JP2003081934A - 4−ニトロアニリン誘導体の製造方法 - Google Patents

4−ニトロアニリン誘導体の製造方法

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JP2003081934A
JP2003081934A JP2001273199A JP2001273199A JP2003081934A JP 2003081934 A JP2003081934 A JP 2003081934A JP 2001273199 A JP2001273199 A JP 2001273199A JP 2001273199 A JP2001273199 A JP 2001273199A JP 2003081934 A JP2003081934 A JP 2003081934A
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nitroaniline
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nitrite
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Tomohiro Toyoda
知宏 豊田
Mikio Sasaki
幹雄 佐々木
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Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アニリン誘導体のニトロ化により、4位が
ニトロ化された4−ニトロアニリン誘導体を選択性およ
び収率よく製造する方法を提供すること。 【解決手段】溶媒および亜硝酸塩の存在下、一般式
(1) (式中、R1は炭素数1〜10のアルキル基を表わし、
2はアシル基または−SO23で示される基を表わ
す。ここで、R3は、炭素数1〜10のアルキル基また
は置換されていてもよいフェニル基を表わす。)で示さ
れるアニリン誘導体と硝酸とを、内温102℃以上で反
応させることを特徴とする一般式(2) (式中、R1およびR2は上記と同一の意味を表わす。)
で示される4−ニトロアニリン誘導体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、4−ニトロアニリ
ン誘導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般式(3) (式中、R1は炭素数1〜10のアルキル基を表わ
す。)で示される1,4−フェニレンジアミン誘導体
は、医薬中間体等として有用であり、その前駆体とし
て、一般式(4) (式中、R1は上記と同一の意味を表わす。)で示され
る4−ニトロアニリン誘導体が挙げられる。
【0003】かかる一般式(4)で示される4−ニトロ
アニリン誘導体を、比較的入手容易な一般式(5) (式中、R1は上記と同一の意味を表わす。)で示され
るアニリン誘導体のニトロ化により製造しようとした場
合、主に一般式(5)で示されるアニリン誘導体の3位
がニトロ化された3−ニトロアニリン誘導体が得られる
ため、一般式(5)で示されるアニリン誘導体のニトロ
化により、一般式(4)で示される4−ニトロアニリン
誘導体を選択性および収率よく製造することは困難であ
った。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような状況のも
と、本発明者らは、アニリン誘導体のニトロ化により、
4位がニトロ化された4−ニトロアニリン誘導体を選択
性および収率よく製造する方法について、鋭意検討した
ところ、溶媒および亜硝酸塩の存在下、一般式(1) (式中、R1は炭素数1〜10のアルキル基を表わし、
2はアシル基または−SO23で示される基を表わ
す。ここで、R3は、炭素数1〜10のアルキル基また
は置換されていてもよいフェニル基を表わす。)で示さ
れるアニリン誘導体と硝酸とを、内温102℃以上で反
応させることにより、4位がニトロ化された一般式
(2) (式中、R1およびR2は上記と同一の意味を表わす。)
で示される4−ニトロアニリン誘導体が選択性および収
率よく得られることを見出し、本発明に至った。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、溶媒
および亜硝酸塩の存在下、一般式(1) (式中、R1は炭素数1〜10のアルキル基を表わし、
2はアシル基または−SO23で示される基を表わ
す。ここで、R3は、炭素数1〜10のアルキル基また
は置換されていてもよいフェニル基を表わす。)で示さ
れるアニリン誘導体と硝酸とを、内温102℃以上で反
応させることを特徴とする一般式(2) (式中、R1およびR2は上記と同一の意味を表わす。)
で示される4−ニトロアニリン誘導体の製造方法を提供
するものである。
【0006】
【発明の実施の形態】一般式(1) で示されるアニリン誘導体(以下、アニリン誘導体
(1)と略記する。)の式中、R1は炭素数1〜10の
アルキル基を表わす。
【0007】炭素数1〜10のアルキル基としては、例
えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシ
ル基、n−オクチル基、イソオクチル基、n−デシル基
等の直鎖状または分枝鎖状のアルキル基が挙げられる。
【0008】また、上記式中、R2はアシル基または−
SO23で示される基を表わし、−SO23で示される
基が好ましい。ここで、R3は、炭素数1〜10のアル
キル基または置換されていてもよいフェニル基を表わ
す。
【0009】アシル基としては、例えばアセチル基、プ
ロピオニル基、ブチリル基等の脂肪族アシル基、例えば
ベンゾイル基等の芳香族アシル基等が挙げられる。
【0010】置換されていてもよいフェニル基の置換基
としては、例えば上記した炭素数1〜10のアルキル
基、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基
等のアルコキシ基、例えばフッ素原子、塩素原子等のハ
ロゲン原子等が挙げられる。かかる置換されていてもよ
いフェニル基としては、例えばフェニル基、p−トリル
基、キシリル基、p−メトキシフェニル基、p−フルオ
ロフェニル基等が挙げられる。
【0011】−SO23で示される基としては、例えば
メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ベンゼンス
ルホニル基、p−トルエンスルホニル基等が挙げられ、
好ましくはメタンスルホニル基が挙げられる。
【0012】かかるアニリン誘導体(1)としては、例
えばN−メタンスルホニル−2,6−ジメチルアニリ
ン、N−エタンスルホニル−2,6−ジメチルアニリ
ン、N−ベンゼンスルホニル−2,6−ジメチルアニリ
ン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,6−ジメチ
ルアニリン、N−メタンスルホニル−2,6−ジエチル
アニリン、N−エタンスルホニル−2,6−ジエチルア
ニリン、N−ベンゼンスルホニル−2,6−ジエチルア
ニリン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,6−ジ
エチルアニリン、N−メタンスルホニル−2,6−ジ
(n−プロピル)アニリン、N−エタンスルホニル−
2,6−ジ(n−プロピル)アニリン、N−ベンゼンス
ルホニル−2,6−ジ(n−プロピル)アニリン、N−
(p−トルエンスルホニル)−2,6−ジ(n−プロピ
ル)アニリン、N−メタンスルホニル−2,6−ジイソ
プロピルアニリン、N−エタンスルホニル−2,6−ジ
イソプロピルアニリン、N−ベンゼンスルホニル−2,
6−ジイソプロピルアニリン、N−(p−トルエンスル
ホニル)−2,6−ジイソプロピルアニリン、N−メタ
ンスルホニル−2,6−ジ(n−ブチル)アニリン、N
−エタンスルホニル−2,6−ジ(n−ブチル)アニリ
ン、N−ベンゼンスルホニル−2,6−ジ(n−ブチ
ル)アニリン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,
6−ジ(n−ブチル)アニリン、N−メタンスルホニル
−2,6−ジ(n−ヘキシル)アニリン、N−エタンス
ルホニル−2,6−ジ(n−ヘキシル)アニリン、N−
ベンゼンスルホニル−2,6−ジ(n−ヘキシル)アニ
リン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,6−ジ
(n−ヘキシル)アニリン、N−アセチル−2,6−ジ
メチルアニリン、N−アセチル−2,6−ジイソプロピ
ルアニリン等が挙げられる。
【0013】かかるアニリン誘導体(1)は、例えば対
応するアニリン誘導体と例えばメタンスルホン酸クロリ
ド等のスルホン酸ハロゲン化物や例えばアセチルクロリ
ド等のカルボン酸ハロゲン化物との反応により得ること
ができる。
【0014】溶媒としては、反応を阻害しないものであ
れば特に制限されず、例えば水、酢酸等の単独または混
合溶媒が挙げられ、その使用量は、アニリン誘導体
(1)に対して、通常1重量倍以上であり、その上限は
特に制限されない。
【0015】亜硝酸塩としては、例えば亜硝酸ナトリウ
ム、亜硝酸カリウム等の亜硝酸アルカリ金属塩が挙げら
れ、好ましくは亜硝酸ナトリウムが挙げられる。その使
用量は、アニリン誘導体(1)に対して、通常0.05
モル倍以上、好ましくは0.1モル倍以上、より好まし
くは0.5モル倍以上であり、その上限は特に制限され
ないが、あまり多すぎると経済的に不利になりやすいた
め、実用的には、アニリン誘導体(1)に対して、5モ
ル倍以下である。
【0016】硝酸としては、通常硝酸濃度が90重量%
以上の発煙硝酸が用いられる。その使用量は、アニリン
誘導体(1)に対して、通常1〜10モル倍、好ましく
は3〜10モル倍、より好ましくは5〜8モル倍であ
る。
【0017】本発明は、溶媒および亜硝酸塩の存在下、
アニリン誘導体(1)と硝酸とを、内温102℃以上で
反応させるものであり、これにより、目的とする一般式
(2) (式中、R1およびR2は上記と同一の意味を表わす。)
で示される4−ニトロアニリン誘導体(以下、4−ニト
ロアニリン誘導体(2)と略記する。)を選択性および
収率よく製造することができる。内温102℃未満で反
応を行なった場合は、原料であるアニリン誘導体(1)
の残存が増加し、4−ニトロアニリン誘導体の収率が低
下する。実用面を考慮すると、反応温度の上限は、11
0℃、好ましくは105℃である。
【0018】本反応は、溶媒、亜硝酸塩、アニリン誘導
体(1)および硝酸を混合することにより実施され、そ
の混合順序は特に制限されず、例えば溶媒、亜硝酸塩、
アニリン誘導体(1)および硝酸を混合後、反応液の内
温を102℃以上に加熱し、反応させる方法、溶媒、ア
ニリン誘導体(1)および硝酸を混合後、内温102℃
以上で、亜硝酸塩を加える方法、溶媒および硝酸を混合
し、内温102℃以上に加熱し、アニリン誘導体(1)
および亜硝酸塩を加える方法等が挙げられる。反応の制
御の容易さという点で、溶媒、アニリン誘導体(1)お
よび硝酸を混合後、内温102℃以上で、亜硝酸塩を加
える方法、および溶媒および硝酸を混合し、内温102
℃以上に加熱し、アニリン誘導体(1)および亜硝酸塩
を加える方法が好ましい。後者の場合、アニリン誘導体
(1)と亜硝酸塩は、同時並行的に加えてもよい。ま
た、溶媒は、アニリン誘導体(1)や亜硝酸塩と予め混
合しておいてもよい。
【0019】反応終了後、反応液に例えば水を加えるこ
とにより、目的とする4−ニトロアニリン誘導体(2)
を取り出すことができる。取り出した4−ニトロアニリ
ン誘導体(2)は、例えば再結晶等によりさらに精製し
てもよい。
【0020】かくして得られる4−ニトロアニリン誘導
体(2)としては、例えばN−メタンスルホニル−2,
6−ジメチル−4−ニトロアニリン、N−エタンスルホ
ニル−2,6−ジメチル−4−ニトロアニリン、N−ベ
ンゼンスルホニル−2,6−ジメチル−4−ニトロアニ
リン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,6−ジメ
チル−4−ニトロアニリン、N−メタンスルホニル−
2,6−ジエチル−4−ニトロアニリン、N−エタンス
ルホニル−2,6−ジエチル−4−ニトロアニリン、N
−ベンゼンスルホニル−2,6−ジエチル−4−ニトロ
アニリン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,6−
ジエチル−4−ニトロアニリン、N−メタンスルホニル
−2,6−ジ(n−プロピル)−4−ニトロアニリン、
N−エタンスルホニル−2,6−ジ(n−プロピル)−
4−ニトロアニリン、N−ベンゼンスルホニル−2,6
−ジ(n−プロピル)−4−ニトロアニリン、N−(p
−トルエンスルホニル)−2,6−ジ(n−プロピル)
−4−ニトロアニリン、
【0021】N−メタンスルホニル−2,6−ジイソプ
ロピル−4−ニトロアニリン、N−エタンスルホニル−
2,6−ジイソプロピル−4−ニトロアニリン、N−ベ
ンゼンスルホニル−2,6−ジイソプロピル−4−ニト
ロアニリン、N−(p−トルエンスルホニル)−2,6
−ジイソプロピル−4−ニトロアニリン、N−メタンス
ルホニル−2,6−ジ(n−ブチル)−4−ニトロアニ
リン、N−エタンスルホニル−2,6−ジ(n−ブチ
ル)−4−ニトロアニリン、N−ベンゼンスルホニル−
2,6−ジ(n−ブチル)−4−ニトロアニリン、N−
(p−トルエンスルホニル)−2,6−ジ(n−ブチ
ル)−4−ニトロアニリン、N−メタンスルホニル−
2,6−ジ(n−ヘキシル)−4−ニトロアニリン、N
−エタンスルホニル−2,6−ジ(n−ヘキシル)−4
−ニトロアニリン、N−ベンゼンスルホニル−2,6−
ジ(n−ヘキシル)−4−ニトロアニリン、N−(p−
トルエンスルホニル)−2,6−ジ(n−ヘキシル)−
4−ニトロアニリン、N−アセチル−2,6−ジメチル
−4−ニトロアニリン、N−アセチル−2,6−ジイソ
プロピルアニリン等が挙げられる。
【0022】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。
【0023】実施例1 発煙硝酸6.3g、酢酸10mLおよび水50mLを混
合し、液内温が103℃になるまで加熱、還流させた。
N−メタンスルホニル−2,6−ジイソプロピルアニリ
ン5gを酢酸20mLに溶解させた溶液を、液内温10
3℃で滴下した後、同温度で亜硝酸ナトリウム1.35
gを水10mLに溶解させた溶液を、1時間20分かけ
て滴下した。滴下終了時の反応液をガスクロマトグラフ
ィ(GC)により分析したところ、原料であるN−メタ
ンスルホニル−2,6−ジイソプロピルアニリンの転化
率は、67%、N−メタンスルホニル−2,6−ジイソ
プロピル−4−ニトロアニリンの反応収率は、65%
(絶対検量線法)、選択率は、97%であった。反応液
に水を加え、析出した結晶を濾取し、イソプロパノール
/ヘキサン混合液で洗浄し、N−メタンスルホニル−
2,6−ジイソプロピル−4−ニトロアニリンの結晶
を、収率61%で得た(純度:99%)。
【0024】実施例2 発煙硝酸6.3g、酢酸10mLおよび水50mLを混
合し、液内温が103℃になるまで加熱、還流させた。
N−メタンスルホニル−2,6−ジイソプロピルアニリ
ン5gを酢酸20mLに溶解させた溶液と亜硝酸ナトリ
ウム1.35gを水10mLに溶解させた溶液を、4時
間かけて併注滴下し、同温度で4時間攪拌、保持した。
保温終了時の反応液をガスクロマトグラフィ(GC)に
より分析したところ、原料であるN−メタンスルホニル
−2,6−ジイソプロピルアニリンの転化率は、83
%、N−メタンスルホニル−2,6−ジイソプロピル−
4−ニトロアニリンの反応収率は、51%(絶対検量線
法)、選択率は、61%であった。反応液に水を加え、
析出した結晶を濾取し、イソプロパノール/ヘキサン混
合液で洗浄し、N−メタンスルホニル−2,6−ジイソ
プロピル−4−ニトロアニリンの結晶を、収率49%で
得た(純度:98%)。
【0025】比較例1 N−メタンスルホニル−2,6−ジイソプロピルアニリ
ン10gおよび酢酸38mLの混合物を、内温95℃に
昇温し、同温度で発煙硝酸504mgを3分で滴下し、
さらに亜硝酸ナトリウム270mgを加え、5分攪拌
後、発煙硝酸2.52gを40分かけて滴下した。同温
度で、さらに2時間保温した。ガスクロマトグラフィに
より分析したところ、N−メタンスルホニル−2,6−
ジイソプロピル−4−ニトロアニリンの反応収率は、3
2%であった(絶対検量線法)。
【0026】比較例2 発煙硝酸6.3g、酢酸10mLおよび水50mLの混
合物を、内温100℃に昇温し、同温度で、N−メタン
スルホニル−2,6−ジイソプロピルアニリン5g/酢
酸20mL溶液と亜硝酸ナトリウム1.35g/水10
mL水溶液を、1時間かけて併注滴下した。同温度でさ
らに1時間保温した。ガスクロマトグラフィにより分析
したところ、N−メタンスルホニル−2,6−ジイソプ
ロピル−4−ニトロアニリンの反応収率は、29%であ
った(絶対検量線法)。なお、原料が11%残存してい
た(面積百分率値)。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、アニリン誘導体から4
−ニトロアニリン誘導体が、選択性および収率よく製造
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 幹雄 大阪府大阪市此花区春日出中3丁目1番98 号 住友化学工業株式会社内 Fターム(参考) 4H006 AA02 AC51 BA02 BA34 BB17 BB31 BC10 BC31 BC34 BE02 4H039 CA72 CD10

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】溶媒および亜硝酸塩の存在下、一般式
    (1) (式中、R1は炭素数1〜10のアルキル基を表わし、
    2はアシル基または−SO23で示される基を表わ
    す。ここで、R3は、炭素数1〜10のアルキル基また
    は置換されていてもよいフェニル基を表わす。)で示さ
    れるアニリン誘導体と硝酸とを、内温102℃以上で反
    応させることを特徴とする一般式(2) (式中、R1およびR2は上記と同一の意味を表わす。)
    で示される4−ニトロアニリン誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】亜硝酸塩が、亜硝酸ナトリウムである請求
    項1に記載の4−ニトロアニリン誘導体の製造方法。
  3. 【請求項3】溶媒、一般式(1)で示されるアニリン誘
    導体および硝酸からなる混合液に、亜硝酸塩を加える請
    求項1に記載の4−ニトロアニリン誘導体の製造方法。
  4. 【請求項4】溶媒および硝酸からなる混合液に、一般式
    (1)で示されるアニリン誘導体および亜硝酸塩を併注
    添加する請求項1に記載の4−ニトロアニリン誘導体の
    製造方法。
  5. 【請求項5】上記一般式(1)の式中、R1がイソプロ
    ピル基である請求項1に記載の4−ニトロアニリン誘導
    体の製造方法。
  6. 【請求項6】上記一般式(1)の式中、R2が−SO2
    3で示される基を表わす請求項1に記載の4−ニトロア
    ニリン誘導体の製造方法。
  7. 【請求項7】上記一般式(1)の式中、R3がメチル基
    である請求項6に記載の4−ニトロアニリン誘導体の製
    造方法。
  8. 【請求項8】内温102〜110℃で反応させる請求項
    1に記載の4−ニトロアニリン誘導体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018140975A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 日本メジフィジックス株式会社 フルテメタモルの製造方法

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