JPS5951957B2 - Ｏ−置換された７β−アミノ−３−セフエム−３−オ−ル−４−カルボン酸化合物の製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ιまエノール誘導体、詳しくは式 〔この式でＲ２はヒ ドロキシル基であるかまたは式中
の力馴江ル基− Ｃ（ ＝ ０ ）−といつしよになつ
て保護されたカルボキシル基を形成している基Ｒ２であ
り、そしてＲ３はアルキル基、アラルキル基またはアシ
ル基である〕で表わされる０−置換された７β−アミノ
−３ーセフエム一３−オール−４−カルボン酸化合物ま
たは塩形成基をもつこのような化合物の塩の製造に関す
るものである。

本発明によるエノール誘導体は３−セフエム一３−オー
ル化合物のエーテルおよびエステルである。

式−Ｃ（＝０）−Ｒ２で示される保護されたカルボキシ
ル基は主にエステル化されたカルボキシル基であるが、
普通の混合無水物基または置換されている場合のあるカ
ルバモイル基またはヒドラジノカルボニル基であること
もできる。

故に、基Ｒ合は基−Ｃ（＝０）−といつしよにエステル
化されたカルボキシル基を形成している炭素原子の数が
好ましくは１８個までの有機基でエーテル化されたヒド
ロキシル基であることができる。

このような有機基は例えば脂肪族、脂環式、脂環一脂肪
族、芳香族または芳香脂肪族の基、殊にこの循環の置換
されている場合のある炭化水素基ならびに複素環式また
は複素環一脂肪族基であるＯまた、基Ｒｔ基は有機シリ
ルオキシ基または有機金属性基でエーテル化された水酸
基例えば相当する有機スタンニルオキシ基、殊に炭素原
子を好ましくは１８個までもつている置換されている場
合のある炭化水素基例えば脂肪族炭化水素基１〜３個に
よつてそして場合によつては塩素原子のようなハロゲン
原子によつて置換されているシリルオキシ基またはスタ
ンニルオキシ基であることもできる。

基−Ｃ（＝０）−といつしよに無水物基主に混合無水物
基を形成している基Ｒ会は殊にアシルオキシ基であつて
、この基は炭素原子を好ましくは１８個までもつている
有機カルボン酸例えば脂肪族、脂環式、脂環一脂肪族、
芳香族または芳香脂肪族カルボン酸または炭酸半エステ
ルのような炭酸半誘導体の相当する基である。

基−Ｃ（＝０）−といつしよにカルバモイル基Ａを形成
している基Ｒ，は置換されている場合のあるアミノ基で
ある。

この置換基は炭素原子を好ましくは１８個までもつてい
る置換されている場合のある１価または２価の炭化水素
基、例えば炭素原子１８個までをもつている置換されて
いる場合のある１価または２ｇＢの脂肪族、脂環式、脂
環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基、さら
に炭素原子１８個までをもつ相当する複素環式または複
素環一脂肪族基および（または）官能性基例えば官能的
に変えられていることのできるヒドロキシル基殊に遊離
ヒドロキシル基、さらにエーテル化またはエステル化さ
れた水酸基（そのエーテル化またはエステル化している
基は例えば前記の意味をもちそして好ましくは炭素原子
１８個までもつている）またはアシル基主に炭素原子を
を好ましくは１８個までもつ有機カルボン酸または炭酸
半誘導体のアシル基である。Ａ 式−Ｃ（＝０）−Ｒ２で示される置換されたヒドラジノ
カルボニル基においては、その１方または両方の窒素原
子が置換されていることができる。

置換基としては主に炭素原子を好ましくは１８個までも
つている置換されていることのできる１価または２価の
炭化水素基、例えば炭素原子１８個までをもつている置
換されていることのできる１価または２価の脂肪族、脂
環式、脂環一脂肪族、芳香族または芳香脂肪族炭化水素
基、さらに炭素原子１８個までをもつている相当する複
素環式または複素環一脂肪族基および（または）官能性
基例えばアシル基主に炭素原子を好ましくは１８個まで
もつている有機カルボン酸または炭酸半誘導体のアシル
基が挙げられる。アシル基としてのＲ３は主にぎ酸を含
めた有機カルボン酸例えば脂環式、脂環一脂肪族、芳香
脂肪族、複素環式または複素環一脂肪族カルボン酸のア
シル基、殊に脂肪族カルボン酸、さらに芳香族カルボン
酸および炭酸半誘導体のアシル基である。本明細書に記
載の一般用語は例えば次の意味をもつている。

脂肪族基（相当する有機カルボン酸の脂肪族基を含む）
ならびに相当するイリデン基は置換されている場合のあ
る１価または２価の脂肪族炭化水素基、殊に炭素原子を
例えば７個までそして好ましくは４個までもつているこ
とのできる低級アルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基または低級アルキリデン基である。

このような基は場合によつては官能性基によつて、例え
ば遊離のまたはエーテル化またはエステル化されたヒド
ロキシル基またはメルカプト基、例えば低級アルコキシ
基、低級アルケニルオキシ基、低級アルキレンジオキシ
基、置換されている場合のあるフエニルオキシ基または
フエニル低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、置換
されている場合のあるフエニルチオ基またはフエニル低
級アルキルチオ基、複素環一チオ基または複素環一低級
アルキルチオ基、置換されている場合のある低級アルコ
キシカルボニルオキシ基または低級アルカノイルオキシ
基、またはハロゲン原子、さらにオキソ基、ニトロ基、
置換されている場合のあるアミノ基例えば低級アルキル
アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低級アルキレンア
ミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基またはアザ低級
アルキレンアミノ基ならびにアシルアミノ基例えば低級
アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミ
ノ基、ハロゲン低級アルコキシカルボニルアミノ基、置
換されている場合のあるフエニル低級アルコキシカルボ
ニルアミノ基、置換されている場合のあるカルバモイル
アミノ基、ウレイドカルボニルアミノ基またはグアニジ
ノカルボニルアミノ基、さらにアルカリ金属塩のような
塩の形で存在する場合のあるスルホアミノ基、アジド基
、低級アルカノイル基やベンゾイル基のようなアシル基
、官能的に変えられている場合のあるカルボキシル基例
えば塩の形にあるカルボキシル基、低級アルコキシカル
ボニル基のようなエステル化されたカルボキシル基、Ｎ
−低級アルキル一またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カル
バモイル基のような置換されている場合のあるカルバモ
イル基、さらに、置換されている場合のあるウレイドカ
ルボニル基またはグアニジノカルボニル基、またはシア
ノ基、官能的に変えられている場合のあるスルホ基例え
ばスルフアモイル基または塩の形にあるスルホ基、また
はｏ−モノ−または０，０’−ジー置換されている場合
のあるホスホノ基（その置換基は例えば置換されている
場合のある低級アルキル基、フエニル基またはフエニル
低級アルキル基であつて、０一非置換または０−モノ置
換されたホスホノ基はアルカリ金属塩のような塩の形で
あることもできる）によつてモノ置換、ジ置換またはポ
リ置換されていることができる。２価脂肪族カルボン酸
の脂肪族基を含めて２価の脂肪族基は例えば低級アルキ
レン基または低級アルケニレン基であつて、これらは場
合によつては前記脂肪族基のようにモノ置換、ジ置換ま
たはポリ置換されていることができそして（または）そ
の鎖中に酸素、窒素またはいおう原子のようなヘデロ原
子が介在していることができる。

脂環式基または脂壌−脂肪族基（相当する有機カルボン
酸における脂環式基または脂環−脂肪族基を含む）なら
びに相当する脂環式または脂環−脂肪族イリデン基は置
換されている場合のある単環式または２環式脂環式また
は脂環−脂肪族炭化水素基、例えば単環式、２壌式また
は多環式のシクロアルキル基またはシクロアルケニル基
、さらにシクロアルキリデン基、またはシクロアルキル
一またはシクロアルケニルー低級アルキル基または一低
級アルケニル基、さらにシクロアルキル一低級アルキリ
デン基またはシクロアルケニルー低級アルキリデン基で
ある。

これらの基においてシクロアルキルおよびシクロアルキ
リデンは例えば環炭素原子を１２個まで、例えば３〜８
個、好ましくは３〜６個もつており、またシクロアルケ
ニルは例えば環炭素原子を１２個まで、例えば３〜８個
、例えば５〜８個、好ましくは５個または６個もちそし
て２重結合１個または２個をもつており、そして脂環−
脂肪族基の脂肪族部分は炭素原子を例えば７個まで、好
ましくは４個までもつていることができる。これら脂環
式基または脂環一脂肪族基は所望ならば例えば置換され
ている場合のある脂肪族炭化水素基によつて、例えば前
に挙げた置換されている場合のある低級アルキル基によ
つてまたは例えば前記脂肪族炭化水素基のように官能性
基によつてモノ置換、ジ置換またはポリ置換されている
ことができる。芳香族基（相当するカルボン酸の芳香族
基を含む）は置換されている場合のある芳香族炭化水素
基、例えば単環式、２環式または多環式の芳香族炭化水
素基、殊にフエニル基ならびにビフエニリル基またはナ
フチル基であつて、これらは例えば前記の脂肪族および
脂環式炭化水素基のように場合によつてはモノ置換、ジ
置換またはポリ置換さえていることができる゜芳香族カ
ルボン酸の２価の芳香族基はとりわけ１，２−アリーレ
ン基特に１，２−フエニレン基であつて、これらは例え
ば前記の脂肪族および脂環式炭化水素基のように場合に
よつてはモノ置換、ジ置換またはポリ置換されているこ
とができる。

前記の芳香脂肪族基（相当するカルボン酸における芳香
脂肪族基を含む）およびまた芳香脂肪族イリデン基は例
えば置換されている場合のある芳香脂肪族炭化水素基、
例えば置換されている場合のある単環式、２環式または
多環式芳香族炭化水素基を３個までもつている置換され
ている場合のある脂肪族炭化水素基であつて、とりわけ
フエニルー低級アルキル基またはフエニルー低級アルケ
ニル基、ならびにフエニルー低級アルキニル基およびま
たはフエニルー低級アルキリデン基であり、そしてこの
ような基は例えばフエニル基１〜３個をもつておりそし
て場合によつては例えば前記の脂肪族および脂環式基の
ようにその芳香族および（または）脂肪族部分において
モノ置換、ジ置換またはポリ置換されていることができ
る。複素環式基（複素環一脂肪族基におけるもの、およ
び相当するカルボン酸における複素環式基または複素環
一脂肪族基を含む）は芳香族性をもつ特に単環式ならび
に２環式または多環式のアザ環式、チア環式、オキサ環
式、チアザ環式、チアジアザ環式、オキサアザ環式、ジ
アザ環式、トリアザ壌式またはテトラアザ環式基および
さらにこの種類の相当する部分的にまたは全体的に飽和
された複素環式基であつて、このような基は場合によつ
ては例えば前記の脂環式基のようにモノ置換、ジ置換ま
たはポリ置換されていることができる。

複素環一脂肪族基における脂肪族部分は例えば相当する
脂環一脂肪族基または芳香脂肪族基に与えた意昧をもつ
。炭酸半誘導体のアシル基は相当する半エステルのアシ
ル基（このエステル基の有機基は置換されている場合の
ある脂肪族、脂環式、芳香族または芳香脂肪族の炭化水
素基または複素環一脂肪族基である）、とりわけ炭酸の
低級アルキル半エステルのアシル基（これは例えばその
α一またはβ−位置で置換されていることができる）お
よびその有機基において置換されている場合のある炭酸
の低級アルケニル、シクロアルキル、フエニルまたはフ
エニルー低級アルキル半エステルのアシル基であるのが
好ましい。

炭酸半エステルのアシル基は、さらに、その低級アルキ
ル部分が複素環式基例えば芳香族性の前記複素環式基の
１つをもつている炭酸の低級アルキル半エステルの相当
する基であつて、その低級アルキル基および複素環式基
はいずれも場合によつては置換されていることができる
。さらに、炭酸半誘導体のアシル基はハロゲン化されて
いる場合のあるＮ一低級アルキルカルバモイル基のよう
なＮ一置換されている場合のあるカルバモイル基である
こともできる。エーテル化されたヒドロキシル基は主と
して置換されている場合のある低級アルコキシ基（その
置換基は主として遊離のまたは官能的に変性例えばエー
テル化またはエステル化された水酸基、殊に低級アルコ
キシ基またはハロゲン原子である）、さらに低級アルケ
ニルオキシ基、シクロアルキルオキシ基または置換され
ている場合のあるフエニルオキシ基、ならびに複素環−
オキシ基または複素環一低級アルコキシ基、殊に置換さ
れている場合のあるフエニル低級アルコキシ基である。

置換されている場合のあるアミノ基は例えばアミノ基、
低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、低級
アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基、
チア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキレンアミ
ノ基、ヒドロキシアミノ基、低級アルコキシアミノ基、
低級アルカノイルオキシアミノ基、低級アルコキシカル
ボニルアミノ基または低級アルカノイルアミノ基である
。置換されている場合のあるヒドラジノ基は例えばヒド
ラジノ基、２一低級アルキルヒドラジノ基、２，２−ジ
低級アルキルヒドラジノ基、２一低級アルコキシカルボ
ニルヒドラジノ基または２一低級アルカノイルヒドラジ
ノ基である。低級アルキル基は例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、
イソブチル基、第２ブチル基、第３ブチル基、ならびに
ｎ−ぺンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イ
ソヘキシル基またはｎ−ヘプチル基であり、また低級ア
ルケニル基は例えばビニル基、アニル基、イソプロペニ
ル基、２−または３−メタリル基または３−ブテニル基
であることができ、低級アルキニル基は例えばプロパル
ギル基または２−ブチニル基であることができ、そして
低級アルキリデン基は例えばイソプロピリデン基または
イソブチリデン基であることができる。

低級アルキレン基は例えば１，２−エチレン基、１，２
−または１，３−プロピレン基、１，４−ブチレン基、
１，５−ぺンチレン基または１，６ーヘキシレン基であ
り、また低級アルケニレン基は例えば１，２−エテニレ
ン基または２−ブテンー１，４−イレン基である。

ヘテロ原子の介在する低級アルキレン基は例えば３−オ
キサ−１，５−ペンチレン基のようなオキサ低級アルキ
レン基、３−チア−１，５−ぺンチレン基のようなチア
低級アルキレン基、または３一低級アルキル−３−アザ
−１，５−ペンチレン基例えば３−メチルー３−アザ−
１，５−ぺンチレン基のようなアザ低級アルキレン基で
ある。シクロアルキル基は例えばシクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基ま
たはシクロヘプチル基、なら・びにアダマンチル基であ
り、シクロアルケニル基は例えばシクロプロペニル基、
１−，２ −または３−シクロペンテニル基、１−，２
−または３−シクロヘキセニル基、３−シクロヘプテ
ニル基または１，４−シクロヘキサジエニル基であつて
、シクロアルキリデン基は例えばシクロペンチリデン基
またはシクロヘキシリデン基である。

シクロアルキル一低級アルキル基またはシクロアルキル
ー低級アルケニル基は例えばシクロプロピル一、シクロ
ペンチル一、シクロヘキシル一またはシクロヘプチル−
メチル基、−１，１−エチレン基（ＣＨ３ＣＨ（）、−
１，２−エチレン基（ − ＣＨ２− ＣＨ２− ）、
−１，１−プロピレン基（ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ＜）、−１
，２−プロピレン基（−ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ３）又は−
１，３−プロピレン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−）
、−ビニル基または−アリル基であつてシクロアルケニ
ルー低級アルキル基またはシクロアルケニルー低級アル
ケニル基は例えば１−、２−または３−シクロペンチル
−、１−、２−または３−シクロヘキセニル−または１
−，２ −または３−シクロヘプテニルーメチル基、−
１，１−エチレン基（ＣＨ３ＣＨ＜）、−１，２−エチ
レン基（ − ＣＨ２− ＣＨ２− ）、−１，１−プ
ロピレン基（ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ（）、−１，２−プロピ
レン基（−ＣＨ２−ＣＨ−ＣＨ３）又は−１，３−プロ
ピレン基（ − ＣＨ２− ＣＨ２− ＣＨ２− ）、
−ビニル基または−アリル基である。シクロアルキルー
低級アルキリデン基は例えばシクロヘキシルメチレン基
でありそしてシクロアルケニル−低級アルキリデン基は
例えば３−シクロヘキセニルメチレン基である。ナフチ
ル基は１−または２−ナフチル基であつて、ビフエニリ
ル基は例えば４−ビフエニリル基である。

フエニルー低級アルキル基またはフエニルー低級アルケ
ニル基は例えばベンジル基、１−または２−フエニルエ
チル基、１−，２ −または３−フエニルプロピル基、
ジフエニルメチル基、トリチル基、１−または２−ナフ
チルメチル基のようなナフチルー低級アルキル基、スチ
リル基またはシンナミル基であつて、フエニルー低級ア
ルキリデン基は例えばベンジリデン基である。

複素環式基はとりわけ芳香族性をもつ置換されている場
合のある複素環式基、例えば相当する単環式のモノアザ
環式、モノチア環式またはモノオキサ環式基例えば２−
ピリル基や３−ピリル基のようなピリル基、２ −，３
−または４−ピリジル基のようなピリジル基およびピ
リジニウム基、２−または３−チエニル基のようなチエ
ニル基または２−フリル基のようなフリル基、２環式の
モノアザ環式、モノオキサ環式またはモノチア環式基例
えば２−または３−インデリル基のようなインドリル基
、２−または４−キノリニル基のようなキノリニル基、
１−イソキノリニル基のようなイソキノリニル基、２−
または３−ベンゾフラニル基のようなベンゾフラニル基
または２−または３−ベンゾチエニル基のようなベンゾ
チエニル基、単環式のジアザ環式、トリアザ環式、テト
ラアザ環式、オキサアザ環式、チアザ環式またはチアジ
アザ環式基、例えば２−イミダゾリル基のようなイミダ
ゾリル基、２−または４−ピリミジニル基のようなピリ
ミジニル基、１，２，４−トリアゾール−３−イル基の
ようなトリアゾリル基、１−または５−テトラゾリル基
のようなテトラゾリル基、２−オキサゾリル基のような
オキサゾリル基、３−または４−イソオキサゾリル基の
ようなイソオキサゾリル基、２−チアゾリル基のような
チアゾリル基、３−または４−イソチアゾリル基のよう
なイソチアゾリ．ル基、または１，２，４−チアジアゾ
ール一３−イル基や１，３，４−チアジアゾール一２−
イル基のような１，２，４−または１，３，４−チアジ
アゾリル基、あるいは２壌式のジアザ環式、オキサアザ
環式またはチアザ環式基例えば２−ベンズイミダゾリル
基のようなベンズイミダゾリル基、２−ベンズオキサゾ
リル基のようなベンズオキサゾリル基または２−ベンズ
チアゾリル基のようなベンズチアゾリル基である。

相当する部分的にまたは全体に飽和された基は例えば２
−テトラヒドロチエニル基のようなテトラヒドロチエニ
ル基、２−テトラヒドロフリル基のようなテトラヒドロ
フリル基または２−または４−ピペリジル基のようなピ
ペリジル基である。複素環−脂肪族基は複素環式基特に
上記の基をもつ低級アルキル基または低級アルケニル基
である。前記の複素環式基は、例えば置換されている場
合ゐある脂肪族または芳香族炭化水素基特にメチル基の
ような低級アルキル基によつてまたは場合によつては塩
素原子のようなハロゲン原子により置換されたフエニル
基例えばフエニル基または４ークロルフエニル基によつ
てまたは例えば前記脂肪族炭化水素基のように官能性基
によつて置換されていることができる。低級アルコキシ
基は例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基
、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基
、第２ブトキシ基、第３ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基
または第３ペントキシ基である。

これらの基は例えばハロゲノ一低級アルコキシ基特に２
−ハロゲノ一低級アルコキシ基例えば２，２，２−トリ
クロルエトキシ、２−クロル−、２−ブロム−または２
−ヨード−エトキシ基におけるように置換されているこ
とができる。低級アルケニルオキシ基は例えばビニルオ
キシ基またはアリルオキシ基であり、低級アルキレンジ
オキシ基は例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキ
シ基またはイソプロピリデンジオキシ基であり、シクロ
アルコキシ基は例えばシクロペンチルオキシ基、シクロ
ヘキシルオキシ基またはアダマンチルオキシ基であり、
フエニル一低級アルコキシ基は例えばベンジルオキシ基
または１−または２−フエニルエトキシ基、ジフエニル
メトキシ基または４，４′−ジメトキシージフエニルメ
トキシ基であり、また複素環−オキシ基または複素環一
低級アルコキシ基は例えば２−ピリジルメトキシ基のよ
うなピリジル一低級アルコキシ基、フルフリルオキシ基
のようなフリル一低級アルコキシ基または２−テニルオ
キシ基のようなチエニル一低級アルコキシ基である。低
級アルキルチオ基は例えばメチルチオ基、エチルチオ基
またはｎ−ブチルチオ基であり、低級アルケニルチオ基
は例えばアリルチオ基であつて、フエニル一低級アルキ
ルチオ基は例えばベンジルチオ基であり、また複素環式
基または複素環一脂肪族基でエーテル化されたメルカプ
ト基は特に４−ピリジルチオ基のようなピリジルチオ基
、２−イミダゾリルチオ基のようなイミダゾリルチオ基
、２−チアゾリルチオ基のようなチアゾリルチオ基、１
，２，４−チアジアゾール一３−イルチオ基や１，３，
４−チアジアゾール一２−イルチオ基のような１，２，
４−または１，３，４−チアジアゾリルチオ基または１
−メチル−５−テトラゾリルチオ基のようなテトラゾリ
ルチオ基である。

エステル化されたヒドロキシル基はとりわけハロゲン原
子例えばふつ素、塩素、臭素またはよう素原子、ならび
に低級アルカノイルオキシ基例えばアセトキシ基または
プロピオニルオキシ基、低級アルコキシカルボニルオキ
シ基例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカル
ボニルオキシ基またはｔ−ブチルオキシカルボニルオキ
シ基、２−ハロゲノ低級アルコキシカルボニルオキシ基
例えば２，２，２−トリクロルエトキシカルボニルオキ
シ基、２−ブロムエトキシカルボニルオキシ基または２
−ヨードエトキシカルボニルオキシ基、またはアリール
カルボニルメトキシカルボニルオキシ基例えばフエナシ
ルオキシカルボニルオキシ基である。低級アルコキシ−
カルボニル基は例えばメトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロ
ポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基または
ｔ−ペントキシカルボニル基である。

Ｎ一低級アルキル−カルバモイル基またはＮ，Ｎ−ジ低
級アルキル−カルバモイル基は例えばＮ一メチルカルバ
モイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル基で
あるが、Ｎ一低級アルキルスルフアモイル基は例えばＮ
−メチルスルフアモイル基またはＮ，Ｎ−ジメチルスル
フアモイル基である。

アルカリ金属塩の形にあるカルボキシル基またはスルホ
基は例えばナトリウム塩またはカリウム塩の形にあるカ
ルボキシル基またはスルホ基である。

低級アルキルアミノ基またはジ一低級アルキルアミノ基
は例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基またはジエチルアミノ基であり、低級アルキレン
アミノ基は例えばピロリジノ基またはピペリジノ基であ
り、オキサ一低級アルキレンアミノ基は例えばモルホリ
ノ基、チア低級アルキレンアミノ基は例えばチオモルホ
リノ基そしてアザ一低級アルキレンアミノ基は例えばピ
ペラジノ基または４−メチルピペラジノ基である。

アシルアミノ基は特にカルバモイルアミノ基、メチルカ
ルバモイルアミノ基のような低級アルキルカルバモイル
アミノ基、ウレイドカルボニルアミノ基、グアニジノカ
ルボニルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基
例えばメトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニ
ルアミノ基またはｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、２
，２，２−トリクロルエトキシカルボニルアミノ基のよ
うなハロゲノ低級アルコキシカルボニルアミノ基、４−
メトキシベンジルオキシカルボニルアミノ基のようなフ
エニル低級アルコキシカルボニルアミノ基、アセチルア
ミノ基やプロピオニルアミノ基のような低級アルカノイ
ルアミノ基、さらにフタルイミド基または塩例えばナト
リウム塩のようなアルカリ金属塩またはアンモニウム塩
の形にあることのできるスルホアミノ基である。低級ア
ルカノイル基は例えばホルミル基、アセチル基、プロピ
オニル基またはピバロイル基である。

０−低級アルキルーホスホノ基は例えば０−メチル−ま
たはｏ−エチルーホスホノ基、０，０′−ジ低級アルキ
ルーホスホノ基は例えば０，０’−ジメチルーホスホノ
基または０，０’−ジエチルーホスホノ基、０−フエニ
ル低級アルキルーホスホノ基は例えば０−ベンジルーホ
スホノ基そして０−低級アルキル−ｏ’−フエニル低級
アルキルーホスホノ基は例えばｏ−ベンジル− ｏ ′
−メチルーホスホノ基である。

低級アルケニルオキシカルボニル基は例えばビニルオキ
シカルボニル基であつて、シクロアルコキシカルボニル
基およびフエニルー低級アルコキシカルボニル基は例え
ばアダマンチルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカ
ルボニル基、４−メトキシベンジルオキシカルボニル基
、ジフエニルメトキシカルボニル基またはα−４−ビフ
エニリル一α−メチルエトキシカルボニル基である。

その低級アルキル基が例えば単環式のモノアザ環式、モ
ノオキサ環式またはモノチア環式基をもつているような
低級アルコキシカルボニル基は例えばフルフリルオキシ
カルボニル基のようなフリルー低級アルコキシカルボニ
ル基または２−テニルオキシカルボニル基のようなチエ
ニルー低級アルコキシカルボニル基である。２−低級ア
ルキルヒドラジノ基および２，２−ジ低級アルキルヒド
ラジノ基は例えば２−メチルヒドラジノ基または２，２
−ジメチルヒドラジノ基であり、２−低級アルコキシカ
ルボニルヒドラジノ基は例えば２−メトキシカルボニル
ヒドラジノ基、２−エトキシカルボニルヒドラジノ基ま
たはｔ−ブトキシカルボニルヒドラジノ基であつて、低
級アルカノイルヒドラジノ基は例えば２−アセチルヒド
ラジノ基である。

Ａ エーテル化されたヒドロキシル基Ｒ２は、式中のカルボ
ニル基といつしよに、好ましくは容易に分裂できるかま
たは他の官能的に変えられたカルボキシル基（例えば、
カルバモイル基またはヒドラジノカルボニル基）に容易
に変えることのできるエステル化されたカルボキシル基
を形成している。

このような基Ｒ２は例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基またはイソプロポキシ基のような低級ア
ルコキシ基であつて、これらはカルボニル基といつしよ
にエステル化されたカルボキシル基を形成しており、こ
れらを殊に２−セフエム化合物においては容易に遊離カ
ルボキシル基にまたは他の官能的に変えられたカルボキ
シル基に変えることができる。基− Ｃ（ ＝ ｏ ）
−といつしよに特に容易に分裂することのできるエステ
ル化されたカルボキシル基を形成しているエーテル化さ
れたヒドロキシルＡ基Ｒ２は、例えば、ハロゲン原子と
して原子量が１９以上のものをもつている２−ハロゲノ
ー低級アルコキシ基である。

このような基は基−Ｃ（ ＝０ ）−といつしよに、中
性または弱酸性条件下で化学的還元剤例えば含水酢酸の
存在下で亜鉛で処理することにより容易に分裂すること
のできるエステル化されたカルボキシル基またはこのよ
うな基に容易に変えることのできるエステル化されたカ
ルボキシル基を形成している。このような基は例えば２
，２，２−トリクロルエトキシ基または２−ヨードエト
キシ基、あるいは２−ヨードエトキシ基に容易に変える
ことのできる２−クロルエトキシ基または２ −ープロ
ムエトキシ基である。さらに、同様に中性または弱酸性
条件下で化学的還元剤例えば含水酢酸の存在下で亜鉛で
処理することによつてまたはナトリウムチオフェノラー
ドのような適当な親核反応剤で処理することによつて容
易に分裂することのできるエステル化されたカルボキシ
ル基を基− Ｃ（ ＝ ０ ）−といつしよに形成して
いるエーテル化されたヒドロキシル基Ｒ２としては、ア
リールカルボニルメトキシ基（アリールは殊に置換され
ている場合のあるフエニル基である）そして好ましくは
フエナシルオキシ基である。さらに、基Ｒ＋は、そのア
リール基が殊に単環式の好ましくは置換されている芳香
族炭化水素基であるアリールメトキシ基であることもで
きる。

このような基は、中性または酸性条件下で照射好ましく
は紫外線照射によつて容易に分裂することのできるエス
テル化されたカルボキシル基を基一Ｃ（＝０）−といつ
しよに形成している。このようなアリールメトキシ基に
おけるアリール基は殊に低級アルコキシフエニル基例え
ばメトキシフエニル基〔そのメトキシ基は主として３−
、４−および（または）５一位置にあるものとする〕お
よび（または）とりわけニトロフエニル基（そのニトロ
基は好ましくは２一位置にあるものとする）である。こ
のような基は特に低級アルコキシ一、例えばメトキシ一
および（または）ニトローベンジルオキシ基、主として
３−または４−メトキシベンジルオキシ基、３，５−ジ
メトキシベンジルオキシ基、２−ニトロベンジルオキシ
基または４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルオキ
シ基である。−
Ａさらに、エーテル化されたヒドロキシル基
Ｒ２は、酸性条件下で例えばトリフルオル酢酸またはぎ
酸で処理することにより容易に分裂できるエステル化さ
れたカルボキシル基を基−Ｃ（＝０）−といつしよに形
成している基であることもできる。

このような基は主として、そのメチル基が置換されてい
る場合のある炭化水素基殊に脂肪族または芳香族炭化水
素基例えばメチル基のような低級アルキル基および（ま
たは）フエニル基によつてポリ置換されているかまたは
電子供与性置換基をもつ炭素環式アリール基によつてま
たは環構成員として酸素またはいおう原子をもつ芳香族
性の複素環式基によつてモノ置換されているメトキシ基
であるかまたはそのメチル基が多環式脂肪族炭化水素基
における環構成員またはオキサ脂環式またはチア脂環式
基における酸素またはいおう原子に対するα一位置を占
める環構成員を成しているようなメトキシ基である。こ
の種類のポリ置換されたメトキシ基のうちで好ましいも
のはｔ一低級アルコキシ基例えばｔ−ブチルオキシ基ま
たはｔ−ペンチルオキシ基、置換されている場合のある
ジフエニルメトキシ基、例えばジフエニルメトキシ基ま
たは４，４′−ジメトキシージフエニルメトキシ基、さ
らに２−（４−ピフエニリル）−２−プロピルオキシ基
であり、上記の置換されたアリール基または複素環式基
をもつメトキシ基は例えば４−メトキシベンジルオキシ
基や３，４−ジメトキシベンジルオキシ基のようなα一
低級アルコキシフエニル一低級アルコキシ基または２−
フルフリルオキシ基のようなフルフリルオキシ基である
。

メトキシ基のメチル基を好ましくは３重に分枝した環構
成員としてもつている多環式脂肪族炭化水素基は例えば
１−アダマルチル基のようなアダマンチル基であり、そ
してメトキシ基のメチル基を酸素またはいおう原子に対
するα一位置の環構成員としてもつている上記のオキサ
一またはチア一脂環式基は例えば環原子５〜７個をもつ
２−オキサ−または２−チア一低級アルキレン基または
一低級アルケニレン基、例えば２−テトラヒドロフリル
基、２−テトラヒドロピラニル基または２，３−ジヒト
ロー２−ピラニル基または相当するいおう化合物の基で
ある。さらに、基Ｒ会は加水分解によつて例えば弱塩基
性または弱酸性条件下で分裂することのできるエステル
化されたカルボキシル基を基−Ｃ（＝０）−といつしよ
に形成しているエーテル化されたヒドロキシル基である
こともできる。このような基は好ましくは活性化された
エステル基を基−Ｃ（＝０）−といつしよに形成してい
るエーテル化されたヒドロキシル基例えば４−ニトロフ
エニルオキシ基や２，４−ジニトロフエニルオキシ基の
ようなニトロフエニルオキシ基、４−ニトロベンジルオ
キシ基のようなニトロフエニル低級アルコキシ基、４−
ヒドロキシ−３，５−ｔ−ブチル−ベンジルオキシ基の
ようなヒドロキシ一低級アルキルーベンジルオキシ基、
２，４，６−トリクロルフエニルオキシ基や２，３，４
，５，６−ペンタクロルフエニルオキシ基のようなポリ
ハロゲノフエニルオキシ基、さらにシアノメトキシ基な
らびにアシルアミノメトキシ基例えばフタルイミノメト
キシ基またはサクシニルイミノメトキシ基である。また
、基Ｒｔは水素添加分解条件の下で分裂できるエステル
化されたカルボキシル基をカルボニル基−Ｃ（＝０）−
といつしよに形成している工ーテル化されたヒドロキシ
ル基であることもでき、これは例えばベンジルオキシ基
、４−メトキシベンジルオキシ基または４−ニトロベン
ジルオキシ基のような例えば低級アルコキシ基やニトロ
基で置換されていることのできるα−フエニル低級アル
コキシ基である。

また、基Ｒ合は生理学的条件の下で分裂することのでき
るエステル化されたカルボキシル基をカルボニル基−Ｃ
（＝０）−といつしよに形成しているエーテル化された
ヒドロキシル基、主としてアシルオキシメトキシ基（そ
のアシル基は例えば有機カルボン酸、主に置換されてい
る場合のある低級アルカンカルボン酸の基であるかまた
はそのアシルオキシメチル部分はラクトンの基を形成し
ているものとする）であることもできる。

このようなエーテル化されたヒドロキシル基は低級アル
カノイルオキシメトキシ基例えばアセチルオキシメトキ
シ基またはピバロイルオキシメトキシ基、アミノ一低級
アルカノイルオキシメトキシ基殊にα−アミノ−低級ア
ルカノイルオキシメトキシ基例えばグリシルオキシメト
キシ基、Ｌ−バリルオキシメトキシ基、Ｌ−ロイシルオ
キシメトキシ基、さらにフタリジルオキシ基である。シ
リルオキシ基またはスタニルオキシ基としてのＲ会は置
換基として好ましくは置換されている場合のある脂肪族
、脂環式、芳香族または芳香脂肪族炭化水素基例えば低
級アルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、シクロアルキ
ル基、フエニル基またはフエニル低級アルキル基、また
は変性されている場合のある官能性基例えば低級アルコ
キシ基のようなエーテル化されたヒドロキシル基または
塩素原子のようなハロゲン原子をもつており、主として
トリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキルシ
リルオキシ基、クロル−メトキシ−メチル−シリル基の
ようなハロゲノ一低級アルコキシ一低級アルキル−シリ
ル基またはトリ−ｎ−ブチルスタンニルオキシ基のよう
なトリ低級アルキルスタンニルオキシ基である。

基−Ｃ（＝０）−といつしよに好ましくは加水分解によ
つて分裂することのできる混合無水物基を形成している
アシルオキシ基としてのＲクは例えば前記有機カルボン
酸または炭酸半誘導体のアシル基をもつており、例えば
場合によつてはふつ素や塩素原子のようなハロゲン原子
によつて好ましくはα一位置で置換されていることので
きる低級アルカノイルオキシ基例えばアセチルオキシ基
、ピバリルオキシ基またはトリクロルアセチルオキシ基
あるいは低級アルコキシカルボニルオキシ基例えばメト
キシカルボニルオキシ基またはエトキシカルボニルオキ
シ基である。

さらに、置換されている場合のあるカルバモイル基また
はヒドラジノカルボニル基を基−Ｃ（＝Ｏ）−といつし
よに形成している基としてのＲクは例えばアミノ基、メ
チルアミノ基やエチルアミノ基のような低級アルキルア
ミノ基、ジメチルアミノ基やジエチルアミノ基のような
ジ低級アルキルアミノ基、ピロリジノ基やピペリジノ基
のような低級アルキレンアミノ基、モルホリノ基のよう
なオキサ低級アルキレンアミノ基、ヒドロキシアミノ基
、ヒドラジノ基、２−メチルヒドラジノ基のような２一
低級アルキルヒドラジノ基または２，２−ジメチルヒド
ラジノ基のような２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ基
である。

置換されている場合のある脂肪族炭化水素基としてのＲ
３は殊に炭素原子７個まで、好ましくは４個までをもつ
低級アルキル基例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基ま
たは第２ブチル基、さらに低級アルケニル基例えばアリ
ル基、そのｔ−アミノ基と酸素原子との間に少くとも２
個の炭素原子が介在するｔ−アミノ−低級アルキル基例
えば２−または３−ジ低級アルキルアミノ一低級アルキ
ル基例えば２−ジメチルアミノエチル基、２−ジエチル
アミノエチル基または３−ジメチルアミノプロピル基、
またはそのエーテル化された水酸基殊に低級アルコキシ
基と酸素原子との間に少くとも２個の炭素原子が介在し
ているエーテル化されたヒドロキシ一低級アルキル基例
えば２−または３一低級アルコキシ一低級アルキル基例
えば２−メトキシエチル基または２−エトキシエチル基
である。

置換されている場合のある芳香脂肪族炭化水素基として
のＲ３は主として置換されている場合のあるフエニル低
級アルキル基殊に置換されている場合のあるフエニル基
１〜３個をもつ１−フエニル低級アルキル基例えばベン
ジル基またはジフエニルメチル基であつて、その置換基
としては例えばエステル化またはエーテル化された水酸
基例えばふつ素、塩素または臭素原子のようなハロゲン
原子またはメトキシ基のような低級アルコキシ基が挙げ
られる。脂肪族カルボン酸のアシル基としてのＲ３は主
として置換されている場合のある低級アルカノイル基例
えばアセチル基、プロピオニル基またはピバロイル基で
あつて、これらは例えばエステル化またはエーテル化さ
れたヒドロキシル基例えばふつ素や塩素原子のようなハ
ロゲン原子またはメトキシ基やエトキシ基のような低級
アルコキシ基によつて置換されていることができる。

芳香族カルボン酸のアシル基としてのＲ３は例えば置換
されている場合のあるベンゾイル基、例えばベンゾイル
基または置換基としてエステル化またはエーテル化され
たヒドロキシル基例えばふつ素または塩素原子のような
ハロゲン原子、メトキシ基やエトキシ基のような低級ア
ルコキシ基またはメチル基のような低級アルキル基をも
つベンゾイル基である。炭酸半導体のアシル基としての
Ｒ３は殊にメトキシカルボニル基やエトキシカルボニル
基のような低級アルコキシカルボニル基である。塩は、
殊に遊離カルボキシル基をもつ式（１）の化合物の塩で
あつて、主として金属塩またはアンモニウム塩、例えば
ナトリウム、カリウム、マグネシウムまたはカルシウム
の塩のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属の塩
、ならびにアンモニアまたは適当な有機アミンとのアン
モニウム塩である。

塩の形成に使用できる有機アミンはとりわけ脂肪族、脂
環式、脂環一脂肪族および芳香脂肪族の第１、第２また
は第３モノアミン、ジアミンまたはポリアミンならびに
複素環式塩基であつて、このようなアミンはトリエチル
アミンのような低級アルキルアミン、２−ヒドロキシエ
チルアミン、ビス一（２−ヒドロキシエチル）−アミン
またはトリ一（２−ヒドロキシエチル）−アミンのよう
なヒドロキシ一低級アルキルアミン、４−アミノ安息香
酸−２−ジエチルアミノ−エチルエステルのようなカル
ボン酸の塩基性脂肪族エステル、１−エチルピペリジン
のような低級アルキレンアミン、ビシクロヘキシルアミ
ンのようなシクロアルキルアミンまたはＮ，Ｎ′−ジベ
ンジルエチレンジアミンのようなベンジルアミンおよび
またピリジン、コリシンまたはキノリンのようなピリジ
ン型の塩である。また、式（１）の化合物は酸付加塩例
えば塩酸、硫酸またはりん酸のような無機酸または適当
な有機カルボン酸またはスルホン酸例えばトリフルオル
酢酸または４−メチルフエニルスルホン酸との酸付加塩
を形成することができる。遊離カルボキシル基を有する
式（１）の化合物は分子内塩の形すなわち双極イオンの
形であることもできる。本発明による新規化合物は薬理
活性をもつ化合物を製造するための価値ある中間体であ
り、これは例えば特願昭４８−７４３５４に記載の方法
によつて前記薬理活性化合物に変えることができる。

本発明は殊に式（１）においてＲ２がヒドロキシル基、
低級アルコキシ基〔これは場合によつては好ましくはα
一位置において、例えば置換されている場合のあるアリ
ールオキシ基例えば４−メトキシフエニルオキシ基のよ
うな低級アルコキシフエニルオキシ基、アセチルオキシ
基やピバロイルオキシ基のような低級アルカノイルオキ
シ基、グリシルオキシ基、Ｌ−バリルオキシ基またはＬ
−ロイシルオキシ基のようなα−アミノ低級アルカノイ
ルオキシ基、アリールカルボニル基例えばベンゾイル基
、または置換されている場合のあるアリール基例えばフ
エニル基、４−メトキシフエニル基のような低級アルコ
キシフエニル基、４−ニトカフエニル基のようなニトロ
フエニル基または４−ビフエニリル基のようなフエニリ
ル基によつてまたはβ一位置においてハロゲン原子例え
ば塩素、臭素またはよう素原子によつてモノ置換または
ポリ置換されていることができる〕例えばメトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキ
シ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基または
ｔ−ペンチルオキシ基、低級アルコキシ置換されている
ことのできるビスーフエニルオキシーメトキシ基例えば
ビス−４−メトキシフエニルオキシーメトキシ基、低級
アルカノイルオキシ−メトキシ基例えばアセチルオキシ
メトキシ基またはピバロイルオキシメトキシ基、α−ア
ミノ低級アルカノイルオキシ−メトキシ基例えばグリシ
ルオキシメトキシ基、フエナシルオキシ基、置換されて
いることのできるフエニル低級アルコキシ基殊にフエニ
ルメトキシ基のような１−フエニル低級アルコキシ基（
このような基は例えば置換基例えばメトキシ基のような
低級アルコキシ基、ニトロ基またはフエニル基によつて
置換されている場合のあるフエニル基１〜３個をもつこ
とができる）、例えばベンジルオキシ基、４−メトキシ
ベンジルオキシ基、２−ビフエニリル一２−プロピルオ
キシ基、４−ニトロベンジルオキシ基、ジフエニルメト
キシ基、４，４′−ジメトキシージフエニルメトキシ基
またはトリチルオキシ基、または２−ハロゲノ低級アル
コキシ基例えば２，２，２−トリクロルエトキシ基、２
−クロルエトキシ基、２−ブロムエトキシ基または２−
ヨードエトキシ基である〕、さらに２−フタリジルオキ
シ基ならびにアシルオキシ基（例えば、メトキシカルボ
ニルオキシ基やエトキシカルボニルオキシ基のような低
級アルコキシカルボニルオキシ基またはアセチルオキシ
基やピバロイルオキシ基のような低級アルカノイルオキ
シ基）、トリメチルシリルオキシ基のようなトリ低級ア
ルキルシリルオキシ基、またはアミノ基またはヒドラジ
ノ基（これらは場合によつては例えばメチル基のような
低級アルキル基またはヒドロキシル基によつて置換され
ていることができる。例えば、アミノ基、メチルアミノ
基のような低級アルキルアミノ基、ジメチルアミノ基の
ようなジ低級アルキルアミノ基、ヒドラジノ基、２−メ
チルヒドラジノ基のような２一低級アルキルヒドラジノ
基、２，２−ジメチルヒドラジノ基のような２，２−ジ
低級アルキルヒドラジノ基またはヒドロキシアミノ基で
ある）であり、そしてＲ３が低級アルキル基例えばメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ま
たはｎ−ブチル基、低級アルケニル基例えばアリル基、
置換されている場合のあるフエニル低級アルキル基殊に
例えばメトキシ基のような低級アルコキシ基で置換され
ている場合のあるフエニル基１個またば２個をもつ１−
フエニル低級アルキル基例えばベンジル基またはジフエ
ニルメチル基、低級アルカノイル基例えばアセチル基ま
たはプロピオニル基、低級アルコキシカルボニル基例え
ばメトキシカルボニル基またはベンゾイル基（これは場
合により例えばメチル基のような低級アルキル基、メト
キシ基のような低級アルコキシ基またはふつ素や塩素原
子のようなハロゲン原子で置換されていることができる
）である３−セフエム一化合物または塩形成基をもつこ
のような化合物の塩に関するものである。式（１）の３
−セフエム一化合物または塩形成基をもつこれら化合物
の塩においては、主として、Ｒ２がヒドロキシル基、低
級アルコキシ基殊にα一位置で高度に分枝した低級アル
コキシ基例えばｔ−ブトキシ基、さらにメトキシ基また
はエトキシ基、２−ハロゲノ低級アルコキシ基または２
，２，２−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエトキシ
基またはこの基に容易に変えることのできる２−クロル
エトキシ基または２−ブロムエトキシ基、フエナシルオ
キシ基、低級アルコキシ基またはニトロ基で置換されて
いることのできるフエニル基１〜３個をもつ１−フエニ
ル低級アルコキシ基例えば４−メトキシベンジルオキシ
基、４−ニトロベンジルオキシ基、ジフエニルメトキシ
基、４，４′−ジメトキシージフエニルメトキシ基また
はトリチルオキシ基、低級アルカノイルオキシメトキシ
基例えばアセチルオキシメトキシ基またはピバロイルオ
キシメトキシ基、α−アミノ低級アルカノイルオキシメ
トキシ基例えばグリシルオキシメトキシ基、２−フタリ
ジルオキシメトキシ基、低級アルコキシカルボニルオキ
シ基例えばエトキシカルボニルオキシ基または低級アル
カノイルオキシ基例えばアセチルオキシ基、さらにトリ
低級アルキルシリルオキシ基例えばトリメチルシリルオ
キシ基であり、そしてＲ３は主として低級アルキル基例
えばメチル基、エチル基またはｎ−ブチル基、さらに低
級アルケニル基例えばアリル基、１−フエニル低級アル
キル基例えばベンジル基またはジフエニルメチル基、し
かしまた低級アルカノイル基例えばアセチル基またはプ
ロピオニル基、低級アルコキシカルボニル基例えばメト
キシカルボニル基またはベンゾイル基である。

本発明は主として式（１）においてＲ２が主としてして
ヒドロキシル基、さらに低級アルコキシ基殊にα一位置
で高度に分枝した低級アルコキシ基例えばｔ−ブトキシ
基、２−ハロゲノ一低級アルコキシ基例えば２，２，２
−トリクロルエトキシ基、２−ヨードエトキシ基または
２−ブロムエトキシ基、または例えばメトキシ基のよう
な低級アルコキシ基で置換されている場合のあるジフエ
ニルメトキシ基例えばジフエニルメトキシ基または４，
４′−ジメトキシージフエニルメトキシ基、さらにトリ
メチルシリルオキシ基のようなトリ低級アルキルシリル
オキシ基でありそしてＲ３は低級アルキル基例えばメチ
ル基、エチル基またはｎ−ブチル基、低級アルケニル基
例えばアリル基またはフエニル低級アルキル基例えばベ
ンジル基、さらに低級アルカノイル基例えばアセチル基
またはプロピオニル基、または低級アルコキシカルボニ
ル基例えばメトキシカルボニル基である３−セフエム一
化合物またはこのような化合物の塩例えばＲ２がヒドロ
キシル基である化合物のナトリウム塩のようなアルカリ
金属塩、カルシウム塩のようなアルカリ土類金属塩また
はアミン塩を含めたアンモニウム塩、またはＲ，が水酸
基である化合物の分子内塩に関するものである。

主として、式（１）の３−セフエム一化合物またはこの
ような化合物の塩においてはＲ２は主としてヒドロキシ
ル基、さらに２一位置でハロゲン原子例えば塩素、臭素
またはよう素原子で置換されている場合のある低級アル
コキシ基殊にα一位置で高度に分枝した低級アルコキシ
基例えばｔ−ブトキシ基、２−ハロゲノ一低級アルコキ
シ基例えば２，２，２−トリクロルエトキシ基、２−ヨ
ードエトキシ基または２−ブロムエトキシ基、または例
えばメトキシ基のような低級アルコキシ基で置換されて
いる場合のあるジフエニルメトキシ基例えばジフエニル
メトキシ基または４，４′−ジメトキシージフエニルメ
トキシ基、さらにトリメチルシリルオキシ基のようなト
リ低級アルキルシリルオキシ基でありそしてＲ３は低級
アルキル基例えばメチル基、エチル基またはｎ−ブチル
基、低級アルケニル基例えばアリル基、フエニル低級ア
ルキル基例えばベンジル基である。

本発明は主として７β−アミノ−３一低級アルコキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸（その低級アルコキシ基
は炭素原子を４個までもつもの、例えばエトキシ基また
はｎ−ブトキシ基、しかし主にメトキシ基である）およ
びそれらのジフエニルメチルエステルそして７β−アミ
ノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸およ
び相当するジフエニルメチルエステルに関するものであ
る。

本発明方法によれば、式 （この式でＲ２とＲ３とは前記と同じ意味であるが、Ｒ
２は好ましくは基Ｒζであり、Ｒ加まアミノ保護基であ
りそしてＲｋは水素原子またはアシル基であるかまたは
Ｒ合とＲｋとはその両方で２価のアミノ保護基を表わす
）で表わされる化合物において、７ー位置のアミノ基を
遊離化し、そして所望により、得られた式（１）の化合
物において式−Ｃ（＝０）−Ｒ会の保護されたカルボキ
シル基を遊離のまたは他の保護されたカルボキシル基に
変え、そして（または）所望により、得られた塩形成基
をもつ化合物を塩に変えまたは得られた塩を遊離化合物
または他の塩に変え、そして（または）所望により、得
られた異性体化合物の混合物を個個の異性体に分離する
ことによつて、式（１）の化合物またはそれらの塩が得
られる。

アミノ保護基Ｒ仝は水素原子で置換できる基、主にアシ
ル基ＡＣｌさらにトリアリールメチル基殊にトリチル基
、ならびに有機シリル基または有機スタンニル基である
。

基Ｒｋのアシル基を含めて基Ａｃは主に炭素原子を好ま
しくは１８個までもつている有機カルボン酸のアシル基
、殊に置換されている場合のある脂肪族、脂環一脂肪族
、芳香族、芳香脂肪族、複素環式または複素環一脂肪族
のカルボン酸（ぎ酸を含める）のアシル基ならびに炭酸
半誘導体のアシル基である。基Ｒ＊とＲｋとが連結して
形成している２価のアミノ保護基は殊に炭素原子を好ま
しくは１８個までもつている有機ジカルボン酸の２価ア
シル基、主に脂肪族または芳香族ジカルボン酸のジアシ
ル基である。

式（ＸＩＩ）の化合物において、７ー位置の保護された
アミノ基をそれ自体公知の方法によつて遊離アミノ基に
変えることができる。

すなわち、アミノ保護基ＲｈたはＲｋは、殊に容易に分
裂できるアシル基をそれ自体公知の方法によつて、例え
ばｔ−ブトキシカルボニル基のようなα一位置で高度に
分枝した低級アルコキシカルボニル基はこれをトリフル
オル酢酸で処理することによつて、また２，２，２−ト
リクロルエトキシカルボニル基や２−ヨードエトキシカ
ルボニル基のような２−ハロゲノ低級アルコキシカルボ
ニル基またはフエナシルオキシカルボニル基はこれを適
当な金属または金属化合物例えば亜鉛または２価クロム
の塩化物や酢酸塩のよう゛な２価クロム化合物で、有利
にはこの金属または金属化合物といつしよに発生期の水
素を生成するような水素給体の存在の下で、好ましくは
含水酢酸の存在の下で処理することによつて、除去する
ことができる。

さらに、式（Ｘ）の化合物において、式−Ｃ←０）−Ｒ
２のカルボキシル基が好ましくは例えばシリル化を含め
たエステル化によつて、例えばトリメチルクロルシラン
のような適当な有機ハロゲノけい素化合物またはトリ−
ｎ−ブチルすずクロライドのような有機ハロゲノすず（
５）化合物との反応によつて保護されたカルボキシル基
である場合には、アシル基ＲｈたはＲｋ（これらの基中
に存在することのできる遊離の官能性基は場合によつて
保護されていることができる）を除去するように、イミ
ド−ハライド形成剤で処理し、得られたイミド−ハライ
ドをアルコールと反応させそしてこうして生成したイミ
ノエーテルを分裂することができる。

この反応の過程中に、保護例えば有機シリル基で保護し
ておいたカルボキシル基をすでに遊離させることができ
る。ハロゲン原子が親電子性中心原子に結合しているイ
ミド−ハライド形成剤はとりわけ酸ハロゲン化物、例え
ば酸臭化物および特に酸塩化物である。

これらは主として無機酸とりわけりん含有酸の酸ハロゲ
ン化物例えばオキシハロゲン化りん、３ハロゲン化りん
および特に５ハロゲン化りん、例えばオキシ塩化りん、
３塩化りんおよび主に５塩化りん、ならびにピロカテキ
ル一３塩化りん、ならびにいおう含有酸またはカルボン
酸の酸ハロゲン化物特に塩化物、例えば塩化チオニル、
ホスゲンまたは塩化オキザリルである。上記イミド−ハ
ライド形成剤の１つと反応させるには、一般に適当な塩
基特に有機塩基とりわけ第３アミン例えば第３脂肪族モ
ノアミンまたはジアミン例えばトリ一低級アルキルアミ
ン例えばトリメチルアミン、トリエチルアミンまたはＮ
，Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチル−アミン、またはＮ
，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−低級アルキル一低級アルキ
レンジアミン例えばＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル
−１，５−ペンチレンジアミンまたはＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ
′−テトラメチル−１，６−ヘキシレンジアミン、単環
式または２環式のモノアミンまたはジアミン例えばＮ一
置換（例えばＮ一低級アルキル化）されたアルキレンア
ミン、アザアルキレンアミンまたはオキサアルキレンア
ミン例えばＮ−メチルピペリジンまたはＮ−メチルモル
ホリン、または２，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ
ーピローロ〔１，２−ａ〕ピリミジン（すなわち、ジア
ザビシクロノネン、ＤＢＮ）、または第３芳香族アミン
例えばジ一低級アルキルアニリン例えばＮ，Ｎ−ジメチ
ルアニリンまたはとりわけ第３複素環式または２環式塩
基例えばキノリンやイソキノリン、特にピリジンの存在
の下で、好ましくはハロゲン化（例えば塩素化）されて
いる場合のある脂肪族または芳香族炭化水素例えば塩化
メチレンのような溶媒の存在の下で反応させる。

この反応においては、イミド−ハライド形成剤および塩
基をほぼ当モル量で使うことができるが、塩基を過剰に
または当量より少い量で、例えば約０．２〜１倍量また
は約１０倍の過剰量までの量、特に約３〜５倍過剰量の
量で使うこともできる。このイミド−ハライド形成剤と
の反応を冷却しながら、例えば約−５０〜＋１０℃で行
うのが好ましいが、原料の安定性および生成物の安定性
が一層高い温度を許容するならば一層高い温度すなわち
例えば約７５℃までの温度で反応させることもできる。

こうして生成したイミド−ハライド生成物を一般に単離
しないで、好ましくは前記塩基の１つの存在の下で、ア
ルコールと反応させてイミノエーテルを得る。

アルコールとしては例えば脂肪族または芳香脂肪族アル
コール、とりわけハロゲン化（例えば塩素化）のような
置換されている場合のある低級アルカノールまたは別に
ヒドロキシル基をさらにもつ低級アルカノール、例えば
エタノール、プロパノール、ブタノール、特にメタノー
ル、ならびに２，２，２−トリクロルエタノールや２−
ブロムエタノールのような２−ハロゲノ低級アルカノー
ル、およびまた置換されている場合のあるフエニル一低
級アルカノール例えばベンジルアルコールが適する。こ
のアルコールを一般に過剰量例えば１００倍までの過剰
量で使い、そしてその工程を冷却しながら例えば約−５
０〜＋１０℃で行うのが好ましい。こうして生成したイ
ミノエーテル生成物を有利には単離せずに分裂すること
ができる。

このイミノエーテルの分裂は適当なヒドロキシ化合物で
処理することによつて、好ましくは加水分解またはさら
にアルコーリシスによつて達せられる。アルコーリシス
を、上記イミノエーテルの生成に引続いて過剰量のアル
コールを使つて行うのが適する。この場合に、水または
アルコール特にメタノールのような低級アルカノール、
またはアルコールのような有機溶媒の水との混合物を使
うのが好ましいＯ式（Ｘ）の化合物におけるアシルアミ
ノ基のアシル基Ｒ？の中では、例えば５−アミノ−５−
カルボキシーバレリル基〔そのカルボキシル基は例えば
エステル化によつて、特にジフエニルメチル基によつて
、そして（または）アミノ基は例えばアシル化によつて
、特に有機カルボン酸のアシル基例えばジクロルアセチ
ル基のようなハロゲノ低級アルカノイル基またはプタロ
ール基によつて保護されていることもできる〕は塩化二
トロシルのようなニトロシル化剤、ベンゼンジアゾニウ
ムクロライドのような炭素環式アレンージアゾニウム塩
またはＮ−ハロゲン−アミドまたはＮ−ハロゲン−イミ
ド例えばＮ−ブロムこはく酸イミドのような陽性ハロゲ
ン原子を放出する反応剤で、好ましくは適当な溶媒また
は溶媒混合物例えばニトロ一低級アルカンまたはシアノ
一低級アルカンといつしよにぎ酸の中で処理し、その反
応生成物を水または低級アルカノール例えばメタノール
のようなヒドロキシル基をもつ化合物と混合するか、ま
たは基Ｒ仝としての５−アミノ−５−カルボキシーバレ
リル基におけるアミノ基が非置換でありそしてカルボキ
シル基が例えばエステル化によつて保護されておりそし
てＲ１がアシル基であるのが好ましいが水素原子である
こともできる場合には、ジオキサンまたはハロゲン化さ
れた脂肪族炭化水素例えば塩化メチレンのような適当な
溶媒の中で放置し、そして必要ならばこうして生成した
遊離のまたはモノアシル化されたアミノ化合物をそれ自
体公知の方法によつて後処理することによつて、分裂さ
せることができる。

ホルミル基Ｒｔは、酸性剤例えばｐ−トルエンスルホン
酸または塩酸、弱塩基性剤例えば希薄なアンモニアまた
は脱カルボニル化剤例えばトリス一（トリフエニルホス
フイン）一ロジウムクロライドで処理することによつて
除去することもできる。

トリチル基のようなトリアリールメチル基Ｒ↑は、例え
ば無機酸のような酸性剤例えば塩酸で処理することによ
つて除去できる。

式（Ｄの化合物は、例えば式 で表わされるセフエム一３−オン化合物またはその２，
３−または３，４一位置に２重結合をもつ相当するエノ
ールを、３一位置に式−０−Ｒ，の官能性に変性された
ヒドロキシル基をもつエノール誘導体に変え、そして所
望により式−Ｃ（＝Ｏ）一Ｒｔの保護されたカルボキシ
ル基を遊離のまたは他の保護されたカルボキシル基に変
えることによつて得られる。

この丑ノール誘導体は前記の方法によつて製造すること
ができる。本発明方法によつて得られた、式−Ｃ（＝０
）ＨＳの保護殊にエステル化されたカルボキシル基をも
つ式（１）の化合物において、これをそれ自体公知の方
法によつて例えば基Ｒこの種類によつて、遊離カルボキ
シル基に変えるこξができる。

エステル化例えば低級アルキル基殊にメチル基またはエ
チル基でエステル化されたカルボキシル基を弱塩基性媒
質中で加水分解することにより、例えばアルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属の水酸化物または炭酸塩例えば水
酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムの水溶液で好まし
くは約９〜１０の…値でそして場合によつては低級アル
カノールの存在の下で処理することにより、遊離カルボ
キシル基に変えることができる。適当な２−ハロゲノ低
級アルキル基またはアリールカルボニルメチル基でエス
テル化されたカルボキシル基はこれを例えば化学的還元
剤例えば亜鉛のような金属または２価クロム塩例えば２
価クロムの塩化物のような還元性金属塩で、一般にその
金属によつて発生期の水素を生成することのできる水素
給体例えば酸主に酢酸またはぎ酸あるいはアルコール（
好ましくはこれらに水を加える）の存在の下で処理する
ことによつて、またアリールカルボニルメチル基でエス
テル化されたカルボキシル基はこれをナトリウムチオフ
ェノラードまたはよう化ナトリウムのような親核性の好
ましくは塩形成性の反応剤で処理することによつて、ま
た適当なアリールメチル基でエステル化されたカルボキ
シル基はこれを例えば照射によつて〔好ましくはそのア
リールメチル基が３−，４−および（または）５一位置
において例えば低級アルコキシ基および（または）ニト
ロ基で置換されている場合のあるベンジル基であれば例
えば２９０ｍμ以下の紫外線を使いそしてそのアリール
メチル基が例えば２一位置でニトロ基によつて置換され
たベンジル基であれば例えば２９０ｍμ以上の長波長紫
外線を使う〕、またｔ−ブチル基やジフエニルメチル基
のような適当に置換されたメチル基でエステル化された
カルボキシル基はこれを例えばぎ酸またはトリフルオル
酢酸のような適当な酸性剤で、場合によつてはフエノー
ルやアニソールのような親核性化合物を加えて処理する
ことによつて、また活性エステル化されたカルボキシル
基およびまた無水物の形にあるカルボキシル基はこれを
加水分解例えば塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液または
ＰＨ約７〜９のりん酸カリウム緩衝水溶液のような酸性
または弱塩基性の水性剤で処理することによつて、そし
てまた水素添加分解で分裂できるエステル化されたカル
ボキシル基はこれを例えばパラジウム触媒のような貴金
属触媒の存在の下で水素で処理することによつて分裂さ
せることができる。保護例えばシリル化またはスタンニ
ル化によつて保護されているカルボキシル基は、これを
常法によつて例えば水またはアルコールで処理して遊離
化することができる。

式−Ｃ（＝０）−Ｒ２のエステル化された基をもつ得ら
れた化合物においては、この基を同じ式で表わされる他
の基に変えることができる。

例えば、２−クロルエトキシカルボニル基または２−ブ
ロムエトキシカルボニル基をアセトンのような適当な溶
媒の存在の下でよう化ナトリウムのようなよう素塩で処
理して２−ヨードエトキシカルボニル基に変えることが
できる。式（１）の化合物の塩はそれ自体公知の方法に
よつて製造される。

すなわち、酸性基をもつ式（１）の化合物を例えば適当
なカルボン酸のアルカリ金属塩のような金属化合物例え
ばα一エチルカプタン酸のナトリウム塩でまたはアンモ
ニアまたは適当な有機アミンで処理することによつて、
その塩を生成することができる。この目的には、その塩
形成剤を化学量論的量または僅かに過剰な量で使うのが
好ましい。また、式（１）の化合物の酸付加塩は常法に
よつて、例えば酸または適当な陰イオン交換剤で処理す
ることによつて得られる。塩形成するアミノ基と遊離カ
ルボキシル基とをもつ式（１）の化合物の分子内塩は、
例えばその酸付加塩のような塩を等電点まで例えば弱塩
基で中和するかまたは液状イオン交換剤で処理すること
によつて生成される。塩はこれを常法により遊離化合物
に変えることができる。

例えば、金属塩およびアンモニウム塩を適当な酸で処理
することによつて、また酸付加塩を例えば適当な塩基性
剤で処理することによつて、遊離化合物に変えることが
できる。得られた異性体混合物は、これをそれ自体公知
の方法によつて、例えばジアステレオマ一異性体の混合
物を分別結晶化、吸着クロマトグラフイ（カラムクロマ
トグラフイまたは薄層クロマトグラフイ）または他の適
当な分離方法によつて個個の異性体に分けることができ
る。

得られたラセミ体は、これを常法によつて、適当ならば
適当な塩形成基を導入した後に、例えば光学活性の塩形
成剤とのジアステレオマ一塩混合物を生成し、この混合
物を各ジアステレオマ一塩に分けそしてこうして分けた
ジアステレオマ一塩を遊離化合物に変えることによつて
、または光学活性の溶媒から分別結晶化することによつ
て、個個の対掌体に分けることができる。本発明は、そ
の工程で中間体として生成する化合物を原料として使い
そして残りの工程段階を行うかまたはその工程を任意の
段階で中断するような態様をも包含する。

さらに、原料を誘導体の形で使うことができるしまたは
その反応中に生成させることができる。なお、原料およ
び反応条件としては、先に殊に好ましいものとして挙げ
た化合物が得られるように選ぶのが好ましい。

なお、本明細書において、『低級』と示された有機基は
特に定義してない限り炭素原子を７個まで、好ましくは
４個までもつものである。

『アンル基』は炭素原子を２０個まで、好ましくは１２
個までそして主として７個までもつものである。次に実
施例によつて本発明をさらに具体的に説明する。例１ 塩化メチレン３０！！Ｌｌに溶かした３−メトキシー７
β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カル
ボン酸ジフエニルメチルエステル０．５１４９の溶液を
−１０℃に冷却しそして無水ピリジン０．８−および５
塩化りんの８％塩化メチレン溶液８．０ｄと混合する。

反応混合物を−１０〜−５℃で１時間かきまぜてから、
−３０℃に冷却してメタノール５ｍ１！を混合する。こ
れを−１０〜−５℃で１時間、０℃で１時間そして室温
で１時間かきまぜる。これにりん酸二水素カリウムの０
．５モル水溶液２０ｄを加えてＰＨ２．４で３０分間か
きまぜ、塩化メチレンで希釈し、水性相を分け、これを
塩化メチレンで抽出する。それら有機相を合わせて飽和
塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾かし
そして減圧下で蒸発する。残分をジエチルエーテルで浸
出しそしてＯ℃で１６時間放置する０その沈殿をろ別し
、ジエチルエーテルで洗つてから乾かす。こうして７β
−アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン
酸ジフエニルメチルエステルが淡いベージユ色の粉末と
して得られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル、よう
素蒸気で検出）：Ｒｆ〜０．１７（系：酢酸エチル）、
紫外吸収スペクトル（９５％のエタノール水溶液）：λ
Ｍａｘ＝２５８ｍμ（ε＝５２５０）および２６４ｍμ
（ε＝５３００）およびλ肩＝２９０ｍμ（ε＝５２０
０）、赤外吸収スペクトル：２．８７μ（巾広い）、５
．６２μ，５．８５μおよび６．２６μ。例２ 塩化メチレン１３１！１１に溶かした７β−（５−ベン
ゾイルアミノ一５−ジフエニルメトキシカルボニルーバ
レリルーアミノ）−３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．２６３９の溶
液を−１０℃に冷却して、ピリジン０．１３２ｄおよび
５塩化りんの８％塩化メチレン溶液３．５２ｄと混合す
る。

これを−１０℃で１時間かきまぜてから、−３０℃に冷
却し、−３０℃に冷却したメタノール２．２ａを加えて
、一１０℃および−５℃でそれぞれ３０分間ずつかきま
ぜる。この反応混合物をりん酸二水素カリウムの０．５
モル水溶液６．５Ｔ１Ｌ１と混合して室温で５分間かき
まぜそして相を分ける。水性相を塩化メチレンで洗い、
塩化メチレン相を合わせて濃い塩化ナトリウム水溶液で
洗い、硫酸ナトリウムで乾かしそして減圧下で蒸発する
。残分をメタノールに溶かし、この溶液をジエチルエー
テルと少し濁るまで混合する。こうして７β−アミノ−
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニ
ルメチルエステルが無定形沈殿として得られる。薄層ク
ロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．１７（系：酢
酸エチル、よう素で検出）、紫外吸収スベクトル（９５
％エタノール水溶液中）：λＭａｘ＝２５８ｍμ（ε＝
５７００）、赤外吸収スペクトル（ジオキサン中）：２
．８７μ，５．６２μ，５．８５μおよび６．２６μに
特性バンド。出発材料は次のようにして製造することが
できる。

りん酸水素二カリウムの１０％水溶液１５００ＷＬＩに
溶かしたセフアロスポリンＣのナトリウム塩５０９の溶
液をアセトン１２００ｒ！Ｌｌで希釈しそしてＯ℃で塩
化ベンゾイル２１ｆ１と混合する。

これをＯ℃で３０分間そして２０℃で４５分間かきまぜ
る。この際、りん酸三カリウムの５０％水溶液を加えて
ＰＨ値を８．５に一定に保持しておく。これを減圧下で
約半量に濃縮し、酢酸エチルで洗い、２０％りん酸水溶
液でＰＨ２．Ｏの酸性として酢酸エチルで抽出する。そ
の有機相を乾かしそして減圧下で蒸発する。残分をアセ
トンから再結晶すれば、Ｎ−ベンゾイルーセフアロスポ
リンＣが得られる。融点１１７〜１１９℃、薄層クロマ
トグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．３７（系：ｎ−ブ
タノール・酢酸・水７５：７．５：２１）およびＲｆ＝
０．０８（系：酢酸エチル・ピリジン・酢酸・水６２：
２１：６：１１）。Ｎ−ベンゾイルーセフアロスポリン
Ｃの４．７ｆ！をりん酸水素二カリウムの０．５ミリモ
ル水溶液８５！ｎｌとジメチルホルムアミド９！ＩＬＩ
との混合物に溶かしてアルミニウムアマルガム４．７９
を加えてＰＨ６．Ｏそして４５℃で４５分間かきまぜる
。

この際、２０％のりん酸水溶液を加えてその…に一定に
保持する。これに氷１００１ＩＬＩを加え、冷えた酢酸
エチルで覆いそして濃りん酸を加えてＰＨ２．Ｏにする
。この混合物を塩化ナトリウムで飽和し、有機相を分け
そして水性相を酢酸エチルで２回洗う。これら有機抽出
液を合わせ、塩化ナトリウムの飽和水溶液で洗い、硫酸
ナトリウムで乾かし、減圧下で蒸発しそして残分を酢酸
エチル中で結晶化する。酢酸エチルとヘキサンとの２：
３の混合物１５ＴＩＬＩでゆつくり希釈し、−５℃で２
時間放置した後にろ過しそして酢酸エチルとジエチルエ
ーテルとの１：４の混合物から結晶として取り出すこと
によつて、７β−（５−ベンゾイルアミノ一５−カルボ
キシーバレリルアミノ）−３−メチレンーセフアム一４
α一カルボン酸が得られる。融点８２〜８９℃（分解を
伴う）、薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０
．５３（系：ｎ−ブタノール：酢酸・水７５：７．５：
２１）およびＲｆ＝０．０８（系：酢酸エチル・ピリジ
ン・酢酸・水６２：２１：６：１１）。上記のアルミニ
ウムアマルガムは次のようにして作られる。

粒状アルミニウム３．３９と水酸化ナトリウムの５０％
水溶液１００ＷＬ１との混合物を３０秒間振とうしそし
てデカンテーシヨンした後に水３００ｄずつで３回洗う
。

残分を塩化第２水銀の０．３％水溶液１３０ａで３分間
処理してから、水３００ａずつで３回洗う。この操作を
もう１回行い、こうして得たアルミニウムアマルガムを
テトラヒドロフランで３回洗う。この生成物を反応容器
に移すのに酢酸エチル約１５ａを使う。ジオキサン２５
ＷＬｔに溶かした７β−（５−ベンゾイルアミノ一５−
カルボキシーバレリルーアミノ）−３−メチレンーセフ
アム一４α一カルボン酸２．３９の溶酸をｎ−ペンタン
１０ＷＬＩ！中のジフエニルジアゾメタン２．５９の溶
液と１０分間で滴加混合する。

これを室温で３０分間かきまぜてから、酢酸（氷酢酸）
の数滴を加えて余分のジフエニルジアゾメタンを分解し
そしてこの溶液を減圧下で蒸発する。残分をシリカゲル
８０ｆ！上でクロマトグラフ処理する。トルエンと酢酸
エチルとの３：１の混合物で７β−（５−ベンゾイルア
ミノ一５−ジフエニルメトキシカルボニルバレリルーア
ミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カルボン酸ジ
フエニルメチルエステルを溶離しそして酢酸メチルとシ
クロヘキサンとの混合物から結晶として取り出す。融点
１８０〜１８１℃、薄層クロマトグラム（シリカゲル）
：Ｒｆ＝０．２４（系：トルエン・酢酸エチル２：１）
、紫外吸収スペクトル（９５％のエタノール水溶液中）
：特性バンドはなし、赤外吸収スペクトル（塩化メチレ
ン中）：５．６６μ，５．７６μ，５．９５μ，６．０
３μ，６．６４μおよび６．７０μに特性バンド〇塩化
メチレン１５０ｍ１に溶かした７β−（５ーベンゾイル
アミノ−５−ジフエニルメトキシカルボニルーバレリル
ーアミノ）−３−メチレンーセフアム一４α一カルボン
酸ジフエニルメチルエステル１．５９９の溶液を−７０
℃に冷却しそして激しくかきまぜながらオゾンと酸素と
の混合物（毎分オゾン０．２ミリモルを含む）で１２分
４３秒間処理してからジメチルサルフアイド１ａで処理
する。

これを−７０℃で５分間そして室温で３０分間かきまぜ
てから、減圧下で蒸発する。その残分は７β−（５−ベ
ンゾイルアミノ一５−ジフエニルメトキシカルボニルー
バレリルーアミノ）−セフアム一３−オン−４ε一カル
ボン酸ジフエニルメチルエステルを含む。これをメタノ
ール４０ｍ１！に溶かし、氷浴中で冷却しそしてジアゾ
メタンのジエチルエーテル溶液と黄色が消失しなくなる
まで混合する。この反応混合物を減圧下で蒸発しそして
残分をシリカゲル１００９上でクロマトグラフ処理する
。７β−（５−ベンゾイルアミノ一５−ジフエニルメト
キシカルボニルーバレリルーアミノ）−３−メトキシ−
３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステ
ルをトルエンと酢酸エチルとの１：１の混合物で溶離す
る。

これは無定形生成物として得られる。薄層クロマトグラ
ム（シリカゲル）：Ｒｆ＝０．４５（系：トルエン・酢
酸エチル１：１）、紫外吸収スペクトル（９５％エタノ
ール水溶液）：λ肩＝２５８ｍμ（ε一７４５０），２
６４ｍμ（ε＝７０５０）および２６８ｍμ（ε＝６７
００）、赤外吸収スペクトル（塩化メチレン中）：５．
６５μ，５．７８μ，６．０３μおよび６．６４μに特
性バンド。例３７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフ
エム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル１．６
５９とアニソール２ｄとの懸濁液を予冷したトリフルオ
ル酢酸２０ｒｎｉ！と混合して氷浴中で１５分間かきま
ぜる。

この混合物を冷えたトルエン１００ｄで希釈しそして減
圧下で蒸発する。その暗褐色残分を高真空下で乾かしそ
してジエチルエーテルを加えてかきまぜる。その沈殿を
ろ別し、アセトンおよびジエチルエーテルで洗つてから
乾かす。こうして得た７β−アミノ−３−メトキシ−３
−セフエム一４−カルボン酸のトリフルオル酢酸塩を水
１０ａに溶かし、この水溶液を酢酸エチル１０ａずつで
２回洗いそしてトリエチルアミンの１０％メタノール溶
液を加えてＰＨを４．５にする。これをアセトンで希釈
して、０℃で１時間かきまぜる。その沈殿をろ別し、ア
セトンとジエチルエーテルとの１：２の混合物で洗いそ
して高真空下で乾かす。こうして７β−アミノ−３−メ
トキシ−３−セフエム一４−カルボン酸が分子内塩の形
で得られる。薄層クロマトグラム（シリカゲル）：Ｒｆ
〜０．１６（系：ｎ−ブタノール・酢酸・水６７：１０
：２３）、紫外吸収スペクトル（０．１Ｎの塩酸中）：
λＭａｘ＝２６１ｍμ（ε＝５４００）。上記の方法に
よつて作つた７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフエ
ム一４−カルボン酸をトリメチルクロルシランで処理し
てそのカルボキシル基をトリメチルシリル基で保護され
たカルボキシル基に変えることができ（なお、そのシリ
ル化剤を過剰に使つてアミノ基も同様に保護されたアミ
ノ基に変えることができる）、こうしてトリメチルシリ
ル化した７β−アミノ−３−メトキシ−３ーセフエム一
４−カルボン酸をフエニルアセチルクロライドで処理し
てそのアミノ基をアシル化することができる。これを常
法により水の存在下で後処理すれば、３−メトキシー７
β−フエニルアセチルアミノ一３−セフエム一４−カル
ボン酸が得られる。１Ｒ−スペクトル（ＣＨ，Ｃ２２）
：吸収バンド３．０３，５．６０，５．７４，５．９
２，６．２４，６．６７μ。

実施例 ４ ７β−フエノキシアセトアミド一３−メトキンーセフ一
３−エム一４−カルボン酸２．５５ｆ１（７ｍＭ）とＮ
，Ｎ−ジメチルアニリン２．９ａ（２２．４ｍＭ）とを
無水塩化メチレン１１ｄ中に懸濁し、これに窒素ガス雰
囲気下において２０℃でジメチルージクロルーシラン０
．７ｍ１（５．７ｍＭ）を加えてから、同温度で３０分
間撹拌する。

こうして生成した透明な溶液を−２０℃に冷却し、固体
の五塩化りん１．６９（７．７ｍＭ）を加えて３０分間
撹拌する。Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン０．９ｍ１（７ｍ
Ｍ）とｎ−ブタノール０．９ｍＭとの予冷（−２０℃）
した混合物を同温度で２〜３分間で加えてから、予冷（
−２０℃）したｎ−ブタノール１．０ｍ１を早く加えそ
して−２０℃で２０分間そして次に冷却せずに１０分間
撹拌する。これに約−１０℃で水０．４ａを加え、氷浴
（０℃）中で１０分間攪拌してから、ジオキサン１１ｍ
１を加えそしてＯ℃で１０分間かきまぜた後に、水で希
釈した試料が３．５の一定ＰＨ値となるまでトリ−ｎ−
ブチルアミン約４．５ａを少しずつ加える。こうして０
℃で１時間撹拌した後に沈殿を戸別し、ジオキサンで洗
いそして含水ジオキサンから再結晶する。こうして得た
７β−アミノ−３−メトキシーセフ一３−エム一４−カ
ルボン酸−ハイドロクロライドージオキサネートは融点
が３００℃以上である。薄層クロマトグラムのＲｆ値＝
０．１７〔シリカゲル、系：ｎ−ブタノール／四塩化炭
素／メタノール／ぎ酸／水（３０：４０：２５：５：５
）〕。実施例 ５９３％の７β−フエノキシアセトアミ
ド一３−メトキシーセフ一３−エム一４−カルボン酸１
１．７５９（１００％とすれば１０．９３９）とＮ，Ｎ
−ジメチルアニリン１３．４ｍ１（１２．７３９）とを
無水塩化メチレン（Ｐ２Ｏ，上で蒸留）４７ａ中に懸濁
し、これに窒素ガス雰囲気下において＋２０℃でジメチ
ルジクロルシラン３．６７１１１（３．８７９）を加え
てから同温度で３０分間攪拌する。

こうして生成した透明な溶液を−１８〜−１９℃に冷却
して、これに固体の五塩化りん７．８ｆ！を加える。こ
うして内温は−１０℃に上昇する。−２０℃の浴中で３
０分間撹拌した後にこの透明な溶液をｎ−ブタノール（
Ｓｉｋｋａｎ上で乾かした無水物）４７ＷＬ１とジメチ
ルアニリン４．４７！Ｌｌ（４．１８９）との−２０℃
に冷却した混合物に約７分間で滴加する。こうして内温
は−８℃に上昇する。これを−２０℃の浴温中でさらに
３０分間撹拌してから、氷浴（０℃）中で最終の内温が
−１０℃に達するまで攪拌する。この温度でジオキサン
４７Ｔｎ１と水１．６ｒ！Ｌｌとの混合物を約５分間で
滴加する。こうして生成物がゆつくり晶出する。さらに
１０分間攪拌した後に、この混合物に氷浴中でトリ−ｎ
−ブチルアミン約９．５ｒ！Ｌｌ！を約１時間で少しず
つ加える（最初の５分間のうちに初めの５ｄを加える）
ことによつて、…を２．２乃至２．４にしそして同温度
に保持する。次に、生成物を戸別し、ジオキサン約３０
ｄそして次に塩化メチレン約１５ｒｆＬ１で少しずつ洗
えば、結晶性の７β−アミノ−３−メトキシーセフ一３
−エム一４−カルボン酸一ハイドロクロライドージオキ
サネートが得られる。融点３００℃以上、ＵＶ−スペク
トル（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウム溶液中）：λＮｌ
ａｘ＝２７０ｍμ（ε＝７６００），ＩＲ−スペクトル
（ニユジヨール）：５．６２，５．８０，５．８８，６
．２６，６．５５，７．０３，７．４５，７．７２，７
．９６，８．１４，８．２６，８．４５，８．６４，８
．９７，９．２９，１０．４０，１１．４７ｍμに特性
バンド、〔α〕ｖ＝＋１３４，±１．（ｃ＝１，０．５
Ｎの炭酸水素ナトリウム溶液中）。こうして得たハイド
ロクロライドージオキサネートの２０％水溶液に２Ｎの
水酸化ナトリウム溶液を…値が４．１（等電点）になる
まで加えれば、７β−アミノ−３−メトキシーセフ一３
−エム一４−カルボン酸の双性イオンが得られる。

これを戸別して乾かせば、その融点は３００℃以上であ
る。ＵＶ−スペクトル（０．１Ｎの炭酸水素ナトリウム
溶液）：λＲｒｌａｘ＝２７０ｎｍ（ε＝７６００）、
薄層クロマトグラムのＲｆ値はその塩酸塩のＲｆ値と同
じ（シリカゲル、同じ系）、〔α〕？＝＋２３２シ±１
ゲ（ｃ＝１，０．５Ｎの炭酸水素ナトリウム溶液）。実
施例 ６ ７β−アミノ−３−メトキシーセフ一３−エム一４−カ
ルボン酸−ハイドロクロライドージオキサネート１９（
２．８２ｍＭ）を乾いた塩化メチレン２０ｄ中に懸濁し
、これに窒素ガス雰囲気下において室温でビス一（トリ
メチルシリル）−アセトアミド１．６５ａを加える。

４０分間後にこの透明な溶液を０℃に冷却しそしてこれ
に固体のＤ一α−フエニルグリシルクロライド一塩酸塩
９００１！１ｆ１（４．３７ｍＭ）を加える。

５分間の後にプロピレンオキシド０．７ｄ（１０ｍＭ）
を加える。

この懸濁液を窒素ガス雰囲気下において０℃で１時間攪
拌してから、メタノール０．５ｄを加えると、７β−（
Ｄ−α−フエニルグリシルアミノ）−３−メトキシーセ
フ一３−エム一４−カルボン酸一塩酸塩が結晶の形で析
出する。この塩酸塩を戸別し、水９ａに溶かしそしてこ
の溶液を１Ｎの水酸化ナトリウム溶液でＰＨ４．６に調
整する。こうして生成した７β−（Ｄ−α−フエニルグ
リシルアミノ）−３−メトキシーセフ一３−エム一４−
カルボン酸の分子内塩の二水和物を戸別し、アセトンお
よびジエチルエーテルで洗つてから乾かす。融点１７４
〜１７６℃（分解）、〔α〕？＝＋１３２（ｃ＝０．１
７４，０．１Ｎの塩酸中）、薄層クロマトグラム（シリ
カゲル）：Ｒｆ値〜０．１８〔系：ｎ−ブタノール／酢
酸／水（６７：１０：２３）〕，ＵＶ−スペクトル（０
．１Ｎの炭酸水素ナトリウム溶液中）：λＭａｘ＝２６
９ｎｍ（ε＝７０００），ＩＲ−スペクトル（鉱油）：
５．７２，５．９２，６．２３および６．６０μに特性
バンド。実施例 ７ ７β−アミノ−３−メトキシーセフ一３−エム一４−カ
ルボン酸（分子内塩）９９３η（４．３２ｍＭ）を塩化
メチレン１０７１Ｌ１！中に懸濁し、これにＮ，Ｏ−ビ
ス−（トリメチルシリル）−アセトアミド１．３７ｗＬ
１（５．６ｍＭ）を加えて、窒素ガス雰囲気下において
室温で４５分間撹拌する。

この透明な溶液をＯ℃に冷却しそしてＤ−α−フエニル
グリシル酸クロライド一塩酸塩１．１１９（５．４ｍＭ
）を加える。５分間後にプロピレンオキシド０．４１１
Ｌ１（５．６ｍＭ）を加える。

この懸濁液を窒素ガス雰囲気下においてＯ℃で１時間撹
拌してからメタノール０．６ｍ１を加える。こうして晶
出した７β−（Ｄ−α−フエニルグリシルアミド）−３
−メトキシーセフ一３−エム一４−カルボン酸一塩酸塩
を戸別し、０℃で水１５ａに溶かしそしてこの溶液に１
Ｎ水酸化ナトリウム溶液５！！Ｌｌを加えて…を約４に
調整する。この溶液を室温まで加温し、トリエチルアミ
ンを加えてＰＨを約４．８にすると、７β一（Ｄ−α−
フエニルグリシルアミド）−３−メトキシーセフ一３−
エム一４−カルボン酸が二水和物の形で晶出する。１Ｒ
−スペクトル（鉱油中）、特異バンド５．７２，５．９
４，６．２３、及び６．６０μ。

実施例 ８ ０乃至５℃に保持された７β−〔５−（２，４−ジクロ
ロベンズアミド）−５−カルボキシバレルアミド〕−３
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジベンズヒ
ドリルエステルの塩化メチレン中溶液に無水ピリジン及
び塩化メチレン中五塩化燐を加え、反応混合物を３時間
撹拌する。

撹拌しながら冷反応混合物に過剰量のＳｅｃ−ブタノー
ルを加える。ベンズヒドリルーJメ[アミノ一３−メトキ
シ−３−セフエム一４−カルボキシレートヒドロクロリ
ドの沈殿を戸別する。これは再結晶させることにより精
製できる。１Ｒ−スペクトル（ジオキサン）：特異吸収
２．８７，５．６２，５．８５及び６．２６μ（遊離塩
基）。

実施例 ９ ７β−Ｔｅｒｔ−ブトキシカルボキシルアミノ一３−メ
トキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチ
ルエステル〔４．９６９（１０ミリモル）〕の塩化メチ
レン（２５１１１）中溶液をトリフルオロ酢酸２５！１
１ｌ及びアニソール５ＷＬ１，で処理する。

０℃において１時間混合物を撹拌し、次いで蒸発せしめ
る。

残留物を水５０ＷＬＩで処理し、酢酸エチルで２回抽出
する。０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を添加すること
により、水相をＰＨ４．ｌに調整する。

アセトンを添加しそして氷浴中で１時間撹拌すると、７
β−アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボ
ン酸が沈殿する。これを戸別し、そして乾燥する。融点
：３００℃以上（分解）；Ｒｆ値：〜０．０５〔シリカ
ゲル，ｎ−ブタノール／酢酸／水（７１．５：７．５：
２１）〕；ＵＶ−スペクトル（０．１ＮＮａ０Ｈ）：λ
Ｍａｘ＝２７０ｎｍ（ε＝７６００）；ＩＲ−スペクト
ル（ＮｕｊＯｌ）：５．５９，６．１０，６．２２，６
．４４，６．６５μ及びその他に吸収バンド。

実施例 １０ テトラヒドロフラン１０７１１１！中７β−ジンジルォ
キシカルボニルアミノ一３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル１．５ミリモ
ルと１０％バラジウム担持木炭０．４９との混合物を標
準圧力下、室温において１０時間水素添加する。

この混合物を１Ｎ塩化水素でＰＨｌまで酸性化し、触媒
をＦ去し、そしてＰＨ４．ｌとなるまで済液を１Ｎ水酸
化ナトリウム水溶液で処理する。７β−アミノ−３−メ
トキシ−３−セフエム一４−カルボン酸を含む沈殿を戸
別しそして乾燥する。

１Ｒ−スペクトル（ＮｕｊＯｌ）：吸収バンド５．５９
，６．１０，６．２２，６．４４，６．６５μ，及びそ
の他。

実施例 １１ ７β一トリチルアミノ一３−メトキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル０．５２９（
１．０ミリモル）と蟻酸５ｄとの混合物を５０℃におい
て１５分間加熱し、次いで蒸発せしめる。

残留物を水中に溶解せしめ、酢酸エチルで２回抽出する
。水相をＰＨ４．ｌに調整する。アセトンを添加し、０
℃において１時間撹拌すると、７β−アミノ−３−メト
キシ−３−セフエム一４一カルボン酸が析出する。これ
をＰ別しそして減圧乾燥する。ＩＲ−スペクトル（Ｎｕ
ｊＯＩ）：吸収バンド５．５９，６．１０，６．２２，
６．４４，６．６５μ及びその他。実施例 １２ ７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４−カル
ボン酸ヒドロクロリドジオキサネート（１ミリモル）の
水（２０ｗＬ１）中混合物を、氷一メタノール混合物で
冷却しながら、ＰＨが８．５となるまで１Ｎ水酸化カリ
ウム水溶液で処理する。

０．１トル且つ４０℃の条件下においてこの溶液を蒸発
せしめ、残留物を高真空において乾燥する。

得られたカリウム塩をジメチルホルムアミド２５ｄ中に
溶解せしめそして−２０℃において１０分以内に１当量
のヨードメチルピバレートで処理する。窒素雰囲気下、
−２０℃において３０分間、この混合物を撹拌し、そし
て酢酸エチルで稀釈した後、塩化ナトリウム飽和水溶液
で２回抽出し、硫酸ナトリウム上で乾燥しそして蒸発せ
しめる。粗製生成物をシリカゲルでクロマトグラフ処理
して、７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフエムー４
−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエステルを得る。
これは２−セフエム異性体を若干含む場合もある。ＩＲ
−スペクトル（塩化メチレン）：１７９０−１（１７７
！及びその他に吸収バンド。実施例 １３７β−フエノ
キシアセトアミド一３−メトキシ−３−セフエム一４−
カルボン酸ｐ−ニトロペンジルエステル（１９）の塩化
メチレン（６０ＷＬｉ！）中溶液を−１０℃に冷却し、
そして無水ピリジン１．６Ｎ及び五塩化燐の塩化メチレ
ン中８％溶液１６ａで処理する。

この混合物を−１０乃至−５℃において１時間攪拌し、
−３０℃に冷却し、そしてメタノール５ｄで処理する。
−１０乃至−５℃において１時間、０℃において１時間
をして室温において１時間撹拌を続ける。反応混合物に
燐酸二水素カリウムの０．５モル水溶液４０Ｎを加え、
撹拌を５分続ける。有機相を分離し、水相を塩化メチレ
ンで抽出する。合した有機相を塩化ナトリウム濃水溶液
で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして蒸発せし
めて、７β−アミノ−３−メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステルを得る。

ＩＲ−スペクトル（ＮｕｊＯｌ）：２．９９，５．７５
，及び５．９８μに吸収バンド；ＵＶ−スペクトル（エ
タノール）：λＲｎａｘ＝２６８ｍμ（ε＝１４６００
）。

実施例 １４ 水（２０７ｎ１）及びアセトニトリル（２０ｗＬ１）中
ｐ−ニトロベンジルJメ[アミノ一３−メトキシ−３−セ
フエム一４−カルボキシレート（７３０η）溶液を濃塩
酸で一時ＰＨｌまで酸性化する。

その後直ちに、この溶液を１Ｎ水酸化ナトリウムでＰＨ
２．５まで逆滴定する。次で、この溶液を蒸発乾固し、
そして残留物をＴＨＦ４Ｏｄｌメタノール８０ｄ及び水
６ｄの混合物中に溶解せしめる。然る後に、水素圧５０
ｐｓｉ下、室温において２時間この溶液を５％パラジウ
ム担持炭素（エタノール中であらかじめ還元されている
）７３０ｍｇの存在下において水素添加する。触媒を戸
去し、ＴＨＦ及び水で洗浄する。

合した洗液及び済液を蒸発せしめ、そして水性残渣を酢
酸エチルでスラリーにする。スラリーの…を３．５に調
整し、そして水相を分離し、酢酸エチルで洗浄する。水
相を容量４ｄに濃縮し次いで冷却すると、７ーアミノ一
３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸が結晶質
固体として沈殿する。赤外線吸収スペクトル（ＮｕｊＯ
ｌＭｕｌｌ）：５．６１ミクロン（ｐ−ラクタムカルボ
ニル）に吸収ピーク０Ｎ．Ｍ．Ｒ．（ＤＭＳＯｄ６）：
６．３５（Ｓ，２Ｈ，Ｃ２Ｈ２），６２０（Ｓ，３Ｈ，
Ｃ３メトキシル），５３０（Ｄ，ｌＨ，Ｃ６Ｈ）及び４
．９４（Ｄ，ｌＨ，Ｃ，Ｈ），Ａｕシグナル。

紫外線吸収スペクトル（ＰＨ７緩衝液）：λＲｎａｘ２
６８ｍμ（ε＝６，５００）。

実施例 １５ 塩化メチレン（２０ｄ）中７β−アミノ−３ーメトキシ
−３−セフエム一４α一カルボン酸ジフエニノレメチル
エステルの４−メチルフエニルースルホネート（１９）
の溶液をＰＨ７〜８の燐酸塩緩衝液といつしよに振盪す
る。

有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥せしめ、０℃において
塩化水素で飽和しそして同温度に３０分間放置する。こ
の混合物を減圧下において低温で蒸発せしめる。残渣を
水４ａ中に溶解せしめそして塩化メチレンで抽出する。
水相をジオキサン４０ａで処理する。７β−アミノ−３
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ヒドロクロ
リドオキサネートの結晶を戸別し、そして水及びジオキ
サンから再結晶するＯ融点：〉３００℃。

紫外線スペクトル（０．１Ｎ炭酸水素ナトリウム）：λ
Ｍａｘ＝２７０ｍμ（ε＝７６００）。

〔α〕昭＝＋１３４μ±１＝（ｃ＝１；０．５Ｎ炭酸水
素ナトリウム）。

実施例 １６ 例１と同様にして、但し７β−フエニルアセチルアミノ
一３−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸ジフエ
ニルメチルエステルの代りに７βーフエニルアセチルア
ミノ一３−ｎ−ブチルオキシ−３−セフエム一４−カル
ボン酸ジフエニルメチルエステル、７β−フエニルアセ
チルアミノ一３−エチルオキシ−３−セフエム一４−カ
ルボン酸ジフエニルメチルエステル又は７β−フエニル
アセチルアミノ一３−ベンジルオキシ一３−セフエム一
４−カルボン酸ジフエニルメチルエステルを五塩化燐で
処理することにより次の化合物が得られる。

７β−アミノ−３−ｎ−ブチルオキシ−３−セフエム一
４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル、ＩＲ−スペ
クトル（ＣＨ２Ｃｌ２）：吸収バンド５．６３，５．８
０，６．２５μ；７β−アミノ−３ーエチルオキシ−３
−セフエム一４−カルボン酸ジフエニルメチルエステル
、ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ２）：吸収バンド５．
６４，５．７８，６．２４μ：及び、７β−アミノ−３
−ベンジルオキシ一３−セフエム一４−カルボン酸ジフ
エニルメチルエステル、ＩＲ−スペクトル（ＣＨ２Ｃｌ
２）：吸収バンド５．６３，５．８０，６．２４μ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII）〔式中、Ｒ
   ＿２はヒドロキシル基であるかまたは基Ｒ＿２＾Ａ（該
   Ｒ＿２＾Ａは式中のカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）といつし
   よになつて保護されたカルボキシル基を形成している基
   である）であり；Ｒ＿３はアルキル基またはアラルキル
   基であり；Ｒ＿０＾Ａは、イミド−ハライドを形成する
   酸ハロゲン化物で処理し、次にアルコールで、もしくは
   アルコール及び次いで水で処理することにより脱離し得
   るアミノ保護基であり；そしてＲ＿０＾ｂは水素原子で
   ある、〕で表わされる化合物において、イミド−ハライ
   ドを形成する酸ハロゲン化物で処理し続いてアルコール
   でもしくはアルコール及び次いで水で処理することによ
   つて、７位のアミノ基を遊離せしめ；そして所望により
   、塩形成基をもつ得られた化合物を塩に変えまたは得ら
   れた塩を遊離化合物に変え、そして／または所望により
   、得られた異性体化合物の混合物を個個の異性体に分離
   することを特徴とする、式▲数式、化学式、表等があり
   ます▼（ I ）〔式中、Ｒ＿２とＲ＿３とは前記と同じ
   意味である〕で表わされるＯ−置換された７β−アミノ
   −３−セフエム−３−オール−４−カルボン酸化合物ま
   たはその塩の製法。 ２ 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿２＾Ａは式中のカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）
   −といつしよになつて保護されたカルボキシル基を形成
   している基であり；Ｒ＿３はアルキル基またはアラルキ
   ル基であり；Ｒ＿０＾Ａは、イミド−ハライドを形成す
   る酸ハロゲン化物で処理し、次にアルコールで、もしく
   はアルコール及び次いで水で処理することにより脱離し
   得るアミノ保護基であり；そしてＲ＿０＾ｂは水素原子
   である、〕で表わされる化合物において、イミド−ハラ
   イドを形成する酸ハロゲン化物で処理し続いてアルコー
   ルでもしくはアルコール及び次いで水で処理することに
   よつて、７位のアミノ基を遊離せしめ、そして得られた
   化合物において式−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ＿２＾Ａ；の保護さ
   れたカルボキシル基を、加溶媒分解または還元によつて
   、遊離のカルボキシル基に変え；そして所望により、塩
   形成基をもつ得られた化合物を塩に変えまたは得られた
   塩を遊離化合物に変え；そして／または所望により、得
   られた異性体化合物の混合物を個個の異性体に分離する
   ことを特徴とする、式▲数式、化学式、表等があります
   ▼（ I ′）〔式中、Ｒ＿３は前記と同じ意味である〕
   で表わされるＯ−置換された７β−アミノ−３−セフエ
   ム−３−オール−４−カルボン酸化合物またはその塩の
   製法。 ３ 式 ▲数式、化学式、表等があります▼（VIII）〔式中、Ｒ
   ＿２はヒドロキシル基であるかまたは基Ｒ＿２＾Ａ（該
   Ｒ＿２＾Ａは式中のカルボニル基−Ｃ（＝Ｏ）といつし
   よになつてエステル化された形態で保護されたカルボキ
   シル基を形成している基である）であり；Ｒ＿３はアル
   キル基またはアラルキル基であり；Ｒ＿０＾Ａは、イミ
   ド−ハライドを形成する酸ハロゲン化物で処理し、次に
   アルコールで、もしくはアルコール及び次いで水で処理
   することにより脱離し得るアミノ保護基であり；そして
   Ｒ＿０＾ｂは水素原子である、〕で表わされる化合物に
   おいて、イミド−ハライドを形成する酸ハロゲン化物で
   処理し続いてアルコールでもしくはアルコール及び次い
   で水で処理することによつて、７位のアミノ基を遊離せ
   しめ、そして得られた化合物において式−Ｃ（＝Ｏ）−
   Ｒ＿２＾Ａの保護されたカルボキシル基から加溶媒分解
   もしくは還元により保護基を脱離せしめて遊離カルボキ
   シル基を形成しそしてエステル化剤で処理することによ
   りこの遊離カルボキシル基を再び保護することによつて
   、保護されたカルボキシル基を他の保護されたカルボキ
   シル基に変え；そして所望により、塩形成基をもつ得ら
   れた化合物を塩に変えまたは得られた塩を遊離化合物に
   変え；そして／または所望により、得られた異性体化合
   物の混合物を個個の異性体に分離することを特徴とする
   、式▲数式、化学式、表等があります▼（ I ″）〔式
   中、Ｒ＿２＾ＡとＲ＿３とは前記と同じ意味である〕で
   表わされるＯ−置換された７β−アミノ−３−セフエム
   −３−オール−４−カルボン酸化合物またはその塩の製
   法。