JPS5843978A - ペネム−３−カルボン酸誘導体およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 を有する新規なベネム−３−カルボン酸誘導体及びその
薬理上許容される塩並びＫその製法に関するものである
。

上記式中、　Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基またはＲ４五−基（式中　Ｒ４は水酸基、アルコキシ
基、アシルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、ア
リールスルホニルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ
基、メルカプト基、アルキルチオ基、アミノ基、アシル
アミノ基またはアジド基を示し％ｉキトリフルオロメチ
ル若しくはフェニル−で置換されてもよいアルキレン基
を示す。）を表わし　　Ｒ２はハロゲン原子で置換Ｆｂ
″Ｃいてもよい低級アルキルスλホ二ル基、ｔＶ−ルス
ルホニル基、　Ｒ’Ｂ−ｆｉ　　Ｃ式中、Ｂは低級アル
キレン基を示り、　　ＲＩＳはヒドラジノ基、アシル化
されていてもよいカル／＜モイルアミノ基、カルバモイ
ルオキシ基、エポキシ基、ジアルキルホスホリル基、置
換基を有スるか有しないビリジニウＡ′基。

４　Ｒ７ １ −ＯＯＮＯＯＮＨ基（式中　Ｒ４およびＲ′は同一また
は異なって水素原子または低級アルキル基を示ロゲン原
子、低級アルキル若しくはアリールスルホニルオキシ基
、水酸基またはアミノ基若しＨｌ　　Ｒ９ くは−門二占二晶基（式中、ＲＩおよびＲ９は前アミノ
基若しくは Ｒ１１Ｒ？ −Ｎ二へ二晶基（式中　Ｒ１１および許は前述したもの
と同意義を示す。）を有するアルキル置換アリ−羨基を
示す、〕を表わし、Ｒ１は水素原子またはカルボキシル
基の保躾基を表わす。

前記一般式（１）において、　Ｒ１は好適には例えば水
素原子；メチル、エチル、ｎ−プロピル。

イングロビル、ｎ−ブチル、イソブチル、宸−ブチル、
　ｔａｒｔ　”−”エチル、ｎ−ペンチル、イソヘンチ
ルのような直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルキル基；
例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、インプロ
ポキシ、ｎ−ブトキシ。

インブトキシ、卸−プトキシ、ｔθｒｔ−ブトキシのよ
うな直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルコキシ基または Ｒ４五−基 （式中、　Ｒ４は水酸基；例えばメトキシ、エトキシ、
ｎ−プロポキシ、インプロポキシのような低級アルコキ
シ基；例えばアセトキシ、グロピオニルオキシ、ｎ−ブ
チリルオキシ、イソブチリルオキシのような低級脂肪族
アシルオキシ基若しくはベンジルオキシカルボニルオキ
シ。

ｐ−ニトロベンジルオ中ジカルボニルオキシのようなア
ラルキルオキシカルボニルオキシ基などのアシルオキシ
基；例えばメタンスルホニルオキシ、エタ゛ンスルホニ
ルオキシ、プロパンスルホニルオキシのような低級アル
キルスルホニルオキシ基：例えばベンゼンスルホニルオ
キシ。

ｐ−）ルエンスルホニルオキシのようなアリールスルホ
ニルオキシ基：例えばトリメチルシリルオキシ、ｔθれ
−ブチルジメチルシリルオキシのようなトリ低級アルキ
ルシリルオキシ、基；メルカプト基；例えばメチルチオ
、エチルチオ−ｎ−プロピルチオ、イソプロピルチオの
ような低級アルキルチオ基；アミノ基；例えばアセチル
アミノ、プロピオニルアミノ、ｎ−ブチリルアミノ、イ
ンブチリルアミノのような低級脂肪族アシルアミノ基ま
たはアジド基を示し、ムは例Ｃばメチレン、エチレン、
エチリデン、トリメチレン、グロピリデン、テトラメチ
レン、ブチリデン、ペンタメ、チレン、ペンチリデン、
２Ｌ２−トリフルオロエチリデン、３．：４，３−トリ
フルオロプロピリデン、ベンジリデンのようなトリフル
オロメチル基若しくはフェニル基で置換されてもよいア
ルキレン基を示す、）であり　　Ｈｌは好適には例えば
メチル、エチル。

プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、　
ｔａｒｔ−ブチル、トリフルオロメチル、２゜２．２−
）リフルオロエチルのような直鎖状若しくは分枝鎖状の
ハロゲン原子で置換されていてモヨい低級アルキルスル
ホニル基；フェニル。

ｏ−）リル、ｐ−）リル、０−クロロフェニル。

ｐ−クロルフェニルのようなアリールスルホニル基；　
ＲＩＢ−基〔式中、Ｒｓはヒドラジノ基；例えばカルバ
モイルアミノ基９Ｍ−アセチルカルパモイルア電）基の
よ５なアシル基を有するか有しないカルバモイルアミノ
基；カルバモイルオ今シ基；エポキシ基；例えばメチル
、エチル。

プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、　
ｔ＠ｒｔ−ブチルのような低級アルキル基で置換され【
いてもよいホスホリル基；例えばメチル、エチルのよう
な低級アルキル基若しくは弗素、塩素、臭素のようなハ
ロゲンを有するか有しないビリジニクム基； ４　　Ｒ７ −ＯＯＲ７−０Ｏ基（式中　Ｒ４およびＲ７は同一また
は異なって水素原子または例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピルのような低勢アルキル基を示す。）
、シアノ基；例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロ
ピルチオ、イソプロピｋｆオ、ｎ−ブチルチオのような
低級てルキルチオ基；例えばメチルスルフィニル、エチ
ルスルフイニ、ル、ｎ−プロピルスルフィニル、イソプ
ロピルスルフィニル、ｎ−ブチルスルフィニルのような
低級アルキルスルフィニル基；例えば２−ピロリル、１
−イミダゾリル、２−イ電ダゾリル、４−イミダゾリル
、１−（４−アンノー２−メチルイミダゾリル）　ｍ　
ｓ　−（４−アンノー２−メチルイミダゾリル）、２−
チアゾリル。４−チアゾリル、５−チアゾリル、２−（
４−アミノチアゾリル＞ｅａ−Ｃｚ−アミノチアゾリル
）ｔ４−（ｚ−アミノ−５−ブロモチアゾリル）、４−
オキサシリル、４−（１−ヒドロキクイソキナゾリル）
、２−オ一サゾジル、４−（３−ベンゼンスルホニルオ
キシイソキサゾリル）ｔｔ−トリアゾリル、５−（１−
メチルテトラゾリル）、２−ピリジル、３−゛ピリジル
、４−ピリジル、５−（２−アきノビリジル）、４−（
２−アミノピリジル）、２−（４−アミノピリジル）、
ｔ−（４−ヒドロキシピリジル）、２−ピリミジル、４
−ピリミジル＃　Ｓ　−（２−７ミノビリぐジル）　、
　５−（４−アミノピリミジル）ｓｚ−（４−アミノピ
リミジル）ｅ２−（ｓ−アミノピリミジル）−１６−（
λ４−ジヒドロキシピリミジル）、２−ピラジニル、２
−ベンツチアソリル、２−ペンツイミダゾリル、２−キ
ノリル、４−キノリル。

１−イソキノリル、２−キナゾリル、４−キナゾリル、
２−キノキサリルまたは前記アンノ化合物の菫−ホルム
イミドイル若しくはアセトイ、々ドイル誘導体のような
低級アルキル基、アミノ基、ホルムイ考トイルアミノ基
−アセト・イミドイルア建ノ基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシ基。

低級アルキル若しくはアリールスルホニルオキ−シ基を
有してもよい酸素、硫黄、窒素原子のいチルフェニル、
３−アミノメチルフェニル、４−アミノメチルフェニル
ｅ　４−　（２−７＜、／エチルフェニル）ｔ４−（１
−アミノエチルフェニル）または前記化合物のＮ−ホル
ムイミドイル若しくはＮ−アセトイミドイル訪導体のよ
うなアミノ低級アルキル置換アリール基を示し。

Ｂは例えばメチレン、エチレン、エチリデン。

トリメチレン、プロピレン、プロピリデンのよチル、エ
チル、ｎ−プロピル、イソプロピル。

ｎ−ブチル、イソブチル、　ｔｅｒｔ−ブチルのような
直鎖状若しく・は分枝鎖状の低級アルキル基；例工ば２
二′Ｍ−ドーチル、２．２−ジブロモエチル、２．２．
２−）リクロ四エチルのよ５なハｐゲノ低級アルキル基
；例えばメトキシメチル、エトキシメチル、ｎ−プロポ
キシメチル、イソプロポキシメチル、ｎ−ブトキシメチ
ル、インブトキシメチルのような低級アルコキシメチル
基；例えばアセトキシメチル、プロピオニルオキシメチ
ル、ｎ−ブチリルオキシメチル、インブチリルオキシメ
チル、ビバｉイ）オキシメチルのような低級脂肪族アシ
ルオキシメチル基；例えば１−メトキシカルボニルオキ
シエチル、１−エトキシカルボニルオキシエチル、＊−
ｎ−１０ポキシカルボエルオキシエチル、１−インブト
キシカルボニルオキシエチル、１−ｎ−ブトキシカルボ
ニルオキシエチル、１−インブトキシカルボニルオキシ
エチルのよ５な１−低級アルコキシカルボエルオキシエ
チル基；例えばベンジル、ｐ−メトキシベンジル、０−
ニトロベンジル、ｐ−ニトロベンジルのヨ５’ナアラル
キル基；ベンズヒドジル基または７タリ°ジル基である
。

さらに、前記一般式（１）における％に好適な化金物と
しては　Ｒ１が水素原子、エチル基、α−ヒドロキシエ
チル、α−アセトキシエチル、α−プロピオニルオキシ
エチル、α−ｎ−ブチリルオキシエチル、α−アミノエ
チル、α−アセチルアミノエチル、α−プロピオニルア
建ノエチル、α−ロープチリルア建ノエチルのようなα
位が水酸基、ア宅ノ基、炭素数２乃至４個を有する脂肪
族アシルオキシ基若しくは災素数２乃至４個を有する脂
肪族アジルアミノ基で置換されたエチル基またはメトキ
シ基であり、ＲがＲ’Ｂ−基〔式中、Ｒ“は例えばカル
バモイルアミノ基、Ｎ−アセチルカルバモイルアミノ°
基の例えばジメチルホスホリル、ジエチルホスホリルの
ような低級アルキルホスホリル基；例えばメチル、エチ
ルのよ５な低級アルキル基若しくは弗素、塩素、臭素の
ような）ＳＷゲンを有するか有しないピリジニウム塩； ４　Ｒ１ 一０ＯＮ００１１基（式中　Ｒ４およびＲ′は同一また
は異なって水素原子または例えばメチル、エチルのよう
な低級アルキル基を示す。）ニジアノ基９例えばメチル
チオ、エチルチオのような低”　級７　ルキ、Ａ／チオ
基；例えばメチルスルフィニル。

エチルスルフィニルのよ５ｆｔ低級アルキルスルフィニ
ル基；例えば１−イミダゾリル、２−イミダゾリル、４
−イミダゾリル、１−（４−アンノー２−メチ、ルイミ
ダゾリル）、３−（４−アミノ−２−メチルイミダゾリ
ル）ｔ２−（４−アミノチアゾリル）１４−（２−アミ
ノチアゾリル）、４−オキサシリル、４−（ｍ−ヒトル
キシイソキサゾリル）、１−トリアゾリル。

５−（１−メチルテトラゾリル）、２−ピリジル、Ｓ−
ピリジル、４−ピリジル、３−（２−７ンノピリジル）
、２−ピリミジル、４−ピリミジルｔ　ｓ　−（２−ア
ミノピリミジル）、５−（４−アミノピリミジル）、２
−（４−アミノピリミジル）ｅ２−（ｓ−アミノピリミ
ジル）。

２−ピラチニルまたは前記アミノ化合物のＮ−ホルムイ
ミドイタ若しくはＮ−アセトイミドル誘導体のような低
級アルキル基、アミノ基若しくはヒドロキシ基を有して
もよい酸素、硫黄。

フェニル、３−アミノメチル７エ二ル、４−アミノメチ
ルフェニル、４−（２−アミノエチルフェニル）＊４−
（ｔ−アミノエチルフェニル）または前記化合物のＮ−
ホルムイミドイル若しくはＮ−アセトイミドイル銹導体
のようなアミノ低級アルキル置換アリール基を示し、Ｂ
は例えばメチレン、エチレン、エチリデン、トリあり　
　ＲＩＳは水素原子またはピバロイルオキシメチル基で
ある化合物をあげることができる。

なお、前記一般式（１）を有する化合物においては不斉
炭素原子に基く光学異性体および立体異性体が存在し、
これもの異性体がすべて単一の式で示されているが、こ
れによって本発明の記載の範囲は限定されるものではな
い。しかしながら、好適には５位の炭素原子がペニシリ
ン類と同一配位すなわちＲ配位な有する化合物を選択す
ることができる。

また、前記一般式（１）において、　ＢＳが水素原子で
あるカルボン酸化合物は必要に応じて薬理上許容される
塩の形にすることができる。そのような塩としては、リ
チウム、ナトリウム、カリクム、カルシウム、マグネシ
ウムのような無機金属の塩あるいはアンモニウム、シク
ロヘキシルアンモニウム、ジイソプロピルアンモニウム
、トリエチルアンモニウムのようなアンモニウム塩類を
あげることができるが、好適にはナトリウム塩およびカ
リウム塩である。

本発明の前記一般式（１）を有する化合物１１、ペニシ
リン環の２位と３位の間に二重結合が存在するベネム誘
導体に属し、その２位に各種置換メルカプト基を有する
新規な化合物の一群であり、これらの化合物は優れた抗
菌活性を表わし医薬とし【有用な化合物であるか、ある
いはそれらの活性な衆わす化合物の重要合成中間体であ
る。

本発明によって得られる前記一般式（１）を有する化合
物としては例えば以下に記載する化合物があげられる。

（１）　’　＠　−（１−ヒドロキシエチル）−２−（
１−メチル−ＩＨ−テトラゾール−５−イルメチルチオ
）ベネム−３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若し
くはカリウム塩 （２）２−（４−ピリジルメチルチオ）ベネム−３−カ
ルボン酸 （ａ＋ｚ−（２−ピリジルメチルチオ）ベネム−３−カ
ルボン酸 １４）　　！−［２−（、Ｍ−アセチルカルバ七イルア
ミノ）エチルチオ］ペネムー３−カルボン酸およびその
ナトリウム塩若しくはカリウム塩（５１２−（２−＊ル
パモイルアミンエチルチオ）ベネム−３−カルボン酸お
よびそのナトリウム塩若しくはカリウム塩 （６）　　２−　（ｉ　−＊ルパモイルオキシエチルチ
オ）ベネム−３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若
しくはカリウム塩 （７）２−（λ３−エポキシプロビルチオ）ペネム゛−
３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若しくはカリウ
ム塩 （８）２−（Ｓ−ベンゼンスルホニルオキシイソキサゾ
ール−５−イルメチルチオ）ペネム−３−カルボン酸お
よびそのナトリウム塩若しくはカリウム塩 （９１２−（ウラシル−５−イルメチルチオ）ペネム−
３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若しくはカリウ
ム塩 鱒　２−（！−アミノチアゾールー４−１イルメチルチ
オ）ペネム−３−カルボン酸およびナトリウム塩若しく
はカリウム塩 亀１　２−（２−アミノ−５−ソロモチアゾール−４−
イルメチルチオ）ペネム−３−カルボン酸 ｕ　　２−（１−クレイドカルポニルエチルチオ）ペネ
ム−３−力Ｊｐｄン酸およびそのナトリウム塩若しくは
カリウム塩 ｕ　　２−（フレイドカルボニルメチルチオ）ペネム−
３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若しくはカリウ
ム塩 も４　　＠−（１−ヒドロキシエチル）−２−（クレイ
ドカルｇニルメチルチオ）ペネム−３−カルボン酸およ
びそのナトリウム塩若しくはカリウム塩 １！１　２−（１−メチルウレイドカルボニルメチルチ
オ）ペネム−３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若
しくはカリウム塩 （１１１２−（２−ペンズイ電ダゾリルメチルチオ）ペ
ネム−３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若しくは
カリウム塩 １１１＠−（１−ヒドロキシエチル）−２−（４−ヒリ
ジルメチルチオ）ペネム−３−カルボン酸およびそのナ
トリウム塩若しくはカリウム塩 舖　２−トリフルオロメタンスルホニルチオペネム−３
−カルボン酸 四　２−（２−ヒドラジノエチルチオ）ペネム−３−カ
ルボン酸 ＠ｌ　　ｍ−（１−ヒ）’Ｈキシ！チル）−２−（２−
アミノピリジン−３−イルメチルチオ）ペネム−３−カ
ルボン酸 （財）　−一（１−とドロキシエチル）−２−（２−−
アミノチアゾール−４−イルメチルチオ）ペネム−３−
カルボン酸 （２）　６−（％−ヒドロキシエチル）−２−（２−ア
ミノ−５−ブロモチアゾール−４−イルメチルチオ）ペ
ネム−３−カルボン酸 （２）　２−（１−メチル−１Ｈ−テトラゾール−５−
イルメチルチオ）ペネム−３−カルボン酸およびそのナ
トリウム塩若しくはカリウム塩 ＨＩＩ−（１−ヒドロキシエチル）−２−（２−ヒドラ
ジノエチルチオ）ペネム−３−カルボン酸 ＠　　２−［２−（２−アミノ−ＩＨ−イミダゾール−
１−イル）エチルチオ］ペネ、ムー３−カルボン酸 ＠　　２−［２−（２−メチル−４−アミノ−１Ｈ−４
Ｚ！ゾール〜１−イル）エチルチオ］ペネムー３−カル
ボン酸 ＠　　２−［２−（２−メチル−５−アンノー１１１−
４　ｉ　／　’／−ルー１−イル）エチルチオ］ペネム
ー３−カルボン酸 ＠　　２−［２−（２−ピリジル）エチルチオ］ペネム
ー３−カルボン酸 ＠　　２−［２−（１−ピリジニウム）エチルチオ］ペ
ネムー３−カルボキシレート ＠　　２−［４−（１−メチルピリジニウム）メチルチ
オ］ペネムー３−カルボキシレート・珍　６−（１−ヒ
ドロキシエチル）−２−（４−ア叱ツメチルフェニルメ
チルチオ）ペネム−島−カルボン酸 Ｗ　　２−（２−ジエチルホスホノエチルチオ）ペネム
−３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若しくはカリ
ウム塩 ＠　２−シアノメチルチオペネム−３−カルボン酸およ
びそのナトリウム塩若しくはカリウム塩 ｏ４２−シアノメチルチオ−６−（１−ヒドロキシエチ
ル）ベネム−３−カルボン酸およびそのナトリウム塩若
しくはカリウム塩 缶　２−（１−シアノエチルチオ）−６−（１−ヒドロ
キシエチル゛）ベネム−３−カルボン酸およびそのナト
リウム塩若しくはカリウム塩 ＠　２−メチルチオメチルチオベネム−３−力ｆｉ／ｙ
ｙ酸およびそのナトリウム塩若しくはカリウム塩 ＠　２−メチルチオメチルチオ−６−（１−とドルキシ
エチル）ベネム−３−カルボン酸およびそのナトリウム
塩若しくはカリウム塩ｒｉｍ２−メチルスルフィニルメ
チルチオ−６−（１−ヒドロキシエチル）ベネム−３−
カルボン酸およびそのナトリウム塩若しくはカリウム塩 本例示化合物においては上述したように立体異性体が存
在するが、それらの異性体のうちで好適なものとしては
、＜　！ＩＲｓ　ｓａ　）配位および（ＳＲ，・Ｒ）配
位な有する化合物並びに６位置換基のα位に水酸基、ア
セトキシ基、アミノ基、アセトアミド基のような置換′
分を有する場合にはその配位がＲ配位である化合物をあ
けることができる。

本発明による新規化合物（１）は以下に示す方法によっ
て製造することができる。

ム法 Ｂ法 （１） 上記式中　ａｌ　、　Ｒ２およびＲ５は前述したものと
同意義を示し、１１Ｇは水素原子、・アルキル基、アル
コキシ基、Ｒ１２五−基（式中、Ｒ〜１アルコキシ基、
−アシルオキＶ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリ
ールスルホニルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基
、アシルチオ基、アルキルチオ基またはアシルアミノ基
を示し、ムはトリフルオロメチル基若しくはフェニル基
はハロゲン原子で置換されていてもよい低級アルキルス
ルホニル基、アリール置換スルホニル基　Ｒ１４Ｂ−基
〔式中−Ｂは低級アルキレン基を示し、　　Ｈｕは保繰
されたヒドラジノ基、アシル化されていてもよいカルバ
モイルアミノ基、カルバモイルオキシ基、エポキシ基、
ジアルキルホスホリル基、置換基を有するか有しないビ
リジは同一または異なって水素原子または低級アルキル
基、ハロゲン原子−二ト四基、低級アルキル若しくは了
り−ルスルホ二ルオキシ基、保饅されているかいないア
ミノ基若しくは低級アルていてもよい低級アルキルスル
ホニル基、了り−ル置換スルホニル基、　Ｒ’Ｂ−基〔
式中、　Ｂは低級アルキレン基を示し、Ｒ１４は保護さ
れたヒドラジノ基、アシル化されていてもよい力々パ毫
イルア建）基、カルバモイルオキシ基、エポキシ基、ジ
アルキルホスホニル基、置換基を有（式中、Ｒ６およθ
Ｒ′は前述したものと同意義ハロゲノ原子、ニトレ基、
低級アルキ、ル若しくはアリールスルホニルオキシ基、
保護されたアルスルホニルオキシ基、トリハロゲノメタ
ンスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ
基を表わす。

有するアルキル化剤を反応させて一般式（４）を有する
ペネム−３−カルボン酸誘導体を製造し。

次いで所望に応じて得られた化合物をカルボキシル基の
保護基Ｒ１１の除去反応並びにＲ１およりＲａＫ含まれ
るそれぞれ対応する保護基を除去して水酸基、メルカプ
ト基およびア之ノ基若しくは低級アルキルア建ノ基を復
元する反応に付し、さらに得られた化合物の２位置換基
Ｒｕに含まれる ｓ ＋　　　　　　　　　　１．、．１１０．　　。

−Ｍｌ基を式　　−Ｎ　−Ｃ−ＮＲ （式中、Ｒ＠およびがは前述したものと同意義を示す、
） に変換する反応に適宜組合せて付して、一般式（１）を
有する本発明の目的化合物を製造する反応である。

本発明のム法を実施するに当って、前記一般式（２）を
有する化合物を前記一般式（３）を有するアルキル化剤
と反応させて前記一般式（４）を有する化合物を製造す
る反応は不活性情剤中塩素共存下で好適に行なわれる。

使用される溶剤としては本反応に関与しなければ特に限
定はなく、例えばクロロホルム、ジクロロメタン、ジク
ロロエタンのようなハロゲン化炭化水素類、アセトン、
メチルエチルクトンのようなケトン類、エーテル、テト
ラヒドロンラン、ジオキサンのよ５　ｆｔエーテル類、
ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素類、アセト
ニトリルのようなニトリル類、ギ酸エチル、酢酸エチル
、のようなエステル類、例えばメタノール、エタノール
のようなアルコール類、　Ｎ、Ｔｈ１−ジメチルホルム
アミド、ＬＨ−ジメチルアセドアオドのよさなアミド類
、ジメチルスルホキサイド、ニトロメタンまたはどれら
の有機溶剤との混合溶剤若しくは水との混合溶剤があげ
られる。また、使用される塩基としては化合物の他の部
分、特にβ−ラクタムＩＩＫ影響を与えないものであれ
ば４ＩＫ限定はないが、好適には酸結合剤であるトリエ
ールアミン、ピリジン、２・−ルチヂン、ジメチルアニ
リン等の有機塩基、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等のアルカリ金属重
炭酸塩若しくは炭酸塩あるいは水素化ナトリウム、水素
化カリウムのようなアルカリ金属水素化合物等があげら
れる。

反応温度には特に限定はないが、副反応を抑えるために
＆キ比較的低温で行うのが望ましく。

通常は一１０Ｃ乃至１００℃位で行なわれる。反応時間
は主に反応温度、原料化合物の撫類によって異なるが数
分乃至１００時間である。

反応終了後、本反応の目的化合物（４）は常法に従つ【
反応混合物から採取される。例えば反応混合物に水と混
和しない有機溶剤を加え、水洗後、溶剤を留去するとと
Ｋよって得られる。得られた目的化合物は必要ならば常
法１例えば再結晶、再沈澱またはりσマトグ２フィーな
どＫよって更に精製することができる。

′ここで得られる化合物（４）が５８配位の異性体であ
る場合には、これを例えばトルエン、キシレン、ジメチ
ルホルムアンド、ジメチルアセトアミドのような有機溶
剤中で加熱することＫよって、容易に５Ｒ配位の異性体
に変換することができる。

次いで、得られた化合物（４）は必要に応じて常法に従
ってカルボキシル基の保護基Ｒ１１の除去処理を行って
、・カルボン醸酵導体に変換することができる。保護基
の除去はその種類によって異なるが、一般にこの分野の
技術で知られている方法によって除去される。好適には
反応は前記一般式（４）を有する化合物のうちの置換基
Ｒ１１がハロゲノアルキル基、アラルキル基、ベンズヒ
ドリル基などの還元処理によって除去し得る保験基であ
る化合物を還元剤と接触させることによって達成される
。本反応に使用される還元剤としてはカルボキシル基の
保護基が例えば２ｚ−−、＞ブロモエチル、　２．２．
２−トリクロロエチルのようなハロゲノアルキル基であ
る場合には亜鉛および酢酸が好適であり、保護基が例え
ばベンジル、ｐ−ニトロベンジルのヨ５　ｔｘアラルキ
ル基またはベンズヒドリル基である場合には水素および
パラジウム−炭素のような接触還元触媒または硫化ナト
リウム若しくは硫化カリウムのようなアルカリ金属硫化
物が好適である。

反応は溶剤の存在下で行なわれ、使用される溶剤として
は本反応に関与しないものであれば特に限定はないが、
メタノール、エタノールのようなアルコール類、テトラ
ヒドロフラン、ジ第１キサンのようなエーテル類、酢酸
のような脂肪酸およびこれらの有機溶剤と水との混合嘔
剤が好適である。反応温度は通常はＯｃ乃至室温付近で
あり１反応時間は原料化合物および還元剤の種類によっ
て異なるが１通常はＳ分間乃至１２時間である。

反応終了後、カルボキシル基の保護基の除去反応の目的
化合物は常法に従って反応混合物から採取される０例え
ば反応混合物より析出した不溶物をＰ去して後、有機溶
剤層を水洗、乾燥し溶剤を留去することによって得るこ
とができる。

このようにして得られた目的化合物は、必要ならば常法
例えば再結晶法、分取用薄層クロマトグラフィー、カラ
ムクーマトグジフイーなどによって精製することができ
る。

また、化合物（４）において置換基Ｒ”および／または
Ｒ“がアシ゛ルオキシ基、アシルチオ基、トリアルキル
シリルオキシ基、アシルアミノ基またはアシルキルアミ
ノ基、を有する時には所望に応じ【、以下に記載するよ
うに常法に従ってそれぞれの保護基を除去して対応する
水酸基またはアミノ基である化合物に変換し、さらにこ
のようにし℃得られた化合物を上述したカルボキシル基
の保−基Ｒ１１の除去反応に付することかできる。すな
わち、前記一般式（１）を有する化合物のうち、置換基
Ｒ１および／またはＲ２が水酸基を有する化合物を製造
する反応は、一般式（４）を有する化合−のうちのＲ”
および／またはＲ′：がアシルオキシ基あるいはトリア
ルキルシリルオキシ基を有する化合物より水酸基のアシ
ルあるいはトリナルキルクリル保験基を除去することに
よって達成される。′および／またはＲがアセトキシの
ような低級脂肪族アシルオキシ基またはアセチルチオの
ような低級脂肪族アシルオキシルチオ基合には１反応は
相当する化合物（４）を水ａ溶剤の存在下で塩基で処理
することにより実施することができる。使用される溶剤
としては通常の加水分解反応に使用される溶剤であれば
特に限定はないが、水あるいは水とメタノール、エタノ
ール、ｎ−グロパノールのようなアルコール類若しくは
テトラヒドロフラン、ジオキサンのよ、うなエーテル類
などの有機溶剤との混合溶剤が好適でおる。また、使用
される塩基としては化合物の他の部分、特にβ−ラクタ
ム＠に影譬な与えないものであれば特に限定はないが、
好適には炭酸ナトリウム、炭酸カリウムのようなアルカ
、す金属炭酸塩を用いて行なわれる０反応源度は特に＠
定はないが、副反応を抑制するためにＯＣ乃至室温付近
が好適である。反応に要する時間は原料化合物の種類お
よび反応温度などによって異なるが、通常は１乃至・時
間である。

がベンジルオキシカルボニルオキシあるいはｐ−ニトロ
ペンジルオキシカルボニルオキシのようなアラルキルオ
キシカルボニルオキシ基を有する場合には１反応は相当
する化合物（４）を還元剤と接触させることによって実
施することができる０水反応に使用される還元剤の種類
および反応条件は前述したカルボキシル基の保護基Ｒ１
１であるアラルキル基を除去する場合と同様であり、従
ってカルボキシル基の保護基Ｒ１１も同時に除去するこ
とができる。なお、本還元反応によって、前４一般式（
４）を有する化合物のうちの置換基ＲおよびＲがアミノ
基の保護基であるベンジルオキシカルボニル着しくはｐ
−二トμベンジルオキシカルボニルのようなアラルキル
オキシカルボニル基あるいはジフェニルメチルのような
アラルキル基を有する化合物よりこれらの保護基を除去
して相当するアミノ化合物に変換することができる。さ
らに本還元反応によって置換基Ｒ“がニド四基を有する
場合もアも水素原子に還元することが゛できる。

また、上記の置換基Ｒ１１および／またはＲｕカｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシのようなトリ低級アル
キルシリルオキシ基を有する場合には、反応は相当する
化合物（４）をフッ化テト２ブチルアンモニウム宅処理
することにより実施することができる。使用される溶剤
としては特に限定はないが、テトラヒドロフラン、ジオ
キサンのようなエーテル類が好適である。反応は室温付
近くおいて１Ｇ乃至１８時間処理することによって好適
に行なわれる。

また、前記一般式（４）を有する化合物のうちの置換基
Ｒ”および／またはＲ“　がアミノ基または低級アル中
ルアミノ基の保護基であるトリフルオルアセチルあるい
はトリクロロアセチルのようなハロゲノアセチル基を有
する場合には、その除去反応は相当する化金物（４）を
水性溶剤の　　　□存在下で塩基で処理することにより
実施することができる０水反応に使用される塩基の種類
お和 よび反応条件は前述した置換基Ｒおよび／またはＲ“Ｋ
おける水酸基の低級脂肪族アシル保饅基を除去する場合
と同様である。

前記一般式（１）を有する化合物のうち、置換基、（式
中、ＲｕおよびＲ９は前述したものと同意義を示す、） を表わす化合物を製造する反応は前述した反応によって
得られる一般式（１）を有する化合物のうち、少なくと
も１個の水素原子を有するアミノ化合物を一般式 ％式％ （式中、Ｒ１およびがは前述したものと同意義を示し、
Ｒ″はメチル、エチル、ｎ−プロピル。

イソプロピルのようなアルキル基を示す、）を有するイ
ミドエステルと接触させることによって達成される０反
応に使用される溶剤としては特Ｋｗ＆定はないが、　ｐ
ＨＩ付近に保たれたリン酸緩衝液の使用が好適である。

反応温度はＯＣ乃至室温付近の比較的低温が望ましく１
反応時間は通常１・分間乃至２時間である。

以上の各種の反応を実施した後、各反応の目的化合物は
常法に従って反応混合物から採°取され、必要ならば常
法例えば再結晶法、分取用薄層クロマトグラフィー、カ
ラムク四マドグラフィーなどに上ってさらに精製するこ
とができる。

Ｂ法は一般式（２）を有する化合物にトリフェニルホス
フィンの存在下、一般式（５）を有するヒドロキシ化合
物および一般式（６）を有するアゾジカルボン酸ジエス
テルを反応させて一般式（４）を有するベネム−３−カ
ルボン醗酵導体を製造し。

次いで前述したＡ法と同様にし【所望に応じて得られた
化合物をカルボキシル基の保護基Ｒ１１゜の除去反応並
びにＲ”および／Ｒｂ　　に含まれるそれぞれ対応する
保護基を除去して水酸基、メル★ブト基、およびアミノ
基、低級アルキルアミノ基を復元する反応に付し、さら
に得られた化合物の一晶基を式 昌二占二Ｎ−Ｒ’ （式中、ＲａおよびＲ？は前述したものと同意義を示す
。） に変換する反応に適宜組合せて付して、一般式（１）を
有する本発明の化合物を製造する反応である。

本発明のＢ法を実施するに当って、前記一般式（２）を
有する化合物をトリフェニルホスフィンおよび一般式（
１りを有するアゾジカルボン酸ジエステルの存在下、一
般式（５）を有するヒドロキシ化合物と反応させて前記
一般式（４）を有する化合物を製造する反応は不活性溶
剤中で行なわれる。

使用される溶剤としては本反応に関与しなければ特に限
定はなく、例えばエーテル、テトラヒドロ７ラン、ジオ
キサンのようなエーテル類。

ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化水素類。

ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタンのよう
なハロゲン化炭化水素類、ヘキサメチルホスホルア建ド
、Ｎ、Ｍ−ジメチ羨ホルムアミ有機溶剤の混合溶剤があ
げられる。

反応温度に゛は特に限定はないが、副反応を抑えるため
には比較的低温で行なうのが望ましく、通常は一２０℃
乃至室温付近で行なわれる。反応時間は主に反応温度、
原料化合物の種、類によって異なるが数分乃至１００時
間である。

反応終了後、本反応の目的化合物（４）は常法に従って
反応混合物から採取される。例えば反応混合物に水と混
和しない有機溶剤を加え、水洗後、溶剤を留去するとと
Ｋよって得られる。得られた目的化合物は必要ムらば常
法、例えば再、結晶、再沈澱またはクロマトグラフィー
などによって更に＠製することができる。

次いで、得られた化合物（４）は必要に応じて前述した
ム法と同様にして一般式（１）を有する化合物に導くこ
とができる。一 本発明の前記一般式（１）を有するペネム−３−カルボ
ン酸誘導体は、すぐれた抗菌作用を表わすものであるか
あるいはそれらの抗菌作用な表わす化合物の重要合成中
間体である。そのうちの抗菌作用を表わす化合物につい
てその活性を寒天平板希釈法により測定したところ、例
えば黄色ブドウ状球菌、枯草菌などのグラム陰性菌及び
大腸菌、赤痢菌、肺炎桿菌、変形菌、緑膿菌などのグラ
ム陰性菌を包含する広範囲な病原菌に対して活性を示し
た。

従ってこのような化合物はこれらの病原菌による細菌感
染症を治療する抗菌剤として有用である。その目的のた
め゛の投与形態としては、例えば錠剤、カプセル剤、軸
粒剤、散剤、シロップ剤などＫよる経口投与あるいは静
脈内注射、筋肉内注射など・Ｋよる非経口投与があげら
れる。

投与量は年令、°体重、症状など並びに−投与形態およ
び投与回数によって異なるが・、通常・は−成人に対し
゛て゛１ａ約２５０乃至５ｏｏｏ■を１回または・数回
に分けて投与する。

次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１−ａ （５Ｂ　、　６Ｂ、、　ａＲ）　　＠−（１−ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル）−２−チオキソ
ペネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエステル（
１７４ｍｌ　）の塩化メチレン溶液（３ｄ）にトリエチ
化アメン（５６μｔ）％　５−クーロ−メチル−１−メ
チルテト２、ゾール（ｓｓｉ）、ヨウ化ナトリ、つ、ム
（６０■）−を加え、寥温で２４時間攪拌する。溶媒を
留、去した後、酢酸エチルで抽−ｙフィーな用い精製し
て、ベンゼン−酢酸エチル（４’：、、１　）で溶出さ
れる部分から１４１１■の目的化合物を得た。

赤外線吸収スペクト、ル、ｖＩＩＱａＸ国。

１７１１１　．１７００　　。

核磁気共鳴スペクトル（ｃＤａｔ５　）δｐｐｍ　：ａ
ｌｌ　（ＩＩ　ｎ　＃　８　）　、　（Ｌｉｍｉｔ　（
Ｉ　Ｈ、８）　、　１．４８（３”　＊　ｄ　＊　’　
＝　＆ＯＨｇ　）　、λ１〜４３　（２ｍｌ、　ｍ　）
　、　４１４　（３Ｈ、ａ　）　、　４５２　（２Ｈ、
ｓ）　、　５２０　、１３７　（２Ｈ、ムＢ−ｑ　、　
Ｊ　＝１４０　Ｈｚ）　Ｉ　ｒｈ、１１　（Ｉ　Ｈ、ｄ
　、　Ｊ　＝　４０　Ｈｇ　）　＃　７．Ｈ。

Ｕｌ（４Ｂ、ム２ｓ２　、　Ｊ＝ｔｏ　１１ｚ　）実施
例ｔ−ｂ （’４８ｍ　＄８ｓ・Ｒ）　　＠　−（ｔ　−ｔ＠ｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル）−２−［（１−
メチ＃−ＩＨ−テトラゾールー５−イル）メチルチオ］
ヘネムー３−カルボン酸ｐ−工）ａベンジルエステル（
１４１噌）のキシレン溶液（４゜ｗＩｔ）にへイド日キ
ノン（Ｓ■）を加え、１５・Ｃの油浴中１時間加熱する
。解媒を留去し、残虐ヲローハーカラムを用い（ベンゼ
ン−酢酸エチル＝１：、１）、目的化合物と原料に分離
する。

回収した原料は、再び同じ操作を行なうことＫより、合
計１１１■の目的化合物を得た。

赤外線吸収スペクトル　ν０Ｈ”’　Ｃ１１ｇ−’　＊
ａｘ １７１５　．１！Ｉｓ　　。

核磁気共鳴スペクトル（ｃｐｃｚ、）　ｊ　ｐｐｍ　：
（ＬＯ３（３Ｈ、ａ　）　、　（ＬＩＴ　（Ｒ１１、ｇ
　）　、　ＩＪＩＩＩ（＊　Ｈｅ　ｔｒ　）　ｅ　ｔ−
ｔｓ　（ｓ　ｎ　ｅ　ａ　＊　Ｊ＝ａｓ　Ｈｚ）　＊　
ｓ、１４　（Ｓ　Ｈｅ　ｄ−ｄ　ｅ　Ｊ”　１−ａ　ｗ
　４ｆｊ　Ｂｊ！　）　＊４０１　（３Ｈｅ　８　）　
＊　４４２　（２Ｈｅ　９　）　ｓ器２１＠　Ｓ、３１
１　（２Ｈｅ　ＡＢ−ｑ　、　Ｊ　＝　１４（ｔ　Ｈｅ
）　ｅ　＆６１（Ｉ　Ｈ、ｄ　＊　Ｊ　！　１１　Ｂｍ
　）　＃　Ｔ、＠Ｓ　、　１２４　（４■、ム＊Ｂ２　
＊　Ｊ　＝　ｌ＠　Ｈｔｘ　）実施例１−ｃ −ｚ−５−４ル）メチルチオ］ペネムー３−力（ＳＲｅ
　＠”　ｅ畠Ｒ）　　１ｉ−（１−ｔａｒｔ、−プチル
ジメチルシジルオ中ジエチル）−２−［（１−メチル−
１１！−ナト２ゾールー５−イル）メチルチオ］ヘネム
ー１−カルボン酸ｐ−ニトロベンタルエステＪ＆／（Ｉ
　Ｉ　ｍｇ　）のテトラヒドロフラン溶液（１−）ｉ酢
酸（１２０声りとテトラブチルアンモニクムフル第２イ
ド（ＳＯＳ■）を加え。

室温で２４時間攪拌する。反応液に酢酸エチルと飽和食
塩水を加え、有機層を分離し、Ｓ−重曹水、飽和食塩水
で洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥したのち、溶媒を
留去し、残置をローパーカラムで精製して（酢酸エチル
）、２５１１０目的化金物を結晶として得た。

核磁気共鳴スペクトル（ＤＭＦ−１１，）δｐｐｍ　：
ＬＳＩ　（ｌ　Ｈ、Ａ　、　Ｊ　＝　ｆｂｓ　Ｈｚ　）
　、　＆１１Ｆ　（Ｉ　Ｈｅ　ａ−ｄ　＠　Ｊ−ＩＪ　
＠　７．１１　Ｈｔｘ　）　＊寡Ｓ〜４８　（２Ｈ、ｔ
ａ　）　、　４２４　（Ｓ　Ｒ、ａ　）　、　４Ｔ２　
（２Ｈ、ｔｓ）　＊　！Ｊｌ　ｍ　Ｌ！ｉＴ　（２Ｈ＊
　ＡＢ−ｑ　、　Ｊ　；１４０　Ｂｇ）　、　ＬＩＴ　
（Ｉ　Ｈ、（１＃　Ｊ　＝　１．１１　ｕｓ　）　Ｉ　
７．１３　＃ＩＪＩ　　（４１１嘗　ム２Ｂ２　　、　
Ｊ　＝＝　ＩＪ　１ｉｇ　）実施例１−５ （ＳＲ、＄８　、　ＳＲ）　　８−　（１−ヒトｏ　キ
シｚチル）−２−［（１−メチル−Ｉｍ！−テトラゾー
ル−５−イル）メチルチオ］ペネムー３−カルボン酸ｐ
−ニトロベンジルエステル（２５ｇｌ　）のテトラヒド
ロフラン溶液（４ｍｇ）Ｋ、リン酸緩衝液（ｐＨ７，１
，４ｍ）と１０　＊／（９ジウム炭素（５＠＃）を加え
、水素ふん囲気下、２時間攪拌する。反応後、セライト
を用いて触媒なｒ去し、Ｐ液を酢酸エチルで２回洗浄す
る。水層な約１−に：なるまで減圧下濃縮し、ダイアイ
オ／（Ｅｌ化成工業に、に、　　Ｈｐ　Ｈｅ　ＡＧ　）
で精製して。

Ｓ−アセトン水で溶出される部分から目的化合物３■を
得た。

ＫＢｒ　　　−＋。

赤外線吸収スペクトル　ν。ａＸ４：ｌｌ！。

１Ｆ７ｓ　　、　　１５１０゜ 核磁気共鳴スペクトル（Ｄ２０）δｐｐｍ　：１．２７
　　（ｌ　　Ｈ、ａ　　、　　、ｒ　　＝　　ｔｏ　　
Ｈｚ　　）　　　ｅ　　　Ｌ畠８　（Ｉ　Ｈ、（１−（
１、Ｊ　＝　１．１　、６．５１１ｇ　）　、　３．１
〜４４　（［、ｍ　）　、　４．１４　（Ｓ　Ｈ、ａ　
）　、　４３７　、４５９　（２Ｈ、ＡＢ−ｑ　、　Ｊ
　＝　１１ｇ　ｕｇ　）　＊　５６＠２　（’　”　＊
　ａ、　Ｊ　＝　Ｌ’ｊ　Ｈｇ） 以下実施例１−ａ（チオキソペナムのアルキル化）、１
−ｂ（ペネム化合物の異性化）、１−Ｃ（側鎖水酸基の
脱係１１）、１−ｄ（接触還元による脱係躾基）の各工
程を準用し、下記各化合物を得た。

実施例２−ａ ル 赤外１１１吸収スペクトル　νＫＢｙ　、、−ｔ　：１
？Ｈ，１０５、−１１） 核磁気共鳴スペクトル（ｐＭｐ−ａ７）　ａ　ｐｐｍ　
：１４７　（Ｉ　Ｈｅ　ｄａ　ｔ　Ｊ＝１７．７　ｍ　
１０　Ｈｚ　）　ｅ　ｌ＠ｓ（１ｉｉ　　、　　ａａ　
　、　　Ｊ　　＝　１７．７　　、　４０　　ｆｉｇ　
　）　　＃　　４２易　（２”　ｅ　ａ　）　を翫２４
　、５．４３　（２Ｈ、ムＢ−”ｃｌ　、　Ｊ　＝１１
５８）　ｅ’　ＬＴＩ　（ｔ　Ｈ、ｄａ　、　Ｊ　＝　
４０　、２．０　Ｈｚ）　ｅ　ｒｓｉ　、　ａ、を畠（
’　Ｈｓ　Ａ２Ｂ２　ｔ　Ｊ　；ａ、４　Ｈｇ　）Ｌｉ
４１　、　ｉｌ、ｓｌ　（４ｉｔ　、　Ａ２Ｂ、　、　
Ｊ＝、　＠、３Ｈｊ）実施例２−ｃｌ −３′−カルボン酸ナトリウム塩 ＫＢｙ　　　−ｔ　　。

赤外線吸収スペクトル　シエエＣ属　。

１１６０．１６１５　．１５１５ 実施例Ｓ−ａ ！−［（２−ピリジル）メチルチオ］ベネムー３−カル
ボン酸　ｐ−ニドジベンジルエステル 核磁気共鳴スペクトル（ａｎａｚｘ）　ｊ　ｐｐｍ　：
１３４　（Ｉ　Ｈ、ａａ　、　Ｊ　、＝　１７．ｔ　、
　ｌ（Ｉ　Ｈｇ　）　、　Ｌｉ２（１１１Ｉ　１１（１
、Ｊ　＝　１７．１　、１０１１Ｋ　）　、　４４２　
（２Ｈｍ　　ａ　　）　　ｍ　　Ｌｌｔ　　ｅ　　ｉ３
２　　（２”　　ｓ　　ムＢ−ｑ　、　　Ｊ　　＝１＆
ａＢｇ）　＊’ｔｓｓ　（１１１’、　（１１１ｔ　Ｊ
”Ｆ番０　、２ＪＢｇ　）　、　Ｔ、ＳＳ　、　ＩＬＩ
＠　（４１１、ム２Ｂ２　ｔ　Ｊ　＝８−７Ｈｔ：）　
＊７．１）　−７，７（ｌ　Ｈ、ｍ　）　、　８．４−
　ＩＬ８　（Ｉ　Ｈ、ｍ　）実施例５−ｃｔ 実施例４−ａ １１１・ 実施例４−ｄ リウム塩 赤外線吸収スペクトル　ν盟Ｘ　”’　”８４２０　、
３３２０　、１７ｆｉ・、　１＠！１０　、１５７０紫
外線吸収スペクトル　λ１１２°　ｎＸｎ　（＃）４！ ２％Ｌ＠　（３８４（１）　、　３２０．７　（ｌｉｌ
ｌｌ（１）核磁気共鳴スペクトル（Ｄ２０）δｐｐｍ　
：２．１４（ｓ　ａ　＃　ａ　）　＃　ｓ、＊ｓ　（２
”　ｔ　ｃ　ｔ　ｙ　＝ａ、＠Ｈｇ　）　、　１５１　
（２Ｈ＃　ｔ　＃　Ｊ　＝　１１．６　Ｈｊ　）　＃龜
４−（Ｉ　Ｈ＃　ａｄ　、　Ｊ　＝＝　１７．５　、２
．ＯＨｇ　）　＃　１７１　（ＩＨ＃　ｄａ　ｅ　Ｊ　
＝　１７．５　、４．０　Ｈｌ　）　、　５．６１　（
Ｉ　Ｈｔａａ　、　Ｊ　＝＝　４０　、２．０　Ｈｔｓ
　）実施例５−ａ エステル ＫＢｒ−１Φ 赤外線吸収スペクトル　νラニー。

＄４５＠　、　１３３０　、１７１５　、１７＠Ｓ　、
　１＠Ｉｓ　、　１＠００核磁気共鳴スペクトル（ＤＭ
Ｐ−ａｙ）　ａ　ｐｐｍ　：１３０　（２Ｈ＃　ｔ　、
　、Ｔ　＝　１０　Ｈｇ　）　、　ＬＯ−４１（２ＨＩ
　１１（ＬＸ２　、　Ｊ　＝　１５１１．５　ＨＭ　）
　、　４２＠　（２Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝　！、０１１１
Ｍ）　＃　Ｌ４ｍ　、　５．５７　（２Ｈ。

ムＢ−Ｑ　ｔ　Ｊ　＝　１４４　Ｈｚ　）　＊　ｌ＠７
　（２Ｈｅ　ｂａ　）　Ｏ７，１Ｆ　、　Ｌｍ＠　（４
Ｈ、ム２Ｂ２　、　Ｊ　＝！１１　ｕ、、　）　＊。

１ＬＩＴ　（Ｓ　ＨＩ　ｄａ　ｍ　’　”　３Ｌ５　＃
　ｆ、Ｓ　Ｈｓｒ、　）実施例ｓ−ｄ 赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒＣ１ｌｌ−’　　：ａ
ｘ ８４０ＯＡ−８４５＠　、　１７＠Ｏ、Ｒ２Ｏ、１５１
１０核磁気共鳴スペクトル（ＤｚＯ）　ａ　ｐｐｍ　：
１２５　（２Ｈ、ｔ　、　Ｊ　＝　ｔｏ　Ｈｇ　）　、
　１５４　（Ｉ　Ｈ、ａｄ　、　Ｊ　＝１！、５　、１
０　ｉｌｌ　）　、　１１１２　（Ｉ　Ｈ。

ａａｔＪｍｌｌＬｓ、＆ＯＨｇ）、４３１（２Ｉ（１ｔ
。

Ｊ　＝　ｌ（Ｉ　Ｈｍ　）　、　！ＬＪＩ　（、Ｉ　Ｈ
、（１（１、Ｊ　＝　ＬＯｅｉ・Ｈ，） 上 赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒ３−１：ａｘ ｔｓｏｏ　　、　　ｔｓｓｓ　　、　　１ｓｏｓ実施例
＠−ｃＬ 赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒ６１ｇ−’　　ａａｚ ｔｒ＠ｅ　　、ｔｓｓ。

実施例？−ａ 赤外線吸収スペクトル　ν０Ｈ”’　３−’　：ａ１ １８ 核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣ１ｌ）δｐｐｍ　：１５
１　　（Ｉ　　Ｈｅ　ｄａ　ｅ　Ｊ＝ＩＴ　　ｓ　　２
　Ｈｔｓ　）　　ｅ　１１１２（ＩＨｗａａ、Ｊ＝１ｙ
　　、４Ｈ２）　　、　　、４１６　　（２Ｈ、！　）
　　、　　！Ｌ２３　　、　５．４４　（２ＨＩ　ムＢ
−ｑ　、　Ｊ　’＝１４　Ｈｇ　）　　Ｓ　　Ｌ７＄　
（Ｉ　ＨＩ　（１（１、Ｊ　＝　４　　、　２　ａｚ）
１１３８”（１１，８）、ｒ、５−ＩＬＳ（ＩＨ，ｍ）
実施例ｖ−ｄ 赤外線吸収スペクトル　νゞＢｒ　−１。

−ｌ　　ａＩ′ｍ １１０ 核磁気共鳴スペクトル（ＤｚＯ）　ｊ　ｐｐｍ　：１５
０　（ＩＨｍ　６１Ｌ　ｅ　Ｊ　＝１１　ｅ　２　Ｈｚ
　）　ｍ　１８！（１ｉｔ　＊　ａａ　＊　Ｊ　＝　ｔ
ｙ　、　４　Ｈｌ　）　、　４０１１　、４２１１（２
Ｈ，ムＢ−ｑ　、　Ｊ　＝　ＩＩ　ＩＩＩ）　ｅ　５−
１！５　（Ｉ　Ｈ＊ｄａ、Ｊ＝４，２１ｇ）、８．３４
（ＩＨ，ｓ）。

？、＠　−１１（！！　ＩＩ　、　ｍ　）実施例−−ａ エステル 赤外線吸収スペクトル　ν″Ｉｕｊ　Ｏｊ　、、、−１
ｍａｘ １５５０−１２００　．１７９０　．１７１Ｇ　−１６
＠Ｓ　　、１＠１＠核磁気共鳴スペクトル（ＤＭＦ−（
１７）δｐｐｍ　：３−３３−４．０７　（２Ｈ）　ｅ
　４−Ｏ５（２Ｈ−！　）　ＩＬＳ　４　＊　ＬＳ　４
　（２Ｈ＊　ｋＢ−ｑ　＊　Ｊ　＝１　Ｏ４Ｈｇ　）　
＊ＳＪ６　（Ｉ　Ｈｔ　ａ　）　ｅ　ａ−１５（Ｉ　Ｈ
＊　（１（ｌ　ｅ　Ｊ　＝ｔｏ　、　２．ｏｏの、　７
．７０　、　Ｏ８（４Ｈ、ム２Ｂ２　ｅ　Ｊ＝ｘ　１３
　Ｈｇ　） 実施例畠−ｄ 紫外線吸収スペクトル　λＨ２°　ｎｍ：ａｘ ２＠１ＬＯ、２＠ｉｓ　　、　　３２１５実施例−一１ 赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒｃｍ−１：ａｘ １４＠＠・、　　１７１５ 核磁気共鳴スペクトｋ　（ＤＭ８０−４６）δｐｐｍ　
：Ｌ４１ＣＩＢ、６ａ、Ｊ−１１，２Ｋｇ）、１７Ｆ（
ＩＨ。

ｄａ、Ｊ−１７，４ＨＩｌ）、　４１０（２１１１，ａ
）　、Ｓ、１０゜５１２（２ｍ！、ムＢ−ｑ、　Ｊ−１
４Ｂｇ）、　５．２７　（２Ｉ！。

＃）ｓｔｙｓｃｌｎｓａａ、Ｊ−４，２Ｂｇ）、７．５
１゜ｔｏ１←１．ム、Ｂ２．　、Ｔ−ＩＨｇ）、　？、
５１　、＆１２（４Ｈ，ム、Ｂ２．　：ｒ−ｓａｇ） 実施例１−ｄ 実施例　’１−ａで得らｎた化合物ｔ−接触還元処理に
より目的化合物ム１．Ｂが得られた。

（化合物ム） 赤外線吸収スペクトル　シＫＢｒ−１・ｍａＸ　　　Ｃ
ｍ　　’ ３４＠＠、　　１７５５ 核磁気共鳴スペクトル（Ｄ２０）　’　Ｉ’ｉ）ｍ　’
ｚ４ｇ（１ａ＊ａａ＊　Ｊ−ＩＦ、２Ｂｇ）、’３．７
１（Ｉ　Ｈ−（１（１＃　Ｊ−１７−４Ｒｉｇ　）　−
１１５ｓ　４０　Ｔ（２Ｈ，ムＢ−ｐ、　　Ｊ−１４Ｂ
ｍ）、Ｌｌｒ（１Ｈ。

ｃｕｄ、　Ｊ−４，２）！ｆｆ）、　＠、＠ＩＣｌＴ１
１８）゛（化合物Ｂ） ＫＢｒ−４゜ 赤外線吸収スペクトル　νｍ５Ｌｘｃ！ｆｌ。

３４０９、　１７５５ 核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ、Ｏ）δｐｐｍ　’１５０
（ＩＨｌｔｌ、Ｊ−１，２Ｈｊｉ）、１１１１（Ｉ　Ｈ
−（１（ＩＩ　Ｊ−Ｉ　Ｔ　ｓ　４　Ｈｓｉ）　＊寡Ｉ
２．４．１０（２１、Ａｌ１−ｑ　、　、Ｔ−１４Ｈｔ
ｘ）、　ＬＴ・（１Ｂ。

ａａ、Ｊ−４，ｔＨｇ） 実施例１６−ａ ぺ＊Ａ−３−カルボン酸　ｐ−ニトロベンジルエステル
（異性体混合物） 赤外ＩＩ吸収スペクトル　シ：；　　ｅｒｎ−’　：３
４・０．３３１＠、　　１７１０．　１７００．　１＠
Ｓｏ。

６１０ 核磁気共鳴スペクトル　（ＤＭＦ−（１，）δ、ｐｐｍ
　：１．１＋　４　（ＩＨＸ　−、（１，、Ｔ−７，０
ｕｌｌｇ）、　ＩＪ、？（３ｆｌＸ７゜・　　　２ ６　、２−７．ＦＢｔ）ｓ　ｌ＠５　Ｃ目！、（１（１
，７−Ｉ！！、ＨＩＨ＋１）−、１ｕｌｌ　（１１Ｅ［
、１１（１，Ｊ−１５，１，４，＠Ｈ＋ｗ）、　４４１
（Ｉ　Ｈ＊　ｑ　、　：ｒｍｌＯＨＭ）、、〜４１ｓ（
ｚａ、ｂｓ）。

Ｓ、＄　５　、　Ｌｉ２　（２Ｅ　、ＡＢ−ｑ、　、Ｔ
−１４１Ｈｇ）、　５．１２（ＩＨａｍ）　−””−７
，３１（１１−ｂｓ）−７，７１−１２７（４Ｂ、ム！
Ｂ２−　Ｊ−ｔ　＠ｌ−１ｚ）実施例１０−１ 混合物） 赤外−徴収スペクトル　シ：＝　　ｃｍ−”３４２・、
ＩＴｌ・、１１２・〜１＠１０，１５１＠紫外１！１１
１１Ｌ　Ｘ　ヘＩ　）　ル　　λＨ２０ｎｍ（ｇ）　’
ｍａ！ ３２１＋１（Ｓ・−２）　− 核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）δｐｐｍ　：１５２
（３１ｘ−Ｈ，ａ　、Ｊ　ｍ７．ＯＨｇ）ｓ　１５Ｉ（
３ＨＸ７゜ａ　、Ｊ−７，ＩＨｇ）、　　１５５　（Ｉ
　Ｈ，ｌｄ、　　Ｊ　−１７，＠、　２．（ＩＥｍｌ）
、　１１３　（１）Ｉ　、ｌａ、　’Ｊ−１７．０−．
４．０ＢＭ５．４１３（Ｉ　ＩＩ　＃　（１＠　Ｊ−７
，９Ｂｇ）、　１７１０１１１．１１１１．７−４．０
，２４Ｂｇ） 実施例１ｌ−ａ ｉと 赤外！Ｉ吸収スペクトル　νＫＢｒ−，・ＩＩＩＩａｘ
Ｃ！１１　　　。

＄４８０．　１１３０．　１７＠Ｉ１．　１＠９０．　
１＠００実施例１１−ｄ 赤外！Ｉ歇収スペクトル　シＫＢｒ−１：ｗａｘ　　”
　　− ３４２・、　　１７＠０．　１７２０１＠１０．　１５
・・Ｈ，０ 紫外線吸収スペクトル　λｗａｘ　　ｎｕ（ｇ）　：２
４５６（４７１２）、　　３４１？（６・１２）核磁気
共鳴スペクトル　（Ｄ、Ｏ）　Ｊ　１）Ｉ）ｍ　’１５
２　（Ｉ　ＩＩ　Ｉ　ｄａ、Ｉ−ＩＴ、０．ｌ＠　Ｈｇ
）、１１０（１１１゜（１（！、　、Ｔ−１７，０，４
，ＯＨｇ）、　１８８　（２Ｈ、ｅ　）　、　５Ｊ６（
ＩＩＩ　ｓ　（Ｌ（Ｌ　−Ｊ　ａｍ４−０　＊　２．０
　ａｍ）実施例１２−ａ ＫＢｒ　　　−１゜ 赤外線吸収スペクトル　νｗａｘ　　ｃｍ’１４４＠、
　　３３３０．　３２５０．　１７１１１．　１７２０
゜１Ｔ０５．　１１ｉ１０．　１１１０５核磁気共鳴ス
ペクトル　（ＤＭＦ　−（１７）δ’ｐｐｎ　’Ｏｆ　
ｍ　（８Ｈｓ　ｓ　）　−０８７（９■ｅｓ）、１．４
ｓ（３Ｈ，１，、Ｔ−ｔＯＨｇ）、　１１１１−４５’
７　（４Ｈ）　１ｓ、ｓｒ　、ＬＳＩ（！Ｈ−ｔＡＢ−
ｑ、　５−Ｉ４．ＩＨ’ｗ＞。

５．１７（ＩＨ，１，Ｊ−４０Ｈｚ）ｍ〜７．３（３１
１）。

７、Ｉ４．ｌＬ！１０（４１Ａ、Ｂ２．　Ｘ−９，ＮＴ
ＩＭ＞実施例１２−ｂ 【５Ｒ１１８＠Ｒ＠−（１−ｔａｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル）−’１−（ウレイド赤外線吸収ス
ペクトル　νＫＢｒ−，。

ｍａＸ　　Ｃｒｎ’ １５０１１、　３４３６．　３３５０．　１２５０．　
１７８０゜１７２）、　　ｌｌａ、　　１６１０．　１
＠Ｏ５核磁気共鳴スペクトル−ＩＭｐ＝ａ、）δｐｐｍ
　：１２１　Ｓ　（３１１ｅ　ｓ　）　＊　（Ｌ　０７
　（３Ｈ、ｓ　）　−０，１１ｇ（ＩＨ，ｓ）、１．２
７（３Ｅ［、ｄ、、Ｔ−１０ｉＩｇ）。

１９　Ｆ　（ｔ　１１Ｉ−ｓｉｄ　−Ｊ−４ａ　＃　２
−　Ｏａｍ）　−４１３（２Ｈ，＋）、４Ｏ−４４７（
ＩＨ，ｍ）、Ｌ２１１゜５、４４　（２Ｈ、ムＢ−ｑ、
Ｊ−１４４’Ｈｅ）、Ｌ？　＠（１１１１゜ＩＬ、！−
２，ｆＪＨｔｚ）、　〜Ｔ、２　（３ｍり　、７．７４
　、＆１１（４Ｈ，ム２Ｂ２　＃　Ｊ　−＠、４　Ｈｇ
　）実施例１２−〇 エステル Ｂ 赤外線吸収スペクトル　νｍａｘ　　”　　’３４＠＠
、　　＄３２０．　１７１１１．　１＠！１０．　１＠
Ｈ１゜１＠・・ 実施例１スーｄ ３４・・、　１７＠Ｓ、　１０＠ ２０ 紫外−吸収スペクトル　λｍａ□　ｎｍ（ｇ）：２０１
（４１１１）、　３２１５（１４４１）核磁気共鳴スペ
クトル　（Ｄ、Ｏ）δ’ｐｉｎ　’１．２１（ＳＩｌ、
ｌ　、Ｊ−１＠Ｉｇ）、龜−１（Ｉ　Ｈ、ｄａ。

Ｊ、＆＠　、ｔ・Ｈｇ）、　　４ｌ−ｊＬ３＠（１１１
−、ｍ）　、５．５ｍ（１！１，１．Ｊ−１０８乙）、
４７１（２！ＩＩ＠、）実施例１ト１ ｓｎｓ＠、　ｉｓ−・、　　１７？０．　１＠Ｉ・実施
例１３−ｄ 貴 ＫＢｒ−１゜ 赤外線吸収スペクトル　νｍａｗ　　”　　’＄４＠＠
、　　ＩＴ＠Ｓ、　ＩＩＩ＠、　　１＠１．　１５１％
紫外線吸収スペクトル　λｍａｚ　　ｎｍ（ｇ）　：１
２１１（５１５１） 核磁気共鳴スペクトル　ＣＤ、Ｏ）　Ｊ　Ｐｐｍ　：　
−＆　２１　（３ＩＩＩ　ｓ　）　ｓ　１５２　（ｆ　
１１−６１１−　Ｊ−１＠　０−２・血）、１１・（１
！！　、１１．　Ｊ−１＠、０．４．・Ｈｚ）。

４；２１（２１１，ｓ）　、１７５（Ｉｍ！、１．　Ｊ
−４Ｊ　。

２ＪＨｇ） 実施例１４−１ エステル 赤外ｍａ収ススペクト　　ｉ’：Ｈｒ’　　ｅｌｍ−”
１４％・、　　１１１１　１ｇｌ＠　　　　　−核磁気
共鳴スペクトル　（ＣＤ（ｊｊＩ）　Ｊ　ｐｐｍ　：１
＄　２　（Ｉ　Ｈ、＜Ｉｌｌ、　　Ｊ−１１，４，２，
０Ｈ１＋）、　　Ｌ＠　＠（Ｉ　Ｈ−６６＊　　Ｊ−１
７，４ｍ　４．１１Ｈｉ）、　４４７　（２Ｈ−５）−
５，１１，−３＠　（２Ｈ，ＡＢ−ｑ、Ｊ−１４４１１
！ｇ）、５．４８（１１１，ｌｄ、Ｊ−４０、Ｚ＠１ｌ
ｌ）、７１０−１１１１（ｓｅｅｍ） 実施例言４−４ ｓ４ｅ・、　　ｔｙｇｏ、　ｔｓｓｅ 核磁気共鳴スペクトル　ＣＤ２０）δｐｐｍ　：本３　
＠　（ｆ　１１−６ｆＬｅ　：Ｊ−ＩＴ−０−２」Ｈｇ
）　−９ｈ　７０（ｆＨ−ａｄ、　、Ｔ−１ｒＪ、４０
１１ｆｆ）、　ＬＳＩ（ＩＨ，ｌｄ、　、Ｔ−４・、２
０ｍ’１ｇ）、７．２３−７．４４（２Ｈ，ｍ）、７．
５３−１．１６（２Ｔ１ｓｍ） 実施例１５−ａ ニトロベンジルエステル 赤外１ｍｌ！ｊ収スペクトル　νｌｌ１ａＸ３ｅ”−”
１７８５、　１６１１１ 核磁気共鳴スペクトル　（ｃＤｃｊ、）δｐｐｍ　：ａ
、Ｏ５，ａｌｉｌ＠Ｘ２）、（ＩＪ７（９Ｈ，＃）。

１．４２（３Ｈ，１，Ｊ−ｔｏ）１．ｇ）、　１１１Ｆ
（ＩＨ，ｌｄ。

Ｊ−１１−ｍ　４０　Ｈｇ）　−４２０（２Ｈ−ａ　）
　＃　Ｌ　Ｏ−４４（１（ｔｍ　、ｍ）　、　１１　Ｆ
、　５．４４　（２Ｈ、ムＢ−Ｑｓ　Ｊ　−１２，１１
ＨＩり、　５＠７（ＩＨ，ａ　、Ｊ−４，０Ｈｚ）、　
７．５Ｆ。

象Ｉ　Ｓ（４ｍ１！、Ａ、Ｂ２．　、Ｔ−ＩＩ、ＴＨＥ
）、　？、２１，８．５４（４Ｈ，ム２　Ｂ２　＊　Ｊ
−＠ＤＴｉｌｌ　）実施例１５−ｂ 赤外″線吸収スペクトル　シｃｉｔｃ′ｓ−１　・ｍａ
ｘ　　　”　　　’ １Ｆ１５．　１６＠０ 核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ５）　’　Ｐｐ”　’
１・４．（１０１（＠１１．５Ｘ２）、（１口２（９Ｈ
１ｇ）Ｏ１４２（３１１，！、、Ｔ−ａＯＥＭ）、　３
１７（１１１，ｄｄ。

Ｊ−４，＠　、　２．０　ＨＥ）、　　４．１２（２Ｈ
，ｓ＋）、４０５−４４（１（ｌａ　、ｍ）　、！ｔ　
１ｉ−５，３８（２Ｈ，ムＢ　−Ｑ　ｅＪ　”ｔＬｓＨ
ｇ）ｅ　　ｓ、ｓ　ｓ　（Ｉ　ＩＩ　、　（１（１，、
Ｔ−２，０ＩＩＩＩＬ７５？、ａ、ｆ４（４Ｈ，ム、Ｂ
２．　Ｊ−９，６ｎｊ）。

？、２Ｓ、４１５（４１１，ム２Ｂ２　＊　Ｊ　＝　＠
、　Ｏｒｉｌｇ　）実施例ｌ５−ｃ 土 赤外線吸収スペクトル′νＫＢｒＣｍ−”：ｍａｘ Ｏ４０・、　　１７８５．　１＠１＠ 実施例１５−４　゛ ｓ４・・、　１１６１．１５１８ 紫外線吸収スペクトル　λｚＢｚ’　ｎｍ（＃）　＝２
１ＬＩ（Ｏ１４（＋）、３２１１（１２１・）被磁気共
鳴スペクトル　（Ｄ、Ｏ）　ａ　ｐｐｍ　：１−２１　
（，３Ｈ＊ｔｌ　−Ｊ−ｓ　ＯＨｇ）−１８１（ＩＢ、
ｌｌ。

、Ｔ−７Ｊ　、　１．５Ｈｚ）、　４．０１１−４．３
０　（３１ｍｍ）　。

ＵＳＳ（１１，ｄ、Ｊ−１，５１（Ｚ）、７．５１．＆
５＠（４Ｍ、ム２Ｂ２　ｓ　Ｊ　＝　１０　Ｈｇ）実施
例１６−ａ チル ＫＢｒ−１゜ 赤外ｍ吸収スペクトル　ν！１１ａＸ　　Ｃ！ｒ＋　　
・１７９３、　１１１０ 核磁気共鳴スペクトル、　（ＣＤＣｌりδｐｐｍａ　：
ＩＪ　３　（Ｉ　Ｈ、ａｄ、　、Ｔ−１６，８，２Ｊ、
！ＩｚＬ　ｓ、５ｍ　（ｔ　ａ　５１１（１、Ｊ−１１
８，４，ＯＨｇ）、　５．２２　、５．４１　（２１１
゜ムＢ’−（１，７−１＆Ｓ　ＢＭ＞、　５．７０　（
１１１！　、　（１（１，Ｊ−４，０゜２・）Ｉｆｆｉ
）、　？、５、？　、　８．１７　（、４Ｈ，Ａ２Ｂ２
．　、Ｔ−１，０Ｈｇ）゛実施例１６−ｄ ２４１ｉ！！、　　３１１．５ 実施例１７−亀 ステル ＣＨＯＩ、　　　−１゜ 赤外線吸収スペクトル　νｍａｘ　　”　　・３３９０
、　１７１Ｇ、　　１７５０．　１１１８．１６１５核
磁気共鳴スペクトル　（ＣＤＣｌ、）δ飾ｍ二１１０−
４０’Ｓ（＠Ｈ，ｍ）、５．２３（４ｍ、＋）ｓＳ、ｆ
　Ｔ　、　５．３１　（２）！　、　Ａｎ−ｑ、　Ｊ−
１２，９ＨＭ）。

＆６４（ＩＨ，ｒｌｄ、Ｊ−４，０，２，０Ｈｚ）、ｒ
、ｔ　ｏ−ＩＬＩＯ（１３Ｈ，ｍ） 実施例１ｌ−ｄ １に２０・ 紫外ｌＩａ収スペクトル　λｘＩ８ｘｎｎ＋＝２４１０
、　３２０１１ 実施例ＩＩ−ａ ネムー３−カルボン酸　ｐ−ニトロベンジルＪステル ＫＢｒ−ｔ　　。

赤外線吸収スペクトル　νｍａｘ　　”　　’１７１５
、　１１＋１３．　１１Ｏ５ 核磁気共鳴スペクトル　（ｃｎｃｌ′、）　Ｊ　ｐ’ｐ
ｍ　：１．２１１（＠Ｈ，ｔ）、１．７５−２．４５　
（２１；Ｉ　、ｍ）。

２１３−１３７（２＋１ｍｍ）、１５０’（ＩＨ，ｄｄ
、、Ｔ−１４，４，ｌａ　Ｈｚ）、１７１　（Ｉ　Ｈ、
（１（１，２−１４，４，１５Ｊｉｇ）、　Ｌｌ　０（
４Ｈ，ｑ　、１−Ｔ、０Ｈｚ）　、！２２．５．４３実
施例１ｌ−４ ＫＢｒ−１゜ 赤外ｌＩ吸収スペクトル　ν□Ｘ　ｃｍ　。

１７１５、　１５１５ 実施例１＠−ａ −カルｌン酸　ｐ−ニトロベンジルエステル赤外線吸収
スペクトル　νＣＨＱＩト、。

ｍａＸ　　　Ｃｍ　　’ ３！＠＠、　　３４００．　１７１０．　１ｌｉｌ＠核
磁気共鳴スペクトル　（ＣＤＯｊ、）　Ｊ　ｐＩ）ｍ　
’０．１・（＠　Ｈ−＠　）　−ｍｌ　Ｔ　（１１１ｓ
　＠）　＊　１−４０（３ｍ！、１．Ｊ−Ｌ・Ｈｆｆｉ
）、　１８１（Ｉ　Ｈ，ｌａ、　　Ｊ　−１１・＃４Ｊ
ＩＩｗ）、４１（１（２Ｈｓ、＋ｓ）、４．３１１（Ｉ
Ｈ。

ａｑ、　Ｊ−４！Ｊ、　ｔｏ）ｌａ、４１？（２ａ、ｂ
ｓ）、　Ｓ、１３゜Ｌ　４２　（２Ｈｓ　ＡＢ−ｑ−Ｊ
−ｆ　４　ｉｌｇ）　−Ｓ、ｌ　Ｓ　（ｆ　！ｆ　ｅｔ
　、Ｊ−４ＪＨ１）　＠　ＩＬｓＩ　（Ｉ　ＩＩ　、ｌ
ｃｌ、　　Ｊ−１，５、５Ｊ１！ＩＩ）Ｉ　ｙ、ｉｏ　
＜　１ｗ　、ａａ、　Ｊ−ｙ、ｓ　、　ｌａＩＩＷ）Ｉ
　ｔｅ。

（ｆ　Ｈ＠　ａａ　＊　ｙ　＝　Ｌ・＊　ｌ　＠　Ｈｚ
）　−７Ｓ　Ｓ　ｍ　ｍ、１）１（４Ｈ，ム２Ｂ２　ｓ
　Ｊ　”　Ｉ　ｉｌｇ）実施例ｔｓ−ｂ 赤外線徴収スペクトル　シ：Ｈにｌｓａｍ−’　。

ＳＳ・・、　　８４＠＠、　　ＩＦｌｇｌ、　　１＠ｌ
５１１１１気共鳴ｘ　ヘｌ　）　ル（ｃｎｃｊ、）　ａ
　ｐｐｍ　：Ｑ、０５（Ｓｉｌｌ　、ｓ）　、０ＯＴ（
３Ｈ，ｓ）、０．１１３（９Ｈ，−ｖｓ）　、　１．２
５（ＩＨ，１，Ｊ−１ｉＨｆｆｉ）、　１７３（１１１
゜６６ｅ　Ｊ−４−２ｍｇ）　−４１０（２Ｈ−ｓ　）
　＃　４２（ＩＩ！−ｍ　）　−４１３（２Ｈ−ｂｓ）
　−５−１７＊　Ｓ−３１（２１ｆｔ　−ムＢ−ｑ、　
Ｊ−１４ｍｇ）ｓ　Ｓ、Ｓｉ２　（ＩＩＩＩ　、（１、
Ｊ−２１（ｇ）。

１１２（ＩＨｓｌｄ、Ｊ−７，５，ＳＦＩｇ）＊　７．
：１５（ＩＨ。

ａａ、　Ｊ−７，５，２１１り、　＠、ｏｓ（ｌｕ、ａ
ａ、　Ｊ−ｓ　。

２Ｉ［ｇ）、　７．１＋　、　１１．Ｉ　Ｓ　（４Ｈ、
Ａ、Ｂ、、　、７−１１■）実施例１９−〇 ｓａ気共鳴Ｘ　ヘ／　）　ｋ　　（ＤＭＦ　（１７）　
Ｊ　ｐｐｍ　：１．２＠（Ｓｉｔ、ｌ、Ｊ−７Ｈｇ）、
　１１１（１（１１’！、ｌｄ。

Ｊ−＠　＊　２　ｕｇ）　−４ｔ　＠　（ｔ　Ｈ−ｗｒ
　）　ａ　４−３　ｍ　（２Ｈ−ｓ　）　−１ｍ　８　
（Ｉ　ＩＩ　ｅ　ｔＸ　−Ｊ−４Ｈｇ）　−５１４ｓ　
ｉ　Ｓ　４（２１１，ムＢ−（１，、Ｔ−１４ｍｇ）、
　５．１１５（１１！、、劃。

、ｙ−２ｍｇ）、　ＩＱ・（２Ｈ，ｔｓ）、１４１（１
ｍ！、ｄｉ、ｙ−ｓ　＠　ＳＨｇＬ　　１．５１（ＩＨ
，ｌｄ、、Ｔ−ＩＩ　、２Ｈｇ）、　　７．１＠（ＩＨ
、（１（１，Ｊ−５、２Ｈｇ）、７．１１・。

８．２１！　（４Ｈ，Ａ、Ｂ２．　Ｊ−１Ｈｇ）実施例
１ｌ−ｄ ＫＢｒ　　　−１。

赤外線吸収スペクトル　νＷＱａｘ　　ｃｍ　　・ｓ３
ｓ・、　　１１１０．　１６６０．　１５１０紫外線吸
収スペクトル　λ１１ａＩ　　ｎ！ＩＩ’２１３、　３
１１ 核Ｗｉ気共鳴ｘ　ヘ？　）　ル（Ｄｎｙ−ａ、）　ａ　
ｐｐｍ　：Ｌ２４（３Ｈ＊ｄ＊Ｊ−ＩＨｇ）ｅ　４−０
４（Ｉ４−０４（ＩＨ−，４１１（２ｉ１．ムＢ−（ｉ
ｓ　Ｊ−１２Ｈｇ）、　５ＪＩ（ＩＢ、１．Ｊ−２Ｈ耐
、＆５１　（ＩＨ，１１，１−Ｔ。

ＳＨＥ）ｍ　７．４＠　（Ｉ　Ｈ、ｃｕｄ、　Ｊ−７、
３Ｈｇ）、　ｒ、Ｉ　＠（１１［、ｌｄ、　Ｊ−５，ｌ
ｕｇ） 実施例２ｇ−ａ ブロモチアゾール−４−イル）メチルチオ］ペステル （Ｓｕ、ｌｓ、口Ｒ）　ＩＩ−（ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル）−２−チオキソペナム−３−
カルボン酸　ｐ−ニトロベンジルエステルを用い実施例
ｔ−ａと同様の反応処理により表題化合物を得た。

Ｃ取も　　−１゜ 赤外線吸収スペクトル　νｍａｒ　　”　　’１４００
、　１７！１０．　１７３０．　１６１０核磁気共鳴ス
ペクトル　（ｃｎａｊ５）δｐｐｍ　：ＬＩ２（ＩＢ、
＋ｓ）　、０．０７（３１１１，ｓ）　、１ｌＩ（１（
ｉｌＨ−ｓ）、ＬＩ２（３Ｈ，ｄ、、Ｔ−６Ｈｇ）、１
７５（ＩＨ。

ｄａ、　Ｊ−４，２１１ｇ）、　４０７（２［、ｅ）、
４１１ｒ１ａ、ｍ）、！ＬＯｓ、ｓ、５ｚ（ｚｕ、ムＢ
−ｑ、、Ｔ−１４ＨＭ）、５．３０（２Ｈ，ｓ）、５．
５４（１Ｈ，ｔｌ。

Ｊ−２Ｈｇ）　＊　７．４１１−１０１１　（４１１１
−ム２Ｂ２　＠　Ｊ−１ａｇ）？、！Ｉ　１　、ＬＩ　
５（４）１．Ａ、Ｂ２．　Ｊ−９ａｍ）実施例２０−ｃ ０」−１且□１リー（二１１ニ３」シー−乙巳２３４・
・、　　ｌＴａ５．　１２５．１６！３０核１１ｆｉ共
鳴スヘク）　ル（ＤＶＩＰ−＜１．）δｐ’ｐｍ　’１
．２＠（３ＨｓｌＪ−６Ｈｚ）ｓ　１８−４．１５（２
Ｈ。

ｍ）、４２７（２）１．ｓ）、５−１１３（ＩＨ，ｄ、
Ｊ＝２Ｈｇ）、　Ｔ、ＩＴｓ＆２２（４ｉ１＊ム２Ｂ２
１　Ｊ−ｓ　ａｇ）　＊ｙ、ｙｙ　、ｔｚｓ　（４Ｈ−
Ａ２Ｂ２−　Ｊ’１Ｈｚ）実施例２・−ｄ ムー３−カルボン酸（化合物Ｂ） （化合物Ａ） 核磁気共鳴スペクトル　（Ｂ２０）　ｊ　ｐｐｍ　’１
．２１　（３ａｔｄ＊Ｊ−７ａｚ）＊　３．１１５（Ｉ
Ｈ，１４゜Ｊ−１，１’ＢＭ）、　ｌ！Ｉｓ　、４．１
０（２Ｈ，ＡＢ−（１゜Ｊ＝１３Ｈｐ＋）、４．２２（
１）Ｔ、ｍ）、５．６２（ＩＨ。

ｄ、Ｊ−ＩＨｚ）、６．６２１Ｈ，ｇ）紫外Ｓ吸収スペ
クトル　２ｍｇ　”　’２５３、　３２４ （化合物Ｂ） 赤外線吸収スペクトル　νｍａＸ　　Ｃｍ”３４５＠、
　　１１１６．　１＠０（１紫外線吸収スペクトル　λ
ｍａｘ”’ ２６１、　３２５ 核磁気共鳴哀ベクトル　（ｎ２０）　’　ｐｐｍ　：１
．２　Ｓ　（３Ｂ　、１．　Ｊ−ＴＨｚ）、　　３．１
１　ＩＩ　（ＬＨ−，１゜Ｊ−１，５、ＩＨｇ）、　　
Ｓ、ＩＩ　、４．１　Ｓ　（２Ｈ、ＡＢ−ｑ。

、ｒ−１４Ｈｚ）、４２（ＩＨ，ｍ）、５．６２（１１
１１゜４．７−１ｍｇ） 実施例２１−ａ ！−［（１−メチル］ＩＨ−テトラゾ−に−Ｓ−イル）
メチルチオ］ベネムー３−カルボン赤外ＩＮ吸収スペク
トル、ＣＨ０１５ｃ、−１。

ｎａＸ １Ｆ９１．　１＠Ｉｓ 核磁気共鳴スペクトル　（ＣＤ（ｊ５）δｐｐｍ　：１
４１　（Ｉ　Ｈ、（１−（１，、Ｔ−１，１、１？、０
シｇ）、Ｌｌ１（ｆ　Ｈ＃　ｄ−６−１−４−０−１７
，６Ｈｇ）−１ｓ　Ｓ　（３１１−ｓ）、４１＠（２Ｈ
，ａ）、Ｌｌ８．シ２＠（２１１゜ムＢ−ｑ、　Ｊ−Ｉ
Ｌ５Ｈｇ）、　５．Ｓｉ　Ｉ　（Ｉ　Ｈ、（１−（１，
、Ｔ−ｔｓ、ｔ・■冨）ｅ　　７．５２．１０１　　（
４Ｂ、ム２Ｂ２ｓＪ−１（ＩＨｇ） 実施例２１−ｄ 赤外ｌｌ１ｌ収スペクトル、　、に、Ｂ、、　　ｃ＋ａ
−’　。

１１１・、　１・・・ 紫外ＩＩ徴収スペクトル　λ”２０ｕｎ（ｇ）　：ｍａ
工 ２４１←１３・）、　　３２！（８１１０）核磁気共鳴
スベク）ル　（１）２０）　’　ｐｐｍ　＝１５４　ｒ
ｔｕ、ａ−ａ、Ｊ−１ｏ　、１？、ＯＨｇ）、１１１１
（ＩＨ，ｌ−１，Ｊ−１０，１７，０Ｈｇ）、４．１５
（３Ｈ。

ｓ　）　ｓ　Ｌ　４２　ｔ　４　Ｓ　ＩＩ　（２１！−
ムＢ−ｑ　、　　、Ｔ−１７，０Ｈｚ）。

４１・（ｆ　Ｆｌ　＊　ｔｌ−６−Ｊ−１１！　Ｈｓｉ
）実施例２２−ａ トリフェニルホスフィン（・ｓｗｇ）のテＨ１溶液（１
−）に水冷窒素気流下、ジエチルアゾジカルボキシレー
ト（４１−ｔ＞を加え、１０分間攪拌する。別に　Ｍ、
ｌｉ”−ビス（ｐ−エトロベンジルオ命ジカルボニル）
−２−ヒドラジノエタノ−＆　（１１＄　ＷＱ　）と（
ＳＲ，＠８．畠Ｒ）−１−（１−ｔｅｒｔ−プチルジメ
チルシジルオ中ジエチル）−２−チオキソベナム−３−
カルボン酸ｐ−二トロベンジルエステル（８＠ダ）のテ
Ｉ１１溶液（１口０を用意し、水冷下、先の溶液に滴下
する。水冷下１時間攪拌した徒、酢酸エチルで抽出し、
飽和食塩水で洗浄、芒硝で乾燥する。溶剤を留去後、残
液をローバーカラム（ベンゼン：酢酸エチル−２：　１
　）ｔ−用い精製して目的化合物（−＠ダ）を得た。

核磁気共鳴スペクトル　（ＯＤＯｊ、）　　：＊　ｅ　
＠　＃　ａ−＠　ｌ　（ｌ　Ｈ＊　ｓ　Ｘ　２　）　＊
　０８５　（Ｉ　Ｈａ　ｓ　）　−１，２！（３Ｈ，１
，、Ｔ−ｔＯＨｇ）、１（１−４，１６（ｓａｓｍ）ｅ
４・Ｉ−＋４　Ｓ　（Ｉ　ＩＩ　−ｍ　）　＊　！Ｌ　
１５　ｍ１４１（２１，ムＢ−ｑ−１−１１１，１ｎｇ
Ｌ　５．２　ｍ　（４Ｈ−ｅＸ２）、５１口（ＩＨ，ｌ
状）　、７．２７−７、？？　。

７．１７−１３　Ｓ　ＣＩ　Ｓｉｔ　ｓｍ）赤外線吸収
スペクトル　シ：１１．０７５　　ｅ、−１。

Ｓ４・・、　　１７１！ｉ、　　１７５５．　１７２３
．　１１１０集施例２２−ｃ ルエステル 核磁気共鳴スヘｐ　）　ル（（ＩＩ）Ｃｊｓ）　’　ｉ
’！”　’１１＠（ｍｍ！、１．Ｊ−＠、ｌＩＨｇ）、
　Ｌｌ−＋４（＠Ｈ。

ｍ）、５２１１（４Ｂ、ｓ）、Ｓ、２１．５４＠（２Ｈ
。

ムＢ−（１，Ｊ−＋１．Ｌ４Ｈｇ）、　Ｓ、Ｆｌ（ＩＨ
，ｌ状）、？、−４−７１（＠冠、ｍ）、Ｔ、１Ｓ−１
３０（・ａ、ｍ）実施例２２−ｄ ＫＢｒ−１゜ 赤外ａｔ吸収スペクトル　νｌ１ｌａＸ　　”　　’１
ｉｙｅ、　　ｔｙｓ・、　　ｔｓｓｓ核磁気共鳴スペク
トル−（Ｄ２０）　Ｊ　１）１）ＩＩ　’１．１０　（
３Ｈ、ｄ、　Ｊ−＠−ＯＨｍ）ｓ　′Ｌ１＠−４４１（
４Ｈ，ｆｉ）、１１ｓ（１１１，１４，Ｊ−１＠。

１、Ｓａｇ）、　４１２−４４０　（１ｕ、ｍ）　ｓｌ
＠Ｉ（Ｉｎ。

ａ、Ｊ−１，ＳＥｍ） 実施９１１２１−ａ 融点　ｓ１〜５８℃ 赤外線吸収スペクトル　νｍａｘ　　”−”１１１！、
　　１Ｎ１５．　１６１０．　１１！０５核磁気共鳴ス
ペクトル　（ｃｎｃｚ、）δｐｐｍ　：龜２３（ＩＨ，
ｔ、、Ｔ−Ｌｏｎｇ’）、１２７（ＩＨ，ｔ。

Ｊ−１・Ｉ［ｆｆ１）、　１４１ｉ　（Ｉ　ＩＩＩ　、
　ｄａ　、、Ｊ−１６，０，ｌ＠　Ｈｇ）ｓ＆　１ｍ　
（Ｉ　Ｈ−６ｆＬｍ　　Ｊ−１１４１−ｔ　ＯＨｇ）　
＃　４１２　（Ｉ　Ｈ−ｔ、ｙ−、ｓ、ＯＨｇ）、４．
２３　（Ｉ　Ｈ、ｔ　、　、Ｔ−ＩＬＯＨｇ）ｓＬＩ　
Ｔ　、　！４８　（２Ｈ、ＡＢ−ｑ、　Ｊ−１４，０Ｂ
ｇ）、　５１＠（ＩＩｌ、ｄｄ、　Ｊ−４，０，１ａｕ
ｇ）、　ｌｉ、ｌ＠（２Ｈ，ｓ）。

７、Ｓｌ、１．２０　（４１１ｅＡ２Ｂ２＊　Ｊ−９，
ＯＨｇ）実施例１ｍ−１ ボン酸 ＫＢｒ−１゜ 赤外線徴収スペクトル　νｍａエ　ａｍ　　。

５４ＳＯ，１７７０，１１０８ 紫外線吸収スペクトル　λ＝、　”　”！Ｓ１．　１１
０ 核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）δｐｐｍ　’！４１
−１１・（２Ｂ、ｎ）、１０＠（ＩＩｌ、ｄｌ、Ｊ−１
１，０，Ｚｏｌｌｌｇ）、１４＠（ＩＨ，ｌｄ、Ｊ−１
１０，４，０１１ｇ）、１１＠（２１１，ｍ）、４．１
１２（会ＩＨ，ｌｄ、Ｊ−４Ｏ，ｌ＠Ｈｚ）、６４４−
１ｉ＠＠（３ａ、ｍ）、ＬＳ２−７．７４（２Ｂ＊ｍ） 実施例２４−ａ ！−生 融点　１１１４−１１５℃ ＫＢｒ　　　−ｔ　　。

赤外ｌ！吸収スペクトル　ＶユａＸＣＩ１１　　・１７
１１１、　１７１％、　　１８１１０．　１蓼１＠ｔｃ
ａ 紫外ｌ！ｌ！吸収スペクトル　λｍ＆Ｘ””２＠Ｆ、　
　３２・ 核磁気共鳴ｘ　ヘｌ　）　ル（ＤＭＦ−４７）　ａ　ｐ
ｐｍ　：２−４１　（Ｓ！ｌ５ｓ）−Ｌ５４Ｃ２１−ｔ
−Ｊ−＆０］！ｇ）−８，ｉ　＠　（１！！　、　ｄａ
、　Ｊ−１１１１，ｌ・Ｈｚ）　Ｉ　ｔ　ｏ　ｅ（１１
１＊ｄｄ、　Ｊ−１＠、・、４・１ｉｍ）、４４１１（
ＬＨ。

ｔ、Ｊ−１，・Ｈｚ）ａ　！Ｌ　２６−　％＝　Ｓ　Ｓ
　（２Ｂ−ムＢ−ｑ＊Ｊ−１４・ｉｌｇ）、　５．１１
０　（１ｍｌ　、　６６、５−４＠　、　２．０１１％
ｇ）、　？、７２．１２２（４１１，ム２Ｂ２　ｓ　Ｊ
　＃１０１１Ｍ　）　＊７．１１（１１１，ｓ） 実施例２４−ｄ ３４＠・、１１１・、１７１０．１＠Ｆ０，１＠・Ｏ紫
外ｌ１ｌＷｋ収スヘクトル　　λ！Ｉｌａ！　　””）
：１１１（４魯５１） 実施例２％　−ａ ヱニと Ｌｉｑ　　　　。

赤外線吸収スペクトル　νＷａＸ １Ｖ＠Ｌ　１７・・ 紫外ｌＩ徴収スペクトル　λ１ａｔ７　　ｎｕ　：２・
ｓ、　　３１１ 核１に気共鳴ｘ　ヘｌ　）　ル（ｃｎｃｊＢ）　ｊ　ｐ
ｐｍ　：ｉｓ・（Ｎ　！Ｉ　＃　＠　）　−＊　Ｉ　Ｓ
　−Ｌ　Ｔ　Ｏ（２Ｔｉ　ｓ　ｍ　）　ｍ１ｉｅ（１ｍ
！、ｌｄ、　、Ｔ−１ｍ０．７１・１１ｇ）、＆＠１（
Ｉ　ＩＩ　、　ｄａ、　　Ｊ−１＠０．４．０ＩＩＩｆ
ｆｉ）、　　４．Ｓ　５−４１０（２１！、ｍ）、！２
１４４・（２Ｈ，ムＢ−ｑｓ　Ｊ−１４，１１１ｇ）、
　？、＠・、Ｌｌｌ（４１１，ム２Ｂ、、　Ｊ−ＩＬ＠
ジ）ｅ　７−７−１８（ｆｕｓ 実施例ＺＳ−ａ １４２５、　１１１＠、　　Ｉｓ嘗５ Ｈ２０゜ 紫外線吸収スペクトル　λｍＡ！　　・１１１ＬＳ←Ｉ
＠ＨＬＩ） 実施例２６−ａ 融点　１ｍ１−１０℃ 赤外線吸収スペクトル　νＬｉｑ　　。

ｍａｘ １７１１１、　１ｇ１０．１５２１） 紫外線吸収スペクトル　λ１ｔＯＨ。

！１１ａＸ ２６２、３３１１５ 核磁気共鳴スペクト＆　　（ｃＤｃｔ、）　ａ　ｐｐｍ
　：ＬＳＩ−１５５（４Ｈ，ｍ）ｓ３．４７　（ＩＨ＊
ｄｄ−Ｊ−１５，０，２，０１１１ｆｆｉ）、　１１１
３（ＩＨ、ｌｄ、　Ｊ−１５，０，４，ＯＨｇＬ　ａ、
ｔ　７　、５．４３　（２１１，五Ｂ−ｑ、　Ｊ　＝　
１４．０　）１ｇ）　。

１６Ｆ（１ａ＊ａａ、　Ｊ−ｔｏ　、２．０Ｈｚ）、１
９５−７１０（３ｉ１．ｍ→、　Ｔ、５Ｂ　、　１１５
　（４Ｈ、Ａ２Ｂ２゜Ｊ−！１．ＯＨｇ） 実施例２＠−ｄ ２０ 紫外線吸収スペクトル　λ　　ｎｍ（ｇ）：届ＡＩ ２＠Ｌ１（７２７０）、　　３２１．０（Ｓｅｌｌ）核
磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）　Ｊ　ｐｐｍ　：１・
−象５・（４ｉ！、ｍ）、３．４２（ＩＨ，ｌｔｌ、、
Ｔ−１＠、・、２・Ｈｇ）、　　”！ｈ１　Ｇ　（Ｉ　
ＩＩＩ　、　ａｄｓ　　、ｙ−ｔｓ、ｏ、　ｔ。

１１ｇ）、　ＬＳＩ　ＣＩ　Ｈ、ｄｌ、　Ｊ−１・ｅ　
４０　ＨＥ）　ｔ７．２３−７４−（２Ｈ，ｍ）、１１
＠−４，１２（１Ｈ。

ｍ）、１Ｌ３０−１５＠（ＩＨ，ｍ） 実施例２７−ａ 紫外線吸収スペクトル　λ１！！ｔＯＨｎｍ　：ｍａｘ ２１０、　３３１ 核磁気共鳴スペクトル　（Ｄｗｓｏ−ａ４）δ’ｐｐｍ
二１！１−４．０　（４Ｈ，ｍ）、４１５（２Ｈ，ｔ、
、７−Ｎ。

Ｈｇ）、　５．２５．５．４５（２Ｈ，ＡＢ　ｑ、　Ｊ
−ＩＳ、ＯＨｇ）。

７．４−１１．３（５ＩＩ、ｍ） 実施例２７−６ 赤外ｌＩ吸吸収２ククトルν　ｒａｍ−’　：ｍａｘ ｆＦＨｌ、　　１５１０．　１４１（１紫外線吸収スペ
クトル　λｎ＋ａ：　　ｎｍに）　’２５７（７２１４
）、＄１７．２（５３１１１）実施例２８−ａ ２−シアノメチルチオベネム−３−カルホンＫＢｒ−ｔ
。

赤外線吸収スペクトル　ν１１１ａＸ　　ｃ１ｎ’２２
４５、　１Ｆ１１．　１＠１１０ 核磁気共鳴スペクトル　ＣＩ）ＭＦ−ｄ、）δｐｐｍ　
：１６６（目！　、　（１（１，：Ｊ−１１，１，ｌｏ
ｎｇ）、　１９　＠（ＩＩＩ、（１１１，Ｊ−１７，１
，４，ＯＨ５り、　４．２１１（２Ｂ、　８Ｌ５．３２
　、！１．５０　（２）［、ＡＢ−ｑｊ、ｒ−１４４Ｈ
ｒ）、　ｓ、ｓｇ（ｔａ、ｄａ、　Ｊ−ｊＬＯ，Ｉｌｌ
ｇ）、　７．７？、ＩＬ２１（４Ｈ，ム２Ｂ２．　Ｊ−
８，ｌａｇ）実施例２−−ｄ 宜２４・、　１７８０．１５１０ 紫外線吸収スペクトル　λ、”、’、　ｎｍ（ｇ）　：
Ｓｅｌｌ（１４２）、Ｓズ１１（Ｓｌｏｆ）−核磁気共
鳴スペクトル゛（Ｄ、Ｏ）　Ｊ　ｐＩ）ｍ　’Ｌｌｉ！
（ＩＨ，１４，、ｒ−１７，ｔｌ、ｌｏｎｇ）、　１１
１？（１Ｈ＊　６６−１−ｊＬｒｊ−ＬＯＩｌｌｇ）−
ｓ１＠　（ｊ　！！　−ａａ　−Ｊ−４１１＊　１０　
Ｈ！＋　）実施例２！Ｉ　−ａ ＣＨＯｌ、　　　、。

赤外線吸収スペクトル　ν。１□　ｃｌｎ。

２２５０、　１１８８．　１６９０．　１６０８核磁気
共鳴スペクトル　（ｃＤｃｔ５）δｐｐ＝　：０．１＠
（１１１１１，β）、１８６（ＩＨ，ｓ）、、１．３４
（３Ｈ，ｄ、Ｊ−５，５Ｈ＋ａ）、３．１ｉｌ（２ａ、
ｓ）。

Ｌ　Ｔ　Ｔ　（Ｉ　Ｈ−６ｔｌ−：ｆ−４，５−’Ｊ−
ｊ　１−ＯＨｚ）　ｓ　４−２付近（１１（、ｍ）　＃
Ｓ、０？、５．３２（２Ｈ，、ＡＢ−ｑ、　Ｊ　−ｔｔ
ｏｕｓｇ３．　５．１１１（’Ｉ　Ｈ、（１，５−５−
４５Ｈ，７，４７，８，ｔ？（ＩＨ，ム２Ｂ２　ｓ　Ｊ
　ｍ−Ｎｏ　ＴｉＭ　）実施例２Ｂ−１ ジルエステル 赤外線吸収スペクトル　ν０Ｈ“５　　−１・ｍａＸ　
　　Ｃｍ　　’ ２２５＠、　　１７１５．　１６９５ 核磁気共鳴スペクトル　（ＯＤＯｊ、）δｐｐｍ　：１
０１ｉ　（３Ｈ，ｓ）　、ａ（１１（３Ｂ、　ｓ）　、
　０．８１（９１１１゜ｓ）、１．２０（３Ｈ，ｄ、Ｊ
−＠、ＯＨｇ）、３．５７（２Ｈ。

台）、λ１ｉｌ（ＩＨ，ｄ４．　Ｊ−２１）　、４．Ｏ
Ｈｇ）、　４．２付近（ｆ　Ｈ−ｍ　）　ｅ　５．４１
９−５．２８　（２Ｈ−ムＢ　−ｑｔＪ−１ｔｅＴ１ｇ
）、　　５．６６　（Ｉ　Ｈ、ａ　、　Ｊ−２，ＯＨｇ
）。

？、ＳＯ，１Ｌ１Ｇ（４Ｈ，ム２Ｂ２　ｓ　Ｊ−１０Ｈ
ｚ）実施例２ｌ−ｃ ３４４０、　２２４０．　１７７５．　１８８０核磁気
共鳴スペクトル（ｃ：ｏ３ｏｃｐ３）δｐｐｍ　：１．
２２　（３Ｂ　−６ｅ　Ｊ−＠、（Ｉ　Ｈｚ）　−１９
Ｓ　（２Ｈ＃　１！　）　−５、Ｉ　ＩＩ　、　！＄＠
　（２１［、ＡＢ−ｑ、　Ｊ−１４０Ｈｚ）、　５１（
１（ｆ　ＨＩ　（Ｌ　Ｉ　ｓ−１・１ｇ）、？、＠Ｓ、
１Ｌ１３（４Ｈ。

ム、Ｂｆｆｉ、　Ｊ−１１！！厘） 実施例２１−４ 赤外線吸収スペクトル・　νＫＢｒ、“ｍａｗ　　”　
　　“ ３４２１１、　２２１０．　１７７５ 核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）　ａ　ｐｐｍ。

１．２２（３Ｈ，ｌ、　Ｊ−６，＠ＨＥ）、　Ｌｌ１９
（ＩＢ、ｌｄ、Ｔ−２，６゜６、・Ｈｉ）、　４１４−
４．４８（ＩＨ，ｍ）、５．７７（ＩＨ，ｔｉ、Ｊ−２
ＪＨｇ）実施例３Ｏ−１ ＣＨＣｌ、　　−１゜ 赤外ｌｉ！吸収スペクトル　ｖＩｎａＸｃＩｌｌ。

２２５１、　１７１５．　　ＩＴＯＯ 被磁気共鳴スペクトル　（ｃｎｃｔ、）δｐｐｍ　：＋
ｌＬ１５（６Ｈ、ｓ）　、Ｏ，ＩＯ（ＩＩ　、ｓ）　、
　１．４５（３Ｈ。

ｄ、Ｊ−６１ｇ）、１．７２（３Ｉ’ｌ　、ｄ、Ｊ−７
Ｈｇ）、１１２（ｌＨ，ｄ＜Ｌ、　、Ｔ−５，ＩＩＨＩ
Ｗ）、　４１０　（１Ｈ，ｑ。

Ｊ−１′Ｈｇ）　ｈ〜４．４（ＩＨ，ｍ）、Ｌｌ２（２
１゜Ａｎ−ｑ、Ｊ−１４ＨＭ）ｍ　Ｓ、ＴＩＣＩＨ，ｍ
）、７．ｉｎ３゜１曾？（４ｍ！、ム２Ｂ２＃　　Ｊ−
口ｎｇ）実施例３・−ｂ （ｉｎ、＠ｓ、５ｕ）−４−（ｔ　−シアノエチルｆオ
）　−＠　−旨ｒｔｙ−ブチルジメチルシリルオキシエ
チル）ペネム−３−カルボン酸ｐ−ニトロベンジルエス
テル（異性体ムお工びＢ）’１２％０．　ＩＩ（１＠、
　１７００核磁ｆｉ共鳴ｘ　ヘ／　）　ル（ｃｎｃｚ５
）δｐｐｍ　’１ｊｓ（ＩＩＩ、ｓ）、ｏ、０１（ＳＨ
，ｓ）、（Ｌｌ３（＠ｌ１ｓｓ）　ｓｌ、２Ｔ（Ｓｌｅ
ｄ、Ｊａ”１ｉｌｉｚ）珈１、Ｔ　４（３Ｈ＠１１　、
Ｊ−７Ｂ！＋）、　！Ｌａｇ　（１１１、ｔｌａ。

Ｊ−４，門■厘）、４・ＴＣＩＨ＊ＣＬ＊Ｊ−ＩＢ震）
。

〜４２　（ｆ　Ｈ＊　３Ｅｌ　）　ｍ　１２４　ｓ　Ｓ
−３１（２）１−　ＡＢ−’１ｍＪ−１３Ｂｇ）、　Ｓ
、７ｍ（ＩＢ、１．Ｊ−２Ｈｇ）。

１、・１，１１１（４Ｈ，ム２　Ｂ　２　ｓ　Ｊ　”　
Ｉ　Ｔｌｇ）（異性体Ｂ） 赤外線吸収スペクトル　シ０Ｈ０′５−１・ｍａｗ　　
　　ｃｌｍ　　　　’ ２２２１１、　１Ｆ１０．　１１１＠ 核磁気共鳴スペクトル　（ａｎａｌ、）δｐｐｍ　：１
０４（ＩＨ，ｓ）、０．０１（３Ｂ、ｓ）、０１１２（
ｉＨｓｓ）１１．２５（３１１１ｄ９．Ｔ−６１ｇ）＃
１．１・（ｓ　ｕ　ａ　ａ　ｅ　Ｊ−７ａｍ）　Ｉ　ｓ
、　ｒ口（１ｍ１．１１（１゜７＃４．２ｇｇ）、　４
．０ｇ（ＩＨ＊ｑ　ｓＪ”４ＨＭ）ｓ〜４．２　（１！
！、ｍ）　、　５１１　、Ｓ、３１　（２Ｈ，ＡＢ−ｑ
。

Ｊ−１３ｇｇ）、Ｌｌ・（１ａ、ａ、、ｙｍ２ａｇ）。

１．６・、　Ｉｋｌ　Ｆ　（４１，１２Ｂ２．　Ｊ−１
１１ｇ）実施例５ｏ−ｅ （Ｊｌ性体Ａ） 区Ｂｒ　　−ｔ。

赤外線吸収スペクトル　νｗａｘ　　’鳳　・２２２１
１、　１７１１．　１＠１０ 核磁気共鳴スペクトル　（ＤＭＦ　ａ、＋ｃｎｃｊ、）
ｊｐｐｍ：１．３１（Ｓｌｄ、、Ｔ−１！！ｇ）　ｓ　
　１］１　（Ｓ　Ｔｌ　ｓ　ｓｌ　−Ｊ−ｙ　ａｆＩ）
、　　ＬｍＯ（１ＮＩｓ　Ａ＆−Ｊ−ｙ　−２Ｅｇ）。

４　ｔ　Ｉ　（Ｉ　Ｈｍ　ｑ　ｓ　Ｊ−７Ｈｚ）　ｓ〜
ｉｓ（ｔｕｓｍ）＋１２・、Ｌ４Ｓ（２１！、ムＢ−（
１，Ｊ−１４Ｈｇ）ｓ　６．１１（１ｍ！、１．Ｊ−２
Ｂｔｘ）、７１５，１１．１５（４Ｈ。

ム２Ｂ２１　Ｊ−＠　ｕｓｅ） （異性体Ｂ） 赤外＃吸収スペクトル　ｖＩＥＬＩＬＸ　　””　’２
２３１０、　１７畠ｏ、　　ｔｒｅｅ核磁気共鳴スペク
トル（Ｍｐａ、＋ｃＤｃｊ、）Ｌ　Ｓ　２　ＣＮ　Ｈｓ
　６　＊　Ｊ−＠　Ｈｊｉ）　−１−１４（３Ｔｌ　−
ｄ−Ｊ＝ＦＨｇ）、　１８ｇ　（１１！、ａｄ、　Ｊ−
Ｌ　２Ｈｇ）。

１ｔ２２０Ｈａｑｍ：ＩＱＩＨＭ）ｅ　〜４４（１＃＠
ｍ）ｓＬ３２．Ｓ、４ＳＣ２Ｈ，ムＢ−ｑ　ｅ　Ｊ−１
４ｕｚ）　５４１４（１１１、（１，７−２７−２ＨＦ
、７２．＆１１（４Ｌム２Ｂ２＊Ｊ−！ＩＨｇ） 実施例Ｈ１−（１ （異性体ム） 赤外線吸収スペクトル　νＫＢＦ−，・ｍａｗ　　　Ｃ
Ｉｎ　　　’ ２２４＠、　　１７７０．　１８００ 紫外ｓ吸収スペクトル　λＨ，Ｏｎｍ　。

ｍ＆ｘ ２ｇ１．　３２４ 核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）　ｊ　ｐｐｍ　’１
．５Ｏ（３１１１，１，，７−６）１ｆｆｉ）、　１．
１４（３Ｈ，ｓ）。

４ＪＳ（ＩＨ，ｄｔｌ、Ｊ−６，２１１（ｇ）、〜４４
（ＩＩＩｌｌｍ）、！、７＠（ＩＨ，ｌ、Ｊ−２Ｈｚ）
（異性体Ｂ） 赤外線吸収スペクトル　νＭ、Ｌｘ　　”　　・２２４
−、　　ｔｒｒｏ、　　ｔｓｏ。

紫外ＩＩＩＩ！ｊ収スペクトル　　λ、”：”、　ｎｍ
（＃）　：１１１１（４＠（１・）、３２！ＬＳ（Ｓ＠
・・）核磁気共鳴スペクトル　（Ｄ２０）　ａ　ｐｐｍ
　：１．３０　（３Ｈ、ｄ　、　：Ｊ−６ＨＭ）、　１
．８ｇ　（ＩＨ、（１゜ＪｍＴＴｌｒｘ）、　Ｌｍ　Ｉ
　（Ｉ　Ｈ、ｄａ、　、７＃＠　＃　２Ｈｇ）＃４２４
（ｌｌｔｉ、Ｊ−＠ＩＩｊｉＬ〜４ｍ（ＩＲ，ｍ）。

！７１（１ｍ１，１．Ｊ−２Ｈｇ） 実施例３ｌ−ａ ２−メチルチオメチルチオペネム−３−カルボン酸ｐ−
ニトロベンジルエステル 赤外曽吸収スミクトル　νｗａｘ　　Ｃｌｎ−１’１７
７２、　１１７４１ 核磁気共鳴スペクトル　（Ｉ）ＭＰ−（１，）δｐｉｎ
　：　。

２４０（１１１，ｓｉ）、１１ｇ（ＩＨ，１，Ｊ−１１
０゜２・Ｈ耐＠　４．０１　（ｔ　Ｊ！　＃　ａｄ、　
Ｊ−ｆｔＩ　−４０Ｂｇ）　−４２１（２Ｈ−＃　）　
＊　Ｌ　Ｂ　７　ａ　Ｓ−Ｓ　ｍ　（２Ｈ−ムＢ−ｑ　
。

Ｊ−１４１Ｈｇ）、　５１２　（１ｉｔ　、　ａｄ、　
、Ｔ−４，（１、２，・シ１、・１　、＆２＠　Ｃ４Ｈ
ｍＡ、Ｂ、、、７−１０Ｈｚ）実施例３１−１１ 赤外ＩＩ吸吸収スペクトシルν＃・　ＣＩ＋１−１＝１
７１３、　　ｌ５ｌｅ 紫外線吸収スペクトル　λ、”：’、　Ｍｌ　：２ＩＬ
　　１２！Ｓ 特許出願人　　三共株式会社 代理人弁理士　　樫　出　庄　治 第１頁の続き ０発　明　者　菅原真− 東京部品用区広町１丁目２番５８ 号三共株式会社中央研究所内、 ！ｌ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （％）一般式 〔式中　　Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基
   またはＲ４ムー基（式中、Ｒ４は水酸基、アルコキシ基
   、アシルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリ
   ールスルホニルオキシ基、トリチル中ルシリルオキシ基
   、メルカプト基、アルキルチオ基、アミノ基、アジルア
   よ〕基またはアジド基を示し、ムはトリフルオ算メチル
   若しくはフェニル基で置換され【もよいアルキレン基を
   示す、）を表わし、１はハロゲン原子で置換されてもよ
   い低級アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基　
   ＨＳＢ−基〔式中、Ｂは低級アルキレン基を示し、　Ｒ
   ′はヒドラジノ基、アシル化されていてもよいカルバモ
   イル７ミノ基、力λバモイルオ午シ基、エポキシ基、ジ
   アルキルホスホリル基、置換基を有するか有しないビリ
   ジＲ’　　Ｒ７ 二つ五基、−００Ｍ＋、！ＯＮＨ基（式中、Ｒ′および
   Ｒ′は同一または異なって水素原子または低級ア級アル
   キル基、ハロゲン原子、低級アルキル若しくはアリール
   スルホニルオキシ基、水酸Ｈ＠　　Ｒ９ １、、、ｌ　　０．　１ 基、アンノ基若しくは−Ｎ−ＣＮＨ基（式はアミ］基、
   低級アルキルア宅ノ基若しくはＨａ　　Ｒ？ ＋＋＋　　１　　＋＋＋　　１ 一輩一〇　−１１基（式中、Ｒ１およびＲ９は前　　”
   述したものと同意義を示す、）を有するアルキル置換ア
   リール基を示す。〕を表わし、　Ｒ５は水素原子または
   カルボキシル基の保繰基を表わす。〕を有するペネム−
   ３−カルボン酸誘導体およびその薬理上許容される塩。 （２）一般式 〔式中　Ｂｗｌは水素原子、低級デルキル基。 低級アルコキシ基　Ｈ＊ムー纂【式沖、Ｒ７はアルコキ
   シ基、アシルオキシ゛基Ｊアルギルスルホニルオキシ基
   、アリールス、ルホー二友オキシ基、トリアルキルシリ
   ルオ゛キ゛−乞基、′アシルチオ基、アルキルチオ基ま
   た４キーアシルアミ５・）基−を示し、ムはトリフルオ
   ルメチル蒸着ｑくはフェニル基で置換されてもよいアル
   キレン基を示す。）を表わし、Ｒ１１はカルボキシル基
   の保護基を表わす。〕 を有する化合物に一般式 〔式中、Ｘはハロゲン原子、低級アルキルスルホニルオ
   キシ基、トリハロゲノメタンスルホニルオキシ基または
   アリールスルホニルオキシ基を示し、Ｒ′５はハロゲン
   原子で置換されていてもよい低級アルキルスルホニル基
   、アリール置換スルホニル基、　Ｒ１’Ｂ−基〔式中、
   Ｂは低級アルキレン基を示し、Ｂ　１４は保護されたヒ
   ドラジノ基、アシル化されていてもよイｉ）　ルＡモイ
   ルアミノ基、カルバモイルオキシ基、エポキシ基、ジア
   ルキルホスホリル基、置換基を有するか有しないピリジ
   ニウム基、たは異なって水素原子または低級アルキル基
   基、、ハロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル若しくは
   アリ−、ルスルホニルオキシ基、保護は保護されている
   かいないアミノ基若しくはを有するアルキル化剤を反応
   させて一般式（式中、Ｒ”、Ｒ１１およびＲ１５は前述
   したものと同意義を示す。） を有する化合物となし１次いで所望に応じて得られた化
   合物をカルボキシル基の保護基Ｒ１１の除去反応並びに
   Ｒ１およびＲ”　Ｋ含まれるそれぞれ対応する保護基を
   除去して水酸基およびテ（）基若しくは低級アルキルア
   ミノ基を復元する反応に付し、さらに得られた化合物は
   同一または異なって水素原子または低級アルキル基を示
   す。）Ｋ変換する反応に適宜組合せて付することを特徴
   とする一般式 〔式中　ＦＳは水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
   たはＲ’Ａ−基（式中　Ｈａは水酸基、アルコキシ基、
   アシルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリー
   ルスルホニルオキシ基、）リアルキルシリルオキシ基、
   メルカプト基、アルキルチオ基、ア建ノ基、アシルアミ
   ノ基またはアジド基を示し、ムはトリフルオロメチル着
   しくはフェニル基で置・換されてもよいアルキレン基を
   、示す。）を表わし。 Ｒ２はハロゲン原子で置換されていてもよい低級アルキ
   ルスルホニル基、アリールスルホニλ基、　ＲＩＢ−基
   〔式中、Ｂは低級アルキレン基を示し、　ｖｔｌｔヒド
   ラジノ基、アシル化されていてもよいカルバモイルアミ
   ノ基、力）ｄ　／＜モイルオキシ基、エポキシ基、ジア
   ルキルホスホリル基、置換基を有するか有しないビリジ
   は同一または異なって水素原子または低級アル級アルキ
   ル基、ハｐゲン原子、低級アルキル若しくはアリールス
   ルホニルオキシ基、、水酸基またはアさノ基若しくは Ｒ”　　Ｒ？ −Ｎ　−０−）ｉＨ基（式中、Ｒ８およびＲ９は前述ル
   ア電）蒸着しくは Ｒ８・Ｒ９ −Ｊｌ　−０−ｍ１ｌｌ基（式中、Ｒ＠およびＲ９は前
   述わす。〕を有するベネム−３−カルボン酸誘導体の製
   造法。 （３）　　一般式 〔式中、Ｒ″は水素原子、低級アルキル基、低級アルコ
   キシ基　Ｒｕｉ、−基（式中　Ｒ１２はアルコキシ基、
   アシルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリー
   ルスルホニルオキシ基。 トリアルキルシリルオキシ基、アシルチオ基。 アルキルチオ基またはアシルアミノ基を示し、ムはトリ
   フルオロメチル蒸着しくはフェニル基で置換されてもよ
   いアルキレン基を示す。）を表わし、Ｒ１１はカルボキ
   シル基の保護基を表わす。〕 を有する化合物にトリフェニルホスフィン存在下一般式 〔式中、Ｒｂはハロゲン原子で、置換されていてもよ、
   い低級アルキルスルホニル基、アリール置換スルホニル
   基、　Ｒ’Ｂ−基〔式中、Ｂは低級アルキレン基を示し
   、Ｒ″は保護されたヒドラジノ基、アシル化されていて
   もよいカルバモイルアミノ基、カルバモイルオキシ基。 エポキシ基、ジアルキルホスホリル基、置換基を有する
   か有しないピリジニウム基、４　Ｒ７ ＋１ −００１００１１１　基（式中、Ｒ’＃Ｊ：ヒＲ’ハ同
   一マたは異なって水素原子または低級アルキル基基、ハ
   闘グー原子、ニトロ基、低級アルキル若シクはアリール
   スルホニルオキシ基、保護を有スるヒドロキシ化合物お
   よび一般式％式％ （式中、Ｒ１５は低級アルキル基を示す。）を有するア
   ゾジカルボン酸ジエステルと反応させて一般式 （式中　ＲＩＯ、Ｒ１１およびＲ讐は前述したものと同
   意義を示す。） を有する化合物となし、次いで所望に応じて得られた化
   合物をカルボキシル基の保護基Ｒ１１の除去反応並びＫ
   　ＲＩＧおよびＲ賃に含まれるそれぞれ対応する保護基
   を除去して水酸基およびア２ノ基若しくは低級アルキル
   アミノ基を復元する反応に付し、さらに得られた化合物
   ｔｖ　Ｊａ　基ヲ式−４−ｃ＝ｘ−Ｒｔ　（式中、Ｒ’
   　オＪ　ヒＲ’靜 は同一または異なって水素原子または低級アルキル基を
   ′示す。）Ｋ変換する反応に適宜給金せて付することを
   特徴とする一般式 〔式中　Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
   たはＲ４人−基（式中、Ｒ４は水酸基、アルコキシ基、
   アシルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリー
   ルスルホニルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、
   メルカプト基、アルキルチオ基、アミノ基、アシルアミ
   ノ基またはアジド基を示し、ムはトリフルオロメチル若
   しくはフェニル基で置換されてもよいアルキレン基を示
   す。）を表わし、Ｒ２はハロゲン原子で置換されていて
   もよい低級アルキルスルホニル基、了り−ルスルホニル
   基％Ｒ’Ｂ−基〔式中、Ｂは低級アルキレン基を示し、
   Ｒ５はヒドラジノ基、アシル化されていてもよいカルバ
   モイルアミノ基、カル／（モイルオキシ基、エポキシ基
   、ジアルキルホス６　　Ｈｌ ホリル基、−（！ＯＮ（！ＯＮＨ基（式中、Ｒ６および
   Ｒ７は同一または異なって水素原子または低級ア級アル
   キル基、ハロゲン原子、低級アルキル基しくはアリール
   スルホニルオキシ基、水酸基またはアミノ基若しくは Ｈｌ　　Ｒ？ 一轟二占二品基（式Φ、ＲＩおよびＲ’ｔｉ前述ルアン
   ノ基若しくは ＲＩ　　Ｒ？ Ｉ　ｍ　ｌ　０．．１ −Ｍ　−Ｃ−Ｍｕ基（式中、Ｒ８およびＲ９は前述した
   ものと同意義を示す、）を有するアルキル置換アリール
   基を示す。〕を表わし、Ｒ″は水素原子または・□カル
   ボキシル基の保饅基を　　　　□表わす、〕を有するベ
   ネム−３−カルボン酸誘導体の製造法。