JPH11312674A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Ｃｖｄ装置

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JPH11312674A JP11023887A JP2388799A JPH11312674A JP H11312674 A JPH11312674 A JP H11312674A JP 11023887 A JP11023887 A JP 11023887A JP 2388799 A JP2388799 A JP 2388799A JP H11312674 A JPH11312674 A JP H11312674A
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space
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film
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大面積基板にプラズマを利用したＣＶＤによ
りＴＥＯＳを用いてシリコン酸化膜を成膜する場合、パ
ーティクルの発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止
し、基板近傍でのプラズマ分布を良好にする。 【解決手段】 真空容器12内でプラズマを生成して活性
種（ラジカル）を発生させ、この活性種と材料ガスで基
板11に成膜処理を行う装置であり、複数の孔22が形成さ
れた隔壁板15を設けて真空容器の内部をプラズマ生成空
間16と成膜処理空間17に分け、材料ガスは、プラズマ生
成空間と隔壁板を貫通しかつ分散して設けられた複数の
通路を通して成膜処理空間に直接に導入され、プラズマ
生成空間で生成された活性種は、隔壁板に形成された複
数の孔を通して成膜処理空間に導入される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＶＤ装置に関し、
特に、プラズマを利用するＣＶＤであり、大型のフラッ
トパネル基板への成膜に適したＣＶＤ装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】大型の液晶ディスプレイの作製方法とし
て、従来、高温ポリシリコン型ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を利用するものと、低温ポリシリコン型ＴＦＴを利
用するものとが知られている。高温ポリシリコン型ＴＦ
Ｔを利用する作製方法では、高品質な酸化膜およびポリ
シリコン（poly Si ）と酸化膜界面を得るために、１０
００℃以上の高温に耐える石英基板が使用されていた。
これに対して低温ポリシリコン型ＴＦＴの作製において
は、通常のＴＦＴ用ガラス基板を使用するため、低温環
境（例えば４００℃）で成膜を行う必要がある。低温ポ
リシリコン型ＴＦＴを利用して液晶ディスプレイを製作
する方法は、特別な基板を使用する必要がなく、成膜条
件の設定が簡単であるという利点を有し、近年実用化さ
れ、その生産量は拡大しつつある。
【０００３】低温ポリシリコン型ＴＦＴを利用する液晶
ディスプレイの作製で、低温でゲート絶縁膜として適当
なシリコン酸化膜を成膜する場合、プラズマを利用した
ＣＶＤが使用される。このプラズマを利用したＣＶＤで
シリコン酸化膜を成膜する際、代表的な材料ガスとして
はテトラエトキシシラン（以下ＴＥＯＳ）やシランなど
が使用される。
【０００４】ＴＥＯＳ等の材料ガスを使用してプラズマ
を利用したＣＶＤでシリコン酸化膜を成膜する場合、従
来のプラズマ処理装置によれば、材料ガスをプラズマ処
理装置内に生成されたプラズマの中に直接に供給するよ
うにしていた。このため、材料ガスと酸素が激しく反応
してパーティクルが発生し、これによって歩留まりが低
下するという問題があった。さらにプラズマが基板に接
して存在するため、高エネルギのイオンが入射し、この
イオンがシリコン酸化膜に入射することにより膜特性が
悪化するという問題もあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで従来では、上記
問題を解決するため、遠隔プラズマ方式を利用したプラ
ズマ処理装置が提案されていた。遠隔プラズマ方式で
は、プラズマ処理装置内においてプラズマを生成しラジ
カル等の活性種が生成される領域を基板から離し、かつ
材料ガスが基板の配置領域の近くに供給されるように構
成している。プラズマ領域で生成されたラジカル等は、
基板が配置された領域の方向へ拡散し、基板処理面の前
面空間に供給される。かかる遠隔プラズマ方式のプラズ
マ処理装置によれば、プラズマと材料ガスの激しい反応
が抑制され、パーティクルの発生量が低減され、かつイ
オンの基板への入射も制限するという利点を有してい
る。
【０００６】しかしながら、上記遠隔プラズマ方式のプ
ラズマ処理装置の場合には、プラズマ生成領域と基板配
置領域が接続空間を介し離れて形成され、基板から離れ
た所で生成されたラジカルを接続空間を通し拡散作用で
基板へ供給するようにしたため、成膜速度が低くなり、
基板の表面近傍での分布が悪いという問題があった。特
に、基板の表面近傍での分布が悪いため、大型液晶ディ
スプレイに用いられる大面積の基板に対応することがで
きないという問題が提起された。
【０００７】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、低温ポリシリコン型ＴＦＴを利用した大型液
晶ディスプレイの作製等で、大面積基板にプラズマを利
用したＣＶＤによりＴＥＯＳ等の材料ガスを用いてシリ
コン酸化膜を成膜する場合に、パーティクルの発生を抑
制し、基板へのイオン入射を防止し、基板近傍でのプラ
ズマ分布を良好にし、大面積基板への成膜に有効に利用
できるＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
ＣＶＤ装置は上記目的を達成するため次のように構成さ
れる。
【０００９】第１のＣＶＤ装置（請求項１に対応）は、
真空容器内でプラズマを生成して活性種（ラジカル）を
発生させ、この活性種と材料ガスで基板に成膜処理を行
う装置であり、複数の孔が形成された隔壁板を設けて真
空容器の内部をプラズマ生成空間と成膜処理空間に分
け、真空容器に供給された材料ガスは、プラズマ生成空
間と隔壁板を貫通しかつ分散して設けられた複数の導電
性の通路を通して成膜処理空間に直接に導入され、プラ
ズマ生成空間で生成された活性種は、隔壁板に形成され
た複数の孔を通して成膜処理空間に導入されるように構
成される。上記のＣＶＤ装置では、プラズマを利用した
ＣＶＤで基板に成膜を行うとき、所定条件を満たす多数
の孔を有した隔壁板でプラズマ生成空間と成膜処理空間
を区画し、材料ガスを、プラズマが生成される領域を避
け、基板前面の成膜処理空間に直接に導入するようにし
た。これにより材料ガスとプラズマの間で激しい化学反
応が起きることを防ぎ、パーティクルの発生を抑制す
る。また生成されたプラズマ中の活性種は隔壁板の孔を
通して成膜処理空間に導入される。第２のＣＶＤ装置
（請求項２に対応）は、上記第１の構成において、隔壁
板に形成された複数の孔の各々は、孔内でのガス流速を
ｕ、実質的な孔の長さをＬ、相互ガス拡散係数（すなわ
ち酸素ガスと材料ガスの相互ガス拡散係数）をＤとする
とき、ｕＬ／Ｄ＞１の条件を満たす状態で、活性種を成
膜処理空間に導入することを特徴とする。隔壁板の孔が
満たす条件としては、孔を通して、酸素ガスが物質移動
流れとして、材料ガスが拡散によりそれぞれ反対側に移
動することを想定するとき、拡散による移動量が制限さ
れるように設定される第３のＣＶＤ装置（請求項３に対
応）は、上記の各構成において、隔壁部はクリーニング
用高周波電力を供給する高周波給電部に接続され、隔壁
部に適時に高周波電力を供給して成膜処理空間でクリー
ニング用プラズマを生成することを特徴とする。第４の
ＣＶＤ装置（請求項４に対応）は、上記第１の構成にお
いて、ガスリザーバ内に均一板を備えたことを特徴とす
る。成膜処理空間に導入される材料ガスを分散させ、大
面積基板を成膜できるように均一化するためである。第
５のＣＶＤ装置（請求項５に対応）は、上記第１の構成
において、プラズマ生成空間の中間位置に放電用電極を
設け、この電極とプラズマ生成空間を形成する隔壁板お
よび上壁板との間でプラズマを生成することを特徴とす
る。第６のＣＶＤ装置（請求項６に対応）は、上記第１
の構成において、プラズマ生成空間の上側位置に放電用
電極を設け、この電極と隔壁板との間でプラズマを生成
することを特徴とする。
【００１０】また上記ＣＶＤ装置で実行される成膜方法
は、プラズマにより生成した活性種と材料ガスで基板に
成膜処理を行う方法であり、複数の孔が形成された隔壁
板で真空容器内をプラズマ生成空間と成膜処理空間に分
け、真空容器に供給される材料ガスを成膜処理空間に直
接に導入し、プラズマ生成空間で生成された活性種を、
隔壁板に形成された複数の孔を通して成膜処理空間に導
入する方法である。上記のプラズマを利用したＣＶＤに
よる成膜方法は、上記第１の方法において、隔壁板に形
成された複数の孔の各々は、孔内でのガス流速をｕ、実
質的な孔の長さをＬ、相互ガス拡散係数をＤとすると
き、ｕＬ／Ｄ＞１の条件を満たす状態で活性種を成膜処
理空間に導入することを特徴とする。上記のプラズマを
利用したＣＶＤによる成膜方法は、上記の各方法におい
て、好ましくは隔壁板に高周波電力を供給して成膜処理
空間にプラズマを生成し、成膜処理空間を適時にクリー
ニングすることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。
【００１２】図１〜図３を参照して本発明に係るＣＶＤ
装置の第１の実施形態を説明する。図１において、この
ＣＶＤ装置では、例えばＴＥＯＳを材料ガスとして使用
し、通常のＴＦＴ用ガラス基板１１の上面にシリコン酸
化膜をゲート絶縁膜として成膜する。ＣＶＤ装置の容器
１２は、成膜処理を行う際、排気機構１３によってその
内部が所望の真空状態に保持される真空容器である。排
気機構１３は真空容器１２に形成された排気ポート１４
に接続されている。真空容器１２の内部空間は、導電性
部材で作られた隔壁板１５によって、上側のプラズマ生
成空間１６と下側の成膜処理空間１７に分けられてい
る。上記ガラス基板１１は、成膜処理空間１７に設けら
れた基板保持機構１８の上に配置されている。ガラス基
板１１は隔壁板１５に実質的に平行であって、その成膜
面が隔壁板１５の下面に対向するように配置されてい
る。基板保持機構１８は真空容器１２の下容器１２ｂの
底壁に固定され、真空容器１２と同じ電位であり、接地
電位に保持されている。さらに基板保持機構１８の内部
にはヒータ２０が設けられている。このヒータ２０によ
ってガラス基板１１の温度は所定の温度に保持される。
【００１３】図示されるごとく、真空容器１２の内部
は、上記隔壁板１５によって領域的にプラズマ生成空間
１６と成膜処理空間１７に分けられる。しかしながら、
隔壁板１５には所定条件を満たす複数の孔２２が貫通状
態で分散して形成されており、これらの複数の孔２２を
介してプラズマ生成空間１６と成膜処理空間１７はつな
がっている。孔２２の断面状態の一例を拡大して図２に
示す。孔２２が満たす条件については後述される。
【００１４】真空容器１２の構造を詳しく述べる。真空
容器１２は、その組立て性を良好にする観点から、プラ
ズマ生成空間１６を形成する上容器１２ａと、成膜処理
空間１６を形成する下容器１２ｂとから構成される。上
容器１２ａと下容器１２ｂを組み合わせて真空容器１２
を作るとき、両者の間に、隔壁板１５およびこれに関連
する部分を挟み込む。これによって、プラズマ生成空間
１６と成膜処理空間１７が形成される。他方、隔壁板１
５およびこれに関連する部分と、上記上容器１２ａとに
よってプラズマ生成空間１６が形成されるが、図示され
るごとくプラズマ２３を生成している領域は、前述の隔
壁板１５と、導電性部材で作られた上壁板２４と、これ
らをつなぐ複数のパイプ部材２５と、中央位置に配置さ
れる電極２６とから形成されている。隔壁板１５と上壁
板２４は、平行な位置にあり、複数のパイプ部材２５で
結合され、一体化されている。隔壁板１５と上壁板２４
をつなぐ複数のパイプ部材２５は、材料ガスを通す通路
として機能し、上壁板２４の上側空間と隔壁板１５の下
側空間すなわち成膜処理空間１７とを連通させている。
パイプ部材２５は導電性部材で形成され、その外面はセ
ラミックスカバー２７で被われている。隔壁板１５と電
極２６と上壁板２４は、上容器１２ａの側部内面に沿っ
て設けられた２つの環状絶縁部材２８，２９によって支
持され、固定される。環状絶縁部材２８には、外側から
プラズマ生成空間１７へ酸素ガスを導入する導入パイプ
３０が設けられている。導入パイプ３０は、流量制御を
行うマスフローコントローラ３１を介して酸素ガス供給
源３２に接続されている。
【００１５】図３に電極部分の要部平面図を示す。電極
２６には多数の孔２６ａが形成され、これらの孔２６ａ
を利用して上記パイプ部材２５が配置されている。
【００１６】上壁板２４と上容器１２ａの天井部との間
には、均一板３３を備えてなるガスリザーバが設けられ
ている。均一板３３は、複数の孔が均一に形成された板
材である。上容器１２ａの天井部には、材料ガスが導入
される導入パイプ３４が設けられている。導入パイプ３
４によって真空容器１２のガスリザーバに材料ガスが導
入される。さらに上容器１２ａの天井部には、電極２６
に接続された電力導入棒３５と、隔壁板１５に接続され
た電力導入棒３６とが設けられている。電力導入棒３５
によって電極２６に放電用高周波電力が給電される。電
力導入棒３６によって隔壁板１５にクリーニング用高周
波電力が給電される。電力導入棒３５，３６はいずれも
絶縁物３７，３８で被われており、他の金属部分との絶
縁が図られている。
【００１７】上記のように構成されたＣＶＤ装置による
成膜方法を説明する。図示しない搬送ロボットによって
ガラス基板１１が真空容器１２の内部に搬入され、基板
保持機構１８の上に配置される。真空容器１２の内部
は、排気機構１３によって排気され、減圧されて所定の
真空状態に保持される。次に、導入パイプ３０を通して
酸素ガスが真空容器１２のプラズマ生成空間１６に導入
される。このとき酸素ガスの流量は外部のマスフローコ
ントローラ３１で制御される。式（１），（２）を用い
て、酸素ガスの流量（ＱO2）と成膜処理空間側の圧力
（ＰO2）、および隔壁の温度（Ｔ）から酸素の流速
（ｕ）が求められる。
【００１８】
【数１】
【００１９】一方、材料ガスであるＴＥＯＳが導入パイ
プ３４を通して真空容器１２の内部に導入される。ＴＥ
ＯＳは、最初にガスリザーバに導入され、均一板３３で
均一化され、次に複数のパイプ部材２５を通って成膜処
理空間１７に直接に導入される。成膜処理空間１７に設
けられた基板保持機構１８は、ヒータ２０に通電が行わ
れているため、予め所定温度に保持されている。
【００２０】上記の状態で、電極２６に対して電力導入
棒３５を介して高周波電力が供給される。高周波電力に
よって放電が生じ、プラズマ生成空間１６内において電
極２６の周囲に酸素プラズマ２３が生成される。酸素プ
ラズマ２３を生成することで、中性の励起種であるラジ
カル（励起活性種）が生成される。上記ＴＥＯＳを真空
容器１２の下容器１２ｂ内に導入するとき、ＴＥＯＳが
直接に酸素プラズマ２３に触れることはなく、ＴＥＯＳ
と酸素プラズマとが激しく反応することはない。
【００２１】以上のごとく本実施形態によれば、ＣＶＤ
装置において、真空容器１２の内部空間を隔壁板１５で
プラズマ生成空間１６と成膜処理空間１７に分け、プラ
ズマ生成空間１６に酸素ガスを導入しかつ電極２６に高
周波電力を供給して酸素プラズマ２３を生成し、他方、
成膜処理空間１７に直接にＴＥＯＳを導入するようにし
た。また隔壁板１５に貫通状態で形成された複数の孔２
２の形態は、プラズマ生成空間１６における酸素ガスと
成膜処理空間１７におけるＴＥＯＳが、それぞれ孔２２
を通って反対側の空間に物質移動流れを行うことおよび
拡散移動を行うことを想定するとき、その移動量を所望
範囲に制限するように決められている。すなわち、隔壁
の温度がＴおよび成膜処理空間側の圧力がＰO2のときの
ガスの相互ガス拡散係数をＤとし、かつ図２に示すよう
に孔２２の最小径部分の長さ（孔２２の特徴的長さ）を
Ｌとするとき、前述の酸素ガスの流速を用いて、ｕＬ／
Ｄ＞１の関係が満たされるように決められる。
【００２２】上記ｕＬ／Ｄ＞１の関係は次のように導き
出される。例えば貫通孔２５を移動する酸素とＴＥＯＳ
の関係に関しＴＥＯＳガス密度（ρTEOS）と拡散流速
（ｕTE OS）と相互ガス拡散係数（ＤTEOS-O2 ）を用いて
下記の式（３）が成立する。貫通孔の特徴的長さをＬと
すると、式（３）が式（４）に近似できる。式（４）の
両辺を比較した結果、ＴＥＯＳの拡散流速（ｕTEOS）が
−ＤTEOS-O2 ／Ｌで表わされる。従って、上記の式
（１）と（２）から得られる酸素流速をｕとし、ＴＥＯ
Ｓの拡散流速を−ＤTEOS-O2 ／Ｌとした場合に、これら
の２つの流速の絶対値の比、すなわち｜−ｕ／（−Ｄ
TEOS-O2 ／Ｌ）｜＝ｕＬ／ＤTEOS-O2 の値は酸素物質移
動速度とＴＥＯＳ拡散速度の比であり、この比ｕＬ／Ｄ
TEOS-O2 を１以上にすることは、拡散の流量に比較して
対流による流量が大きいことを意味する。すなわち、ｕ
Ｌ／ＤTEOS-O2 の値を１以上にすることは、ＴＥＯＳの
拡散影響が少ないことを意味している。
【００２３】
【数２】 ρTEOSｕTEOS＝−ＤTEOS-O2 ｇｒａｄρTEOS （３） ρTEOSｕTEOS≒−ＤTEOS-O2 ρTEOS／Ｌ （４）
【００２４】上記のように、プラズマ生成空間１６と成
膜処理空間１７は上記特性を有する孔２２が多数形成さ
れた隔壁板１５で区画されているため、成膜処理空間１
７に直接導入されたＴＥＯＳと酸素プラズマが接触する
ことは少なく、従来装置のごとく両者が激しく反応する
ことは防止される。
【００２５】またプラズマ生成空間１６で生じたラジカ
ルについては、ガラス基板１１のＣＶＤ成膜に必要な適
量のラジカルが、隔壁板１５に形成された孔２２を通っ
て成膜処理空間１７内へ拡散で移動する。これによりＴ
ＥＯＳはラジカルで活性化され、ガラス基板１１の表面
に酸化膜（ＳｉＯ2 ）の成膜が行われる。
【００２６】次に具体的な例を説明する。隔壁板１５の
温度を２００℃、隔壁板１５の孔２２の直径を０．５ｍ
ｍ、孔２２の総数を１８００個、酸素ガスのガス流量を
５００sccm、成膜処理空間１７での圧力１００Ｐａ、直
径０．５ｍｍの部分の長さ（Ｌ）を３ｍｍとすると、上
記式（４）の値は５．５となる。このような場合には、
拡散に比較して流れの影響が十分に大きいため、酸素プ
ラズマ２３が充満しているプラズマ生成空間１６へＴＥ
ＯＳが拡散することは少なく、その結果パーティクルの
発生は少なくなる。
【００２７】次に成膜処理空間１７のクリーニングにつ
いて説明する。本実施形態のＣＶＤ装置によれば、成膜
処理空間１７内にプラズマが十分に拡散してこないの
で、成膜処理空間１７に対してクリーニングを行うこと
が困難であるという問題を生じる。そこで、前述のごと
く電力導入棒３６を隔壁板１５に電気的に接続し、高周
波電力を供給することにより成膜処理空間１７内に例え
ばＮＦ3 プラズマを生成するようにした。生成されたプ
ラズマで成膜処理空間１７の内部をクリーニングする。
電力導入棒３６に高周波電力を供給してクリーニングを
行うタイミングは、予め決められた所定時間ごと、ある
いは所定の基板枚数ごと等の基準に基づいて適時に行わ
れる。
【００２８】次に図４を参照して本発明に係るＣＶＤ装
置の第２の実施形態を説明する。図４において、図１で
説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付
し、ここで詳細な説明を反復することは省略する。本実
施形態の特徴的構成は、前述の上壁板２４をなくし、上
部に円板状絶縁部材４１を設け、かつその下側に電極２
６を配置するようにした。電極２６と隔壁板１５によっ
て平行平板タイプのプラズマ生成空間１６を形成する。
また材料ガスを流す通路を形成する多数のパイプ部材２
５は、絶縁部材４１と隔壁板１５の間に設けられる。そ
の他の構成は第１実施形態の構成と実質的に同じであ
る。さらに、第２実施形態によるＣＶＤ装置による作
用、効果も前述の第１実施形態と同じである。
【００２９】前述の実施形態では、材料ガスとしてＴＥ
ＯＳの例を説明したが、これに限定されず、他の材料ガ
スを用いることができるのはもちろんである。本発明の
原理的考えは、プラズマに材料ガスが接することにより
パーティクルが発生すること、基板へイオンが入射する
ことが問題となるすべての処理に応用でき、成膜、表面
処理、等方エッチング等に応用できる。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、大面積基板にプラズマを利用したＣＶＤによりＴ
ＥＯＳ等の材料ガスを用いてシリコン酸化膜等を成膜す
る場合に、所定条件を満たす多数の貫通孔が形成された
隔壁板でプラズマ生成空間と成膜処理空間を区画し、材
料ガスはプラズマに触れることなく直接に成膜処理空間
に導入するようにしたため、材料ガスとプラズマとの間
の激しい化学反応を防止でき、その結果、パーティクル
の発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止することが
できる。
【００３１】成膜処理空間に材料ガスを直接に導入する
ための通路は複数設けられ、かつ当該通路の上流側には
均一板を備えたガスリザーバを設けたため、成膜処理空
間で材料ガスを均一に導入でき、かつ上記隔壁板に形成
された多数の孔によってラジカルも成膜処理空間に均一
に供給でき、これによって基板の表面近傍でのプラズマ
分布を良好にし、大面積基板への成膜を有効に行うこと
ができる。
【００３２】また隔壁板にクリーニング用電力導入棒を
付設し、適時なタイミングで電力を供給してクリーニン
グを行えるようにしたため、隔壁板で区画してプラズマ
生成空間と成膜処理空間を形成したとしても、成膜処理
空間の清浄度を適切に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す要部縦断面図であ
る。
【図２】隔壁板に形成された孔の拡大断面図である。
【図３】図１において放電用電極を上側から見た一部断
面状態の部分平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の構成を示す要部縦断面
図である。
【符号の説明】
１１ ガラス基板 １２ 真空容器 １５ 隔壁板 １６ プラズマ生成空間 １７ 成膜処理空間 ２２ 孔 ２３ プラズマ ２５ パイプ部材 ２６ 電極 ３３ 均一板

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空容器内でプラズマを生成して活性種
    を発生させ、この活性種と材料ガスで基板に成膜処理を
    行うＣＶＤ装置において、 複数の孔が形成された隔壁板を設けて前記真空容器の内
    部をプラズマ生成空間と成膜処理空間に分け、 前記真空容器に供給された前記材料ガスは、前記プラズ
    マ生成空間と前記隔壁板を貫通しかつ分散して設けられ
    た複数の導電性の通路を通して前記成膜処理空間に直接
    に導入され、 前記プラズマ生成空間で生成された前記活性種は、前記
    隔壁板に形成された前記複数の孔を通して前記成膜処理
    空間に導入されることを特徴とするＣＶＤ装置。
  2. 【請求項２】 前記隔壁板に形成された前記複数の孔の
    各々は、孔内でのガス流速をｕ、実質的な孔の長さを
    Ｌ、相互ガス拡散係数をＤとするとき、ｕＬ／Ｄ＞１の
    条件を満たす状態で、前記活性種を前記成膜処理空間に
    導入することを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】 前記隔壁部はクリーニング用高周波電力
    を供給する高周波給電部に接続され、前記隔壁部に適時
    に高周波電力を供給して前記成膜処理空間でクリーニン
    グ用プラズマを生成することを特徴とする請求項１また
    は２記載のＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】 ガスリザーバ内に均一板を備えたことを
    特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
  5. 【請求項５】 前記プラズマ生成空間の中間位置に放電
    用電極を設け、この電極と前記プラズマ生成空間を形成
    する前記隔壁板および上壁板との間でプラズマを生成す
    ることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
  6. 【請求項６】 前記プラズマ生成空間の上側位置に放電
    用電極を設け、この電極と前記隔壁板の間でプラズマを
    生成することを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
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