JPS5933153B2 - 発光組成物および低速電子線励起螢光表示管 - Google Patents

発光組成物および低速電子線励起螢光表示管

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JPS5933153B2
JPS5933153B2 JP53032491A JP3249178A JPS5933153B2 JP S5933153 B2 JPS5933153 B2 JP S5933153B2 JP 53032491 A JP53032491 A JP 53032491A JP 3249178 A JP3249178 A JP 3249178A JP S5933153 B2 JPS5933153 B2 JP S5933153B2
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phosphor
activated zinc
yellow
cadmium
zinc sulfide
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昭行 鏡味
嘉規 谷上
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KASEI OPUTONIKUSU KK
NIPPON DENSHI KOGYO SHINKO KYOKAI
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KASEI OPUTONIKUSU KK
NIPPON DENSHI KOGYO SHINKO KYOKAI
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は黄色の発光を呈する発光組成物およびこの発光
組成物を螢光膜とする低速電子線励起螢光表示管に関す
る。
さらに詳しくは本発明は特定の粒子径分布を有する導電
性金属酸化物および導電性金属硫化物の1種もしくは2
種以上と、特定の黄色発光螢光体の1種もしくは2種以
上とを適当量混合してなる発光組成物およびこの発光組
成物を螢光膜とする低速電子線励起螢光表示管に関する
。周知のように、低速電子線励起螢光表示管(以後「螢
光表示管」と略称する)は片面に螢光膜を有する陽極プ
レートと、前記螢光膜に対向した陰極とを、その内部が
真空である容器内に封入した本質的構造を有し、陰極か
ら放射される低速電子線によつて陽極プレート上の螢光
膜を励起して発光せしめるものである。
第1図および第2図は螢光表示管の典型例の概略構成図
であり、第1図は二極管、第2図は三極管を示すもので
ある。第1図および第2図に示すようにアルミニウム板
等からなる陽極プレート11の片面に螢光膜12が設け
られている。陽極プレート11はセラミツク基板13に
よつて支持されている。陽極プレート11の片面に設け
られた前記螢光膜12に対向して陰極14が設けられ、
この陰極14から放射される低電子線によつて螢光膜1
2が励起されて発光する。特に第2図の三極管において
は陰極14と螢光膜12との間隙に、陰極14より放射
される低速電子線を制御あるいは拡散せしめるための格
子電極15が設けられている。なお第1図および第2図
に示された螢光表示管においては1本の陰極14が使用
されているが、螢光膜12が広面積である場合等には陰
極を2本以上設けてもよく、その本数に特に制限はない
。片面に螢光膜12を有する前記陽極プレート11、セ
ラミツク基板13および陰極14(第1図)あるいは片
面に螢光膜12を有する陽極プレート11、セラミツク
基板13、陰極14および格子電極15(第2図)はガ
ラス等の透明な容器16中に封入されておりその内部1
7は10−5〜10?9T0rrの高真空に保たれてい
る。従来、低速電子線励起によつて高輝度の発光を示す
発光組成物として酸化インジウム(N2O3)と特定の
赤色発光螢光体、緑色発光螢光体および青色発光螢光体
とをそれぞれ特定範囲の重量比で混合してなる赤色発光
組成物(特公昭5223916号)、緑色発光組成物(
特公昭52一23914号、特公昭52−46916号
)および青色発光組成物(特公昭52−23911号)
、酸化亜鉛(ZnO)と特定の赤色発光螢光体、緑色発
光螢光体および青色発光螢光体とをそれぞれ一定範囲の
重量比で混合してなる赤色発光組成物(特開昭51−1
45479号)、緑色発光組成物(特公昭52−469
13号、特開昭52一104481号)および青色発光
組成物(特開昭52−115787号)等が知られてい
る。
これらの発光阻成物は加速電圧が1KV以下、特に10
0V以下の低速電子線励起下で高輝度の赤色、緑色およ
び青色発光を示し、螢光表示管用螢光体として有用なも
のである。最近、螢光表示管の多用化に伴つて加速電圧
が1K以下、特に100V以下の低速電子線励起下で高
輝度の黄色発光を示す螢光体が望まれるようになつたが
、従来そのような黄色発光螢光体は知られていない。
本発明は加速電圧が1KV以下、特に100V以下の低
速電子線励起下で高輝度の黄色発光を示す螢光体を提供
することを目的とするものである。
また本発明は高輝度の黄色発光を示す螢光表示管を提供
することを目的とするものである。本発明者等は上記目
的を達成するために、従来知られている黄色発光螢光体
の低速電子線励起下における発光輝度の改良について研
究を行なつてきた。その結果、特定の黄色発光螢光体と
特定の粒子径分布を有する導電性金属酸化物あるいは導
電性金属硫化物とを特定の重量比で混合すれば発光色が
変ることなくその螢光体の低匣電子線励起下における発
光輝度が著しく向上することを見出し本発明を完成する
に至つた。本発明の発光組成物は中央値が2.5μ乃至
14μ、標準偏差値(10gσ)が0.7以下である粒
子径分布を有する導電性金属酸化物および導電性金 !
属硫化物の1種もしくは2種以上の導電性物質と、銅付
活硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn(s1−8、Sea):
Cul但し0.05≦a≦0.6である。
以下同様である。〕、銅およびアルミニウム付活硫セレ
ン化亜鉛螢光体〔Zn(S,−B.Seb):Cu..
Al、但し0.05≦b≦0.6である。以下同様であ
る。〕、銀付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn,
−。、Cdc)S:Agl但し0.5くc≦0.7であ
る。以下同様である。〕、銀およびアルミニウム付活硫
化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn,−D,.Cdd)
S:Ag,.Al、但し0.5〈d≦0.7である。以
下同様である。〕、金およびアルミニウム付活硫化亜鉛
・カドミウム螢光体〔(Znl−8、Cd8)S:Au
,.Al、但しO≦e≦0.2である。以下同様である
。〕銅付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Znl−F
.Cdf)S:Cu,但し0.1〈f≦0.2である。
以下同様である。〕、銅およびアルミニウム付活硫化亜
鉛・カドミウム螢光体〔(Znl−8、Cdg)S:0
1、A1、但し0.1〈g≦0.2である。以下同様で
ある。〕および鉛およびマンガン付活珪酸カルシウム螢
光体(CaSiO3:Pb,.Mn)の1種もしくは2
種以上の黄色発光螢光体とを、1:99乃至1:4の重
量比で混合したことを特徴とする。また本発明の螢光表
示管は片面に螢光膜を有する陽極プレートと、前記螢光
膜に対向してある陰極とを、その内部が真空である容器
内に封入した構造を有する螢光表示管において、前記螢
光膜が中央値が2.5μ乃至14μ、標準偏差値(10
gσ)が0.7以下である粒子径分布を有する導電性金
属酸化物および導電性金属硫化物の1種もしくは2種以
上の導電性物質と、Zn(S,−8、Sea):Cu螢
光体、Zn(S1−B,.Seb):CU,.Al螢光
体、(Znl−0.Cd0)S:Ag螢光体、(Znl
−D.Cdd)S:Ag.Al螢光体、(Znl−8、
CdO)S:Au,.Al螢光体、(Znl−F,.c
df)S:CU螢光体、(Zn,−8、Cdy)S:C
U..Al螢光体およびCasiO3:Pb..Mn螢
光体の1種もしくは2種以上の黄色ノ発光螢光体とを1
:99乃至1:4の重量比で混合した発光組成物よりな
ることを特徴とする。
本発明の発光組成物が低速電子線励起下で高輝度の発光
を示すようになる理由は、おそらくは混合された導電性
物質が励起の際チヤージアツプを防止する役目をし、こ
のために黄色発光螢光体の励起が効率よく行なわれるよ
うになるためであると思われる。本発明の発光組成物の
構成成分である導電性物質に用いられる導電性金属酸化
物および導電性硫化物としてはIn2O3、ZnO,.
snO2、TiO2、WO3、Nb2O5等およびCd
S,.CU2S等が挙げられる。
特に得られる組成物の組成物の発光輝度の点から導電性
金属酸化物を用いるのが好ましく、この中でもIn2O
3、SnO2およびZnOがより好ましい。これら導電
性金属酸化物および導電性金属硫化物は中央値が2,5
μ乃至14μ、標準偏差値が0.7以下の粒子径分布を
有するものを用いるのが好ましく、より好ましくは中央
値が3μ乃至10μ、標準偏差値が0.5以下のもので
ある。
上記導電性金属酸化物および導電性金属硫化物は、一般
試薬あるいは一般試薬を空気中、中性雰囲気中あるいは
弱還元性雰囲気中で焼成することによつて得た焼成物が
用いられる。特定の粒子径分布を有する導電性物質を用
いる場合には、一般試薬あるいは一般試薬から得た焼成
物をそのまま水篩等によつて分級することによつて、あ
るいはボールミル、ロールミル等によつて粉砕した後水
篩等によつて分級することによつて望みの粒子径分布を
有するものを得る。なお導電性金属酸化物については、
炭酸頃、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物等の高温で容易に金
属酸化物に変り得る化合物を空気中で焼成して金属酸化
物を得、これを用いてもよい。焼成物を用いるのは焼成
しない生粉に比較して焼成物の方が温度特性の安定性が
よいからであり、従つて焼成物を用いた場合の方が生粉
を用いた場合よりも発光の安定性のよ℃・組成物を得る
ことができる。一般に導電性硫化物は焼成することによ
つてその導電性が著しく向上するので焼成物を用いるの
が好ましい。一方本発明の発光組成物のもう1つの構成
成分である黄色発光成分螢光体に用いられるZn(S,
−8、Sea)S:Cu螢光体、Zn(S1−B,.S
eb)S:Cu..Al螢光体、(Znl−ぃCdO)
S:Ag螢光体、(Zn,−d、Cdd)S:Ag,.
Al螢光体、(Znl−8、CdO)S:Au.Al螢
光体、(Znl−,、Cdf)S:Cu螢光体、(Zn
l−8、Cd8)S:Cu,.Al螢光体およびCaS
iO3:Pb,.Mn螢光体は従来知られている製造方
法によつて製造されたものである。
これら螢光体は一般に中央値が1μ乃至20μ、標準偏
準値が0.7以下の粒子径分布を有している。本発明に
おいて特に好ましいのは中央値が3μ乃至10μのもの
である。これら螢光体の中でも特に得られる組成物の発
光輝度の点からZn(s1−8、Sea)S:Cu螢光
体、(Znl−0.Cd0)S:Ag螢光体、(Zn,
−8、Cd8)S:AU.Al螢光体、(Znl−F,
.cdf)s:Cu螢光体および(Zn,一.、Cd8
)S:CU.Al螢光体が好ましく、より好ましくはZ
n(S1−0,.Sea):Cu螢光体および(Znl
−0,.Cd0)S:Ag螢光体である。
なおZn(s1−8、Sea)S:Cu螢光体、(Zn
l−0,.Cd0)S:Ag螢光体および(Znl−F
.Cdf)S:CU螢光体についてはC1等のハロゲン
を微量含むものを用いてもよく、本明細書におけるZn
(S1−A.Sea):Cu螢光体、(Znl−0,.
Cd0)S:Ag螢光体および(Znl−F..Cdf
)S:Cu螢光体はこのハロゲンを微量含有するものも
含めて意味するものとする。本発明の発光組成物は土述
の導電性物質と黄色発光螢光体とを乳鉢、ボールミル、
ミキサーミル等によつて充分混合することによつて得る
ことができる。
両者の混合比は用いられる導電性牧質の粒子径分布によ
つて変化するが、一般には導電性物質/黄色発光螢光体
の値が1/99乃至9/1となる重量比で混合される時
黄色発光螢光体単独の場合よりも低速電子線励起下にお
ける発光輝度が高い発光組成物を得ることができる。導
電注物質/黄色発光螢光体の値が1/99より小さい時
(導電性物質が組成物全量の1重量%よりも少ない時)
、導電性物質によるチャージアツプ防止効果は得られず
、従つて組成物はその特性が黄色発光螢光体に近いもの
となり低速電子線励起下における発光輝度が著しく低下
する。一方導電性物質/黄色発光螢光体の値が9/1よ
り大きい時(導電性物質が組成物全量の90重量%より
も多い時)、得られる組成物は黄色発光螢光体の量が少
ないために発光が非常に弱いものとなる。これはチヤー
ジアツプ防止効果は充分であるが導電性物質によつて螢
光体からの発光が遮られるためであると考えられる。上
述のように、導電性物質と黄色発光螢光体の適当な混合
重量比は用いられる導電性物質の粒子径分布によつて上
記範囲内で変化する。
すなわち、標準偏差値(1cgσ)がーー定である場合
には導電性物質の中央値が小さくなるに従つて適当な混
合重量比範囲は導電性物質量がより多い方(すなわち黄
色発光螢光体量がより少ない方)へ移動し、逆に中央値
が大きくなるに従つて適当な混合重量比範囲は導電性物
質量がより少ない方(すなわち黄色発光螢光体量がより
多〜・方)へ移動する傾向にある。そして各中央値にお
いて得られる最大発光輝度を比較した場合、その最大発
光輝度は一般に中央値がより小さい場合の方が高い(但
し中央値が著しく小さくなると最大発光輝度は急激に低
下する)。以上の点から中央値が2.5μ乃至14μで
ぁり、標準偏差値が0.7以下である粒子径分布を有す
る導電h物質を用いるのが好ましく、この場合の導電性
物質と黄色発光螢光体の適当な混合重量比範囲は1/9
9(導電性物質が組成物全量の1重量%)乃至1/4(
導電性物質が組成物全量の20重量%)であり、好まし
くは3/197(導電性物質が組成物全量の1.5重量
%)乃至1/9(導電性物質が組成物全肚の10重量%
)である。
本発明の発光組成物における導電性吻質と黄色発光螢光
体の好ましい組合せはIn2O3とZn(S1−A,.
Sea):Cu・螢光体およびIn2O3と(Znl−
0,.Cdc)S:Ag螢光体である。
これらの組合せの組成物は特に発光輝度が高ぃ。下記第
1表は各黄色発光螢光体とIn2O3とを混合してなる
本発明の発光組成物が0.1ft−Lの発光を示すのに
必要な加速電圧を各黄色発光螢光体単独の場合と比較し
て示すものである。
上記第1表から明らかなように、本発明の発光組成物は
いずれも0.1ft−Lを得るのに必要な加速電圧が黄
色発光螢光体単独の場合よりも著しく低い。すなわち、
本発明の発光組成物はその構成成分である黄色発光螢光
体の低速電子線励起下における発光効率を著しく改良し
たものであることがわかる。なお第1表は導電性物質と
してIn2O3を用いた場合であるが、他の導電性物質
を用いた場合も同じように0.1ft−Lを得るのに必
要な加速電圧は黄色発光螢光体単独の場合よりも低くな
ることが確認された。第3図はIn2O3とZn(SO
.75、SeO.25):Cu螢光体とを1:9の重量
比で混合した本発明の発光組成物の加速電圧と発光輝度
との関係をZn(SO.75、SeO.25):Cu螢
光体単独の場合と比較して示すものであり、曲線A,b
およびcが本発明の発光組成物、曲線dがZn(SO.
75、SeO.25):Cu螢光体である。
なお曲線A,bおよびCの発光組成物に用いた1n20
3は、いずれの場合も標準偏差値は0.4であるが、中
央値がそれぞれ20μ、8μおよび4.5Itでぁる粒
子径分布を有するものである。第3図から明らかなよう
に、本発明の発光組成物はその構成成分である黄色発光
螢光体よりも低速電子線励起下における発光輝度が著し
く高いものである。
また第3図から、本発明の発光組成物においては用いる
導電性物質の粒子径分布によつて発光特性が変わること
がわかる〇第4図はIn2O3とZn(SO.75、S
eO.25):Cu螢光体とを混合した発光組成物にお
けるIn2O3含有量(重量%)と組成物の発光輝度と
の関係を示すグラフであり、曲線A,bおよびcはそれ
ぞれ標準偏差値はいずれも0.4であるが、中央値がそ
れぞれ4.5μ、8μおよび20μであるIn2O3を
用いた場合である。
なお第4図において発光輝度(縦軸)は曲線Cの最大発
光輝度を100%とした相対値で表わしてある。第4図
かO明らかなように、In2O3の中央値が小さくなれ
ばなる程最大発光輝度を得るのに必要なIn2O3含有
量はより小さくなる。
すなわち、中央値が小さいIn2O3を用いれば中央値
がより大きいIn2O3を用いた場合よりも少ないIn
2O3含有量で高濃度の発光を得ることができる。また
第・4図から明らかなように各中央値における最大発光
輝度を比較した場合、In2O3の中央値が小さくなれ
ばなる程最大発光輝度は向上する傾向にあるが、第5図
に示されるようにこの最大発光輝度は中央値がさらに小
さくなると逆に低下する傾向にある。第5図は第4図と
同じくIn2O3とZn(SO.75seO.25):
Cu螢光体とを混合した発光組成物において、標準偏差
値と一定(σ=0.4)とした場合のIn2O3の中央
値と組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフである
第5図において最大発光輝度(縦軸)は中央値が20μ
であるIn2O3を用いた組成物の最大発光輝度を10
0%とした相対値で表わしてある。第5図から明らかな
ように、中央値がおよそ4.5μまでは中央値が小なく
なればなる程最大発光輝度は向上し、およそ4.5μで
極大となるが、中央値がさらに小さくなると最大発光輝
度は逆に低下しはじめる傾向にある。
そして中央値が2.5μ乃至14μのN2O3を選択的
に用いた場合に発光輝度の向上した発光組成物を得るこ
とができることがわかる。特に中央値が3μ乃至10μ
のN2O3を用いiこ場合に発光輝度の著しく向上した
組成物を得ることができる。なお標準偏差値もまた組成
物の発光輝度に影響をおよぼす。
すなわち、上記2,5μ乃至14!tの中央値範囲にお
いては標準偏差値が大きくなるに従つて発光輝度は一般
に低下する傾向にある。これは標準偏差値が大きくなれ
ばなる程発光輝度への寄与率の低い大きな粒子および小
さな粒子をより多く含むようになるためである。この点
から標準偏差値は0.7以下と定められる。より好まし
くは0.5以下である。なお第4図および第5図はIn
2O3と Zn(SO,75、SeO.25):Cu螢光体とを混
合した発光組成物についてのグラフであるが、In2O
3の代りに他の導電性金属酸化物あるいは導電性金属硫
化物を用いた場合、あるいはZn(SO.75、SeO
.25):Cu螢光体の代りに他の黄色発光螢光体を用
いた場合も第4図および第5図と同じような傾向が得ら
れた。
本発明の発光組成物において、中央値が2.5μ乃至1
4μ、標準偏差値が0.7以下の粒子径分布を有する導
電性物質を用いるのが好ましいとし、このような粒子径
分布を有する導電性物質を用いた場合の導電性物質と黄
色発光螢光体との混合重量比は1:99乃至1:4が好
ましいとしたのは上述の知見に基づいてである。本発明
の螢光表示管ぱ以下に述べる方法によつて作製される。
まず上述の発光組成物を沈降塗布法によつて通常セラミ
ツク基板によつて支えられている陽極プレート上に塗布
し螢光膜とする。すなわち組成物を水中に分散させた懸
濁液中に陽極プレートをおき、組成物の自重によつて組
成物を陽極プレートの片面上に沈降させて塗布!その後
水を除去して塗膜を乾燥させる。この場合得られる螢光
膜の陽極プレートへの接着性を向上させるために懸濁液
に微量(0.01〜0.1%)の水ガラスを添加しても
よい。また塗布密度は3η/Cd〜30ワ/Cdが適当
である。なお螢光膜作成方法は土述の沈降塗布法が一般
的であり、広く行なわれているが、本発明の螢光表示管
において螢光膜の作成方法はこの沈降塗布法に限られる
ものではない。次に線状ヒーターをBaO,.SrO,
.CaO等の酸化物で被覆してなる陰極を陽極プレート
上の螢光膜に対向させて約Ir5l7F!程度の間隔を
おいて配置し、この一対の電極をガラス等9透明な容器
中に設置した後容器内の排気を行なう。容器内が少なく
とも10−5T0rr以上の真空度になつた後に排気を
止め封止を行なう。封止後ゲツタ一を飛ばして容器内の
真空度を更に高める。この様にして本発明の螢光表示管
を得ることができる。なお陽極プレート上の螢光膜は平
板状であり、陰極は線状であるので陰極より放射される
低速電子線を拡散させるために陰極と螢光膜との中間に
第2図の様に拡散電極として網目状の格子電極を設置す
るのが望ましい。
この場合螢光膜の発光量の損失が少なくかつ低速電子線
が良く拡散する様に網目ができるだけ細い方が好結果を
得ることができる。具体的には網目の径が500ミクロ
ン以下であり開口率(格子電極全面積に対する低速電子
線を透過する穴の面積)が50%以上であることが望ま
しい。陽極プレートはその電極形態を必要とされる文字
、図形の形に分割して、それぞれの電極に必要とされる
電圧が選択的に印加できる様にしておけば任意の文字、
図形を表示することができる。また陽極プレートを点状
あるいは線状 1に分割し、その一音トの電極上に本発
明の発光組成物の螢光膜を形成し、他の電極上に前記組
成物とは発光色が異なる低速電子線励起用螢光体よりな
る螢光膜を形成することによつて、多色表示が可能な螢
光表示管を得ることができる。以上述べた様に本発明は
加速電圧が1K以下、特に100V以下の低速電子線励
起下における発光輝度の高い黄色発光組成物およびこの
黄色発光組成物よりなる螢光膜を有する黄色発光螢光表
示管を提供するものでありその工業的利用価値は大きな
ものである。
次に実施例によつて本発明を説明する。
実施例1 1N2O3試薬(守随彦太部商店製)を粉砕しその後水
篩によつて分級し、中央値が8μ、標準偏差値が0.4
の粒子径分布を有するIn2O3を得た。
このIn2O377と、通常の製造方法で製造した中央
値が7μ、標準偏差値が0.35の粒子径分布を有する
Zn(SO.75、SeO.25):Cu螢光体937
とを乳鉢を用いて充分混合した。得られる組成物100
ηを蒸留水100ec中に添加し、超音波分散させた。
この分散液中にセラミツク基板によつて支持された2礪
X1?のアルミニウム陽極プレートを入れ、30分間放
置後上澄液を除去し、乾燥して螢光膜を形成した。次に
タングステン線状ヒーターを酸化物で被覆してなる陰極
を陽プレート上の螢光膜に対向させておよそ5mTf1
ff)・間隔をおいて配置し、この一対の電極を硬質ガ
ラス容器中に設置した後、容器内の排気を行なつた。容
器J乏 内の真空度が10−5T0rr程度の真空度となつた後
に排気を止め封止を行ない、次いでゲッタ一を飛ばして
容器内の真空度を更に高めた。
この様にして第1図に示される構造の螢光表示管を得た
。この螢光表示管は陽極プレート電圧を60V、陰極電
圧を1.2V及び陽極プレート電流,密度を2mん4d
とすると発光輝度が240ft−Lの黄色発光を小した
。実施例 2 In203試薬(守随彦太部商店製)を粉砕しその後水
篩によつて分級し、中央値が4.5μ標準偏差値が0.
4の粒子径分布を有するIn2O3を得た。
このIn2O33yと、実施例1・と同じZn(SO.
75、SeO.25:Cu螢光体977とを乳鉢を用い
て充分混合した。
得られる組成物を用いて実施例1と同様にして螢光表示
管を作製した。この螢光表示管は陽極プレート電圧を6
0V、陰極電圧を1.2および陽極プレート電流密度を
2mA/C77fとする発光輝度が280ft−Lの黄
色発光を示した。実施例 3 s−NO2試薬(守随彦太部商店製)を粉砕しその後水
篩によつて分級し、中央値が8μ、標準偏差値が0.4
の粒子径分布を有するSnO2を得た。
このSnO277と、実施例1と同じZn(SO.75
、SeO.25):Cu螢光体937とを乳鉢を用いて
充分混合した。得られる組成物を用いて実施例1と同様
にして螢光表示管を作製した。この螢光表示管は陽極プ
レート電圧を60、陰極電圧を1.2および陽極プレー
ト電流密度を2mA/CrAとすると発光輝度が250
ft−Lの黄色発光を示した。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は螢光表示管の典型例の概略構成図で
あり、第1図は二極管、第2図は三極管である。 第3図はN2O3とZn(SO.75、SeO.25)
:Cu螢光体とを混合した本発明の発光組成物の加速電
圧と発光輝度との関係をZn(SO.75、SeO.2
5):Cu螢光体単独の場合と比較して示すグラフであ
る。 第4図はIn2O3とZn(SO.75、SeO.25
):Cu螢光体とを混合した本発明の発光組成物におけ
るIn2O3含有量(重量%)と組成物の発光輝度との
関係を示すグラフである。 第5図はN2O3とZn( SO.75、Se。.25
):CU螢光体とを混合した本発明の発光組成物におい
て、標準偏差値を一定とした場合のIn2O3の中央値
と組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフである。
11・・・・・・陽極プレート、12・・・・・・螢光
膜、13・・・・・・セラミツク基板、14・・・・・
・陰極、15・・・・・・格子電極、16・・・・・・
容器、1T・・・・・・高真空に保たれた表示管内部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 中央値が2.5μ乃至14μ、標準偏差値(log
    σ)が0.7以下である粒子径分布を有する導電性金属
    酸化物および導電性金属硫化物の1種もしくは2種以上
    の導電性物質と、銅付活硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn(
    S_1_−_a、Se_a):Cu、但し0.05≦a
    ≦0.6〕、銅およびアルミニウム付活硫セレン化亜鉛
    螢光体〔Zn(S_1_−_b、Se_a):Cu、A
    l、但し0.05≦b≦0.6〕、銀付活硫化亜鉛・カ
    ドミウム螢光体〔(Zn_1_−_c、Cd_c)S:
    Ag、但し0.5<c≦0.7〕、銀およびアルミニウ
    ム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−d
    、Cd_d)S:Ag、Al、但し0.5<d≦0.7
    〕、金およびアルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢
    光体〔(Zn_1_−_e、Cd_e)S:Au、Al
    、但し0≦e≦0.2〕、銅付活硫化亜鉛・カドミウム
    螢光体〔(Zn_1_−_f、Cd_f)S:Cu、但
    し0.1<f≦0.2〕、銅およびアルミニウム付活硫
    化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_g、Cd
    _g)S:Cu、Al、但し0.1<g≦0.2〕およ
    び鉛およびマンガン付活珪酸カルシウム螢光体(CaS
    iO_3:Pb、Mn)の1種もしくは2種以上の黄色
    発光螢光体とを1:99乃至1:4の重量比で混合して
    なる発光組成物。 2 前記中央値が3μ乃至10μであり、前記標準偏準
    値が0.5以下であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の発光組成物。 3 前記導電性物質と前記黄色発光螢光体の混合重量比
    が3:197乃至1:9であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項または第2項記載の発光組成物。 4 前記導電性物質が導電性金属酸化物であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれか1
    項記載の発光組成物。 5 前記導電性金属酸化物が酸化インジウム(In_2
    O_3)、酸化錫(SnO_2)および酸化亜鉛(Zn
    O)の1種もしくは2種以上であることを特徴とする特
    許請求の範囲第4項記載の発光組成物。 6 前記黄色発光螢光体が銅付活硫セレン亜鉛螢光体〔
    Zn(S_1_−_a、Se_a):Cu、但し0.0
    5≦a≦0.6〕、銀付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体
    〔(Zn_1_−_c、Cd_c)S:Ag、但し0.
    5<c≦0.7〕、金およびアルミニウム付活硫化亜鉛
    ・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_e、Cd_e)
    S:Au、Al、但し0≦e≦0.2〕、銅付活硫化亜
    鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_f、Cd_f
    )S:Cu、但し0.1<f≦0.2〕および銅および
    アルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn
    _1_−_g、Cd_g)S:Cu、Al、但し0.1
    <g≦0.2〕の1種もしくは2種以上であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれか1
    項記載の発光組成物。 7 前記導電性物質が酸化インジウム(In_2O_3
    )のみからなり、前記黄色発光螢光体が銅付活硫セレン
    化亜鉛螢光体〔(Zn(S_1_−_a、Se_a):
    Cu、但し0.05≦a≦0.6〕のみからなることを
    特徴とする特許請求の範囲第6項記載の発光組成物。 8 前記導電性物質が酸化インジウム(In_2O_3
    )のみからなり、前記黄色発光螢光体が銀付活硫化亜鉛
    ・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_c、Cd_c)
    S:Ag、但し0.5<c≦0.7〕のみからなること
    を特徴とする特許請求の範囲第6項記載の発光組成物。 9 前記黄色発光螢光体を構成する1種もしくは2種以
    上の螢光体が、中央値が1μ乃至20μ、標準偏差値が
    0.7以下である粒子径分布を有することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項乃至第8項のいずれか1項記載の
    発光組成物。 10 前記黄色発光螢光体の中央値が3μ乃至10μで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第9項記載の発光
    組成物。 11 片面に螢光膜を有する陽極プレートと、前記螢光
    膜に対向してある陰極とを、その内部が真空である容器
    内に封入した構造を有する低速電子線励起螢光表示管に
    おいて、上記螢光膜は中央値が2.5μ乃至14μ、標
    準偏差値(logσ)が0.7以下である粒子径分布を
    有する導電性金属酸化物および導電性金属硫化物の1種
    もしくは2種以上の導電性物質と、銅付活硫セレン化亜
    鉛螢光体〔Zn(S_1_−_a、Se_a):Cu、
    但し0.05≦a≦0.6〕、銅およびアルミニウム付
    活硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn(S_1_−_b、Se
    _b):Cu、Al但し0.05≦b≦0.6〕、銀付
    活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_c、
    Cd_c)S:Ag、但し0.5<c≦0.7〕、銀お
    よびアルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(
    Zn_1_−_d、Cd_d)S:Ag、Al、但し0
    .5<d≦0.7〕、金およびアルミニウム付活硫化亜
    鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_e、Cd_e
    )S:Au、Al、但し0≦e≦0.2〕、銅付活硫化
    亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_f、Cd_
    f)S:Cu、但し0.1<f≦0.2〕、銅およびア
    ルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_
    1_−_g、Cd_g)S:Cu、Al、但し0.1<
    g≦0.2〕および鉛およびマンガン付活珪酸カルシウ
    ム螢光体(CaSiO_3:Pb、Mn)の1種もしく
    は2種以上の黄色発光螢光体とを1:99乃至1:4の
    重量比で混合してなる発光組成物よりなることを特徴と
    する低速電子線励起螢光表示管。 12 前記中央値が3μ乃至10μであり、前記標準偏
    差値が0.5以下であることを特徴とする特許請求の範
    囲第11項記載の低速電子線励起螢光表示管。 13 前記導電性物質と前記黄色発光螢光体の混合重量
    比が3:197乃至1:9であることを特徴とする特許
    請求の範囲第11項または第12項記載の低速電子線励
    起螢光表示管。 14 前記導電性物質が導電性金属酸化物であることを
    特徴とする特許請求の範囲第11項乃至第13項のいず
    れか1項記載の低速電子線励起螢光表示管。 15 前記導電性金属酸化物が酸化インジウム(In_
    2O_3)、酸化錫(SnO_2)および酸化亜鉛(Z
    nO)の1種もしくは2種以上であることを特徴とする
    特許請求の範囲第14項記載の低速電子線励起螢光表示
    管。 16 前記黄色発光螢光体が銅付活硫セレン化亜鉛螢光
    体〔Zn(S_1_−_a、Se_a):Cu、但し0
    .05≦a≦0.6〕、銀付活硫化亜鉛・カドミウム螢
    光体〔(Zn_1_−_c、Cd_c)S:Ag、但し
    0.5<c≦0.7〕、金およびアルミニウム付活硫化
    亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_e、Cd_
    e)S:Au、Al、但し0≦e≦0.2〕、銅付活硫
    化亜鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_f、Cd
    _f)S:Cu、但し0.1<f≦0.2〕および銅お
    よびアルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光体〔(
    Zn_1_−_g、Cd_g)S:Cu、Al、但し0
    .1<g≦0.2〕の1種もしくは2種以上であること
    を特徴とする特許請求の範囲第11項乃至第15項のい
    ずれか1項記載の低速電子線励起螢光表示管。 17 前記導電性物質が酸化インジウム(In_2O_
    3)のみからなり、前記黄色発光螢光体が銅付活硫セレ
    ン比亜鉛螢光体〔Zn(S_1_−_a、Se_a):
    Cu、但し0.05≦a≦0.6〕のみからなることを
    特徴とする特許請求の範囲第16項記載の低速電子線励
    起螢光表示管。 18 前記導電性物質が酸化インジウム(In_2O_
    3)のみからなり、前記黄色発光螢光体が銀付活硫化亜
    鉛・カドミウム螢光体〔(Zn_1_−_c、Cd_c
    )S:Ag)但し0.5<c≦0.7〕のみからなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第16項記載の低速電子
    線励起螢光表示管。 19 前記黄色発光螢光体を構成する1種もしくは2種
    以上の螢光体が、中央値が1μ乃至20μ、標準偏差値
    が0.7以下である粒子径分布を有することを特徴とす
    る特許請求の範囲第11項乃至第18項のいずれか1項
    記載の低速電子線励起螢光表示管。 20 前記黄色発光螢光体の中央値が3μ乃至10μで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第19項記載の低
    速電子線励起螢光表示管。
JP53032491A 1978-02-20 1978-03-22 発光組成物および低速電子線励起螢光表示管 Expired JPS5933153B2 (ja)

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