
このような性能を有する素材としては、従来からメタク
リル樹脂などが知られているが、このものは耐熱性や耐
湿性、耐衝撃性の点で未だ充分なものとは言い難いとい
う欠点がある。また、ビスフェノールＡ（２，２−ビス
（４′−ヒドロキシフェ二／ｌ／ 、） ｆ ｏ ｚ＜
ン）ヲホスゲンや炭酸ジフェニル等と反応させて得られ
るポリカーボネート樹脂は、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性
などにおいてすぐれているものの、成形加工時の流動性
を示す流れ値が小さいため成形加工後の残留応力が大き
く、これに基因して成形品の複屈折が犬きくなり、ディ
スクに記録された情報の読み取り感度が低下するという
難点がある。
リル樹脂などが知られているが、このものは耐熱性や耐
湿性、耐衝撃性の点で未だ充分なものとは言い難いとい
う欠点がある。また、ビスフェノールＡ（２，２−ビス
（４′−ヒドロキシフェ二／ｌ／ 、） ｆ ｏ ｚ＜
ン）ヲホスゲンや炭酸ジフェニル等と反応させて得られ
るポリカーボネート樹脂は、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性
などにおいてすぐれているものの、成形加工時の流動性
を示す流れ値が小さいため成形加工後の残留応力が大き
く、これに基因して成形品の複屈折が犬きくなり、ディ
スクに記録された情報の読み取り感度が低下するという
難点がある。
本発明の目的は、耐熱性や機械的強度を充分に維持する
とともに、ポリカーボネート樹脂の欠点である成形加工
性を改善することによって光学的性質の向上した素材を
提供することにある。
とともに、ポリカーボネート樹脂の欠点である成形加工
性を改善することによって光学的性質の向上した素材を
提供することにある。
すなわち本発明は
ＣＨ３
で表わされる繰返し単位（１）および
一般式
で表わされる繰返し単位〔■〕（式中、Ｒは−（ＣＨ２
）＋１−１−０− （Ｃｔ（ｚ）ｎ−ｏ−または（８翅
痔Ｃを示す。但し、ｎは１〜１０１ｍは４〜１１を示す
。）を有し、かつ前記繰返し単位（Ｉ）および〔ＩＩ〕
のモル分率をそれぞれａおよびｂとしだときの−の値が
０．５〜０．９であると共に、２０°Ｃａ＋ｂ における濃度０．５９／ｄＡの塩化メチレン溶液の還元
粘度（’７ ｓｐ／ｃ ）が０．３ｄＡ／９−以上であ
って流れ値（ＪＩＳ −Ｋ −６７１９）が１０ Ｘ
１０−２ｍ１！／ ８６０以上の共重合体からなる光学
機器用素材を提供するものである。
）＋１−１−０− （Ｃｔ（ｚ）ｎ−ｏ−または（８翅
痔Ｃを示す。但し、ｎは１〜１０１ｍは４〜１１を示す
。）を有し、かつ前記繰返し単位（Ｉ）および〔ＩＩ〕
のモル分率をそれぞれａおよびｂとしだときの−の値が
０．５〜０．９であると共に、２０°Ｃａ＋ｂ における濃度０．５９／ｄＡの塩化メチレン溶液の還元
粘度（’７ ｓｐ／ｃ ）が０．３ｄＡ／９−以上であ
って流れ値（ＪＩＳ −Ｋ −６７１９）が１０ Ｘ
１０−２ｍ１！／ ８６０以上の共重合体からなる光学
機器用素材を提供するものである。
上記繰返し単位（Ｉ）および（ｎ）を有する共重合体の
重合度は光学機器の種類に応じて適宜選定すればよいが
、濃度０．５７／ｄＡの塩化メチレン溶液の２０°Ｃに
おける還元粘度（ηｓｐ／ｃ）が０．３ｄ、ｇ／り以上
の好ましくは０．４〜１．Ｏｄ４／９の共重合体となる
ように重合させるべきである。また上記繰返し単位（１
）のモル分率をａ１上記繰返し単位Ｃ１１）のモル分率
をｂとしたとき、−の値が０．５〜０．９、ａ＋ｂ 好ましくは０．６〜０．８となるように調節する。ここ
で丁４の値が０．５未満であると得られる共重合体の耐
熱性が低下し、一方０．９を超えると成形加工性が低下
して複屈折が大きくなるので好ましくない。
重合度は光学機器の種類に応じて適宜選定すればよいが
、濃度０．５７／ｄＡの塩化メチレン溶液の２０°Ｃに
おける還元粘度（ηｓｐ／ｃ）が０．３ｄ、ｇ／り以上
の好ましくは０．４〜１．Ｏｄ４／９の共重合体となる
ように重合させるべきである。また上記繰返し単位（１
）のモル分率をａ１上記繰返し単位Ｃ１１）のモル分率
をｂとしたとき、−の値が０．５〜０．９、ａ＋ｂ 好ましくは０．６〜０．８となるように調節する。ここ
で丁４の値が０．５未満であると得られる共重合体の耐
熱性が低下し、一方０．９を超えると成形加工性が低下
して複屈折が大きくなるので好ましくない。
さらに、流れ値（ＪＩＳ−に−６７１９に準拠）に関し
ては、１０ Ｘ １０””ｍｌ／ｓｅｃ以上の良流動性
を有することが必要であり、好ましくは２０×１０”−
２ｍ１／ｓｅｃ以上である。流れ値が１０×１０−２ｍ
１／ ｓｅｃ、未満では成形後の歪による複屈折が大き
くなり光学機器用素材に適さないものとなる。
ては、１０ Ｘ １０””ｍｌ／ｓｅｃ以上の良流動性
を有することが必要であり、好ましくは２０×１０”−
２ｍ１／ｓｅｃ以上である。流れ値が１０×１０−２ｍ
１／ ｓｅｃ、未満では成形後の歪による複屈折が大き
くなり光学機器用素材に適さないものとなる。
上述の共重合体は様々な方法により製造することができ
るが、例えば 式 で表わされる２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）およびで表わされる二価
フェノールとホスゲンの重縮合により製造することがで
きる。また、このようなホスゲン法ポリカーボネートの
製法に従う方法の他に、炭酸ジフェニルを用いるエステ
ル交換法ポリカーボネートの製法に従って行なうことも
てきる。なお、この場合式（１）で表わされるビスフェ
ノールＡと一般式（ＩＶ）で表わされる二価フェノール
をモノマーのまま直接混合し、ホスゲンあるいは炭酸ジ
フェニルと共に反応させてもよく、或いは予め式（ＩＩ
Ｉ）で表わされるビスフェノールＡとホスゲンを重縮合
させたり、ビスフェノールＡと炭酸ジフェニルを重縮合
させてオリゴマーを得、このオリゴマーと一般式（ＩＶ
）で表わされる二価フェノールを反応させてもよい。ま
た、逆に予め一般式（ＩＶ）で表わされる二価フェノー
ルとホスゲン或いは炭酸ジフェニルを重縮合させておき
、その後ビスフェノールＡと反応させてもよい。
るが、例えば 式 で表わされる２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）およびで表わされる二価
フェノールとホスゲンの重縮合により製造することがで
きる。また、このようなホスゲン法ポリカーボネートの
製法に従う方法の他に、炭酸ジフェニルを用いるエステ
ル交換法ポリカーボネートの製法に従って行なうことも
てきる。なお、この場合式（１）で表わされるビスフェ
ノールＡと一般式（ＩＶ）で表わされる二価フェノール
をモノマーのまま直接混合し、ホスゲンあるいは炭酸ジ
フェニルと共に反応させてもよく、或いは予め式（ＩＩ
Ｉ）で表わされるビスフェノールＡとホスゲンを重縮合
させたり、ビスフェノールＡと炭酸ジフェニルを重縮合
させてオリゴマーを得、このオリゴマーと一般式（ＩＶ
）で表わされる二価フェノールを反応させてもよい。ま
た、逆に予め一般式（ＩＶ）で表わされる二価フェノー
ルとホスゲン或いは炭酸ジフェニルを重縮合させておき
、その後ビスフェノールＡと反応させてもよい。
との重縮合の際の条件は上記一般式（ＩＶ）で表わされ
る二価フェノールの種類、所望する共重合体の重合度な
どにより一義的に定めることはできないが、通常は塩化
メチレン、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素やピ
リジンなどの溶媒中で適当な触媒、アルカリ、分子量調
節剤などを用いればよい。ここで、分子量調節剤として
は様々な一価フエノールをあげることができるが、好ま
しいまた、ｌ記一般式（ＩＶ）で表わされる二価フェノ
ールとしては様々なものがあるが、例えば式 で表すされるビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン。
る二価フェノールの種類、所望する共重合体の重合度な
どにより一義的に定めることはできないが、通常は塩化
メチレン、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素やピ
リジンなどの溶媒中で適当な触媒、アルカリ、分子量調
節剤などを用いればよい。ここで、分子量調節剤として
は様々な一価フエノールをあげることができるが、好ま
しいまた、ｌ記一般式（ＩＶ）で表わされる二価フェノ
ールとしては様々なものがあるが、例えば式 で表すされるビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン。
式
で表わされる１、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
エタン。
エタン。
式
で表わされる１、６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサン。
ヘキサン。
式
で表わされるメチレン−ジー（４−ヒドロキシフェニル
）エーテル。
）エーテル。
式
％式％
式
で表わされるヘキサメチレン−ジー（４−ヒドロキシフ
ェニル）エーテル。
ェニル）エーテル。
式
で表わされる１、１−ジー（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサンなどを挙げることができる。
シクロヘキサンなどを挙げることができる。
本発明の共重合体を構成する繰返し単位（１）は式（Ｉ
ＩＩ）で表わされるビスフェノールＡとホスゲン等との
反応により形成され、また繰返し単位（ＩＩ）は一般式
（ＩＶ）で表わされる二価フェノールとホスゲン等との
反応により形成される。従って、共重合体における繰返
し単位（１）、（１１）の所望するモル分率に応じて、
ビスフェノールＡと一般式１／）で表わされる二価フェ
ノールの使用量を適宜選定すればよく、また上記の一般
式（ＩＶ）で表わされる二価フェノールの種類も、所望
する繰返し単位（ＩＩ）の種類により、上述した具体例
の中あるいはそれ以外から選定すればよい。
ＩＩ）で表わされるビスフェノールＡとホスゲン等との
反応により形成され、また繰返し単位（ＩＩ）は一般式
（ＩＶ）で表わされる二価フェノールとホスゲン等との
反応により形成される。従って、共重合体における繰返
し単位（１）、（１１）の所望するモル分率に応じて、
ビスフェノールＡと一般式１／）で表わされる二価フェ
ノールの使用量を適宜選定すればよく、また上記の一般
式（ＩＶ）で表わされる二価フェノールの種類も、所望
する繰返し単位（ＩＩ）の種類により、上述した具体例
の中あるいはそれ以外から選定すればよい。
なお本発明の共重合体を用いてディスク等を成形するに
あたっては、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの通常の添
加剤を配合してもよい。
あたっては、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの通常の添
加剤を配合してもよい。
このようにして得られる本発明の共重合体は、光弾性係
数は従来のポリカーボネート樹脂とほぼ同等であるが、
成形加工時の流動性を示す流れ値が、従来のポリカーボ
ネート樹脂に比べ格段に大きく、成形加工後の残留応力
が少なくて成形歪が少ないため光の複屈折率が小さい。
数は従来のポリカーボネート樹脂とほぼ同等であるが、
成形加工時の流動性を示す流れ値が、従来のポリカーボ
ネート樹脂に比べ格段に大きく、成形加工後の残留応力
が少なくて成形歪が少ないため光の複屈折率が小さい。
したがって、本発明の共重合体を各種光学機器の素材と
して用いれば光学的性質が改良されているためディスク
に記録された情報の読み取り感度が高く、エラーの発生
の少ない光学機器が得られる。また、熱的にも機械的に
も良好な素材であるため、これを用いて作られた光学機
器は様々な条件下で安定して作動する。
して用いれば光学的性質が改良されているためディスク
に記録された情報の読み取り感度が高く、エラーの発生
の少ない光学機器が得られる。また、熱的にも機械的に
も良好な素材であるため、これを用いて作られた光学機
器は様々な条件下で安定して作動する。
それ故、本発明の素材は、デジタルオーディオディスク
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例 １
２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ｆ口パン６７
９ （０，２９モル）を水酸化ナトリウム水溶液（濃度
６重量％）４５０ｍｌに溶解し、これに溶媒として塩化
メチレン２ｏｏｍｇを加えて攪拌しながら、この混合液
中にホスゲンガスを室温で８００ｍ１１分の供給割合で
吹込み、反応系のＰＨが９まで低下した時点でホスゲン
ガスの吹込みを停止した。次いで生成物を静置分離する
ことにより有機相に分子末端にクロロホーメート基を有
する重合度２〜３のポリカーボネート・オリゴマーを得
た。
９ （０，２９モル）を水酸化ナトリウム水溶液（濃度
６重量％）４５０ｍｌに溶解し、これに溶媒として塩化
メチレン２ｏｏｍｇを加えて攪拌しながら、この混合液
中にホスゲンガスを室温で８００ｍ１１分の供給割合で
吹込み、反応系のＰＨが９まで低下した時点でホスゲン
ガスの吹込みを停止した。次いで生成物を静置分離する
ことにより有機相に分子末端にクロロホーメート基を有
する重合度２〜３のポリカーボネート・オリゴマーを得
た。
次に、このポリカーボネート・オリヒマ−の塩化メチレ
ン溶液２５０ｍ１をさらに塩化メチレンで希釈して全体
を４５０ｍ１とした。このオリゴマー溶ｉＫ 、エチレ
ン−ジー（４−ヒドロキシフェニル）エーテル２ ａ、
ｔ ９ （ｏ、ｔ １モル）を水酸化ナトリウム水溶液
（濃度２規定）１４ｏｍ／！に溶解した溶液な加えて激
しく攪拌し、さらに重合触媒とし７てトリエチルアミン
水溶液（濃度０．５モル／石）ｌ ｍｌを加え、室温に
おいて１時間重合反応を行なった。重合反応終了後、反
応生成物を塩化メチレン１石で希釈し、水、水酸化ナト
リウム水溶液（濃度０．０１規定）、水、塩酸（濃度０
．０１規定）。
ン溶液２５０ｍ１をさらに塩化メチレンで希釈して全体
を４５０ｍ１とした。このオリゴマー溶ｉＫ 、エチレ
ン−ジー（４−ヒドロキシフェニル）エーテル２ ａ、
ｔ ９ （ｏ、ｔ １モル）を水酸化ナトリウム水溶液
（濃度２規定）１４ｏｍ／！に溶解した溶液な加えて激
しく攪拌し、さらに重合触媒とし７てトリエチルアミン
水溶液（濃度０．５モル／石）ｌ ｍｌを加え、室温に
おいて１時間重合反応を行なった。重合反応終了後、反
応生成物を塩化メチレン１石で希釈し、水、水酸化ナト
リウム水溶液（濃度０．０１規定）、水、塩酸（濃度０
．０１規定）。
水の順で洗浄し、最後に反応生成物をメタノール中に投
入し共重合体９８．０ ｇを回収した。
入し共重合体９８．０ ｇを回収した。
得られた共重合体は核磁気共鳴（ＮＭＲ）による分析の
結果、−の値は０．８８であり、また濃度ａ＋ｌ） ０．５Ｖｄ、ｅの塩化メチレン溶液の２０℃における還
元粘度（ηｓｐ／ｃ ）は０．６６ｄ−１３／９であっ
た。さらに、この共重合体についてガラス転移温度なら
びに成形加工性を示す流れ値（ＪＩＳ−に−６７１９）
を測定した。また、この共重合体Ｑｚｓｏ℃においてゾ
レス成形し、肉厚０．３１０１のシートとし、波長６３
３簡において光弾性係数を測定した。結果を第１表に示
す。
結果、−の値は０．８８であり、また濃度ａ＋ｌ） ０．５Ｖｄ、ｅの塩化メチレン溶液の２０℃における還
元粘度（ηｓｐ／ｃ ）は０．６６ｄ−１３／９であっ
た。さらに、この共重合体についてガラス転移温度なら
びに成形加工性を示す流れ値（ＪＩＳ−に−６７１９）
を測定した。また、この共重合体Ｑｚｓｏ℃においてゾ
レス成形し、肉厚０．３１０１のシートとし、波長６３
３簡において光弾性係数を測定した。結果を第１表に示
す。
実施例 ２
実施例１において、エチレン−ジー（４−ヒドロキシフ
ェニル）エーテルに化工Ｃ１１、ａ −ヒス（４−ヒド
ロキシフエニｙ ）ヘキサン２２．５ ！７（Ｏ，ＯＳ
モル）を用いたこと以外は実施例１と同様にして共重合
体を得た。この共重合体のａ＋ｂの値は０．８１であり
、また濃度０．５り／ｄｅの塩化メチレン溶液の２０℃
における還元粘度〔ηｓｐ／ｃ）は０．７３ ｄ、ｅ／
９であった。またガラス転移温度。
ェニル）エーテルに化工Ｃ１１、ａ −ヒス（４−ヒド
ロキシフエニｙ ）ヘキサン２２．５ ！７（Ｏ，ＯＳ
モル）を用いたこと以外は実施例１と同様にして共重合
体を得た。この共重合体のａ＋ｂの値は０．８１であり
、また濃度０．５り／ｄｅの塩化メチレン溶液の２０℃
における還元粘度〔ηｓｐ／ｃ）は０．７３ ｄ、ｅ／
９であった。またガラス転移温度。
流れ値ならびに光弾性係数を第１表に示す。
比較例 １
市販のポリカーボネート樹脂（還元粘度（ηｓｐ／ｃ）
：０．５１ ｄ−θ′り）につきガラス転移温度、流れ
値ならびに光弾性係数を第１表に示す。
：０．５１ ｄ−θ′り）につきガラス転移温度、流れ
値ならびに光弾性係数を第１表に示す。
以上の結果から、本発明の素材は耐熱性に関し、市販の
ポリカーボネート樹脂には劣っているもののメタクリル
樹脂（ガラス転移温度：１０５℃）に比し十分に高い耐
熱性を有しており、しかも素材の成形加工時の流動性を
示す流れ値が市販のポリカーボネート樹脂に比し格段に
すぐれており、成形加二［後の残留応力が少なくて成形
歪が少ないため成形品の複屈折を低く抑えうろことが判
る。
ポリカーボネート樹脂には劣っているもののメタクリル
樹脂（ガラス転移温度：１０５℃）に比し十分に高い耐
熱性を有しており、しかも素材の成形加工時の流動性を
示す流れ値が市販のポリカーボネート樹脂に比し格段に
すぐれており、成形加二［後の残留応力が少なくて成形
歪が少ないため成形品の複屈折を低く抑えうろことが判
る。
特許出願人 出光興産株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 で表わされる繰返し単位〔■〕（式中、Ｒは１１を示す
。）を有し、かつ前記繰返し単位（Ｉ）および（Ｉｔ）
のモル分率をそれぞれａおよびｂとしたときのｉ下の値
が０．５〜０．９であると共に、２０℃にオｆｆル＋１
ｌｌｔ ｏ、ｓ ９／ｄｉ の塩化メチレン溶液の還元
粘度（ηｓｐ／ｃ ）が０．３ｄ４／９以上であって流
れ値（ＪＩＳ−に−６７１９）が１ｏｘｔｏ−２ｍｊｌ
／ ｓｅｃ以上の共重合体からなる光学機器用素材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021869A JPS60166321A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021869A JPS60166321A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60166321A true JPS60166321A (ja) | 1985-08-29 |
| JPH0414705B2 JPH0414705B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=12067129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021869A Granted JPS60166321A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 光学機器用素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60166321A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623443A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フレキシブル光デイスク及びその製造方法 |
| JPS6456728A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Idemitsu Petrochemical Co | Polycarbonate for disc substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826892A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-09 | ||
| JPS58126119A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的特性のすぐれた成形物の製造法 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021869A patent/JPS60166321A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826892A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-09 | ||
| JPS58126119A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的特性のすぐれた成形物の製造法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623443A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フレキシブル光デイスク及びその製造方法 |
| JPH0375944B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1991-12-03 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS6456728A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Idemitsu Petrochemical Co | Polycarbonate for disc substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0414705B2 (ja) | 1992-03-13 |
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