JPS58206003A - 低損失マイクロ波誘電材料 - Google Patents
低損失マイクロ波誘電材料Info
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- JPS58206003A JPS58206003A JP57088066A JP8806682A JPS58206003A JP S58206003 A JPS58206003 A JP S58206003A JP 57088066 A JP57088066 A JP 57088066A JP 8806682 A JP8806682 A JP 8806682A JP S58206003 A JPS58206003 A JP S58206003A
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- loss microwave
- dielectric material
- loss
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、SHF帯等のマイクロ波のミス借方を取扱う
回路に使用するに適する低損失マイクロ波射を材料に閃
するものである。
回路に使用するに適する低損失マイクロ波射を材料に閃
するものである。
低損失511LW料は、5ETF帯の回路において、i
電体共振器として利f+3される。すなわち、ん;電体
共振器は、フィルタやガン発&器、 FNT発振器に共
振器として結合され、周波数安定化の−ぬに不耐火の要
素であり、放送衛星からの放送や地上のSHF放送の受
fg磯においても使用されており、特に、そのQ値ン改
善することは、受信機の性能向上に直接に寄与するので
強く要望されている。かかろ誘電材料の特性としては、
/θGHz帯において室温の近傍で比誘電率がΔ〜句程
度、無負荷Q値、 4 か10 以上、比誘電率の温度係数は士/θppm
/ ℃以下が要求される。
電体共振器として利f+3される。すなわち、ん;電体
共振器は、フィルタやガン発&器、 FNT発振器に共
振器として結合され、周波数安定化の−ぬに不耐火の要
素であり、放送衛星からの放送や地上のSHF放送の受
fg磯においても使用されており、特に、そのQ値ン改
善することは、受信機の性能向上に直接に寄与するので
強く要望されている。かかろ誘電材料の特性としては、
/θGHz帯において室温の近傍で比誘電率がΔ〜句程
度、無負荷Q値、 4 か10 以上、比誘電率の温度係数は士/θppm
/ ℃以下が要求される。
従来、この工つな条件を達成するための材料として実用
に供されているものには、いわゆるチタン譲バリウム系
のBa2’I’3@02oやZn6.HSn6.2 ’
I’i0a磁器などがある。しかしながら、これら材料
は比誘電率お工び比誘電率の温度係数に関しては、上述
の条件を満たすが、Q値は7 GHzでそれぞれ700
0、 ti;00程度であって、上述の3つの条件を
同時に満足する材料は未だ発見されていなかった。
に供されているものには、いわゆるチタン譲バリウム系
のBa2’I’3@02oやZn6.HSn6.2 ’
I’i0a磁器などがある。しかしながら、これら材料
は比誘電率お工び比誘電率の温度係数に関しては、上述
の条件を満たすが、Q値は7 GHzでそれぞれ700
0、 ti;00程度であって、上述の3つの条件を
同時に満足する材料は未だ発見されていなかった。
衛星反送の実用化7!1′前にして、上述した条件を満
足する誘電体材料に対する必要性は、非常に大なるもの
かある。
足する誘電体材料に対する必要性は、非常に大なるもの
かある。
本発明の目的は、そのL5な必要性に応えるべく、上述
した条件χ満足し、比誘電率およびその温度係数が必要
とする条件を満足し、しかも10’以上の高いQ値の得
られる新規な低損失マイクロ波躬電%材料を提供するこ
とにある。
した条件χ満足し、比誘電率およびその温度係数が必要
とする条件を満足し、しかも10’以上の高いQ値の得
られる新規な低損失マイクロ波躬電%材料を提供するこ
とにある。
そのために、・本発明は、少くともBa (Zn。
’I’ay=)03もしくは8a (Kg、 Ta、
)03’l生底分とするペロブスカイト構造酸化物に少
量のMnヶ添加して焼結してなることン特徴とする。
)03’l生底分とするペロブスカイト構造酸化物に少
量のMnヶ添加して焼結してなることン特徴とする。
ここで、ペロブスカイト構造酸化物として、少くともB
a (ZnysTa X ) OsもしくはBa(Mg
3ATAX ) 03Y生成分とし、さらにBa (Z
ns Nb h )03もしくはHa (Mg5i
Nb、s ) 03ン含むのが好適である。
a (ZnysTa X ) OsもしくはBa(Mg
3ATAX ) 03Y生成分とし、さらにBa (Z
ns Nb h )03もしくはHa (Mg5i
Nb、s ) 03ン含むのが好適である。
また1上述した組成物の焼成時の雰囲気として窒素もし
くは空気乞用いるのが好適である。上述し7Q Mnの
添加にあたっては、上述した組成物に炭酸マンガンまた
は酸化マンガン乞添加したり、仮説したペロブスカイト
構造酸化物粉末をMn So 4・弘H20の水溶液で
処理するのが好適である。
くは空気乞用いるのが好適である。上述し7Q Mnの
添加にあたっては、上述した組成物に炭酸マンガンまた
は酸化マンガン乞添加したり、仮説したペロブスカイト
構造酸化物粉末をMn So 4・弘H20の水溶液で
処理するのが好適である。
つぎに、本発明の実施例について説明する。
本発明低損大マイクロ波−′1材料としての磁器は、−
・仮焼祠婦および焼結過程という二つの焼成過程ン駐で
製造される。
・仮焼祠婦および焼結過程という二つの焼成過程ン駐で
製造される。
’I(HA tJ’J 1 ’ Ba (zn y、
Tax ) 03Y主成分とする場合。
Tax ) 03Y主成分とする場合。
純度0.99り以上のBaCO3、ZnO+ お工びT
a205ンs/’!A’3Aのモル比になるように秤量
し、それら乞混せしアル゛コールン加え、めのうのボー
ルケ用いて5〜/θ時間程度ボールミルした後に乾燥し
、砲製のアルミするつぼで、空気中1ooo c〜l≠
OQ℃で、それぞれl−10時闇程度仮焼しTこ。
a205ンs/’!A’3Aのモル比になるように秤量
し、それら乞混せしアル゛コールン加え、めのうのボー
ルケ用いて5〜/θ時間程度ボールミルした後に乾燥し
、砲製のアルミするつぼで、空気中1ooo c〜l≠
OQ℃で、それぞれl−10時闇程度仮焼しTこ。
次に、この仮焼された粉末ぞ、Mn3O4・弘H20の
水浴液でMn処理しT−0このMn処理した酸化物粉俸
乞、再びアルミするつほに入れて空気中でさらに仮焼し
た。
水浴液でMn処理しT−0このMn処理した酸化物粉俸
乞、再びアルミするつほに入れて空気中でさらに仮焼し
た。
次に、第一の画椎、jなわちMn処理した粉体ン、DI
]圧成杉して焼結した。これにエリ空孔率が2〜3%以
下の緻密な磁器ン得ることができた。
]圧成杉して焼結した。これにエリ空孔率が2〜3%以
下の緻密な磁器ン得ることができた。
’sm例2 : Ba(Mg、 T−303を生a
yとし。
yとし。
さらに”jL(z n y Nb y ) 03乞含む
場合。
場合。
原料として、BaCO3、MgO、ZnO、TIL20
5 *NbzOs’を用いた。ここで、仮焼1a哩お工
ひMn処理および焼結過程は実施例1と同葎とじL0不
発明誘!材料は、原料に少量のMnン添加すること、ま
たは仮焼された粉体χ、Mn浴液で処理することにエリ
、焼結した際に緻密な磁器とすることかでき、高いQ値
の@竜Z料ン得ることかできる。
5 *NbzOs’を用いた。ここで、仮焼1a哩お工
ひMn処理および焼結過程は実施例1と同葎とじL0不
発明誘!材料は、原料に少量のMnン添加すること、ま
たは仮焼された粉体χ、Mn浴液で処理することにエリ
、焼結した際に緻密な磁器とすることかでき、高いQ値
の@竜Z料ン得ることかできる。
このようにMn処遥ンしないと、高温で長時間焼結さセ
でも緻密1x (a器ya1′得ること心まできす、Q
値は6000以下のものしか得ることかできなし・。
でも緻密1x (a器ya1′得ること心まできす、Q
値は6000以下のものしか得ることかできなし・。
焼結され定磁器は、ダイヤモンドカッターで必要な形状
に却工成形できる。
に却工成形できる。
本発明のMn処理し’r−Ba (zn y T&s
) 03磁器は、ti、参GHzにおいて比誘電率2
91無負荷Q1直は15000 、共振周仮数の温度変
化率は20〜50℃で±jppm/℃以下である。まT
y b Mn ン/mol %m nu L 7.=
Ba (Mg%Ta、 ) 03は// GHzで比誘
電率が26.無負荷Q[は/7000で温度特注は上例
とほぼIJ)1ψである。
) 03磁器は、ti、参GHzにおいて比誘電率2
91無負荷Q1直は15000 、共振周仮数の温度変
化率は20〜50℃で±jppm/℃以下である。まT
y b Mn ン/mol %m nu L 7.=
Ba (Mg%Ta、 ) 03は// GHzで比誘
電率が26.無負荷Q[は/7000で温度特注は上例
とほぼIJ)1ψである。
(/ −x ) Ba (ZnysNbp、 ) Os
とrBa (Mg、 Ta、JO3、(/ −x )
Ha (Zn5ATa、 ) 03とxBa (Mg
ysTa )03、(/ x ) Ba (”%
Ta%) OaとrBa九 (Mg、 ’I’aVs) 03、(/ −z )
Ha (Zn、 Nb、jb) OBとxBa (Z
n y Ta y ) 03お工び(/ x )
Ha (Mg3ANb )03と:t13a (Mg
X ”;% ) 03 b (o≦2≦l)九 の組合せにMn Y:添加した誘電t9f科は、一般に
比誘電率の温度係数が小さく、特にBa (Zny T
aVs)03・ Ba (Mg% Ta、JO3に近い
組成ンもつ磁器は、誌′砥率の温度係数は±j ppm
/ ℃以上となる。
とrBa (Mg、 Ta、JO3、(/ −x )
Ha (Zn5ATa、 ) 03とxBa (Mg
ysTa )03、(/ x ) Ba (”%
Ta%) OaとrBa九 (Mg、 ’I’aVs) 03、(/ −z )
Ha (Zn、 Nb、jb) OBとxBa (Z
n y Ta y ) 03お工び(/ x )
Ha (Mg3ANb )03と:t13a (Mg
X ”;% ) 03 b (o≦2≦l)九 の組合せにMn Y:添加した誘電t9f科は、一般に
比誘電率の温度係数が小さく、特にBa (Zny T
aVs)03・ Ba (Mg% Ta、JO3に近い
組成ンもつ磁器は、誌′砥率の温度係数は±j ppm
/ ℃以上となる。
Mn添加によるQ値の改善は、従来から共振材料として
用いられている・B、”、2’Ti e 020 sお
工びZno、s 5n(14Ti 04磁器に対しても
応用することかできる。Ba2 Tis OXIの場合
、Mn f / no1%添加し、およびzno、II
8n4,2 TiO4の場せ、Mn Y O,jmo
J%添加し、l弘OO℃で焼結すると、それぞれ無負i
’ar Q s=か/θGHzで5oooお工び600
0となる。
用いられている・B、”、2’Ti e 020 sお
工びZno、s 5n(14Ti 04磁器に対しても
応用することかできる。Ba2 Tis OXIの場合
、Mn f / no1%添加し、およびzno、II
8n4,2 TiO4の場せ、Mn Y O,jmo
J%添加し、l弘OO℃で焼結すると、それぞれ無負i
’ar Q s=か/θGHzで5oooお工び600
0となる。
これは従来の値にくらべ高い値である。
鹸化物磁器へのMn添亦は、i器の焼結性乞高め、焼結
温度ン相対的に低下させ、しかもSHF帯における無負
荷Q値乞扁める効果がある。
温度ン相対的に低下させ、しかもSHF帯における無負
荷Q値乞扁める効果がある。
まL + Mnのふ710鳳ン必閤に応じて¥1#する
ことにより、誘電率の温度特性χ所囁の値に微調整する
こともできる。
ことにより、誘電率の温度特性χ所囁の値に微調整する
こともできる。
本発明誘電材料は、単結晶力)らなるものに比して、そ
の製造過程が簡単であり、大型生産に適する。
の製造過程が簡単であり、大型生産に適する。
本発明誘電材料は、高温で焼結した磁器であるから、を
気中で極めて安定であり、侵輌的強度も十分である。さ
らに%Mn (が刀Uにより戊結温度ン低くできるので
、従来の/600 ℃以上の焼結温度ン必要とする焼結
の場合のように、炉体、容器。
気中で極めて安定であり、侵輌的強度も十分である。さ
らに%Mn (が刀Uにより戊結温度ン低くできるので
、従来の/600 ℃以上の焼結温度ン必要とする焼結
の場合のように、炉体、容器。
発熱体の著しい消耗、焼成中の不純物の混入や拡散のz
(−nが多いこと等の欠点を除去できる。
(−nが多いこと等の欠点を除去できる。
特許出願人 日本放送協会
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1) 少くともHa t Zn、 Ta、 ) Os
もしくはHa(Mg% ”5’s ) 03Y主成分と
するペロブスカイト構造酸化物に少量のMnン添加して
焼結してなることン特徴とする低損失マイクロ波6′シ
ぽ料。 2、特許請求の範囲第1項記載の低損失マイクロ仮誘電
材料において、@記ペロブスカイト構造酸化物として、
少くとも8a (ZnysTa九)03もしくはBa
(Mg 3.、 Tt’ 、h) 03・乞主+10
とし、さらにBa (Zn、 Nb九) 03もしくは
BaL Mg、 Nb y、 ) Oa ン含むこと
を特徴とする低損失マイクロ波射電体科。 3)特許請求の範囲第1項または第2項に記載の低゛損
失マイクロ波誘電材料において、前記組収吻の焼成時の
雰囲気として窒素もしくは空気χ用いること乞特徴とす
る低損失マイクロ阪誌電材料。 4)特許請求の範囲第1項または第一項に記載の低損失
マイクロ阪誘電材料において、前記組戚物に酸化マンガ
ンまたは炭酸マンガンケ添加して焼結することン特徴と
する低損失マイクロ波あ電材料。 5)特許請求の範囲第1項ヱには第2.JJに記載の低
損失マイクロ波き適材料において、仮焼しTこ前記ベブ
ロスカイト構造酸化物粉末χMnSO4” 4’、T(
21)の水浴液で処理して削’txQ Mn Y添7J
Oすること馨′$f微とする低損失マイクロ波お酸材料
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57088066A JPS58206003A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
US06/495,807 US4487842A (en) | 1982-05-26 | 1983-05-18 | Low-loss microwave dielectric material |
EP83302887A EP0095338B1 (en) | 1982-05-26 | 1983-05-19 | Low-loss microwave dielectric material |
DE8383302887T DE3372889D1 (en) | 1982-05-26 | 1983-05-19 | Low-loss microwave dielectric material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57088066A JPS58206003A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58206003A true JPS58206003A (ja) | 1983-12-01 |
JPH0351042B2 JPH0351042B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=13932473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57088066A Granted JPS58206003A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 低損失マイクロ波誘電材料 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4487842A (ja) |
EP (1) | EP0095338B1 (ja) |
JP (1) | JPS58206003A (ja) |
DE (1) | DE3372889D1 (ja) |
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JP3640342B2 (ja) | 2000-05-22 | 2005-04-20 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物の設計方法 |
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-
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- 1982-05-26 JP JP57088066A patent/JPS58206003A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4487842A (en) | 1984-12-11 |
JPH0351042B2 (ja) | 1991-08-05 |
DE3372889D1 (en) | 1987-09-10 |
EP0095338B1 (en) | 1987-08-05 |
EP0095338A1 (en) | 1983-11-30 |
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