JP3937004B2 - ヒータユニット - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 17
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 238000005493 welding type Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018566 Al—Si—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/30—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material on or between metallic plates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置等に使用するべく、金属からなるベースにヒータを内蔵するヒータユニットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、例えば半導体処理装置などのサセプタ、静電チャック等、様々な分野で金属ベースにヒータを内蔵したヒータユニットが使用されている。このようなヒータユニットのヒータとしては、一般にステンレス鋼製のシースヒータが用いられる。このステンレスシースヒータをアルミニウムに鋳込んだり(鋳込み型)、ステンレスシースヒータをアルミニウムまたはステンレス鋼板で挟み込んでボルトにて締結したり(ボルト締結型)、挟み込んだ板の外周部を溶接して(溶接型)ヒータユニットを構成する。
【0003】
図7に、ステンレスシースヒータ12を内蔵する従来の鋳込み型のヒータユニット11の概略構造を示す。ステンレスシースヒータ12は発熱体をステンレス鋼製保護パイプ内に通し、絶縁材にて両者間を電気的に絶縁したものである。このパイプ状のステンレスシースヒータ12を所定のパターンに曲げ加工し、アルミニウムベースに鋳込み、切削、表面研磨等の加工を施すことによりヒータユニット11が製作される。
【0004】
また、図8に従来のボルト締結型ヒータユニット13の概略構造を示す。この構造では金属ベースが上下2分割されており、アルミニウム、ステンレス鋼等からなる下側ベース14に形成された溝14aに上記同様なステンレスシースヒータ12を設置し、上側ベース15を密着させ、両者を適所でボルト締結することにより一体化している。
【0005】
更に、図9に従来の溶接型ヒータユニット16の概略構造を示す。この構造でも金属ベースが上下2分割されており、アルミニウム、ステンレス鋼等からなる下側ベース17に形成された溝17aに上記同様なステンレスシースヒータ12を設置し、上側ベース18を密着させ、両者をその縁部19のみで溶接することにより一体化している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記した構造のいずれもシースヒータを用いており、シース管を曲げ加工してベースに受容するようになっているが、シース管はあまり細かく曲げると潰れてしまうことからヒータの形状や密度に制限があり、ベースを均一に、かつ早期に昇温させる設計が困難であった。
【0007】
また、上記構造のうち、鋳込み型のヒータユニットは、金属ベースとしてアルミニウムを使用するため、その融点が低く(一般的には540℃程度)、500℃以上の環境化での使用は困難であると云う問題がある。また、シースヒータの保護パイプに用いられているステンレスと、ベースのアルミニウムとの熱膨張係数が異なることから、高温時にその熱応力によりヒータが変形して、繰り返しの使用により断線したり、ヒータユニット全体が変形するという問題がある。
【0008】
一方、ボルト締結型ヒータユニットは、上下ベースとシースヒータまたはベース同士の密着性が低いことから熱伝導性が悪く、場合によっては局部的に昇温してヒータを損傷するという不具合がある。これは、溶接型のヒータユニットにあっても同様である。
【0009】
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、加熱時に早期に昇温し、かつ全面に亘り熱を均一化でき、加えて金属ベースの材料の選択自由度が高く、熱伝導性が良く、しかも組立工数を削減し得るヒータユニットを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記した目的は、金属からなる下側ベース2と同じく金属からなる上側ベース3との間に画定した溝2aに線状のヒータ4を内蔵し、且つ前記下側ベースと前記上側ベースとを接合して一体化したヒータユニット1であって、前記ヒータを囲繞する略環状の絶縁材からなる複数のスペーサ7を、前記溝内にて前記両ベースに前記ヒータが接触しない位置及び数で複数配置すると共に、前記溝内に絶縁材5を充填したことを特徴とするヒータユニットを提供することにより達成される。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【0012】
図1は、本発明を適用すべき例えば半導体処理装置に用いられる接合型ヒータユニット1の概略構造を示す。この構造では金属ベースが上下2分割されており、アルミニウム、Al−Mg系アルミニウム合金、Al−Si−Mg系アルミニウム合金、ステンレス鋼、チタンまたはチタン合金からなる下側ベース2に形成された通路としての溝2aにヒータとしてのニクロム線4を設置し、上側ベース3をろう付け、はんだ付けまたは拡散接合にて接合し(接合部6)一体化している。
【0013】
図2は下側ベース2の溝2aの拡大概略断面図を示す。ニクロム線4は溝2aの中心部近傍に配置されている。また図3に併せて示すように、下側ベース2の溝2aの内壁面及び上側ベース3の下面との間には絶縁材のマグネシア(MgO:セラミック)粉末5が充填されている。
【0014】
ニクロム線4を下側ベース2の溝2aの内壁面及び上側ベース3の底面と接触しないように受容するには、まず溝2aに溶剤等を混ぜて塗布可能にしたマグネシア粉末5をその内壁面を覆うように半分程度塗布・充填する。そして、ニクロム線4を受容し、残りのマグネシア粉末5を充填する。これにより、ニクロム線4の変形可能な範囲でヒータを所望の密度、形状に配置することができる(図3)。
【0015】
ニクロム線4と両ベース2、3との間にマグネシア粉末5が充填されていることで、単なるシースヒータよりも接触面積が大きくなり、熱伝達効率が向上する。また、ニクロム線4が熱膨張により多少変形してもマグネシア粉末により吸収され、応力が局所に集中することがない。更に、ろう付け、はんだ付けまたは拡散接合により接合部6にて下側ベース2と上側ベース3とを接合することにより、上下ベース間が、ろう材により密着し、両ベース2、3間が単に物理的に密着するボルト締結型、外周部のみが溶接される溶接型に比較して熱伝達のロスが発生し難い。従って、少ないヒータ容量で、高温まで加熱することが可能となる。
【0016】
尚、金属ベースの材料としてステンレス鋼を用いた場合、アルミニウム系材料を用いたものに比較して高温域での使用が可能となる。
【0017】
また、金属ベースの材料としてチタンまたはチタン合金を用いた場合、ステンレス鋼を用いた場合と同様にアルミニウム系材料を用いたものに比較して高温域での使用が可能となるばかりでなく、ステンレス鋼を用いたものに比較して重量がおよそ半分となり、軽量化が可能となっている。
【0018】
本実施形態では上下ベースをろう付け、はんだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合したが、従来の締結、溶接により結合しても上記したヒータの配置自由度の向上効果及びベースとの密着性向上効果は同様に得られることは云うまでもない。
【0019】
図4〜図6は本発明の実施形態を示している。本構成ではニクロム線4を、環状をなす絶縁材のマグネシア(MgO:セラミック)製の多数のスペーサ7に通し、溝2aに受容している。また、溝2a内の残りの間隙にはマグネシア粉末5が充填されている。
【0020】
ここで、図6に示すように、スペーサ7は、ヒータとしてのニクロム線4が下側ベース2及び上側ベース3に接触しないような位置に適宜な数だけ配置されている。この環状のスペーサ7を用いることにより、予め下側ベース2の溝2aの内壁面をマグネシア粉末5で覆っておく必要がなく、マグネシア粉末5の充填回数が1回で済み、上記図1〜3に示した形態よりも組立工数が削減される。それ以外の構造は図1〜3に示した形態と同様である。
【0021】
【発明の効果】
以上の説明により明らかなように、本発明によるヒータユニットによれば、下側ベースと上側ベースとの間に画定した溝に線状のヒータを内蔵するヒータユニットの上記通路内の適所に、ヒータを囲繞する略環状の絶縁材からなる複数のスペーサを、ヒータが各ベースに接触しないような位置及び数で複数配置し、かつこの溝内の隙間を絶縁材粉で充填することで、所望の位置・密度でヒータを配置でき、その設計自由度が向上し、装置全体の加熱効率が向上し、全面に亘り熱を均一化でき、加えて金属ベースの材料の選択自由度が高く、且つ組立工数が削減される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用されるべき接合型ヒータユニットの概略構造を示す断面図。
【図2】 図1の通路としての溝を拡大して示す図。
【図3】 ヒータ及びスペーサの配置を示す斜視図。
【図4】 本発明が適用された実施形態を示す図1と同様な図。
【図5】 本発明が適用された実施形態を示す図2と同様な図。
【図6】 本発明が適用された実施形態を示す図2と同様な図。
【図7】 従来の鋳込み型ヒータユニットの概略構造を示す断面図。
【図8】 従来のボルト締結型ヒータユニットの概略構造を示す断面図。
【図9】 従来の溶接型ヒータユニットの概略構造を示す断面図。
Claims (1)
- 金属からなる下側ベースと同じく金属からなる上側ベースとの間に画定した溝に線状のヒータを内蔵し、且つ前記下側ベースと前記上側ベースとを接合して一体化したヒータユニットであって、
前記ヒータを囲繞する略環状の絶縁材からなる複数のスペーサを、前記溝内にて前記両ベースに前記ヒータが接触しない位置及び数で複数配置すると共に、前記溝内に絶縁材を充填したことを特徴とするヒータユニット。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32814098A JP3937004B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | ヒータユニット |
US09/430,516 US6204486B1 (en) | 1998-11-18 | 1999-10-29 | Heater unit for semiconductor processing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32814098A JP3937004B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | ヒータユニット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000156278A JP2000156278A (ja) | 2000-06-06 |
JP3937004B2 true JP3937004B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=18206953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32814098A Expired - Fee Related JP3937004B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | ヒータユニット |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6204486B1 (ja) |
JP (1) | JP3937004B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100702756B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2007-04-03 | 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 | 히터 유닛 및 그 제조 방법 |
US6554907B2 (en) | 2001-01-02 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with internal support |
US6623563B2 (en) * | 2001-01-02 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with bi-metal effect |
KR20030032277A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-04-26 | 주식회사 신화이앤지 | 블레이징 히터 |
KR100430604B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2004-05-10 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
FR2848374B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-12-09 | Muller Et Cie | Procede d'integration d'une resistance chauffante electrique dans un element dissipateur thermique et element chauffant ainsi obtenu |
DE10314218A1 (de) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Elektrisches Heizelement |
US20060011139A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support for chemical vapor deposition |
KR100722047B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-05-25 | 엘지전자 주식회사 | 발열체의 구조 |
KR100836183B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-06-09 | (주)나노테크 | 히터 조립체 및 그 설치구조 |
US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US10679873B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic heater |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2359983A (en) * | 1941-02-19 | 1944-10-10 | Gen Motors Corp | Domestic appliance |
US3110795A (en) * | 1959-09-17 | 1963-11-12 | Gen Motors Corp | Domestic electric appliance |
US3436816A (en) * | 1965-10-22 | 1969-04-08 | Jerome H Lemelson | Method of making heat transfer panelling |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP32814098A patent/JP3937004B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-29 US US09/430,516 patent/US6204486B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6204486B1 (en) | 2001-03-20 |
JP2000156278A (ja) | 2000-06-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070206 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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