JP2000156278A - ヒータユニット - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 16
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 12
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 238000005493 welding type Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018566 Al—Si—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100366707 Arabidopsis thaliana SSL11 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100366562 Panax ginseng SS12 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱時に早期に昇温し、かつ全面に亘
り熱を均一化でき、加えて金属ベースの材料の選択自由
度が高く、熱伝導性が良いヒータユニットを提供する。 【解決手段】 金属からなる下側ベースと同じく金属
からなる上側ベースとをろう付け、はんだ付け及び拡散
接合のいずれかにより接合し、一体化する構造とするこ
とにより、両ベース間の熱伝導性が良くなり、局部的な
昇温によるヒータの損傷をも防止できる。また、金属ベ
ースの材料の選択自由度が高くなる。また、下側ベース
と上側ベースとの間に画定した通路に線状のヒータを内
蔵するヒータユニットの上記通路内の適所に、ヒータを
囲繞する略環状の絶縁材からなる複数のスペーサを、ヒ
ータが各ベースに接触しないような位置及び数で複数配
置し、かつこの通路内の隙間を絶縁材粉で充填すること
で、所望の位置・密度でヒータを配置でき、その設計自
由度が向上し、装置全体の加熱効率が向上する。
り熱を均一化でき、加えて金属ベースの材料の選択自由
度が高く、熱伝導性が良いヒータユニットを提供する。 【解決手段】 金属からなる下側ベースと同じく金属
からなる上側ベースとをろう付け、はんだ付け及び拡散
接合のいずれかにより接合し、一体化する構造とするこ
とにより、両ベース間の熱伝導性が良くなり、局部的な
昇温によるヒータの損傷をも防止できる。また、金属ベ
ースの材料の選択自由度が高くなる。また、下側ベース
と上側ベースとの間に画定した通路に線状のヒータを内
蔵するヒータユニットの上記通路内の適所に、ヒータを
囲繞する略環状の絶縁材からなる複数のスペーサを、ヒ
ータが各ベースに接触しないような位置及び数で複数配
置し、かつこの通路内の隙間を絶縁材粉で充填すること
で、所望の位置・密度でヒータを配置でき、その設計自
由度が向上し、装置全体の加熱効率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置等に
使用するべく、金属からなるベースにヒータを内蔵する
ヒータユニットに関するものである。
使用するべく、金属からなるベースにヒータを内蔵する
ヒータユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば半導体処理装置などの
サセプタ、静電チャック等、様々な分野で金属ベースに
ヒータを内蔵したヒータユニットが使用されている。こ
のようなヒータユニットのヒータとしては、一般にステ
ンレス鋼製のシースヒータが用いられる。このステンレ
スシースヒータをアルミニウムに鋳込んだり（鋳込み
型）、ステンレスシースヒータをアルミニウムまたはス
テンレス鋼板で挟み込んでボルトにて締結したり（ボル
ト締結型）、挟み込んだ板の外周部を溶接して（溶接
型）ヒータユニットを構成する。
サセプタ、静電チャック等、様々な分野で金属ベースに
ヒータを内蔵したヒータユニットが使用されている。こ
のようなヒータユニットのヒータとしては、一般にステ
ンレス鋼製のシースヒータが用いられる。このステンレ
スシースヒータをアルミニウムに鋳込んだり（鋳込み
型）、ステンレスシースヒータをアルミニウムまたはス
テンレス鋼板で挟み込んでボルトにて締結したり（ボル
ト締結型）、挟み込んだ板の外周部を溶接して（溶接
型）ヒータユニットを構成する。
【０００３】図７に、ステンレスシースヒータ１２を内
蔵する従来の鋳込み型のヒータユニット１１の概略構造
を示す。ステンレスシースヒータ１２は発熱体をステン
レス鋼製保護パイプ内に通し、絶縁材にて両者間を電気
的に絶縁したものである。このパイプ状のステンレスシ
ースヒータ１２を所定のパターンに曲げ加工し、アルミ
ニウムベースに鋳込み、切削、表面研磨等の加工を施す
ことによりヒータユニット１１が製作される。
蔵する従来の鋳込み型のヒータユニット１１の概略構造
を示す。ステンレスシースヒータ１２は発熱体をステン
レス鋼製保護パイプ内に通し、絶縁材にて両者間を電気
的に絶縁したものである。このパイプ状のステンレスシ
ースヒータ１２を所定のパターンに曲げ加工し、アルミ
ニウムベースに鋳込み、切削、表面研磨等の加工を施す
ことによりヒータユニット１１が製作される。
【０００４】また、図８に従来のボルト締結型ヒータユ
ニット１３の概略構造を示す。この構造では金属ベース
が上下２分割されており、アルミニウム、ステンレス鋼
等からなる下側ベース１４に形成された溝１４ａに上記
同様なステンレスシースヒータ１２を設置し、上側ベー
ス１５を密着させ、両者を適所でボルト締結することに
より一体化している。
ニット１３の概略構造を示す。この構造では金属ベース
が上下２分割されており、アルミニウム、ステンレス鋼
等からなる下側ベース１４に形成された溝１４ａに上記
同様なステンレスシースヒータ１２を設置し、上側ベー
ス１５を密着させ、両者を適所でボルト締結することに
より一体化している。
【０００５】更に、図９に従来の溶接型ヒータユニット
１６の概略構造を示す。この構造でも金属ベースが上下
２分割されており、アルミニウム、ステンレス鋼等から
なる下側ベース１７に形成された溝１７ａに上記同様な
ステンレスシースヒータ１２を設置し、上側ベース１８
を密着させ、両者をその縁部１９のみで溶接することに
より一体化している。
１６の概略構造を示す。この構造でも金属ベースが上下
２分割されており、アルミニウム、ステンレス鋼等から
なる下側ベース１７に形成された溝１７ａに上記同様な
ステンレスシースヒータ１２を設置し、上側ベース１８
を密着させ、両者をその縁部１９のみで溶接することに
より一体化している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した構造のいずれ
もシースヒータを用いており、シース管を曲げ加工して
ベースに受容するようになっているが、シース管はあま
り細かく曲げると潰れてしまうことからヒータの形状や
密度に制限があり、ベースを均一に、かつ早期に昇温さ
せる設計が困難であった。
もシースヒータを用いており、シース管を曲げ加工して
ベースに受容するようになっているが、シース管はあま
り細かく曲げると潰れてしまうことからヒータの形状や
密度に制限があり、ベースを均一に、かつ早期に昇温さ
せる設計が困難であった。
【０００７】また、上記構造のうち、鋳込み型のヒータ
ユニットは、金属ベースとしてアルミニウムを使用する
ため、その融点が低く（一般的には５４０℃程度）、５
００℃以上の環境化での使用は困難であると云う問題が
ある。また、シースヒータの保護パイプに用いられてい
るステンレスと、ベースのアルミニウムとの熱膨張係数
が異なることから、高温時にその熱応力によりヒータが
変形して、繰り返しの使用により断線したり、ヒータユ
ニット全体が変形するという問題がある。
ユニットは、金属ベースとしてアルミニウムを使用する
ため、その融点が低く（一般的には５４０℃程度）、５
００℃以上の環境化での使用は困難であると云う問題が
ある。また、シースヒータの保護パイプに用いられてい
るステンレスと、ベースのアルミニウムとの熱膨張係数
が異なることから、高温時にその熱応力によりヒータが
変形して、繰り返しの使用により断線したり、ヒータユ
ニット全体が変形するという問題がある。
【０００８】一方、ボルト締結型ヒータユニットは、上
下ベースとシースヒータまたはベース同士の密着性が低
いことから熱伝導性が悪く、場合によっては局部的に昇
温してヒータを損傷するという不具合がある。これは、
溶接型のヒータユニットにあっても同様である。
下ベースとシースヒータまたはベース同士の密着性が低
いことから熱伝導性が悪く、場合によっては局部的に昇
温してヒータを損傷するという不具合がある。これは、
溶接型のヒータユニットにあっても同様である。
【０００９】本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑
みなされたものであり、加熱時に早期に昇温し、かつ全
面に亘り熱を均一化でき、加えて金属ベースの材料の選
択自由度が高く、熱伝導性が良いヒータユニットを提供
することを目的とする。
みなされたものであり、加熱時に早期に昇温し、かつ全
面に亘り熱を均一化でき、加えて金属ベースの材料の選
択自由度が高く、熱伝導性が良いヒータユニットを提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、金属か
らなる下側ベースと同じく金属からなる上側ベースとの
間に画定した通路に線状のヒータを内蔵するヒータユニ
ットであって、前記通路内にて前記ヒータと前記両ベー
スとが接触しないように、該通路内の間隙を絶縁材粉で
充填した状態で、前記下側ベースと前記上側ベースとを
ろう付け、はんだ付け及び拡散接合のいずれかにより接
合し、一体化されていることを特徴とするヒータユニッ
トを提供することにより達成される。特に、前記通路内
の適所に、前記ヒータを囲繞する略環状の絶縁材からな
る複数のスペーサを、該ヒータが前記各ベースに接触し
ないような位置及び数で複数配置すると良い。
らなる下側ベースと同じく金属からなる上側ベースとの
間に画定した通路に線状のヒータを内蔵するヒータユニ
ットであって、前記通路内にて前記ヒータと前記両ベー
スとが接触しないように、該通路内の間隙を絶縁材粉で
充填した状態で、前記下側ベースと前記上側ベースとを
ろう付け、はんだ付け及び拡散接合のいずれかにより接
合し、一体化されていることを特徴とするヒータユニッ
トを提供することにより達成される。特に、前記通路内
の適所に、前記ヒータを囲繞する略環状の絶縁材からな
る複数のスペーサを、該ヒータが前記各ベースに接触し
ないような位置及び数で複数配置すると良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面を参照して本
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明が適用された例えば半導体
処理装置に用いられる接合型ヒータユニット１の概略構
造を示す。この構造では金属ベースが上下２分割されて
おり、アルミニウム、Ａｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系アルミニウム合金、ステンレス鋼、
チタンまたはチタン合金からなる下側ベース２に形成さ
れた通路としての溝２ａにヒータとしてのニクロム線４
を設置し、上側ベース３をろう付け、はんだ付けまたは
拡散接合にて接合し（接合部８）一体化している。
処理装置に用いられる接合型ヒータユニット１の概略構
造を示す。この構造では金属ベースが上下２分割されて
おり、アルミニウム、Ａｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系アルミニウム合金、ステンレス鋼、
チタンまたはチタン合金からなる下側ベース２に形成さ
れた通路としての溝２ａにヒータとしてのニクロム線４
を設置し、上側ベース３をろう付け、はんだ付けまたは
拡散接合にて接合し（接合部８）一体化している。
【００１３】図２は下側ベース２の溝２ａの拡大概略断
面図を示す。ニクロム線４は溝２ａの中心部近傍に配置
されている。また図３に併せて示すように、下側ベース
２の溝２ａの内壁面及び上側ベース３の下面との間には
絶縁材のマグネシア（ＭｇＯ：セラミック）粉末５が充
填されている。
面図を示す。ニクロム線４は溝２ａの中心部近傍に配置
されている。また図３に併せて示すように、下側ベース
２の溝２ａの内壁面及び上側ベース３の下面との間には
絶縁材のマグネシア（ＭｇＯ：セラミック）粉末５が充
填されている。
【００１４】ニクロム線４を下側ベース２の溝２ａの内
壁面及び上側ベース３の底面と接触しないように受容す
るには、まず溝２ａに溶剤等を混ぜて塗布可能にしたマ
グネシア粉末５をその内壁面を覆うように半分程度塗布
・充填する。そして、ニクロム線４を受容し、残りのマ
グネシア粉末５を充填する。これにより、ニクロム線４
の変形可能な範囲でヒータを所望の密度、形状に配置す
ることができる（図３）。
壁面及び上側ベース３の底面と接触しないように受容す
るには、まず溝２ａに溶剤等を混ぜて塗布可能にしたマ
グネシア粉末５をその内壁面を覆うように半分程度塗布
・充填する。そして、ニクロム線４を受容し、残りのマ
グネシア粉末５を充填する。これにより、ニクロム線４
の変形可能な範囲でヒータを所望の密度、形状に配置す
ることができる（図３）。
【００１５】ニクロム線４と両ベース２、３との間にマ
グネシア粉末５が充填されていることで、単なるシース
ヒータよりも接触面積が大きくなり、熱伝達効率が向上
する。また、ニクロム線４が熱膨張により多少変形して
もマグネシア粉末により吸収され、応力が局所に集中す
ることがない。更に、ろう付け、はんだ付けまたは拡散
接合により接合部６にて下側ベース２と上側ベース３と
を接合することにより、上下ベース間が、ろう材により
密着し、両ベース２、３間が単に物理的に密着するボル
ト締結型、外周部のみが溶接される溶接型に比較して熱
伝達のロスが発生し難い。従って、少ないヒータ容量
で、高温まで加熱することが可能となる。
グネシア粉末５が充填されていることで、単なるシース
ヒータよりも接触面積が大きくなり、熱伝達効率が向上
する。また、ニクロム線４が熱膨張により多少変形して
もマグネシア粉末により吸収され、応力が局所に集中す
ることがない。更に、ろう付け、はんだ付けまたは拡散
接合により接合部６にて下側ベース２と上側ベース３と
を接合することにより、上下ベース間が、ろう材により
密着し、両ベース２、３間が単に物理的に密着するボル
ト締結型、外周部のみが溶接される溶接型に比較して熱
伝達のロスが発生し難い。従って、少ないヒータ容量
で、高温まで加熱することが可能となる。
【００１６】尚、金属ベースの材料としてステンレス鋼
を用いた場合、アルミニウム系材料を用いたものに比較
して高温域での使用が可能となる。
を用いた場合、アルミニウム系材料を用いたものに比較
して高温域での使用が可能となる。
【００１７】また、金属ベースの材料としてチタンまた
はチタン合金を用いた場合、ステンレス鋼を用いた場合
と同様にアルミニウム系材料を用いたものに比較して高
温域での使用が可能となるばかりでなく、ステンレス鋼
を用いたものに比較して重量がおよそ半分となり、軽量
化が可能となっている。
はチタン合金を用いた場合、ステンレス鋼を用いた場合
と同様にアルミニウム系材料を用いたものに比較して高
温域での使用が可能となるばかりでなく、ステンレス鋼
を用いたものに比較して重量がおよそ半分となり、軽量
化が可能となっている。
【００１８】本実施形態では上下ベースをろう付け、は
んだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合したが、従
来の締結、溶接により結合しても上記したヒータの配置
自由度の向上効果及びベースとの密着性向上効果は同様
に得られることは云うまでもない。
んだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合したが、従
来の締結、溶接により結合しても上記したヒータの配置
自由度の向上効果及びベースとの密着性向上効果は同様
に得られることは云うまでもない。
【００１９】図４〜図６は本発明の別の実施形態を示す
図１〜下側ベース２の溝２ａの拡大概略断面図を示す。
本構成ではニクロム線４を、環状をなす絶縁材のマグネ
シア（ＭｇＯ：セラミック）製の多数のスペーサ７に通
し、溝２ａに受容している。また、溝２ａ内の残りの間
隙にはマグネシア粉末５が充填されている。
図１〜下側ベース２の溝２ａの拡大概略断面図を示す。
本構成ではニクロム線４を、環状をなす絶縁材のマグネ
シア（ＭｇＯ：セラミック）製の多数のスペーサ７に通
し、溝２ａに受容している。また、溝２ａ内の残りの間
隙にはマグネシア粉末５が充填されている。
【００２０】ここで、図６に示すように、スペーサ７
は、ヒータとしてのニクロム線４が下側ベース２及び上
側ベース３に接触しないような位置に適宜な数だけ配置
されている。この環状のスペーサ７を用いることによ
り、予め下側ベース２の溝２ａの内壁面をマグネシア粉
末５で覆っておく必要がなく、マグネシア粉末５の充填
回数が１回で済み、上記実施形態よりも組立工数が削減
される。それ以外の構造は上記実施形態と同様である。
は、ヒータとしてのニクロム線４が下側ベース２及び上
側ベース３に接触しないような位置に適宜な数だけ配置
されている。この環状のスペーサ７を用いることによ
り、予め下側ベース２の溝２ａの内壁面をマグネシア粉
末５で覆っておく必要がなく、マグネシア粉末５の充填
回数が１回で済み、上記実施形態よりも組立工数が削減
される。それ以外の構造は上記実施形態と同様である。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によるヒータユニットによれば、金属からなる下側ベ
ースと同じく金属からなる上側ベースとをろう付け、は
んだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合し、一体化
する構造とすることにより、両ベース間の熱伝導性が良
くなり、局部的な昇温によるヒータの損傷をも防止でき
る。また、金属ベースの材料の選択自由度が高くなり、
例えばステンレス鋼、チタン系材料等を用いれば高温域
での使用も可能となる。また、下側ベースと上側ベース
との間に画定した通路に線状のヒータを内蔵するヒータ
ユニットの上記通路内の適所に、ヒータを囲繞する略環
状の絶縁材からなる複数のスペーサを、ヒータが各ベー
スに接触しないような位置及び数で複数配置し、かつこ
の通路内の隙間を絶縁材粉で充填することで、所望の位
置・密度でヒータを配置でき、その設計自由度が向上
し、装置全体の加熱効率が向上する。
明によるヒータユニットによれば、金属からなる下側ベ
ースと同じく金属からなる上側ベースとをろう付け、は
んだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合し、一体化
する構造とすることにより、両ベース間の熱伝導性が良
くなり、局部的な昇温によるヒータの損傷をも防止でき
る。また、金属ベースの材料の選択自由度が高くなり、
例えばステンレス鋼、チタン系材料等を用いれば高温域
での使用も可能となる。また、下側ベースと上側ベース
との間に画定した通路に線状のヒータを内蔵するヒータ
ユニットの上記通路内の適所に、ヒータを囲繞する略環
状の絶縁材からなる複数のスペーサを、ヒータが各ベー
スに接触しないような位置及び数で複数配置し、かつこ
の通路内の隙間を絶縁材粉で充填することで、所望の位
置・密度でヒータを配置でき、その設計自由度が向上
し、装置全体の加熱効率が向上する。
【図１】本発明が適用された接合型ヒータユニットの概
略構造を示す断面図。
略構造を示す断面図。
【図２】図１の通路としての溝を拡大して示す図。
【図３】ヒータ及びスペーサの配置を示す斜視図。
【図４】本発明が適用された別の実施形態を示す図１と
同様な図。
同様な図。
【図５】本発明が適用された別の実施形態を示す図２と
同様な図。
同様な図。
【図６】本発明が適用された別の実施形態を示す図２と
同様な図。
同様な図。
【図７】従来の鋳込み型ヒータユニットの概略構造を示
す断面図。
す断面図。
【図８】従来の鋳込み型ヒータユニットの概略構造を示
す断面図。
す断面図。
【図９】従来の溶接型ヒータユニットの概略構造を示す
断面図。
断面図。
１ 接合型ヒータユニット ２ 下側ベース ２ａ 溝 ３ 上側ベース ４ ニクロム線 ５ マグネシア粉末 ６ 接合部 ７ 環状スペーサ １１ 鋳込み型ヒータユニット １２ ステンレスシースヒータ １３ ボルト締結型ヒータユニット １４ 下側ベース １４ａ 溝 １５ 上側ベース １６ 溶接型ヒータユニット １７ 下側ベース １７ａ 溝 １８ 上側ベース １９ 縁部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二口谷 淳 神奈川県伊勢原市沼目２丁目１番49号 日 本発条株式会社内 (72)発明者 安田 賢三 神奈川県伊勢原市沼目２丁目１番49号 日 本発条株式会社内 (72)発明者 石渡 秀典 神奈川県伊勢原市沼目２丁目１番49号 日 本発条株式会社内 (72)発明者 斉藤 慎二 神奈川県横浜市金沢区福浦３丁目10番地 日本発条株式会社内 (72)発明者 宮地 真也 神奈川県横浜市金沢区福浦３丁目10番地 日本発条株式会社内 (72)発明者 天河 努 東京都足立区綾瀬１丁目18番14号 大洋電 熱株式会社内 (72)発明者 杉沢 利弘 東京都足立区綾瀬１丁目18番14号 大洋電 熱株式会社内 Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA16 AA27 BA06 BB02 BB14 BC02 FA13 FA20 FA32 HA04 HA10 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QB26 QB45 QB80 RF03 RF09 RF19 RF25 RF27 RF28 SS12 SS17 TT03 TT24 VV16 VV22
Claims (3)
- 【請求項１】 金属からなる下側ベースと同じく金属
からなる上側ベースとの間に画定した通路に線状のヒー
タを内蔵するヒータユニットであって、 前記通路内にて前記ヒータと前記両ベースとが接触しな
いように、該通路内の間隙を絶縁材粉で充填した状態
で、前記下側ベースと前記上側ベースとをろう付け、は
んだ付け及び拡散接合のいずれかにより接合し、一体化
されていることを特徴とするヒータユニット。 - 【請求項２】 前記通路内の適所に、前記ヒータを囲
繞する略環状の絶縁材からなる複数のスペーサを、該ヒ
ータが前記各ベースに接触しないような位置及び数で複
数配置したことを特徴とする請求項１に記載のヒータユ
ニット。 - 【請求項３】 前記上側ベース及び下側ベースが、ス
テンレス鋼、アルミニウム、銅、チタン及びそれらを主
成分とする合金のいずれかからなることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載のヒータユニット。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32814098A JP3937004B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | ヒータユニット |
| US09/430,516 US6204486B1 (en) | 1998-11-18 | 1999-10-29 | Heater unit for semiconductor processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32814098A JP3937004B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | ヒータユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156278A true JP2000156278A (ja) | 2000-06-06 |
| JP3937004B2 JP3937004B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=18206953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32814098A Expired - Fee Related JP3937004B2 (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | ヒータユニット |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6204486B1 (ja) |
| JP (1) | JP3937004B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030032277A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-04-26 | 주식회사 신화이앤지 | 블레이징 히터 |
| KR100430604B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2004-05-10 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
| KR100702756B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2007-04-03 | 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 | 히터 유닛 및 그 제조 방법 |
| KR100836183B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-06-09 | (주)나노테크 | 히터 조립체 및 그 설치구조 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6554907B2 (en) | 2001-01-02 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with internal support |
| US6623563B2 (en) * | 2001-01-02 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with bi-metal effect |
| FR2848374B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-12-09 | Muller Et Cie | Procede d'integration d'une resistance chauffante electrique dans un element dissipateur thermique et element chauffant ainsi obtenu |
| DE10314218A1 (de) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Elektrisches Heizelement |
| US20060011139A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support for chemical vapor deposition |
| KR100722047B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-05-25 | 엘지전자 주식회사 | 발열체의 구조 |
| US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US10679873B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic heater |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2359983A (en) * | 1941-02-19 | 1944-10-10 | Gen Motors Corp | Domestic appliance |
| US3110795A (en) * | 1959-09-17 | 1963-11-12 | Gen Motors Corp | Domestic electric appliance |
| US3436816A (en) * | 1965-10-22 | 1969-04-08 | Jerome H Lemelson | Method of making heat transfer panelling |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP32814098A patent/JP3937004B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-29 US US09/430,516 patent/US6204486B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100702756B1 (ko) * | 2000-08-21 | 2007-04-03 | 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 | 히터 유닛 및 그 제조 방법 |
| KR20030032277A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-04-26 | 주식회사 신화이앤지 | 블레이징 히터 |
| KR100430604B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2004-05-10 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
| KR100836183B1 (ko) | 2007-01-16 | 2008-06-09 | (주)나노테크 | 히터 조립체 및 그 설치구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3937004B2 (ja) | 2007-06-27 |
| US6204486B1 (en) | 2001-03-20 |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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