JP2904787B2

JP2904787B2 - ミクサ回路

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Publication number: JP2904787B2
Application number: JP3755788A
Authority: JP
Inventors: 昭夫山本; 敏夫長嶋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-02-22
Filing date: 1988-02-22
Publication date: 1999-06-14
Anticipated expiration: 2014-06-14
Also published as: JPH01213007A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、衛星放送受信機やテレビチューナ等に用い
られる信号周波数変換のためのミクサ回路に関し、特
に、IC化に好適なミクサ回路に関するものである。

〔従来の技術〕

従来のIC化テレビチューナにおけるミクサ回路は、ア
イ・イー・イー・イー．トランザクションオンコン
シューマーエレクトロニクス，シーイー32,4（1986）
第723頁から732頁（IEEE.Transactions on Consumer El
ectronics,Vol.CE−32,No.4（1986）pp723〜732）にお
いて記述されているように、UHFミクサ回路,VHFミクサ
回路，ハイパーバンド（Hyper band）ミクサ回路という
具合に、受信する周波数帯域によってそれぞれ別々の分
離した構成をとっており、そして、それぞれの分離した
各ミクサ回路をスイッチング回路によって選択するよう
にしていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記した様に、既提案例においては、UHFミクサ回路,
VHFミクサ回路，ハイパーバンドミクサ回路という具合
に、受信する周波数帯域によってそれぞれ別々の分離し
た構成をとっているため、回路規模が大きくなると共
に、消費電力が大きくなり、また、受信する周波数帯域
によって分離した各ミクサ回路を選択するためのスイッ
チング回路が複雑にあるという問題があった。

また、上記の如く、回路規模が大きくなるため、回路
全体をIC化した場合、発熱量が大きくなり、チップ温度
の上昇により特性が不安定となるという問題もあった。

さらにまた、前記UHFミクサ回路の前段には、一般
に、入力されるUHF信号の不要波を抑圧するための不要
波抑圧フィルタが挿入されるが、上記した既提案例にお
いては、該UHFミクサ回路がトランジスタのベース入力
となっており、それにより、該UHFミクサ回路の入力イ
ンピーダンスが高くなっているため、挿入した前記不要
波抑圧フィルタにおいて、十分な不要波抑圧度がとれな
いという問題があった。

以上のように、上記した従来技術においては幾つかの
解決すべき課題が存在していた。

そこで、本発明の目的は、これらの従来技術の課題を
解決し、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路（ハイパーバン
ドミクサ回路を含む）との一体化が図れ、IC化に適し、
また、UHF信号の不要波を抑圧する不要波抑圧フィルタ
の不要波抑圧度を向上させることのできるバランス形の
ミクサ回路を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記した目的を達成するために、本発明では、例え
ば、ダブルバランス形ミクサとバッファFETと定電流源
とから成るミクサ回路において、前記バッファFETを構
成する第１のFETと第２のFETのうち、第１のFETのゲー
トに、ゲート接地、ソース入力、ドレイン出力形の第３
のFETのドレインを接続し、UHF信号を前記第３のFETの
ソースに入力し、VHF信号（ハイパーバンドの信号を含
む）を前記第２のFETのゲートに入力するようにした。

〔作用〕

前記ダブルバランス形ミクサは、UHF信号とVHF信号
（ハイパーバンドの信号も含む）とで兼用して用いられ
るので、実質的にUHFミクサ回路とVHFミクサ回路（ハイ
パーバンドミクサ回路を含む）との一体化が図れること
になる。従って、本発明によれば、回路規模を小さくで
き、消費電力も小さくなり、しかも、受信する周波数帯
域によってミクサ動作を選択するためのスイッチング回
路（例えば、前記第３のFETのドレインに接続する。）
を簡略化することができる。

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合
に、従来の様に、発熱量が大きくなり、チップ温度の上
昇により特性が不安定になるということもなく、従っ
て、IC化に適する。

さらにまた、本発明によれば、UHF信号の入力部分が
前記第３のFETのソース入力となっているので、該第３
のFETの前段に挿入される不要波抑圧フィルタとの整合
状態は良好となり、従って、この不要波抑圧フィルタの
不要波抑圧度は大幅に向上する。

また、前記第１のFETと第２のFETはバッファFETを構
成しているため，上記の如く、UHFミクサ回路とVHFミク
サ回路とを一体化しても、ミクサ回路の前段に接続され
るUHF回路とVHF回路との間の結合は小さくすること（即
ち、両者の回路間の信号の漏れ込みを無くすこと）がで
きる。

〔実施例〕

以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。

第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図である。

第１図において、1,2はそれぞれバッファFET、3,4,5,
6,7,9はそれぞれFET、８はスイッチングFET、10はUHF信
号の入力端子、11はVHF信号の入力端子、12はスイッチ
ング電圧の入力端子、13,14は局部発振信号の入力端
子、15,16は中間周波信号の出力端子、17はバイアス電
圧の入力端子、18,19はそれぞれ可変同調フィルタ、20,
21,22,24,25,26,27,30はそれぞれ抵抗、23はコンデン
サ、28は電流制御電圧の入力端子、である。

本実施例は、第１図に示す様に、FET4,5,6,7でダブル
バランス形ミクサを構成し、FET4,5のソース同志を接続
し、その接続したソースにバッファFET1のドレインを接
続し、また、FET6,7のソース同志を接続し、その接続し
たソースにバッファFET2のドレインを接続し、また、FE
T1,2のソースには、FET9から成る定電流源を接続してい
る。また、バッファFET1のゲートには、抵抗25を介して
ゲートが接地されている、いわゆるゲート接地形のFET3
のドレインを接続し、そのドレインには抵抗21を介して
入力端子17よりバイアス電圧が印加されている。また、
バッファFET1のゲートとバッファFET2のゲートは高い抵
抗値を有する抵抗20で接続されており、それぞれに同一
の直流バイアスが与えられている。

更にまた、入力端子13,14の間には局部発振器（図示
せず）が接続されており、局部発振信号が入力されてい
る。

では、本実施例の動作について説明する。

先ず、VHF信号（ハイパーバンドの信号も含む）を受
信する時の動作について説明する。

VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11より可
変同調フィルタ19を介してバッファFET2のゲートに入力
されると共に、入力端子12にHigh（ハイ）レベルのスイ
ッチング電圧を印加し、抵抗22を介してスイッチングFE
T8をON（オン）して、バッファFET1のゲートを大容量の
コンデンサ23で接地する。

VHF信号が入力端子11より可変同調フィルタ19を介し
てバッファFET2のゲートに入力される際、不要波抑圧フ
ィルタである可変同調フィルタ19は、VHF信号の不要波
（イメージ信号など）を抑圧する。

さて今、バッファFET2のゲート電圧が、入力されたVH
F信号により上昇しているとすると、このゲート電圧の
上昇によりバッファFET2及びFET6,7を流れる電流は増加
する。ところが、FET9は前述の如く定電流源を構成して
おり、このFET9を流れるドレイン電流は常に一定値であ
る。従って、バッファFET2及びFET6,7を流れる電流の増
加分は、バッファFET1及びFET4,5を流れる電流の減少分
となって現れてくる。つまり、バッファFET2のゲートに
VHF信号が入力されると、バッファFET2及びFET6,7に
は、VHF信号に応じた電流が流れ、一方、バッファFET1
及びFET4,5にはそれとは逆相の電流が流れる。こうし
て、バッファFET2のゲートに不平衡信号として入力され
たVHF信号は、ダブルバランス形ミクサに平衡信号とし
て入力されることになり、不平衡−平衡変換が行われ
る。

また、前述した如く、VHF信号を受信する際は、バッ
ファFET1のゲートを大容量のコンデンサ23によって接地
することにより、VHF信号に対しバッファFET1のゲート
は低インピーダンスとなるので、より良好な不平衡−平
衡変換を行うことができる。

次に、ダブルバランス形ミクサでは、先に入力された
局部発振信号と平衡信号として入力されたVHF信号とを
混合し、局部発振信号とVHF信号との差信号である中間
周波信号を出力端子15,16より出力する。

以上がVHF信号を受信する時の動作である。

次に、UHF信号を受信する時の動作について説明す
る。

UHF信号を受信する時は、UHF信号が入力端子10より可
変同調フィルタ18を介してFET8のソースに入力されると
共に、入力端子12にLow（ロウ）レベルのスイッチング
電圧を印加し、抵抗22を介してスイッチングFET8をOFF
（オフ）する。

UHF信号が入力端子10より可変同調フィルタ18を介し
てFET3のソースに入力される際、不要波抑圧フィルタで
ある可変同調フィルタ18は、UHF信号の不要波を抑圧す
る。

そして、FET3のソースに入力されたUHF信号は、FET3
のドレインより出力され、バッファFET1のゲートに入力
される。

以後の動作としては、VHF信号を受信した時の動作と
対称的だがほぼ同様な動作が行われるので、その説明は
省略する。

但し、UHF信号を受信する時は、前述の如く、スイッ
チングFET8をOFFとしている。これは、可変同調フィル
タ19がUHF信号に対し常に低インピーダンスであるた
め、バッファFET2のゲートはVHF信号に対し常に低イン
ピーダンスとなり、従って、UHF信号を受信する時は、V
HF信号を受信する時の様に、バッファFET2のゲートを大
容量のコンデンサで接地しなくても、良好な不平衡−平
衡変換を行うことができるからである。

以上述べたように、本実施例によれば、UHFミクサ回
路とVHFミクサ回路（ハイパーバンドミクサ回路を含
む）との一体化が図れるので、回路規模を小さくでき、
消費電力も小さくなり、しかも、受信する周波数帯域に
よってミクサ動作を選択するためのスイッチング回路
（スイッチングFET8,抵抗22,コンデンサ23から成る回
路）を簡略化することができる。

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合
に、従来の様に、発熱量が大きくなり、チップ温度の上
昇により特性が不安定になるということもなく、従っ
て、IC化に適した構成と言える。

さらにまた、本実施例によれば、UHF信号の入力部分
がFET3のソース入力となっており、このFET3のソースか
ら見た入力インピーダンスは低くなっているので、この
FET3の前段に挿入される、不要波抑圧フィルタ、即ち、
可変同調フィルタ18との整合状態は良好となり、従っ
て、この可変同調フィルタ18の不要波抑圧度は大幅に向
上する。

また、VHF信号を受信している時には、バッファFET2
に入力されたVHF信号は、バッファFET1によって阻止さ
れるため、入力端子10より外に漏れ出て、該入力端子10
に接続されるUHF回路（図示せず）に悪影響を与えたり
することがない。また、同様に、UHF信号を受信してい
る時には、バッファFET1に入力されたUHF信号は、バッ
ファFET2によって阻止されるため、入力端子11より外に
漏れ出て、該入力端子11に接続されるVHF回路（図示せ
ず）に影響を与えたりすることがない。即ち、本実施例
によれば、上記の如く、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路
（ハイパーバンドミクサ回路を含む）とを一体化して
も、UHF回路とVHF回路との間の結合は小さくすること
（即ち、両者の回路間の信号の漏れ込みを無くすこと）
ができる。

第２図は本発明の第２の実施例を示す回路図である。

本実施例が、第１図の実施例と異なる点は、第２図に
示す様に、スイッチングFET8のソースを大きな抵抗値を
持つ抵抗29でドレインに接続した点である。

第１図の実施例では、スイッチングFET8のソースは直
流的にフロートしていたが、本実施例のように、スイッ
チングFET8のソースを直流的にドレインと同一の電位と
することにより、スイッチングFET8のスイッチング特性
の向上が図れる。尚、本実施例は、その他の部分は第１
図の実施例と同様の構成であるので、第１図の実施例と
同様の特性，効果が得られることは明らかである。

第３図は本発明の第３の実施例を、第４図は本発明の
第４の実施例をそれぞれ示す回路図である。

これら実施例は、スイッチング手段として、FET（第
１図，第２図のスイッチング4FET8）の代りに、ダイオ
ード（第３図，第４図のスイッチングダイオード31）を
用いたものであり、スイッチング回路の簡略化がより図
れる。

第３図の実施例では、バッファFET1のゲートにスイッ
チングダイオード31のカソードを接続し、アノードを大
容量のコンデンサ32で接地する。そして、そのアノード
に、入力端子12より抵抗23を介してスイッチング電圧を
印加する。UHF信号を受信する時は、入力端子12にLowレ
ベルのスイッチング電圧を印加し、スイッチングダイオ
ード31をOFFし、VHF信号を受信する時は、入力端子12に
Highレベルのスイッチング電圧を印加し、スイッチング
ダイオード31をONにする。

一方、第４図の実施例では、バッファFET1のゲートを
スイッチングダイオード31のアノードを接続し、カソー
ドを大容量のコンデンサ32で接地する。そして、そのカ
ソードに、入力端子12より抵抗22を介してスイッチング
電圧を印加する。UHF信号を受信する時は、入力端子12
にHighレベルのスイッチング電圧を印加し、スイッチン
グダイオード31のOFFし、VHF信号を受信する時は、入力
端子12にLowレべルのスイッチング電圧を印加し、スイ
ッチングダイオード31をONする。

これら実施例のその他の動作は、第１図の実施例と同
一であり、従って、これら実施例においても、第１図の
実施例と同様の特性，効果が得られることは明らかであ
る。

第５図は本発明の第５の実施例を示す回路図である。

本実施例では、第５図に示す様に、FET4,5,6,7でダブ
ルバランス形ミクサを構成し、FET4,5のソース同志を接
続し、その接続したソースにバッファFET1及び36のドレ
インを接続し、また、FET6,7のソース同志を接続し、そ
の接続したソースにバッファFET2のドレインを接続し、
バッファFET1,36,2のソースには、FET9が成る定電流源
を接続している。

また、バッファFET1のゲートには、ゲート接地形のFE
T3のドレインを接続し、そのドレインには、抵抗43,34
の抵抗分割により入力端子41からのバイアス電圧が印加
されている。また、バッファFET36のゲートには、抵抗4
4,35の抵抗分割により入力端子42からのバイアス電圧が
印加されている。更にまた、バッファFET2のゲートに
は、抵抗37,38の抵抗分割により入力端子17からのバイ
アス電圧が印加されており、しかも、そのゲートは大容
量のコンデンサ40で接地されている（尚、この接地は、
バッファFET2のゲートに不要な高周波成分が誘起される
のを防ぐためのものであり、場合によっては接地しなく
ても、実用上支しつかえない）。

尚、ここで、バッファFET1,2,36の各ゲート幅はそれ
ぞれ等しいものとし、また、それぞれのゲートに印加さ
れているバイアス電圧も等しいものとする。

では、本実施例の動作について説明する。

先ず、UHF信号を受信する時は、UHF信号が入力端子10
より可変同調フィルタ18を介してFET3のソースに入力さ
れると共に、入力端子41に入力されるバイアス電圧をHi
ghレベルにして、バッファFET1をONし、入力端子42に入
力されるバイアス電圧をLowレベルにして、バッファFET
36をOFFする。

一方、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11
より可変同調フィルタ19を介してバッファFET36のゲー
トに入力されると共に、入力端子41に入力されるバイア
ス電圧をLowレベルにして、バッファFET1をOFFし、入力
端子42に入力されるバイアス電圧をHighレベルにして、
バッファFET36をONする。

以上の様な動作によって、本実施例においても、信号
の不平衡−平衡変換が行われるが、その動作原理は、第
１図の実施例にて述べたのと同一である。

本実施例によれば、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路
（ハイパーバンドミクサ回路を含む）との一体化が図れ
るので、回路規模を小さくでき、消費電力も小さくなる
と共に、受信する周波数帯域によってミクサ動作を選択
するためのスイッチング回路を簡略化することができ、
スイッチング動作を行っても、ミクサ回路の直流バイア
スが変化しない。

さらにまた、本実施例によれば、UHF信号の入力部分
がFET3のソース入力となっているので、このFET3の前段
に挿入される可変同調フィルタ18との整合状態は良好と
なり、従って、この可変同調フィルタ18の不要波抑圧度
は大幅に向上する。

第６図は、本発明の第６の実施例を示す回路図であ
る。

本実施例は、第６図に示す様に、第５図の実施例の変
形であり、ダブルバランス形ミクサを構成するFET4,5,
6,7と、バッファFET1,2,36,45と、ゲート接地形のFET3
とから主として成る。その他、第６図において、46,47,
48,49,60,61,62,63はそれぞれ抵抗である。

本実施例では、先ず、UHF信号を受信する時は、UHF信
号が入力端子10より可変同調フィルタ18を介してFET3の
ソースに入力されると共に、入力端子41に入力されるバ
イアス電圧をHighレベルにして、バッファFET1,45をON
し、入力端子42に入力されるバイアス電圧をLowレベル
にして、バッファFET2,36をOFFし、また、入力端子12に
入力されるスイッチング電圧をLowレベルにして、スイ
ッチングFET8をOFFする。

一方、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11
より可変同調フィルタ19を介してバッファFET2のゲート
に入力されると共に、入力端子41に入力されるバイアス
電圧をLowレベルにして、バッファFET1,45をOFFし、入
力端子42に入力されるバイアス電圧をHighレベルにし
て、バッファFET2,36をONし、また、入力端子12に入力
されるスイッチング電圧をHighレベルにして、スイッチ
ングFET8をON（オン）し、バッファFET36のゲートを大
容量のコンデンサ23で接地する。

以上の様な動作によって、本実施例においても、信号
の不平衡−平衡変換が行われる。

また、抵抗60,61,62,63は、ミクサ回路における歪発
生を防止するための抵抗である。即ち、抵抗60と61は同
じ抵抗値とし、抵抗62と63は同じ抵抗値に設定する。そ
してUHF信号に対する歪発生が、VHF信号に対するそれよ
りも大きいときは、抵抗60,61の抵抗値を抵抗62,63の抵
抗値よりも大きく選び、歪発生の状態がVHF信号の方が
大きければ、抵抗60,61の抵抗値を抵抗62,63の抵抗値よ
り小さく選ぶものとする。このようにすると、受信する
周波数帯域に応じて良好な歪特性が得られ、しかも、受
信する周波数帯域を変えるためにスイッチング動作を行
ってもミクサ回路の直流バイアスが変化しない良好なダ
ブルバランス形のミクサ回路が得られる。

尚、本実施例における特性，効果は第５図の実施例と
同様のものが得られることは明らかである。

第７図は本実施例の第７の実施例を示す回路図であ
る。

本実施例は、第７図に示す様に、バッファFET1のゲー
トに、ゲート接地形のFET3のドレインと、ソース接地形
のFET50のドレインとを直結した構成となっており、そ
して、更にバッファFET2のゲートが大容量のコンデンサ
40で高周波的に接地されている。その他、第７図におい
て、51,52,53はそれぞれ抵抗である。

本実施例において、UHF信号を受信する時は、UHF信号
が入力端子10より可変同調フィルタ18を介してFET3のソ
ースに入力されると共に、入力端子41に入力される電圧
をopen（オープン）もしくはFET3がONする電圧にし、ま
た、入力端子42に入力されるバイアス電圧をLowレベル
にして、FET50をOFFする。

また、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11
より可変同調フィルタ19を介してFET50のゲートに入力
されると共に、入力端子41,42に入力される電圧によ
り、FET3をOFFし、FET50をONする。

ここで、FET3及びFET50のドレイン電流は同一に設定
して、スイッチング動作を行ってもバッファFET1のゲー
ト電圧が変化しないようにしておく。

以上により、本実施例によれば、UHFミクサ回路とVHF
ミクサ回路（ハイパーバンドミクサ回路を含む）との一
体化が図れるので、回路規模を小さくでき、消費電力も
小さくなると共に、受信する周波数帯域によってミクサ
動作を選択するためのスイッチング回路を簡略化するこ
とができ、スイッチング動作を行っても、ミクサ回路の
直流バイアスが変化しない。また、回路規模の小さくで
きるので、IC化に適した構成と言える。

また、本実施例によれば、UHF信号の入力部分がFET3
のソース入力となっているので、このFET3の前段に挿入
される可変同調フィルタ18との整合状態は良好となり、
従って、この可変同調フィルタ18の不要波抑圧度は大幅
に向上する。

第８図は本発明の第８の実施例を示す回路図である。

本実施例では、第８図に示す様に、FET4,5,6,7でダブ
ルバランス形ミクサを構成し、このダブルバランス形ミ
クサにバッファFET1,2を接続した構成となっている。そ
の他、第８図において、54,55,56,57はそれぞれ抵抗で
ある。

本実施例では、UHF信号を受信する時は、UHF信号が入
力端子10より可変同調フィルタ18を介してバッファFET1
のソースに入力されると共に、入力端子41,42に入力さ
れる電圧により、バッファFET1をONし、バッファFET2を
OFFする。これにより、ダブルバランス形ミクサを構成
するFETのうち、FET4,5を用いたシングルバランス形の
ミクサ動作が行われる。

また、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11
より可変同調フィルタ19を介してバッファFET2のゲート
に入力されると共に、入力端子41,42に入力される電圧
により、バッファFET1をOFFし、バッファFET2をONす
る。これにより、ダブルバランス形ミクサを構成するFE
Tのうち、FET6,7を用いたシングルバランス形のミクサ
動作が行われる。

本実施例によれば、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路
（ハイパーバンドミクサ回路を含む）との一体化が図れ
るので、回路規模を小さくでき、消費電力も小さくなる
と共に、受信する周波数帯域によってミクサ動作を選択
するためのスイッチング回路を簡略化することができ
る。

また、本実施例によれば、UHF信号の入力部分がバッ
ファFET1のソース入力となっているので、このバッファ
FET1の前段に挿入される可変同調フィルタ18との整合状
態は良好となり、従って、この可変同調フィルタ18の不
要波抑圧度は大幅に向上する。

第９図は本発明の第９の実施例を示す回路図である。

本実施例は、FET4,5でシングルバランス形ミクサを構
成し、このシングルバランス形ミクサにバッファFET1を
接続した構成となっている。その他、58は抵抗、59,70
はそれぞれスイッチである。

本実施例では、UHF信号を受信する時は、UHF信号が入
力端子10より可変同調フィルタ18を介してバッファFET1
のソースに入力されると共に、スイッチ59をOFF（開
放）し、スイッチ70をON（短絡）する。

また、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11
より可変同調フィルタ19を介してバッファFET1のゲート
に入力されると共に、スイッチ59をON（短絡）し、スイ
ッチ70をOFF（開放）する。

本実施例によれば、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路
（ハイパーバンドミクサ回路を含む）との一体化が図れ
るので、回路規模を小さくでき、消費電力も小さくなる
と共に、IC化に適したミクサ回路が得られる。

また、UHF信号の入力部分がバッファFET1のソース入
力となっているので、このFET1の前段に挿入される可変
同調フィルタ18との整合状態は良好となり、従って、こ
の可変同調フィルタ18の不要波抑圧度は大幅に向上す
る。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、UHFミクサ回路
とVHFミクサ回路（ハイパーバンドミクサ回路を含む）
との一体化が図れることになるので、回路規模を小さく
でき、消費電力も小さくなり、しかも、受信する周波数
帯域によってミクサ動作を説明するためのスイッチング
回路を簡略化することができる。

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合
に、従来の様に、発熱量が大きくなり、チップ温度の上
昇によって特性が不安定になるということもなく、従っ
て、IC化に適する。

さらにまた、UHF信号の入力部分はFETのソース入力と
なっており、このFETのソースから見た入力インピーダ
ンスは低くなっているので、該FETの前段に挿入される
不要波抑圧フィルタとの整合状態は良好となり、従っ
て、この不要波抑圧フィルタの不要波抑圧度は大幅に向
上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す回路図、第３図は本発明の
第３の実施例を示す回路図、第４は本発明の第４の実施
例を示す回路図、第５図は本発明の第５の実施例を示す
回路図、第６図は本発明の第６の実施例を示す回路図、
第７図は本発明の第７の実施例を示す回路図、第８図は
本発明の第８の実施例を示す回路図、第９図は本発明の
第９の実施例を示す回路図、である。符号の説明 1,2……バッファFET、３〜7,9……FET、８……スイッチ
ングFET、18,19……可変同調フィルタ、31……スイッチ
ングダイオード。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H03D 7/00 - 9/06

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】高い周波数帯域を持つ第１のバンドと低い
周波数帯域を持つ第２のバンドとから成る広帯域信号を
受信する受信機用のミクサ回路であって、ダブルバラン
ス形ミクサとバッファFETと定電流源とから成る前記ミ
クサ回路において、前記バッファFETを構成する第１のFET（１）と第２のFE
T（２）のうち、第１のFET（１）のゲートに、ゲート接
地、ソース入力、ドレイン出力形の第３のFET（３）の
ドレインを接続し、前記第１のバンドを前記第３のFET
（３）のソースに入力し、前記第２のバンドを前記第２
のFET（２）のゲートに入力することを特徴とするミク
サ回路。
【請求項２】請求項１に記載のミクサ回路において、前
記ダブルバランス形ミクサは、第４乃至第７のFET（４
〜７）より構成され、前記第４のFET（４）と第５のFET
（５）のソース同士を接続して第１の端子とし、前記第
６のFET（６）と第７のFET（７）のソース同士を接続し
て第２の端子とし、前記第１の端子に前記第１のFET
（１）のドレインを接続し、前記第２の端子に前記第２
のFET（２）のドレインを接続し、前記第１のFET（１）
と第２のFET（２）のソース同士を接続して第３の端子
とし、該第３の端子に前記定電流源を接続し、前記第３
のFET（３）のドレインにスイッチング手段を接続する
と共に、該第３のFET（３）のドレインに電源より第１
の抵抗（21）でバイアス電圧を供給し、前記第１のFET
（１）のゲートと第２のFET（２）のゲートは第２の抵
抗（20）で接続して同一の直流バイアスを与え、前記第
１のバンドは前記第３のFET（３）のソースに、第１の
可変同調フィルタ（18）を介して後に入力され、前記第
２のバンドは前記第２のFET（２）のゲートに、第２の
可変同調フィルタ（19）を介して後に入力されることを
特徴とするミクサ回路。
【請求項３】請求項２に記載のミクサ回路において、前
記スイッチング手段は、そのドレインを前記第３のFET
（３）のドレインに接続した第８のFET（８）から成
り、該第８のFET（８）のソースをコンデンサ（23）で
接地すると共に、該第８のFET（８）のゲートには第３
の抵抗（22）を介してスイッチング電圧を印加するよう
にしたことを特徴とするミクサ回路。
【請求項４】請求項３に記載のミクサ回路において、前
記コンデンサ（23）で接地されている前記第８のFET
（８）のソースを、第４の抵抗（29）で該第８のFET
（８）のドレインに接続したことを特徴とするミクサ回
路。
【請求項５】請求項２に記載のミクサ回路において、前
記スイッチング手段は、そのカソードを前記第３のFET
（３）のドレインに接続したダイオード（31）から成
り、該ダイオード（31）のアノードをコンデンサ（32）
で接地すると共に、該アノードにスイッチング電圧を印
加するようにしたことを特徴とするミクサ回路。
【請求項６】請求項２に記載のミクサ回路において、前
記スイッチング手段は、そのアノードを前記第３のFET
（３）のドレインに接続したダイオード（31）から成
り、該ダイオード（31）のカソードをコンデンサ（32）
で接地すると共に、該カソードにスイッチング電圧を印
加するようにしたことを特徴とするミクサ回路。
【請求項７】請求項１に記載のミクサ回路において、前
記ダブルバランス形ミクサは、第４乃至第７のFET（４
〜７）より構成され、前記第４のFET（４）と第５のFET
（５）のソース同士を接続して第１の端子とし、前記第
６のFET（６）と第７のFET（７）のソース同士を接続し
て第２の端子とし、前記第１の端子に前記第１のFET
（１）のドレインと前記第９のFET（36）のドレインと
を接続し、前記第２の端子に第２のFET（２）のドレイ
ンを接続し、前記第１のFET（１）と第９のFET（36）と
第２のFET（２）のソース同士を接続して第３の端子と
し、該第３の端子に前記定電流源を接続し、前記第２の
FET（２）のゲートを高周波的に接地し、前記第1,第９
及び第２のFET（1,36,2）の各ゲート幅を等しくすると
共に、前記第１のFET（１）のゲートには抵抗分割によ
り第１の電圧を供給し、前記第９のFET（36）のゲート
には抵抗分割により第２の電圧を供給して、前記第１及
び第２の電圧を変化させることにより、前記第１のバン
ドを受信する時は、前記第１のFET（１）をオン、第９
のFET（36）をオフさせ、前記第２のバンドを受信する
時は、前記第１のFET（１）をオフ、第９のFET（36）を
オンさせるようにしたことを特徴とするミクサ回路。
【請求項８】請求項１に記載のミクサ回路において、前
記ダブルバランス形ミクサは、第４乃至第７のFET（４
〜７）より構成され、前記第４のFET（４）と第５のFET
（５）のソース同士を接続して第１の端子とし、前記第
６のFET（６）と第７のFET（７）のソース同士を接続し
て第２の端子とし、前記第１の端子に前記第１のFET
（１）のドレインを接続し、前記第２の端子に第２のFE
T（２）のドレインを接続し、前記第１のFET（１）と第
２のFET（２）のソース同士を接続して第３の端子と
し、該第３の端子に前記定電流源を接続し、前記第２の
FET（２）のゲートを高周波的に接地し、前記第１のFET
（１）のゲートに第10のFET（50）のドレインを接続
し、該第10のFET（50）のソースを第１の抵抗（51）を
介して接地し、前記第３のFET（３）のドレインに電源
より第２の抵抗（53）でバイアス電圧を供給し、前記第
１のFET（１）のゲートより前記第２のFET（２）のゲー
トに、第３の抵抗（20）を介してバイアス電圧を供給
し、前記第１のバンドは前記第３のFET（３）のソース
に、第１の可変同調フィルタ（18）を介して後に入力さ
れ、前記第２のバンドは前記第10のFET（50）のゲート
に、第２の可変同調フィルタ（19）を介して後に入力さ
れ、前記第３のFET（３）のドレイン電流と前記第10のF
ET（50）のドレイン電流とを等しくし、前記第３のFET
（３）のソースには第１の電圧を供給し、前記第10のFE
T（50）のゲートには第２の電圧を供給して、前記第１
及び第２の電圧を変化させることにより、前記第１のバ
ンドを受信する時は、前記第３のFET（３）をオン、第1
0のFET（50）をオフさせ、前記第２のバンドを受信する
時は、前記第３のFET（３）をオフ、第10のFET（50）を
オンさせるようにしたことを特徴とするミクサ回路。
【請求項９】高い周波数帯域を持つ第１のバンドと低い
周波数帯域を持つ第２のバンドとから成る広帯域信号を
受信する受信機用のミクサ回路において、第４乃至第７のFET（４〜７）によりダブルバランス形
ミクサを構成し、前記第４のFET（４）と第５のFET
（５）のソース同士を接続して第１の端子とし、前記第
６のFET（６）と第７のFET（７）のソース同士を接続し
て第２の端子とし、前記第１の端子にバッファFETとし
ての第１のFET（１）のドレインを接続し、前記第２の
端子にバッファFETとしての第２のFET（２）のドレイン
を接続し、前記第１のFET（１）のソースを第１の抵抗
（55）を介して接地し、前記第２のFET（２）のソース
を第２の抵抗（56）を介して接地し、前記第１のバンド
を受信する時は、該第１のバンドを第１の可変同調フィ
ルタ（18）を介して前記第１のFET（１）のソースに入
力し、該第１のFET（１）をオン、前記第２のFET（２）
をオフさせ、前記第２のバンドを受信する時は、該第２
のバンドを第２の可変同調フィルタ（19）を介して前記
第２のFET（２）のゲートに入力し、前記第１のFET
（１）をオフ、前記第２のFET（２）をオンさせるよう
にしたことを特徴とするミクサ回路。
【請求項１０】高い周波数帯域を持つ第１のバンドと低
い周波数帯域を持つ第２のバンドとから成る広帯域信号
を受信する受信機用のミクサ回路において、第４のFET（４）と第５のFET（５）とによりシングルバ
ランス形ミクサを構成し、前記第４のFET（４）と第５
のFET（５）のソース同士を接続して第１の端子とし、
該第１の端子に第１のFET（１）のドレインを接続し、
該第１のFET（１）のソースを抵抗（58）を介して接地
し、前記第１のバンドを第１の可変同調フィルタ（18）
を介して前記第１のFET（１）のソースに入力し、前記
第２のバンドを第２の可変同調フィルタ（19）を介して
前記第１のFET（１）のゲートに入力するようにしたこ
とを特徴とするミクサ回路。