JPS59133285A - 低速電子線励起用螢光体 - Google Patents
低速電子線励起用螢光体Info
- Publication number
- JPS59133285A JPS59133285A JP788583A JP788583A JPS59133285A JP S59133285 A JPS59133285 A JP S59133285A JP 788583 A JP788583 A JP 788583A JP 788583 A JP788583 A JP 788583A JP S59133285 A JPS59133285 A JP S59133285A
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- JP
- Japan
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- phosphor
- electron beam
- red
- speed electron
- low
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤色の発光を呈する低速電子線用螢光体に関す
る。さらに詳しくは本発明の特定の粒子径分布を有する
導電性金属酸化物(In、O,、SnO,。
る。さらに詳しくは本発明の特定の粒子径分布を有する
導電性金属酸化物(In、O,、SnO,。
Zn0)のうち少くとも1つと、特定の赤色螢光体のう
ち少くとも1つとを適当量混合してなる低速電子線用螢
光体に関する。
ち少くとも1つとを適当量混合してなる低速電子線用螢
光体に関する。
従来、低速電子線励起によっての赤色発光を示す発光組
成物としては酸化インジウム(InsO++ )と銀お
よびアルミニウム付活硫化唾鉛カドミウム螢光体[(Z
n1−x Cdx ) S:#Ag、AJ ) とを
に9〜9.1の重量比で混合してなる発光組成物、およ
び酸化亜鉛(ZnO)とをに9〜9:1の重量比で混合
してなる発光組成物が仰られている。これらの発光組成
物は加速電圧I KV以下、特に100V以下の低速電
子線励起下で赤色発光を示すが実用的な面からさらに発
光輝度の向上が望まれている。
成物としては酸化インジウム(InsO++ )と銀お
よびアルミニウム付活硫化唾鉛カドミウム螢光体[(Z
n1−x Cdx ) S:#Ag、AJ ) とを
に9〜9.1の重量比で混合してなる発光組成物、およ
び酸化亜鉛(ZnO)とをに9〜9:1の重量比で混合
してなる発光組成物が仰られている。これらの発光組成
物は加速電圧I KV以下、特に100V以下の低速電
子線励起下で赤色発光を示すが実用的な面からさらに発
光輝度の向上が望まれている。
本発明は加速電圧がI KV以下、特に100V以下の
低速電子線励起下における発光輝度の向上した赤色発光
組成物を提供することを特徴とする特許である。
低速電子線励起下における発光輝度の向上した赤色発光
組成物を提供することを特徴とする特許である。
すなわち、本発明は中央値が0.1μ〜2.4μ、標準
偏差値(J、090 )が0.7以下である粒度分布を
有する導電性金属酸化物(I n20. 、 SnO,
、ZnO)のうち少くとも1つと組成式が((Znz−
x Cdx ) S 4・A9 、 AJ (但し0.
6≦X≦0.9))で表わされ銀およびアルミニウムの
付活量が母体(Zn1−x Cdx ) S1gに対し
それぞれlXl0−”〜5X10−29 、 O〜5×
10−” 9である赤色発光螢光体とを14:1〜1:
14の重量比で混合してなる低速電子線励起用螢光体で
ある。
偏差値(J、090 )が0.7以下である粒度分布を
有する導電性金属酸化物(I n20. 、 SnO,
、ZnO)のうち少くとも1つと組成式が((Znz−
x Cdx ) S 4・A9 、 AJ (但し0.
6≦X≦0.9))で表わされ銀およびアルミニウムの
付活量が母体(Zn1−x Cdx ) S1gに対し
それぞれlXl0−”〜5X10−29 、 O〜5×
10−” 9である赤色発光螢光体とを14:1〜1:
14の重量比で混合してなる低速電子線励起用螢光体で
ある。
本発明者等は上記の従来知られている赤色発光組成物の
発光輝度を向上させるために梗々の研究を行なった。そ
の結果、特定の粒子径分布を有するIn2O,あるいは
ZnOを適当量用いた場合には発光輝度の向上した発光
組成物が得られることを見出し、さらにこのような効果
はIns、、 、 ZnOに限らずこれらの代シに酸化
錫(5nOs ) 、酸化チタン(TiO2)、酸化タ
ングステン(WOs )、酸化ニオブ(NbjlOll
)等の導電性金属酸化物を用いた場合についても得られ
、本発明を完成するに至った。
発光輝度を向上させるために梗々の研究を行なった。そ
の結果、特定の粒子径分布を有するIn2O,あるいは
ZnOを適当量用いた場合には発光輝度の向上した発光
組成物が得られることを見出し、さらにこのような効果
はIns、、 、 ZnOに限らずこれらの代シに酸化
錫(5nOs ) 、酸化チタン(TiO2)、酸化タ
ングステン(WOs )、酸化ニオブ(NbjlOll
)等の導電性金属酸化物を用いた場合についても得られ
、本発明を完成するに至った。
本発明の発光組成物の構成成分である導電性物質に用い
られる導電性金属酸化物としてはI n、、0. 。
られる導電性金属酸化物としてはI n、、0. 。
ZnO、SnO,、Tie、 、 WO,、Nb、05
’l;挙ケラレル。
’l;挙ケラレル。
%、渣得られる組成物の発光輝度の点からIn40.。
5n02.およびZnOがよシ好ましい。なおIn、O
8とSnO2とを比較すると、赤色発光螢光体が同一で
ある場合、一般に加速電圧が60V以下の場合はIn、
03を用いた組成物の方がSnugを用いた組成物より
も発光輝度が筒く、加速電圧が60Vよシも高い場合に
はその逆となる。
8とSnO2とを比較すると、赤色発光螢光体が同一で
ある場合、一般に加速電圧が60V以下の場合はIn、
03を用いた組成物の方がSnugを用いた組成物より
も発光輝度が筒く、加速電圧が60Vよシも高い場合に
はその逆となる。
これら導電性金属酸化物は中央値が0.1〜2.4μ、
標準偏差i[(Jogσ)が0.7以下の粒子径分布を
有するものが用いられる。ここで標準偏差値は第3図の
分布曲線に適した対数標準偏差値J−ogσ を用いて
いる。中央値が上記範囲外であシ、標準偏差値が07よ
シ大きい粒度分布を有するものは得られる組成物の発光
輝度が低く使用されない。よシ好ましい中央値範囲は導
電性物質と混合される赤色発光螢光体は一般には3〜1
0μである。また標準偏差値は中央値が一定である場合
できるだけ小さい方が好ましく、一般には0.5以下で
あるのが好ましい。
標準偏差i[(Jogσ)が0.7以下の粒子径分布を
有するものが用いられる。ここで標準偏差値は第3図の
分布曲線に適した対数標準偏差値J−ogσ を用いて
いる。中央値が上記範囲外であシ、標準偏差値が07よ
シ大きい粒度分布を有するものは得られる組成物の発光
輝度が低く使用されない。よシ好ましい中央値範囲は導
電性物質と混合される赤色発光螢光体は一般には3〜1
0μである。また標準偏差値は中央値が一定である場合
できるだけ小さい方が好ましく、一般には0.5以下で
あるのが好ましい。
上記のような粒子径分布を有する導電性金属酸化物は一
般試薬あるいは一般試薬を空気中、中性雰囲気中あるい
は弱還元性雰囲気中で焼成することによって得た焼成物
を直接、あるいはボールミル ロールミル等によって粉
砕した後分級することによって得る。また炭酸塩、蓚酸
塩、水酸化物等の高温で容易に金属酸化物に変わシ得る
化合物を空気中で焼成して金属酸化物を得、これを分級
することによって得てもよい。焼成物を用いるのは焼成
しない生粉に比較して焼成物の方が温度安定性が良いか
らであシ、従って焼成物を用いた場合の方が生粉を用い
た場合よシも発光の安定性のよい組成物を得ることがで
きる。
般試薬あるいは一般試薬を空気中、中性雰囲気中あるい
は弱還元性雰囲気中で焼成することによって得た焼成物
を直接、あるいはボールミル ロールミル等によって粉
砕した後分級することによって得る。また炭酸塩、蓚酸
塩、水酸化物等の高温で容易に金属酸化物に変わシ得る
化合物を空気中で焼成して金属酸化物を得、これを分級
することによって得てもよい。焼成物を用いるのは焼成
しない生粉に比較して焼成物の方が温度安定性が良いか
らであシ、従って焼成物を用いた場合の方が生粉を用い
た場合よシも発光の安定性のよい組成物を得ることがで
きる。
一方本発明の発光組成物のもう1つの構成成分である赤
色発光成分螢光体に用いられる( Zn1−xCa、
) S÷Ag、Aj螢光体は従来仰られている製造方法
によって製造されたものである。これら螢光体は一般に
中央値が1μ〜20μ、標準偏差値が07以下の粒贋分
布を有している。本発明において、特に好ましいのは中
央値が3μ〜10μのものである。
色発光成分螢光体に用いられる( Zn1−xCa、
) S÷Ag、Aj螢光体は従来仰られている製造方法
によって製造されたものである。これら螢光体は一般に
中央値が1μ〜20μ、標準偏差値が07以下の粒贋分
布を有している。本発明において、特に好ましいのは中
央値が3μ〜10μのものである。
本発明の発光組成物は上述の導電性物質と赤色発光螢光
体とを乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等によって得る
ことができる。両者は2s、電性物質/赤色発光螢光体
の値がL/14〜144となる重量比で混合される。導
電物質の値が1/14よシ小さいとき導電物質によるチ
ャージアップ防止効果は得られず従って組成物はその特
性が赤色発光螢光体に近いものとなシ低速電子線励起下
で発光しなくなる。一方導電性v!J質/赤色発光螢光
体の値が14/1よシ大きいとき、得られる組成物は発
光は非常に弱いものとなる。これはチャージアップ防止
効果は充分であるが導電物質によって螢光体からの発光
が遮われるためであると考えられる。
体とを乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等によって得る
ことができる。両者は2s、電性物質/赤色発光螢光体
の値がL/14〜144となる重量比で混合される。導
電物質の値が1/14よシ小さいとき導電物質によるチ
ャージアップ防止効果は得られず従って組成物はその特
性が赤色発光螢光体に近いものとなシ低速電子線励起下
で発光しなくなる。一方導電性v!J質/赤色発光螢光
体の値が14/1よシ大きいとき、得られる組成物は発
光は非常に弱いものとなる。これはチャージアップ防止
効果は充分であるが導電物質によって螢光体からの発光
が遮われるためであると考えられる。
本発明で得られる発光組成物を例えば第1図に示すよう
な低速電子線励起装置1内にセットして、カソード2か
らの電子線3をグリッド4を通して発光面5に照射する
ことにより低速電子線で十分量るい発光をさせることが
出来る。
な低速電子線励起装置1内にセットして、カソード2か
らの電子線3をグリッド4を通して発光面5に照射する
ことにより低速電子線で十分量るい発光をさせることが
出来る。
第2図はIngotと銀およびアルミニウムの付活量が
10−2979 、5X 10−8gである( Zn0
2CdO,8)S=:=A&、AJ、螢光体とを混合し
た発光組成物におけるIn201.含有量(重量ズ)と
組成物の発光輝度との関係を示すグラフで1、曲線a、
bおよびCはそれぞれ標準偏差値はいずれも0.4であ
るが中央値がそれぞれ0.3μ、0,6μ、1.5/J
であるIn、O,を用いた場合である。なお第2図にお
いて発光輝度(縦軸)は曲線Cの最大発光輝度を100
メとした相対値で表わしである。
10−2979 、5X 10−8gである( Zn0
2CdO,8)S=:=A&、AJ、螢光体とを混合し
た発光組成物におけるIn201.含有量(重量ズ)と
組成物の発光輝度との関係を示すグラフで1、曲線a、
bおよびCはそれぞれ標準偏差値はいずれも0.4であ
るが中央値がそれぞれ0.3μ、0,6μ、1.5/J
であるIn、O,を用いた場合である。なお第2図にお
いて発光輝度(縦軸)は曲線Cの最大発光輝度を100
メとした相対値で表わしである。
第2図から明らかなように、In、0.の中央値が小さ
くなればなるほど最大発光輝度を得るのに必要なIII
、10.含有量は小さく々る。すなわち、中央値が小さ
いIn、08を用いれば中央値がよシ大きいIn20g
を用いた場合よシも少いI n、O,含有量で高輝度の
発光を得ることが出来る。まだ第2図から明らかなよう
に各中央値における最大発光輝度を比較した場合、In
tO,の中央値が0.6μで最大発光輝度は最も高くな
る。
くなればなるほど最大発光輝度を得るのに必要なIII
、10.含有量は小さく々る。すなわち、中央値が小さ
いIn、08を用いれば中央値がよシ大きいIn20g
を用いた場合よシも少いI n、O,含有量で高輝度の
発光を得ることが出来る。まだ第2図から明らかなよう
に各中央値における最大発光輝度を比較した場合、In
tO,の中央値が0.6μで最大発光輝度は最も高くな
る。
第3図は第2図と同じ(In20Bと(Zn 1−x
Cdx )S・ニーALi、A1.螢光体とを混合した
発光組成物において、標準偏差を一定(σ=o、4)n
した場合のInρ3の中央値と組成物の最大発光輝度と
の関係を示すグラフである。第3図において最大発光輝
度(縦軸)は中央値が15μであるIn2O,を用いた
組成物の最大発光輝度を100スとした相対値で表わし
である。
Cdx )S・ニーALi、A1.螢光体とを混合した
発光組成物において、標準偏差を一定(σ=o、4)n
した場合のInρ3の中央値と組成物の最大発光輝度と
の関係を示すグラフである。第3図において最大発光輝
度(縦軸)は中央値が15μであるIn2O,を用いた
組成物の最大発光輝度を100スとした相対値で表わし
である。
第3図から明らかなように、中央値がおよそ0.6μま
では中央値が小さくなればなるほど最大発光輝度は向上
し、およそ0.6μで極太となるが、中央値がさらに小
さくなると最大輝度は逆に低下しはじめる傾向にある。
では中央値が小さくなればなるほど最大発光輝度は向上
し、およそ0.6μで極太となるが、中央値がさらに小
さくなると最大輝度は逆に低下しはじめる傾向にある。
一般試薬のI n、O,は通常20p〜30μの中央値
を有しているが、この一般試薬のIn2O,を用いた発
光組成物の発光輝度を基準として考えれば中央値が0.
1〜2.4pのIn、0.を選択的に用いた場合に発光
輝度の向上した発光組成物を得ることができることがわ
かる特に中央値が03〜1.0μのIn10gを用いた
場合発光RL度は著るしく向上した組成物を得ることが
できる。
を有しているが、この一般試薬のIn2O,を用いた発
光組成物の発光輝度を基準として考えれば中央値が0.
1〜2.4pのIn、0.を選択的に用いた場合に発光
輝度の向上した発光組成物を得ることができることがわ
かる特に中央値が03〜1.0μのIn10gを用いた
場合発光RL度は著るしく向上した組成物を得ることが
できる。
なお標準偏差値もまた組成物の発光輝度に影響を及ぼす
。すなわち、上記0.1〜2.4μの中央値範囲におい
ては標準偏差値が大きくなるに従って発光輝度は低下す
る傾向にある。これは標準偏差値が大きくなればなる一
発光輝度への寄;与率の低い大きな粒子および小さな粒
子をよシ多く含むようになるためである。この点から標
準偏差値は0,7以下と定められる。よシ好ましくは0
.5以下である。
。すなわち、上記0.1〜2.4μの中央値範囲におい
ては標準偏差値が大きくなるに従って発光輝度は低下す
る傾向にある。これは標準偏差値が大きくなればなる一
発光輝度への寄;与率の低い大きな粒子および小さな粒
子をよシ多く含むようになるためである。この点から標
準偏差値は0,7以下と定められる。よシ好ましくは0
.5以下である。
なお第2図、第3図はIn、O,と銀およびアルミニウ
ムの付活量が10−2り/’j 、5X10−89/Q
である( ZnO2Cd08) S’−A9 JL螢光
体とを混合した発光組成物についてのグラフであるがI
n、O,の代シに他の導電粉を用いた場合にも第2図、
第3図と同じ傾向が得られた。本発明の発光組成物にお
いて、導電性金属酸化物の中央値が0.1μ〜24μ、
標準偏差値が07以下の粒子径分布を有するものと限定
し、また導′航性物質と赤色螢光体との混合重量比を1
4/1〜1/14と限定したのは上述の知見に基づいて
である。
ムの付活量が10−2り/’j 、5X10−89/Q
である( ZnO2Cd08) S’−A9 JL螢光
体とを混合した発光組成物についてのグラフであるがI
n、O,の代シに他の導電粉を用いた場合にも第2図、
第3図と同じ傾向が得られた。本発明の発光組成物にお
いて、導電性金属酸化物の中央値が0.1μ〜24μ、
標準偏差値が07以下の粒子径分布を有するものと限定
し、また導′航性物質と赤色螢光体との混合重量比を1
4/1〜1/14と限定したのは上述の知見に基づいて
である。
以上述べたように本発明は加速電圧がI KV以下特に
1oov以下の低速電子線励起下における発光輝度の向
上した赤色発元組酸物番提供するものであシ、その工業
的利用価値は太きい。
1oov以下の低速電子線励起下における発光輝度の向
上した赤色発元組酸物番提供するものであシ、その工業
的利用価値は太きい。
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例1゜
I n20g試薬を溶解し、アンモニア水を加えて水酸
化物を沈澱させ、水洗し濾過乾燥した後1200℃で1
時間空気中で焼成した後粉砕し、その後分級し中央値が
15μ、標準偏差値が0.4の粒子径分布を有するIn
to、 s qと、通常の製造方法で製造した中央値が
6μ、標準偏差値が0.35の粒子径分布を有する(Z
nO,2Cao、s ) s−二=’Ag、AL螢光体
57とを乳鉢を用い充分混合した後混合物から30m2
をとシ第1図に示す装置内に装着した。装着は真空室1
内に設置されている絶縁基板7上の陽極6の上にその組
成物5を設けることにょシ行った。
化物を沈澱させ、水洗し濾過乾燥した後1200℃で1
時間空気中で焼成した後粉砕し、その後分級し中央値が
15μ、標準偏差値が0.4の粒子径分布を有するIn
to、 s qと、通常の製造方法で製造した中央値が
6μ、標準偏差値が0.35の粒子径分布を有する(Z
nO,2Cao、s ) s−二=’Ag、AL螢光体
57とを乳鉢を用い充分混合した後混合物から30m2
をとシ第1図に示す装置内に装着した。装着は真空室1
内に設置されている絶縁基板7上の陽極6の上にその組
成物5を設けることにょシ行った。
この装置の内部をI X I F9Torr以下に排気
した後、酸化物コートフィラメント2を活性化し、フイ
ラメン)X流0.09mAで熱電子3を発生させグリッ
ド4と陽極6の間に0〜150■の電圧を印加したとこ
ろ15V付近から赤色発光がみとめら′f′L30Vで
180Ft、b の輝度が得られた。
した後、酸化物コートフィラメント2を活性化し、フイ
ラメン)X流0.09mAで熱電子3を発生させグリッ
ド4と陽極6の間に0〜150■の電圧を印加したとこ
ろ15V付近から赤色発光がみとめら′f′L30Vで
180Ft、b の輝度が得られた。
実施例2
実施例1と同様にして作製したIn、20.1を分級し
中央値が0.6μ、標準偏差0.4の粒子径分布を有す
るIn2O339と、実施例1と同じ(Z 10.2
Cd08)S・: Ag、AJ螢光体7gとを乳鉢を用
い混合した。
中央値が0.6μ、標準偏差0.4の粒子径分布を有す
るIn2O339と、実施例1と同じ(Z 10.2
Cd08)S・: Ag、AJ螢光体7gとを乳鉢を用
い混合した。
得られる組成物を用い実施例1と同様にして低速電子線
で励起したところ、15V付近から赤色発光がみられ3
0Vで270Ft、Lの輝度が得られた。
で励起したところ、15V付近から赤色発光がみられ3
0Vで270Ft、Lの輝度が得られた。
実施例3
実施例1と同様にして作製したSnO2を分級し、中央
値が05μ標準偏差04の粒子径分布を有するSnO,
39と、実施例1と同じ(ZnO,z Cdo8)S=
?A9 、Aj螢光体7gとを乳鉢を用い混合した。得
られる組成物を用い実施例1と同様にして低速電子線で
励起したところ、18■付近から青色発光がみられ30
Vで240Ft、Lの輝度が得られた。
値が05μ標準偏差04の粒子径分布を有するSnO,
39と、実施例1と同じ(ZnO,z Cdo8)S=
?A9 、Aj螢光体7gとを乳鉢を用い混合した。得
られる組成物を用い実施例1と同様にして低速電子線で
励起したところ、18■付近から青色発光がみられ30
Vで240Ft、Lの輝度が得られた。
第1図は低速電子線励起用デマウンタブル装置を示す断
面図で、1は真空槽、2はカソード、3は照射電子、4
はグリッド、5は発光材料、6は陽極、7は絶縁基板で
ある。第2図はIn、Osと、(Zno、z Cdo、
8)S:4g、A2との混合重量比に対する発光強度を
示す図、第3図はIn2O3と(Zn0.2 (::d
o、a )S”?=Ag、AJ螢光体とを混合した発光
組成物において標準偏差を一定とした場合のIn、Os
の中央値と組成物の最大発生輝度との関係を示す図であ
る。 ≧F ノ 図 AC
面図で、1は真空槽、2はカソード、3は照射電子、4
はグリッド、5は発光材料、6は陽極、7は絶縁基板で
ある。第2図はIn、Osと、(Zno、z Cdo、
8)S:4g、A2との混合重量比に対する発光強度を
示す図、第3図はIn2O3と(Zn0.2 (::d
o、a )S”?=Ag、AJ螢光体とを混合した発光
組成物において標準偏差を一定とした場合のIn、Os
の中央値と組成物の最大発生輝度との関係を示す図であ
る。 ≧F ノ 図 AC
Claims (2)
- (1)中央値が0.1p−2,4μ、標準偏差値(Lo
’iσ)が0.7以下である粒度分布を有する導電性金
属酸化物(In、0. 、 SnO,、ZnO)のうち
少くとも1つと組成式が((Zni−xCdx)SQA
q、Ai (但し、0.6≦X≦0.9))で表わされ
銀およびアルミニウムの付活量が母体(Znx−x C
dx)S 19に対しそれぞれlXl0−5〜5X10
−29 、 O〜5X10−29である赤色発光螢光体
とを14:1〜1:14 の重量比で混合してなること
を特徴とする低速電子線励起用螢光体。 - (2)前記赤色発光螢光体の中央値が3μ〜10μであ
ることを特徴とする特許請求範囲第1項記載の低速電子
線励起用螢光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP788583A JPS59133285A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 低速電子線励起用螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP788583A JPS59133285A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 低速電子線励起用螢光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59133285A true JPS59133285A (ja) | 1984-07-31 |
JPH0352516B2 JPH0352516B2 (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=11678049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP788583A Granted JPS59133285A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | 低速電子線励起用螢光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59133285A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0353653A2 (en) * | 1988-08-01 | 1990-02-07 | Kasei Optonix, Ltd. | Fluorescent composition |
JPH02178386A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-11 | Futaba Corp | 青色発光蛍光体 |
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JPH0352516B2 (ja) | 1991-08-12 |
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