JP2004152921A - 熱電モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱電モジュールの製造方法において、p型及びn型の熱電素子(12,13)を、少なくとも一枚の格子プレート(20,21)の挿入口(23,24)に挿入し、格子プレート(20,21)を熱電素子(12,13)の端部近傍に、他側の電極(14,15)に接触しないように配置し、格子プレート(20,21)の端部側に、電極(14,15)を形成する部分に開口部(29)を備えたマスク(18)を被せ、マスキングされていない開口部(29)の位置に電極(14,15)を形成し、マスク(18)を除去することにより、熱電モジュールを製造するようにしたことを特徴とする、熱電モジュールの製造方法。
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱電モジュール及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の熱電モジュールにおいては、交互に配置したp型及びn型の熱電素子の一端部同士及び他端部同士に、電極をハンダづけして接合することにより構成されている。
ところが、このような熱電モジュールでは、ハンダづけの不具合などによって、電極と熱電素子との接合強度が不十分な場合があり、耐久性が不足することがある。また、電極をハンダの融点以上の高温の物体に接触させたときに、ハンダが溶けてしまうことがある。
【0003】
このような問題に鑑み、電極を溶射によって形成する技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
例えば、図14に示したような格子状の仕切り格子33の内部に、p型及びn型の熱電素子12,13を、交互に挿入する(図15参照)。図14に示すように、仕切り格子33は、隣り合う熱電素子12,13の間を仕切る部分が、わずかに低くなっており、そこに溶射によって電極14,15を形成することにより、電極14,15と熱電素子12,13とを強固に接合している。しかも、ハンダを介していないので、電極14,15をハンダの融点よりも高温の物質に接触させても、電極14,15が溶けるようなことがない。
【0004】
【特許文献1】
特表2000−511351号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来技術には、次に述べるような問題がある。
図16に、従来技術に係る熱電モジュール11を、発電に応用した場合の側面断面図を示す。31は、一側電極14に接触する高温物質、32は、他側電極15に接触する低温物質であり、図16に示すように、仕切り格子33が、一側電極14と他側電極15とを結ぶように双方に接触している。
【0006】
その結果、高温物質31の熱が、一側電極14から仕切り格子33を通じて他側電極15に流れたり、空気中に放熱したりする。この熱は、発電に寄与しないため、仕切り格子33がない場合に比べて、より小さな発電量しか得られないことになる。
これは、熱電モジュール11を用いて被温調物を温調する場合についても、同様である。即ち、熱電素子12,13に電流を流して温調を行なう際に、一部の熱が一側電極14と他側電極15との間を伝わってしまうため、被温調物を所定温度に温調するために、より多くの投入エネルギーが必要となる。
このように、従来技術においては、仕切り格子33が一側電極14と他側電極15との双方に接触しているため、エネルギー効率が低くなっている。
【0007】
本発明は、上記の問題に着目してなされたものであり、電極が熱電素子に強固に接合され、かつエネルギー効率の高い熱電モジュールを提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、本発明の熱電モジュールは、
交互に配列されたp型及びn型の熱電素子と、
熱電素子の一端部同士及び他端部同士を結合する一側及び他側電極と、
熱電素子を挿入する挿入口を有する格子プレートとを備え、
前記格子プレートは、熱電素子の少なくとも一側の端部近傍にあって、他側の電極に接触しないように配置されている。
これにより、格子プレートが一側電極と他側電極との間を繋いでいないので、格子プレートを通じて一方の電極から他方の電極に熱が逃げるということがなく、エネルギー効率が向上する。
【0009】
また本発明に係る熱電モジュールの製造方法は、
p型及びn型の熱電素子を、少なくとも一枚の格子プレートの挿入口に挿入し、
格子プレートを熱電素子の端部近傍に、他側の電極に接触しないように配置し、
格子プレートに、電極を形成する部分に開口部を備えたマスクを被せ、
マスクされていない開口部の位置に電極を固着し、
マスクを除去することにより、熱電モジュールを形成している。
これにより、電極を強固に熱電素子に接合し、かつエネルギー効率の高い熱電モジュールを製造できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
まず、第1実施形態を説明する。図1は、第1実施形態に係る熱電モジュール11の製造方法を示すフローチャートである。また、図2〜図5は、熱電モジュール11の製造方法の説明図であり、図6は熱電モジュール11の側面断面図である。これらの図に基づいて、第1実施形態を説明する。
【0011】
まず、p型及びn型の熱電素子12,13の一端部及び他端部を、上下の格子プレート20,21に設けられた格子状の挿入口23,24に挿入する(ステップS11)。
格子プレート20,21の挿入口23,24は、熱電素子12,13よりも、わずかに大きく構成されており、上下の格子プレート20,21間は、図6に図示するポスト22によって間隔を保持されている。
図2は、熱電素子12,13を格子プレート20,21に介挿し終えた状態を示しており、一例として格子プレート20,21の厚さは、0.5〜1mm程度となっている。
【0012】
次に、図3に示すように、一側の格子プレート20の上に、マスク18を被せる(ステップS12)。マスク18には、熱電素子12,13の一端部同士を接続する一側電極14の形状に合わせた、開口部29が設けられている。格子プレート20とマスク18との位置合わせは、例えば両者の定位置に設けられた、図示しないマークによって行なわれる。
マスク18の材質としては、例えばステンレスや石英などがよいが、薄いほうが電極14,15が隙間なく形成されるので、ステンレスが最適である。
【0013】
次に、図4に示すように、マスク18の上から例えば銅等の良電気伝導性の金属を溶射し、一側電極14を一面に形成する(ステップS13)。
そして、図5に示すようにマスク18を除去すると、一側電極14のみが熱電素子12,13に固着されて残る(ステップS14)。
この一側電極14に対し、研磨又は研削加工を行ない、一側電極14の表面高さを揃える(ステップS15)。
そして、その上からSiO2からなる絶縁膜16を、溶射等の手段によって形成する(ステップS16)。
【0014】
このようにして、一側に対して電極14を形成した後、他側の電極がまだ形成されていなければ(ステップS17)、熱電モジュール11を上下反転させてひっくり返し(ステップS18)、ステップS12に戻って他側電極15を形成する。
これにより、熱電モジュール11が製造される。
【0015】
図6に、第1実施形態に係る熱電モジュール11の側面断面図を示す。
図6において、熱電素子12,13の両端部近傍には、格子プレート20,21が嵌まったままになっている。電極14,15は、それぞれ格子プレート20,21の挿入口23,24と熱電素子12,13の両端部との間に、嵌まり込むように形成され、隣接する熱電素子12,13間を接続している。
【0016】
尚、ステップS13の溶射後、マスク18を除去しない状態で、まず研磨又は研削加工を行ない(ステップS15)、その上からSiO2からなる絶縁膜16を形成し(ステップS16)、その後で、マスク18を除去する(ステップS14)ようにしてもよい。
この場合には、絶縁膜16は、電極14,15と同じ領域のみに形成され、格子プレート20,21の上からは、除去されることになる。
【0017】
格子プレート20,21の材質としては、電気的に絶縁である必要があり、また、熱膨張率が高いことが望ましく、例えばアルミナ等が好適である。他には、例えば、窒化アルミニウム、ジルコニア、コージェライト、ムライト、或いは石英などでもよい。
【0018】
また、格子プレート20,21の材質は、格子プレート20,21から熱が逃げるのを防止するためには、熱伝導性が低いものであるほうが望ましい。一方、温調などを行なう場合には、アルミナなどの熱伝導性が比較的高い材質を用いることにより、格子プレート20,21に均熱板としての作用を持たせ、被温調物を均一に加熱/冷却することが可能となる。
【0019】
以上説明したように、第1実施形態によれば、熱電素子12,13の両端部近傍に、溶射によって電極14,15を形成している。これにより、ハンダなどによって電極14,15を接合するのに比べ、電極14,15の耐久性が高くなる。特に、電極14,15が高温にさらされても、ハンダで電極14,15の接合を行なうと、ハンダが溶けることがあるが、溶射によって形成された電極14,15においてはそのようなことがなく、より高温の物体に対して、熱電モジュール11を用いることが可能となる。
【0020】
また、溶射によれば、大面積の電極14,15を形成することができるので、大型の熱電モジュール11を製造可能である。
【0021】
そして、格子プレート20,21が両側の電極14,15間を接続していないため、格子プレート20,21を通じて電極14,15間に熱が伝わることがなく、特許文献1と比較すると、エネルギー効率が向上する。
【0022】
図7に、第1実施形態に係る熱電モジュール11の他の構成例を側面断面図で示す。図7に示すように、格子プレート20,21の上面と下面との間に、熱電素子12,13の両端部がそれぞれ位置するように、格子プレート20,21を配置させる。こうすることにより、熱電素子12,13の有効長Lが長くなるので、熱電モジュール11のエネルギー効率が向上する。
【0023】
次に、第2実施形態について、説明する。
図8に第2実施形態に係る熱電モジュール11の側面断面図を示す。図8においては、第1実施形態において説明したように、熱電素子12,13の一端部側の一側電極14を、格子プレート20を用いて溶射によって形成している。一方、熱電素子12,13の他端部側の他側電極28は、一般的な熱電モジュール11と同様に、ハンダづけによって熱電素子12,13に接合されている。
【0024】
このように、片側の電極14のみを、溶射によって形成してもよい。このような場合においては、溶射によって形成した側の電極14を、高温物体側に接触させることにより、高温物体に対して使用可能な熱電モジュール11を得ることができる。
【0025】
次に、第3実施形態について、説明する。
図9は、第3実施形態に係る熱電モジュール11の製造方法を示すフローチャートである。また、図10に、第3実施形態に係る熱電モジュール11の側面断面図を示す。
【0026】
図9において、まず交互に配置したp型及びn型の熱電素子12,13の一端部及び他端部を、格子状の挿入口23,24を備えた上下の格子プレート20,21に介挿する(ステップS21)。
次に、一側の格子プレート20の上に、マスク18を被せる(ステップS22)。マスク18には、熱電素子12,13の一端部同士を接続する一側電極14の形状に合わせた、開口部29が設けられている。格子プレート20とマスク18との位置合わせは、例えば両者の定位置に設けられた、図示しないマークによって行なわれる。
【0027】
次に、マスク18の上から溶射を行ない、金属製の一側電極14を形成する(ステップS23)。
このとき図10に示すように、一側電極14は、モリブデン(Mo)膜25−銅(Cu)膜26−モリブデン(Mo)膜27の3層構造となっている。従って、ステップS23は、ステップS23A〜S23Cの3つのステップからなっている。即ち、まずモリブデンの膜25を形成し(ステップS23A)、次にその上から銅の膜26を形成し(ステップS23B)、そしてその上からモリブデンの膜27を形成する(ステップS23C)。
【0028】
そして、マスク18を除去すると、一側電極14のみが、熱電素子12,13に固着されて残る(ステップS24)。
この一側電極14に対し、研磨又は研削加工を行ない、一側電極14の表面高さを揃える(ステップS25)。
そして、その上からSiO2からなる絶縁膜16を、溶射等の手段によって形成する(ステップS26)。
【0029】
このようにして、一側に対して電極14を形成した後、他側の電極がまだ形成されていなければ(ステップS27)、熱電モジュール11を上下反転させてひっくり返し(ステップS28)、ステップS22に戻って他側電極15を形成する。
これにより、熱電モジュール11が製造される。
【0030】
尚、第1実施形態と同様に、ステップS23の後で、マスク18を除去しない状態で、まず研磨又は研削加工を行ない(ステップS25)、その上からSiO2からなる絶縁膜16を形成し(ステップS26)、その後で、マスク18を除去する(ステップS24)ようにしてもよい。
【0031】
ステップS23Aで形成され、熱電素子12,13に接するモリブデンの膜25は、銅膜26中の銅が、熱電素子12,13内部に拡散するのを防止する役割を果たしている。そして、ステップS23Cで銅膜26の上から形成されたモリブデンの膜27は、銅26の膜が伸び縮みするのを、抑制する働きをしている。尚、膜25,27の材質は、モリブデンと限られるものではなく、高融点金属であればよい。例えばタングステン等を用いてもよい。
【0032】
次に、第4実施形態について、説明する。
図11に、第4実施形態に係る熱電モジュール11の、側面断面図を示す。
図11において、熱電素子12,13は四角錐台や、円錐台のように、一側が細くなっていく傾斜形状を有している。或いは、四角錐や円錐のような、先端部が尖った形状でもよい。
【0033】
このような熱電素子12,13に対し、まず下側の格子プレート21を、熱電素子12,13の細い側から挿入する。下側の格子プレート21の挿入口24は、熱電素子12,13の太い側の端部よりも、わずかに小さくなっており、他端部近傍に引っかかる。
次に、上側の格子プレート20を、熱電素子12,13の細い側から挿入する。上側の格子プレート20の挿入口23は、熱電素子12,13の細い側の端部よりも、わずかに大きくなっており、一端部近傍に引っかかる。
【0034】
このように、格子プレート20,21を固定した状態で、図1に示したようなフローチャートに従って電極14,15を溶射することにより、図11に示したように、熱電モジュール11を構成することができる。これにより、格子プレート20,21の固定が簡単に行なえ、ポスト22等の治具が不要となる。
【0035】
図12に、熱電モジュール11を用いて発電を行なった場合の、第3実施形態に係る熱電モジュール11と、特許文献1に係る熱電モジュール11との、エネルギー効率の比較をグラフで示す。実験方法としては、熱電モジュール11の一側電極14を高温物質31に接触させ、高温物質31の温度を変化させ、高温物質31に与えた熱量と、得られた電力との関係から効率ηを算出している。
【0036】
図12において、横軸が熱電モジュール11の一側電極14の温度、縦軸が効率ηである。そして、プロットAが第3実施形態、プロットB及びCが特許文献1に係る熱電モジュール11のデータをそれぞれ示している。プロットBとCとは、異なるサンプルを用いて実験を行なっている。
【0037】
図12に示すように、第3実施形態に係る熱電モジュール11のほうが、効率ηが高くなっている。これは、特許文献1においては、仕切り格子33を通じて熱が逃げていくのに対し、第3実施形態においては、そのようなことがないためである。
【0038】
次に図13に、耐久性試験の結果を示す。耐久性試験は、特許文献1に係る熱電モジュール11と、第3実施形態に係る熱電モジュール11とを炉の内部に入れ、温度を昇降させて行なった。高温時の温度は約500度、昇温時には炉内を真空とし、降温時には窒素を導入している。
【0039】
図13において、横軸が昇温−降温を1サイクルとした、ヒートサイクル数、縦軸が電極14,15間の抵抗値である。図13からわかるように、特許文献1に係る熱電モジュール11は、ヒートサイクルが進むに従って抵抗値が増大しており、劣化が進んでいる。例えば、仕切り格子33が割れるような現象も観察された。
これに対し、第3実施形態に係る熱電モジュール11は、抵抗値に変化がなく、特許文献1に比較して、温度変化に対する耐久性が向上している。
【0040】
尚、上記の説明は、熱電素子12,13の形状を直方柱状として説明したが、例えば円柱状でもよい。さらには、挿入口23,24を直方格子状に配列するように説明したが、例えば千鳥状でもよく、ランダムな配列でもよい。
【0041】
また、上記の説明では、電極14,15を形成する手段として、溶射と説明したが、例えば溶射にはコールドスプレー、高速フレーム溶射、或いはプラズマ溶射等の種類がある。
このうち、プラズマ溶射は、さまざまな電極材料を溶射することが可能であるが、電極14,15が酸化することがある。従って、材料を融点以下に加熱して微小粉の状態で吹きつける、コールドスプレーと呼ばれる溶射がより好適であると考えられる。これにより、電極14,15が酸化することなく吹きつけられるため、電気伝導性が良い。また、電極14,15と熱電素子12,13との間の界面の剥離が少なくなる。
【0042】
さらに、電極14,15を形成する手段としては、溶射に限られるものではなく、例えば蒸着や、CVD等の手段がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示すフローチャート。
【図2】第1実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示す説明図。
【図3】第1実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示す説明図。
【図4】第1実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示す説明図。
【図5】第1実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示す説明図。
【図6】第1実施形態に係る熱電モジュールの側面断面図。
【図7】第1実施形態に係る熱電モジュールの側面断面図。
【図8】第2実施形態に係る熱電モジュールの側面断面図。
【図9】第3実施形態に係る熱電モジュールの製造方法を示すフローチャート。
【図10】第3実施形態に係る熱電モジュールの側面断面図。
【図11】第4実施形態に係る熱電モジュールの側面断面図。
【図12】本発明に係る熱電モジュールと従来技術とのエネルギー効率の比較を示すグラフ。
【図13】本発明に係る熱電モジュールと従来技術との耐久性の比較を示すグラフ。
【図14】従来技術に係る格子状の仕切り格子の斜視図。
【図15】従来技術に係る仕切り格子に熱電素子を挿入した説明図。
【図16】従来技術に係る熱電モジュールの側面断面図。
【符号の説明】
11:熱電モジュール、12:p型熱電素子、13:n型熱電素子、14:一側電極、15:他側電極、16:絶縁膜、18:マスク、20:一側格子プレート、21:他側格子プレート、22:ポスト、23:挿入口、24:挿入口、25:モリブデン膜、26:銅膜、27:モリブデン膜、28:電極、29:開口部、31:高温物質、32:低温物質、33:仕切り格子。
Claims (2)
- 熱電モジュールにおいて、
交互に配列されたp型及びn型の熱電素子(12,13)と、
熱電素子(12,13)の一端部同士及び他端部同士を結合する一側及び他側電極(14,15)と、
熱電素子(12,13)を挿入する挿入口(23,24)を有する格子プレート(20,21)とを備え、
前記格子プレート(20,21)は熱電素子(12,13)の少なくとも一側の端部近傍にあって、他側の電極(14,15)に接触しないように配置されている
ことを特徴とする熱電モジュール。 - 熱電モジュールの製造方法において、
p型及びn型の熱電素子(12,13)を、少なくとも一枚の格子プレート(20,21)の挿入口(23,24)に挿入し、
格子プレート(20,21)を熱電素子(12,13)の端部近傍に、他側の電極(14,15)に接触しないように配置し、
格子プレート(20,21)に、電極(14,15)を形成する部分に開口部(29)を備えたマスク(18)を被せ、
マスキングされていない開口部(29)の位置に電極(14,15)を形成し、
マスク(18)を除去するようにした
ことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253341A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 温度差がつきやすい熱電発電素子 |
JP2012074662A (ja) * | 2009-12-09 | 2012-04-12 | Sony Corp | 熱電発電装置、熱電発電方法、電気信号検出装置及び電気信号検出方法 |
JP2013545294A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-12-19 | エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱電モジュールに使用する熱電材料製の半導体素子 |
WO2014141551A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 日本サーモスタット株式会社 | 熱電変換モジュール |
JP2017069242A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換装置および恒温装置 |
CN110419114A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-11-05 | 株式会社Kelk | 热电发电装置 |
-
2002
- 2002-10-30 JP JP2002315206A patent/JP2004152921A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253341A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 温度差がつきやすい熱電発電素子 |
JP4524382B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2010-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 温度差がつきやすい熱電発電素子 |
JP2012074662A (ja) * | 2009-12-09 | 2012-04-12 | Sony Corp | 熱電発電装置、熱電発電方法、電気信号検出装置及び電気信号検出方法 |
JP2013545294A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-12-19 | エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 熱電モジュールに使用する熱電材料製の半導体素子 |
WO2014141551A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 日本サーモスタット株式会社 | 熱電変換モジュール |
JP2014179539A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Nippon Thermostat Co Ltd | 熱電変換モジュール |
US9537076B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-03 | Nippon Thermostat Co., Ltd. | Thermoelectric conversion module |
JP2017069242A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱電変換装置および恒温装置 |
CN110419114A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-11-05 | 株式会社Kelk | 热电发电装置 |
US11605771B2 (en) | 2017-04-21 | 2023-03-14 | Kelk Ltd. | Thermoelectric power-generating device |
CN110419114B (zh) * | 2017-04-21 | 2023-06-06 | 株式会社Kelk | 热电发电装置 |
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