JP3165139B1 - 気密封止型半導体パッケージ - Google Patents
気密封止型半導体パッケージInfo
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Abstract
【要約】
【課題】 金属基体上に接合したセラミック端子が割れ
ることなく、半導体素子から発生する熱を十分に放熱す
ることができる気密封止型半導体パッケージを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 鉄系材料からなる金属基体１０上に環状
の金属枠体３０及び金属枠体３０の内外を導通するセラ
ミック端子４０を接合している。金属基体１０の半導体
素子５０を搭載する領域には貫通孔１１を形成し、この
貫通孔１１内に放熱体２０を埋め込んでいる。放熱体２
０は貫通孔１１に２枚の銅板２１，２１及びこの銅板２
１，２１間に挟んだ銀ろう材２２をセットして加熱、徐
冷することで貫通孔１１内に固着している。
ることなく、半導体素子から発生する熱を十分に放熱す
ることができる気密封止型半導体パッケージを提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 鉄系材料からなる金属基体１０上に環状
の金属枠体３０及び金属枠体３０の内外を導通するセラ
ミック端子４０を接合している。金属基体１０の半導体
素子５０を搭載する領域には貫通孔１１を形成し、この
貫通孔１１内に放熱体２０を埋め込んでいる。放熱体２
０は貫通孔１１に２枚の銅板２１，２１及びこの銅板２
１，２１間に挟んだ銀ろう材２２をセットして加熱、徐
冷することで貫通孔１１内に固着している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を中空で
収納する気密封止型半導体パッケージに関し、特に放熱
性に優れた気密封止型半導体パッケージに関する。
収納する気密封止型半導体パッケージに関し、特に放熱
性に優れた気密封止型半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体素子を収納する半導体
パッケージとして、樹脂封止型パッケージと気密封止型
パッケージが主に知られている。
パッケージとして、樹脂封止型パッケージと気密封止型
パッケージが主に知られている。
【０００３】前者は、リードフレームなどに搭載した半
導体素子を樹脂モールドしたものであり、大量生産に向
きコストが安いという利点から広く採用されている。後
者は金属基体やセラミック基体に搭載した半導体素子を
中空で気密封止したものであり、樹脂封止型パッケージ
に比べてコストは高くなるが気密性に優れるため、高信
頼性が要求される場合に採用されている。
導体素子を樹脂モールドしたものであり、大量生産に向
きコストが安いという利点から広く採用されている。後
者は金属基体やセラミック基体に搭載した半導体素子を
中空で気密封止したものであり、樹脂封止型パッケージ
に比べてコストは高くなるが気密性に優れるため、高信
頼性が要求される場合に採用されている。
【０００４】図３は、従来の気密封止型半導体パッケー
ジの一例を示す断面図及び上面図である。鉄系材料から
なる金属基体１０上に環状の金属枠体３０を接合し、こ
の内側に半導体素子５０を搭載している。金属枠体３０
には切り欠き部（図示せず）を形成し、この切り欠き部
内に金属枠体３０と絶縁状態を保ちつつ金属枠体３０の
内外を導通するセラミック端子４０を接合している。２
段構造のセラミック端子４０の下段にはメタライズ層４
１を形成し、金属枠体３０内側のメタライズ層４１上に
は半導体素子５０と結線したボンディングワイヤ６０を
結線し、金属枠体３０外側のメタライズ層４１上には外
部リード７０を接合している。金属枠体３０上には、平
板状の金属蓋体８０をろう付けやシーム溶接などの方法
で接合し、半導体素子５０を中空９０で気密封止してい
る。
ジの一例を示す断面図及び上面図である。鉄系材料から
なる金属基体１０上に環状の金属枠体３０を接合し、こ
の内側に半導体素子５０を搭載している。金属枠体３０
には切り欠き部（図示せず）を形成し、この切り欠き部
内に金属枠体３０と絶縁状態を保ちつつ金属枠体３０の
内外を導通するセラミック端子４０を接合している。２
段構造のセラミック端子４０の下段にはメタライズ層４
１を形成し、金属枠体３０内側のメタライズ層４１上に
は半導体素子５０と結線したボンディングワイヤ６０を
結線し、金属枠体３０外側のメタライズ層４１上には外
部リード７０を接合している。金属枠体３０上には、平
板状の金属蓋体８０をろう付けやシーム溶接などの方法
で接合し、半導体素子５０を中空９０で気密封止してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記説明した従来の気
密封止型半導体パッケージにおいて、金属枠体にはコバ
ール材などの鉄系材料を用いている。セラミック端子に
用いるセラミックの熱膨張係数は、６．７×１０-6／Ｋ
（ａｔ８５０℃）であるため、金属基体としてセラミッ
クと熱膨張係数が近い値の材料を用いないと製造工程中
にセラミック端子が割れることがあるからである。コバ
ール材の熱膨張係数は、５．３×１０-6／Ｋ（ａｔ８５
０℃）であり、この程度の差であれば製造工程中にセラ
ミック端子が割れることがない。しかしながらコバール
材の熱伝導率は１７Ｗ／ｍ・Ｋと悪いため、半導体素子
で発生する熱を十分に放熱することができない。近年、
ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＦＥ
Ｔ）など半導体素子の大型化、高密度化及び高集積化が
進み、半導体素子の動作時に発生する発熱量が急激に増
大してきたため、十分な放熱性を備えたパッケージが要
求されている。このため、例えば金属基体を銅材で形成
した場合、銅の熱伝導率は３９４Ｗ／ｍ・Ｋと良好であ
るが、熱膨張係数が１７．０×１０-6／Ｋ（ａｔ８５０
℃）とセラミックと大きな差があるため、製造工程中に
セラミック端子が割れることがある。
密封止型半導体パッケージにおいて、金属枠体にはコバ
ール材などの鉄系材料を用いている。セラミック端子に
用いるセラミックの熱膨張係数は、６．７×１０-6／Ｋ
（ａｔ８５０℃）であるため、金属基体としてセラミッ
クと熱膨張係数が近い値の材料を用いないと製造工程中
にセラミック端子が割れることがあるからである。コバ
ール材の熱膨張係数は、５．３×１０-6／Ｋ（ａｔ８５
０℃）であり、この程度の差であれば製造工程中にセラ
ミック端子が割れることがない。しかしながらコバール
材の熱伝導率は１７Ｗ／ｍ・Ｋと悪いため、半導体素子
で発生する熱を十分に放熱することができない。近年、
ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓＦＥ
Ｔ）など半導体素子の大型化、高密度化及び高集積化が
進み、半導体素子の動作時に発生する発熱量が急激に増
大してきたため、十分な放熱性を備えたパッケージが要
求されている。このため、例えば金属基体を銅材で形成
した場合、銅の熱伝導率は３９４Ｗ／ｍ・Ｋと良好であ
るが、熱膨張係数が１７．０×１０-6／Ｋ（ａｔ８５０
℃）とセラミックと大きな差があるため、製造工程中に
セラミック端子が割れることがある。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、金属基体上に接合したセラミック端子が割れること
なく、半導体素子から発生する熱を十分に放熱すること
ができる気密封止型半導体パッケージを提供することを
目的とする。
り、金属基体上に接合したセラミック端子が割れること
なく、半導体素子から発生する熱を十分に放熱すること
ができる気密封止型半導体パッケージを提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、鉄系材料からなる金属基体上に環状の金属
枠体及び前記金属枠体と絶縁しつつ前記金属枠体の内外
を導通するセラミック端子を接合した気密封止型半導体
パッケージにおいて、前記金属基体の半導体素子を搭載
する領域に貫通孔を形成し、この貫通孔内に銅系材料か
らなる放熱体を埋め込んだものである。
に本発明は、鉄系材料からなる金属基体上に環状の金属
枠体及び前記金属枠体と絶縁しつつ前記金属枠体の内外
を導通するセラミック端子を接合した気密封止型半導体
パッケージにおいて、前記金属基体の半導体素子を搭載
する領域に貫通孔を形成し、この貫通孔内に銅系材料か
らなる放熱体を埋め込んだものである。
【０００８】これによれば、熱伝導性の良好な銅材から
なる放熱体上に半導体素子を搭載するため、半導体素子
からの発熱を十分に放熱することができる。また、セラ
ミック端子を搭載する金属基体には、セラミックと熱膨
張係数が近いコバール材などの鉄系材料を用いているた
め、製造工程中にセラミック端子が割れることがない。
なる放熱体上に半導体素子を搭載するため、半導体素子
からの発熱を十分に放熱することができる。また、セラ
ミック端子を搭載する金属基体には、セラミックと熱膨
張係数が近いコバール材などの鉄系材料を用いているた
め、製造工程中にセラミック端子が割れることがない。
【０００９】また、本発明は金属基体に形成した貫通孔
内に２枚の銅板及びこの銅板間に挟んだろう材をセット
して加熱、徐冷して、貫通孔内に放熱体を接合したもの
である。これによれば、金属基体上にろう材をセットす
ることなく放熱体を接合できるため、金属基体上の半導
体素子搭載領域にろう材が付着し、ダイボンディングに
悪影響を与えることがない。
内に２枚の銅板及びこの銅板間に挟んだろう材をセット
して加熱、徐冷して、貫通孔内に放熱体を接合したもの
である。これによれば、金属基体上にろう材をセットす
ることなく放熱体を接合できるため、金属基体上の半導
体素子搭載領域にろう材が付着し、ダイボンディングに
悪影響を与えることがない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
気密封止型半導体パッケージについて図面を参照しなが
ら詳しく説明する。
気密封止型半導体パッケージについて図面を参照しなが
ら詳しく説明する。
【００１１】図１は、ＧａＡｓＦＥＴを搭載した気密封
止型半導体パッケージの断面図である。用途としては携
帯電話の無線基地局用のパワーアンプモジュールなどに
用いられる。コバール材（鉄５４％−ニッケル２８％−
コバルト１８％）からなる金属基体１０上には、同じく
コバール材からなる環状の金属枠体３０をろう付けによ
り接合している。金属基体１０の中央部には貫通孔（図
示せず）を形成し、ここに放熱体２０を埋め込み、この
上に半導体素子５０を搭載している。放熱体２０は２枚
の銅板２１，２１からなり、この２枚の銅板２１，２１
間及びその周辺に備えた銀ろう材２２を介して金属基体
１０と接合している。放熱体２０は金属基体１０の上面
と同一面上か図面記載のように若干突出していてもよ
い。
止型半導体パッケージの断面図である。用途としては携
帯電話の無線基地局用のパワーアンプモジュールなどに
用いられる。コバール材（鉄５４％−ニッケル２８％−
コバルト１８％）からなる金属基体１０上には、同じく
コバール材からなる環状の金属枠体３０をろう付けによ
り接合している。金属基体１０の中央部には貫通孔（図
示せず）を形成し、ここに放熱体２０を埋め込み、この
上に半導体素子５０を搭載している。放熱体２０は２枚
の銅板２１，２１からなり、この２枚の銅板２１，２１
間及びその周辺に備えた銀ろう材２２を介して金属基体
１０と接合している。放熱体２０は金属基体１０の上面
と同一面上か図面記載のように若干突出していてもよ
い。
【００１２】金属基体１０上に接合した金属枠体３０に
は切り欠き部（図示せず）を形成し、この切り欠き部内
に金属枠体３０と絶縁状態を保ちつつ金属枠体３０の内
外を導通するセラミック端子４０を接合している。セラ
ミック端子４０に２段構造とし、その下段にはメタライ
ズ層４１を形成している、金属枠体３０内側のメタライ
ズ層４１上には半導体素子５０と結線したボンディング
ワイヤ６０を結線し、金属枠体３０外側のメタライズ層
４１上には外部リード７０を接合している。金属枠体３
０上には金属蓋体８０を接合し、半導体素子５０を中空
９０で気密封止している。
は切り欠き部（図示せず）を形成し、この切り欠き部内
に金属枠体３０と絶縁状態を保ちつつ金属枠体３０の内
外を導通するセラミック端子４０を接合している。セラ
ミック端子４０に２段構造とし、その下段にはメタライ
ズ層４１を形成している、金属枠体３０内側のメタライ
ズ層４１上には半導体素子５０と結線したボンディング
ワイヤ６０を結線し、金属枠体３０外側のメタライズ層
４１上には外部リード７０を接合している。金属枠体３
０上には金属蓋体８０を接合し、半導体素子５０を中空
９０で気密封止している。
【００１３】図２は金属基体に放熱体を接合する際の説
明図である。金属基体１０の中央部に形成した貫通孔１
１に２枚の銅板２１，２１及びこの銅板２１，２１間に
挟んだ銀ろう材２２をセットし、銀ろうが溶融する約８
３０℃に加熱することにより、銀ろう材２２が溶融して
銅板２１，２１の周辺にも行き渡り、この後徐冷して銀
ろう材が固化することにより、銅板２１，２１と金属基
体１０とを接合している。
明図である。金属基体１０の中央部に形成した貫通孔１
１に２枚の銅板２１，２１及びこの銅板２１，２１間に
挟んだ銀ろう材２２をセットし、銀ろうが溶融する約８
３０℃に加熱することにより、銀ろう材２２が溶融して
銅板２１，２１の周辺にも行き渡り、この後徐冷して銀
ろう材が固化することにより、銅板２１，２１と金属基
体１０とを接合している。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
属基体をセラミックと熱膨張係数の近い鉄系材料で形成
したため、セラミック端子が製造工程中に割れることが
ない。
属基体をセラミックと熱膨張係数の近い鉄系材料で形成
したため、セラミック端子が製造工程中に割れることが
ない。
【００１５】また、半導体素子は金属基体に埋め込んだ
銅材からなる放熱体上に搭載するため、半導体素子から
の発熱を十分に放熱することができる。
銅材からなる放熱体上に搭載するため、半導体素子から
の発熱を十分に放熱することができる。
【００１６】さらに、放熱体を２枚の銅板で形成し、こ
の間にろう材を挟んだ状態でろう材を溶融、固化して放
熱体を接合するため、ろう材が半導体素子搭載領域に及
ぶことがない。
の間にろう材を挟んだ状態でろう材を溶融、固化して放
熱体を接合するため、ろう材が半導体素子搭載領域に及
ぶことがない。
【図１】本発明の一実施形態による気密封止型半導体パ
ッケージの断面図
ッケージの断面図
【図２】本発明の一実施形態による気密封止型半導体パ
ッケージを製造する際の説明図
ッケージを製造する際の説明図
【図３】（ａ）従来の気密封止型半導体パッケージの断
面図 （ｂ）従来の気密封止型半導体パッケージの上面図
面図 （ｂ）従来の気密封止型半導体パッケージの上面図
１０ 金属基体 １１ 貫通孔 ２０ 放熱体 ２１ 銅板 ２２ 銀ろう材 ３０ 金属枠体 ４０ セラミック端子 ４１ メタライズ層 ５０ 半導体素子 ６０ ボンディングワイヤ ７０ 外部リード ８０ 金属蓋体 ９０ 中空
Claims (2)
- 【請求項１】 鉄系材料からなる金属基体上に環状の金
属枠体及び前記金属枠体と絶縁しつつ前記金属枠体の内
外を導通するセラミック端子を接合した気密封止型半導
体パッケージにおいて、前記金属基体の半導体素子を搭
載する領域に貫通孔を形成し、この貫通孔内に銅系材料
からなる放熱体を埋め込んだことを特徴とする気密封止
型半導体パッケージ。 - 【請求項２】 前記貫通孔内に２枚の銅板及びこの銅板
間に挟んだろう材をセットして加熱、徐冷し、前記貫通
孔内に放熱体を接合したことを特徴とする請求項１記載
の気密封止型半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027458A JP3165139B1 (ja) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | 気密封止型半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027458A JP3165139B1 (ja) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | 気密封止型半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3165139B1 true JP3165139B1 (ja) | 2001-05-14 |
| JP2001217333A JP2001217333A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=18553024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000027458A Expired - Fee Related JP3165139B1 (ja) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | 気密封止型半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3165139B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8533307B2 (en) | 2002-07-26 | 2013-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for monitoring a data transmission |
| WO2018092251A1 (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4159861B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2008-10-01 | 新日本無線株式会社 | プリント回路基板の放熱構造の製造方法 |
| TWI378580B (en) * | 2007-03-07 | 2012-12-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Socket led device |
| JP2008288379A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
| JP5263326B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2013-08-14 | 日産自動車株式会社 | 接合構造 |
| JP2018157201A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 抵抗装置、及び、抵抗装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-02-04 JP JP2000027458A patent/JP3165139B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8533307B2 (en) | 2002-07-26 | 2013-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Method and device for monitoring a data transmission |
| WO2018092251A1 (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
| JPWO2018092251A1 (ja) * | 2016-11-17 | 2019-03-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体パッケージ |
| US10910326B2 (en) | 2016-11-17 | 2021-02-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001217333A (ja) | 2001-08-10 |
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