JPS60141157U - 電荷結合素子 - Google Patents

電荷結合素子

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Publication number
JPS60141157U
JPS60141157U JP2635884U JP2635884U JPS60141157U JP S60141157 U JPS60141157 U JP S60141157U JP 2635884 U JP2635884 U JP 2635884U JP 2635884 U JP2635884 U JP 2635884U JP S60141157 U JPS60141157 U JP S60141157U
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JP
Japan
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conductivity type
type semiconductor
region
coupled device
semiconductor region
Prior art date
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Pending
Application number
JP2635884U
Other languages
English (en)
Inventor
浜崎　正治
Original Assignee
ソニー株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to JP2635884U priority Critical patent/JPS60141157U/ja
Publication of JPS60141157U publication Critical patent/JPS60141157U/ja
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は背景技術を示すもので、第１図はフ
ローティングディフュージョン出力タイプのＣＣＤの出
力部の回路構成を示す図、第２図Ａ、　Ｂは１チツプア
ンブリフアイアの各別の回路構成例を示す回路図、第３
図乃至第５図は本考案の実施の一例を示すもので、第３
図は感光素子部を示す断面図、第４図は出力部を示す断
面図、第５図は出力回路の回路図、第６図Ａ〜Ｃは本考
案ＣＣＤの出力回路の各別の変形例を示す回路図である
。・パ′ 符号の説明、１・・・・・・第１導電型半導体基板、２
・・・・・・第２導電型半導体ウェル領域、２′・・・
・・・ベースどなる第２導電型半導体領域、１７・・・
・・・エミッタとなる第１導電型半導体領域、Ｍｌ・・
・・・・検知用ＭＯ３ＦＥＴ、Ｑ１．Ｑ２・・・・・・
パイポーラトランジ、スタ。 第３図 第５図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１導電型半導体基板表面部に選択的に第２導電型半導
    体ウェル領域を形成し、該半導体領域表面に少なくとも
    信号電荷転送部、信号検知用ＭＯ３ＦＥＴが形成された
    電荷結合素子において、半導体基板の上記第２導電型半
    導体ウェル領域から離間した位置の表面部にその半導体
    ウェル領域と同じ深さの第２導電型半導体領域が形成さ
    れ、該第２導電型半導体領域の表面部に選択的に第１導
    電型半導体領域が形成され、そして、該第１導電型半導
    体領域をエミッタとし、上記第２導電型半導体領域をベ
    ースとし、上記第１導電型半導体基板をコレクタとする
    バイポーラトランジスタが構成され、前記信号検知用Ｍ
    Ｏ３ＦＥＴにより検知された信号が上記バイポーラトラ
    ンジスタにより増幅されるようにしてなることを特徴と
    する電荷結合素子。
JP2635884U 1984-02-25 1984-02-25 電荷結合素子 Pending JPS60141157U (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02271661A (ja) * 1989-04-13 1990-11-06 Toshiba Corp 電荷転送デバイスを含む半導体装置の製造方法
JPH0324759A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Toshiba Corp 半導体集積回路とその製造方法
JPH03114235A (ja) * 1989-05-22 1991-05-15 Toshiba Corp 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法
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JPH03214666A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Toshiba Corp 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法
JPH03214665A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Toshiba Corp 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法
JP2008125134A (ja) * 2008-02-12 2008-05-29 Seiko Epson Corp 半導体装置

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