JPS58154228A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58154228A JPS58154228A JP3750882A JP3750882A JPS58154228A JP S58154228 A JPS58154228 A JP S58154228A JP 3750882 A JP3750882 A JP 3750882A JP 3750882 A JP3750882 A JP 3750882A JP S58154228 A JPS58154228 A JP S58154228A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｉａｌ 発明の技術分野
＋究明は半導体装置の製造方法、特にメタルシリサイド
４ｔ−の形成方法に関する。
４ｔ−の形成方法に関する。
（０）従来技術と問題点
近て牛、モリブデン（ＭＯ）やタングステン（Ｗ）など
の斂属シリコン化会物（メタルシリサイド）がＬｓ工配
嫉に使用されるようになってきたが、これらのメタルシ
リサイドは、多結晶シリコン（Ｓｌ）に比べて抵抗率は
１桁低くて、しかも多結晶シリコンと同様にｆＩＲ細加
工に適した材料でるるからでめる。
の斂属シリコン化会物（メタルシリサイド）がＬｓ工配
嫉に使用されるようになってきたが、これらのメタルシ
リサイドは、多結晶シリコン（Ｓｌ）に比べて抵抗率は
１桁低くて、しかも多結晶シリコンと同様にｆＩＲ細加
工に適した材料でるるからでめる。
このようなメタルシリサイドを４ｗｔｐＩＩＩとして使
用する際には、下地の絶縁膜との間に多結晶シリコン膜
を介在させることが多く、特にＭＯＳ ）フンジスタ素
子のゲート電極とする場合は、４１図のように二酸化シ
リコン（５１０ｇ ）−からなるゲート絶緻映ｌ上にド
ープ多結晶シリコンａｍ ＜ ８１７１１０００〜２０
００Ａ ）２ｔ−介してモリブデンシリサイド（ＭｏＳ
ｉ、ｇ ）導電電極８を形成する。なお１図において４
はシリコン基板、６．６はそれぞれソース及びドレイン
領域を示す。これは、直接ｒＡｏｓ’ｈＱ電極８を５１
０２膜ｌ上に形成すると、従来のシリコンゲートとは異
質となり、仕［ｉ数が異なるのでスレーショルド電圧（
Ｖｔｈ）が変わる欠点かめる上に、絶縁耐圧も悪くなる
焼肉があるためである。
用する際には、下地の絶縁膜との間に多結晶シリコン膜
を介在させることが多く、特にＭＯＳ ）フンジスタ素
子のゲート電極とする場合は、４１図のように二酸化シ
リコン（５１０ｇ ）−からなるゲート絶緻映ｌ上にド
ープ多結晶シリコンａｍ ＜ ８１７１１０００〜２０
００Ａ ）２ｔ−介してモリブデンシリサイド（ＭｏＳ
ｉ、ｇ ）導電電極８を形成する。なお１図において４
はシリコン基板、６．６はそれぞれソース及びドレイン
領域を示す。これは、直接ｒＡｏｓ’ｈＱ電極８を５１
０２膜ｌ上に形成すると、従来のシリコンゲートとは異
質となり、仕［ｉ数が異なるのでスレーショルド電圧（
Ｖｔｈ）が変わる欠点かめる上に、絶縁耐圧も悪くなる
焼肉があるためである。
ところで、このような多結晶シリコンｌｓ２の仮着は、
吐常シリコン基板を数１００℃＆Ｃ加熱し、化学気相成
長（ＣｖＤ）法を用いて形成しているが、その多結晶シ
リコンの結晶粒は平均して数１０００人の大きさとなり
、更にＭＯ８ｉｇｗｔｆｊＡ被着時に、篩温熱処被着性
なえば、内部ストレスによりＭＯ８１ｇと多結晶シリコ
ンの間が剥離し、ｔたＳｉｎｇ ｉｌｌの耐圧も劣化す
るという間−がある。
吐常シリコン基板を数１００℃＆Ｃ加熱し、化学気相成
長（ＣｖＤ）法を用いて形成しているが、その多結晶シ
リコンの結晶粒は平均して数１０００人の大きさとなり
、更にＭＯ８ｉｇｗｔｆｊＡ被着時に、篩温熱処被着性
なえば、内部ストレスによりＭＯ８１ｇと多結晶シリコ
ンの間が剥離し、ｔたＳｉｎｇ ｉｌｌの耐圧も劣化す
るという間−がある。
（Ｃ）＠明の目的
本発明はこのような問題点の除去、即ちメタルシリサイ
ドと多結晶シリコンとの剥離を解消し、絶縁耐圧を向１
する製造方法を機業するものである。
ドと多結晶シリコンとの剥離を解消し、絶縁耐圧を向１
する製造方法を機業するものである。
山 発明のｍ成
その目的は、多結晶シリコンに代りアモルファス（ａｍ
ａｒｐｈｏｕｓ ） シリコン膜を介してメタルシリ
サイド導電層を形成する工程を含む４１ｔ製造方法によ
って達成され、以下実施例によって詳しく説明する。
ａｒｐｈｏｕｓ ） シリコン膜を介してメタルシリ
サイド導電層を形成する工程を含む４１ｔ製造方法によ
って達成され、以下実施例によって詳しく説明する。
ｔｅｌ 発明の実施例
第２図は本発明Ｋか＼る製造方法の一工程図を示してお
り、シリコン基板４にソース５及びドレイ７６゜、□。
り、シリコン基板４にソース５及びドレイ７６゜、□。
。、ヶ’−１Ｓｉ。８．１゜４数１００人）を生成した
後、その１面に膜厚１５００人のアモルファスシリコン
＠１０を被着し、次いで膜厚２０００人のＭｏ５ｉａ
１１１Ｂを被着する。被漬方法は、スパッタ法を用い、
同じスパッタ装置内にシリコン板トモリプデンシリサイ
ド板を納めて、これらのスパッタ板を切換えるｃｏ−ｓ
ｐｕｔｔｅｒ 方式によって形成する。その際、シリコ
ン基板を８００℃の低温度に保持しておくと、スパッタ
リングされたシリコン膜はアモルファス（非晶質）であ
り、結晶粒界は見られない。また別の方法として、プラ
ズマＣｖＤ法を用い、シリコン基板の加熱温度を低くし
て形成すれば、同様にアモルファスシリコンを堆積させ
ることができる。
後、その１面に膜厚１５００人のアモルファスシリコン
＠１０を被着し、次いで膜厚２０００人のＭｏ５ｉａ
１１１Ｂを被着する。被漬方法は、スパッタ法を用い、
同じスパッタ装置内にシリコン板トモリプデンシリサイ
ド板を納めて、これらのスパッタ板を切換えるｃｏ−ｓ
ｐｕｔｔｅｒ 方式によって形成する。その際、シリコ
ン基板を８００℃の低温度に保持しておくと、スパッタ
リングされたシリコン膜はアモルファス（非晶質）であ
り、結晶粒界は見られない。また別の方法として、プラ
ズマＣｖＤ法を用い、シリコン基板の加熱温度を低くし
て形成すれば、同様にアモルファスシリコンを堆積させ
ることができる。
このようにしてアモルファスシリコン膜トＭＯＳ ’Ｌ
ｘ層とを被着した後、第８図に示すようにフォトプロ
セスヲ用いてパターンニングシ、アモルファスシリコン
膜ｌＯとＭｏ５１．２１１１８からなるゲート電極に形
成する。それ以降の工程で高温熱処理がなされれば、ア
モルファスシリコン膜は結晶化が進行するが、従来の多
結晶シリコン膜と比べて結晶粒はｗｋ軸で、ＭｏＳｉ４
から受けるストレスを充分に吸収し、剥離が生ずること
はない。例えば、玉記例ではソース５及びドレイン６の
両領域をすでに形成した後、ゲート電極を形成する製造
方法で説明しているが、ゲート電極を形成した後セルフ
ァフィンでソース、ドレイン両領域を形成する製造方法
を用いることも多く、その場会両領域はイオン注入した
後、高温熱処理によって一定される。しかし、その高温
熱処理によってもゲート電極の剥離は生ぜず安定であり
、その池の悪影響も起らない。したがって、アモルファ
スシリコン膜を介在させてＭＯＳ１ｇゲート電極の形成
する仁とで剥離は解消して歩留が良くな６．ｙｔｈが安
定して品質も向上するものである。
ｘ層とを被着した後、第８図に示すようにフォトプロ
セスヲ用いてパターンニングシ、アモルファスシリコン
膜ｌＯとＭｏ５１．２１１１８からなるゲート電極に形
成する。それ以降の工程で高温熱処理がなされれば、ア
モルファスシリコン膜は結晶化が進行するが、従来の多
結晶シリコン膜と比べて結晶粒はｗｋ軸で、ＭｏＳｉ４
から受けるストレスを充分に吸収し、剥離が生ずること
はない。例えば、玉記例ではソース５及びドレイン６の
両領域をすでに形成した後、ゲート電極を形成する製造
方法で説明しているが、ゲート電極を形成した後セルフ
ァフィンでソース、ドレイン両領域を形成する製造方法
を用いることも多く、その場会両領域はイオン注入した
後、高温熱処理によって一定される。しかし、その高温
熱処理によってもゲート電極の剥離は生ぜず安定であり
、その池の悪影響も起らない。したがって、アモルファ
スシリコン膜を介在させてＭＯＳ１ｇゲート電極の形成
する仁とで剥離は解消して歩留が良くな６．ｙｔｈが安
定して品質も向上するものである。
ｎ 発明の効果
以上はＭＯＳ）ランジスタ素子のゲート電極形成の一実
施例であるが１本発明は半導体装置に形成されるメタ１
ｖｙリサイド配線にすべて応用して耐圧向１などの効果
がｈａ、ｔたＭｏＳｉ４のみならずタングステンシリサ
イド（ＷＳ：ｉ４ ’） 、チタンシリサイド（’ｆｉ
ｓｉｇ ）などの池のメタ１ｖｙリサイドにも通用する
ことができて、ＬＳＩの信頼性向とに督しく寄与するも
のである。
施例であるが１本発明は半導体装置に形成されるメタ１
ｖｙリサイド配線にすべて応用して耐圧向１などの効果
がｈａ、ｔたＭｏＳｉ４のみならずタングステンシリサ
イド（ＷＳ：ｉ４ ’） 、チタンシリサイド（’ｆｉ
ｓｉｇ ）などの池のメタ１ｖｙリサイドにも通用する
ことができて、ＬＳＩの信頼性向とに督しく寄与するも
のである。
第１図は従来のＭＯＳ ）フンジスタ素子の断面図、１
８２図及び第８図は本発明にか覧るＭＯＳ トランジス
タの工程断面図を示す。 図中、１はゲート５１０ｇ ｇ、 ２は多結晶シリコン
績、８はＭｏＳｉ４．４はシリコン基板、ｌＯはアモル
ファスシリコン膜であル。
８２図及び第８図は本発明にか覧るＭＯＳ トランジス
タの工程断面図を示す。 図中、１はゲート５１０ｇ ｇ、 ２は多結晶シリコン
績、８はＭｏＳｉ４．４はシリコン基板、ｌＯはアモル
ファスシリコン膜であル。
Claims (1)
- アモルファヌシリコン膜ヲ介してメタルシリサイド導電
−を形成する工程を含むことｔ特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3750882A JPS58154228A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3750882A JPS58154228A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154228A true JPS58154228A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12499467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3750882A Pending JPS58154228A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154228A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213046A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 基板上にポリサイド構造を形成する方法 |
| JPS63163A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63281424A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Toshiba Corp | ポリサイド電極の形成方法 |
| JPH01289166A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02285632A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-11-22 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置の伝導物質層の上部にシリサイド膜を形成する方法 |
| JPH05291176A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｉｓ型トランジスタの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5413283A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-31 | Ibm | Method of forming metal silicide layer on substrate |
| JPS5645049A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5673450A (en) * | 1979-11-21 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP3750882A patent/JPS58154228A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5413283A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-31 | Ibm | Method of forming metal silicide layer on substrate |
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| JPH05291176A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｍｉｓ型トランジスタの製造方法 |
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