JP2000183222A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属放熱体の反りや、セラミック枠体の割れ
が生じることなく、放熱性の優れた半導体装置およびそ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 モリブデン板１１の上下両面に銅板１２
を接合して形成した金属放熱体１の上面に半導体素子２
を搭載する。金属放熱体１の上面に配設したセラミック
枠体３に蓋体４を接合し、中空で半導体素子２を気密封
止する。金属放熱体１は、モリブデン板１１に貫通孔を
形成し、この貫通孔内に熱伝導率の高い銅などの金属片
１４を挿入した状態で、モリブデン板１１の上下両面に
銀ろう６を介して銅板１２を重ね合わせて加熱した後に
冷却し、モリブデン板１１、銅板１２および銅片１４を
ろう付けして形成する。
が生じることなく、放熱性の優れた半導体装置およびそ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 モリブデン板１１の上下両面に銅板１２
を接合して形成した金属放熱体１の上面に半導体素子２
を搭載する。金属放熱体１の上面に配設したセラミック
枠体３に蓋体４を接合し、中空で半導体素子２を気密封
止する。金属放熱体１は、モリブデン板１１に貫通孔を
形成し、この貫通孔内に熱伝導率の高い銅などの金属片
１４を挿入した状態で、モリブデン板１１の上下両面に
銀ろう６を介して銅板１２を重ね合わせて加熱した後に
冷却し、モリブデン板１１、銅板１２および銅片１４を
ろう付けして形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気密封止型の半導
体装置に関し、特に半導体素子からの発熱を良好に放熱
することができる半導体装置およびその製造方法に関す
る。
体装置に関し、特に半導体素子からの発熱を良好に放熱
することができる半導体装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体素子をパッケージングし
た半導体装置として、樹脂封止型の半導体装置と気密封
止型の半導体装置とが知られている。
た半導体装置として、樹脂封止型の半導体装置と気密封
止型の半導体装置とが知られている。
【０００３】前者はリードフレームに搭載した半導体素
子をトランスファーモールドなどにより直接、樹脂内に
埋め込んだ構造のものであり、コストが安い、大量生産
に向いている、小型化が可能などの利点により広く採用
されている。
子をトランスファーモールドなどにより直接、樹脂内に
埋め込んだ構造のものであり、コストが安い、大量生産
に向いている、小型化が可能などの利点により広く採用
されている。
【０００４】後者はセラミックなど絶縁体からなる基体
に搭載した半導体素子を中空で気密保持した構造のもの
であり、前者の樹脂封止型の半導体装置に比べてコスト
は高くなるが、気密性に優れるため、高い信頼性が要求
される場合に採用されている。
に搭載した半導体素子を中空で気密保持した構造のもの
であり、前者の樹脂封止型の半導体装置に比べてコスト
は高くなるが、気密性に優れるため、高い信頼性が要求
される場合に採用されている。
【０００５】近年、ガリウム・ヒ素電界効果トランジス
タ（以下、ＧａＡｓＦＥＴと呼ぶ）などの半導体素子の
大型化、高密度化および高集積化が進み、半導体素子の
動作時に発生する発熱量が急激に増大してきた。上記説
明した気密封止型の半導体装置においては、半導体素子
を搭載する基体を熱伝導率の低い絶縁体で構成している
ため、放熱性を高めることが困難であった。これを改良
する手段として、金属からなる放熱体の上に直接、半導
体素子を搭載した気密封止型の半導体装置が知られてい
る。
タ（以下、ＧａＡｓＦＥＴと呼ぶ）などの半導体素子の
大型化、高密度化および高集積化が進み、半導体素子の
動作時に発生する発熱量が急激に増大してきた。上記説
明した気密封止型の半導体装置においては、半導体素子
を搭載する基体を熱伝導率の低い絶縁体で構成している
ため、放熱性を高めることが困難であった。これを改良
する手段として、金属からなる放熱体の上に直接、半導
体素子を搭載した気密封止型の半導体装置が知られてい
る。
【０００６】図４はこの種の半導体装置の一例を示す断
面図であり、１は金属放熱体、２は半導体素子、３はセ
ラミック枠体、４は蓋体である。金属放熱体１はモリブ
デン板１１の上下両面に銅板１２、１２を銀ろう６を介
してろう付けした三層構造となっている。金属放熱体１
の上面には半導体素子２が搭載され、金属放熱体１の上
面周辺には半導体素子２を中空５で保持するためのセラ
ミック枠体３が接合されている。セラミック枠体３の下
面にはタングステンなどのメタライズ層７が形成され、
銀ろう６を介して金属放熱体１にろう付けされている。
セラミック枠体３の中間層３ａにも中空５の内側から中
空５の外側に導通する複数のメタライズ層７が形成さ
れ、中空５の内側のメタライズ層７には半導体素子２の
各電極から延びるワイヤ８が接続され、中空５の外側の
メタライズ層７には複数の外部リード端子９が銀ろう６
を介してろう付けされている。そして、セラミック枠体
３の上面に金属やセラミックなどからなる蓋体４が接合
され、半導体素子２を中空５で保持した気密封止型の半
導体装置を構成している。
面図であり、１は金属放熱体、２は半導体素子、３はセ
ラミック枠体、４は蓋体である。金属放熱体１はモリブ
デン板１１の上下両面に銅板１２、１２を銀ろう６を介
してろう付けした三層構造となっている。金属放熱体１
の上面には半導体素子２が搭載され、金属放熱体１の上
面周辺には半導体素子２を中空５で保持するためのセラ
ミック枠体３が接合されている。セラミック枠体３の下
面にはタングステンなどのメタライズ層７が形成され、
銀ろう６を介して金属放熱体１にろう付けされている。
セラミック枠体３の中間層３ａにも中空５の内側から中
空５の外側に導通する複数のメタライズ層７が形成さ
れ、中空５の内側のメタライズ層７には半導体素子２の
各電極から延びるワイヤ８が接続され、中空５の外側の
メタライズ層７には複数の外部リード端子９が銀ろう６
を介してろう付けされている。そして、セラミック枠体
３の上面に金属やセラミックなどからなる蓋体４が接合
され、半導体素子２を中空５で保持した気密封止型の半
導体装置を構成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】金属放熱体を構成する
モリブデンの熱伝導率は約１４２Ｗ／ｍ・Ｋ、銅の熱伝
導率は約３９４Ｗ／ｍ・Ｋであり、放熱性から言えば金
属放熱体は熱伝導率の良好な銅板のみで構成することが
望ましい。しかしそうした場合、金属放熱体にセラミッ
ク枠体をろう付けする工程において、銀ろうが溶融する
約７８０℃まで加熱後、冷却した際、銅の熱膨張係数と
セラミックの熱膨張係数の差に起因する熱応力により金
属放熱体に反りが生じたり、セラミック枠体に割れが生
じることがある。これらを防止するために金属放熱体
は、モリブデン板の上下両面に銅板をろう付けした三層
構造としている。このため、銅板のみで金属放熱体を構
成したときに比べて放熱性が低下することは否めない。
モリブデンの熱伝導率は約１４２Ｗ／ｍ・Ｋ、銅の熱伝
導率は約３９４Ｗ／ｍ・Ｋであり、放熱性から言えば金
属放熱体は熱伝導率の良好な銅板のみで構成することが
望ましい。しかしそうした場合、金属放熱体にセラミッ
ク枠体をろう付けする工程において、銀ろうが溶融する
約７８０℃まで加熱後、冷却した際、銅の熱膨張係数と
セラミックの熱膨張係数の差に起因する熱応力により金
属放熱体に反りが生じたり、セラミック枠体に割れが生
じることがある。これらを防止するために金属放熱体
は、モリブデン板の上下両面に銅板をろう付けした三層
構造としている。このため、銅板のみで金属放熱体を構
成したときに比べて放熱性が低下することは否めない。
【０００８】本発明は上記問題を解決するためのもので
あり、金属放熱体に反りが生じたり、セラミック枠体に
割れが生じたりすることなく、優れた放熱性を得ること
ができる半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
あり、金属放熱体に反りが生じたり、セラミック枠体に
割れが生じたりすることなく、優れた放熱性を得ること
ができる半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による半導体装置は、第１の金属材料の上下両
面に第１の金属材料よりも熱伝導率の高い第２の金属材
料を接合して形成した金属放熱体と、金属放熱体の上面
に搭載した半導体素子を備えた半導体装置であって、少
なくとも半導体素子を搭載した領域を含み、金属放熱体
の上面から金属放熱体の下面にまで至って第１の金属材
料よりも熱伝導率の高い金属材料で構成したものであ
る。
に本発明による半導体装置は、第１の金属材料の上下両
面に第１の金属材料よりも熱伝導率の高い第２の金属材
料を接合して形成した金属放熱体と、金属放熱体の上面
に搭載した半導体素子を備えた半導体装置であって、少
なくとも半導体素子を搭載した領域を含み、金属放熱体
の上面から金属放熱体の下面にまで至って第１の金属材
料よりも熱伝導率の高い金属材料で構成したものであ
る。
【００１０】これによれば、半導体素子からの発熱が熱
伝導率の低い第１の金属材料を介することなく、熱伝導
率の高い金属材料を介して外部に放熱することができる
ため、良好な放熱性を得ることができる。
伝導率の低い第１の金属材料を介することなく、熱伝導
率の高い金属材料を介して外部に放熱することができる
ため、良好な放熱性を得ることができる。
【００１１】また、本発明は第１の金属材料の上下両面
に第１の金属材料より熱伝導率の高い第２の金属材料を
接合して形成した金属放熱体と、金属放熱体の上面に搭
載した半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であっ
て、第１の金属材料に貫通孔を形成し、この貫通孔内に
第１の金属材料より熱伝導率の高い第３の金属材料を押
入した状態で、第１の金属材料の上下両面に第２の金属
材料を重ね合わせて第１の金属材料、第２の金属材料お
よび第３の金属材料をろう付けして金属放熱体を形成
し、金属放熱体の上面に半導体素子を搭載するものであ
る。
に第１の金属材料より熱伝導率の高い第２の金属材料を
接合して形成した金属放熱体と、金属放熱体の上面に搭
載した半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であっ
て、第１の金属材料に貫通孔を形成し、この貫通孔内に
第１の金属材料より熱伝導率の高い第３の金属材料を押
入した状態で、第１の金属材料の上下両面に第２の金属
材料を重ね合わせて第１の金属材料、第２の金属材料お
よび第３の金属材料をろう付けして金属放熱体を形成
し、金属放熱体の上面に半導体素子を搭載するものであ
る。
【００１２】また、本発明は第１の金属材料の上下両面
に第１の金属材料より熱伝導率の高い第２の金属材料を
接合して形成した金属放熱体と、金属放熱体の上面に搭
載した半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であっ
て、第１の金属材料に貫通孔を形成し、第１の金属材料
の下面側に接合する第２の金属材料の所定部分に突起部
を形成し、第１の金属材料に形成した貫通孔内に第２の
金属材料に形成した突起を挿入するとともに、第１の金
属材料の上面に第２の金属材料を重ね合わせた状態で、
第１の金属材料と前記第２の金属材料をろう付けして金
属放熱体を形成し、金属放熱体の上面に半導体素子を搭
載するものである。
に第１の金属材料より熱伝導率の高い第２の金属材料を
接合して形成した金属放熱体と、金属放熱体の上面に搭
載した半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であっ
て、第１の金属材料に貫通孔を形成し、第１の金属材料
の下面側に接合する第２の金属材料の所定部分に突起部
を形成し、第１の金属材料に形成した貫通孔内に第２の
金属材料に形成した突起を挿入するとともに、第１の金
属材料の上面に第２の金属材料を重ね合わせた状態で、
第１の金属材料と前記第２の金属材料をろう付けして金
属放熱体を形成し、金属放熱体の上面に半導体素子を搭
載するものである。
【００１３】このような方法によれば、三層構造の金属
放熱体を用いても、放熱性に優れた半導体装置を容易に
得ることができる。
放熱体を用いても、放熱性に優れた半導体装置を容易に
得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１５】（実施の形態１）図１は本発明の一実施形
態による半導体装置の断面図であり、金属放熱体１の上
面に半導体素子２が搭載され、これを取り囲むように金
属放熱体１の上面に配設されたセラミック枠体３の上面
に蓋体４を接合し、半導体素子２を中空５で気密封止し
た構造となっている。
態による半導体装置の断面図であり、金属放熱体１の上
面に半導体素子２が搭載され、これを取り囲むように金
属放熱体１の上面に配設されたセラミック枠体３の上面
に蓋体４を接合し、半導体素子２を中空５で気密封止し
た構造となっている。
【００１６】金属放熱体１は、モリブデン板１１の上下
両面に銅板１２、１２を銀ろう６を介してろう付けした
三層構造となっている。金属放熱体１の上面に搭載した
半導体素子２のほぼ直下のモリブデン板１１領域には、
モリブデンにかえて銅片１４が銀ろう６によりろう付け
されている。このような構成とすることにより、半導体
素子２からの発熱を半導体素子２が直接搭載された金属
放熱体１上面の銅板１２からモリブデン板よりも熱伝導
率の高い銅片１４を介して金属放熱体１下面の銅板１２
から半導体装置の外部に放熱することができ、良好な放
熱性を得ることができる。
両面に銅板１２、１２を銀ろう６を介してろう付けした
三層構造となっている。金属放熱体１の上面に搭載した
半導体素子２のほぼ直下のモリブデン板１１領域には、
モリブデンにかえて銅片１４が銀ろう６によりろう付け
されている。このような構成とすることにより、半導体
素子２からの発熱を半導体素子２が直接搭載された金属
放熱体１上面の銅板１２からモリブデン板よりも熱伝導
率の高い銅片１４を介して金属放熱体１下面の銅板１２
から半導体装置の外部に放熱することができ、良好な放
熱性を得ることができる。
【００１７】金属放熱体１の上面周辺には半導体素子２
を中空５で気密保持するためのセラミック枠体３が接合
されている。セラミック枠体３の下面にはタングステン
などのメタライズ層７が形成され、さらに下地ニッケル
めっき層、金めっき層（図示せず）が形成され、銀ろう
６を介して金属放熱体１にろう付けされている。セラミ
ック枠体３の中間層３ａには複数のメタライズ層７およ
びニッケルめっき層、金めっき層（図示せず）が形成さ
れ、中空５の内側に形成されたメタライズ層７には半導
体素子２の各電極から延びるワイヤ８が接続され、中空
５の外側に形成されたメタライズ層７には複数の外部リ
ード端子９が銀ろうによりろう付けされている。
を中空５で気密保持するためのセラミック枠体３が接合
されている。セラミック枠体３の下面にはタングステン
などのメタライズ層７が形成され、さらに下地ニッケル
めっき層、金めっき層（図示せず）が形成され、銀ろう
６を介して金属放熱体１にろう付けされている。セラミ
ック枠体３の中間層３ａには複数のメタライズ層７およ
びニッケルめっき層、金めっき層（図示せず）が形成さ
れ、中空５の内側に形成されたメタライズ層７には半導
体素子２の各電極から延びるワイヤ８が接続され、中空
５の外側に形成されたメタライズ層７には複数の外部リ
ード端子９が銀ろうによりろう付けされている。
【００１８】次に、この半導体装置の製造方法について
図２を参照しながら説明する。まず、図２（ａ）に示す
ように厚さ０．４ｍｍ程度のモリブデン板１１を用意
し、パンチ２１で貫通孔１３を形成する。貫通孔１３の
位置および大きさは任意であるが、金属放熱体の上面に
半導体素子を搭載する領域の直下を含むように形成する
とよい。
図２を参照しながら説明する。まず、図２（ａ）に示す
ように厚さ０．４ｍｍ程度のモリブデン板１１を用意
し、パンチ２１で貫通孔１３を形成する。貫通孔１３の
位置および大きさは任意であるが、金属放熱体の上面に
半導体素子を搭載する領域の直下を含むように形成する
とよい。
【００１９】次に図２（ｂ）に示すように、モリブデン
板１１の貫通孔１３内に銅片１４を挿入した状態で、モ
リブデン板１１の上下両面にシート状の銀ろう６、６を
介して厚さ０．７ｍｍ程度の銅板１２、１２を重ね合わ
せる。銅片１４の厚さはモリブデン板１１の厚さとほぼ
同じか若干薄くするとよい。大きさは貫通孔１３に挿入
した際に銀ろう６を流し込むスペースを確保できるよう
に、貫通孔１３より若干小さく形成するとよい。
板１１の貫通孔１３内に銅片１４を挿入した状態で、モ
リブデン板１１の上下両面にシート状の銀ろう６、６を
介して厚さ０．７ｍｍ程度の銅板１２、１２を重ね合わ
せる。銅片１４の厚さはモリブデン板１１の厚さとほぼ
同じか若干薄くするとよい。大きさは貫通孔１３に挿入
した際に銀ろう６を流し込むスペースを確保できるよう
に、貫通孔１３より若干小さく形成するとよい。
【００２０】次に、図２（ｃ）に示すように、金属放熱
体１の上方からウエイト２２をかけながらシート状の銀
ろう６が溶融する約７８０℃まで加熱後、冷却し、モリ
ブデン板１１、銅板１２、１２および銅片１４がろう付
けされた金属放熱体１を形成する。ウエイト２２の加重
は、銀ろう６からのボイド発生を防ぐためであり、０．
５ｍｍ〜１．０ｇ／ｍｍ2 好ましくは０．７ｇ／ｍｍ2
が望ましい。
体１の上方からウエイト２２をかけながらシート状の銀
ろう６が溶融する約７８０℃まで加熱後、冷却し、モリ
ブデン板１１、銅板１２、１２および銅片１４がろう付
けされた金属放熱体１を形成する。ウエイト２２の加重
は、銀ろう６からのボイド発生を防ぐためであり、０．
５ｍｍ〜１．０ｇ／ｍｍ2 好ましくは０．７ｇ／ｍｍ2
が望ましい。
【００２１】この後、金属放熱体１の上面にセラミック
枠体３をろう付けし、外部リード端子をろう付けし、ダ
イボンディング、ワイヤボンディング工程などの所定の
工程を経て、セラミック枠体３の上面に蓋体４を接合し
て半導体装置が完成する。
枠体３をろう付けし、外部リード端子をろう付けし、ダ
イボンディング、ワイヤボンディング工程などの所定の
工程を経て、セラミック枠体３の上面に蓋体４を接合し
て半導体装置が完成する。
【００２２】本実施の形態では、モリブデン板に埋め込
む金属材料に銅を用いたが、例えば銀、アルミニウム、
ダイヤモンドなどモリブデンよりも熱伝導率の高い金属
材料であればこれに限ることはない。
む金属材料に銅を用いたが、例えば銀、アルミニウム、
ダイヤモンドなどモリブデンよりも熱伝導率の高い金属
材料であればこれに限ることはない。
【００２３】また、銅片の大きさおよび位置は金属放熱
体に半導体素子を搭載した全領域を含むよう構成した
が、半導体素子を搭載する領域の一部を含むようにして
いればよい。
体に半導体素子を搭載した全領域を含むよう構成した
が、半導体素子を搭載する領域の一部を含むようにして
いればよい。
【００２４】また、モリブデン板に埋め込んだ銅片の数
も１つに限ることなく、多数の銅片を埋め込んだ構造と
してもよい。
も１つに限ることなく、多数の銅片を埋め込んだ構造と
してもよい。
【００２５】また、金属放熱体は銅−モリブデン−銅の
三層構造としたが、銅−タングステン−銅、銅−鉄合金
−銅などの三層構造としてもよい。
三層構造としたが、銅−タングステン−銅、銅−鉄合金
−銅などの三層構造としてもよい。
【００２６】（実施の形態２）図３は本発明の他の実施
形態を示す半導体装置の製造方法を示す図である。
形態を示す半導体装置の製造方法を示す図である。
【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、モリブデ
ン板１１を用意し、プレス手段により貫通孔１３を形成
する、貫通孔１３の大きさおよび位置は前記説明した実
施形態と同様である。
ン板１１を用意し、プレス手段により貫通孔１３を形成
する、貫通孔１３の大きさおよび位置は前記説明した実
施形態と同様である。
【００２８】それとともに、図３（ｂ）に示すように、
銅板１２を用意し、パンチ２１により押圧または半切断
し、銅板１２に突起１５を形成する。突起１５は高さは
モリブデン板１１に形成した貫通孔１３とほぼ同じか若
干低く形成し、大きさは貫通孔１３よりも若干小さく形
成するとよい。
銅板１２を用意し、パンチ２１により押圧または半切断
し、銅板１２に突起１５を形成する。突起１５は高さは
モリブデン板１１に形成した貫通孔１３とほぼ同じか若
干低く形成し、大きさは貫通孔１３よりも若干小さく形
成するとよい。
【００２９】次に図３（ｃ）に示すように、モリブデン
板１１の下面から貫通孔１３に銅板１２の突起１５を挿
入するとともに、モリブデン板１１の上面にもシート状
の銀ろう６を介して銅板１２を重ね合わせる。
板１１の下面から貫通孔１３に銅板１２の突起１５を挿
入するとともに、モリブデン板１１の上面にもシート状
の銀ろう６を介して銅板１２を重ね合わせる。
【００３０】そして、図３（ｄ）に示すように、金属放
熱体１の上方からウエイト２２をかけて銀ろう６が溶融
する約７８０℃まで加熱後、冷却しモリブデン板１１と
銅板１２、１２をろう付けして金属放熱体１を形成す
る。この後、前記説明したのと同様の工程を経て半導体
装置を完成する。
熱体１の上方からウエイト２２をかけて銀ろう６が溶融
する約７８０℃まで加熱後、冷却しモリブデン板１１と
銅板１２、１２をろう付けして金属放熱体１を形成す
る。この後、前記説明したのと同様の工程を経て半導体
装置を完成する。
【００３１】
【発明の効果】本発明は上記説明したように、三層構造
からなる金属放熱体に反りが生じたり、金属放熱体に接
合するセラミック枠体に割れが生じたりすることなく、
良好な放熱性を備えた半導体装置を容易に得ることがで
きる。
からなる金属放熱体に反りが生じたり、金属放熱体に接
合するセラミック枠体に割れが生じたりすることなく、
良好な放熱性を備えた半導体装置を容易に得ることがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図
【図２】本実施形態の半導体装置の製造方法を示す説明
図
図
【図３】他の実施形態の半導体装置の製造方法を示す説
明図
明図
【図４】従来の気密封止型の半導体装置を示す断面図
１ 金属放熱体 ２ 半導体素子 ３ セラミック枠体 ３ａ セラミック枠体の中間層 ４ 蓋体 ５ 中空 ６ 銀ろう ７ メタライズ層 ８ ワイヤ ９ 外部リード端子 １１ モリブデン板 １２ 銅板 １３ 貫通孔 １４ 銅片 １５ 突起 ２１ パンチ ２２ ウエイト
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の金属材料の上下両面に前記第１の
金属材料よりも熱伝導率の高い第２の金属材料を接合し
て形成した金属放熱体と、前記金属放熱体の上面に搭載
した半導体素子を備えた半導体装置であって、 少なくとも前記半導体素子を搭載した領域を含み、前記
金属放熱体の上面から前記金属放熱体の下面にまで至っ
て前記第１の金属材料よりも熱伝導率の高い金属材料で
構成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体素子を搭載した領域の直下の
前記第１の金属材料を、前記第１の金属材料よりも熱伝
導率の高い第３の金属材料で構成した請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項３】 第１の金属材料の上下両面に前記第１の
金属材料よりも熱伝導率の高い第２の金属材料を接合し
て形成した金属放熱体と、前記金属放熱体の上面に搭載
した半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であっ
て、 前記第１の金属材料に貫通孔を形成し、前記貫通孔内に
前記第１の金属材料より熱伝導率の高い第３の金属材料
を挿入した状態で、前記第１の金属材料の上下両面に前
記第２の金属材料を重ね合わせて前記第１の金属材料、
前記第２の金属材料および前記第３の金属材料をろう付
けして前記金属放熱体を形成し、前記金属放熱体の上面
に前記半導体素子を搭載することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】 第１の金属材料の上下両面に前記第１の
金属材料よりも熱伝導率の高い第２の金属材料を接合し
て形成した金属放熱体と、前記金属放熱体の上面に搭載
した半導体素子を備えた半導体装置の製造方法であっ
て、 前記第１の金属材料に貫通孔を形成し、前記第１の金属
材料の下面側に接合する前記第２の金属材料の所定部分
に突起を形成し、前記第１の金属材料に形成した貫通孔
内に前記第２の金属材料に形成した突起を挿入するとと
もに、前記第１の金属材料の上面に前記第２の金属材料
を重ね合わせた状態で、前記第１の金属材料と前記第２
の金属材料をろう付けして前記金属放熱体を形成し、前
記金属放熱体の上面に前記半導体素子を搭載したことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１の金属材料はモリブデンであ
り、前記第２の金属材料および前記第３の金属材料は銅
または銅合金である請求項１、２、３および４記載の半
導体装置およびその製造方法。
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