JPS61213218A - 光学機器用素材 - Google Patents
光学機器用素材Info
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- JPS61213218A JPS61213218A JP5332685A JP5332685A JPS61213218A JP S61213218 A JPS61213218 A JP S61213218A JP 5332685 A JP5332685 A JP 5332685A JP 5332685 A JP5332685 A JP 5332685A JP S61213218 A JPS61213218 A JP S61213218A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスクなどに適した素材に関
する。
オディスクや光メモリ−ディスクなどに適した素材に関
する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕一般
に、上述したような光学機器用の素材には様々な性能が
要求されている。例えば、透明性。
に、上述したような光学機器用の素材には様々な性能が
要求されている。例えば、透明性。
耐熱性、低透湿性９機械的強度等に優れているとともに
光学的性質に優れていることが必要である。
光学的性質に優れていることが必要である。
従来、このような性質を有するものの一つとして、メタ
クリル樹脂が知られているが、このものは耐熱性や低透
湿性、耐衝撃性などの点において未だ充分なものとは言
い難いという欠点がある。
クリル樹脂が知られているが、このものは耐熱性や低透
湿性、耐衝撃性などの点において未だ充分なものとは言
い難いという欠点がある。
また、ビスフェノールＡ（２，２−ビス（４′−ヒドロ
キシフェニル）プロパン）をホスゲンや炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂が光学機
器用素材として使用しうろことも知られているが、この
ものは耐熱性、低透湿性。
キシフェニル）プロパン）をホスゲンや炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂が光学機
器用素材として使用しうろことも知られているが、この
ものは耐熱性、低透湿性。
耐衝撃性などにおいて優れているものの、光弾性係数が
比較“的大きく、しかも成形加工時の流動性を示す流れ
値が小さい。そのため成形加工後の残留応力による成形
品の歪みが大きく、これらに基因して成形品の複屈折が
大きくなり、ディスクに記録された情報の読み取り感度
が低下するという難点がある。このようＫ、未だ光学機
器用素材として充分に満足すべきものは得られていない
。
比較“的大きく、しかも成形加工時の流動性を示す流れ
値が小さい。そのため成形加工後の残留応力による成形
品の歪みが大きく、これらに基因して成形品の複屈折が
大きくなり、ディスクに記録された情報の読み取り感度
が低下するという難点がある。このようＫ、未だ光学機
器用素材として充分に満足すべきものは得られていない
。
そこで本発明者らは耐熱性２機械的強度などポリカーボ
ネート樹脂の有する優れた特性を維持するとともに、特
にポリカーボネート樹脂の欠点である流動性、光弾性係
数などを改善するととＫよって、光学的性質の向上した
素材を開発するために鋭意研究を重ねた。
ネート樹脂の有する優れた特性を維持するとともに、特
にポリカーボネート樹脂の欠点である流動性、光弾性係
数などを改善するととＫよって、光学的性質の向上した
素材を開発するために鋭意研究を重ねた。
その結果、特定の共重合体が上記目的を達成しうるもの
であることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完
成した。
であることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完
成した。
すなわち本発明は
一般式
で表わされる繰り返し単位ＣＩ〕
（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜．５のアルキ
ル基、炭素数１〜５のアルコキシル基、アリール基、ア
リロキシ基あるいはハ四ゲン原子を示し、Ｘは炭素数１
〜３のアルキレン基、炭素数２〜３のアルキリデン基、
ａｌ素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルフィニル基
するいはスルホニル基ヲ示す。またｌ、ｍはそれぞれＯ
〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。） および 式 で表わされる繰り返し単位［１１）を有し、かつ前記繰
り返し単位ＣＩ］のモル分率が５〜５０％であるととも
Ｋ、２０℃における濃度Ｑ、５，９．にＵの塩化メチレ
ン溶液の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ ］が０．３〜１．５
ｄｉ／ｌの共重合体からなる光学機器用素材を提供する
ものである。
ル基、炭素数１〜５のアルコキシル基、アリール基、ア
リロキシ基あるいはハ四ゲン原子を示し、Ｘは炭素数１
〜３のアルキレン基、炭素数２〜３のアルキリデン基、
ａｌ素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルフィニル基
するいはスルホニル基ヲ示す。またｌ、ｍはそれぞれＯ
〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。） および 式 で表わされる繰り返し単位［１１）を有し、かつ前記繰
り返し単位ＣＩ］のモル分率が５〜５０％であるととも
Ｋ、２０℃における濃度Ｑ、５，９．にＵの塩化メチレ
ン溶液の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ ］が０．３〜１．５
ｄｉ／ｌの共重合体からなる光学機器用素材を提供する
ものである。
上記繰り返し単位ＣＩ）および（”Ｉ［）を有する共重
合体の重合度は光学機器の種類に応じて適宜定めれば良
いが、浸度ｏ、ｓｌＡの塩化メチレン溶液の２０℃にお
ける還元粘度〔ηａｐ／ｃ ］が０．３〜１．５ｄｊ／
ＪＦ、好ましくは０．３５〜１．ｏＯ咲りの共重合体と
なるように重合させるべきである。ここで、還元粘度が
０．３鵜句未満であると、共重合体が強度の低いものと
なり、１．５ｄｌ／ｐを超えると流動性が低下し、残留
歪が大きく光学的性質の低いものとなる。
合体の重合度は光学機器の種類に応じて適宜定めれば良
いが、浸度ｏ、ｓｌＡの塩化メチレン溶液の２０℃にお
ける還元粘度〔ηａｐ／ｃ ］が０．３〜１．５ｄｊ／
ＪＦ、好ましくは０．３５〜１．ｏＯ咲りの共重合体と
なるように重合させるべきである。ここで、還元粘度が
０．３鵜句未満であると、共重合体が強度の低いものと
なり、１．５ｄｌ／ｐを超えると流動性が低下し、残留
歪が大きく光学的性質の低いものとなる。
また、共重合体中繰り返し単位［’Ｉ）のモル分率が５
〜５０％、好ましくは１０〜４０％とすべきである。こ
の値が５％未満では、成形加工時の流動性が低く残留応
力が大きくなり、光弾性係数が充分に低くならない。ま
た５０％を超えると耐熱性が低下するため好ましくない
。
〜５０％、好ましくは１０〜４０％とすべきである。こ
の値が５％未満では、成形加工時の流動性が低く残留応
力が大きくなり、光弾性係数が充分に低くならない。ま
た５０％を超えると耐熱性が低下するため好ましくない
。
前記一般式
で表わされる繰り返し単位ＣＩ〕において、Ｒ”、Ｒ”
は前述したようにそれぞれ炭素数１〜５のアルキル基、
炭素数１〜５のアルコキシル基。
は前述したようにそれぞれ炭素数１〜５のアルキル基、
炭素数１〜５のアルコキシル基。
アリール基、アリロキシ基あるいは一ロゲン原子を示す
。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、メトキシル基、エトキシル基。
。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、メトキシル基、エトキシル基。
グロポキシル基、フェニル基、フェノキジル基。
塩素、臭素などがあげられる。なお、ｌ、ｍは０〜４の
整数であるので、０の場合は１１，１ｍは無置換、即ち
水素原子を示すこととなる。また、上記式において、Ｘ
はメチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素数１
〜３のアルキレン基、エチリデン基、グロビリデン基等
の炭素数２，３のアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子
、カルボニル基（−ＣＯ−） 、スルフィニル基（−５
Ｏ−） 、スルホニル基（−８０ｉ−）を示す。また、
ｎが０または１を示すことから、ｎがＯの場合はＸがな
くなり、二つのベンゼン環が直接結合する構造のもの、
即ち 一般式 （式中、Ｒ”ｊ Ｒ”ｔ ’ｔ ｍは前記と同じ。）
で表わされる繰り返し単位〔Ｉ〕となる。
整数であるので、０の場合は１１，１ｍは無置換、即ち
水素原子を示すこととなる。また、上記式において、Ｘ
はメチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素数１
〜３のアルキレン基、エチリデン基、グロビリデン基等
の炭素数２，３のアルキリデン基、酸素原子、硫黄原子
、カルボニル基（−ＣＯ−） 、スルフィニル基（−５
Ｏ−） 、スルホニル基（−８０ｉ−）を示す。また、
ｎが０または１を示すことから、ｎがＯの場合はＸがな
くなり、二つのベンゼン環が直接結合する構造のもの、
即ち 一般式 （式中、Ｒ”ｊ Ｒ”ｔ ’ｔ ｍは前記と同じ。）
で表わされる繰り返し単位〔Ｉ〕となる。
本発明における共重合体は、上記繰り返し単位ＣＩ）と
式
で表わされる繰り返し単位［ＩＩ］を有するものであり
、これらのランダム共重合体、ブロック共重合体、交互
共重合体など様々なものがある。
、これらのランダム共重合体、ブロック共重合体、交互
共重合体など様々なものがある。
上述の共重合体は様々な方法により製造することができ
るが、例えば υｎ・ で表わされる２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）あるいはこれを原料とし
た重合度２〜３で末端にクロロホーメート基を有するポ
リカーボネートオリゴマー（ビスフェノールＡとホスゲ
ンの反応により得られるオリゴマー）と、 一般式 （式中、Ｒ’、Ｒ’、Ｘ、ｌ、ｍ、ｎは前記と同じ。）
で表わされる２、２′−ジヒドロキシ化合物、例えば 式 で表わされる２、２′−ビフェノール。
るが、例えば υｎ・ で表わされる２、２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）あるいはこれを原料とし
た重合度２〜３で末端にクロロホーメート基を有するポ
リカーボネートオリゴマー（ビスフェノールＡとホスゲ
ンの反応により得られるオリゴマー）と、 一般式 （式中、Ｒ’、Ｒ’、Ｘ、ｌ、ｍ、ｎは前記と同じ。）
で表わされる２、２′−ジヒドロキシ化合物、例えば 式 で表わされる２、２′−ビフェノール。
式
で表わされる２、２′−ジヒドロキシジフェニルメタン
。
。
式
で表わされる２、２′−ジヒドロキシベンゾフェノン９
式 で表わされる２、２′−ジヒドロキシ−５，５′−ジメ
トキシベンゾフェノンなどを反応系に加え、さらにホス
ゲンなどを加えて縮合重合させることにより製造される
。
式 で表わされる２、２′−ジヒドロキシ−５，５′−ジメ
トキシベンゾフェノンなどを反応系に加え、さらにホス
ゲンなどを加えて縮合重合させることにより製造される
。
この縮合重合の際の条件は、用いる化合物の種類や所望
する共重合体の重合度などにより一義的に定めることは
できないが、通常は塩化メチレン。
する共重合体の重合度などにより一義的に定めることは
できないが、通常は塩化メチレン。
クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素やピリジンなど
の溶媒中で適当な触媒、アルカリ、分子量調節剤などを
用いればよい。ここで分子量調節剤として様々なｍ個フ
エノールをあげることができ本発明の共重合体を構成す
る繰り返し単位ＣＩ］は前述の一般式（Ａ）で表わされ
る２、２１−ジヒドロキシ化合物とホスゲンとの反応に
より形成されるものであり、繰り返し単位［１［）はビ
スフェノールＡとホスゲンの反応により、あるいは末端
にクロロホーメート基を有するポリカーボネートオリゴ
マーの繰り返し単位から形成されるものである。
の溶媒中で適当な触媒、アルカリ、分子量調節剤などを
用いればよい。ここで分子量調節剤として様々なｍ個フ
エノールをあげることができ本発明の共重合体を構成す
る繰り返し単位ＣＩ］は前述の一般式（Ａ）で表わされ
る２、２１−ジヒドロキシ化合物とホスゲンとの反応に
より形成されるものであり、繰り返し単位［１［）はビ
スフェノールＡとホスゲンの反応により、あるいは末端
にクロロホーメート基を有するポリカーボネートオリゴ
マーの繰り返し単位から形成されるものである。
従って、共重合体における繰り返し単位ＣＩ）、［”■
〕の所望するモル分率に応じて各原料の使用割合を選定
すればよい。
〕の所望するモル分率に応じて各原料の使用割合を選定
すればよい。
なお本発明の共重合体を用いてディスク等を成形するＫ
あたっては、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの通常の添
加剤を配合してもよい。
あたっては、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの通常の添
加剤を配合してもよい。
このようにして得られる本発明の共重合体は、成形加工
時の流動性を示す流れ値が、従来のポリカーボネート樹
脂に比べ格段に大きく、成形加工後の残留応力が少なく
て成形歪が少ないため複屈折が小さい。また、光弾性係
数が小さいため複屈折がさらに小さくなり光学的性質が
極めて、改善されたものである。しかも、耐熱性にもす
ぐれたものである。したがって、本発明の共重合体を各
種光学機器の素材として用−・れば光学的性質が改良さ
れているためディスクに記録された情報の読み取り感度
が高く、エラーの発生の少ない光学機器が得られる。ま
た、熱的にも機械的にも良好な素材であるため、これを
用いて作られた光学機器は様々な条件下で安定して作動
する。
時の流動性を示す流れ値が、従来のポリカーボネート樹
脂に比べ格段に大きく、成形加工後の残留応力が少なく
て成形歪が少ないため複屈折が小さい。また、光弾性係
数が小さいため複屈折がさらに小さくなり光学的性質が
極めて、改善されたものである。しかも、耐熱性にもす
ぐれたものである。したがって、本発明の共重合体を各
種光学機器の素材として用−・れば光学的性質が改良さ
れているためディスクに記録された情報の読み取り感度
が高く、エラーの発生の少ない光学機器が得られる。ま
た、熱的にも機械的にも良好な素材であるため、これを
用いて作られた光学機器は様々な条件下で安定して作動
する。
それ故、本発明の素材は、デジタルオーディオディスク
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
次Ｋ、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例１
２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン６７
ｐを、濃度６％の水酸化ナトリウム水溶液４５０ＭＫ溶
解させた溶液と、塩化メチレン２００ｄとの混合液を激
しく攪拌しながら、室温においてホスゲンガスを８００
ｉＩ４／分の供給割合で吹き込み、反応系の田が９ま
で低下した時点で、ホスゲンガスの供給を停止した。次
いで、得られた反応生成物を静置分離して有機層を回収
し、無水硫酸ナトリウムで脱水することにより、分子末
端にクロロホーメート基を有する重合度２〜３のポリカ
ーボネートオリゴマーを得た。
ｐを、濃度６％の水酸化ナトリウム水溶液４５０ＭＫ溶
解させた溶液と、塩化メチレン２００ｄとの混合液を激
しく攪拌しながら、室温においてホスゲンガスを８００
ｉＩ４／分の供給割合で吹き込み、反応系の田が９ま
で低下した時点で、ホスゲンガスの供給を停止した。次
いで、得られた反応生成物を静置分離して有機層を回収
し、無水硫酸ナトリウムで脱水することにより、分子末
端にクロロホーメート基を有する重合度２〜３のポリカ
ーボネートオリゴマーを得た。
次に、このポリカーボネートオリゴマーの塩化メチレン
溶液６０１１１をさらに塩化メチレンで希釈して全体を
１０Ｑ１１１とした。この溶液に分子量調節剤としてパ
ラターシャリ−ブチルフェノール０．１１９を加え、次
いで２．２′−ビフェノール３．０Ｉのピリジン３０１
７溶液を滴下し、激しく攪拌しながら１時間反応を行な
った。反応終了後、生成物に塩化メチレン１００ｄを加
え、０．０１規定の塩酸と水で順次洗浄したのち、有機
層をメタノール２ｊ中に投入して白色のポリカーボネー
ト共重合体を得た。
溶液６０１１１をさらに塩化メチレンで希釈して全体を
１０Ｑ１１１とした。この溶液に分子量調節剤としてパ
ラターシャリ−ブチルフェノール０．１１９を加え、次
いで２．２′−ビフェノール３．０Ｉのピリジン３０１
７溶液を滴下し、激しく攪拌しながら１時間反応を行な
った。反応終了後、生成物に塩化メチレン１００ｄを加
え、０．０１規定の塩酸と水で順次洗浄したのち、有機
層をメタノール２ｊ中に投入して白色のポリカーボネー
ト共重合体を得た。
ここで得られたポリカーボネート共重合体は、で表わさ
れる繰り返し単位〔■〕と で表わされる繰り返し単位〔■〕 からなるものであり、また、核磁気共鳴スペクトルで測
定した結果、繰り返し単位［１）のモル分率は１５％で
あった。さらＫこのものの２０℃における濃度ｏ、５Ｊ
ＦＡの塩化メチレン溶液の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ ］は
０．４４ｄｌ／９であった。次に、この共重合体を２８
０″’Ｃにおいて熱プレスし、肉厚０．３鶴の透明なシ
ートを得た。こ゛のシートを用いて波長６３３ ｎｍに
おける光弾性係数を測定した。また、熱的性質について
はガラス転移温度を測定した。
れる繰り返し単位〔■〕と で表わされる繰り返し単位〔■〕 からなるものであり、また、核磁気共鳴スペクトルで測
定した結果、繰り返し単位［１）のモル分率は１５％で
あった。さらＫこのものの２０℃における濃度ｏ、５Ｊ
ＦＡの塩化メチレン溶液の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ ］は
０．４４ｄｌ／９であった。次に、この共重合体を２８
０″’Ｃにおいて熱プレスし、肉厚０．３鶴の透明なシ
ートを得た。こ゛のシートを用いて波長６３３ ｎｍに
おける光弾性係数を測定した。また、熱的性質について
はガラス転移温度を測定した。
結果を第１表に示す。
実施例２
２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フロパン２２
．８９と２．２′−ビフェノール１８．６９の混合物を
、２規定の水酸化ナトリウム水溶液２５０ｄに溶解し、
さら忙これに塩化’チレン２５０ｄと触媒としてトリメ
チルアミン１ｄを加え、攪拌下にホスゲンガスを３００
１１Ｌｌ／分の供給割合で吹き込み、反応系の…が９ま
で低下した時点でホスゲンガスの供給を停止し、その後
、１時間反応させた。反応後、生成物に塩化メチレン５
００ｍを加え、水、０．０１規定の塩酸、水の順で洗浄
し、有機層をメタノール４１中に投入して白色のポリカ
ーボネート共重合体を得た。
．８９と２．２′−ビフェノール１８．６９の混合物を
、２規定の水酸化ナトリウム水溶液２５０ｄに溶解し、
さら忙これに塩化’チレン２５０ｄと触媒としてトリメ
チルアミン１ｄを加え、攪拌下にホスゲンガスを３００
１１Ｌｌ／分の供給割合で吹き込み、反応系の…が９ま
で低下した時点でホスゲンガスの供給を停止し、その後
、１時間反応させた。反応後、生成物に塩化メチレン５
００ｍを加え、水、０．０１規定の塩酸、水の順で洗浄
し、有機層をメタノール４１中に投入して白色のポリカ
ーボネート共重合体を得た。
ここで得られたポリカーボネート共重合体は、で表わさ
れる繰り返し単位ＣＩ）と で表わされる繰り返し単位（Ｉ［］ からなるものであり、繰り返し単位［Ｉ）のモル分率は
４０％、還元粘度〔ηａｐ／ｃ ）はｏ、ｓ７＃／７で
あった。さらに実施例１と同様の操作により透明シート
を得、このものの物性を測定した。結果を第１表に示す
。
れる繰り返し単位ＣＩ）と で表わされる繰り返し単位（Ｉ［］ からなるものであり、繰り返し単位［Ｉ）のモル分率は
４０％、還元粘度〔ηａｐ／ｃ ）はｏ、ｓ７＃／７で
あった。さらに実施例１と同様の操作により透明シート
を得、このものの物性を測定した。結果を第１表に示す
。
実施例３
実施例１において、２．２’−ビフェノールに代えて２
．２１−ジヒドロキシジフェニルメタンを用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行なってポリカーボネー
ト共重合体を得た。
．２１−ジヒドロキシジフェニルメタンを用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行なってポリカーボネー
ト共重合体を得た。
ここで得られたポリカーボネート共重合体は、で表わさ
れる繰り返し単位［”ｌ］と で表わされる繰り返し単位〔■〕 からなるものであり、繰り返し単位ＣＩ）のモル分率は
２０％、還元粘度〔ηａｐ／ｃ ）は０．３６ ｄｌ／
ｇであった。さらに実施例１と同様の操作により透明シ
ートを得、このものの物性を測定した。結果を第１表に
示す。
れる繰り返し単位［”ｌ］と で表わされる繰り返し単位〔■〕 からなるものであり、繰り返し単位ＣＩ）のモル分率は
２０％、還元粘度〔ηａｐ／ｃ ）は０．３６ ｄｌ／
ｇであった。さらに実施例１と同様の操作により透明シ
ートを得、このものの物性を測定した。結果を第１表に
示す。
実施例４
実施例Ｉにおいて、 ２．２’−ビフェノールに代ｔて
２．２′−ジヒドロキシベンゾフェノンを用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行なってポリカーボネー
ト共重合体を得た。
２．２′−ジヒドロキシベンゾフェノンを用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行なってポリカーボネー
ト共重合体を得た。
ここで得られたポリカーボネート共重合体は、で表わさ
れる繰り返し単位（１）と で表わされる繰り返し単位［１） からなるものであり、繰り返し単位〔■〕のモル分率は
１６％、還元粘度〔ηｓｐ／ｃ ）は０．３６ｄｊ／ｇ
であった。さらに実施例１と同様の操作により透明シー
トを得、このものの物性を測定した。結果を第１表に示
す。
れる繰り返し単位（１）と で表わされる繰り返し単位［１） からなるものであり、繰り返し単位〔■〕のモル分率は
１６％、還元粘度〔ηｓｐ／ｃ ）は０．３６ｄｊ／ｇ
であった。さらに実施例１と同様の操作により透明シー
トを得、このものの物性を測定した。結果を第１表に示
す。
実施例５
実施例Ｉにおいて、２．２７−ビフェノールに代えて２
．２′−ジヒドロキシ−５，５′−ジメトキシベンゾフ
ェノンを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
なってポリカーボネート共重合体を得た。
．２′−ジヒドロキシ−５，５′−ジメトキシベンゾフ
ェノンを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
なってポリカーボネート共重合体を得た。
ここで得られたポリカーボネート共重合体は、で表わさ
れる繰り返し単位〔Ｉ〕と で表わされる繰り返し単位（Ｉ［］ からなるものであり、繰り返し単位〔Ｉ〕のモル分率は
１０％、還元粘度〔η８Ｖ０〕はｏ−４ａｄｌ／ｇであ
った。さらに実施例１と同様の操作により透明シートを
得、このものの物性を測定した。結果を第１表に示す。
れる繰り返し単位〔Ｉ〕と で表わされる繰り返し単位（Ｉ［］ からなるものであり、繰り返し単位〔Ｉ〕のモル分率は
１０％、還元粘度〔η８Ｖ０〕はｏ−４ａｄｌ／ｇであ
った。さらに実施例１と同様の操作により透明シートを
得、このものの物性を測定した。結果を第１表に示す。
比較例１
実施例１において、２．２′−ビフェノールに代えて２
．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを用い
たこと以外は、実施例１と同様にしてポリカーボネート
を得た。このポリカーボネートの還元粘度〔ダ８ｐ／ｃ
〕は０．５７４１７ｇであった。さらに実施例１と同様
の操作により透明シートを得、このものの物性を測定し
た。結果を第１表に示す。
．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを用い
たこと以外は、実施例１と同様にしてポリカーボネート
を得た。このポリカーボネートの還元粘度〔ダ８ｐ／ｃ
〕は０．５７４１７ｇであった。さらに実施例１と同様
の操作により透明シートを得、このものの物性を測定し
た。結果を第１表に示す。
比較例２
実施例ＩＶｃおいて、２．２′−ビフェノールに代えて
４．４′−ジヒドロキシベンゾフェノンを用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行なってポリカーボネー
ト共重合体を得た。
４．４′−ジヒドロキシベンゾフェノンを用いたこと以
外は、実施例１と同様の操作を行なってポリカーボネー
ト共重合体を得た。
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる繰り返し単位〔 I 〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２はそれぞれ炭素数１〜５のアル
キル基、炭素数１〜５のアルコキシル基、アリール基、
アリロキシ基あるいはハロゲン原子を示し、Ｘは炭素数
１〜３のアルキレン基、炭素数２〜３のアルキリデン基
、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルフィニル基
あるいはスルホニル基を示す。またｌ，ｍはそれぞれ０
〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。）および ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる繰り返し単位〔II〕を有し、かつ前記繰り
返し単位〔 I 〕のモル分率が５〜５０％であるととも
に、２０℃における濃度０．５ｇ／ｄｌの塩化メチレン
溶液の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕が０．３〜１．５ｄｌ／
ｇの共重合体からなる光学機器用素材。 - （２）繰り返し単位〔 I 〕が 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、ｌ、ｍは前記と同じ。）で表
わされるものである特許請求の範囲第１項記載の光学機
器用素材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332685A JPS61213218A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 光学機器用素材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332685A JPS61213218A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 光学機器用素材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61213218A true JPS61213218A (ja) | 1986-09-22 |
Family
ID=12939595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5332685A Pending JPS61213218A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 光学機器用素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61213218A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE35499E (en) * | 1988-11-16 | 1997-04-29 | The Dow Chemical Company | Elimination of monocarbonate from polycarbonate |
| US5993971A (en) * | 1986-09-20 | 1999-11-30 | Sony Corporation | Optical information record medium |
| EP1477507A1 (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin |
| WO2023038156A1 (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | (het)aryl substituted bisphenol compounds and thermoplastic resins |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5332685A patent/JPS61213218A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5993971A (en) * | 1986-09-20 | 1999-11-30 | Sony Corporation | Optical information record medium |
| USRE35499E (en) * | 1988-11-16 | 1997-04-29 | The Dow Chemical Company | Elimination of monocarbonate from polycarbonate |
| EP1477507A1 (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin |
| WO2023038156A1 (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | (het)aryl substituted bisphenol compounds and thermoplastic resins |
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