JPH11251845A - 低電圧増幅器 - Google Patents
低電圧増幅器Info
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- JPH11251845A JPH11251845A JP10323403A JP32340398A JPH11251845A JP H11251845 A JPH11251845 A JP H11251845A JP 10323403 A JP10323403 A JP 10323403A JP 32340398 A JP32340398 A JP 32340398A JP H11251845 A JPH11251845 A JP H11251845A
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- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
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- H03F2200/513—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being made for low supply voltages
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】従来の増幅器よりも低電圧で動作し、転送特性
の向上された低電圧増幅器を提供する。 【解決手段】 低電圧増幅器は、第１のトランジスタで
あるベース接地トランジスタ１と、第２のトランジスタ
であるエミッタ接地トランジスタ２とにより構成され
る。第１のトランジスタ１は、そのエミッタ電極に接続
されるインダクタ１２により入力端子８に印加される入
力信号を受信する。第２のトランジスタ２は、そのベー
ス電極に接続されるキャパシタ１３による入力信号を受
信する。第１のトランジスタ１と第２のトランジスタ２
は、第３のトランジスタ３と電流源１６とからなる電流
ミラー構造によりバイアスされる。差異電流出力信号
は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタ２の
それぞれのコレクタ電極に供給される。
の向上された低電圧増幅器を提供する。 【解決手段】 低電圧増幅器は、第１のトランジスタで
あるベース接地トランジスタ１と、第２のトランジスタ
であるエミッタ接地トランジスタ２とにより構成され
る。第１のトランジスタ１は、そのエミッタ電極に接続
されるインダクタ１２により入力端子８に印加される入
力信号を受信する。第２のトランジスタ２は、そのベー
ス電極に接続されるキャパシタ１３による入力信号を受
信する。第１のトランジスタ１と第２のトランジスタ２
は、第３のトランジスタ３と電流源１６とからなる電流
ミラー構造によりバイアスされる。差異電流出力信号
は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタ２の
それぞれのコレクタ電極に供給される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低電圧増幅器に関
し、特に無線電話機に用いられる低電圧増幅器に関す
る。
し、特に無線電話機に用いられる低電圧増幅器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、無線電話機における処理容量の大
きい信号、特に低電圧増幅器やミキサ混合器等の携帯電
話回路の需要が増加している一方で、それを動作させる
ために必要な電圧供給量は減少している。例えば、数年
前では、４．８ボルトが一般的であったが、現在の携帯
電話回路においては、２．７ボルトから作動するもので
ある。
きい信号、特に低電圧増幅器やミキサ混合器等の携帯電
話回路の需要が増加している一方で、それを動作させる
ために必要な電圧供給量は減少している。例えば、数年
前では、４．８ボルトが一般的であったが、現在の携帯
電話回路においては、２．７ボルトから作動するもので
ある。
【０００３】通常、電流効果を得るために供給電圧を低
くすることにより、供給ライン間に設けられる多数の能
動素子を必要とするギルバートセルのような標準ＩＣ回
路ミキサ構造で大容量の信号を制御するように形成する
ことは難しい。これらの能動素子は、例えば、ミキサセ
ルのトランジスタを動作するために必要な安定した差異
電流出力信号を供給するために増幅または位相分割され
る不安定なシングルエンド無線周波数受信信号を用いた
入力増幅器のトランジスタ等を含んでいる。
くすることにより、供給ライン間に設けられる多数の能
動素子を必要とするギルバートセルのような標準ＩＣ回
路ミキサ構造で大容量の信号を制御するように形成する
ことは難しい。これらの能動素子は、例えば、ミキサセ
ルのトランジスタを動作するために必要な安定した差異
電流出力信号を供給するために増幅または位相分割され
る不安定なシングルエンド無線周波数受信信号を用いた
入力増幅器のトランジスタ等を含んでいる。
【０００４】また、シングルエンド入力信号を受信し、
それぞれのコレクタ電極に差異電流出力信号を供給する
ためのベース接地トランジスタおよびエミッタ接地トラ
ンジスタにより構成されるトランスコンダクタンス増幅
器がＥＰ−Ａ−０５８４８７０に開示されている。
それぞれのコレクタ電極に差異電流出力信号を供給する
ためのベース接地トランジスタおよびエミッタ接地トラ
ンジスタにより構成されるトランスコンダクタンス増幅
器がＥＰ−Ａ−０５８４８７０に開示されている。
【０００５】しかしながら、上記従来例に示される増幅
器は、低電圧増幅器ではないという問題がある。
器は、低電圧増幅器ではないという問題がある。
【０００６】本発明は、従来の増幅器よりも低電圧で動
作するように改良され、転送特性を向上する低電圧増幅
器を提供する。
作するように改良され、転送特性を向上する低電圧増幅
器を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の実施形態
によれば、シングルエンド入力から差異電流出力を供給
する低電圧増幅器において、前記シングルエンド入力か
らの信号を受信するためにベース接地接続およびエミッ
タ接地接続される第１のトランジスタおよび第２のトラ
ンジスタと、前記各トランジスタのベースエミッタ接続
をフォワードバイアスするフォワードバイアス手段とを
有し、前記第１のトランジスタおよび前記第２のトラン
ジスタのそれぞれのコレクタ電極から前記差異電流出力
信号が取り除かれるものである。
によれば、シングルエンド入力から差異電流出力を供給
する低電圧増幅器において、前記シングルエンド入力か
らの信号を受信するためにベース接地接続およびエミッ
タ接地接続される第１のトランジスタおよび第２のトラ
ンジスタと、前記各トランジスタのベースエミッタ接続
をフォワードバイアスするフォワードバイアス手段とを
有し、前記第１のトランジスタおよび前記第２のトラン
ジスタのそれぞれのコレクタ電極から前記差異電流出力
信号が取り除かれるものである。
【０００８】本発明の第２の実施形態によれば、シング
ルエンド入力から差異電流出力を供給する低電圧増幅器
において、前記シングルエンド入力からの信号を受信す
るためにインピーダンスによりベース接地接続される第
１のトランジスタと、前記シングルエンド入力からの信
号を受信するためにキャパシタによりエミッタ接地接続
される第２のトランジスタと、前記各トランジスタのベ
ースエミッタ接続をフォワードバイアスするフォワード
バイアス手段とを有し、前記第１のトランジスタおよび
前記第２のトランジスタのそれぞれのコレクタ電極から
前記差異電流出力信号が取り除かれるものである。
ルエンド入力から差異電流出力を供給する低電圧増幅器
において、前記シングルエンド入力からの信号を受信す
るためにインピーダンスによりベース接地接続される第
１のトランジスタと、前記シングルエンド入力からの信
号を受信するためにキャパシタによりエミッタ接地接続
される第２のトランジスタと、前記各トランジスタのベ
ースエミッタ接続をフォワードバイアスするフォワード
バイアス手段とを有し、前記第１のトランジスタおよび
前記第２のトランジスタのそれぞれのコレクタ電極から
前記差異電流出力信号が取り除かれるものである。
【０００９】キャパシタは、エミッタ接地接続されるト
ランジスタのベース電圧を孤立させるためにベース接地
接続されるトランジスタのベース電圧を許容するように
直流ブロックとして動作する。これは、上記増幅器にお
いて、より多くの電圧を許容し、従来のベース接地ある
いはエミッタ接地されるトランジスタの増幅器のゲイン
を越え、改良された線型を提供するものである。
ランジスタのベース電圧を孤立させるためにベース接地
接続されるトランジスタのベース電圧を許容するように
直流ブロックとして動作する。これは、上記増幅器にお
いて、より多くの電圧を許容し、従来のベース接地ある
いはエミッタ接地されるトランジスタの増幅器のゲイン
を越え、改良された線型を提供するものである。
【００１０】前記第１のトランジスタおよび前記第２の
トランジスタのベースエミッタ接続をフォワードバイア
スするフォワードバイアス手段は、電流ミラー構造に接
続される第３のトランジスタにより構成されるものであ
る。
トランジスタのベースエミッタ接続をフォワードバイア
スするフォワードバイアス手段は、電流ミラー構造に接
続される第３のトランジスタにより構成されるものであ
る。
【００１１】本発明の第３の実施形態によれば、増幅段
における共通のシングルエンド入力に印加される信号に
応じて１つ、または、少なくとも２つ以上の増幅段から
差異電流出力信号を選択的に供給する低電圧増幅器にお
いて、前記各増幅段は、前記シングルエンド入力からの
信号を受信するためにインピーダンスによりベース接地
接続される第１のトランジスタと、前記シングルエンド
入力からの信号を受信するためにキャパシタによりエミ
ッタ接地接続される第２のトランジスタと、共通の第１
のインダクタにより前記シングルエンド入力に接続され
る少なくとも２つ以上の前記第１のトランジスタのエミ
ッタ電極と、共通の第２のインダクタにより負極電圧供
給ラインに接続される少なくとも２つ以上の前記第２の
トランジスタのベース電極とを有し、前記増幅段の前記
第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタのそ
れぞれのコレクタ電極から増幅段における差異電流出力
信号が取り除かれるものである。
における共通のシングルエンド入力に印加される信号に
応じて１つ、または、少なくとも２つ以上の増幅段から
差異電流出力信号を選択的に供給する低電圧増幅器にお
いて、前記各増幅段は、前記シングルエンド入力からの
信号を受信するためにインピーダンスによりベース接地
接続される第１のトランジスタと、前記シングルエンド
入力からの信号を受信するためにキャパシタによりエミ
ッタ接地接続される第２のトランジスタと、共通の第１
のインダクタにより前記シングルエンド入力に接続され
る少なくとも２つ以上の前記第１のトランジスタのエミ
ッタ電極と、共通の第２のインダクタにより負極電圧供
給ラインに接続される少なくとも２つ以上の前記第２の
トランジスタのベース電極とを有し、前記増幅段の前記
第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタのそ
れぞれのコレクタ電極から増幅段における差異電流出力
信号が取り除かれるものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
の実施形態である低電圧増幅器を詳細に説明する。
の実施形態である低電圧増幅器を詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明の第１および第２の実施形
態である低電圧増幅器を示す回路図である。
態である低電圧増幅器を示す回路図である。
【００１４】図１において、第１のトランジスタ１と、
第２のトランジスタ２および第３のトランジスタ３とに
より構成される低電圧増幅器は、トランジスタ４、５、
６、７により構成されるミキサ段から入力段を形成す
る。無線周波数入力信号は、入力端子８と共通の負極供
給ライン９との間で印加される。例えば、２．７ボルト
の電圧を供給するバッテリ１０は、ライン９と正極供給
ライン１１との間に接続される。
第２のトランジスタ２および第３のトランジスタ３とに
より構成される低電圧増幅器は、トランジスタ４、５、
６、７により構成されるミキサ段から入力段を形成す
る。無線周波数入力信号は、入力端子８と共通の負極供
給ライン９との間で印加される。例えば、２．７ボルト
の電圧を供給するバッテリ１０は、ライン９と正極供給
ライン１１との間に接続される。
【００１５】入力端子８は、第１の第１のインダクタン
ス１２を介して第１のトランジスタ１のエミッタ電極に
接続され、第１のキャパシタ１３を介して第２のトラン
ジスタ２のベース電極に接続され、負極供給ライン９へ
の無線周波数帰還回路は、第１のトランジスタ１のベー
ス電極から第２のキャパシタ１４を介して、第２のトラ
ンジスタ２のエミッタ電極から第２のインダクタ１５を
介して帰還するようにライン９に接続されて構成されて
いる。
ス１２を介して第１のトランジスタ１のエミッタ電極に
接続され、第１のキャパシタ１３を介して第２のトラン
ジスタ２のベース電極に接続され、負極供給ライン９へ
の無線周波数帰還回路は、第１のトランジスタ１のベー
ス電極から第２のキャパシタ１４を介して、第２のトラ
ンジスタ２のエミッタ電極から第２のインダクタ１５を
介して帰還するようにライン９に接続されて構成されて
いる。
【００１６】第１のトランジスタ１および第２のトラン
ジスタ２における直電流バイアスは、第１のトランジス
タ１、第２のトランジスタ２、第３のトランジスタ３の
それぞれのベース電極に設けられた第１のバイアス抵抗
１７、第２のバイアス抵抗１８および第３のバイアス抵
抗１９を介して、第３のトランジスタ３のコレクタ電極
に接続されて形成される電流ミラー構造からなるバイア
ス手段により供給される。これらのバイアス抵抗値は、
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを介する
電流量の要求値を設定するために選択され、特定の電流
ゲインを調節する。また、第２のバイアス抵抗１８は、
第１のキャパシタ１３が第２のトランジスタ２のベース
電極においてバイアスするための直流ブロックを提供す
る間、第２のトランジスタ２のベース電極における無線
周波数信号からバイアスの無線周波数分離の尺度を提供
する。第１のトランジスタ１のエミッタ電流としてのラ
イン９への直電流帰還路は、インダクタまたは入力端子
８とライン９との間のｒｆチョーク（高周波チョーク）
２０を介して供給され、このｒｆチョーク２０のリアク
タンスは、通常、入力端子８に供給されるネットワーク
適合の設計に起因するものである。
ジスタ２における直電流バイアスは、第１のトランジス
タ１、第２のトランジスタ２、第３のトランジスタ３の
それぞれのベース電極に設けられた第１のバイアス抵抗
１７、第２のバイアス抵抗１８および第３のバイアス抵
抗１９を介して、第３のトランジスタ３のコレクタ電極
に接続されて形成される電流ミラー構造からなるバイア
ス手段により供給される。これらのバイアス抵抗値は、
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを介する
電流量の要求値を設定するために選択され、特定の電流
ゲインを調節する。また、第２のバイアス抵抗１８は、
第１のキャパシタ１３が第２のトランジスタ２のベース
電極においてバイアスするための直流ブロックを提供す
る間、第２のトランジスタ２のベース電極における無線
周波数信号からバイアスの無線周波数分離の尺度を提供
する。第１のトランジスタ１のエミッタ電流としてのラ
イン９への直電流帰還路は、インダクタまたは入力端子
８とライン９との間のｒｆチョーク（高周波チョーク）
２０を介して供給され、このｒｆチョーク２０のリアク
タンスは、通常、入力端子８に供給されるネットワーク
適合の設計に起因するものである。
【００１７】無線周波数信号において、第２のトランジ
スタ２がエミッタ接地接続される間、第１のトランジス
タ１がベース接地接続される。従って、入力端子８にお
ける無線周波数信号に応じて、差異電流出力信号が、ト
ランジスタ４、５、６、７からなるミキサ段を駆動する
ため、第１のトランジスタ１および第２のトランジスタ
２のコレクタ電極から供給される。これらの差異電流出
力信号は、動作中に、端子２１および端子２２において
印加される局部発振信号と混合され、ミキサトランジス
タ４、５、６、７の交差接続されるコレクタ電極からの
中間周波数出力信号が、負荷インダクタ２３、２４によ
り構成される負荷回路と、抵抗２５およびキャパシタ２
６により構成されるフィルタ回路とに印加される。中間
周波数出力信号における差異電流出力信号は、第１の出
力端子２７および第２の出力端子２８から取り出され
る。
スタ２がエミッタ接地接続される間、第１のトランジス
タ１がベース接地接続される。従って、入力端子８にお
ける無線周波数信号に応じて、差異電流出力信号が、ト
ランジスタ４、５、６、７からなるミキサ段を駆動する
ため、第１のトランジスタ１および第２のトランジスタ
２のコレクタ電極から供給される。これらの差異電流出
力信号は、動作中に、端子２１および端子２２において
印加される局部発振信号と混合され、ミキサトランジス
タ４、５、６、７の交差接続されるコレクタ電極からの
中間周波数出力信号が、負荷インダクタ２３、２４によ
り構成される負荷回路と、抵抗２５およびキャパシタ２
６により構成されるフィルタ回路とに印加される。中間
周波数出力信号における差異電流出力信号は、第１の出
力端子２７および第２の出力端子２８から取り出され
る。
【００１８】第１のインダクタ１２および第２のインダ
クタ１５は、誘導負帰還の尺度を提供するが、これは増
幅器の動作において必要なものではない。第１のインダ
クタ１２、第２のインダクタ１５およびチョーク２０を
バイアスする目的は、直流短絡回路の構成に近づけよう
とするものである。バイアス手段である第３のトランジ
スタ３、電流源１６、キャパシタ１４、インダクタ１
５、インダクタ１２は、ライン９の電位に隣接するよう
に第１のトランジスタ１および第２のトランジスタ２の
エミッタ電極を設けることができる。従って、バイアス
手段は、その他の回路構成にて使用可能な供給電圧の割
合を最大限にすることができる、すなわち、ミキサ段お
よび負荷回路において、最大電圧振幅が起こり得るもの
である。
クタ１５は、誘導負帰還の尺度を提供するが、これは増
幅器の動作において必要なものではない。第１のインダ
クタ１２、第２のインダクタ１５およびチョーク２０を
バイアスする目的は、直流短絡回路の構成に近づけよう
とするものである。バイアス手段である第３のトランジ
スタ３、電流源１６、キャパシタ１４、インダクタ１
５、インダクタ１２は、ライン９の電位に隣接するよう
に第１のトランジスタ１および第２のトランジスタ２の
エミッタ電極を設けることができる。従って、バイアス
手段は、その他の回路構成にて使用可能な供給電圧の割
合を最大限にすることができる、すなわち、ミキサ段お
よび負荷回路において、最大電圧振幅が起こり得るもの
である。
【００１９】上述される増幅器とミキサは、点線により
示されるＩＣチップ２９に形成される。チョーク２０お
よび負荷回路を構成する負荷インダクタンス２３、２
４、抵抗２５、キャパシタ２６は、図示されるＩＣチッ
プ外に設けられる。
示されるＩＣチップ２９に形成される。チョーク２０お
よび負荷回路を構成する負荷インダクタンス２３、２
４、抵抗２５、キャパシタ２６は、図示されるＩＣチッ
プ外に設けられる。
【００２０】本発明の好適な実施形態ではあるが、第１
のインダクタ１２および第２のインダクタ１５は、ＩＣ
回路を形成する上での広域を占めるものである。発明者
は、これらのインダクタが、同様の集積回路により形成
される１つ以上の増幅回路により用いられることを発見
した。図２は、２つの増幅段を備える低電圧増幅器を示
す。
のインダクタ１２および第２のインダクタ１５は、ＩＣ
回路を形成する上での広域を占めるものである。発明者
は、これらのインダクタが、同様の集積回路により形成
される１つ以上の増幅回路により用いられることを発見
した。図２は、２つの増幅段を備える低電圧増幅器を示
す。
【００２１】図２において、第１の増幅段は、図１に示
される増幅器により構成され、同一要素に関しては同一
符号を用いるものである。第１の増幅段は、図１に示さ
れるように、トランジスタ４〜７により形成されるミキ
サコアに接続されている。第２の増幅段は、バイアス抵
抗３４、３３、３５のそれぞれによりバイアスされる第
４のトランジスタ３０、第５のトランジスタ３１、第６
のトランジスタ３２により形成される。第４のトランジ
スタ３０のベース電極は、第３のキャパシタ３６を介し
て負極供給ライン９に接続され、第５のトランジスタ３
１のベース電極は、第４のキャパシタ３７を介して入力
端子８に接続されている。第４のトランジスタ３０のエ
ミッタ電極は、第１のトランジスタ１とシェアするよう
に第１のインダクタ１２を介して入力端子８に接続され
る。第５のトランジスタ３１のエミッタ電極は、同様に
第２のトランジスタ２とシェアするように第２のインダ
クタ１５を介して負極供給ライン９に接続される。
される増幅器により構成され、同一要素に関しては同一
符号を用いるものである。第１の増幅段は、図１に示さ
れるように、トランジスタ４〜７により形成されるミキ
サコアに接続されている。第２の増幅段は、バイアス抵
抗３４、３３、３５のそれぞれによりバイアスされる第
４のトランジスタ３０、第５のトランジスタ３１、第６
のトランジスタ３２により形成される。第４のトランジ
スタ３０のベース電極は、第３のキャパシタ３６を介し
て負極供給ライン９に接続され、第５のトランジスタ３
１のベース電極は、第４のキャパシタ３７を介して入力
端子８に接続されている。第４のトランジスタ３０のエ
ミッタ電極は、第１のトランジスタ１とシェアするよう
に第１のインダクタ１２を介して入力端子８に接続され
る。第５のトランジスタ３１のエミッタ電極は、同様に
第２のトランジスタ２とシェアするように第２のインダ
クタ１５を介して負極供給ライン９に接続される。
【００２２】第４のトランジスタ３０および第５のトラ
ンジスタ３１のコレクタ電極は、トランジスタ３８〜４
１により形成される第２のミキサコアへのそれぞれの差
異電流入力信号により形成される。第２のミキサコア
は、局部発振信号入力端子４２、４３の局部発振信号を
受信する。負荷インダクタ４４、４５により形成される
負荷回路と、キャパシタ４６および抵抗４７により形成
されるフィルタとは、第２のミキサコアの出力と正極供
給ライン１１との間に接続され、第３の出力端子４８お
よび第４の出力端子４９は、構成要素である負荷インダ
クタンス２３、２４、抵抗２５、キャパシタ２６、第１
の出力端子２７、第２の出力端子２８、により形成され
る第１のミキサコアの負荷回路およびフィルタ回路と同
様に供給される。
ンジスタ３１のコレクタ電極は、トランジスタ３８〜４
１により形成される第２のミキサコアへのそれぞれの差
異電流入力信号により形成される。第２のミキサコア
は、局部発振信号入力端子４２、４３の局部発振信号を
受信する。負荷インダクタ４４、４５により形成される
負荷回路と、キャパシタ４６および抵抗４７により形成
されるフィルタとは、第２のミキサコアの出力と正極供
給ライン１１との間に接続され、第３の出力端子４８お
よび第４の出力端子４９は、構成要素である負荷インダ
クタンス２３、２４、抵抗２５、キャパシタ２６、第１
の出力端子２７、第２の出力端子２８、により形成され
る第１のミキサコアの負荷回路およびフィルタ回路と同
様に供給される。
【００２３】第１の増幅段は、図示されない外部制御回
路を用いるとともに、電流源１６を切り換えることによ
り入力端子８に印加される信号を取り扱うために選択さ
れる。第２の増幅段は、上述されるものと同様に、図示
されない外部制御回路または電流源５０の選択により、
入力端子８に印加される信号を取り扱うために選択され
る。第１の増幅段および第２の増幅段のいずれかが選択
されると、その動作は、第１のトランジスタ１および第
２のトランジスタ２、あるいは、第４のトランジスタ３
０および第５のトランジスタ３１の接続により中継され
ない。この場合、これらのトランジスタの高エミッタイ
ンピーダンスが原因である。
路を用いるとともに、電流源１６を切り換えることによ
り入力端子８に印加される信号を取り扱うために選択さ
れる。第２の増幅段は、上述されるものと同様に、図示
されない外部制御回路または電流源５０の選択により、
入力端子８に印加される信号を取り扱うために選択され
る。第１の増幅段および第２の増幅段のいずれかが選択
されると、その動作は、第１のトランジスタ１および第
２のトランジスタ２、あるいは、第４のトランジスタ３
０および第５のトランジスタ３１の接続により中継され
ない。この場合、これらのトランジスタの高エミッタイ
ンピーダンスが原因である。
【００２４】図２に示される低電圧増幅器は、変動周波
数局部発振器として使用される際、高価な上、非実用的
で、しかも好ましいものではないと考えられている。図
２の低電圧増幅器は、単一のＩＣ回路により形成される
回路を用いてシングル入力ＲＦ信号と混合されるため、
２つの異なる固定周波数局部発振信号を許容することが
できる。第１の増幅段と第２の増幅段を同時に選択する
場合でも、端子２７、２８および端子４８、４９に同時
に出力信号を供給することができる。このような出力信
号は、同じ入力信号から取り除かれるが、それぞれの局
部発振入力端子２１、２２および４２、４３に印加され
る局部発振信号に依存するものである。
数局部発振器として使用される際、高価な上、非実用的
で、しかも好ましいものではないと考えられている。図
２の低電圧増幅器は、単一のＩＣ回路により形成される
回路を用いてシングル入力ＲＦ信号と混合されるため、
２つの異なる固定周波数局部発振信号を許容することが
できる。第１の増幅段と第２の増幅段を同時に選択する
場合でも、端子２７、２８および端子４８、４９に同時
に出力信号を供給することができる。このような出力信
号は、同じ入力信号から取り除かれるが、それぞれの局
部発振入力端子２１、２２および４２、４３に印加され
る局部発振信号に依存するものである。
【００２５】任意の時に第１の増幅段および第２の増幅
段の内のいずれか１つが選択された場合、構成要素の再
利用は、トランジスタ４およびトランジスタ３８のコレ
クタ電極の接続、または、トランジスタ７およびトラン
ジスタ４１の接続、選択された１つのミキサコアからの
中間周波数出力信号を供給する必要がある時の単一の負
荷回路および単一のフィルタ回路により得られる。
段の内のいずれか１つが選択された場合、構成要素の再
利用は、トランジスタ４およびトランジスタ３８のコレ
クタ電極の接続、または、トランジスタ７およびトラン
ジスタ４１の接続、選択された１つのミキサコアからの
中間周波数出力信号を供給する必要がある時の単一の負
荷回路および単一のフィルタ回路により得られる。
【００２６】図２の増幅器において、第２の増幅段と異
なるゲインを備える第１の増幅段を容易に提供すること
ができる。これは、第１のトランジスタおよび第２のト
ランジスタの異なる特性をもつように第４のトランジス
タ３０と第５のトランジスタ３１を構築することにより
達成される。第１のインダクタ１２および第２のインダ
クタ１５は、同様の効果を得るため、以下に示される方
法で接続される。例えば、第１のトランジスタ１と第２
のトランジスタ２は、それぞれ５回巻きのインダクタ１
２、１５の最も外側の端部に接続され、入力端子８と負
極供給ライン９は、インダクタ１２、１５の最も内側の
端部に接続され、第２の増幅段は、第４のトランジスタ
３０および第５のトランジスタ３１が３回巻きあるいは
４回巻きのインダクタ１２および１５に接続されること
により、高ゲインを提供することができる。
なるゲインを備える第１の増幅段を容易に提供すること
ができる。これは、第１のトランジスタおよび第２のト
ランジスタの異なる特性をもつように第４のトランジス
タ３０と第５のトランジスタ３１を構築することにより
達成される。第１のインダクタ１２および第２のインダ
クタ１５は、同様の効果を得るため、以下に示される方
法で接続される。例えば、第１のトランジスタ１と第２
のトランジスタ２は、それぞれ５回巻きのインダクタ１
２、１５の最も外側の端部に接続され、入力端子８と負
極供給ライン９は、インダクタ１２、１５の最も内側の
端部に接続され、第２の増幅段は、第４のトランジスタ
３０および第５のトランジスタ３１が３回巻きあるいは
４回巻きのインダクタ１２および１５に接続されること
により、高ゲインを提供することができる。
【００２７】さらに、これらの増幅段、ミキサコア、お
よび負荷回路が必要な場合は、第２の増幅段と同様に入
力端子８に接続することができる。それぞれの増幅段
は、各々、電圧バイアス手段が必要で、好ましくは図２
に示されるように、電流源が第１の増幅段と第２の増幅
段のように電流ミラー構造に接続されていることであ
る。これらの増幅段は、インダクタ１２およびインダク
タ１５と配分するこができ、あるいは別々のインダクタ
を包容することもできる。
よび負荷回路が必要な場合は、第２の増幅段と同様に入
力端子８に接続することができる。それぞれの増幅段
は、各々、電圧バイアス手段が必要で、好ましくは図２
に示されるように、電流源が第１の増幅段と第２の増幅
段のように電流ミラー構造に接続されていることであ
る。これらの増幅段は、インダクタ１２およびインダク
タ１５と配分するこができ、あるいは別々のインダクタ
を包容することもできる。
【図１】本発明の第１および第２の実施形態である低電
圧増幅器の構成を示す回路図である。
圧増幅器の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第１、第２、および第３の実施形態で
ある低電圧増幅器の構成を示す回路図である。
ある低電圧増幅器の構成を示す回路図である。
１ 第１のトランジスタ ２ 第２のトランジスタ ３ 第３のトランジスタ ４、５、６、７ トランジスタ ８ 入力端子 ９ 負極供給ライン １０ バッテリ １１ 正極供給ライン １２ 第１のインダクタ １３ 第１のキャパシタ １４ 第２のキャパシタ １５ 第２のインダクタ １６ 電流源 １７、１８、１９ バイアス抵抗 ２０ チョーク ２１、２２ 端子 ２３、２４ 負荷インダクタンス ２５ 抵抗 ２６ キャパシタ ２７ 第１の出力端子 ２８ 第２の出力端子 ２９ ＩＣチップ ３０ 第４のトランジスタ ３１ 第５のトランジスタ ３２ 第６のトランジスタ ３３、３４、３５ バイアス抵抗 ３６ 第３のキャパシタ ３７ 第４のキャパシタ ３８、３９、４０、４１ トランジスタ ４２、４３ 入力端子 ４４、４５ 負荷インダクタ ４６ キャパシタ ４７ 抵抗 ４８、４９ 出力端子 ５０ 電流源
フロントページの続き (72)発明者 コリン レズリー ペリー イギリス，エスエヌ５ ６エイビー，ウイ ルトシア，スウィンドン，グレインジ パ ーク，ロッチフォード クロウス 33
Claims (11)
- 【請求項１】 シングルエンド入力から差異電流出力を
供給する低電圧増幅器において、 前記シングルエンド入力からの信号を受信するためにベ
ース接地接続およびエミッタ接地接続される第１のトラ
ンジスタおよび第２のトランジスタと、 前記各トランジスタのベースエミッタ接続をフォワード
バイアスするフォワードバイアス手段とを有し、 前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタ
のそれぞれのコレクタ電極から前記差異電流出力信号が
取り除かれることを特徴とする低電圧増幅器。 - 【請求項２】 シングルエンド入力から差異電流出力を
供給する低電圧増幅器において、 前記シングルエンド入力からの信号を受信するためにイ
ンピーダンスによりベース接地接続される第１のトラン
ジスタと、 前記シングルエンド入力からの信号を受信するためにキ
ャパシタによりエミッタ接地接続される第２のトランジ
スタと、 前記各トランジスタのベースエミッタ接続をフォワード
バイアスするフォワードバイアス手段とを有し、 前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタ
のそれぞれのコレクタ電極から前記差異電流出力信号が
取り除かれることを特徴とする低電圧増幅器。 - 【請求項３】 前記インピーダンスは、インダクタによ
り構成されることを特徴とする請求項２記載の低電圧増
幅器。 - 【請求項４】 前記第２のトランジスタのエミッタ電極
は、インダクタにより接地電位に接続されていることを
特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の低電
圧増幅器。 - 【請求項５】 前記第１のトランジスタおよび前記第２
のトランジスタのベースエミッタ接続をフォワードバイ
アスするフォワードバイアス手段は、電流ミラー構造に
接続される第３のトランジスタにより構成されることを
特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の低電
圧増幅器。 - 【請求項６】 増幅段における共通のシングルエンド入
力に印加される信号に応じて１つ、または、少なくとも
２つ以上の増幅段から差異電流出力信号を選択的に供給
する低電圧増幅器において、 前記各増幅段は、前記シングルエンド入力からの信号を
受信するためにインピーダンスによりベース接地接続さ
れる第１のトランジスタと、 前記シングルエンド入力からの信号を受信するためにキ
ャパシタによりエミッタ接地接続される第２のトランジ
スタと、 共通の第１のインダクタにより前記シングルエンド入力
に接続される少なくとも２つ以上の前記第１のトランジ
スタのエミッタ電極と、 共通の第２のインダクタにより負極電圧供給ラインに接
続される少なくとも２つ以上の前記第２のトランジスタ
のベース電極とを有し、 前記増幅段の前記第１のトランジスタおよび前記第２の
トランジスタのそれぞれのコレクタ電極から増幅段にお
ける差異電流出力信号が取り除かれることを特徴とする
低電圧増幅器。 - 【請求項７】 前記第２のトランジスタの少なくとも１
つは、前記シングルエンド入力からの信号を受信するた
めキャパシタにより接続されていることを特徴とする請
求項６記載の低電圧増幅器。 - 【請求項８】 前記低電圧増幅器は、さらに、それぞれ
の増幅段を組み合わせるバイアス手段により構成され、 前記バイアス手段は、前記組み合わせられた増幅段の前
記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタの
ベースエミッタ接続をフォワードバイアスするために選
択的されることを特徴とする請求項６または７記載の低
電圧増幅器。 - 【請求項９】 前記バイアス手段は、電流ミラー構造に
接続される第３のトランジスタにより構成されることを
特徴とする請求項８記載の低電圧増幅器。 - 【請求項１０】 前記低電圧増幅器を備えるミキサ回路
装置であることを特徴とする請求項１から９のいずれか
１項に記載の低電圧増幅器。 - 【請求項１１】 前記ミキサ回路装置を備える無線電話
機であることを特徴とする請求項１０記載の低電圧増幅
器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9724136.8 | 1997-11-14 | ||
| GBGB9724136.8A GB9724136D0 (en) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Low-voltage amplifier |
| GB9816128A GB2331418B (en) | 1997-11-14 | 1998-07-24 | Low-voltage amplifiers |
| GB9816128.4 | 1998-07-24 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006282272A Division JP4794410B2 (ja) | 1997-11-14 | 2006-10-17 | 低電圧増幅器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251845A true JPH11251845A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3892160B2 JP3892160B2 (ja) | 2007-03-14 |
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ID=26312604
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32340398A Expired - Fee Related JP3892160B2 (ja) | 1997-11-14 | 1998-11-13 | 低電圧増幅器 |
| JP2006282272A Expired - Fee Related JP4794410B2 (ja) | 1997-11-14 | 2006-10-17 | 低電圧増幅器 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006282272A Expired - Fee Related JP4794410B2 (ja) | 1997-11-14 | 2006-10-17 | 低電圧増幅器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6437631B2 (en) * | 2000-05-30 | 2002-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Analog multiplying circuit and variable gain amplifying circuit |
| JP2007184719A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Furuno Electric Co Ltd | タンク回路付高周波回路モジュール |
| JP2014039187A (ja) * | 2012-08-17 | 2014-02-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | シングルエンド−差動変換器および半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
| DE50013828D1 (de) * | 1999-06-30 | 2007-01-18 | Infineon Technologies Ag | Differenzverstärker |
| US6229395B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-05-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Differential transconductance amplifier |
| JP2002043875A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Nec Corp | 可変利得増幅器及びそれを備えた電子機器 |
| JP2002043852A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| FR2814607B1 (fr) | 2000-09-26 | 2003-02-07 | St Microelectronics Sa | Polarisation d'un melangeur |
| ATE484882T1 (de) * | 2002-01-17 | 2010-10-15 | Nxp Bv | Cmos-inverterschaltung |
| EP1579567A1 (en) * | 2002-12-19 | 2005-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Minimizing 1/f noise configuration for zif mixer |
| DE10342569A1 (de) * | 2003-09-15 | 2005-04-14 | Infineon Technologies Ag | Frequenzteiler |
| WO2005120698A2 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Bioprocessors Corp. | Control of reactor environmental conditions |
| DE102004027809B4 (de) * | 2004-06-08 | 2006-10-26 | Infineon Technologies Ag | Frequenzumsetzerschaltung und Frequenzumsetzerschaltungs-Anordnung |
| WO2006032932A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-30 | Frontier Silicon Limited | Rf input stage for low noise amplifier or mixer |
| DE102005005332A1 (de) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Atmel Germany Gmbh | Mischstufe und Verfahren zur Mischung von Signalen verschiedener Frequenzen |
| KR102555449B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2023-07-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 증폭 회로, 이를 이용하는 수신 회로, 반도체 장치, 및 반도체 시스템 |
| US10833643B1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-11-10 | Inphi Corporation | Method and structure for controlling bandwidth and peaking over gain in a variable gain amplifier (VGA) |
| US11336246B1 (en) * | 2021-03-25 | 2022-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Amplifier circuit |
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| US4885550A (en) * | 1988-12-01 | 1989-12-05 | Motorola, Inc. | Signal input to differential output amplifier |
| US5250911A (en) * | 1992-04-20 | 1993-10-05 | Hughes Aircraft Company | Single-ended and differential transistor amplifier circuits with full signal modulation compensation techniques which are technology independent |
| FR2695272B1 (fr) * | 1992-08-26 | 1994-12-09 | Philips Composants | Circuit mélangeur pour des signaux de radio ou de télévision. |
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-
1998
- 1998-10-16 EP EP98308484A patent/EP0917285B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-16 DE DE69814309T patent/DE69814309T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-04 US US09/185,837 patent/US6043710A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-13 JP JP32340398A patent/JP3892160B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-17 JP JP2006282272A patent/JP4794410B2/ja not_active Expired - Fee Related
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