JPS6236457A - 光学機器用素材 - Google Patents
光学機器用素材Info
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- JPS6236457A JPS6236457A JP17575685A JP17575685A JPS6236457A JP S6236457 A JPS6236457 A JP S6236457A JP 17575685 A JP17575685 A JP 17575685A JP 17575685 A JP17575685 A JP 17575685A JP S6236457 A JPS6236457 A JP S6236457A
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- JP
- Japan
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- represent
- formula
- polyether
- hydrogen atom
- repeating unit
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学機器用素材に関し、特にデジタルオーディ
オディスクや光メモリ−ディスクなどに適した素材に関
する。
オディスクや光メモリ−ディスクなどに適した素材に関
する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする問題点〕これら
光学機器用素材には種々の性能が要求されている。例え
ば、透明性、耐熱性２機械的強度等に優れているととも
に低透湿性であり、しかも光学的性能に優れていること
が必要である。従来、このような性能を有するものの一
つとして、メタクリル樹脂が知られているが、このもの
は耐熱性や耐衝撃性などの点において未だ充分なもので
はなく、シかも低透湿性とは言い難いものである。
光学機器用素材には種々の性能が要求されている。例え
ば、透明性、耐熱性２機械的強度等に優れているととも
に低透湿性であり、しかも光学的性能に優れていること
が必要である。従来、このような性能を有するものの一
つとして、メタクリル樹脂が知られているが、このもの
は耐熱性や耐衝撃性などの点において未だ充分なもので
はなく、シかも低透湿性とは言い難いものである。
また、ビスフェノールＡ（２，２−ビス（４′−ヒドロ
キシフェニル）プロパン）をホスゲンヤ炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂が光学機
器用素材として使用しうろことも知られているが、この
ものは耐熱性、耐衝撃性などに優れ、しかも低透湿性で
あるものの、成形加工性に劣るため成形後の残留歪みが
大きく、これに基因して成形品の複屈折が大きくなり、
ディスクに記録された情報の読み取シ感度が低下すると
いう難点がある。そこで、ポリカーボネート樹脂の成形
性を改良するため分子量を低くしたり、ジオクチルフタ
レートなどの可塑剤を添加することが行なわれている。
キシフェニル）プロパン）をホスゲンヤ炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂が光学機
器用素材として使用しうろことも知られているが、この
ものは耐熱性、耐衝撃性などに優れ、しかも低透湿性で
あるものの、成形加工性に劣るため成形後の残留歪みが
大きく、これに基因して成形品の複屈折が大きくなり、
ディスクに記録された情報の読み取シ感度が低下すると
いう難点がある。そこで、ポリカーボネート樹脂の成形
性を改良するため分子量を低くしたり、ジオクチルフタ
レートなどの可塑剤を添加することが行なわれている。
しかしながら、分子量を低くすると機械的性質の低下を
招き、また可塑剤を添加すると耐熱性が低下するほか、
可塑剤のブリードによるディスクの劣化が問題となる。
招き、また可塑剤を添加すると耐熱性が低下するほか、
可塑剤のブリードによるディスクの劣化が問題となる。
本発明はポリカーボネート樹脂の有する優れた特性を充
分に維持するととも【、ポリカーボネート樹脂の欠点で
ある成形性を改良して複屈折の小なる素材を提供するこ
とを目的とするものである。
分に維持するととも【、ポリカーボネート樹脂の欠点で
ある成形性を改良して複屈折の小なる素材を提供するこ
とを目的とするものである。
すなわち本発明は
一般式
〔式中 Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し ＸＩおよ
びＸ２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｋおよびｍはそれぞれ１
〜４の整数を示す。〕で表わされる繰返し単位を有し、
かつ塩化メチレンを溶媒とする０、 ５ ｆ／／２濃度
の溶液の２０℃における還元粘度〔η８．／。〕が０．
３０ ｄｌｌ／ｆ以上のポリカーボネートに対し、 一般式 〔式中 Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し Ｘ３およ
びＸ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｎおよびｐはそれぞれ１
〜４の整数を示し、ｑは１〜１０の整数を示す。〕 で表わされる繰返し単位〔Ｉ〕および 一般式 〔式中 Ｒ５およびＲ６はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し Ｘ５およ
びＸ６はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｒおよびＳはそれぞれ１
〜４の整数を示す。〕で表わされる繰返し単位（ｎ）を
有し、かつ前記繰返し単位〔Ｉ〕および（ＩＩ）のモル
分率をそれぞれＡおよびＢとしたときのＡ／Ａ＋Ｂの値
が０．０３〜１．００であると共に、数平均分子量が１
，０００〜２０．０００であるポリエーテルカーボネー
トマタはポリエーテルを配合した組成物からなる光学機
器用素材を提供するものである。
〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し ＸＩおよ
びＸ２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｋおよびｍはそれぞれ１
〜４の整数を示す。〕で表わされる繰返し単位を有し、
かつ塩化メチレンを溶媒とする０、 ５ ｆ／／２濃度
の溶液の２０℃における還元粘度〔η８．／。〕が０．
３０ ｄｌｌ／ｆ以上のポリカーボネートに対し、 一般式 〔式中 Ｒ３およびＲ４はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し Ｘ３およ
びＸ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｎおよびｐはそれぞれ１
〜４の整数を示し、ｑは１〜１０の整数を示す。〕 で表わされる繰返し単位〔Ｉ〕および 一般式 〔式中 Ｒ５およびＲ６はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し Ｘ５およ
びＸ６はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｒおよびＳはそれぞれ１
〜４の整数を示す。〕で表わされる繰返し単位（ｎ）を
有し、かつ前記繰返し単位〔Ｉ〕および（ＩＩ）のモル
分率をそれぞれＡおよびＢとしたときのＡ／Ａ＋Ｂの値
が０．０３〜１．００であると共に、数平均分子量が１
，０００〜２０．０００であるポリエーテルカーボネー
トマタはポリエーテルを配合した組成物からなる光学機
器用素材を提供するものである。
前記一般式〔■〕
において、Ｒ１，Ｒ２，Ｘ’ 、Ｘ２．に、ｍは前記し
た通りである。つまり Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素
原子あるいはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素
数１〜５のアルキル基さらにはフェニル基を示す。また
ＸＩおよびＸ２はそれぞれ、水素原子あるいは塩素原
子、臭素原子等のノ・ロゲン原子さらにはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基を示す。さらにｋおよび
ｍはそれぞれ１〜４の整数を示す。
た通りである。つまり Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素
原子あるいはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素
数１〜５のアルキル基さらにはフェニル基を示す。また
ＸＩおよびＸ２はそれぞれ、水素原子あるいは塩素原
子、臭素原子等のノ・ロゲン原子さらにはメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基を示す。さらにｋおよび
ｍはそれぞれ１〜４の整数を示す。
本発明においては第１の成分として上記一般式（１）で
表わされる繰返し単位を有し、かつ塩化メチレンを溶媒
とする０、 ５ ｆ／ｄｌｌ濃度の溶液の２０°Ｃにお
ける還元粘度〔η 〕が０．３０ｄｌｌ／ｆ以上、ｓ
ｐ／ｃ 好ましくは０．３５〜１．０ ｄＩｌ／ｆのポリカーボ
ネートを用いる。ここで還元粘度〔η８．／。〕が０．
３０ｄｌ／ｆ未満のものでは耐熱性２機械的強度が不足
し好ましくない。
表わされる繰返し単位を有し、かつ塩化メチレンを溶媒
とする０、 ５ ｆ／ｄｌｌ濃度の溶液の２０°Ｃにお
ける還元粘度〔η 〕が０．３０ｄｌｌ／ｆ以上、ｓ
ｐ／ｃ 好ましくは０．３５〜１．０ ｄＩｌ／ｆのポリカーボ
ネートを用いる。ここで還元粘度〔η８．／。〕が０．
３０ｄｌ／ｆ未満のものでは耐熱性２機械的強度が不足
し好ましくない。
ここで上記ポリカーボネートは従来公知の製法、たとえ
ばホスゲン法などにより製造することができる。具体的
には 式 で表わされる２、２−ビス（４′−ヒドロキシフェニル
）プロパン（ビスフェノールＡ）、式で表わされる２、
２−ビス（３′−メチル−４′−ヒドロキシフェニル）
フロパン、式 で表ワされる１−フェニル−１，１−ビス（４′−ヒド
ロキシフエニル）エタン等のビスフェノール化合物と、
ホスゲンとの重縮合により製造することができる。また
、このようなホスゲン法のほかに炭酸ジフェニルを用い
るエステル交換法によっても製造することができる。
ばホスゲン法などにより製造することができる。具体的
には 式 で表わされる２、２−ビス（４′−ヒドロキシフェニル
）プロパン（ビスフェノールＡ）、式で表わされる２、
２−ビス（３′−メチル−４′−ヒドロキシフェニル）
フロパン、式 で表ワされる１−フェニル−１，１−ビス（４′−ヒド
ロキシフエニル）エタン等のビスフェノール化合物と、
ホスゲンとの重縮合により製造することができる。また
、このようなホスゲン法のほかに炭酸ジフェニルを用い
るエステル交換法によっても製造することができる。
本発明の光学機器用素材は、上記第１の成分に、第２の
成分として、上記繰返し単位〔Ｉ〕および（ＩＩ）を有
し、かつ繰返し単位〔■〕および［ＩＩ）のモル分率を
それぞれＡおよびＢとしだときのＡ／Ａ＋Ｂの値が０．
０３〜１．００であると共に、数平均分子量が１，００
０〜２０，０００であるポリエーテルカーボネートまた
はポリエーテルを配合した組成物からなるものである。
成分として、上記繰返し単位〔Ｉ〕および（ＩＩ）を有
し、かつ繰返し単位〔■〕および［ＩＩ）のモル分率を
それぞれＡおよびＢとしだときのＡ／Ａ＋Ｂの値が０．
０３〜１．００であると共に、数平均分子量が１，００
０〜２０，０００であるポリエーテルカーボネートまた
はポリエーテルを配合した組成物からなるものである。
ここでＡ／ の値が０．０３Ａ＋Ｂ
未満では成形性の改良が不充分となる。また、数平均分
子量が１，０００未満では耐熱性が低下し、一方、２０
，０００を超えると成形性の改良が充分でなく好ましく
ない。
子量が１，０００未満では耐熱性が低下し、一方、２０
，０００を超えると成形性の改良が充分でなく好ましく
ない。
ここで繰返し単位〔■〕を示す前記一般式において、Ｒ
３ｒ Ｒ’ ＋ Ｘ３＋ Ｘ’ ＋ ｎ ＋ ｐ＋ ｑ
は前記した通りである。つまり Ｒ３およびＲ４はそれ
ぞれ、水素原子あるいはメチル基、エチル基、プロピル
基等の炭素数１〜５のアルキル基さらにはフェニル基を
示す。また Ｘ３およびＸ４はそれぞれ、水素原子ある
いは塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子さらにはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基を示す。さらに
ｎおよびｐはそれぞれ１〜４の整数を示し、ｑは１〜１
０の整数を示している。
３ｒ Ｒ’ ＋ Ｘ３＋ Ｘ’ ＋ ｎ ＋ ｐ＋ ｑ
は前記した通りである。つまり Ｒ３およびＲ４はそれ
ぞれ、水素原子あるいはメチル基、エチル基、プロピル
基等の炭素数１〜５のアルキル基さらにはフェニル基を
示す。また Ｘ３およびＸ４はそれぞれ、水素原子ある
いは塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子さらにはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基を示す。さらに
ｎおよびｐはそれぞれ１〜４の整数を示し、ｑは１〜１
０の整数を示している。
一方、繰返し単位（ｎ）を示す前記一般式において、Ｒ
５、Ｒ６、Ｘ５ 、 Ｘ６ 、 ｒ 、 ｓは前記した
通りである。つまｐ、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ、水素
原子あるいはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素
数１〜５のアルキル基さらにはフェニル基を示す。また
、Ｘ５およびＸ６はそれぞれ、水素原子あるいは塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子さらにはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基を示す。さらにｒおよびＳ
はそれぞれ１〜４の整数を示す。
５、Ｒ６、Ｘ５ 、 Ｘ６ 、 ｒ 、 ｓは前記した
通りである。つまｐ、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ、水素
原子あるいはメチル基、エチル基、プロピル基等の炭素
数１〜５のアルキル基さらにはフェニル基を示す。また
、Ｘ５およびＸ６はそれぞれ、水素原子あるいは塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子さらにはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基を示す。さらにｒおよびＳ
はそれぞれ１〜４の整数を示す。
上記繰返し単位〔Ｉ〕および〔■〕を有し、かつ前記繰
返し単位ＣＩ）および〔Ｉｎのモル分率をそれぞれＡお
よびＢとしたときのＡ／Ａ＋Ｂの値が０．０３乃至１．
００未満のポリエーテルカーボネートあるヤ 。
返し単位ＣＩ）および〔Ｉｎのモル分率をそれぞれＡお
よびＢとしたときのＡ／Ａ＋Ｂの値が０．０３乃至１．
００未満のポリエーテルカーボネートあるヤ 。
いはＡ／ 値か１．００のポリエーテルは様々なＡ＋
Ｂ 方法によシ製造することができる。すなわち、上記の如
キポリエーテルカーボネートは、例えば一般式 〔式中、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基ヲ示し Ｘ７およ
びＸ８はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｙおよび２はそれぞれ１
〜４の整数を示す。〕で表わされるビスフェノール化合
物と、一般式 ％式％］ 〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｑは前記と同じ〕 で表わされる５両末端にハロゲン原子を有するジハロゲ
ン化炭化水素、およびホスゲンまたは炭酸ジフェニルを
反応させることによシ製造することができる。
Ｂ 方法によシ製造することができる。すなわち、上記の如
キポリエーテルカーボネートは、例えば一般式 〔式中、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ水素原子、炭素数１
〜５のアルキル基あるいはフェニル基ヲ示し Ｘ７およ
びＸ８はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子あるいは炭素
数１〜４のアルキル基を示し、ｙおよび２はそれぞれ１
〜４の整数を示す。〕で表わされるビスフェノール化合
物と、一般式 ％式％］ 〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ｑは前記と同じ〕 で表わされる５両末端にハロゲン原子を有するジハロゲ
ン化炭化水素、およびホスゲンまたは炭酸ジフェニルを
反応させることによシ製造することができる。
この場合、一般式（Ａ）で表わされるビスフェノール化
合物の過剰量と一般式ＣＢ）で表わされるジハロゲン化
炭化水素を反応させてオリゴマーを得ると共に、未反応
のビスフェノール化合物を含む反応混合物をホスゲンま
たは炭酸ジフェニル等の炭酸エステル形成性化合物と反
応させてもよいし、一般式（Ａ）で表わされるビスフェ
ノール化合物と一般式ＣＢ）で表わされるジハロゲン化
炭化水素とを反応させてオリゴマーを得ると共に、この
オリゴマーと、一般式〔Ａ〕で表わされるビスフェノー
ル化合物とホスゲン等を重縮合させて得られるオリゴマ
ーとを反応させてもよい。
合物の過剰量と一般式ＣＢ）で表わされるジハロゲン化
炭化水素を反応させてオリゴマーを得ると共に、未反応
のビスフェノール化合物を含む反応混合物をホスゲンま
たは炭酸ジフェニル等の炭酸エステル形成性化合物と反
応させてもよいし、一般式（Ａ）で表わされるビスフェ
ノール化合物と一般式ＣＢ）で表わされるジハロゲン化
炭化水素とを反応させてオリゴマーを得ると共に、この
オリゴマーと、一般式〔Ａ〕で表わされるビスフェノー
ル化合物とホスゲン等を重縮合させて得られるオリゴマ
ーとを反応させてもよい。
一方、上記の如きポリエーテルは、前記一般式（Ａ）で
表わされるビスフェノール化合物と一般式ＣＢ）で表わ
されるジハロゲン化炭化水素を反応させることにより製
造することができる。
表わされるビスフェノール化合物と一般式ＣＢ）で表わ
されるジハロゲン化炭化水素を反応させることにより製
造することができる。
反応条件は、用いる原料の種類、所望する重合体あるい
は共重合体の重合度などによシー義的に決定することは
できないが、通常は塩化メチレン。
は共重合体の重合度などによシー義的に決定することは
できないが、通常は塩化メチレン。
クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素やピリジンなど
の溶媒中で、好ましくは塩化メチレン溶媒中で、適当な
触媒、アルカリ、分子量調節剤などを用いればよい。こ
こで分子量調節剤としては様様な一価フエノールを挙げ
ることができるが、好ましいものとしては、フェノール
、ターシャリ−ブチルフェノール、フェニルフェノール
クミルフェノールなどが挙げられる。
の溶媒中で、好ましくは塩化メチレン溶媒中で、適当な
触媒、アルカリ、分子量調節剤などを用いればよい。こ
こで分子量調節剤としては様様な一価フエノールを挙げ
ることができるが、好ましいものとしては、フェノール
、ターシャリ−ブチルフェノール、フェニルフェノール
クミルフェノールなどが挙げられる。
上記の如きポリエーテルカーボネートまたはポリエーテ
ルを構成する繰返し単位〔■〕は、一般式（Ａ）で表わ
されるビスフェノール化合物と一般式ＣＢＩで表わされ
るジハロゲン化炭化水素との反応によって形成され、ま
た繰返し単位〔■〕は、一般式〔Ａ〕で表わされるビス
フェノール化合物とホスゲン等との反応によって形成さ
れる。したがって、所望するモル分率に応じて各原料の
使用量を適宜選定すればよい。
ルを構成する繰返し単位〔■〕は、一般式（Ａ）で表わ
されるビスフェノール化合物と一般式ＣＢＩで表わされ
るジハロゲン化炭化水素との反応によって形成され、ま
た繰返し単位〔■〕は、一般式〔Ａ〕で表わされるビス
フェノール化合物とホスゲン等との反応によって形成さ
れる。したがって、所望するモル分率に応じて各原料の
使用量を適宜選定すればよい。
本発明の光学機器用素材はこのようにして得られる第２
の成分であるポリエーテルカーボネートまたはポリエー
テルを、前記の如き第１の成分であるポリカーボネート
に対して配合した組成物からなるものである。この組成
物における第２の成分の含有率は１〜５０重量％、好ま
しくは５〜３０重８％である。ここで第２の成分の含有
率が１重量多未満では成形性の改良が不充分であシ、ま
だ５０重量％を超えると耐熱性や強度が低下するので好
ましくない。
の成分であるポリエーテルカーボネートまたはポリエー
テルを、前記の如き第１の成分であるポリカーボネート
に対して配合した組成物からなるものである。この組成
物における第２の成分の含有率は１〜５０重量％、好ま
しくは５〜３０重８％である。ここで第２の成分の含有
率が１重量多未満では成形性の改良が不充分であシ、ま
だ５０重量％を超えると耐熱性や強度が低下するので好
ましくない。
本発明の光学機器用素材は上記第１の成分および第２の
成分を配合した組成物からなるものであるが、必要によ
シ組成物に対して１〜５０重量％の割合で、酸化防止剤
、紫外線吸収剤など各種添加剤を配合してもよい。
成分を配合した組成物からなるものであるが、必要によ
シ組成物に対して１〜５０重量％の割合で、酸化防止剤
、紫外線吸収剤など各種添加剤を配合してもよい。
このようにして得られる本発明の組成物は、流動性がよ
くポリカーボネート樹脂の欠点である成形性が改良され
ており、成形後の残留歪みが小さいため複屈折が小さく
光学的性質の優れたものである。しかも、ポリカーボネ
ート樹脂の有する耐熱性、耐衝撃性などに優れ、低透湿
性であるという優れた特性は充分に維持されている。
くポリカーボネート樹脂の欠点である成形性が改良され
ており、成形後の残留歪みが小さいため複屈折が小さく
光学的性質の優れたものである。しかも、ポリカーボネ
ート樹脂の有する耐熱性、耐衝撃性などに優れ、低透湿
性であるという優れた特性は充分に維持されている。
したがって、本発明の組成物を各種光学機器の素材とし
て用いればディスクに記録された情報の読み取り感度が
高く、エラーの発生の少ない、つまり記録情報の再生の
忠実度の高い優れた光学機器が得られる。また熱的にも
機械的強度においても良好な素材であるため、これを用
いて作られた光学機器は様々な条件下で安定して作動す
る。
て用いればディスクに記録された情報の読み取り感度が
高く、エラーの発生の少ない、つまり記録情報の再生の
忠実度の高い優れた光学機器が得られる。また熱的にも
機械的強度においても良好な素材であるため、これを用
いて作られた光学機器は様々な条件下で安定して作動す
る。
それ故、本発明の素材は、デジタルオーディオディスク
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
や光メモリ−ディスクなどの光学機器用素材として有効
に利用することができる。
実施例１
攪拌器、還流冷却器、気体導入管を備えた反応容器に、
１規定濃度の水酸化ナトリウム水溶液２ｔを入れ、容器
中へアルゴンガスを導入しながら、２．２−ビス（４′
−ヒドロキノフェニル）プロパン２２８ｒ（１モル）を
入れて溶解させ、次いで１．４−ジブロモブタン５４グ
（０，２５モル）を加えて１００°Ｃで３時間反応させ
た。ここで得られた反応混合物４５０ｍ／を取り出し、
これに塩化メチレン２５０ｍＡ！、ｐ−ターシャリ−ブ
チルフェノール１．５２および触媒としてトリメチルア
ミン０、５ ｍｌを加え、攪拌しながらホスゲンガスを
４００ ｍｌ１分の割合で１０分間吹き込み、反応液の
ＰＨが１０以下とならないよう水酸化ナトリウムを滴下
した後、１時間反応させた。得られた反応生成物に塩化
メチレン２５０＋＋ｔｌを加えて希釈し、水と希塩酸で
洗浄したのちメタノール中に投入してポリエーテルカー
ボネートを得た。このポリエーテルカーボネートは式 および式 で表わされる繰返し単位を有し、核磁気共鳴スペクトル
（ＮＭＲ）による測定より前者の繰返し単位の含有率が
１５モルチのものであった。また、このポリエーテルカ
ーボネートの数平均分子量は７．５００であった。
１規定濃度の水酸化ナトリウム水溶液２ｔを入れ、容器
中へアルゴンガスを導入しながら、２．２−ビス（４′
−ヒドロキノフェニル）プロパン２２８ｒ（１モル）を
入れて溶解させ、次いで１．４−ジブロモブタン５４グ
（０，２５モル）を加えて１００°Ｃで３時間反応させ
た。ここで得られた反応混合物４５０ｍ／を取り出し、
これに塩化メチレン２５０ｍＡ！、ｐ−ターシャリ−ブ
チルフェノール１．５２および触媒としてトリメチルア
ミン０、５ ｍｌを加え、攪拌しながらホスゲンガスを
４００ ｍｌ１分の割合で１０分間吹き込み、反応液の
ＰＨが１０以下とならないよう水酸化ナトリウムを滴下
した後、１時間反応させた。得られた反応生成物に塩化
メチレン２５０＋＋ｔｌを加えて希釈し、水と希塩酸で
洗浄したのちメタノール中に投入してポリエーテルカー
ボネートを得た。このポリエーテルカーボネートは式 および式 で表わされる繰返し単位を有し、核磁気共鳴スペクトル
（ＮＭＲ）による測定より前者の繰返し単位の含有率が
１５モルチのものであった。また、このポリエーテルカ
ーボネートの数平均分子量は７．５００であった。
次Ｋ、２．２−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを原料としホスゲン法により製造した次式 で表わされる繰返し単位を有し、塩化メチレンを溶媒と
する０、 ５ ｔ／ｄｌｌ濃度の溶液の２５°Ｃにおけ
る還元粘度〔１１，ｐ／Ｃ’） カ０．４９ ｄｌｌ／
？ テあるポリカーボネートに対して、上記ポリカーボ
ネートの含有率が１０重量％となるように配合して組成
物を得た。
パンを原料としホスゲン法により製造した次式 で表わされる繰返し単位を有し、塩化メチレンを溶媒と
する０、 ５ ｔ／ｄｌｌ濃度の溶液の２５°Ｃにおけ
る還元粘度〔１１，ｐ／Ｃ’） カ０．４９ ｄｌｌ／
？ テあるポリカーボネートに対して、上記ポリカーボ
ネートの含有率が１０重量％となるように配合して組成
物を得た。
ここで得られた組成物について成形性の良否をみるため
ＪＩｓ−に−６７１９に準拠してメルトインデックスを
測定した。また、耐熱性をみるためガラス転移温度を測
定した。光学的性質については光弾性係数を測定した。
ＪＩｓ−に−６７１９に準拠してメルトインデックスを
測定した。また、耐熱性をみるためガラス転移温度を測
定した。光学的性質については光弾性係数を測定した。
これら結果を第１表に示す。
実施例２
実施例１におけるポリエーテルカーボネートの含有率を
２０重量％となるようにしたこと以外は実施例１と全く
同様にして行なった。結果を第１表に示す。
２０重量％となるようにしたこと以外は実施例１と全く
同様にして行なった。結果を第１表に示す。
実施例３
２．２−ビス（３′−メチル−４′−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン２５．６ ｆ （０，１モル）を、２規定
濃度の水酸化ナトリウム水溶液２５０ｍ／に溶解し、こ
れに塩化メチレン２５０ｍＡ！、分子量調節剤としてｐ
−ターシャリ−ブチルフェノール０．５９および触媒と
してトリメチルアミン０．５ ｍｌを加えて激しく攪拌
しながら、ホスゲンガスを４００ｍ１／分の割合で吹き
込んだ。次いで、−が１０となった時点でホスゲンの吹
き込みを停止し、攪拌しながら１時間反応させた。得ら
れた反応生成物に塩化メチレン５００ｍ／を加えて希釈
したのち、水。
ル）プロパン２５．６ ｆ （０，１モル）を、２規定
濃度の水酸化ナトリウム水溶液２５０ｍ／に溶解し、こ
れに塩化メチレン２５０ｍＡ！、分子量調節剤としてｐ
−ターシャリ−ブチルフェノール０．５９および触媒と
してトリメチルアミン０．５ ｍｌを加えて激しく攪拌
しながら、ホスゲンガスを４００ｍ１／分の割合で吹き
込んだ。次いで、−が１０となった時点でホスゲンの吹
き込みを停止し、攪拌しながら１時間反応させた。得ら
れた反応生成物に塩化メチレン５００ｍ／を加えて希釈
したのち、水。
０．０１規定の塩酸、水の順で洗浄し、有機層をメタノ
ール中に投入してポリカーボネートを得た。
ール中に投入してポリカーボネートを得た。
ここで得られたポリカーボネートは次式で表わされる繰
返し単位を有しておシ、塩化メチレンを溶媒とする０、
５ ｆ／ｄＩ！ 濃度の溶液の２５°Ｃにおける還元
粘度〔ηｓｐ／ｃ）が０．４３ ｄｌｌ／Ｓ’であった
。
返し単位を有しておシ、塩化メチレンを溶媒とする０、
５ ｆ／ｄＩ！ 濃度の溶液の２５°Ｃにおける還元
粘度〔ηｓｐ／ｃ）が０．４３ ｄｌｌ／Ｓ’であった
。
また、このポリカーボネートのガラス転移温度は１２３
℃であった。
℃であった。
次に、このポリカーボネートに対して、実施例１で得ら
れたと同一のポリエーテルカーボネートをその含有率が
５重量％となるように配合して組成物を得、以下実施例
１と同様にして各種物性を測定した。結果を第１表に示
す。
れたと同一のポリエーテルカーボネートをその含有率が
５重量％となるように配合して組成物を得、以下実施例
１と同様にして各種物性を測定した。結果を第１表に示
す。
実施例４
実施例３において、原料二価フエ、ノールとして２．２
−ビス（３′−メチル−４７−ヒドロキシフェニル）フ
ロパンに代え、１−フェニル−１，１−ビス（４′−ヒ
ドロキシフェニル）エタン０．１モルを用いたこと以外
は実施例３と同様にして次式で表わされる繰返し単位を
有しておシ、塩化メチレンを溶媒とする０、 ５ ｆ／
ｄＩ！濃度の溶液の２５℃における還元粘度〔η５．／
。〕が０．５１ ｄｌｌ／ｆのポリカーボネートを得た
。このポリカーボネートのガラス転移温度は１７４℃で
あった。
−ビス（３′−メチル−４７−ヒドロキシフェニル）フ
ロパンに代え、１−フェニル−１，１−ビス（４′−ヒ
ドロキシフェニル）エタン０．１モルを用いたこと以外
は実施例３と同様にして次式で表わされる繰返し単位を
有しておシ、塩化メチレンを溶媒とする０、 ５ ｆ／
ｄＩ！濃度の溶液の２５℃における還元粘度〔η５．／
。〕が０．５１ ｄｌｌ／ｆのポリカーボネートを得た
。このポリカーボネートのガラス転移温度は１７４℃で
あった。
次に、このポリカーボネートに対して、実施例１で得ら
れたと同一のポリエーテルカーボネートをその含有率が
４０重量％となるように配合して組成物を得、以下実施
例１と同様にして各種物性を測定した。結果を第１表に
示す。
れたと同一のポリエーテルカーボネートをその含有率が
４０重量％となるように配合して組成物を得、以下実施
例１と同様にして各種物性を測定した。結果を第１表に
示す。
実施例５
実施例１と同じ反応容器に、１規定濃度の水酸化ナトリ
ウム水溶液１ｔを入れ、アルゴンガスを導入しなから２
，２−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロパン１１
４ｆ（０，５モル）ヲ加エテ溶解させた。次いで、これ
に１，６−ジブロモヘキサン１２２ｆＩを添加し、１０
０℃において攪拌しながら５時間反応させた。反応終了
後、得られた白色沈澱を分離回収し粉砕して水、０．０
１規定の塩酸、水の順で洗浄した。次にこれを塩化メチ
レンに溶解してメタノール中に投入して再沈精製した。
ウム水溶液１ｔを入れ、アルゴンガスを導入しなから２
，２−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）プロパン１１
４ｆ（０，５モル）ヲ加エテ溶解させた。次いで、これ
に１，６−ジブロモヘキサン１２２ｆＩを添加し、１０
０℃において攪拌しながら５時間反応させた。反応終了
後、得られた白色沈澱を分離回収し粉砕して水、０．０
１規定の塩酸、水の順で洗浄した。次にこれを塩化メチ
レンに溶解してメタノール中に投入して再沈精製した。
さらに、これを減圧下に乾燥することによシ次式
で表わされる繰返し単位を有するポリエーテルを得た。
このポリエーテルの数平均分子量は３，０００であった
。
。
次に、実施例１で得られたと同一のポリカーボネートに
対して、このポリエーテルをその含有率が５重量％とな
るように配合して組成物を得、以下実施例１と同様にし
て各種物性を測定した。結゛果を第１表に示す。
対して、このポリエーテルをその含有率が５重量％とな
るように配合して組成物を得、以下実施例１と同様にし
て各種物性を測定した。結゛果を第１表に示す。
比較例１
実施例１で用いた２、２−ビス（４′−ヒドロキシフェ
ニル）プロパンを原料とするポリカーボネートについて
各種物性を測定した。結果を第１表に示す。
ニル）プロパンを原料とするポリカーボネートについて
各種物性を測定した。結果を第１表に示す。
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し、Ｘ＾
１およびＸ＾２はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ある
いは炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｋおよびｍはそ
れぞれ１〜４の整数を示す。〕で表わされる繰返し単位
を有し、かつ塩化メチレンを溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ
濃度の溶液の２０℃における還元粘度〔η＿ｓ＿ｐ／ｃ
〕が０．３０ｄｌ／ｇ以上のポリカーボネートに対し、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し、Ｘ＾
３およびＸ＾４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ある
いは炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｎおよびｐはそ
れぞれ１〜４の整数を示し、ｑは１〜１０の整数を示す
。〕 で表わされる繰返し単位〔 I 〕および 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾５およびＲ＾６はそれぞれ水素原子、炭素
数１〜５のアルキル基あるいはフェニル基を示し、Ｘ＾
５およびＸ＾６はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子ある
いは炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｒおよびｓはそ
れぞれ１〜４の整数を示す。 で表わされる繰返し単位〔II〕を有し、かつ前記繰返し
単位〔 I 〕および〔II〕のモル分率をそれぞれＡおよ
びＢとしたときのＡ／＿Ａ＿＋＿Ｂの値が０．０３〜１
．００であると共に、数平均分子量が１，０００〜２０
，０００であるポリエーテルカーボネートまたはポリエ
ーテルを配合した組成物からなる光学機器用素材。 - （２）ポリエーテルカーボネートまたはポリエーテルの
含有率が１〜５０重量％である特許請求の範囲第１項記
載の光学機器用素材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17575685A JPS6236457A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 光学機器用素材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17575685A JPS6236457A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 光学機器用素材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236457A true JPS6236457A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16001700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17575685A Pending JPS6236457A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 光学機器用素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236457A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105767U (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-19 | 三菱マロリ−冶金工業株式会社 | 小型同期電動機の回転方向規制装置 |
| EP0332989A2 (de) * | 1988-03-17 | 1989-09-20 | Bayer Ag | Thermoplastische Polycarbonatmischungen, aliphatische Polycarbonate enthaltend |
| JPH0494595U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-17 | ||
| EP3916055A1 (de) * | 2020-05-26 | 2021-12-01 | Covestro Deutschland AG | Polycarbonat-zusammensetzungen enthaltend polyethercarbonatpolyole |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17575685A patent/JPS6236457A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105767U (ja) * | 1982-01-14 | 1983-07-19 | 三菱マロリ−冶金工業株式会社 | 小型同期電動機の回転方向規制装置 |
| EP0332989A2 (de) * | 1988-03-17 | 1989-09-20 | Bayer Ag | Thermoplastische Polycarbonatmischungen, aliphatische Polycarbonate enthaltend |
| JPH0494595U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-17 | ||
| EP3916055A1 (de) * | 2020-05-26 | 2021-12-01 | Covestro Deutschland AG | Polycarbonat-zusammensetzungen enthaltend polyethercarbonatpolyole |
| WO2021239569A1 (de) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Covestro Deutschland Ag | Polycarbonat-zusammensetzungen enthaltend polyethercarbonatpolyole |
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