JPS60132951A - スルホンアミド誘導体の改良された製造方法 - Google Patents
スルホンアミド誘導体の改良された製造方法Info
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- JPS60132951A JPS60132951A JP59251432A JP25143284A JPS60132951A JP S60132951 A JPS60132951 A JP S60132951A JP 59251432 A JP59251432 A JP 59251432A JP 25143284 A JP25143284 A JP 25143284A JP S60132951 A JPS60132951 A JP S60132951A
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
- C07C303/36—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids
- C07C303/38—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids by reaction of ammonia or amines with sulfonic acids, or with esters, anhydrides, or halides thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
- C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
- C07D239/24—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D239/28—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, directly attached to ring carbon atoms
- C07D239/32—One oxygen, sulfur or nitrogen atom
- C07D239/38—One sulfur atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/63—Esters of sulfonic acids
- C07C309/64—Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C309/65—Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of a saturated carbon skeleton
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スルホンアミド誘導体の改良された製造方法
に関するものである。
に関するものである。
当該技術分野の技術者達は、スルホニルハライド、塩素
および臭素等のハロゲン類の如く、反応性に富み、揮発
し易（、かつ腐食性の試薬を取扱うことが多い。この様
なタイプの試薬を用いた実験に伴う潜在的な危険を軽減
するためには、人手による操作をできる限り回避するの
が望ましい。
および臭素等のハロゲン類の如く、反応性に富み、揮発
し易（、かつ腐食性の試薬を取扱うことが多い。この様
なタイプの試薬を用いた実験に伴う潜在的な危険を軽減
するためには、人手による操作をできる限り回避するの
が望ましい。
特に好ましいのは、１つの容器内で中間体生成物を生成
させ、それをそのまま使用する方法である。
させ、それをそのまま使用する方法である。
更に、商業的な大規模の製造分野では、技術者達は絶え
ず、安価で入手容易な出発物質を使用し、最小限の操作
で行なえる方法をめ続けている。
ず、安価で入手容易な出発物質を使用し、最小限の操作
で行なえる方法をめ続けている。
発明の目的および構成
本発明は、入手容易な出発物質と、工業的規模での製造
に適した簡便な合成方法とを用いてスルホンアミドを、
１反応容器で好都合に製造する方法を提供するものであ
る。
に適した簡便な合成方法とを用いてスルホンアミドを、
１反応容器で好都合に製造する方法を提供するものであ
る。
詳細に述べると、本発明は、式（１）：％式％（１１
（式中、Ｒ１はＣ１−Ｃ１ｏア・ルキル、フェニル、置
換フェニル、あるいは１または２個の窒素原子を含有し
、残りは炭素原子である６員環芳香族複素環化合物を表
わす） で示されるスルホンアミドの経済的で簡便な製造方法を
提供するものであって、この方法は以下の工程からなる
： （ａ） 式：ＲＭ［：式中、Ｍはアルカリ金属またはＭ
ｌｘ（ＭｌはＣｄ、ＺｎまたはＭｇ、Ｘはハロゲンであ
る）を表わす〕で示される有機金属化合物と、二酸化硫
黄とを反応させて有機スルフィン酸の金属塩を得； （ｂ） （ａ）で得た有機スルフィン酸の金属塩と塩素
または臭素を反応させてスルホニルハラ−イド誘導体を
得；そして （Ｃ） このスルホニルハライドをアンモニアで処理す
る。
換フェニル、あるいは１または２個の窒素原子を含有し
、残りは炭素原子である６員環芳香族複素環化合物を表
わす） で示されるスルホンアミドの経済的で簡便な製造方法を
提供するものであって、この方法は以下の工程からなる
： （ａ） 式：ＲＭ［：式中、Ｍはアルカリ金属またはＭ
ｌｘ（ＭｌはＣｄ、ＺｎまたはＭｇ、Ｘはハロゲンであ
る）を表わす〕で示される有機金属化合物と、二酸化硫
黄とを反応させて有機スルフィン酸の金属塩を得； （ｂ） （ａ）で得た有機スルフィン酸の金属塩と塩素
または臭素を反応させてスルホニルハラ−イド誘導体を
得；そして （Ｃ） このスルホニルハライドをアンモニアで処理す
る。
また本発明は、式（２）：
％式％（２１
（式中 Ｒ１はＣ１−６１ｏアルキル、フェニル、置換
フェニル、あるいは１または２個の窒素原子を含み、残
部に炭素原子を有する６員環芳香族複素環化合物、Ｘは
塩素または臭素を表わす）ルハライドの製造方法を提供 するものであって、式：Ｒ１ｓｏ□−Ｍ〔式中、Ｍはア
ルカリ金属またはＭＩＸ（式中、−１はＣｄ、Ｚｎまた
はＭｇ、Ｘはハロゲンを表わす）である〕で示される有
機スルフィン酸の金属塩と、塩素または臭素とを反応き
せることからなる。゛本明細□書において、Ｃ１−Ｃ１
ｏアルキルという語句は、１〜１０個の炭素原子を有す
る直鎖状または分枝状のアルキル鎖を意味する。代表的
なｈ−Ｃ１ｏアルキル基には、メチル、工ｆル、ｎ −
７Ｐ口ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−ブチ
ル、【−ブチル、ｎ−ペンチル＋ ５ｅｃ−へキシル。
フェニル、あるいは１または２個の窒素原子を含み、残
部に炭素原子を有する６員環芳香族複素環化合物、Ｘは
塩素または臭素を表わす）ルハライドの製造方法を提供 するものであって、式：Ｒ１ｓｏ□−Ｍ〔式中、Ｍはア
ルカリ金属またはＭＩＸ（式中、−１はＣｄ、Ｚｎまた
はＭｇ、Ｘはハロゲンを表わす）である〕で示される有
機スルフィン酸の金属塩と、塩素または臭素とを反応き
せることからなる。゛本明細□書において、Ｃ１−Ｃ１
ｏアルキルという語句は、１〜１０個の炭素原子を有す
る直鎖状または分枝状のアルキル鎖を意味する。代表的
なｈ−Ｃ１ｏアルキル基には、メチル、工ｆル、ｎ −
７Ｐ口ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−ブチ
ル、【−ブチル、ｎ−ペンチル＋ ５ｅｃ−へキシル。
ｎ−へブチＪｋ、インオクチル、ｎ−ノニルまたはｎ−
デシル等の基が含まれる。
デシル等の基が含まれる。
１置換フエニル”という語句は、製造工程に用いた反応
条件に於いて不活性な、１．２または３個の置換基を有
するフェニル環を意味する。適当な置換基には、例えば
Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシおよびエチ
レン−ケタール置換分差ひにニトロまたはアミノ基が含
まれる。
条件に於いて不活性な、１．２または３個の置換基を有
するフェニル環を意味する。適当な置換基には、例えば
Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシおよびエチ
レン−ケタール置換分差ひにニトロまたはアミノ基が含
まれる。
６員環芳香族複素環化合物という語句は、ｌまたは２個
の窒素原子と、残分として炭素原子を有する化合物を表
わし、ピリジン、ピラジン、ピリミジンおよびピリダジ
ンを含む。
の窒素原子と、残分として炭素原子を有する化合物を表
わし、ピリジン、ピラジン、ピリミジンおよびピリダジ
ンを含む。
・本発明方法の第１工程は、上で定義した１４１−Ｍで
示される有機金属化合物を、適当な溶媒中で乾燥条件下
において二酸化硫黄と反応させ、有機スルフィン酸の金
属塩を製造する工程である。用いられる有機金属化合物
はハロゲン化金職置換分を有していてもよいが、アルカ
リ金属置換分を有していることが好ましい′。有機金属
ハロゲン化物を用いる場合、代表的な金属には亜鉛、カ
ドミウムおよび特にマグネシウムがある。有機金属ハロ
ゲン化物中の適当なハロゲン置換分には塩素、そして特
に臭素かある。本発明方法に用いるのに適したアルカリ
金属にはリチウム、ナトリウムおよびカリウムがあるが
、リチウムが好ましい。
示される有機金属化合物を、適当な溶媒中で乾燥条件下
において二酸化硫黄と反応させ、有機スルフィン酸の金
属塩を製造する工程である。用いられる有機金属化合物
はハロゲン化金職置換分を有していてもよいが、アルカ
リ金属置換分を有していることが好ましい′。有機金属
ハロゲン化物を用いる場合、代表的な金属には亜鉛、カ
ドミウムおよび特にマグネシウムがある。有機金属ハロ
ゲン化物中の適当なハロゲン置換分には塩素、そして特
に臭素かある。本発明方法に用いるのに適したアルカリ
金属にはリチウム、ナトリウムおよびカリウムがあるが
、リチウムが好ましい。
二酸化硫黄は、常温、常圧で用いる場合には気体として
、また、約−１０℃以下の温度に冷却して用いる場合に
は液体として、反応混合物に加えられる。二酸化硫黄は
、少くとも１当量を反応混合物に加える必要があり、通
常、例えば１０当量またはそれ以上の過剰量を用いる。
、また、約−１０℃以下の温度に冷却して用いる場合に
は液体として、反応混合物に加えられる。二酸化硫黄は
、少くとも１当量を反応混合物に加える必要があり、通
常、例えば１０当量またはそれ以上の過剰量を用いる。
一般に、二酸化硫黄は、もはや反応が認められな（なる
まで反応混合物中に加える。後続のハロゲン化剤の添加
に先立って、過剰の二酸化硫黄をすべて除去しておかね
ばならない。これは、通常、窒素またはアルゴンの様な
不活性ガスを短時間反応容器内に通過させることにより
行なう。
まで反応混合物中に加える。後続のハロゲン化剤の添加
に先立って、過剰の二酸化硫黄をすべて除去しておかね
ばならない。これは、通常、窒素またはアルゴンの様な
不活性ガスを短時間反応容器内に通過させることにより
行なう。
有機金属出発物質のスルホン化は、適当な溶媒中、乾燥
条件下で行なう。適当な溶媒には、テトラヒドロフラン
やジエチルエーテルの如きエーテル類のみならず大多数
の炭化水素系溶媒が含まれる。代表的な炭化水素系溶媒
としては、ペンタ／、ヘキサン、２．３− ジメチルブ
タンまたはへブタンの如き脂肪族炭化水素化合物に加え
て、べ／ゼノ、トルエ／およびキシレンの如き芳香族炭
化水素類を挙げることができる。ごれらの中でテトラヒ
ドロフランが特に優れた溶媒である。溶媒は水を含んで
いてはならず、反応容器中には、いかなる水も残存して
いてはならない。そのためには、容器を加熱して全ての
水を蒸発させてから無水の雰囲気下で冷却するとよい。
条件下で行なう。適当な溶媒には、テトラヒドロフラン
やジエチルエーテルの如きエーテル類のみならず大多数
の炭化水素系溶媒が含まれる。代表的な炭化水素系溶媒
としては、ペンタ／、ヘキサン、２．３− ジメチルブ
タンまたはへブタンの如き脂肪族炭化水素化合物に加え
て、べ／ゼノ、トルエ／およびキシレンの如き芳香族炭
化水素類を挙げることができる。ごれらの中でテトラヒ
ドロフランが特に優れた溶媒である。溶媒は水を含んで
いてはならず、反応容器中には、いかなる水も残存して
いてはならない。そのためには、容器を加熱して全ての
水を蒸発させてから無水の雰囲気下で冷却するとよい。
反応の間、不活性雰囲気に保持するのが好ましい。通常
、窒素またはアルゴンの様な不活性ガスを反応容器中に
通して行なう。
、窒素またはアルゴンの様な不活性ガスを反応容器中に
通して行なう。
スルホン比の工程は、約−１１０℃〜４０℃の温度範囲
で行なった場合、通常、１〜３０分間の後に完了する。
で行なった場合、通常、１〜３０分間の後に完了する。
この様にして生成した有機スルフィン酸の金属塩を、単
離せずにそのまま、次のハロゲン化工程に用いる。
離せずにそのまま、次のハロゲン化工程に用いる。
本発明方法の第二工程は、有機スルフィン酸の金属塩を
塩素または臭素でハロゲン化してスルホニルハライド誘
導体を得る工程である。この工程の間もまた、乾燥条件
に保ってお（必要がある。
塩素または臭素でハロゲン化してスルホニルハライド誘
導体を得る工程である。この工程の間もまた、乾燥条件
に保ってお（必要がある。
通常、１当量のガス状の臭素、または特に塩素を反応混
合物の表向下に吹込むが、１当量を超える量を用いても
有害でないようである。この反応は約−１１０℃から１
００℃の間、より好ましくは約−５０℃から２５℃の間
で行なう。このハロゲン化の工程には、前のスルホン化
工程で用いり溶媒を使用するのが好ましいが、このハロ
ゲン化反応は、ハロゲン化炭化水素溶媒中で行なっても
よい。その様な溶媒には、例えばジクロロメタン、クロ
ロホルム、または１．２−ジブロモエタン等が含まれる
。
合物の表向下に吹込むが、１当量を超える量を用いても
有害でないようである。この反応は約−１１０℃から１
００℃の間、より好ましくは約−５０℃から２５℃の間
で行なう。このハロゲン化の工程には、前のスルホン化
工程で用いり溶媒を使用するのが好ましいが、このハロ
ゲン化反応は、ハロゲン化炭化水素溶媒中で行なっても
よい。その様な溶媒には、例えばジクロロメタン、クロ
ロホルム、または１．２−ジブロモエタン等が含まれる
。
この反応の終点は、ガス状のハロゲン化剤を加え続ける
間に、何ら発熱反応が認められなくなった時点である。
間に、何ら発熱反応が認められなくなった時点である。
上記のスルホン化工程の場合と同じく、本発明方法の最
終工程に移る前に、通常、反応容器に不活性ガスを吹込
むことにより、過剰の試薬を除去しておかねばならない
。この様にして得られた生成物をそのまま本発明方法の
最終工程に用いる。
終工程に移る前に、通常、反応容器に不活性ガスを吹込
むことにより、過剰の試薬を除去しておかねばならない
。この様にして得られた生成物をそのまま本発明方法の
最終工程に用いる。
本発明方法の最終工程は、得られたスルホニルハライト
ヲアンモニアで処理して、所望のスルホンアミド誘導体
を製造する工程である。この工程には不活性雰囲気は必
要ではなく、むしろ用いない方か好ましい。アンモニア
は気体状態であってもよ（、あるいは水酸化アンモニウ
ム水溶液またはアンモニアのアセトン溶液等の如く、液
体状態であってもよい。通常、少くとも１当量、好まし
くは過剰量のアンモニアを用いる。反応は、一般に、−
１０℃から約１００℃の温度範囲内で行なった場合、約
１分ないし２時間後に完了する。次いで、析出した固型
物を許取するか、または反応混合物を蒸発乾固するかし
て、スルホ／アミドを分離する。次いで、所望により生
成物を、通常の溶媒からの結晶化、またはシリカゲルま
たはアルミナの如き固体支持体を用いたＩ／ｒＩ製法、
あるいはその他当業者周知の方法で精製してもよい。
ヲアンモニアで処理して、所望のスルホンアミド誘導体
を製造する工程である。この工程には不活性雰囲気は必
要ではなく、むしろ用いない方か好ましい。アンモニア
は気体状態であってもよ（、あるいは水酸化アンモニウ
ム水溶液またはアンモニアのアセトン溶液等の如く、液
体状態であってもよい。通常、少くとも１当量、好まし
くは過剰量のアンモニアを用いる。反応は、一般に、−
１０℃から約１００℃の温度範囲内で行なった場合、約
１分ないし２時間後に完了する。次いで、析出した固型
物を許取するか、または反応混合物を蒸発乾固するかし
て、スルホ／アミドを分離する。次いで、所望により生
成物を、通常の溶媒からの結晶化、またはシリカゲルま
たはアルミナの如き固体支持体を用いたＩ／ｒＩ製法、
あるいはその他当業者周知の方法で精製してもよい。
本発明方法によって得られる化合物群は、様々な目的に
とって有用である。例えば、アメリカ特許第３．３２０
，３１２号には、相当するベンゼンスルホ／アミドとイ
ソシアナート類から製造された、血糖低下作用を有する
種々のフェニルスルホニルシクロアルキルウレア誘導体
が開示されている。
とって有用である。例えば、アメリカ特許第３．３２０
，３１２号には、相当するベンゼンスルホ／アミドとイ
ソシアナート類から製造された、血糖低下作用を有する
種々のフェニルスルホニルシクロアルキルウレア誘導体
が開示されている。
本発明方法に従って得られるスルホンアミド誘導体のう
ちあるものを、対応するスルホニルイソシアナートに変
換し、次いで適当なアミンと反応させることにより、農
薬として有用な化合物を得ることができる。このスルホ
ニルイソシアナートは、一般・に、スルホンアミドとホ
スゲンを、ｎ−ブチルイソシアナートの存在下、クロロ
ベンゼンの様な溶媒中で還流下に反応させることにより
製造することができる〔除草剤Ｎ−（複素環アミノカル
ボニル）アリールスルホンアミド誘導体に関するアメリ
カ特許第４，１６９，７１９号参照〕。本発明方法は、
アメリカ特許第３，３６７．．９４９号において例示さ
れたジニトロスルファニルアミド除草剤の製造、にも利
用することかできる。
ちあるものを、対応するスルホニルイソシアナートに変
換し、次いで適当なアミンと反応させることにより、農
薬として有用な化合物を得ることができる。このスルホ
ニルイソシアナートは、一般・に、スルホンアミドとホ
スゲンを、ｎ−ブチルイソシアナートの存在下、クロロ
ベンゼンの様な溶媒中で還流下に反応させることにより
製造することができる〔除草剤Ｎ−（複素環アミノカル
ボニル）アリールスルホンアミド誘導体に関するアメリ
カ特許第４，１６９，７１９号参照〕。本発明方法は、
アメリカ特許第３，３６７．．９４９号において例示さ
れたジニトロスルファニルアミド除草剤の製造、にも利
用することかできる。
本発明方法の出発物質として用いられる有機金属化合物
は、市販品を入手することかできるが、周知の方法で容
易に製造し得る。アルカリ金属置換分を持った出発物質
は、通常、有機ハロゲン化物とアルキル金属試薬とを下
記の反応式に従って反応させることにより製造すること
ができる二ＲＩＸ 十Ｒ２Ｍ−４ＲＩＭ 十Ｒ２Ｘ（式
中、Ｒ１は上記の定義に従う。Ｍはアルカリ金属、Ｘは
ハロゲン、Ｒ２はＣ１−Ｃ６アルキルを表わす。）。
は、市販品を入手することかできるが、周知の方法で容
易に製造し得る。アルカリ金属置換分を持った出発物質
は、通常、有機ハロゲン化物とアルキル金属試薬とを下
記の反応式に従って反応させることにより製造すること
ができる二ＲＩＸ 十Ｒ２Ｍ−４ＲＩＭ 十Ｒ２Ｘ（式
中、Ｒ１は上記の定義に従う。Ｍはアルカリ金属、Ｘは
ハロゲン、Ｒ２はＣ１−Ｃ６アルキルを表わす。）。
好ましいハロゲン原子は臭素および塩素であり、好まし
いアルカリ金属試薬はｎ−ブチルリチウムである。この
反応は、適当な溶媒中、不活性雰囲気下で低温で行なう
。適当な溶媒とは水を含まないものであって、ジエチル
エーテルあるいは、特にテトラヒドロフランの如きエー
テル類が含まれる。不活性雰囲気は、一般に、窒素また
はアルゴンを反応容器中に通すことにより得られる。通
常、１当量の有機ハロゲン化物と、１尚量またはそれ以
上のアルキル金属試薬とを混合する。反応は、約−１０
０℃〜０℃の温度範囲で行なった場合、通常、−１０分
′〜２４時間で終了する。本発明方法においては、生成
した有機金属化合物を電離せずにその゛まま使用するの
が好ましい。
いアルカリ金属試薬はｎ−ブチルリチウムである。この
反応は、適当な溶媒中、不活性雰囲気下で低温で行なう
。適当な溶媒とは水を含まないものであって、ジエチル
エーテルあるいは、特にテトラヒドロフランの如きエー
テル類が含まれる。不活性雰囲気は、一般に、窒素また
はアルゴンを反応容器中に通すことにより得られる。通
常、１当量の有機ハロゲン化物と、１尚量またはそれ以
上のアルキル金属試薬とを混合する。反応は、約−１０
０℃〜０℃の温度範囲で行なった場合、通常、−１０分
′〜２４時間で終了する。本発明方法においては、生成
した有機金属化合物を電離せずにその゛まま使用するの
が好ましい。
出発物質である有機金属ハロゲン化物もまた、当該技術
分野で周知の方法、またはそ払様な先行技術に類似する
方法で製造讐ることかできる。一般゛□に、以下の反応
式に従い、有機ハロゲン化物を適当な金属で処理する： ＲＩＸ’ −１−Ｍｌ −Ｌ ＩＬＩ Ｍｌ Ｘ（式中
、Ｒ１およｉｘは上記定義に従う。Ｍｌは亜鉛□、カド
ミウムまたは、特にマグネシウムを表わす。）。
分野で周知の方法、またはそ払様な先行技術に類似する
方法で製造讐ることかできる。一般゛□に、以下の反応
式に従い、有機ハロゲン化物を適当な金属で処理する： ＲＩＸ’ −１−Ｍｌ −Ｌ ＩＬＩ Ｍｌ Ｘ（式中
、Ｒ１およｉｘは上記定義に従う。Ｍｌは亜鉛□、カド
ミウムまたは、特にマグネシウムを表わす。）。
通常、□この反応は、有機Ｉ・ロゲン化物約１当量と′
１当量ないしやや過剰量の金属とを、適当な溶媒中で不
活性乾燥条件下で混合して行″なう。適当な溶媒とは水
を含有していないものであり、ジエチルエーテルおよび
特にテトラヒドロフランの妬きエーテル類か含まれる。
１当量ないしやや過剰量の金属とを、適当な溶媒中で不
活性乾燥条件下で混合して行″なう。適当な溶媒とは水
を含有していないものであり、ジエチルエーテルおよび
特にテトラヒドロフランの妬きエーテル類か含まれる。
不活性雰囲気は、通常窒素またはアルゴンを用いて調整
する、通常、この反応は、反応容器内の適当な溶媒中で
金属を粉末化し、その中へ沃素または１．２−ジブロモ
エタンのような開始剤を加えることにより、開始させる
。一般にこの溶液は、適当な溶媒中の有機／１０ゲン化
物を、撹拌下に反応混合物に滴下して加えるだけで、外
部からの加熱りしに還流させる。通常、有機ハロゲン化
物の添加終了後、外部熱源を適用することにより、この
溶液を約３０〜９０分間還流する。こうして得た有機金
属ハロゲン化物法の第１工程に用いることが□できる。
する、通常、この反応は、反応容器内の適当な溶媒中で
金属を粉末化し、その中へ沃素または１．２−ジブロモ
エタンのような開始剤を加えることにより、開始させる
。一般にこの溶液は、適当な溶媒中の有機／１０ゲン化
物を、撹拌下に反応混合物に滴下して加えるだけで、外
部からの加熱りしに還流させる。通常、有機ハロゲン化
物の添加終了後、外部熱源を適用することにより、この
溶液を約３０〜９０分間還流する。こうして得た有機金
属ハロゲン化物法の第１工程に用いることが□できる。
上記の−がカドミウムであるカドミウム試薬は、通常、
周知の方法に従い、グリニヤール試薬を塩化カドミウム
で金属転移させることにより、製造することができる。
周知の方法に従い、グリニヤール試薬を塩化カドミウム
で金属転移させることにより、製造することができる。
以下に実施例を挙げ、本発明をさらに詳しく説明する。
ただし、これらの実施例は、本発明を限定するものでは
ない。 ′ 実１Ｎ／ＩＪ ｌ ベンゼンスルホンアミド冷却管、温
度計および機械的な撹拌機を備え、減圧下、１００℃で
乾燥した１００ｄの二頭丸底フラスコにマグネシウム片
１．０７ ｆ （４４，Ｑｒｍｉｏｌ ）およびテトラ
ヒドロフラン６ｄを入れた。６．５８９のプロモベンゼ
／（９９％、４１．５ｍｍｏｌ）とテトラヒドロ７ラン
３４Ｉｎｌの溶液を少量、このフラスコに加えた。反応
は、マグネシウム片の少量を粉砕し、次いで少量の沃素
結晶を加えて加熱することにより開始させた。次いで、
残りのブロモベンゼン溶液を３０分間で加えた。その間
、還流し続けるために最少限度の加熱を行なった。ブロ
モベンゼン溶液の添加後、反応混合物を更に４５分間加
熱還流した。この溶液を０℃〜５℃に冷却し、次いで、
このグリニヤール試薬混合物中に、ドライアイスのつま
ったコールドフィンガーコンデンサーをその頂部に付け
た滴下ロートから二酸化硫黄２．１ ｍｌ （４７，０
ｍｍｏｌ ）を滴下して加エタ。コノ反応混合物を約−
５℃まで冷却した。この間、窒素ガスで徹底的に浄化し
た。塩素ガスを、激しい発熱反応が止むまで、反応混合
物の表面下に静かに吹込んだ。この反応混合物を約−９
℃に冷却し、塩素カスを除いた。５．３６９の２８％ア
ンモニア水とアセトン２０ｍ／との溶液を、この反応混
合物に約３０分間で滴下した。析出した固型物を濾過し
、アセトンで洗浄した。母液と洗浄液とを合わせて減圧
濃縮し、水中に入れてスラリーにし、１２Ｎ ＨＣＩ！
で酸性にした。固型物のスラリーを冷やして濾過し、水
およびヘキ゛サンで洗浄し、得られた固型物を真空乾燥
機内で乾燥してべ／インスルホンアミド３．２４ｉ９を
得た。そのプロトンＮＭＲは標品のそれと同一であった
。ｍＰ＝１５０〜１５２℃（未補正）。赤外吸収スペク
トルもベンゼンスルホンアミドの構造と一致していた。
ない。 ′ 実１Ｎ／ＩＪ ｌ ベンゼンスルホンアミド冷却管、温
度計および機械的な撹拌機を備え、減圧下、１００℃で
乾燥した１００ｄの二頭丸底フラスコにマグネシウム片
１．０７ ｆ （４４，Ｑｒｍｉｏｌ ）およびテトラ
ヒドロフラン６ｄを入れた。６．５８９のプロモベンゼ
／（９９％、４１．５ｍｍｏｌ）とテトラヒドロ７ラン
３４Ｉｎｌの溶液を少量、このフラスコに加えた。反応
は、マグネシウム片の少量を粉砕し、次いで少量の沃素
結晶を加えて加熱することにより開始させた。次いで、
残りのブロモベンゼン溶液を３０分間で加えた。その間
、還流し続けるために最少限度の加熱を行なった。ブロ
モベンゼン溶液の添加後、反応混合物を更に４５分間加
熱還流した。この溶液を０℃〜５℃に冷却し、次いで、
このグリニヤール試薬混合物中に、ドライアイスのつま
ったコールドフィンガーコンデンサーをその頂部に付け
た滴下ロートから二酸化硫黄２．１ ｍｌ （４７，０
ｍｍｏｌ ）を滴下して加エタ。コノ反応混合物を約−
５℃まで冷却した。この間、窒素ガスで徹底的に浄化し
た。塩素ガスを、激しい発熱反応が止むまで、反応混合
物の表面下に静かに吹込んだ。この反応混合物を約−９
℃に冷却し、塩素カスを除いた。５．３６９の２８％ア
ンモニア水とアセトン２０ｍ／との溶液を、この反応混
合物に約３０分間で滴下した。析出した固型物を濾過し
、アセトンで洗浄した。母液と洗浄液とを合わせて減圧
濃縮し、水中に入れてスラリーにし、１２Ｎ ＨＣＩ！
で酸性にした。固型物のスラリーを冷やして濾過し、水
およびヘキ゛サンで洗浄し、得られた固型物を真空乾燥
機内で乾燥してべ／インスルホンアミド３．２４ｉ９を
得た。そのプロトンＮＭＲは標品のそれと同一であった
。ｍＰ＝１５０〜１５２℃（未補正）。赤外吸収スペク
トルもベンゼンスルホンアミドの構造と一致していた。
実ｍ例２ ５−ピリミジンスルホンアミド１００ｒｎ！
、の二頭丸底フラスコ（１１５℃で風乾）に５．１３ｇ
の５−プロモピリミジノ（９９２％、３２、Ｑ ｎｍｏ
Ｉ ）および６０ｒｎ！、のテトラヒドロフラン（モ
レキュラーシーブで乾燥）を入れた。この溶液を約−９
５°〜−１００℃に冷却し、１．６Ｍｎ−ブチルリチウ
ム、へキサン溶液２１．０ｍ！、（３３，６ｆｆＮｎｏ
りを、−９２℃を越えないようにして２５分間で加えた
。この混合物を一９０°〜−１００℃で１時間撹拌し、
二酸化硫黄を反応混合物の表面下に、反応が止むまで静
かに吹込んだ。この表面下へのガス添加のガス源を、簡
単に窒素に置き換えた後、温度を一３０℃以下に維持し
ながら、発熱反応が止むまで塩素ガスを加えた。この反
応混合物を０〜５℃に加温して過剰の塩素ガスを除いた
後、２８％アンモニア水溶液２０．ｎｔをこの混合物中
に加えた。この混合物を２℃に冷却し、析出した固型物
を濾過して集めた。この固型物をヘキサンで洗浄し、乾
燥機で乾燥することにより、ＮＭＲ分析で５−ピリミジ
ンスルホンアミドを含有することが確認された固型物７
．９６９を得た。
、の二頭丸底フラスコ（１１５℃で風乾）に５．１３ｇ
の５−プロモピリミジノ（９９２％、３２、Ｑ ｎｍｏ
Ｉ ）および６０ｒｎ！、のテトラヒドロフラン（モ
レキュラーシーブで乾燥）を入れた。この溶液を約−９
５°〜−１００℃に冷却し、１．６Ｍｎ−ブチルリチウ
ム、へキサン溶液２１．０ｍ！、（３３，６ｆｆＮｎｏ
りを、−９２℃を越えないようにして２５分間で加えた
。この混合物を一９０°〜−１００℃で１時間撹拌し、
二酸化硫黄を反応混合物の表面下に、反応が止むまで静
かに吹込んだ。この表面下へのガス添加のガス源を、簡
単に窒素に置き換えた後、温度を一３０℃以下に維持し
ながら、発熱反応が止むまで塩素ガスを加えた。この反
応混合物を０〜５℃に加温して過剰の塩素ガスを除いた
後、２８％アンモニア水溶液２０．ｎｔをこの混合物中
に加えた。この混合物を２℃に冷却し、析出した固型物
を濾過して集めた。この固型物をヘキサンで洗浄し、乾
燥機で乾燥することにより、ＮＭＲ分析で５−ピリミジ
ンスルホンアミドを含有することが確認された固型物７
．９６９を得た。
実ｍ例３ ｐ−アセチルベンゼンスルホンアミド
１００ｍ／の３頚丸底フラスコにＰ−ブロモアセトフェ
ノン１０．０１１エチレンケタール（４１，２石問１）
およびテトラヒドロフラン５０ｍを入れた。
ノン１０．０１１エチレンケタール（４１，２石問１）
およびテトラヒドロフラン５０ｍを入れた。
この溶液を一６９℃に冷却し、２９−のｎ−ブチルリチ
ウム溶液（１，４３１モル濃度、４１１訓０１）を、温
度を一６１℃以下に保ちながら反応混合物中に入れた。
ウム溶液（１，４３１モル濃度、４１１訓０１）を、温
度を一６１℃以下に保ちながら反応混合物中に入れた。
この混合物を一７０℃で１時間撹拌し、そこへ、液体状
の二酸化硫黄５ ｍｌ、（ｌ ｌ ０ｍ１ｎＯ１）を発
熱反応が認められな（なるまでゆっくりと加えた。反応
混合物の表面下に窒素ガスを３０分間吹込み、次いで塩
素ガスを約５分間加えた。表面下の窒素ガス浄化を続け
なから″、反応混合物を徐々に周囲温度に昇温させた。
の二酸化硫黄５ ｍｌ、（ｌ ｌ ０ｍ１ｎＯ１）を発
熱反応が認められな（なるまでゆっくりと加えた。反応
混合物の表面下に窒素ガスを３０分間吹込み、次いで塩
素ガスを約５分間加えた。表面下の窒素ガス浄化を続け
なから″、反応混合物を徐々に周囲温度に昇温させた。
この混合物を５°〜１５℃に冷やし、温度を１５℃以下
に保ちなから２８係アノモニア水溶液１０ｒｎＩとアセ
ト／２２ゴとをゆっくり加えた。この溶液に脱イオン水
４１ｍ／を加え、更に２８％アンモニア水をｐＨが９に
達するまで加えた。この混合物を減圧蒸留して大部分の
有機溶媒を除去した。残留物にトルエンとアセトンを加
えた。この混合物を２時間加熱還流し、室温に冷却した
後、濾過した。Ｐ液を蒸発させて固型残留物５．３ａｙ
を得た。この残留物４．２８９に、メタノール１５ｍ／
、水５ｒｎ！および９８％硫酸０、’３３ ｆｉを加え
た。この混合物を一夜撹拌し、冷却した。この混合物を
濾過し、固型物を、冷５０チ水性アセトン溶液で洗浄し
た。この固型物を、−夜真空乾燥機内で乾燥した。得ら
れた１、３５９ノ固型物は、ｌ−１Ｐ Ｌ Ｃ分析・て
ｐ−アセチルベンゼンスルホンアミドを含有することが
確認された。
に保ちなから２８係アノモニア水溶液１０ｒｎＩとアセ
ト／２２ゴとをゆっくり加えた。この溶液に脱イオン水
４１ｍ／を加え、更に２８％アンモニア水をｐＨが９に
達するまで加えた。この混合物を減圧蒸留して大部分の
有機溶媒を除去した。残留物にトルエンとアセトンを加
えた。この混合物を２時間加熱還流し、室温に冷却した
後、濾過した。Ｐ液を蒸発させて固型残留物５．３ａｙ
を得た。この残留物４．２８９に、メタノール１５ｍ／
、水５ｒｎ！および９８％硫酸０、’３３ ｆｉを加え
た。この混合物を一夜撹拌し、冷却した。この混合物を
濾過し、固型物を、冷５０チ水性アセトン溶液で洗浄し
た。この固型物を、−夜真空乾燥機内で乾燥した。得ら
れた１、３５９ノ固型物は、ｌ−１Ｐ Ｌ Ｃ分析・て
ｐ−アセチルベンゼンスルホンアミドを含有することが
確認された。
実施例４ ｎ−ブチルスルホンアミド
１００ｍ／の二頭丸底フラスコに３０．０ｒｎ１．の１
．６Ｎｎ−ブチルリチウム（４８，０ｍｎ０１ ）と２
０ｒｎ！、のテトラヒドロフラン（ナトリウム／ベンゾ
フェノンから蒸留した直後のもの）を入れた。この混合
物を一５０℃まで冷却し、反応混合物の表面下に二酸化
硫黄を、発熱反応が止むまで徐々に加えた。
．６Ｎｎ−ブチルリチウム（４８，０ｍｎ０１ ）と２
０ｒｎ！、のテトラヒドロフラン（ナトリウム／ベンゾ
フェノンから蒸留した直後のもの）を入れた。この混合
物を一５０℃まで冷却し、反応混合物の表面下に二酸化
硫黄を、発熱反応が止むまで徐々に加えた。
温度は一３０℃以下に保持した。この混合物を手早く窒
素ガスで浄化した後、塩素を、全固型物が溶解するまで
加えた。この溶液を０℃まで加温し、過剰の塩素ガスを
、窒素ガス浄化により除去した後、８．４ｇの２８チア
ンモニア水溶液を、温度を２０℃以下に保ちながら加え
た。この混合物を一夜撹拌し、周囲の温度により室温に
戻した。この混合物を００〜５℃に冷却して３時間撹拌
した。析出した固型物を濾過して集め、ヘキサンで洗浄
した。この物質を真空乾燥機で乾燥し、ＮＭＲでｎ−プ
チルスルホンアミドを含有していることか確認された固
型物７．６８９を得た。
素ガスで浄化した後、塩素を、全固型物が溶解するまで
加えた。この溶液を０℃まで加温し、過剰の塩素ガスを
、窒素ガス浄化により除去した後、８．４ｇの２８チア
ンモニア水溶液を、温度を２０℃以下に保ちながら加え
た。この混合物を一夜撹拌し、周囲の温度により室温に
戻した。この混合物を００〜５℃に冷却して３時間撹拌
した。析出した固型物を濾過して集め、ヘキサンで洗浄
した。この物質を真空乾燥機で乾燥し、ＮＭＲでｎ−プ
チルスルホンアミドを含有していることか確認された固
型物７．６８９を得た。
特許出願人 イーライ・リリー・アンド・カンノ寸ニー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式（１）二 ｍｌ−５ｏ２− ＮＵ２’ （１１ （式中、妃はＣ１−Ｃ１ｏアルキル、フェニル、置換フ
ェニル、あるいは１または２個の窒素原子を含有し、残
部は炭素原子である６員環の芳香族複素環化合物を表わ
す） で示されるスルホンアミドの製造方法であって、（ａ）
弐Ｒ１−Ｍ［式中、Ｍはアルカリ金属または−ｘ（Ｍｌ
ハｃｄ、ＺｎマタハＭｇ、ｘハハロケンでする）を表わ
す〕で示される有機金属化合物と、二酸化硫黄とを反応
させて有機スルフィン酸の金属塩を得： （ｂ）（ａ）で得た有機スルフィン酸の金属塩と塩素ま
たは臭素を反応させてスルホニル／′−ライド誘導体を
得： （Ｃ）このスルホニルハライドをアンモニアで処理する
ことからなる方法。 ２、Ｍがアルカリ金属である第１項に記載の方法。 ３、アルカリ金属がリチウムである第２項に記載の方法
。 ４、ＭがＭＩＸである第１項に記載の方法。 ５、ＭＩＸが臭化マグネシウムである第４項に記載の方
法。 ６、 Ｒ’ｆ）Ｓ ｎ −フチル、Ｐ−−７’セチルフ
ェニル、５−ピリミジニルまたはフェニルである第１項
に記載の方法。 ７、式（２）： ％式％（２１ （式中、Ｒ１はＣ１−Ｃ１０アルキル、フェニル、置換
フェニル、あるいは１または２個の窒素原子と残部に炭
素原子を有する６員環芳香族複素環化合物、Ｘは塩素ま
たは臭素を表わす） で示されるスルホニルハライドの製造方法であっで、式
： Ｒ１−５０２−Ｍ ［式中、Ｍはアルカリ金属また
はＭＩＸ （式中、Ｍｌ はＣｄ、ＺｎまたはＭｇ、Ｘ
はハロゲンを表わす）である〕で示される有機スルフィ
ン酸の金属塩と、塩素または臭素とを反応させることか
らなる方法。 ８、Ｍがアルカリ金属である第７項に記載の方法。 ９、ＭがＭＩＸである第７項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55576583A | 1983-11-28 | 1983-11-28 | |
| US555765 | 1995-11-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132951A true JPS60132951A (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=24218524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59251432A Pending JPS60132951A (ja) | 1983-11-28 | 1984-11-27 | スルホンアミド誘導体の改良された製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0143627A1 (ja) |
| JP (1) | JPS60132951A (ja) |
| KR (1) | KR860002166B1 (ja) |
| DK (1) | DK562384A (ja) |
| GB (1) | GB2150562A (ja) |
| GR (1) | GR80986B (ja) |
| IL (1) | IL73553A0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02200661A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-08-08 | Pennwalt Corp | アルカンスルホンアミド類の製法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4959501A (en) * | 1987-09-04 | 1990-09-25 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the preparation of 2-(2-chloroethoxy)-benzenesulfonamide |
| DE10123954A1 (de) * | 2001-05-17 | 2002-11-21 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von 2-Trifluormethoxy-benzolsulfonamid |
| DE10226742A1 (de) * | 2002-06-14 | 2004-01-08 | Basf Ag | Mit SO2 behandelter Zinkkomplex-Katalysator |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR836554A (fr) * | 1937-04-23 | 1939-01-20 | Ste Ind Chim Bale | Produits auxiliaires pour l'industrie textile |
| CH383951A (de) * | 1955-07-07 | 1964-11-15 | M & T Chemicals Inc | Verfahren zur Herstellung von Schwefel enthaltenden organischen Verbindungen |
| US3202707A (en) * | 1960-12-30 | 1965-08-24 | Continental Oil Co | Preparation of alpha chloro-alkane-sulfonyl chlorides |
| FR2374287A1 (fr) * | 1976-12-17 | 1978-07-13 | Ugine Kuhlmann | Procede de preparation de derives des acides perfluoroalcane-carboxyliques et perfluoroalcane-sulfiniques |
| DE2821193A1 (de) * | 1978-05-13 | 1979-11-15 | Stockhausen & Cie Chem Fab | Verfahren zur kontinuierlichen herstellung von sulfamiden |
| US4391627A (en) * | 1980-07-25 | 1983-07-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Herbicidal benzothiophene and benzofuran sulfonamides |
-
1984
- 1984-11-20 GR GR80986A patent/GR80986B/el unknown
- 1984-11-20 IL IL73553A patent/IL73553A0/xx unknown
- 1984-11-26 GB GB08429802A patent/GB2150562A/en not_active Withdrawn
- 1984-11-26 KR KR1019840007413A patent/KR860002166B1/ko active
- 1984-11-26 EP EP84308161A patent/EP0143627A1/en not_active Withdrawn
- 1984-11-27 DK DK562384A patent/DK562384A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-11-27 JP JP59251432A patent/JPS60132951A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02200661A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-08-08 | Pennwalt Corp | アルカンスルホンアミド類の製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR850004741A (ko) | 1985-07-27 |
| KR860002166B1 (ko) | 1986-12-22 |
| EP0143627A1 (en) | 1985-06-05 |
| GB8429802D0 (en) | 1985-01-03 |
| IL73553A0 (en) | 1985-02-28 |
| GR80986B (en) | 1985-03-19 |
| DK562384D0 (da) | 1984-11-27 |
| GB2150562A (en) | 1985-07-03 |
| DK562384A (da) | 1985-05-29 |
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