JPS6253554B2 - - Google Patents
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- JPS6253554B2 JPS6253554B2 JP53032493A JP3249378A JPS6253554B2 JP S6253554 B2 JPS6253554 B2 JP S6253554B2 JP 53032493 A JP53032493 A JP 53032493A JP 3249378 A JP3249378 A JP 3249378A JP S6253554 B2 JPS6253554 B2 JP S6253554B2
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は青色の発光を呈する発光組成物および
この発光組成物を螢光膜とする低速電子線励起螢
光表示管に関する。さらに詳しくは本発明は特定
の粒子径分布を有する導電性金属酸化物および導
電性金属酸化物の１種もしくは２種以上と特定の
青色発光螢光体の１種もしくは２種以上とを適当
量混合してなる発光組成物およびこの発光組成物
を螢光膜とする低速電子線励起螢光表示管に関す
る。
この発光組成物を螢光膜とする低速電子線励起螢
光表示管に関する。さらに詳しくは本発明は特定
の粒子径分布を有する導電性金属酸化物および導
電性金属酸化物の１種もしくは２種以上と特定の
青色発光螢光体の１種もしくは２種以上とを適当
量混合してなる発光組成物およびこの発光組成物
を螢光膜とする低速電子線励起螢光表示管に関す
る。
周知のように、低速電子線励起螢光表示管（以
後「螢光表示管」と略称する）は片面に螢光膜を
有する陽極プレートと、前記螢光膜に対向した陰
極とを、その内部が真空である容器内に封入した
本質的構造を有し、陰極から放射される低速電子
線によつて陽極プレート上の螢光膜を励起して発
光せしめるものである。第１図および第２図は螢
光表示管の典型例の概略構成図であり、第１図は
二極管、第２図は三極管を示すものである。第１
図および第２図に示すようにアルミニウム板等か
らなる陽極プレート１１の片面に螢光膜１２が設
けられている。陽極プレート１１はセラミツク基
板１３によつて支持されている。陽極プレート１
１の片面に設けられた前記螢光膜１２に対向して
陰極１４が設けられ、この陰極１４から放射され
る低速電子線によつて螢光膜１２が励起されて発
光する。特に第２図の三極管においては陰極１４
と螢光膜１２と間隙に、陰極１４より放射される
低速電子線を制御あるいは拡散せしめるための格
子電極１５が設けられている。なお第１図および
第２図に示された螢光表示管においては１本の陰
極１４が使用されているが、螢光膜１２が広面積
である場合等には陰極を２本以上設けてもよく、
その本数に特に制限はない。片面に螢光膜１２を
有する前記陽極プレート１１、セラミツク基板１
３および陰極１４（第１図）あるいは片面に螢光
膜１２を有する陽極プレート１１、セラミツク基
板１３、陰極１４および格子電極１５（第２図）
はガラス等の透明な容器１６中に封入されており
その内部１７は10-5〜10-9Torrの高真空に保たれ
ている。
後「螢光表示管」と略称する）は片面に螢光膜を
有する陽極プレートと、前記螢光膜に対向した陰
極とを、その内部が真空である容器内に封入した
本質的構造を有し、陰極から放射される低速電子
線によつて陽極プレート上の螢光膜を励起して発
光せしめるものである。第１図および第２図は螢
光表示管の典型例の概略構成図であり、第１図は
二極管、第２図は三極管を示すものである。第１
図および第２図に示すようにアルミニウム板等か
らなる陽極プレート１１の片面に螢光膜１２が設
けられている。陽極プレート１１はセラミツク基
板１３によつて支持されている。陽極プレート１
１の片面に設けられた前記螢光膜１２に対向して
陰極１４が設けられ、この陰極１４から放射され
る低速電子線によつて螢光膜１２が励起されて発
光する。特に第２図の三極管においては陰極１４
と螢光膜１２と間隙に、陰極１４より放射される
低速電子線を制御あるいは拡散せしめるための格
子電極１５が設けられている。なお第１図および
第２図に示された螢光表示管においては１本の陰
極１４が使用されているが、螢光膜１２が広面積
である場合等には陰極を２本以上設けてもよく、
その本数に特に制限はない。片面に螢光膜１２を
有する前記陽極プレート１１、セラミツク基板１
３および陰極１４（第１図）あるいは片面に螢光
膜１２を有する陽極プレート１１、セラミツク基
板１３、陰極１４および格子電極１５（第２図）
はガラス等の透明な容器１６中に封入されており
その内部１７は10-5〜10-9Torrの高真空に保たれ
ている。
従来、低速電子線励起によつて高輝度の青色発
光を示す発光組成物としては酸化インジウム
（In2O3）と、銀付活硫化亜鉛螢光体（ZnS：Ag）
とを１：９乃至９：１の重量比で混合してなる発
光組成物（特公昭52―23911号）、および酸化亜鉛
（ZnO）とZnS：Ag螢光体とを１：９乃至９：１
の重量比で混合してなる発光組成物（特開昭52―
115787号）が知られている。これらの発光組成物
は加速電圧が1KV以下、特に100V以下の低速電
子線励起下で高輝度の青色発光を示すが、実用的
な面からさらに発光輝度の向上が望まれている。
光を示す発光組成物としては酸化インジウム
（In2O3）と、銀付活硫化亜鉛螢光体（ZnS：Ag）
とを１：９乃至９：１の重量比で混合してなる発
光組成物（特公昭52―23911号）、および酸化亜鉛
（ZnO）とZnS：Ag螢光体とを１：９乃至９：１
の重量比で混合してなる発光組成物（特開昭52―
115787号）が知られている。これらの発光組成物
は加速電圧が1KV以下、特に100V以下の低速電
子線励起下で高輝度の青色発光を示すが、実用的
な面からさらに発光輝度の向上が望まれている。
本発明は加速電圧が1KV以下、特に100V以下
の低速電子線励起下における発光輝度の向上した
青色発光組成物を提供することを目的とするもの
である。
の低速電子線励起下における発光輝度の向上した
青色発光組成物を提供することを目的とするもの
である。
また本発明は発光輝度の向上した青色発光螢光
表示管を提供することを目的とするものである。
表示管を提供することを目的とするものである。
本発明者等は上記の従来知られている青色発光
組成物の発光輝度を向上させるために種々の研究
を行なつた。その結果、特定の粒子径分布を有す
るIu2O3あるいはZnOを適当量用いた場合には発
光輝度の向上した発光組成物が得られることを見
出し、さらにこのような効果はIn2O3、ZnOに限
らずこれらの代りに酸化錫（SnO2）、酸化チタン
（TiO2）、酸化チタングステン（WO3）、酸化ニオ
ブ（Nb2O5）等の導電性金属酸化物あるいは硫化
カドミウム（CdS）、硫化銅（Cu2S）等の導電性
金属酸化物を用いた場合についても得られ、また
組成物のもう一方の構成成分である青色発光螢光
体についてもZnS：Ag螢光体に限らず、銀およ
びアルミニウム付活硫化亜鉛螢光体（ZnS：
Ag，Al），セリウム付活珪酸イツトリウム螢光体
（Y2SiO5：Ce），ユーロピウム付活アルミン酸バ
リウム・マグネシウム螢光体〔（Ba，Mg）O2・
6Al2O3：Eu2+〕、セリウム付活珪酸カルシウム・
マグネシウム螢光体（Ca2MgSiO5：Ce）、銀付活
硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn（Ｓ，Se）：Ag〕、
銀およびアルミニウム付活硫セレン化亜鉛螢光体
〔Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al〕、セリウム付活硫化ス
トロンチウム・ガリウム螢光体（SrGa2S4：
Ce）、チタン付活珪酸カルシウム・マグネシウム
螢光体〔（Ca，Mg）2SiO4：Ti〕、ユーロピウム付
活燐酸ストロンチウム・バリウム螢光体〔（Sr，
Ba）3（PO4）2：Eu2+〕およびユーロピウム付活カ
ルシウムクロロ硼酸塩螢光体（Ca2B5O9Cl：
Eu2+）について上記と同様の効果が得られること
を見出し本発明を完成するに至つた。
組成物の発光輝度を向上させるために種々の研究
を行なつた。その結果、特定の粒子径分布を有す
るIu2O3あるいはZnOを適当量用いた場合には発
光輝度の向上した発光組成物が得られることを見
出し、さらにこのような効果はIn2O3、ZnOに限
らずこれらの代りに酸化錫（SnO2）、酸化チタン
（TiO2）、酸化チタングステン（WO3）、酸化ニオ
ブ（Nb2O5）等の導電性金属酸化物あるいは硫化
カドミウム（CdS）、硫化銅（Cu2S）等の導電性
金属酸化物を用いた場合についても得られ、また
組成物のもう一方の構成成分である青色発光螢光
体についてもZnS：Ag螢光体に限らず、銀およ
びアルミニウム付活硫化亜鉛螢光体（ZnS：
Ag，Al），セリウム付活珪酸イツトリウム螢光体
（Y2SiO5：Ce），ユーロピウム付活アルミン酸バ
リウム・マグネシウム螢光体〔（Ba，Mg）O2・
6Al2O3：Eu2+〕、セリウム付活珪酸カルシウム・
マグネシウム螢光体（Ca2MgSiO5：Ce）、銀付活
硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn（Ｓ，Se）：Ag〕、
銀およびアルミニウム付活硫セレン化亜鉛螢光体
〔Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al〕、セリウム付活硫化ス
トロンチウム・ガリウム螢光体（SrGa2S4：
Ce）、チタン付活珪酸カルシウム・マグネシウム
螢光体〔（Ca，Mg）2SiO4：Ti〕、ユーロピウム付
活燐酸ストロンチウム・バリウム螢光体〔（Sr，
Ba）3（PO4）2：Eu2+〕およびユーロピウム付活カ
ルシウムクロロ硼酸塩螢光体（Ca2B5O9Cl：
Eu2+）について上記と同様の効果が得られること
を見出し本発明を完成するに至つた。
本発明の発光組成物は中央値が2.5μ乃至14
μ、標準偏差値（log σ）が0.7以下である粒子
径分布を有する導電性金属酸化物および導電性金
属硫化物の１種もしくは２種以上の導電性物質
と、ZnS：Ag螢光体、ZnS：Ag，Al螢光体、Zn
（Ｓ，Se）：Ag螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al
螢光体，Y2SiO5：Ce螢光体、SrGa2S4：Ce螢光
体、Ca2MgSiO5：Ce螢光体、（Ca，Mg）2SiO4：
Ti螢光体、（Ba，Mg）O2・6Al2O3：Eu2+螢光体
およびCa2B5O9Cl：Eu2+螢光体の１種もしくは２
種以上の青色発光螢光体とを、１：99乃至１：４
の重量比で混合したことを特徴とする。
μ、標準偏差値（log σ）が0.7以下である粒子
径分布を有する導電性金属酸化物および導電性金
属硫化物の１種もしくは２種以上の導電性物質
と、ZnS：Ag螢光体、ZnS：Ag，Al螢光体、Zn
（Ｓ，Se）：Ag螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al
螢光体，Y2SiO5：Ce螢光体、SrGa2S4：Ce螢光
体、Ca2MgSiO5：Ce螢光体、（Ca，Mg）2SiO4：
Ti螢光体、（Ba，Mg）O2・6Al2O3：Eu2+螢光体
およびCa2B5O9Cl：Eu2+螢光体の１種もしくは２
種以上の青色発光螢光体とを、１：99乃至１：４
の重量比で混合したことを特徴とする。
また本発明の螢光表示管は片面に螢光膜を有す
る陽極プレートと、前記螢光膜に対向してある陰
極とを、その内部が真空である容器内に封入した
構造を有する螢光表示管において、上記螢光膜は
中央値が2.5μ乃至14μ標準偏差値（log σ）が
0.7以下である粒子径分布を有する導電性金属酸
化物および導電性金属硫化物の１種もしくは２種
以上の導電性物質と、ZnS：Ag螢光体、ZnS：
Ag，Al螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag螢光体、Zn
（Ｓ，Se）：Ag，Al螢光体、Y2SiO5：Ce螢光
体、SrGa2S4：Ce螢光体、Ca2MgSiO5：Ce螢光
体、（Ca，Mg）2SiO4：Ti螢光体、（Ba，Mg）
O2・6Al2O3：Eu2+螢光体、（Sr，Ba）3（PO4）2：
Eu2+螢光体およびCa2B5O9Cl：Eu2+螢光体の１
種もしくは２種以上の青色発光螢光体とを、１：
99乃至１：４の重量比で混合した発光組成物より
なることを特徴とする。
る陽極プレートと、前記螢光膜に対向してある陰
極とを、その内部が真空である容器内に封入した
構造を有する螢光表示管において、上記螢光膜は
中央値が2.5μ乃至14μ標準偏差値（log σ）が
0.7以下である粒子径分布を有する導電性金属酸
化物および導電性金属硫化物の１種もしくは２種
以上の導電性物質と、ZnS：Ag螢光体、ZnS：
Ag，Al螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag螢光体、Zn
（Ｓ，Se）：Ag，Al螢光体、Y2SiO5：Ce螢光
体、SrGa2S4：Ce螢光体、Ca2MgSiO5：Ce螢光
体、（Ca，Mg）2SiO4：Ti螢光体、（Ba，Mg）
O2・6Al2O3：Eu2+螢光体、（Sr，Ba）3（PO4）2：
Eu2+螢光体およびCa2B5O9Cl：Eu2+螢光体の１
種もしくは２種以上の青色発光螢光体とを、１：
99乃至１：４の重量比で混合した発光組成物より
なることを特徴とする。
本発明の発光組成物の構成成分である導電性物
質に用いられる導電性金属酸化物および導電性硫
化物としてはIn2O3，ZnO，SnO2，TiO2，WO3，
Nb2O5等およびCdS，Cu2S等が挙げられる。特に
得られる組成物の発光輝度の点から導電性金属酸
化物を用いるのが好ましく、この中でもIn2O3，
SnO2およびZnOがより好ましい。なおIn2O3と
SnO2とを比較すると、青色発光螢光体が同一で
ある場合一般に、加速電圧が60V以下の場合は
In2O3を用いた組成物の方がSnO2を用いた組成物
よりも発光輝度が高く、加速電圧が高く、加速電
圧が60Vよりも高い場合にはその逆となる。
質に用いられる導電性金属酸化物および導電性硫
化物としてはIn2O3，ZnO，SnO2，TiO2，WO3，
Nb2O5等およびCdS，Cu2S等が挙げられる。特に
得られる組成物の発光輝度の点から導電性金属酸
化物を用いるのが好ましく、この中でもIn2O3，
SnO2およびZnOがより好ましい。なおIn2O3と
SnO2とを比較すると、青色発光螢光体が同一で
ある場合一般に、加速電圧が60V以下の場合は
In2O3を用いた組成物の方がSnO2を用いた組成物
よりも発光輝度が高く、加速電圧が高く、加速電
圧が60Vよりも高い場合にはその逆となる。
これら導電性金属酸化物および導電性金属硫化
物は中央値が2.5μ乃至14μ、標準偏差値が0.7以
下の粒子径分布を有するものが用いられる。中央
値が上記範囲外であり、標準偏差値が0.7より大
きい粒子径分布を有するものは得られる組成物の
発光輝度が低く使用されない。より好ましい中央
値範囲は導電性物質の種類、導電性物質と混合さ
れる青色発光螢光体の種類等によつて異なるが、
一般には３μ乃至10μである。また標準偏差値は
中央値が一定である場合できるだけ小さい方が好
ましく、一般には0.5以下であるのが好ましい。
物は中央値が2.5μ乃至14μ、標準偏差値が0.7以
下の粒子径分布を有するものが用いられる。中央
値が上記範囲外であり、標準偏差値が0.7より大
きい粒子径分布を有するものは得られる組成物の
発光輝度が低く使用されない。より好ましい中央
値範囲は導電性物質の種類、導電性物質と混合さ
れる青色発光螢光体の種類等によつて異なるが、
一般には３μ乃至10μである。また標準偏差値は
中央値が一定である場合できるだけ小さい方が好
ましく、一般には0.5以下であるのが好ましい。
上記のような粒子径分布を有する導電性金属酸
化物および導電性金属硫化物は、一般試薬あるい
は一般試薬を空気中、中性雰囲気中あるいは弱還
元性雰囲気中で焼成することによつて得た焼成物
を、そのまま水篩等によつて分級することによつ
て、あるいはボールミル、ロールミル等によつて
粉砕した後水篩等によつて分級することによつて
得る。なお導電性金属酸化物については、炭酸
塩、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物等の高温で容易に
金属酸化物に変り得る化合物を空気中で焼成して
金属酸化物を得、これを分級することによつて得
てもよい。焼成物を用いるのは焼成しない生粉に
比較して焼成物の方が温度特性の安定性がよいか
らであり、従つて焼成物を用いた場合の方が生粉
を用いた場合よりも発光の安定性のよい組成物を
得ることができる。一般に導電性硫化物は焼成す
ることによつてその導電性が著しく向上するので
焼成物を用いるのが好ましい。
化物および導電性金属硫化物は、一般試薬あるい
は一般試薬を空気中、中性雰囲気中あるいは弱還
元性雰囲気中で焼成することによつて得た焼成物
を、そのまま水篩等によつて分級することによつ
て、あるいはボールミル、ロールミル等によつて
粉砕した後水篩等によつて分級することによつて
得る。なお導電性金属酸化物については、炭酸
塩、硫酸塩、蓚酸塩、水酸化物等の高温で容易に
金属酸化物に変り得る化合物を空気中で焼成して
金属酸化物を得、これを分級することによつて得
てもよい。焼成物を用いるのは焼成しない生粉に
比較して焼成物の方が温度特性の安定性がよいか
らであり、従つて焼成物を用いた場合の方が生粉
を用いた場合よりも発光の安定性のよい組成物を
得ることができる。一般に導電性硫化物は焼成す
ることによつてその導電性が著しく向上するので
焼成物を用いるのが好ましい。
一方本発明の発光組成物のもう１つの構成成分
である青色発光成分螢光体に用いられるZnS：
Ag螢光体、ZnS：Ag、Al螢光体、Zn（Ｓ，
Se）：Ag螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al螢光
体、Y2SiO5：Ce螢光体、SrGa2S4：Ce螢光体、
Ca2MgSiO5：Ce螢光体、（Ca，Mg）2SiO4：Ti螢
光体、（Ba，Mg）O2・6Al2O3：Eu2+螢光体、
（Sr，Ba）3（PO4）2：Eu2+螢光体および
Ca2B5O9Cl：Eu2+螢光体は従来知られている製造
方法によつて製造されたものである。これら螢光
体は１般に中央値が１μ乃至20μ、標準偏差値が
0.7以下の粒子径分布を有している。本発明にお
いて特に好ましいのは中央値が３μ乃至10μのも
のである。これら螢光体の中でも特に得られる組
成物の発光輝度の点からNnS：Ag螢光体、ZnS：
Ag，Al螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag螢光体および
Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al螢光体を用いるのが好ま
しく、より好ましくはZnS：Ag螢光体および
ZnS：Ag，Al螢光体である。
である青色発光成分螢光体に用いられるZnS：
Ag螢光体、ZnS：Ag、Al螢光体、Zn（Ｓ，
Se）：Ag螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al螢光
体、Y2SiO5：Ce螢光体、SrGa2S4：Ce螢光体、
Ca2MgSiO5：Ce螢光体、（Ca，Mg）2SiO4：Ti螢
光体、（Ba，Mg）O2・6Al2O3：Eu2+螢光体、
（Sr，Ba）3（PO4）2：Eu2+螢光体および
Ca2B5O9Cl：Eu2+螢光体は従来知られている製造
方法によつて製造されたものである。これら螢光
体は１般に中央値が１μ乃至20μ、標準偏差値が
0.7以下の粒子径分布を有している。本発明にお
いて特に好ましいのは中央値が３μ乃至10μのも
のである。これら螢光体の中でも特に得られる組
成物の発光輝度の点からNnS：Ag螢光体、ZnS：
Ag，Al螢光体、Zn（Ｓ，Se）：Ag螢光体および
Zn（Ｓ，Se）：Ag，Al螢光体を用いるのが好ま
しく、より好ましくはZnS：Ag螢光体および
ZnS：Ag，Al螢光体である。
本発明の発光組成物は上述の導電性物質と青色
発光螢光体とを乳鉢、ボールミル、ミキサーミル
等によつて充分混合することによつて得ることが
できる。両者は導電性物質／青色発光螢光体の値
が1/99乃至1/4となる重量比で混合される。導電
性物質／青色発光螢光体の値が1/99より小さい時
（導電性物質が組成物全量の１重量％よりも少な
い時）、導電性物質によるチヤージアツプ防止効
果は得られず、従つて組成物はその特性が青色発
光螢光体に近いものとなり低速電子線励起下で発
光しなくなる。一方導電性物質／青色発光螢光体
の値が1/4より大きい時（導電性物質が組成物全
量の20重量％よりも多い時）、得られる組成物は
発光が非常に弱いものとなる。これはチヤージア
ツプ防止効果は充分であるが導電性物質によつて
螢光体からの発光が遮られるためであると考えら
れる。発光輝度の点からより好ましい導電性物
質／青色発光螢光体の値は一般に3/197（導電性
物質が組成物全量の1.5重量％）乃至1/9（導電性
物質が組成物全量の10重量％）である。また本発
明の発光組成物における導電性物質と青色発光螢
光体の好ましい組合せはIn2O3とZn（Ｓ，Se）：
Ag螢光体、In2O3とZnS：Ag螢光体、SnO2と
ZnS：Ag螢光体およびIn2O3とZnS：Ag，Al螢光
体である。これらの組合せの組成物は特に発光輝
度が高い。
発光螢光体とを乳鉢、ボールミル、ミキサーミル
等によつて充分混合することによつて得ることが
できる。両者は導電性物質／青色発光螢光体の値
が1/99乃至1/4となる重量比で混合される。導電
性物質／青色発光螢光体の値が1/99より小さい時
（導電性物質が組成物全量の１重量％よりも少な
い時）、導電性物質によるチヤージアツプ防止効
果は得られず、従つて組成物はその特性が青色発
光螢光体に近いものとなり低速電子線励起下で発
光しなくなる。一方導電性物質／青色発光螢光体
の値が1/4より大きい時（導電性物質が組成物全
量の20重量％よりも多い時）、得られる組成物は
発光が非常に弱いものとなる。これはチヤージア
ツプ防止効果は充分であるが導電性物質によつて
螢光体からの発光が遮られるためであると考えら
れる。発光輝度の点からより好ましい導電性物
質／青色発光螢光体の値は一般に3/197（導電性
物質が組成物全量の1.5重量％）乃至1/9（導電性
物質が組成物全量の10重量％）である。また本発
明の発光組成物における導電性物質と青色発光螢
光体の好ましい組合せはIn2O3とZn（Ｓ，Se）：
Ag螢光体、In2O3とZnS：Ag螢光体、SnO2と
ZnS：Ag螢光体およびIn2O3とZnS：Ag，Al螢光
体である。これらの組合せの組成物は特に発光輝
度が高い。
第３図はIn2O3とZnS：Ag螢光体とを混合した
発光組成物におけるIn2O3含有量（重量％）と組
成物の発光輝度との関係を示すグラフであり、曲
線ａ，ｂおよびｃはそれぞれ標準偏差値はいずれ
も0.4であるが、中央値がそれぞれ4.5μ、８μお
よび20μであるIn2O3を用いた場合である。なお
第３図において発光輝度（縦軸）は曲線ｃの最大
発光輝度を100％とした相対値で表わしてある。
発光組成物におけるIn2O3含有量（重量％）と組
成物の発光輝度との関係を示すグラフであり、曲
線ａ，ｂおよびｃはそれぞれ標準偏差値はいずれ
も0.4であるが、中央値がそれぞれ4.5μ、８μお
よび20μであるIn2O3を用いた場合である。なお
第３図において発光輝度（縦軸）は曲線ｃの最大
発光輝度を100％とした相対値で表わしてある。
第３図から明らかなように、In2O3の中央値が
小さくなればなる程最大発光輝度を得るのに必要
なIn2O3の含有量はより小さくなる。すなわち、
中央値が小さいIn2O3を用いれば中央値がより大
きいIn2O3を用いた場合よりも少ないIn2O3含有量
で高輝度の発光を得ることができる。また第３図
から明らかなように各中央値における最大発光輝
度を比較した場合、In2O3の中央値が小さくなれ
ばなる程最大発光輝度は向上する傾向にあるが、
第４図に示されるようにこの最大発光輝度は中央
値がさらに小さくなると逆に低下する傾向にあ
る。
小さくなればなる程最大発光輝度を得るのに必要
なIn2O3の含有量はより小さくなる。すなわち、
中央値が小さいIn2O3を用いれば中央値がより大
きいIn2O3を用いた場合よりも少ないIn2O3含有量
で高輝度の発光を得ることができる。また第３図
から明らかなように各中央値における最大発光輝
度を比較した場合、In2O3の中央値が小さくなれ
ばなる程最大発光輝度は向上する傾向にあるが、
第４図に示されるようにこの最大発光輝度は中央
値がさらに小さくなると逆に低下する傾向にあ
る。
第４図は第３図と同じくIn2O3とZnS：Ag螢光
体とを混合した発光組成物において、標準偏差値
と一定（σ＝0.4）とした場合のIn2O3の中央値と
組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフであ
る。第４図において最大発光輝度（縦軸）は中央
値が20μであるIn2O3を用いた組成物の最大発光
輝度を100％とした相対値で表わしてある。
体とを混合した発光組成物において、標準偏差値
と一定（σ＝0.4）とした場合のIn2O3の中央値と
組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフであ
る。第４図において最大発光輝度（縦軸）は中央
値が20μであるIn2O3を用いた組成物の最大発光
輝度を100％とした相対値で表わしてある。
第４図から明らかなように、中央値がおよそ
4.5μまでは中央値が小さくなればなる程最大発
光輝度は向上し、およそ4.5μで極大となるが、
中央値がさらに小さくなると最大発光輝度は逆に
低下しはじめる傾向にある。一般試薬のIn2O3は
通常20μ乃至30μの中央値を有しているが、この
一般試薬のIn2O3を用いた発光組成物の発光輝度
を基準として考えれば、中央値が2.5μ乃至14μ
のIn2O3を選択的に用いた場合に発光輝度の向上
した発光組成物を得ることができることがわか
る。特に中央値が３μ乃至10μのIn2O3を用いた
場合に発光輝度の著しく向上した組成物を得るこ
とができる。
4.5μまでは中央値が小さくなればなる程最大発
光輝度は向上し、およそ4.5μで極大となるが、
中央値がさらに小さくなると最大発光輝度は逆に
低下しはじめる傾向にある。一般試薬のIn2O3は
通常20μ乃至30μの中央値を有しているが、この
一般試薬のIn2O3を用いた発光組成物の発光輝度
を基準として考えれば、中央値が2.5μ乃至14μ
のIn2O3を選択的に用いた場合に発光輝度の向上
した発光組成物を得ることができることがわか
る。特に中央値が３μ乃至10μのIn2O3を用いた
場合に発光輝度の著しく向上した組成物を得るこ
とができる。
なお標準偏差値もまた組成物の発光輝度に影響
をおよぼす。すなわち、上記2.5μ乃至14μの中
央値範囲においては標準偏差値が大きくなるに従
つて発光輝度は一般に低下する傾向にある、これ
は標準偏差値が大きくなればなる程発光輝度への
寄予率の低い大きな粒子および小さな粒子をより
多く含むようになるためである。この点から標準
偏差値は0.7以下と定められる。より好ましくは
0.5以下である。
をおよぼす。すなわち、上記2.5μ乃至14μの中
央値範囲においては標準偏差値が大きくなるに従
つて発光輝度は一般に低下する傾向にある、これ
は標準偏差値が大きくなればなる程発光輝度への
寄予率の低い大きな粒子および小さな粒子をより
多く含むようになるためである。この点から標準
偏差値は0.7以下と定められる。より好ましくは
0.5以下である。
なお第３図および第４図はIn2O3とZnS：Ag螢
光体とを混合した発光組成物についてのグラフで
あるが、In2O3の代りに他の導電性金属酸化物あ
るいは導電性金属硫化物を用いた場合、あるいは
ZnS：Ag螢光体の代りに他の青色発光螢光体を
用いた場合も第３図および第４図と同じような傾
向が得られた。本発明の発光組成物において、導
電性金属酸化物および導電性金属硫化物を中央値
が2.5μ乃至14μ、標準偏差値が0.7以下の粒子径
分布を有するものと限定し、また導電性物質と青
色発光螢光体との混合重量比を１：99乃至１：４
と限定したのは上述の知見に基づいてである。
光体とを混合した発光組成物についてのグラフで
あるが、In2O3の代りに他の導電性金属酸化物あ
るいは導電性金属硫化物を用いた場合、あるいは
ZnS：Ag螢光体の代りに他の青色発光螢光体を
用いた場合も第３図および第４図と同じような傾
向が得られた。本発明の発光組成物において、導
電性金属酸化物および導電性金属硫化物を中央値
が2.5μ乃至14μ、標準偏差値が0.7以下の粒子径
分布を有するものと限定し、また導電性物質と青
色発光螢光体との混合重量比を１：99乃至１：４
と限定したのは上述の知見に基づいてである。
本発明の螢光表示管は以下に述べる方法によつ
て作製される。まず上述の発光組成物を沈降塗布
法によつて通常セラミツク基板によつて支えられ
ている陽極プレート上に塗布し螢光膜とする。す
なわち組成物を水中に分散させた懸濁液中に陽極
プレートをおき、組成物の自重によつて組成物を
陽極プレートの片面上に沈降させて塗布し、その
後水を除去して塗膜を乾燥させる。この場合得ら
れる螢光膜の陽極プレートへの接着性を向上させ
るために懸濁液に微量（0.01〜0.1％）の水ガラ
スを添加してもよい。また塗布密度は５mg／cm2〜
30mg／cm2が適当である。なお螢光膜作成方法は上
述の沈降塗布法が一般的であり、広く行なわれて
いるが、本発明の螢光表示管において螢光膜の作
成方法はこの沈降塗布法に限られるものではな
い。次に線状ヒーターをBaO，SrO，CaO等の酸
化物で被覆してなる陰極を陽極プレート上の螢光
膜に対向させて約１mm〜５mm程度の間隔をおいて
配置し、この一対の電極をガラス等の透明な容器
中に設置した後容器内の排気を行なう。容器内が
少なくとも10-5Torr以上の真空度になつた後に
排気を止め封止を行なう。封止後ゲツターを飛ば
して容器内の真空度を更に高める。この様にして
本発明の螢光表示管を得ることができる。
て作製される。まず上述の発光組成物を沈降塗布
法によつて通常セラミツク基板によつて支えられ
ている陽極プレート上に塗布し螢光膜とする。す
なわち組成物を水中に分散させた懸濁液中に陽極
プレートをおき、組成物の自重によつて組成物を
陽極プレートの片面上に沈降させて塗布し、その
後水を除去して塗膜を乾燥させる。この場合得ら
れる螢光膜の陽極プレートへの接着性を向上させ
るために懸濁液に微量（0.01〜0.1％）の水ガラ
スを添加してもよい。また塗布密度は５mg／cm2〜
30mg／cm2が適当である。なお螢光膜作成方法は上
述の沈降塗布法が一般的であり、広く行なわれて
いるが、本発明の螢光表示管において螢光膜の作
成方法はこの沈降塗布法に限られるものではな
い。次に線状ヒーターをBaO，SrO，CaO等の酸
化物で被覆してなる陰極を陽極プレート上の螢光
膜に対向させて約１mm〜５mm程度の間隔をおいて
配置し、この一対の電極をガラス等の透明な容器
中に設置した後容器内の排気を行なう。容器内が
少なくとも10-5Torr以上の真空度になつた後に
排気を止め封止を行なう。封止後ゲツターを飛ば
して容器内の真空度を更に高める。この様にして
本発明の螢光表示管を得ることができる。
なお陽極プレート上の螢光膜は平板状であり、
陰極は線状であるので陰極より放射される低速電
子線を拡散させるために陰極と螢光膜との中間に
第２図の様に拡散電極として網目状の格子電極を
設置するのが望ましい。この場合螢光膜の発光量
の損失が少なくかつ低速電子線が良く拡散する様
に網目ができるだけ細い方が好結果を得ることが
できる。具体的には網目の径が500ミクロン以下
であり、開口率（格子電極全面積に対する低速電
子線を透過する穴の面積）が50％以上であること
が望ましい。陽極プレートはその電極形態を必要
とされる文字、図形の形に分割して、それぞれの
電極に必要とされる電圧が選択的に印加できる様
にしておけば任意の文字、図形を表示することが
できる。また陽極プレートを点状あるいは線状に
分割し、その一部の電極上に本発明の発光組成物
の螢光膜を形成し、他の電極上に前記組成物とは
発光色が異なる低速電子線励起用螢光体よりなる
螢光膜を形成することによつて、多色表示が可能
な螢光表示管を得ることができる。
陰極は線状であるので陰極より放射される低速電
子線を拡散させるために陰極と螢光膜との中間に
第２図の様に拡散電極として網目状の格子電極を
設置するのが望ましい。この場合螢光膜の発光量
の損失が少なくかつ低速電子線が良く拡散する様
に網目ができるだけ細い方が好結果を得ることが
できる。具体的には網目の径が500ミクロン以下
であり、開口率（格子電極全面積に対する低速電
子線を透過する穴の面積）が50％以上であること
が望ましい。陽極プレートはその電極形態を必要
とされる文字、図形の形に分割して、それぞれの
電極に必要とされる電圧が選択的に印加できる様
にしておけば任意の文字、図形を表示することが
できる。また陽極プレートを点状あるいは線状に
分割し、その一部の電極上に本発明の発光組成物
の螢光膜を形成し、他の電極上に前記組成物とは
発光色が異なる低速電子線励起用螢光体よりなる
螢光膜を形成することによつて、多色表示が可能
な螢光表示管を得ることができる。
以上述べた様に本発明は加速電圧が1KV以下、
特に100V以下の低速電子線励起下における発光
輝度の向上した青色発光組成物およびこの青色発
光組成物よりなる螢光膜を有する青色発光螢光表
示管を提供するものであり、その工業的利用価値
は大きなものである。
特に100V以下の低速電子線励起下における発光
輝度の向上した青色発光組成物およびこの青色発
光組成物よりなる螢光膜を有する青色発光螢光表
示管を提供するものであり、その工業的利用価値
は大きなものである。
次に実施例によつて本発明を説明する。
実施例 １
In2O3試薬（守随彦太朗商店製）を粉砕し、そ
の後水篩によつて分級し、中央値が８μ、標準偏
差値が0.4の粒子径分布を有するIn2O3を得た。こ
のIn2O37gと、通常の製造方法で製造した中央値
が７μ、標準偏差値が0.35の粒子径分布を有する
ZnS：Ag螢光体93gとを乳鉢を用いて充分混合し
た。得られる組成物100mgを蒸留水100c.c.中に添加
し、超音波分散させた。この分散液中にセラミツ
ク基板によつて支持された２cm×１cmのアルミニ
ウム陽極プレートを入れ、30分間放置後上澄液を
除去し、乾燥して螢光膜を形成した。次にタング
ステン線状ヒーターを酸化物で被覆してなる陰極
を陽極プレート土の螢光膜に対向させておよそ５
mmの間隔をおいて配置し、この一対の電極を硬質
ガラス容器中に設置した後、容器内の排気を行な
つた。容器内の真空度が10-5Torr程度の真空度
となつた後に排気を止め封止を行ない、次いでゲ
ツターを飛ばして容器内の真空度を更に高めた。
この様にして第１図に示される構造の螢光表示管
を得た。この螢光表示管は陽極プレート電圧を
60V、陰極電圧を1.2V及び陽極プレート電流密度
を2mA／cm2とすると発光輝度が60ft―Ｌの青色発
光を示した。
の後水篩によつて分級し、中央値が８μ、標準偏
差値が0.4の粒子径分布を有するIn2O3を得た。こ
のIn2O37gと、通常の製造方法で製造した中央値
が７μ、標準偏差値が0.35の粒子径分布を有する
ZnS：Ag螢光体93gとを乳鉢を用いて充分混合し
た。得られる組成物100mgを蒸留水100c.c.中に添加
し、超音波分散させた。この分散液中にセラミツ
ク基板によつて支持された２cm×１cmのアルミニ
ウム陽極プレートを入れ、30分間放置後上澄液を
除去し、乾燥して螢光膜を形成した。次にタング
ステン線状ヒーターを酸化物で被覆してなる陰極
を陽極プレート土の螢光膜に対向させておよそ５
mmの間隔をおいて配置し、この一対の電極を硬質
ガラス容器中に設置した後、容器内の排気を行な
つた。容器内の真空度が10-5Torr程度の真空度
となつた後に排気を止め封止を行ない、次いでゲ
ツターを飛ばして容器内の真空度を更に高めた。
この様にして第１図に示される構造の螢光表示管
を得た。この螢光表示管は陽極プレート電圧を
60V、陰極電圧を1.2V及び陽極プレート電流密度
を2mA／cm2とすると発光輝度が60ft―Ｌの青色発
光を示した。
実施例 ２
In2O3試薬（守随彦太朗商店製）を粉砕し、そ
の後水篩によつて分級し、中央値が4.5μ、標準
偏差値が0.4の粒子径分布を有するIn2O3を得た。
このIn2O33gと、実施例１と同じZnS：Ag螢光体
97gとを乳鉢を用いて充分混合した。得られる組
成物を用いて実施例１と同様にして螢光表示管を
作製した。この螢光表示管は陽極プレート電圧を
60V、陰極電圧を1.2Vおよび陽極プレート電流密
度を2mA／cm2とすると発光輝度が70ft―Ｌの青色
発光を示した。
の後水篩によつて分級し、中央値が4.5μ、標準
偏差値が0.4の粒子径分布を有するIn2O3を得た。
このIn2O33gと、実施例１と同じZnS：Ag螢光体
97gとを乳鉢を用いて充分混合した。得られる組
成物を用いて実施例１と同様にして螢光表示管を
作製した。この螢光表示管は陽極プレート電圧を
60V、陰極電圧を1.2Vおよび陽極プレート電流密
度を2mA／cm2とすると発光輝度が70ft―Ｌの青色
発光を示した。
実施例 ３
SnO2試薬（守随彦太朗商店製）を粉砕し、そ
の後水篩によつて分級し、中央値が８μ、標準偏
差値が0.4の粒子径分布を有するSnO2を得た。こ
のSnO27gと、実施例１と同じZnS：Ag螢光体93g
とを乳鉢を用いて充分混合した。得られる組成物
を用いて実施例１と同様にして螢光表示管を作製
した。この螢光表示管は陽極プレート電圧を
60V、陰極電圧を1.2Vおよび陽極プレート電流密
度を2mA／cm2とすると発光輝度が70ft―Ｌの青色
発光を示した。
の後水篩によつて分級し、中央値が８μ、標準偏
差値が0.4の粒子径分布を有するSnO2を得た。こ
のSnO27gと、実施例１と同じZnS：Ag螢光体93g
とを乳鉢を用いて充分混合した。得られる組成物
を用いて実施例１と同様にして螢光表示管を作製
した。この螢光表示管は陽極プレート電圧を
60V、陰極電圧を1.2Vおよび陽極プレート電流密
度を2mA／cm2とすると発光輝度が70ft―Ｌの青色
発光を示した。
第１図及び第２図は螢光表示管の典型例の概略
構成図であり、第１図は二極管、第２図は三極管
である。 １１……陽極プレート、１２……螢光膜、１３
……セラミツク基板、１４……陰極、１５……格
子電極、１６……容器、１７……高真空に保たれ
た表示管内部。 第３図はIn2O3とZnS：Ag螢光体とを混合した
発光組成物におけるIn2O3含有量（重量％）と組
成物の発光輝度との関係を示すグラフである。第
４図はIn2O3とZnS：Ag螢光体とを混合した発光
組成物において、標準偏差値を一定とした場合の
In2O3の中央値と組成物の最大発光輝度との関係
を示すグラフである。
構成図であり、第１図は二極管、第２図は三極管
である。 １１……陽極プレート、１２……螢光膜、１３
……セラミツク基板、１４……陰極、１５……格
子電極、１６……容器、１７……高真空に保たれ
た表示管内部。 第３図はIn2O3とZnS：Ag螢光体とを混合した
発光組成物におけるIn2O3含有量（重量％）と組
成物の発光輝度との関係を示すグラフである。第
４図はIn2O3とZnS：Ag螢光体とを混合した発光
組成物において、標準偏差値を一定とした場合の
In2O3の中央値と組成物の最大発光輝度との関係
を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中央値が2.5μ乃至14μ、標準偏差値（log
σ）が0.7以下である粒子径分布を有する導電性
金属酸化物および導電性金属硫化物の１種もしく
は２種以上の導電性物質と、銀付活硫化亜鉛螢光
体（ZnS：Ag）、銀およびアルミニウム付活硫化
亜鉛螢光体（ZnS：Ag，Al）、銀付活硫セレン化
亜鉛螢光体〔Zn（Ｓ，Se）：Ag〕、銀およびア
ルミニウム付活硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn
（Ｓ，Se）：Ag，Al〕、セリウム付活珪酸イツト
リウム螢光体（Y2SiO5：Ce）、セリウム付活硫化
ストロンチウム・ガリウム螢光体（SrGa2S4：
Ce）、セリウム付活珪酸カルシウム・マグネシウ
ム螢光体（Ca2MgSiO5：Ce）、チタン付活珪酸カ
ルシウム・マグネシウム螢光体〔（Ca，
Mg）2SiO4：Ti〕、ユーロピウム付活アルミン酸バ
リウム・マグネシウム螢光体〔（Ba，Mg）O2・
6Al2O3：Eu2+〕、ユーロピウム付活燐酸ストロン
チウム・バリウム螢光体〔（Sr，Ba）3（PO4）2：
Eu2+〕、およびユーロピウム付活カルシウムクロ
ロ硼酸塩螢光体（Ca2B5O9Cl：Eu2+）の１種もし
くは２種以上の青色発光螢光体とを、１：99乃至
１：４の重量比で混合してなる発光組成物。 ２ 前記中央値が３μ乃至10μであり、前記標準
偏差値が0.5以下であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の発光組成物。 ３ 前記導電性物質と前記青色発光螢光体の混合
重量比が３：197乃至１：９であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の発
光組成物。 ４ 前記導電性物質が導電性金属酸化物であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項ま
たは第３項記載の発光組成物。 ５ 前記導電性金属酸化物が酸化インジウム
（In2O3）、酸化錫（SnO2）および酸化亜鉛
（ZnO）の１種もしくは２種以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の発光組成
物。 ６ 前記青色発光螢光体が銀付活硫化亜鉛螢光体
（ZnS：Ag）、銀およびアルミニウム付活硫化亜
鉛螢光体（ZnS：Ag，Al）、銀およびアルミニウ
ム付活硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn（Ｓ，Se）：
Ag，Al〕および銀付活硫セレン化亜鉛螢光体
〔Zn（Ｓ，Se）：Ag〕の１種もしくは２種以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第５項記載の発光組成物。 ７ 前記導電性物質が酸化インジウム（In2O3）の
みからなり、前記青色発光螢光体が銀付活硫セレ
ン化亜鉛螢光体〔Zn（Ｓ，Se）：Ag〕のみから
なることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
の発光組成物。 ８ 前記導電性物質が酸化インジウム（In2O3）の
みからなり、前記青色発光螢光体が銀付活硫化亜
鉛螢光体（ZnS：Ag）のみからなることを特徴
とする特許請求の範囲第６項記載の発光組成物。 ９ 前記導電性物質が酸化インジウム（In2O3）の
みからなり、前記青色発光螢光体が銀およびアル
ミニウム付活硫化亜鉛螢光体（ZnS：Ag，Al）
のみからなることを特徴とする特許請求の範囲第
６項記載の発光組成物。 １０ 前記導電性物質が酸化スズ（SnO2）のみか
らなり、前記青色発光螢光体が銀付活硫化亜鉛螢
光体（ZnS：Ag）のみからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第６項記載の発光組成物。 １１ 前記青色発光螢光体を構成する１種もしく
は２種以上の螢光体が、中央値が１μ乃至20μ、
標準偏差値が0.7以下である粒子径分布を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１
０項記載の発光組成物。 １２ 前記青色発光螢光体の中央値が３μ乃至10
μであることを特徴とする特許請求の範囲第１１
項記載の発光組成物。 １３ 片面に螢光膜を有する陽極プレートと、前
記螢光膜に対向してある陰極とを、その内部が真
空である容器内に封入した構造を有する低速電子
線励起螢光表示管において、上記螢光膜は中央値
が2.5μ乃至14μ、標準偏差値（log σ）が0.7以
下である粒子径分布を有する導電性金属酸化物お
よび導電性金属硫化物の１種もしくは２種以上の
導電性物質と、銀付活硫化亜鉛螢光体（ZnS：
Ag）、銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛螢光体
（ZnS：Ag，Al）、銀付活硫セレン化亜鉛螢光体
〔Zn（Ｓ，Se）：Ag〕、銀およびアルミニウム付
活硫セレン化亜鉛螢光体〔Zn（Ｓ，Se）：Ag，
Al〕、セリウム付活珪酸イツトリウム螢光体
（Y2SiO5：Ce）、セリウム付活硫化ストロンチウ
ム・ガリウム螢光体（SrGa2S4：Ce）、セリウム
付活珪酸カルシウム・マグネシウム螢光体
（Ca2MgSiO5：Ce）、チタン付活珪酸カルシウ
ム・マグネシウム螢光体〔（Ca，Mg）2SiO4：
Ti〕、ユーロピウム付活アルミン酸バリウム・マ
グネシウム螢光体〔（Ba，Mg）O2・6Al2O3：
Eu2+〕、ユーロピウム付活燐酸ストロンチウム・
バリウム螢光体〔（Sr，Ba）3（PO4）2：Eu2+〕およ
びユーロピウム付活カルシウムクロロ硼酸塩螢光
体（Ca2B5O9Cl：Eu2+）の１種もしくは２種以上
の青色発光螢光体とを１：99乃至１：４の重量比
で混合してなる発光組成物よりなることを特徴と
する低速電子線励起螢光表示管。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249378A JPS5523106A (en) | 1978-03-22 | 1978-03-22 | Blue luminescent composition and low speed electron beam-exciting fluorescent display tube |
| DE2906505A DE2906505C2 (de) | 1978-02-20 | 1979-02-20 | Fluoreszenzmischung und deren Verwendung in einem Fluoreszenzschirm einer durch langsame Elektronen angeregten Fluoreszenz-Anzeigevorrichtung |
| US06/013,430 US4275333A (en) | 1978-02-20 | 1979-02-21 | Fluorescent compositions and low-velocity electron excited fluorescent display devices utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249378A JPS5523106A (en) | 1978-03-22 | 1978-03-22 | Blue luminescent composition and low speed electron beam-exciting fluorescent display tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5523106A JPS5523106A (en) | 1980-02-19 |
| JPS6253554B2 true JPS6253554B2 (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=12360510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249378A Granted JPS5523106A (en) | 1978-02-20 | 1978-03-22 | Blue luminescent composition and low speed electron beam-exciting fluorescent display tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5523106A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046149B2 (ja) * | 1982-03-11 | 1985-10-14 | 日本電気株式会社 | 低速電子線用螢光体 |
| JPS59133284A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Nec Corp | 低速電子線励起用螢光体 |
| JPS59133285A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Nec Corp | 低速電子線励起用螢光体 |
| JPH0326781A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体 |
| KR100268716B1 (ko) * | 1993-02-11 | 2000-11-01 | 김순택 | 혼합 청색발광 형광체 |
| US6761835B2 (en) * | 2000-07-07 | 2004-07-13 | Tdk Corporation | Phosphor multilayer and EL panel |
| JP5728618B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2015-06-03 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | チタンをドープした三元系ケイ酸塩薄膜及びその製造方法、並びにその応用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115787A (en) * | 1975-05-12 | 1977-09-28 | Dainippon Toryo Co Ltd | Luminous compositions |
-
1978
- 1978-03-22 JP JP3249378A patent/JPS5523106A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115787A (en) * | 1975-05-12 | 1977-09-28 | Dainippon Toryo Co Ltd | Luminous compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5523106A (en) | 1980-02-19 |
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