JP3122484U - 大型pecvdシステム用の多様な大きさの孔を有するバッフルプレートによるガス供給の均一性の向上 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上流側、処理領域と対向する下流側、及びディフューザプレート258を介して形成される複数のガス流路262を有するディフューザプレート、及びプラズマ処理チャンバのカバープレート303とディフューザプレートとの間に設けられ、上面から下面に至る複数の孔を有するバッフルプレート257を備え、複数の孔が少なくとも2つの大きさを有するカバープレートを有するプラズマ処理チャンバ用ガス供給プレートアセンブリを記載する。バッフルプレートの小さなピンホールは、ガス混合物を充分に通過させるのに使用され、一方、バッフルプレートの大きな孔は、基板を横切る処理の均一性を向上させるのに使用される。
【選択図】図3B
Description
[0001]本考案の実施形態は、一般的に、堆積処理チャンバで膜堆積の均一性を向上させるのに使用されるバッフルプレートに関する。
[0002]液晶表示パネルまたはフラットパネルは、コンピュータとTVモニタのようなアクティブマトリックスディスプレイに広く使用される。プラズマ化学気相堆積法(PECVD)は、一般的に、フラットパネルディスプレイまたは半導体ウエハ用透明基板のような基板上に薄膜を堆積するために用いられる。PECVDは、一般的に、前駆ガスまたはガス混合物を、基板を収容する真空チャンバに導入することにより実現される。上記前駆ガスまたはガス混合物は、通常、上記真空チャンバの上部近傍にある供給プレートを介して下方に向かっている。上記真空チャンバ内の前駆ガスまたはガス混合物は、無線周波数(RF)電力を上記真空チャンバと結合された1つ以上のRF源から上記真空チャンバに印加することによりプラズマに活性化される(例えば励起される)。励起されたガスまたはガス混合物は、温度制御された基板支持体上に位置する基板の表面に基材層を形成するように反応する。上記反応中に生成された揮発性副生成物は、排気システムを介して上記真空チャンバから排出される。
Claims (18)
- カバープレートを有するプラズマ処理チャンバ用ガス供給プレートアセンブリであって、
上流側、処理領域と対向する下流側、及びディフューザプレートを介して形成される複数のガス流路を有するディフューザプレートと、
前記プラズマ処理チャンバの前記カバープレートと前記ディフューザプレートとの間に設けられ、上面から下面に至る複数の孔を有するバッフルプレートと、
を備え、
前記複数の孔が少なくとも2つの大きさを有する、ガス供給プレートアセンブリ。 - 前記バッフルプレートの厚さが約0.02〜0.2インチである、請求項1に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記バッフルプレートとディフューザプレートとの間の距離が約0.6インチ未満である、請求項1に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記バッフルプレートの前記複数の孔が円筒状である、請求項1に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記バッフルプレートの前記複数の円筒孔の最小直径が約0.05インチ未満であり、前記最小直径の孔の総断面積が1インチより大きい、請求項4に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記最小直径の孔の総断面積が1インチより大きい、請求項5に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 最小直径を有する前記複数の円筒孔がブロッカープレートの中心部から端部まで対称的に分布される、請求項6に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記バッフルプレートが約1/16〜1/4インチの直径を有する複数の円筒孔を有しており、これら孔の直径が前記円筒孔の最小直径より大きい、請求項4に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記複数の円筒孔の最小直径より大きい直径を有する前記複数の円筒孔の数が少なくとも4つである、請求項8に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記複数の円筒孔の最小直径より大きい直径を有する前記複数の円筒孔が前記バッフルプレートを横切って対称的に分布されている、請求項8に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記プラズマ処理チャンバが、プラズマ化学気相堆積チャンバである、請求項1に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- 前記ディフューザプレートと前記バッフルプレートの両方が、いずれも370mm×370mmより大きい表面積を有する、請求項1に記載のガス供給プレートアセンブリ。
- カバープレートを有するプラズマ堆積処理チャンバであって、
上流側、処理領域と対向する下流側、及びディフューザプレートを介して形成される複数のガス流路を有するディフューザプレートと、
前記プラズマ処理チャンバの前記カバープレートと前記ディフューザプレートとの間に設けられ、上面から下面に至る複数の円筒孔を有するバッフルプレートと、
を備え、
前記複数の円筒孔が少なくとも2つの大きさを有し、前記バッフルプレートの中心部から端部まで対称的に分布される、プラズマ堆積処理チャンバ。 - 前記バッフルプレートとディフューザプレートとの間の空間が約0.6インチ未満である、請求項13に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記バッフルプレートの前記複数の円筒孔の最小直径が約0.05インチ未満である、請求項13に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記最小直径の孔の断面積が1インチより大きい、請求項15に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記複数の円筒孔の最小直径より大きい直径を有する前記複数の円筒孔が前記ブロッカープレートを横切って対称的に分布されている、請求項16に記載のプラズマ処理チャンバ。
- 前記ディフューザプレートと前記バッフルプレートの両方が、いずれも370mm×370mmより大きい表面積を有する、請求項13に記載のプラズマ処理チャンバ。
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