JP5019726B2 - 化学気相成長用の加熱基板支持 - Google Patents
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Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的に基板の処理に関し、とりわけ化学気相成長チャンバにおいて基板を加熱するための基板支持アセンブリに関する。より具体的には、本発明は、高温での基板を処理するのための方法および装置に関する。加えて、本発明の他の実施形態を、例えば物理気相成長(PVD)、エッチングおよび他の処理に使用して、基板材料を堆積、合金化、エッチングあるいはアニーリングすることができる。
[0002]化学気相成長(CVD)は薄膜層を基板上に堆積するためのプロセスである。一般的に、基板は真空堆積プロセスチャンバにおいて支持されており、基板は例えば摂氏数百度の高温に加熱される。堆積ガスがチャンバ内に注入され、化学反応が起こり薄膜層を基板上に堆積する。薄膜層は誘電体層、半導体層または金属層であってもよい。堆積プロセスはプラズマ強化(PECVD)または熱強化(熱CVD)であってもよい。
Claims (20)
- 処理チャンバ用の基板支持アセンブリであって、
基板接触表面と第1の表面とを有する第1のプレートであって、前記第1の表面がその上に配置されている1つ以上の溝の第1のセットを備える第1のプレートと、
第2の表面を有する第2のプレートであって、前記第2の表面がその上に配置されている1つ以上の溝の第2のセットを備える第2のプレートと、
1つ以上の加熱要素と、を備え、
前記第1のプレートの前記第1の表面と前記第2のプレートの前記第2の表面とは、静水圧圧縮によって共に押圧されて、一体型ボディに形成され、
前記1つ以上の溝の前記第1のセットは、前記1つ以上の溝の前記第2のセットに対向して配置され、
前記1つ以上の加熱要素は、前記第1のプレートと前記第2のプレートの間にあって、対向して配置された前記1つ以上の溝の第1のセットと第2のセット内に配置されていて、
前記第1のプレートがさらに1つ以上の第1の構成を備えており、前記第2のプレートがさらに1つ以上の第2の構成を備えており、前記第1の構成と前記第2の構成とは、嵌め合うように対応付けられていて、
前記第1の構成および第2の構成が、くぼみ、チャネル、突出、溝、トング、歯およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、基板支持アセンブリ。 - 前記第1の構成及び第2の構成は、前記加熱要素によって温度が上昇するホットエリアの近くに配置される、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記第1のプレートおよび第2のプレートが、高純度アルミニウムや合金非陽極酸化(unanodized)鋳造アルミニウムから生成される、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記第1の構成と第2の構成の対応の少なくとも1つが前記基板接触表面の外側部分の近くに設置されている、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記第1のプレートと前記第2のプレートとの間の空きスペースに充填されるコンパクト化充填材料をさらに備え、
コンパクト化充填材料は、砂、金属、又は、セラミックパウダーを含む、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。 - 基板を処理する装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバに配置され、かつその上の前記基板を支持するように適合されている基板支持アセンブリであって、前記基板支持アセンブリが第1の表面を有する第1のプレートと、第2の表面を有する第2のプレートと、前記第1のプレートと前記第2のプレートとの間に配置されている1つ以上の加熱要素とを備えており、前記第1のプレートの前記第1の表面と前記第2のプレートの前記第2の表面とは、静水圧圧縮によって共に押圧されて、一体型ボディに形成され、前記第1のプレートがさらに1つ以上の第1の構成を備えており、前記第2のプレートがさらに1つ以上の第2の構成を備えており、静水圧圧縮時に前記第1の構成と前記第2の構成とが嵌め合うように対応付けられ、前記第1の構成および第2の構成が、くぼみ、チャネル、突出、溝、トング、歯およびこれらの組み合わせから成る群から選択される基板支持アセンブリと、
前記処理チャンバに配置されて、前記基板支持アセンブリの上方に1つ以上のプロセスガスを送るガス分配プレートアセンブリと、
を備える装置。 - 1つ以上の溝状構成が、前記1つ以上の加熱要素を受け取るために、前記第1の表面または前記第2の表面のいずれか、あるいは両方の上に配置されている、請求項6に記載の装置。
- 前記第1の構成及び第2の構成は、前記加熱要素によって温度が上昇するホットエリアの近くに配置される、請求項6に記載の装置。
- 前記第1のプレートおよび第2のプレートが、高純度アルミニウムや合金非陽極酸化(unanodized)鋳造アルミニウムから生成される、請求項6に記載の装置。
- 前記第1の構成と第2の構成の対応の少なくとも1つが前記第1のプレートおよび第2のプレートの外側部分の近くに設置されている、請求項6に記載の装置。
- 前記第1のプレートと前記第2のプレートとの間の空きスペースに充填されるコンパクト化充填材料をさらに備え、コンパクト化充填材料は、砂、金属、又は、セラミックパウダーを含む、請求項6に記載の装置。
- プレート状構成を有する基板支持アセンブリを製造する方法であり、前記プレート状構成が基板受け取り表面と第1の表面とを有する第1のプレートと、第2の表面を有する第2のプレートとを含む方法であって、
前記プレート状構成を形成するために、前記第1のプレートの前記第1の表面と前記第2のプレートの前記第2の表面とを共に対応付けるステップであって、さらに、前記第1のプレートの前記第1の表面上の1つ以上の第1の構成を前記第2のプレートの前記第2の表面上の1つ以上の第2の構成と嵌め合うように対向して配置する工程を含み、前記第1の構成および第2の構成が、くぼみ、チャネル、突出、溝、トング、歯およびこれらの組み合わせから成る群から選択される、対応付けるステップと、
前記プレート状構成の周りすべてに、それを取り囲んで静水圧圧縮によって圧力を印加するステップであって、前記第1のプレートの前記第1の表面と前記第2のプレートの前記第2の表面とは、静水圧圧縮によって共に押圧され、一体型ボディに形成されるように、前記第1のプレートと前記第2のプレートが前記プレート状構成に相互に接着されているステップと、
を含む方法。 - 前記印加するステップが100,000psi以上の圧力で高圧炉において実行される、請求項12に記載の方法。
- 前記印加するステップが熱間静水圧成形法によって実行される、請求項12に記載の方法。
- 前記印加するステップが冷間静水圧成形法によって実行される、請求項12に記載の方法。
- 前記印加するステップが20度以上の温度で実行される、請求項12に記載の方法。
- 静水圧圧縮時の高圧によるプレート状構成の崩壊を防ぐために、前記第1のプレートと前記第2のプレートとの間の空きスペースに充填材料を提供するステップをさらに含み、前記充填材料は、砂、金属、又は、セラミックパウダーを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記対応付けるステップがさらに、前記第1のプレートの前記第1の表面上の前記1つ以上の溝状構成の第1のセットを、前記第2のプレートの前記第2の表面上の前記1つ以上の溝状構成の第2のセットと対向して配置する工程を含み、対向して配置された1つ以上の溝状構成で、1つ以上の加熱要素を受け取る、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の構成及び第2の構成は、加熱要素によって温度が上昇するホットエリアの近くに配置される、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の表面または前記第2の表面のいずれか、あるいは両方の上に配置されている1つ以上の溝状構成によって1つ以上の加熱要素を受け取るステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
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US7879698B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor |
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US20100133094A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Transparent conductive film with high transmittance formed by a reactive sputter deposition |
US20100163406A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate support in a reactive sputter chamber |
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Family Cites Families (33)
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---|---|---|---|---|
US3436816A (en) * | 1965-10-22 | 1969-04-08 | Jerome H Lemelson | Method of making heat transfer panelling |
US3940269A (en) * | 1968-07-10 | 1976-02-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sintered austenitic-ferritic chromium-nickel steel alloy |
US4106179A (en) * | 1973-07-16 | 1978-08-15 | Richard Bleckmann | Method of cold-joining metal parts |
JP2551182B2 (ja) * | 1990-01-25 | 1996-11-06 | 日新電機株式会社 | 半導体製造装置 |
DE69111493T2 (de) * | 1990-03-12 | 1996-03-21 | Ngk Insulators Ltd | Wafer-Heizgeräte für Apparate, zur Halbleiterherstellung Heizanlage mit diesen Heizgeräten und Herstellung von Heizgeräten. |
US5800618A (en) * | 1992-11-12 | 1998-09-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
US6544379B2 (en) * | 1993-09-16 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
JP2647799B2 (ja) * | 1994-02-04 | 1997-08-27 | 日本碍子株式会社 | セラミックスヒーター及びその製造方法 |
US5817406A (en) * | 1995-07-14 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | Ceramic susceptor with embedded metal electrode and brazing material connection |
US5968379A (en) * | 1995-07-14 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods |
US5844205A (en) * | 1996-04-19 | 1998-12-01 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Heated substrate support structure |
US6035101A (en) * | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
US5977519A (en) * | 1997-02-28 | 1999-11-02 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Heating element with a diamond sealing material |
JPH11204238A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
US6376815B1 (en) * | 1998-01-12 | 2002-04-23 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Highly gas tight substrate holder and method of manufacturing the same |
US6280584B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Compliant bond structure for joining ceramic to metal |
JP3937004B2 (ja) * | 1998-11-18 | 2007-06-27 | 日本発条株式会社 | ヒータユニット |
US6087632A (en) * | 1999-01-11 | 2000-07-11 | Tokyo Electron Limited | Heat processing device with hot plate and associated reflector |
US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
JP4209057B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
JP2002057207A (ja) * | 2000-01-20 | 2002-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
US6500356B2 (en) * | 2000-03-27 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Selectively etching silicon using fluorine without plasma |
JP3516392B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2004-04-05 | イビデン株式会社 | 半導体製造・検査装置用ホットプレート |
JP2002160974A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-04 | Ibiden Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体の製造方法、セラミック基板およびセラミック基板の製造方法 |
US20040043479A1 (en) * | 2000-12-11 | 2004-03-04 | Briscoe Cynthia G. | Multilayerd microfluidic devices for analyte reactions |
US20020185487A1 (en) * | 2001-05-02 | 2002-12-12 | Ramesh Divakar | Ceramic heater with heater element and method for use thereof |
JP3791432B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2006-06-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造用加熱装置 |
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