CN106007707B - Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents

Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106007707B
CN106007707B CN201610524513.1A CN201610524513A CN106007707B CN 106007707 B CN106007707 B CN 106007707B CN 201610524513 A CN201610524513 A CN 201610524513A CN 106007707 B CN106007707 B CN 106007707B
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
medium ceramics
bismuth titanate
doped bismuth
titanate microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610524513.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106007707A (zh
Inventor
马卫兵
臧向荣
李娜
王燕云
尤博仟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201610524513.1A priority Critical patent/CN106007707B/zh
Publication of CN106007707A publication Critical patent/CN106007707A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106007707B publication Critical patent/CN106007707B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/475—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on bismuth titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种Mg‑Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其化学式为MgxBi4‑xTi3‑xNbxO12,式中x＝0.1～0.4。先将原料Bi2O3、TiO2、(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5按MgxBi4‑xTi3‑xNbxO12其中x＝0.1～0.4的化学计量比，混合后球磨6h，再于90℃烘干，研磨，过筛；再于800℃合成，并进行二次球磨12h，再烘干，研磨，过筛，再外加质量百分比为7wt.％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，压柱均化，捣碎，研磨过筛，压制成型为坯体；坯体于650℃保温1h，进行有机物排除；再于1000～1100℃烧结，制得Mg‑Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷。本发明在较低烧结温度下制备出了高介电常数的钛酸铋微波介质陶瓷，降低了钛酸铋的介电损耗，提高了制品性能，最佳烧结温度为1050℃，其εr＝125、Q×f＝632GHz。

Description

Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，尤其涉及一种Mg-Nb掺杂Bi4Ti3O12体系的微波介质陶瓷。
背景技术
微波介质陶瓷是近二十多年来发展起来的一种新型的功能陶瓷材料。它是指应用于微波频率(主要是300MHz～30GHz频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷材料，是制造微波介质滤波器和谐振器的关键材料，近年来研究十分活跃。用微波介质陶瓷材料做成的各类高性能器件，已被广泛应用于卫星电视、雷达、移动通讯、电子计算机及现代医学等众多领域。为适应移动通讯与卫星通讯等方面的迅速发展，国际上对微波介质陶瓷的研究与开发应用愈来愈重视。目前对微波介质陶瓷的研究开发主要围绕如下几大方向开展：①追求低损耗的极限，研究已有材料的低损耗化；②探索更高的介电常数(>100乃至>150)新体系；③频率捷变(电调)微波介质陶瓷。即对微波介质陶瓷材料总的要求是：在所使用的微波波段内，介电系数要大，品质因数Q要高，谐振频率的温度系数介要接近于零或可调节。根据介电常数的大小，微波介质陶瓷可以分为三大类：1、低介电常数微波介质陶瓷，一般其εr<20，此类微波介质陶瓷主要包括A12O3、MgTiO3、Y2BaCuO5、Mg2SiO4、Mg2TiO4、Zn2SiO4、MgA12O4等，这类陶瓷主要应用于微波基板和高端微波元件；2、中介电常数微波介质陶瓷，一般其20<εr<70，此类微波介质陶瓷主要包括BaO-TiO2体系、Ln2O3-TiO2体系、钙基或钡基复合钙钛矿、(Zr，Sn)TiO4、MO-Ln2O3-TiO2(M＝Ba，Sr，Ca；Ln＝La，Nd，Sm)体系等，这类微波介质陶瓷主要应用于卫星通信和移动通信基站；3、高介电常数微波介质陶瓷，一般其εr>70，此类微波介质陶瓷主要包括TiO2、CaTiO3、BaO-Ln2O3-TiO2、(Li1/2Ln1/2)TiO3、CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2和铅基复合钙钛矿等，这类陶瓷主要应用于微波介质谐振器和滤波器上。微波介质陶瓷具有较高的介电常数，可以实现电子线路的小型化需求，较高的品质因数，能够减少能量损失，同时延长设备的使用寿命，接近于零的谐振频率温度系数，可以使得电路具有良好的稳定性。广泛用于制作各种微波器件，如稳频振荡器、滤波器等各种介质谐振器以及介质基片、天线和片式电容器等，能够满足现代微波通信、移动通信、卫星通信、广播电视、雷达、电子对抗、制导等技术对微波电路集成化、微型化、高可靠性和低成本的要求。不同的需求对介电常数的需求不同，因此希望通过适当的调整配方，在保证品质因数、谐振频率温度系数的前提下，获得一系列的介电常数是必要的。
Bi4Ti3O12为铋层状结构，其化学通式为(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-，由(Bi2O2)2+层和类钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-沿C轴有规则地交替排列而成，相邻两铋氧层之间沿C轴方向的氧八面体数由m来标示。Bi4Ti3O12烧结温度低，介电常数很高，谐振频率温度系数较小，但是损耗较大。Bi4Ti3O12在1050℃烧结时其微波性能为εr＝110,Q×f＝305GHz。但是对于Mg-Nb同时掺杂Bi4Ti3O12陶瓷在微波频段还没有被研究，申请人探究了Mg-Nb同时对其进行掺杂改性的影响。为了使其性能达到最佳，还探究了烧结温度对其性能的影响。因此，Bi4Ti3O12微波介质陶瓷作为微波介质材料应在保持高介电常数基础上降低损耗，提高Q×f值，以实现在微波频段上的更好应用。
发明内容
本发明的目的，是解决Bi4Ti3O12微波介质陶瓷损耗过高的弊端，通过加入(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5并通过工艺调整，来降低损耗，提高Q×f值，提供一种能在较低温烧结且能保证其具有较好的微波性能的MgxBi4-xTi3-xNbxO12(x＝0.1～0.4)微波介质陶瓷。
本发明通过如下技术方案予以实现：
一种Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其化学式为MgxBi4-xTi3-xNbxO12,式中x＝0.1～0.4；
该Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：
(1)配料
将原料Bi2O3,TiO2,(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O,Nb2O5按MgxBi4-xTi3-xNbxO12,式中x＝0.1～0.4的化学计量比，混合后放入球磨罐中，球磨时间为6h；再将混合料于90℃烘干，研磨，过40目筛；
(2)合成
将步骤(1)中过筛后的粉料，放入坩埚内，压实，加盖，密封，于800℃合成，保温3h，自然冷却到室温，出炉；
(3)二次球磨
将步骤(2)出炉后的合成料研磨后放入球磨罐中进行二次球磨12h，再于90℃烘干，研磨，过40目筛；
(4)压片
将步骤(3)过筛后的粉料，外加质量百分比为7wt.％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，压柱均化，再将其捣碎，研磨过筛，压制成型为坯体；
(5)排胶
将步骤(4)的坯体放入马弗炉中，以5℃/min的速率升温至650℃，保温1h，并于升温至200℃和350℃时各保温1h，并于200℃和350℃各保温1h，进行有机物排除；
(6)烧结
将步骤(5)排胶后的坯体放进坩埚中加入垫料进行埋烧，以5℃/min的升温速率升温至1000～1100℃烧结，保温5h，随炉自然冷却至室温，制得Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷。
所述步骤(1)的原料Bi2O3,TiO2,(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5均为市售的质量纯度≥99％的化学纯原料。
所述步骤(1)按MgxBi4-xTi3-xNbxO12,x＝0.1的化学计量比配料。
所述步骤(1)的球磨介质为去离子水和氧化锆球，球：料：去离子水的重量比均为2：1：0.6，球磨机转速为750转/分。
所述步骤(3)的球磨机转速为750转/分。
所述步骤(4)压制成型的压强为200MPa。
所述步骤(4)压制成型的坯体为直径d＝12mm、厚度5～6mm的圆柱状坯体。
所述步骤(6)的烧结温度为1050℃。
本发明的有益效果，是以Bi4Ti3O12微波介质陶瓷为基础，采用加入(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5来提高Q×f值的方法，通过配方与工艺的调整和改进，制备具有较好综合性能的MgxBi4-xTi3-xNbxO12，式中x＝0.1～0.4，本发明提高了Q×f值，得到了一种综合性能较好的微波陶瓷，其中εr＝125,Q×f＝632GHz。
附图说明
图1是本发明实施例2的Mg-Nb含量x＝0.1，烧结温度为1050℃时的扫描电镜图谱。
具体实施方式
本发明采用的原料Bi2O3,TiO2,(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5均为市售的化学纯原料(质量纯度≥99％)。采用传统方法即固相反应混合方法进行常压烧结来制备具有较好综合性能的微波介质陶瓷材料。
本发明的制备方法如下：
(1)配料
将原料Bi2O3,TiO2,(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5按MgxBi4-xTi3-xNbxO12，式中x＝0.1～0.4的化学计量比，混合后放入球磨罐中，球磨介质均为去离子水和氧化锆球，球：料：去离子水的重量比均为2：1：0.6；球磨时间为6h，球磨机的转速为750转/分；再将混合料放入烘箱内于90℃烘干，然后放入研钵内研磨，过40目筛；
(2)合成
将步骤(1)中过筛后的粉料，放入坩埚内，压实，加盖，密封，在合成炉中于800℃合成，保温3h，自然冷却到室温，出炉；
(3)二次球磨
将步骤(2)出炉后的合成料研磨后放入球磨罐中进行二次球磨12h，球磨机的转速为750转/分，再将球磨后的料放入烘箱内于90℃烘干，然后放入研钵内研磨，过40目筛；
(4)压片
将步骤(3)过筛后的粉料，外加质量百分比为7wt.％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，压柱均化，再将其捣碎，研磨过筛，压制成型为坯体；
(5)排胶
将步骤(4)的坯体放入马弗炉中，以5℃/min的速率升温至650℃，保温1h，并于升温至200℃和350℃时各保温1h，并于200℃和350℃各保温1h，进行有机物排除；
(6)烧结
将步骤(5)排胶后的坯体放进坩埚中加入垫料进行埋烧，以5℃/min的升温速率升温至1000～1100℃烧结，保温5h，随炉自然冷却至室温，制得Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷；
(7)测试微波性能
将步骤(6)烧结后的微波介质陶瓷，于室温静置24h，使用Agilent,N5230C网络分析仪测试其εr，Q×f微波性能。
本发明具体实施例的(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5的掺杂量为0.1wt.％的MgxBi4-xTi3-xNbxO12微波介质材料，在不同烧结温度及其制品的测试结果详见表1。
不同Mg-Nb掺杂量的MgxBi4-xTi3-xNbxO12微波介质材料在同一烧结温度及其制品的测试结果详见表2。
表1
表2
图1是本发明实施例2的Mg-Nb含量x＝0.1，烧结温度为1050℃时的扫描电镜图谱。由图1中可以看出，其晶粒生长一致，形成片层状结构，结晶性能较好。
最佳实施例为本发明实施例2的Mg-Nb含量x＝0.1，烧结温度为1050℃时，εr＝125(Hakki-Coleman method)、Q×f＝632GHz(Cavity method)。
本发明制备的微波陶瓷材料主要作为介质谐振器和滤波器应用于低频(f<4GHz)的民用移动通信系统中，低温烧结能够降低成本，减少污染。
上述对实施例的描述是便于该技术领域的普通技术人员能理解和应用本发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本发明不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本发明的揭示，对于本发明做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其化学式为MgxBi4-xTi3-xNbxO12,式中x＝0.1～0.4；
该Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：
(1)配料
将原料Bi2O3,TiO2,(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O,Nb2O5按MgxBi4-xTi3-xNbxO12,式中x＝0.1～0.4的化学计量比，混合后放入球磨罐中，球磨时间为6h；再将混合料于90℃烘干，研磨，过40目筛；
(2)合成
将步骤(1)中过筛后的粉料，放入坩埚内，压实，加盖，密封，于800℃合成，保温3h，自然冷却到室温，出炉；
(3)二次球磨
将步骤(2)出炉后的合成料研磨后放入球磨罐中进行二次球磨12h，再于90℃烘干，研磨，过40目筛；
(4)压片
将步骤(3)过筛后的粉料，外加质量百分比为7wt.％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，压柱均化，再将其捣碎，研磨过筛，压制成型为坯体；
(5)排胶
将步骤(4)的坯体放入马弗炉中，以5℃/min的速率升温至650℃，保温1h，并于升温至200℃和350℃时各保温1h，并于200℃和350℃各保温1h，进行有机物排除；
(6)烧结
将步骤(5)排胶后的坯体放进坩埚中加入垫料进行埋烧，以5℃/min的升温速率升温至1000～1100℃烧结，保温5h，随炉自然冷却至室温，制得Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷。
2.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的原料Bi2O3,TiO2,(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O和Nb2O5均为市售的质量纯度≥99％的化学纯原料。
3.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)按MgxBi4-xTi3-xNbxO12,x＝0.1的化学计量比配料。
4.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的球磨介质为去离子水和氧化锆球，球：料：去离子水的重量比均为2：1：0.6，球磨机转速为750转/分。
5.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(3)的球磨机转速为750转/分。
6.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)压制成型的压强为200MPa。
7.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)压制成型的坯体为直径d＝12mm、厚度5～6mm的圆柱状坯体。
8.根据权利要求1所述的Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(6)的烧结温度为1050℃。
CN201610524513.1A 2016-07-05 2016-07-05 Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法 Active CN106007707B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610524513.1A CN106007707B (zh) 2016-07-05 2016-07-05 Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610524513.1A CN106007707B (zh) 2016-07-05 2016-07-05 Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106007707A CN106007707A (zh) 2016-10-12
CN106007707B true CN106007707B (zh) 2018-12-28

Family

ID=57107608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610524513.1A Active CN106007707B (zh) 2016-07-05 2016-07-05 Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106007707B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107500750A (zh) * 2017-08-04 2017-12-22 天津大学 镁铌共掺制备高q值锂基微波介质材料
CN108793994A (zh) * 2018-08-15 2018-11-13 天津大学 一种施主掺杂中介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
CN109336588B (zh) * 2018-10-11 2021-06-18 北京工业大学 一种高温稳定高介低损耗高绝缘无铅陶瓷电容器材料及制备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102850048A (zh) * 2012-07-02 2013-01-02 西安交通大学 一种铌镁钛酸铋陶瓷材料及其制备方法
CN105272222A (zh) * 2015-10-26 2016-01-27 湖北大学 一种镁掺杂新型钛酸铋钠基无铅介电陶瓷材料及其制备方法
CN105693238A (zh) * 2016-01-05 2016-06-22 湖北大学 一种具有低介电性能和低损耗的钛酸铋钠基无铅压电铁电材料

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102850048A (zh) * 2012-07-02 2013-01-02 西安交通大学 一种铌镁钛酸铋陶瓷材料及其制备方法
CN105272222A (zh) * 2015-10-26 2016-01-27 湖北大学 一种镁掺杂新型钛酸铋钠基无铅介电陶瓷材料及其制备方法
CN105693238A (zh) * 2016-01-05 2016-06-22 湖北大学 一种具有低介电性能和低损耗的钛酸铋钠基无铅压电铁电材料

Also Published As

Publication number Publication date
CN106007707A (zh) 2016-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106587987B (zh) C0g微波介质材料及制备方法及陶瓷材料的制备方法
CN106045513A (zh) 一种中介电常数、高品质因子的微波介质陶瓷及制备方法
CN105693241B (zh) 高品质因数锂镁铌系微波介质陶瓷及其制备方法
CN106007707B (zh) Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法
CN104003722A (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法
CN102249670A (zh) 低温烧结的微波介电陶瓷Li2Ba1-xSrxTi4O16及其制备方法
CN104860672A (zh) 一种高介微波陶瓷介质材料及其制备方法
Gu et al. Low temperature sintering and microwave dielectric properties of 0.2 Ca0. 8Sr0. 2TiO3–0.8 Li0. 5Sm0. 5TiO3 ceramics with BaCu (B2O5) additive and TiO2 dopant
CN107188557A (zh) 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN109928753A (zh) 一种低介电常数硅基微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN106064942A (zh) 高居里温度无铅snkbt压电陶瓷及其制备方法
CN111004030A (zh) 一种MgTiO3基微波介质陶瓷及其制备方法
CN109251028A (zh) 一种低介高q锂镁铌系微波介质陶瓷及其制备方法
CN103214243A (zh) 铌钛酸锌微波介质陶瓷及其制备方法
CN103435342B (zh) 钛酸盐微波介电陶瓷Ba2Ti5Zn1-xMgxO13及其制备方法
JP3011123B2 (ja) 誘電体セラミック組成物
CN107382314A (zh) 一种钡基复合钙钛矿结构的微波介质陶瓷
CN103467084A (zh) 一种高介电常数锂铌钛系低温烧结陶瓷及其制备方法
CN107777997A (zh) 一种中介电常数高Qf值微波介质陶瓷的制备方法
CN105294103B (zh) 一种钒基温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法
CN104402430B (zh) 一种温度稳定型中k值微波介质陶瓷及其制备方法
CN112479704A (zh) 一种低温烧结高介微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN102531568A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiBa4Bi3O11及其制备方法
CN107935588B (zh) 微波调谐器件用钛酸锶钡介质材料
CN105399420B (zh) 一种Ti基高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 300350 Haijing garden, Haihe Education Park, Jinnan, Tianjin, 135, Tianjin University.

Applicant after: Tianjin University

Address before: 300072 Tianjin City, Nankai District Wei Jin Road No. 92

Applicant before: Tianjin University

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant