JPH03234789A - 低速電子線励起蛍光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は低速電子線により励起され蛍光を発する低速電
子線励起蛍光体、及びそれが発光成分として成る蛍光膜
に関する。

［従来の技術とその問題点］ 低速電子線励起蛍光表示管（以下、蛍光表示管と略記す
る。）は片面に蛍光膜を有する陽極プレートとその蛍光
膜に対向した陰極とを容器内に封入し真空にした構造を
有し、陰極から放射されるＩＫＶ以下の低速電子線によ
って陽極プレート上の蛍光膜を発光せしめるものである
。

前記蛍光膜を構成する低速電子線励起蛍光体（以下低速
蛍光体と略記する。）に求められる最も重要な特性は、
蛍光体が導電性を有しているということである。その導
電性が悪いと陰極から放射される電子線によって、陽極
の蛍光膜表面が負に帯電しまい発光不能を生じる。従っ
て蛍光膜に塗布された蛍光体に導電性を付与しチャージ
アップした負電荷を逃がすために従来数々の技術が開示
されている。例えば特公昭５２−２３９１１号公報にお
いてはＺｎＳ：　Ａｇ、Ｙ２ＳｉＯ５：　Ｃｅ等の青色
発光蛍光体に１０〜９０重員％の■ｎ２０３が乾式混合
された低速青色発光蛍光体が開示されている。また特公
昭６２−５３５５４号公報てはＺｎＳ：　Ａｇ、Ｚｎ　
（ＳＳｅ）：　Ａｇ、ＡＩ、ＳｒＧ　ａ２ｓ４：　　Ｃ
ｅ、・・・等の青色発光蛍光体に粒径の規定されたＩｎ
２Ｏ＋、５ｎａ２等が乾式混合された低速青色発光蛍光
体が開示されている。即ち従来の技術はそのほとんどが
、母体である蛍光体の導電性が悪いために低速電子線励
起において微弱にしか発光しない蛍光体に対し、■ｎ２
０３、ＳｎＯ２等の導電性金属酸化物（以下導電性物質
と略記する。）を乾式混合することによって蛍光体及び
蛍光膜に導電性を付与して輝度を高めるという技術であ
る。

しかし上記１ｎ２０３．５ｎ０２等の導電性物質は非発
光物質であり、しかも黄色若しくは褐色の体色を有して
いる。従ってそれらを蛍光体と混合するという技術は、
前記導電性物質が蛍光体自体の発光を阻害、吸収してし
まうため、蛍光体及び蛍光表示管の輝度低下を招くとい
う欠点があった。

以上のように蛍光表示管にとって、導電性物質は不可欠
なものであるため、通常はその導電性物質の混合量の最
適化により輝度低下の対策を試みているが、最近急速な
表示デバイスの発達に伴い、より以上の蛍光表示管の輝
度向上が望まれている。

［発明が解決しようとする問題点］ そこで本発明は上記事情を鑑みて成されたものであり、
蛍光体に対する導電性物質を改良することによって、加
速電圧がＩＫＶ以下、特に１００Ｖ以下の低速電子線励
起の元で優れた導電性と輝度を有する低速蛍光体及びそ
れを利用した主として蛍光表示管用の蛍光膜を提供する
ことを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者らは低速蛍光体及び蛍光表示管の輝度を向上す
るため、数々の導電性物質の種類及び蛍光体に対する添
加方法等について鋭意研究を重ねた結果、導電性物質を
蛍光体の少なくとも表面全体に均質膜状又は半均質膜状
に被覆することによって低加速電圧において、低速蛍光
体及び蛍光表示管の輝度が飛躍的に向上することを新た
に見いだし本発明を成すに至った。

本発明の蛍光体は、一般式Ｚ　ｎ　Ｓ：　Ｍｌ、Ｍ２　
（但しＭｌはＡｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｕの群から選ばれた
少なくとも一種の元素で鳥り、Ｍ２はＡＩ、　　Ｆ、　
　ＣＩ、Ｂｒ、■の群から選ばれた少なくとも一種の元
素である。）又は一般式（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ｍｌ。

Ｍ２で表される蛍光体のうちから選ばれた少なくとも一
種の蛍光体の少なくとも表面全体を、均質膜状又は半均
質膜状の導電性金属酸化物が被覆して成ることを特徴と
する低速蛍光体である。

なお均質膜状又は半均質膜状の導電性物質が蛍光体を被
覆している状態とは、導電性物質を混合した従来の低速
蛍光体のように蛍光体と導電性物質が点で接触している
状態とは異なり、導電性物質と蛍光体とが面でつながっ
ている状態を指す。

従って一部塊状の付着物を含んだり、むらになって付着
している場合もある。

本発明の低速蛍光体に用いられる蛍光体は通常陰極線管
で用いられている蛍光体又は導電性物質と混合されて従
来の低速蛍光体となる公知の蛍光体である。そしてその
蛍光体の発光色は上記一般式においてＭ１，Ｍ２の種類
、量及びＣｄの量を任意に変える事によって自由に変え
ることができる。

例えば青色発光蛍光体においては（ＺｎＳ：　Ａｇ、Ａ
　Ｉ　）、　（ＺｎＳ：　　Ｚｎ、ＣＩ）、　（（Ｚ　
ｎ　Ｃｄ　）Ｓ：　Ａｇ、ＣＩ）等が知られており、緑
色発光蛍光体においては　（ＺｎＳ：　　Ｃｕ、ＣＩ）
、　（ＺｎＳ：　Ｃｕ　、Ａ　ｕ　、Ａ　Ｉ　）、　（
（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ａｇ、ＡＩ）等、黄色発光蛍光体で
は（ＺｎＳ：　Ａｕ、ＡＩ）、（ＺｎＳ：　Ｃｕ、Ａｕ
、ＡＩ）、　（（Ｚ　ｎ　Ｃｄ　）Ｓ：Ａｇ、ＣＩ’）
等、白色発光蛍光体では（ＺｎＳ：　　Ｚｎ、ＣＩと（
ＺｎＣｄ）Ｓ：　　Ｃｕ、ＡＩの混合物）、（ＺｎＳ：
　Ａｇ、ＡＩとＺ　ｎ　Ｓ：　Ａｕ　、Ａ　Ｉの混合物
）、（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ａｇ、Ａｕ、ＡＩ）等、橙色
発光蛍光体では（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　　Ｃｕ、ＣＩ）、
（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ａｕ、ＡＩ）、　（（Ｚ　ｎ　Ｃ
ｄ　）Ｓ：Ａｇ、ＣＩ）等、赤色発光蛍光体では（（Ｚ
　ｎ　Ｃｄ）Ｓ：　　Ｃｕ、ＡＩ）、　　（（ＺｎＣｄ
）Ｓ：　　Ａｕ、ＡＩ）、（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ａｇ、
ＡＩ）等が良く知られている。

また本発明の蛍光体において表面に被覆される導電性物
質は、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓ　ｎ　０２、ＺｎＯ，ＴｉＯ２、
Ｗ　０３、Ｎｂ２Ｏ５等があるが特に好ましくはＩｎ２
Ｏ３、ＳｎＯ２の内の少なくとも一種である。

ところで本発明の蛍光体の特徴である、表面に均質膜状
又は半均質膜状に前記導電性物質を被覆するには以下に
述べる方法によって達成できる。

第１の方法は内部に粉体撹拌装置を有するスパッタ蒸着
装置を用い、蒸着によって直接、導電性物質を蒸気化し
て蛍光体表面を均質状又は半均画状の導電性物質で被覆
する方法である。

第２の方法はＩｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｗ等加熱酸化によって
、容易に導電性物質となり得る金属の有機化合物、例え
ばトリメチルインジウム（■）トリス（シクロペンタジ
ェニル）インジウム、トリフェニルインジウム、ジエチ
ルスズ、ジプロピルスズ、ジフェニルスズ、トリクロロ
メチルチタン、テトラヘンシルチタン、ヘキサメチルタ
ングステン、ジクロロトリメチルニオブ等を有機溶媒に
溶解した溶液、又は前記金属のキレート化合物若しくは
イオン会合体として有機溶媒に溶解、抽出した溶液、即
ち有機溶媒可溶性の有機金属化合物を用いる方法である
。具体的に述べると、蛍光体を前記金属を含む有機溶媒
中に懸濁させた後、加温して有機溶媒のみを揮散させる
。それによって前記金属の有機化合物が蛍光体粒子に均
一に付着した状態となる。その蛍光体を空気雰囲気中若
しくは弱還元雰囲気中で４５０℃以上の温度で焼成する
ことによって有機物は分解し、前記金属の酸化物は均質
膜状又は半均質膜状となって、蛍光体表面を被覆する。

また後に蛍光表示管の蛍光膜を作成する際、蛍光膜を４
５０℃以上で焼成する工程があるため、上記方法におい
て４５０℃以上で焼成せずども有機溶媒を揮散させただ
けの蛍光体でも良い。

第３の方法は第２の方法と同じく加熱酸化によって容易
に導電性物質となり得る金属を、水溶液中又は水溶性有
機溶媒中で硝酸塩、硫酸塩、塩化物として蛍光体に被覆
する方法である。例えば硝酸塩として被覆するには、前
記金属の硝酸塩を溶解した水溶液中に蛍光体を懸濁させ
た後、水分を蒸発させる。以後は第１の方法と同じく４
５０℃以上で焼成することによって同じく本発明の蛍光
体が得られる。

また上記方法の他に、例えば他の産業分野で用いられて
いるＩＴＯの導電膜を製造する方法を用いてもよい。

さらに被覆する導電性物質の量は、蛍光体が青色発光蛍
光体の場合はその蛍光体に対しＯ，１重量％以上ｉｏ、
ｏ重量％未満の範囲に、緑色発光蛍光体若しくは白色発
光蛍光体の場合は同じく蛍光体に対し０．０８重量％以
上９．０重量％以下の範囲に、蛍光体が黄色発光蛍光体
の場合は同じ＜０．０６重量％以上８．０重量％以下の
範囲に、蛍光体が橙色発光蛍光体若しくは赤色発光蛍光
体の場合は同しく０．０５重量％以上７．０重量％以下
の範囲に調整する。なぜならその量が上記最小値以下で
あると十分な導電性が蛍光体に付与できず、特性は元の
蛍光体に近いものとなるため、特に１００■以下の低速
電子線励起下では十分な輝度が得られない。逆に上記最
大値以上であると、導電性物質の被覆厚が大きくなるこ
とによって、電子線が蛍光体まで到達しにくくなり同じ
く十分な輝度が得られない。また発光の導電性物質によ
る吸収も大きくなってしまう。そのためより好ましい被
覆量は青色発光蛍光体においては１．０〜５．０重量％
、緑色若しくは白色発光蛍光体においては０．５〜３．
０重量％、黄色発光蛍光体においては０．３〜２．０重
量％、橙色若しくは赤色発光蛍光体においては０．　２
〜２．０重量％の範囲に調整する。

次に本発明の蛍光膜は、上記方法によって表面に導電性
物質が均質膜状又は半均質膜状に被覆された低速蛍光体
が発光成分として陽極プレートに塗布されて成ることを
特徴とする蛍光膜である。

その陽極プレートに本発明の蛍光体を用いて蛍光膜を形
成するには、スクリーン塗布法、電着塗布法、沈澱塗布
法等従来知られている塗布法を用いて、通常５〜３０　
ｍ　ｇ　／　ｃ　ｍ　２の範囲で陽極プレートに塗布す
る。その後、そのプレートを乾燥し４５０℃以上で焼成
することによって本発明の蛍光膜を形成できるが、また
以下に述べる方法によって形成することもできる まず、主として蛍光体とバインダーが練り合わされた蛍
光体ペーストを作成し、このペーストに上記加熱酸化に
よって容易に導電性物質となり得る金属の硝酸塩、硫酸
塩、塩化物、有機化合物等が溶解された水溶液、有機溶
媒を添加して再び混練してペースト状とする。次にこの
ペーストを陽極プレートに塗布した後、同じく４５０℃
以上で焼成することによって蛍光膜を作成する方法であ
る。その様にして得られた蛍光膜を構成する蛍光体も、
本発明の蛍光体と同様に、表面は微粒子状または均質膜
状の前記導電性物質で被覆された構造を有する低速蛍光
体である。従って被覆する導電性物質の量も上記範囲に
なるよう、上記導電性物質となり得る金属化合物の添加
量を調整する必要がある。

［作用コ 第１図−ａは実施例１て得られた代表的な本発明の低速
緑色発光蛍光体、第１図−ｂは実施例１て使用した緑色
発光蛍光体ＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＩに対し、導電性物質とし
てＩｎ２Ｏ３を１０．０重量％乾式混合した従来の低速
緑色発光蛍光体、第１図−ｃは緑色発光蛍光体、各々の
表面の構造を示す電子顕微鏡写真図である。第１図−ａ
から明らかなように本発明の蛍光体の表面は均質膜状（
一部塊状）の導電性物質の被膜で覆われており、第１図
−すの蛍光体とは全く異なった表面構造を有しているこ
とが解る。また被覆方法によって、第１図−Ｃの外観に
近い全く均質状の被膜で被覆された蛍光体も得られる。

第２図は実施例１で得られた低速緑色発光蛍光体ａと、
同じく緑色発光蛍光体ＺｎＣｄ５：　Ａｕ、ＡＩにＩｎ
２Ｏ３を１０００重量％混合した従来の低速黄色発光蛍
光体すと、同じ＜１．０重量％混合した低速緑色発光蛍
光体Ｃとをそれぞれ同一塗布量て蛍光膜として蛍光表示
管に実装し、そしてそれら蛍光表示管の駆動電圧を変化
させた際の相対発光輝度を、蛍光体すを実装した蛍光表
示管を５０Ｖて駆動した際の輝度を１００％として不す
図である。これを見ても解るように、特に蛍光表示管の
場合に重要な、駆動電圧が１００Ｖ以下である場合、本
発明の蛍光体を実装した蛍光表示管は、従来のそれと比
べて明らかに発光開始電圧が低く、輝度が高い。

第３図は青色発光蛍光体（ＺｎＳ：　Ａｇ、ＣＩ）に対
し実施例１と同じ方法を用いてＩｎ２Ｏ３の被覆量を変
化させた本発明の低速蛍光体ａと、同一の青色発光蛍光
体にＩｎ２Ｏ３の混合量を変化させた従来の低速緑色発
光蛍光体すとをそれぞれ蛍光表示管に実装し駆動電圧５
０Ｖで発光させた際の、導電性物質の量と、発光輝度の
関係を示す図である。これも同じ＜Ｉｎ２Ｏ３を１０重
量％混合した従来の低速青色発光蛍光体を実装した蛍光
表示管の輝度を１００％としてその相対輝度でもって表
す。第４図も緑色発光蛍光体（ＺｎＳ：　Ｃｕ、ＣＩ）
に対しＩｎ２Ｏ３の被覆量を変化させた本発明の低速緑
色発光蛍光体ａと、混合量を変化させた従来の低速緑色
発光蛍光体すをそれぞれ蛍光表示管に実装し５０Ｖで発
光させた際の相対輝度を示す図であり、１００％は同じ
くＩｎ２Ｏ３を１０重量％混合した従来の低速緑色発光
蛍光体を実装した蛍光表示管の輝度とする。第６図も黄
色発光蛍光体（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ａｕ、ＣＩ）に対し
Ｉｎ２Ｏ３の被覆量を変化させた本発明の低速黄色発光
蛍光体ａと、混合量を変化させた従来の低速黄色発光蛍
光体すをそれぞれ蛍光表示管に実装し５０Ｖで発光させ
た際の相対輝度を示す図であり、１００％は同じくＩｎ
２Ｏ３を１０重量％混合した従来の低速黄色発光蛍光体
を実装した蛍光表示管の輝度とする。第６図も同じく赤
色発光蛍光体（（Ｚ　ｎ　Ｃｄ　）Ｓ：　　Ｃｕ、ＡＩ
）に対しＩｎ２Ｏ３の被覆量を変化させた本発明の低速
蛍光体ａを実装した蛍光表示管と、従来の低速蛍光体す
を実装した蛍光表示管を５０Ｖで発光させた相対輝度を
表す図であり、１００％はＩｎ２Ｏ３を８．０重量％混
合した従来の低速赤色発光蛍光体を実装した蛍光表示管
の輝度とする。

これらの図で明らかなように低速蛍光体を実装した画表
示管ともそれぞれ特定のＩｎ２Ｏ３Ｉを超えると、陽極
プレートの負電荷によるチャージアップ現象がＩｎ２Ｏ
３によって低減され、輝度の極大値がある。しかしその
極大値を超えると逆にＩｎ２Ｏ３の発光妨害、光吸収等
の作用によって輝度が徐々に低下する。本発明の蛍光体
は妨害するＩｎ２Ｏ３の量が少なく、かつ優れた導電性
を有しているがために、それを蛍光膜として実装した蛍
光表示管は従来の蛍光表示管に比へて格段に輝度が向上
していることが解る。

また本発明の低速蛍光体における導電性物質の被覆量の
適正値は各発光色によって異なっている。

これは各発光色蛍光体の発光閏始電圧の違いによるもの
であり、通学前、緑、白、黄、橙、赤の順に発光間始電
圧は低くなる。従って発光閏始電圧の高い青色発光蛍光
体には多量の導電性物質の被覆が必要となるが、逆に発
光閏始電圧の低い赤色発光蛍光体では少量の導電性物質
の被覆で十分な導電性が蛍光体に付与できる。

以上のことから本発明の蛍光体は、導電性物質の混合さ
れた従来の低速蛍光体に比べ、導電性物質の蛍光体に対
する付着構造が全く異なることによって蛍光体全体の導
電性が向上している。従ってそれを塗布した蛍光膜は電
気抵抗値が下がり、その蛍光膜における電圧降下が減少
することによって駆動電圧の損失が少なくなる。そのた
め蛍光体励起に必要な電子が効率よく十分に加速される
。

また非発光及び光吸収体である導電性物質の量を著しく
低減したため蛍光体の発光が阻害されることが少なくな
る。それらの相乗効果によって本発明の蛍光体及び蛍光
膜を有した蛍光表示管の輝度は著しく向上した。

［実施例］ 以下実施例で本発明を詳説する。

（実施例１） Ｉｎ２０３試薬（和光純薬！りを圧力成形した後、空気
中、中性雰囲気で１５００’Ｃ１３時間の焼結を行い蒸
着用ターゲットを得た。このターゲットをスパッター蒸
着装置に設置し、緑色発光蛍光体（ＺｎＳ：　　Ｃｕ、
ＡＩ）１００ｇを撹拌しながら蛍光体表面に蒸着を行っ
た。

Ｉｎ２Ｏ３被膜の付着量が蛍光体に対し２．５重量％に
なるまで蒸着を行い本発明の低速緑色発光蛍光体を得た
。

次にこの低速蛍光体５０ｇを分取し、５．０重量％のＰ
ＶＡ水溶液３０ｇを添加し十分練り合わせた後、セラミ
ック基板に支持された１ｃｍ２の金製の陽極プレート上
にスクリーン塗布し、乾燥した。その陽極プレートをセ
ラミック基板ごと、４５０℃で３０分間焼成してＰＶＡ
を分解し本発明の蛍光膜を得た。さらにカルシウム、ス
トロンチウム、及びバリウムの酸化物によって被覆され
たタングステン線状ヒータの陰極を、前記蛍光膜から約
５　ｍ　ｍの間隔をおいて設置し、これら一対の電極を
ガラス容器内に設置した。そしてガラス容器内の排気を
行い１０−５ｔｏｒｒぐらいの圧力でガラス容器を封止
し、次いでゲッターを飛ばして真空度を高め蛍光表示管
を得た。

また比較例としてＩ　ｎ２０ａを同一の緑色発光蛍光体
に対し１０重量％混合した従来の低速緑色発光蛍光体を
作成し、同様にして蛍光表示管も作成した。これら蛍光
表示管を陽極プレート電圧（駆動電圧）５０■、陰極電
圧１．２Ｖ、電流密度２ｍＡ／Ｃｍ２０条件下でそれぞ
れ発光させたところ、従来の低速緑色発光蛍光体を実装
した蛍光表示管の輝度を１００％とすると、本発明の低
速緑色発光蛍光体を実装した蛍光表示管は１４５％の輝
度を得た。

（実施例２） ターゲットの材料としてＳｎＯ２試薬（和光純薬ｍ＞を
使用しただけで後は実施例１と同様にして青色発光蛍光
体（ＺｎＳ：　Ａｇ、ＡＩ）１００ｇに対し、２．０重
量％のＳｎＯ２の均一被膜を形成し、本発明の低速青色
発光蛍光体を得た。

また比較例として同一の青色発光蛍光体に対し１０００
重量％の５ｎ０２を混合した従来の低速青色発光蛍光体
も作成した。

これら低速青色発光蛍光体５０ｇを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ、従来の低速青色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管の輝度を１００％とすると、本発明の低速
青色発光蛍光体を実装した蛍光表示管は１４０％の輝度
を示した。

（実施例３） 加熱酸化により導電性物質となり得る有機溶媒可溶性金
属化合物として、Ｉｎ２Ｏ３換算で５重量％、ＳｎＯ２
換算で０．　５重量％を含むアトロンＮＩｎ（日本曹達
製商品名）を用いた。

このアトロンＮＩｎ２０ｇをエタノール１００ｍ１に溶
解し、このエタノール溶液中に黄色発光蛍光体（（Ｚｎ
Ｃｄ）Ｓ：　Ａｇ、ＡＩ）　１００ｇを添加し、十分懸
濁させた後、６０℃に加温してエタノールを揮散させた
。

この蛍光体を取り出し、空気中中性雰囲気で５００℃に
て１時閉焼成を行った後、黄色発光蛍光体に対しＩｎ２
Ｏ３が１．　０重量％、５ｎａ２が０゜１重量％含まれ
る導電性物質の均質膜によって被覆された本発明の低速
黄色発光蛍光体を得た。

また比較例として同一の黄色発光蛍光体に対し１０００
重量％のＩｎ２Ｏ３を混合した従来の低速黄色発光蛍光
体も作成した。

これら低速黄色発光蛍光体５０ｇを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速黄色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は１４５％の輝度を得た。

（実施例４） 青色発光蛍光体である（Ｚ　ｎ　Ｓ：　Ａｇ、Ａ　Ｉ　
）と黄色発光蛍光体である（ＺｎＳ：　Ａｕ、ＡＩ）と
を重量比で１＝　２で混合した白色発光蛍光体１００ｇ
を用意し、実施例３と同様にアトロンＮｌｎを用い、白
色発光蛍光体に対しＩｎ２Ｏ３が１．０重量％、Ｓ　ｎ
　０２が０．１重量％被覆した本発明の低速白色発光蛍
光体を得た。

また比較例として同一の白色発光蛍光体に対し１０００
重量％のＩｎ２Ｏ３を混合した従来の低速白色発光蛍光
体も作成した。

これら低速白色発光蛍光体５０ｇを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速白色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は１４０％の輝度を得た。

（実施例５） 赤色発光蛍光体（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　Ｃｕ、ＣＩ）　１
００ｇを５０ｍ１の水中に添加し十分撹拌した。

この懸濁液にＩｎ２Ｏ３換算含量１．　０重量％の■ｎ
２（ＳＯ２）３水溶液１０ｇを添加し、再び十分撹拌し
た後、静置して８０℃に加温して水を蒸発させた。乾燥
した蛍光体を５００℃で焼成し本発明の低速赤色発光蛍
光体を得た。

比較例として同一の赤色発光蛍光体に対し５゜０重量％
のＩｎ２Ｏ３を混合した従来の低速赤色発光蛍光体も作
成した。

これら低速赤色発光蛍光体５０ｇを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速赤色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は１５０％の輝度を得た。

（実施例６） 橙色発光蛍光体（（ＺｎＣｄ）Ｓ：　　Ｃｕ、ＣＩ）　
１００ｇを５０　ｍ　ｌのエタノール中に添加し十分撹
拌した。この懸濁液に■ｎ２０３換算含量１．０重量％
のＩ　ｎ　（ＮＯ３）　３・３Ｈ２０の水溶液１０ｇを
添加し、再び十分撹拌した後、静置して５０℃に加温し
てエタノール及び水を蒸発させた。その様にして乾燥し
た蛍光体を同じく５００℃で焼成して本発明の低速橙色
発光蛍光体を得た。

同様に比較例として同一の橙色発光蛍光体に対し５．０
重量％のＩｎ２Ｏ３を混合した従来の低速橙色発光蛍光
体も作成した。

これら低速橙色発光蛍光体５０ｇを用いて実施例１と同
様にして蛍光表示管を作成し、実施例１と同一の条件で
発光させたところ本発明の低速橙色発光蛍光体を実装し
た蛍光表示管は１４５％の輝度を得た。

［発明の効果］ 本発明の低速蛍光体及び蛍光膜において、蛍光体表面で
均質膜状又は半均質膜状となっている導電性物質の効果
は非常に大き〈従来の低速蛍光体に比べて輝度が格段に
向上した。また輝度だけでなく、陽極プレートへの塗布
特性、蛍光体の劣化等についても従来の低速蛍光体と同
等若しくはそれ以上であった。

また本発明の蛍光体とＩｎ２Ｏ３等の導電性物質を乾式
混合しても良好な結果が得られることは言うまでもない
。

本発明の均質膜状又は半均質膜状の導電性物質を被覆さ
せる蛍光体としては硫化亜鉛系蛍光体、硫化非錯カドミ
ウム系蛍光体に限らず、低速蛍光体として適用し得る他
の蛍光体全てに適用できる。

さらに本発明の蛍光体は薄型陰極線管の蛍光面を形成す
るための蛍光体としても用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図−ａは本発明に係る代表的な低速蛍光体の表面の
構造を示す電子顕微鏡写真図、第１図−ｂ、第１図−〇
は本発明の蛍光体と比較して従来の低速蛍光体、導電性
を付与する前の通常の蛍光体各々の表面の構造を示す電
子顕微鏡写真図、第２図は本発明の蛍光膜に係る蛍光表
示管と従来の蛍光表示管の駆動電圧と輝度の関係を示す
図、第３図、第４図、第５図及び第６図は低速蛍光体の
導電性物質の量とその蛍光体を実装した蛍光表示管の輝
度の関係を表す図であり、第３図は本発明に係る低速青
色発光蛍光体及び従来の低速青色発光蛍光体を実装した
蛍光表示管の輝度を比較して示す図、第３図も本発明に
係る低速緑色発光蛍光体及び従来の低速緑色発光蛍光体
を実装した蛍光表示管の輝度を比較して示す図、第４図
も同じく本発明に係る低速黄色発光蛍光体及び従来の低
速黄色発光蛍光体をそれぞれ実装した蛍光表示管の輝度
を比較して示す図、第５図も同じく本発明に係る低速赤
色発光蛍光体及び従来の低速赤色発光蛍光体をそれぞれ
実装した蛍光表示管の輝度を比較して示す図である。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式ＺｎＳ：Ｍ＿１，Ｍ＿２（但しＭ＿１はＡ
   ｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｕの群から選ばれた少なくとも一種
   の元素であり、Ｍ２はＡｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉの群か
   ら選ばれた少なくとも一種の元素である。）又は一般式
   （ＺｎＣｄ）Ｓ：Ｍ＿１，Ｍ２で表される蛍光体のうち
   から選ばれた少なくとも一種の蛍光体の少なくとも表面
   全体を、均質膜状又は半均質膜状の導電性金属酸化物が
   被覆して成ることを特徴とする低速電子線励起蛍光体。
2. （２）前記蛍光体が青色発光蛍光体であり、その蛍光体
   の少なくとも表面全体を前記導電性金属酸化物が、蛍光
   体に対し０．１重量％以上１０．０重量％未満の範囲で
   被覆して成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の低速電子線励起蛍光体。
3. （３）前記蛍光体が緑色発光蛍光体若しくは白色発光蛍
   光体であり、それら蛍光体の少なくとも表面全体を前記
   導電性金属酸化物が、蛍光体に対し０．０８重量％以上
   ９．０重量％以下の範囲で被覆して成ることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の低速電子線励起蛍光体。
4. （４）前記蛍光体が黄色発光蛍光体であり、その蛍光体
   の少なくとも表面全体を前記導電性金属酸化物が、蛍光
   体に対し０．０６重量％以上８．０重量％以下の範囲で
   被覆して成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の低速電子線励起蛍光体。
5. （５）前記蛍光体が赤色発光蛍光体若しくは橙色発光蛍
   光体であり、その蛍光体の少なくとも表面全体を前記導
   電性金属酸化物が、蛍光体に対し０．０５重量％以上７
   ．０重量％以下の範囲で被覆して成ることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の低速電子線励起蛍光体。
6. （６）特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項
   又は第５項記載の低速電子線励起蛍光体が発光成分とし
   て成ることを特徴とする蛍光膜。